【課題】ウェハを分離する際のクラック形成を良好に行う観点で改善された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分にスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】スクライブにより良好なクラックを形成することができる半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分に沿ってスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の回折効率とキャリアの注入効率が高く、且つ、光の吸収を抑えることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、活性層１０４と、該活性層の近傍に設けられ面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶層１０５と、を含む複数の半導体層が積層されたフォトニック結晶面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶層１０５は、前記基板の面内方向に、低屈折率媒質１０５ｂと該低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質１０５ａとが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材１０５ｃが配置されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下で駆動させた場合であってもＣＯＤ発生を抑制し高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子１は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域２３と、量子井戸構造の活性層１５を有する非窓領域２４とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域２３上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層１５の近傍側の層にＶ族サイトを占める不純物がドーピングされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層中のＯ原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する半導体基板であって、前記ｐ型結晶層が、３族原子としてアルミニウム原子を含む３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、１×１０^１７ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含み、かつ、２×１０^１７ｃｍ^−３以上、２×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）