【課題】低周波のノイズの影響に強いポジショナを提供する。
【解決手段】入力ラインＬ１と出力ラインＬ２との間に能動負荷Ｚとして可変インピーダンス回路ＺＢを設ける。可変インピーダンス回路ＺＢは、直流の電流信号に対するインピーダンスが低く、交流の電流信号に対するインピーダンスが高いという特性を有し、ラインＬ１，Ｌ２間に接続された抵抗Ｒ１とＲ２とＲ３との直列回路と、ラインＬ１にそのコレクタが接続され、そのベースが抵抗Ｒ２とＲ３との接続点に接続されたトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のエミッタとラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ２とＲ３との接続点にその一端が接続されたコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１の他端とラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ５と、抵抗Ｒ１とＲ２との接続点にその一端が接続されたコンデンサＣ２と、コンデンサＣ２の他端とラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】アクティブインダクタを提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン、及びゲートを含むｐＭＯＳトランジスタであって、前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ソースが電源Ｖｄｄと接続し、抵抗Ｒの一端が前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗Ｒの他端が前記ｐＭＯＳトランジスタの前記ドレインに接続している回路において、電源からの直流バイアスの略フルレンジに対して、インダクテイブインピーダンスを生成し、インダクタの特性を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルタのノッチ周波数を調整する機能を持ったフィルタ装置を提供する。
【解決手段】入力信号を抵抗１０９と可変容量１１０、アクティブインダクタ１１１を備えたフィルタコア部１０２にて分圧し、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの振幅と基準振幅とを比較する振幅比較回路１０１、振幅比較回路１０１での比較結果に基づいてアクティブインダクタ１１１の位相を制御する位相制御部１０８、フィルタコア部１０２のフィルタ特性信号Ｖｆの周波数と基準周波数とを比較する周波数比較回路１０３、周波数比較回路１０３の比較結果に基づいて可変容量１１０の容量を制御する可変容量制御部１１７によってフィルタ装置を構成し、アクティブインダクタ１１１の位相、可変容量１１の容量が制御される間、アクティブインダクタ１１１の位相制御部１０８が、フィルタコア部１０２を発振させる。 （もっと読む）

【課題】センター周波数を実質的に変化させずに帯域幅を可変することが可能なバンドパスフィルタ回路を備えた集積回路、バンドパスフィルタ回路の制御方法、その制御プログラム及びその制御方法を実行するロジック回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかる集積回路１０６は、楕円関数型のバンドパスフィルタ回路１００及び制御部１０５を備える。バンドパスフィルタ回路１００は、センター周波数ｆ１を設定する第１ＬＣフィルタ回路部１０１及び第４ＬＣフィルタ回路部１０４、共振周波数ｆ２、ｆ３をそれぞれ設定する第２ＬＣフィルタ回路部１０２、第３ＬＣフィルタ回路部１０３を備える。前記制御部１０５は、第２ＬＣフィルタ回路部１０２が設定するインダクタンス値Ｌ２、容量値Ｃ２及び第３ＬＣフィルタ回路部１０３が設定するインダクタンス値Ｌ３、容量値Ｃ３を可変させて、共振周波数ｆ２及びｆ３を、互いに増減が逆になるように変化させる。 （もっと読む）

【課題】容量値の切り換えが可能なデカップリング回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、インバータ２１を有する。インバータ２１は、ゲート電極Ｇ１を有するｉ（ｉは１以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｊ（ｊは０以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタを有する。また、インバータ２１は、ゲート電極Ｇ３を有するｍ（ｍは１以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｎ（ｎは０以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタを有する。ゲート電極Ｇ１〜Ｇ４は、インバータ２１の入力端と接続される。ゲート電極Ｇ１及びＧ２の合計面積は、ゲート電極Ｇ３及びＧ４の合計面積と異なる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振回路の回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、発振信号を増幅する発振アンプ部３２と、発振信号の発振周波数を制御するＬＣ共振部３３と、負性抵抗成分を有する負性抵抗部３４と、を備える。ＬＣ共振部３３は、ループ状に接続されたｇｍセル２５，２６と、ループ上のノードに一端が接続された容量２８〜３１と、を有し、ｇｍセル２５，２６と容量２８，２９とに基づくインダクタンス値と、容量３０，３１の容量値と、に基づいて発振周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】発振回路の発振周波数を広帯域に制御可能でＩＣ化に適した比較的小規模な発振回路を提供する。
【解決手段】一方の電源に接続される電流源と、他方の電源に接続されて誘導起電力によって電流を変動させる１組の負荷インダクタと、前記電流源と前記負荷インダクタとそれぞれに結合する１組の差動回路と、前記一方の差動回路の入力と前記他方の差動回路の出力との間に抵抗値を制御可能な可変抵抗を備えて正帰還が掛るように構成されて、前記可変抵抗の抵抗値に対応して発振周波数が定まる高周波発振回路である。 （もっと読む）

【課題】出力電流雑音の変動しない可変型アクティヴインダクタを提供すること。
【解決手段】トランジスタのゲート−ソース間に並列に容量素子とスイッチを直列接続した素子を接続する。すなわち、ＰＭＯＳトランジスタＭ２のドレインとキャパシタＣ１の一方の端子を接続する。また、端子ＶｉｎとキャパシタＣ１のもう一方の端子にスイッチＳ１の一方の端子を直列接続し、スイッチＳ１のもう１方の端子をＰＭＯＳトランジスタＭ２のゲートと接続する。スイッチＳ１を開閉する事で見かけ上のトランジスタのゲート−ソース間容量を変化させてインダクタンス値を変動させるが、ＭＯＳトランジスタＭ１・Ｍ２の相互コンダクタンスは変化せず、そのため出力電流雑音は変らない。 （もっと読む）

【課題】接地キャパシターのキャパシタンスを拡大する手段を提供する。
【解決手段】第一の抵抗１とキャパシター２で構成される低域通過濾波器の前段及び後段に電圧利得が＋１未満で限りなく＋１に近く、入力インピーダンスが十分に高く、出力インピーダンスが十分に低い前置増幅器３と後置増幅器４を接続し、さらに前置増幅器３の入力端と後置増幅器４の出力端を第二の抵抗５で接続し、第一の抵抗１の抵抗値は第二の抵抗５の抵抗値よりも大きくして実現する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧下においても、半導体集積回路上での面積および消費電力の増大を抑えつつ、高域での利得のピーキングの傾きを急峻化する。
【解決手段】Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のソースを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のドレインを出力端子ｏｕｔに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のドレインを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のソースを電流源ＩＢを介して接地電位に接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のゲートをＮ型電界効果トランジスタＭ２のソースに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のゲートを抵抗素子Ｒｐを介してＰ型電界効果トランジスタＭ１のドレインに接続する。 （もっと読む）