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国際特許分類[H02M1/00]の内容

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【課題】電気自動車用インバータ装置の小型化と長寿命化をはかる。
【解決手段】インバータ主回路のIGBTモジュール,ブスバー,コンデンサをヒートシンクの表面に接合して取り付け、このヒートシンクの裏側に形成した冷却水路で水冷する。 (もっと読む)


【課題】 従来の並列回路の配線構造では、相互インダクタンスの影響を逃れるために各配線間の距離が増大して配線構造が大型化する課題がある。
【解決手段】 能動素子あるいは受動素子を含む並列接続される複数の回路をそれぞれ接続する導体のいずれかに、磁気的に結合する磁気回路を構成する磁性体を配置することで、前記導体のインダクタンス成分を調整し、前記導体間のインピーダンスの均等化を行う。 (もっと読む)


【目的】各素子ポスト面での圧接力分布をほぼ均等とする構造を実現する。
【構成】GTO8のポスト径をφD2、フリーホイリングダイオード9のポスト径をφD1、GTO8とフリーホイーリングダイオード9に挟まれた水冷ヒートシンク15の厚みをtFin 、この水冷ヒートシンク15の冷却水溝の高さをhとした場合、φD2−φD1<2×(tFin −h)の関係が成立するように、GTO8とフリーホイーリングダイオード9と水冷ヒートシンク15を選定する。 (もっと読む)


〔目的〕 誘導性負荷のサージ電圧による破壊を有効に防止したパワーMOSFETによるスイッチング回路を提供する。
〔構成〕 スイッチング用のパワーMOSFET(S)とプリドライバ(PD)との間にバッファ回路(BF)を設置すると共に、このパワーMOSFETの高圧側端子の電圧をバッファ回路の入力端子に帰還するツェナーダイオード(ZD)などを含む帰還回路を備える。 (もっと読む)


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