説明

国際特許分類[H03K19/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路 (4,821)

国際特許分類[H03K19/00]の下位に属する分類

国際特許分類[H03K19/00]に分類される特許

661 - 669 / 669


本発明は、差動選択信号を用いて第1および第2メモリ装置を選択するためのデバイス(102)を備えた回路システムに関するものである。上記差動選択信号は、第1選択信号と、この第1選択信号に対して反転している第2選択信号とを有している。上記回路システムは、上記第1選択信号を導くための第1信号線(122)と、上記第2選択信号を導くための第2信号線(124)とを有する差動選択信号線(120)をさらに備えている。第1回路装置(104)は、上記第1信号線(122)を介して上記選択のためのデバイス(102)に接続され、そして第2回路装置(106)は、上記第2信号線(124)を介して上記デバイス(102)に接続されている。
(もっと読む)


【課題】 コア内電力消費および電力分配の問題を解決する集積回路を提供する。
【解決手段】 親領域(20)と、この親領域内のネスト化電圧アイランド(22)の階層オーダと、を有する集積回路。上位電圧アイランドの各々(例えば24)は、下位電圧アイランド(例えば22))内にネスト化され、同じ階層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】差動信号伝送線路の終端回路において、センタタップ終端回路を形成することにより差動インピーダンスが変動するため、コモンモード電流成分が発生し放射ノイズが発生する。
【解決手段】差動信号伝送線路の往路伝送線路と復路伝送線路の間に、同じ抵抗値の2つの抵抗を直列に接続し、2つの抵抗の接続部とプリント配線板のGNDとの間に、キャパシタを接続したセンタタップ終端回路において、往路伝送線路と復路伝送線路を一定の間隔で配線し、抵抗とキャパシタは往路伝送線路と復路伝送線路の外側に配置し、接続部は往路伝送線路と復路伝送線路と立体的に交差するように形成する。これにより、差動信号のtr/tf特性をほぼ一致させ、スキューの発生も防止することができる。また、差動インピーダンスの不整合がなく、高品質の信号波形を保つ事ができるため、放射ノイズの発生を大幅に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 この発明は、スキャンF/Fを使用した半導体装置のテストにおいて、消費電力を低減した低消費電力テスト回路を提供することを課題とする。
【解決手段】 この発明は、スキャンF/F11,12と遅延要素14との間に、テスト動作時又はテスト動作におけるスキャン動作時にのみスキャンデータを遅延要素14に与えるゲート回路13を挿入して構成される。 (もっと読む)



【課題】 本発明の目的は、高速・低消費電力の半導体集積回路を提供することにある。
【解決手段】 動作状態にある回路と待機状態にある回路を混在するようにして、回路毎にバックゲート電圧を設定可能にする。
【効果】 待機時には小電流とし低消費電力性を得て、動作時には大電流として高速性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】カスケードトランジスタを持つ差動トランジスタ対で構成されるECL回路において、動作速度の温度による変化を従来よりも小さくする。
【解決手段】差動対トランジスタQ1 ,Q6 に、それらトランジスタとエミッタ電極を共通にしたもう一つの差動対トランジスタQ9 ,Q10を設ける。トランジスタQ9 ,Q10は、エミッタ面積を、差動対トランジスタQ1 ,Q6 のエミッタ面積より小さくする。コレクタ電極はそれぞれ、本来の差動対トランジスタQ1,Q6 に対し、逆相側のコレクタ電極に接続する。トランジスタQ9 ,Q10を通して回路に常に微小電流が流れているので、遅れ時間が短い。微小電流を流すのにトランジスタを用いているので、本来の差動対トランジスタと追加した差動対トランジスタとは、温度に対し同じ変化をする。従って動作速度の温度変化は、微少電流経路を抵抗で構成するのに比べ、小さい。 (もっと読む)


【課題】 外部LSIの電源電圧がMOSトランジスタのゲート酸化膜耐圧以上でも、各MOSトランジスタのゲート酸化膜に耐圧以上の電圧がかかることなく前記外部LSIの電源電圧を振幅とする信号を出力可能な出力回路を提供する。
【解決手段】 外部LSIに接続された出力パッド部OUTの電位を第2の電位VDD2に引き上げるプルアップ回路30は、プルアップ制御信号Su をゲート入力とするPMOS31と第1の電位VDD1をゲート電位とするPMOS32とからなる。出力パッド部OUTの電位を接地電位に引き下げるプルダウン回路40は、プルダウン制御信号Sd をゲート入力とするNMOS41と第1の電位VDD1をゲート電位とするNMOS42とからなる。電圧変換回路20は、PMOS21,22とNMOS23,24との間に第1の電位VDD1をゲート電位とするPMOS25,26及びNMOS27,28が挿入された構成になっており、信号生成回路10から入力された第1の制御信号S1 を変換して節点Bからプルアップ制御信号Su を出力する。 (もっと読む)


【目的】 内部信号をモニタするためのテストパッドを有する半導体集積回路において、回路の高速化およびチップ面積の縮小を図ること。
【構成】 テストパッドと内部信号線の間に、ヒューズを切断しないときOFF、切断したときONになるスイッチ手段を設ける。また、1つのテストパッドと複数の内部信号線をつなげ、その接続配線上のおのおのに、上記スイッチ手段を設ける。
【効果】 ヒューズを切断しない場合、テストパッドの容量が内部信号線につかないので回路の高速化が図れる。ヒューズを切断した場合、内部信号がモニタできる。また、複数の内部信号で1つのテストパッドを共有するので、モニタしたい内部信号が増えても、テストパッドの増加によるチップ面積の増大がない。 (もっと読む)


661 - 669 / 669