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国際特許分類[H03F3/21]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 電力増幅器,例.B級増幅器,C級増幅器 (2,000) | 半導体装置のみをもつもの (844)

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調和および非調和なスプリアスな周波数の存在下においてフィードバック制御電圧を最適化するプラズマ用の改良型rf電力制御装置を提供する。このシステムでは無線受信器用途に通常用いられるのと類似の発振器(28)とミキサ(24’)が、プラズマ点火のために用いられる固体rf供給源のサンプリングされた出力に配置される。サンプリングされた出力は、低周波数へとミキシングされフィルタリングされて、非線形のプラズマにおいて生成されたスプリアスな周波数を除去する。この態様でフィードバック電力制御は基本的にスプリアスな周波数を無視する。このアプリケーションでは、発信器(28)と混合器(24’)は、別の所望なシステム特性と干渉せず、プラズマのスプリアス成分の変化からフィードバック制御電圧を効率的に分離する。これは、従来の電力制御デバイスおよび方法で可能な精度より高い精度でのrf電力のプラズマへの送達が可能にする。
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【課題】半導体能動素子用の放熱構造をもつ積層基板とこれを用いるパワーアンプモジュールを小型化する。また基板内部の回路設計の自由度を高める。
【解決手段】半導体部品21を表面に実装可能でかつ該部品から生じる熱を逃がす放熱用ビアホール35を備えた積層基板31である。入出力整合回路及び電源バイアス回路を構成する受動素子並びに信号伝送線路のうちの少なくとも一部を積層基板の内部に配置し、該積層基板の内部に配置した受動素子及び信号伝送線路のうちの少なくとも一部を半導体部品実装領域の下部領域に配置する。該ビアホール35は、半導体部品21の底面積より小さい断面積を有しかつフィルドビアとする。基板表面の半導体部品21実装部に導電体膜25を配置し、該膜25とビアホール35を熱伝導可能に接続する。 (もっと読む)


【課題】従来の技術による諸問題を解決するため、高放熱効能の電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅集積回路10は、基板50と、放熱するためのヒートシンクと、基板50に設けられてコレクター12と、ベース16と、少なくとも1個のエミッター14a、14bとを含むトランジスターと、ヒートシンクとエミッター14a、14bと直接に電気的に接続されるエミッター電極20とを含む。 (もっと読む)


【目的】 導体損及び誘電体損による高周波の発熱を効率良く放熱して、発熱が間欠的に繰り返し生じることによる熱ストレスによってトランジスタの出力側リードの剥がれやコンデンサのアース側導体パターンの亀裂の発生を防止して電気的接続を確保し、長期間安定して高周波電力増幅器を動作できるようにする。
【構成】 熱伝導率の良好な誘電体から成り、かつプリント配線基板1の導体パターン2との出力整合用コンデンサの機能を合わせ持つ電極9を、熱伝導率の良好な金属部材からなるスペーサ10に設けて電極付きスペーサ8を形成する。そして、この電極付きスペーサ8の電極9を前記トランジスタQ1の出力側リード5aと半田付け等により接続させ、スペーサ10は放熱器に実装し、導体損や誘電体損により電極9に発生する熱を放熱器に逃がすようにする。 (もっと読む)


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