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国際特許分類[H03F3/21]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 電力増幅器,例.B級増幅器,C級増幅器 (2,000) | 半導体装置のみをもつもの (844)

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【課題】フィードバック回路を持たない送信機において、高出力増幅器の非線形特性を測定し、高精度な歪み補償動作を実現することができる歪み補償システムを得る。
【解決手段】入力信号である高周波信号を増幅して送信アンテナ6へ出力する高出力増幅器5と、高出力増幅器5の前段に接続され、高出力増幅器5で発生する非線形歪みを補償する歪み補償回路2と、送信アンテナ6から放射した電波を受信する受信アンテナ11と、受信アンテナ11からの受信信号と前記入力信号を比較し両者が一致するように歪み補償回路2の設定パラメータを修正する比較器10とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡易な回路で歪み特性が補正可能な高効率増幅器および増幅方法を提供する。
【解決手段】コレクタがバイアス電源V1に接続されるトランジスタTr1とコレクタがデカップリングコンデンサで接地されるトランジスタTr2とのエミッタの共通接続点から電力増幅器Pamp1へバイアス電源V2を供給する。電力増幅器Pamp1への入力信号を検波したエンベロープ信号のレベルがVthより低い場合、バイアス制御部3は、トランジスタTr1をオフ、トランジスタTr2をオンとして低歪み動作させ、Vthより高い場合、バイアス制御部3は、トランジスタTr1をオン、トランジスタTr2をオフとし、バイアス電源V2を電力増幅器Pamp1に供給し高効率で動作させる。 (もっと読む)


【課題】2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するプリディストータにおいて、2次高調波注入増幅器で発生する歪を効果的に補償する。
【解決手段】2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するプリディストータ(例えば、メモリレスPD31a)において、振幅値検出手段41a(基本波振幅検出部51、2次高調波振幅検出部52、乗算器53、加算器54)が入力信号に基づく振幅とその2次高調波信号に基づく振幅を加算した結果の値を検出し、歪補償処理実行手段(歪補償テーブル42、PD実行部43)が振幅値検出手段41aにより検出された値に基づいて2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するための処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】 2次高調波の反射レベルを増大させると共に、寄生容量による電力損失を無くして、ドハティ増幅装置の電力効率を更に向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器において、2次高調波を発生する高調波発生器32と、発生した2次高調波の位相を調整する可変移相器33と、2次高調波の振幅を調整する可変減衰器34とを備え、基本波信号に2次高調波を注入した合成信号を、高調波反射回路64を備えたキャリア増幅回路6の入力信号とし、更にキャリア増幅回路6のFET62と出力整合回路63との間にE級処理回路65を備えた高周波電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】ユーザが、検査回路を接続する必要がなくなると共に、使用する端子を少なくすることができる。
【解決手段】断線検査時は、WRDN_EN信号をHレベルにする。オペアンプ18及びオペアンプ20の電源端子にLレベルの信号が入力され、非動作状態となる。P−MOSFET22が導通すると、ドレイン電流が、スピーカ14と抵抗28及び抵抗30とを流れ、N−MOSFET24を介してアースに流れる。出力用論理回路26のNOR回路32の入力端子の一端に入力される電圧をVとすると、V=(R×VCC)/(R+R+R)となる。Vは、NOR回路32の閾値電圧VTHよりも高いためHレベルとなる。NOR回路32の出力端子からは、Lレベルの信号が出力される。表示装置16はLレベルの信号に基いて、スピーカ14が導通状態であることを表示する。 (もっと読む)


【課題】小型で効率的なパッケージにおいて、無線周波電力を供給する高出力無線周波増幅器、を実現する。
【解決手段】高電力接地ドレイン共通ソースの無線周波増幅回路は高電圧MOSFETを利用する。入力の無線周波信号は接地に対して、2次巻線がゲートとソースとの間に信号を供給する絶縁変圧器を介して印加される。出力は、接地されたドレインに対してソースから得られる。各MOSFETダイの絶縁無線周波入力ドライブを伴う13.56MHz 3KW電力増幅器の配置は1組のキロワット電力トランジスタすなわちKPTを使用するが、そこでは多数の大面積MOSFETダイが存在し、ダイのドレイン領域はダイ下面の主要部分の上に形成される。ドレイン領域は導電性銅フランジと直接電気的及び熱的に接触している。ソース及びゲート領域は平坦な下面から離れたダイの上に形成される。 (もっと読む)


【課題】従来技術であるダイオードによるFETのアイドリング電流補正は、FETとダイオードの温度特性を完全に一致させることは困難であるため、FETのアイドリング電流を一定に保つことが難しい。
本発明の目的は、温度変化によって一定に保つことが難しかったFETのアイドリング電流を制御し、電力増幅器の出力を一定に保持することである。
【解決手段】本発明のFETを使用した電力増幅器は、FETのドレイン電流値を測定するドレイン電流値測定手段と、FETのアイドリング電流を補正するアイドリング電流補正手段を有し、アイドリング電流補正手段はドレイン電流値測定手段で測定したドレイン電流値に応じて補正することを特徴とする。 (もっと読む)


レンズアレイ増幅器の形態に基づくモジュラー・ソリッドステートMMWパワーソースは、出力パワーを調整フレキシビリティと効果的な熱管理の両方を提供する。モジュラーパワーソースは、1以上のパワーディバイダと1以上のソリッドステート増幅ステージとを使用する単一のサブモジュールを含んでいて、RF入力信号をR個の増幅RF信号に分割し増幅する。サブモジュールはヒートシンクの表面上の適切にはX−Y平面にマウントされ、冷たいバックプレーンに適切に結合されて熱を除去する。R個の1:N低ロスパワーディバイダは増幅されたRF信号をRN個の放射素子に導く。1:Nパワーディバイダの各々は、X−Z平面に適切に存在し、Y方向に積層されて、Y−Z平面のRN個の放射素子のプレーナ出力を提供する。単一のサブモジュール上に増幅チップを配置すると、増幅チップ数、即ち放射素子数からの出力パワーを分離できる。増幅チップを放射素子から離して配置すると、ヒートシンクからバックプレーンに向かう大きな断面を有する短経路を形成でき熱を除去できる。この形態によると、高いアンテナ利得と結合される高出力パワーを生成でき、以前はジャイロトロンでのみ達成可能であった大きなパワーアパーチャー製品を作成できる。増幅チップはよりパワフルになるので、この形態によるとより少ないチップを使用することを可能とする。 (もっと読む)


【課題】 複数の増幅器がいかなる動作点で使用されたとしても、各増幅器に対応したリニアライザによって正しく歪補正することができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 この電力増幅器は、多段接続された複数の増幅器32、34と、増幅器32、34の非線形補正を行うための多段接続された複数のリニアライザ10、20を備え、より前段の増幅器の歪補正をより後段のリニアライザで行う構成とした。 (もっと読む)


【課題】電力増幅部が無バイアス状態になることなく、バイアス回路の切り替えが可能な送信回路を提供する。
【解決手段】第1のバイアス回路24は、電力増幅部17に第1のバイアス信号を供給する。第2のバイアス回路25は、電力増幅部17に第2のバイアス信号を供給する。第1の遅延回路22は、第1のバイアス回路24の動作の切り替えを第1の遅延時間だけ遅延させる。第2の遅延回路23は、第2のバイアス回路25の動作の切り替えを第2の遅延時間だけ遅延させる。電力増幅部17の動作モードの切り替え時に、増幅用トランジスタ171が無バイアス状態にならないように、第1のバイアス回路24、及び第2のバイアス回路25の両方が所定期間だけ同時に動作する。 (もっと読む)


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