【課題】電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造コストを低減する。
【解決手段】本発明の電子装置１００は、基板１と、基板１上に形成された機能構造体（ＭＥＭＳ構造体）３Ｘと、機能構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とが備えられる電子装置であって、前記被覆構造が、基板１上に設けられ、且つ空洞部Ｓを囲む層間絶縁層４，６と、下部包囲壁３Ｙ及び配線層５，７とからなる側壁１０Ｙと、空洞部Ｓの上方を覆うと共に、空洞部Ｓに貫通する開口７ａを有し耐食性層を含む積層構造からなる第１被覆層７Ｙと、開口７ａを閉鎖する第２被覆層９と、を備えている。耐食性層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔまたはそれぞれの合金より構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の構造寸法を広い範囲で調整できると共に、均一な寸法調整を行うことができ、或いは、動作態様を変化させないＭＥＭＳデバイスの調整方法及びこれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板１０上に、ＭＥＭＳ構造体２０と、該ＭＥＭＳ構造体２０の周囲に外部に開口した空洞部を有する被覆構造とを形成する基板上構造形成工程と、その後、外部より前記ＭＥＭＳ構造体２０の周囲２０ＣにエッチングガスＥＧを供給して前記ＭＥＭＳ構造体の表面エッチングを気相で行う構造体エッチング工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振中心周波数、帯域幅の調整が容易な結合共振器アレイ及びそれを使用したフィルタ並びに発振器を提供する。
【解決手段】結合共振器１６_ｉのアレイ１０は、入力電気信号Ｖｅを供給するための手段１２と、この入力電気信号を使用してアレイのＮ個の結合共振器１６_ｉを電気的に励起するための手段１４とを備える。電気励起手段１４は、これらＮ個の結合共振器１６_ｉのそれぞれに関して、入力電気信号に従ってこの結合共振器を作動させるために入力電気信号供給手段１２に接続された作動手段１８_ｉと、この結合共振器１６_ｉを作動させるための結合共振器固有の可変利得入力増幅手段２０_ｉとを備える。さらに、それらは、入力増幅手段２０_ｉのそれぞれの可変利得の特定の設定を制御するための手段２２を備える。 （もっと読む）

マイクロ電気機械式共振器は、比較的広い温度範囲にわたって共振器の周波数の温度係数（ＴＣＦ）を低下させるため、約１×１０^１８ｃｍ^−３よりも大きなレベルまで、またさらに約１×１０^１９ｃｍ^−３よりも大きなレベルまでボロンがドープされた半導体領域を有する共振器本体を備えている。ＴＣＦにおけるさらなる改善は、共振器本体にボロンを縮退ドーピングすることと、共振器本体にボロンを利用したアルミニウム・ドーピングを行うこととのいずれかまたは両方によって達成されうる。
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【課題】圧電薄膜の圧電作用を用いた振動腕部の共振の効率が向上した圧電薄膜振動片、及びこの圧電薄膜振動片の製造方法の提供。
【解決手段】圧電薄膜振動片は、少なくとも２つの互いに略平行な振動腕部１０，１１と、振動腕部１０，１１を連結する連結部１２とを有し、振動腕部１０，１１のそれぞれの主面１０ａ，１１ａに、上部電極２０ａ，２１ａ及び下部電極２０ｂ，２１ｂからなる対向電極間に圧電薄膜２０ｃ，２１ｃを設けた圧電薄膜振動部２０，２１を備え、圧電薄膜２０ｃ，２１ｃと上部電極２０ａ，２１ａとの間に、高誘電率絶縁薄膜２０ｄ，２１ｄが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電振動子の周波数調整方法の改善
【解決手段】両端固定型の振動境界条件をもったMEMS型静電駆動屈曲振動子の振動部１０２、１０３の両端部と他の構造体が一体形成された静電振動子において、少なくとも前記構造体にはシリコン酸化膜が形成されると共に、前記構造体の熱弾性応力に起因する圧縮応力が振動部１０２、１０３に印加される構造を有するMEMS型静電振動子。 （もっと読む）

【課題】加工が容易で、かつ、消費電力を低減でき、従来に比べその共振周波数を容易に調整可能なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】基板１１１上に１或いは複数の点で固定され、表面に１或いは複数の櫛歯状の突起群が形成された振動体７２１と、振動体７２１の櫛歯状の突起群との間で櫛歯型キャパシタを構成する、表面に櫛歯状の突起群が形成された１或いは複数の静電電極１６１，１６２，１６３，１６４と、駆動電極１４１と、検出電極１５１と、を備え、振動体７２１が、駆動電極１４１からの駆動電圧によって振動する振動部７２２と、振動部７２２に結合する１或いは複数の振動制限部７２３と、により構成され、櫛歯型キャパシタに直流電圧を印加することで振動部７２２の振動の周波数が変化する。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の小型化、大容量化及び低価格化である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２，３，４の主面に櫛歯電極５，５ａ，５ｂと該櫛歯電極に隣接して配設された素子配線を有する配線電極６，６ａ，６ｂ及び該配線電極に接続された電極端子８を形成した少なくとも２個以上の圧電素子を各圧電素子間に中空部Ｃが形成されるように接合して積層し、貫通電極７，７ａが前記各圧電基板３，４を貫通して形成され、該貫通電極７，７ａが前記電極端子８に接続され、かつ、前記圧電基板２，３，４が、樹脂封止層１０により封止されていることを特徴とする圧電部品及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】損失の少ない安定した振動が得られる圧電薄膜振動片の提供。
【解決手段】圧電薄膜振動片は、基部１０と、棒状振動体２０，２１と、基部１０と棒状振動体２０，２１との間に設けられた圧電薄膜３１を、圧電薄膜３１の分極軸方向Ｃと交差して互いに対向し、一方が基部１０に接合され、他方が棒状振動体２０，２１の端部２２に接合される対向電極３２，３３で狭持する圧電薄膜振動部３０とを備え、圧電薄膜振動部３０の振動モードが、圧電薄膜３１が分極軸方向Ｃに変位する縦振動モードであって、棒状振動体２０，２１の延在方向Ｂが、圧電薄膜３１の分極軸方向Ｃに略沿った方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンまたは多の単結晶材料のエピタキシャル成長と両立し、かつ厚さに限定されず化学エッチングに対して良好な選択性をもつ犠牲層を有する基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の単結晶材料の第１および第２の部分と、２つの単結晶ＳｉＧｅ層間に位置する少なくとも１つの単結晶Ｓｉ層からなるスタックによって構成された犠牲層とを含む不均質基板からコンポーネントを製造する方法であって、前記単結晶材料の前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置されたスタックに対して、前記第１および／または第２の部分ならびに前記第１および／または第２のＳｉＧｅ層に、少なくとも１つの開口２０を、前記Ｓｉ層に到達するように形成するステップと、該開口を通じて前記Ｓｉ層の全部または一部を除去するステップからなる。 （もっと読む）