【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体層接合基板の製造方法は、第１基板２の上面２Ａに、第１基板２と異なる熱膨張係数を有する第１半導体層３を成長させる準備工程と、第１半導体層３の上面３Ａに、第１基板２よりも第１半導体層３に近い熱膨張係数を有する第２基板４を接合した後、第１基板２を除去して第２基板４および第１半導体層３が接合された接合体６を形成する接合体形成工程と、第１基板２が除去された側の第１半導体層３の露出面７に、第１半導体層３と同じ組成系の第２半導体層５をさらに成長させる成長工程とを有している。そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】リッジ下部の幅のばらつきを抑制することができるリッジ型半導体光素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、活性層１２、ｐ型ＩｎＰ層１４、ｐ型ＩｎＰ層１６を順に形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層１６をドライエッチングしてリッジ下部２０を形成する。次に、リッジ下部２０の周りをＩｎＧａＡｓＰ層２２によりリッジ下部２０の上面を覆わない高さまで埋め込む。次に、リッジ下部２０及びＩｎＧａＡｓＰ層２２上にｐ型ＩｎＰ層２４を形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層２４をドライエッチングしてリッジ下部２０上にリッジ上部２８を形成する。ここで、リッジ上部２８の上面の幅がリッジ下部２０の幅よりも広くなるようにする。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層２２をｐ型ＩｎＰ層１４、リッジ下部２０及びリッジ上部２８に対して選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）