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国際特許分類[H03F3/19]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 高周波増幅器,例.無線周波増幅器 (626) | 半導体装置のみをもつもの (431)

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携帯電話用の電力増幅器は、増幅器の出力における負荷から反射された電力量を表す信号の時間積分に基づいて制御されるRF増幅器(15)を有する。積分を用いると、可変負荷インピーダンスがある場合、前記制御はより効果的になり得る。これは、増幅器出力における大きな電圧の振れを制限することができる。前記積分は、アナログ信号処理コンポーネント(50,90,100)を用いて決定され得るので、RF及び他のコンポーネントとともにより容易に集積化され得る。前記積分は、基準に対する差分について決定され得る。反射信号は、オフセットに対する感度を下げるように、積分する前にゼロに中心を合わされ得る。前記基準は当該状況に合うように選択可能である。
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増幅回路の検出された入力電力に少なくとも部分的に基づいて、大きな電流ブーストをもたらす、増幅器用の適応型バイアス方法及び回路。本発明の方法及び回路は、検出された入力電力に基づく更なるバイアス電流を提供する。本発明の回路は、単純で、面積効率がよく、低電力で、安定且つデジタルプログラミングが可能であろう。加えて、本発明の方法及び回路は、インダクタ及び/又は抵抗縮退を有する増幅器を含む、多くの増幅回路構成とともに用いることができる。 (もっと読む)


増幅器は、ダーリントン・トランジスタ対(110,120)および入力トランジスタ(110)中のバイアス電流を増加させるためのバイアスを与えるネットワークを含む。回路(100)は、入力トランジスタ(110)、第2トランジスタ(120)、無線周波数(RF)チョーク(112)、縮退インダクタ(122)、キャパシタ(132)および電圧制御電流源(130)を含む。入力トランジスタ(110)および第2トランジスタ(120)は、コレクタがノード(142)でともに結合され、入力トランジスタ(120)のエミッタがノード(111)に結合されて、ダーリントン・トランジスタ対を形成するために結合される。
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本発明は、対称的なバイポーラ電流信号の増幅用電子回路に関する。この電子回路は、1対の相補形電流ミラーを有する。バイポーラ電流信号の極性に応じて、電流ミラーのうちの一方は能動状態であり、他方の電流ミラーはオフ状態である。このように、バイアス電流を入力信号に加えることが避けられ、それにより雑音が大幅に低下する。

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【課題】 高周波の電力増幅器とその周辺回路を設計するには、高周波回路専門の技術者が必要であった。
【解決手段】 入力端子11と、この入力端子11の信号が供給される電力増幅器13と、この電力増幅器13の出力が供給される方向性結合器15と、この方向性結合器15の出力が供給される出力端子16と、方向性結合器15の結合出力端子15aが入力17aに接続されるとともに、その出力17bが電力増幅器13の電力制御端子13aに接続された自動電力制御回路17とが一つの多層基板に形成されたものである。これにより、高周波回路専門の技術者を必要としない電力増幅器モジュールが可能となる。 (もっと読む)


【課題】極めて簡単な構成で、広帯域な高周波増幅装置の歪特性の改善を実現でき、しかも、発熱量が少なく信頼性の高い装置を実現する。
【解決手段】入力端子101への入力信号は、トランス102により不平衡から平衡状態に変換され、トランジスタ103〜106でプッシュプル増幅される。トランジスタ103と105の間には、非直線素子107と遅延線路109を直列接続した回路、及び減衰素子111と遅延線路113を直列に接続した回路、を並列接続した歪み発生回路が設けられる。また、プッシュプル動作をするための逆相側の増幅を行なうトランジスタ104と106の間にも、同様に歪み発生回路が接続される。この歪み発生回路により振幅変調の混変調と、位相変調の混変調が打ち消される。そして、トランジスタ103〜106によって増幅された信号は、トランス118により不平衡状態に戻され、出力端子119より出力される。 (もっと読む)


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