【課題】高効率で増幅を行うと共に合成損失を最小限に抑える。
【解決手段】入力信号は、デジタル信号処理部１１で直交変調され周波数変換部１２でＲＦ信号に変換され、分配器９１により振幅補正回路１３と主増幅器１６−１、１６−２に２分配される。一方のＲＦ信号は、振幅補正回路１３で振幅補正され位相補正回路１４で位相補正されて主増幅器１６−１に出力される。主増幅器１６−１、１６−２はデジタル信号処理部１１で作成された包絡線信号で電源電圧を制御され、増幅信号を合成器９３に出力して合成させる。合成損失として終端抵抗９３０に現れるＲＦ信号は、方向性結合器１９と検波器１８を介し誤差信号として制御部１７に出力される。制御部１７は、デジタル信号処理部１１で作成された包絡線信号と誤差信号とによる誤差情報に基づき更新した振幅補正値と位相補正値とで振幅補正回路１３と位相補正回路１４を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において、１つの集積回路で複数の機能を実現する集積回路と、その集積回路が表面実装される中継基板とに関し、特性の劣化の原因となる広帯域設計をすることなく、多様に異なる帯域に柔軟に対応可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板上に個別に形成された複数の回路と、前記基板上で前記複数の回路に隔たって形成され、前記複数の回路の何れにも接続され得る特定の回路とを備え、前記特定の回路と前記複数の回路とは、表面実装型の中継基板との突起電極を介する接続に供されるパッドを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器において、利得の温度依存性を抑制し、高温時に利得が低下しないようにすること。
【解決手段】ＰＴＡＴ電流源２０は、正の温度依存性を有した電流Ｉ１を生成し、ＶＢＥ依存電流源３０は、負の温度依存性を有した電流Ｉ２を生成する。電流加減算回路４０は、電流Ｉ１と電流Ｉ２を加算して温度依存性のない電流Ｉ３を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ３を減算して電流Ｉ４を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ４を減算して電流Ｉ５を生成する。電流Ｉ５は、所定の温度までは温度上昇に対して電流量が増加し、所定の温度以上では温度依存性がなく一定の電流量となる温度特性である。この電流Ｉ５がエミッタ接地増幅回路１０に供給されることで、利得の温度依存性が抑制され、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＤＡ及びＴＢＡのいずれか選択されたものとして共同受信システム用増幅器を使用可能とする。
【解決手段】 入力端子２から供給された共同受信信号を第１の増幅手段８が増幅し、１分岐器２６に供給する。１分岐器２６の出力信号が出力端子３０に供給され、１分岐器２６の分岐出力信号が分岐・分配切換手段３２に供給され、その出力信号が分岐端子５０、５２、５４、５６に分配される。分岐・分配切換手段３２は、１分岐器２６の分岐出力信号を増幅して出力する増幅状態または前記分岐器の分岐出力信号をそのまま通過させる通過状態のいずれかとする第１の切換手段５８と、第１の切換手段５８の出力信号を増幅して、分岐端子５０、５２、５４、５６に供給する増幅器６７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ドレインバイアスノードの電位を変化させた場合に、信号通過位相の変化を抑制することを課題とする。
【解決手段】増幅回路は、一次側インダクタが入力端子に接続され、二次側インダクタの中点がゲートバイアスノードに接続されるトランスフォーマー回路（１０１）と、ゲートが二次側インダクタの一端に接続され、ドレインが第１の出力端子に接続される第１のトランジスタ（１０４）と、ゲートが二次側インダクタの他端に接続され、ドレインが第２の出力端子に接続される第２のトランジスタ（１０５）と、第１の出力端子及びドレインバイアスノード間に接続される第１のインダクタ（１１０）と、第２の出力端子及びドレインバイアスノード間に接続される第２のインダクタ（１１１）と、トランスフォーマー回路の二次側インダクタに並列に接続され、ドレインバイアスノードの電位に応じて容量値が変化する可変容量（３０１，３０２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力電力検知部を含む自動利得制御系を構成して高精度の電力補償処理を実現する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の高周波増幅器は、送信信号の出力電力を増幅する電力増幅部と、前記電力増幅部により前記出力電力が増幅された前記送信信号を出力部に出力するとともに、前記送信電力増幅後の前記送信信号を帰還信号として出力する方向性結合器と、前記方向性結合器から出力される前記送信信号の出力電力を検知して電力検知信号を出力する電力検知部と、前記帰還信号の信号形態を変換して出力する信号変換部と、前記変換された帰還信号と前記電力検知信号との差を求め、当該差により前記電力増幅部に入力する前記帰還信号の信号レベルを調整するフィードバック利得補償部と、前記送信信号と帰還信号間の誤差が小さくなるように送信データの振幅と位相を調整するＤＰＤ処理部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができる整合回路を提供する。
【解決手段】半導体装置１のインピーダンス整合を取るための整合回路であって、半導体装置１上に設けられた第１のボンディングパッド１Ａ及び第２のボンディングパッド１Ｂと、半導体装置１の外部に設けられた外部電極１と、第１のボンディングパッド１Ａと外部電極２とを接続する第１のワイヤ４Ａと、第２のボンディングパッド１Ｂと外部電極２とを接続する第２のワイヤ４Ｂとによって形成されるインダクタを少なくとも１つ備える整合回路。 （もっと読む）

【課題】信号増幅について消費出力を低減することの可能な増幅回路、電子機器、増幅方法を提供する。
【解決手段】高周波信号が入力されこの高周波信号を増幅して出力するｎ段アンプと、前記ｎ段アンプの消費電力の制御を行う制御回路と、前記制御に対応して前記ｎ段アンプの内の出力の選択を行う切り替え回路とを備えた増幅回路。また、アンテナと、前記アンテナを介して入力された信号を増幅して出力する複数のアンプと、前記複数のアンプのそれぞれに供給される電流を制御する制御回路と、前記制御回路の前記電流制御に対応して、前記複数のアンプの出力を切り替える切り替え回路とを有する増幅回路と、前記増幅回路から出力された信号を復調する復調回路と、を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】最小ループと２セルループのオッドモード発振を共に抑制する高周波回路を提供する。
【解決手段】半導体基板上に並列に配列された複数のトランジスタと、第１の絶縁基板上に配置され、複数のトランジスタのゲート端子電極にそれぞれ接続された複数の入力整合回路と、第１の絶縁基板上に配置され、入力整合回路に隣接して配置された入力側第４発振抑制抵抗と、入力側第４発振抑制抵抗に直列接続された入力側第１キャパシタと、隣接する入力整合回路間を繋ぐ伝送線路上の点と入力側第１キャパシタ間に接続された入力側第１インダクタとを有する入力側発振抑制回路とを備え、入力側第１インダクタのインダクタンス値をＬ１、入力側第１キャパシタのキャパシタンス値をＣ１とすると、１／{２π（Ｌ１×Ｃ１）^1/2}で表される入力側第１インダクタと入力側第１キャパシタの共振周波数が、２セルループの発振周波数fosc2に等しい高周波回路。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタを均一に動作させ、低消費電力及び良好な歪特性を実現する。
【解決手段】高周波信号を増幅する電力増幅器１００であって、上部電極１２０ａ及び下部電極１２０ｂを有し、高周波信号が入力される整合容量１２０と、整合容量１２０の下部電極１２０ｂから出力される高周波信号を増幅する複数のトランジスタ１１０が所定の方向に並んで配置されているトランジスタ列とを備え、トランジスタ列に隣り合う領域において、トランジスタ列の両端から略等しい距離には、接地されたビアホール１７０が形成され、下部電極１２０ｂは、ビアホール１７０を挟んで高周波信号が均等に分配されるように配置されたマイクロストリップ線路であり、複数のトランジスタ１１０のベース端子に接続される。 （もっと読む）