【課題】入出力信号の取得が困難な場合にも、精度よくかつ速やかに歪補償を行うことができる歪補償回路を提供する。
【解決手段】本発明の歪補償回路２０は、上位レイヤにより生成されて増幅器７に入力される入力信号、及び、増幅器７が出力する出力信号を取得する同期処理部２６と、同期処理部２６によって取得された前記入出力信号を用いて増幅器７の歪補償を行う歪補償部２５とを備えている。同期処理部２６は、入力信号に含まれているプリアンブル信号を取得、歪補償部２５は、このプリアンブル信号を用いて歪補償を行う。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ−ＦＥＴを増幅素子とするマイクロ波帯の増幅回路で、バックオフ動作時でも良好な通信品質を確保する。
【解決手段】バイアス調整手段（たとえば、検波回路３１、帰還回路３２及びリミタ回路３３）により、増幅素子２０ａ（たとえば、ＧａＮ−ＦＥＴ）の出力パワーが検波され、同出力パワーが同増幅素子２０ａの飽和出力パワーに対して相対的に小さい動作状態のとき、同増幅素子２０ａの出力電流が相対的に小さくなるようにゲートバイアス電圧ｇｂが調整される一方、上記出力パワーが増加する動作状態のとき、同出力パワーの増加に対応して増幅素子２０ａの出力電流を増加させるようにゲートバイアス電圧ｇｂが調整される。 （もっと読む）

【課題】出力回路の初段に設けられた増幅器の駆動能力に影響されることなく駆動能力、周波数特性の向上を図る。
【解決手段】
入力信号が入力される増幅器１０１と、その出力信号が入力されるコレクタ接地型ＡＢ級出力回路１０２と、このコレクタ接地型ＡＢ級出力回路１０２の出力信号の信号レベルを変換するレベルシフト回路１０３と、このレベルシフト回路１０３の出力信号が入力されるエミッタ接地型ＡＢ級出力回路１０４とを具備してなり、コレクタ接地型ＡＢ級出力回路１０２を構成するトランジスタの直流増幅率をHFEとすると、増幅器１０１の駆動能力は、従来に比して１／（HFE×HFE）で済み、第１及び第２のトランジスタ１，２のエミッタ面積を大きくする必要がない。 （もっと読む）

【課題】電力の供給時、非供給時にかかわらず、電力増幅器の出力端子が天絡あるいは地絡などの短絡を起こした場合であっても、電力増幅器を構成する素子を過電流から保護する。
【解決手段】外部の電源からの電力供給を受けて動作するとともに入力信号を増幅して増幅信号出力端子から出力する電力増幅器を、過電流から保護する増幅器保護回路１３は、電力増幅器への電源からの電力供給路に設けられ、遮断制御信号ＳＣＵＴに基づいて電力供給路を遮断するリレー回路１５と、増幅信号出力端子および短絡電流路を介して低電位側電源に流出する電源からの電流により遮断信号ＳＣＵＴを生成し、出力する保護制御回路１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基本波と２次高調波を同時に整合をとって増幅することにより、２次高調波の反射特性を向上させ、ドハティ増幅器の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅回路６に高調波反射回路６４を備えたドハティ増幅器において、キャリア増幅回路６の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生回路３を備え、発生した２次高調波をキャリア増幅回路６の入力に注入すると共に、基本波と２次高調波を互いに反射させて、他方の整合に影響を与えることなく基本波と２次高調波について同時に整合をとって合成してＦＥＴ６２に出力する基本波・２次高調波入力整合回路６５を備えた高周波電力増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】負荷条件が異なっても高調波を適切なインピーダンスで終端し、基本波に対しては影響のない高調波終端回路を得る。
【解決手段】高調波終端回路は、マイクロ波電力増幅器（４）のマイクロ波出力または入力を高調波処理する高調波終端回路において、基本波のおよそ４分の１波長の先端短絡スタブ（１ａ、１ｂ、１ｃ）および上記先端短絡スタブに直列に接続される抵抗（３ａ、３ｂ、３ｃ）を有する並列回路（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）を３組備え、上記並列回路は、二次高調波のおよそ４分の１波長ずつ離れて伝送線路（２ａ、２ｂ）に並列に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスのばらつきもしくは温度変動による増幅器の利得の変動を軽減する。
【解決手段】増幅器は、バイアス部１、増幅部２、電流検出部３を具備する。増幅部２の増幅トランジスタＱ_N2に入力信号Ｐinが供給され、増幅出力信号Ｐoutが生成される。バイアス部１は参照トランジスタＱ_N11とレプリカ増幅トランジスタＱ_N12を含み、Ｑ_N11の第１バイアス電流Ｉ₁₁とＱ_N12の第２バイアス電流Ｉ₁₂が電流検出部３の第１と第２の入力端子に供給されて、電流検出部３は差電流Ｉ₁₂−Ｉ₁₁に対応する検出電流Ｉ_DIFFを生成する。電流検出部３の検出電流Ｉ_DIFFが参照電流(Ｉ_REF、Ｉ_REF／ｎ)と一致するように、レプリカ増幅トランジスタＱ_N12の第２バイアス電流Ｉ₁₂が電流検出部３から生成される検出電流Ｉ_DIFFに基づいて制御される。 （もっと読む）

【課題】上限値及び下限値のいずれか一方の制限値により制限される変動範囲で信号値が変動する第１区間と第１区間以外の区間である第２区間と、が繰り返し現れる波形を有する入力信号を増幅する際の、増幅された信号波形の再現性を向上する。
【解決手段】増幅回路１は、入力信号の直流成分の信号強度と、第１区間Ｔ１の信号値の変動範囲の上記の制限値（Ｖ_L，Ｖ_U）との差が減少するように、第２区間Ｔ２の信号値を変更する波形変形部１０と、波形変形部１０により変形された入力信号の直流成分を除去する直流成分除去部Ｃ１と、直流成分が除去された入力信号を増幅する増幅部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも上限値及び下限値のいずれか一方の制限値により制限される変動範囲内で信号値が変動する第１区間と、該第１区間以外の区間である第２区間と、が繰り返し現れる波形を有する信号を増幅したときの、波形の再現性や電力使用効率を向上する。
【解決手段】増幅回路１は、入力信号を増幅し、得られる増幅信号を所定の負荷へ印加する増幅部２０と、増幅信号により所定の負荷に流れる負荷電流を検出する電流検出部１４と、入力信号の電圧レベルに基づいて、負荷に流すべき負荷電流の推定値を計算する推定部３０と、電流検出部１４により検出された負荷電流と推定値との間の差分値が減少するように増幅部２０へ与えられる入力バイアスを調整する調整部３２と、を備える。 （もっと読む）

実施形態は、これに限定されないが、ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を有する単位セルを含む装置とシステムを含む。フィールドプレートは前記ソース電極に連結され、帰還抵抗は前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結されてもよい。 （もっと読む）