【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】 安定した発振抑制効果が得られると共に高精度に発振が抑制できるように回路定数が調整できるようにする。
【解決手段】 回路定数を調整する回路定数調整器１６であって、終端が開放端に形成されたスタブ１６ｅと、一端１７ｂがスタブ１６ｅに接続されると共に、他端１７ａが回路定数調整対象の回路１２に接続され、かつ、抵抗値が設定可能に設けられた可変抵抗器１６ａと、可変抵抗器１６ａに制御信号を出力して、当該可変抵抗器１６ａの抵抗値を設定する抵抗値設定器１６ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンＣＭＯＳプロセスで製造されることができかつ良好な線形性および信頼性を有する相補型増幅器を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ４２２とそれにスタック結合されたＮＭＯＳトランジスタ４１２で構成した相補型増幅器４００で、ＮＭＯＳトランジスタ４１２およびＰＭＯＳトランジスタ４２２は、別々のバイアス電圧を有し、それらのバイアス電圧は、各トランジスタの相互コンダクタンスの低高および高低遷移をオーバーラップさせるように選択され、各トランジスタの幅および長さ寸法は、中反転領域におけるＮＭＯＳトランジスタ４１２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化を中反転領域におけるＰＭＯＳトランジスタ４２２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化と整合させるように選択される。それによりほぼ一定の総入力容量およびほぼ一定の総相互コンダクタンスを有しうる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電力消費量を低下させ、回路面積を縮小した線形性がより高いＬＮＡを提供する。
【解決手段】差動増幅器３００の一腕は第１トランジスタ３１０及び第２トランジスタは３２０、第１のカスケード対として結合され、第３トランジスタ３３０及び第４トランジスタ３４０は、第２のカスケード対として結合される。第３トランジスタ３３０は、第２トランジスタ３２０のソースに結合したゲートを有し、第４トランジスタ３４０は、第２トランジスタ３２０のドレインに結合したドレインを有する。第３トランジスタ３３０は、第１トランジスタ３１０によって生成される３次歪み成分を除去するのに用いられる歪み成分を生成する。誘導子３５０は、第１トランジスタ３１０に対してソースディジェネレーションを提供し、歪み除去を向上させる。第２トランジスタ３２０及び第３のトランジスタ３３０の大きさは、利得損失を低減させるために選択される。 （もっと読む）

【課題】ゲインの切替えを行っても入力インピーダンスが変化することがなく安定した受信性能を得ることができる低雑音増幅器及び無線通信機を得る。
【解決手段】受信側のローノイズアンプ２０を、ゲイン切替え機能を備えたアンプ部２０１と、アンプ部２０１をローゲインに設定したときのローノイズアンプ２０の入力インピーダンスがハイゲインに設定したときの入力インピーダンスに合うようなインピーダンス素子２０２と、インピーダンス素子２０２のアンプ部２０１の入力端への接続／切り離しを行うスイッチ２０３とで構成し、アンプ部２０１をローゲインに設定したときにインピーダンス素子２０２をアンプ部２０１の入力端に接続するようにした。これにより、アンプ部２０１のゲインの切替えを行ってもローノイズアンプ２０の入力インピーダンスを一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつノイズの影響を受けにくい半導体集積回路およびこれを用いた受信装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体集積回路は、トランスコンダクタンス回路と、第１の負荷回路と、第２の負荷回路とを備える。前記トランスコンダクタンス回路、前記第１の負荷回路および前記第２の負荷回路の少なくとも１つは、下式のパラメータＰが低減されるようにインピーダンスを調整するインピーダンス調整部を有する。Ｐ＝Ｚ_０１＊Ｚ_０４−Ｚ_０２＊Ｚ_０３。ここで、Ｚ_０１は前記第１の出力端子から見た前記トランスコンダクタンス回路のインピーダンス、Ｚ_０２は前記第２の出力端子から見た前記トランスコンダクタンス回路のインピーダンス、Ｚ_０３は前記第１の負荷回路のインピーダンス、Ｚ_０４は前記第２の負荷回路のインピーダンス。 （もっと読む）

【課題】良好な雑音性能を有しかつ大きい干渉信号に対処できる増幅器を提供する。
【解決手段】集積フィルタを備えた増幅器３２０ｂ（例えば,ＬＮＡ）は利得ステージ３３０、フィルタ・ステージ３４０およびバッファ・ステージ３５０を含んでいてもよい。利得ステージは、入力信号に対して信号増幅を提供する。フィルタ・ステージは、入力信号に対してフィルタリングを提供する。バッファ・ステージは、フィルタ・ステージからのフィルタされた信号をバッファする。増幅器は、第２のフィルタ・ステージ３６０及び第２のバッファ・ステージ３７０をさらに含んでいてもよい。 （もっと読む）