【課題】低消費電力の高速化ラッチ回路を実現する。
【解決手段】第１の出力ノードにドレイン、第２の出力ノードにゲートが接続の第１のトランジスタと、該第２の出力ノードにドレイン、該第１の出力ノードにゲートが接続の第２のトランジスタと、第１の入力ノードにゲートが接続の第３のトランジスタと、第２の入力ノードにゲートが接続の第４のトランジスタと、第３の入力ノードにゲートが接続の第５のトランジスタとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ドレインアバランシェ効果を抑圧し、信頼性を向上させることが可能となるラッチ回路を提供する。
【解決手段】ゲートに前記走査電圧が入力されたときに、「０」あるいは「１」のデータに対応する電圧を取り込む入力トランジスタと、他端に容量制御信号が入力されるとともに、一端が前記入力トランジスタの第２電極に接続され、前記入力トランジスタで取り込まれた電圧を保持する保持容量と、ゲートが前記入力トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が第１出力端子に接続されるとともに、第１電極に第１ラッチ制御信号が入力される第１導電型の第１トランジスタと、ゲートが前記第１トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が第２出力端子に接続されるとともに、第１電極に第２ラッチ制御信号が入力される第２導電型の第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さく、かつ省電力化したラッチ回路を提供する。
【解決手段】複数の論理回路（第１の論理回路１１、第２の論理回路１３、第３の論理回路１５、及び第４の論理回路１７）によりラッチ回路１を構成し、選択信号の論理レベルに応じて差動動作とシングルエンド動作の切り替えを行う。また、これらの複数の論理回路１１，１３，１５，１７へのクロック入力信号に応じて個々の論理回路をＯＮ状態又はＯＦＦ状態にすることで、差動動作とシングルエンド動作それぞれにおいてスルー動作とホールド動作をさせる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる記憶素子、当該記憶素子を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】一対のインバータ（クロックドインバータを含む）を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御するスイッチング素子とを設ける。例えば、容量素子の一方の電極を一対のインバータのいずれかの入力あるいは出力である第１のノードに接続し、他方の電極をスイッチング素子の一方の電極に接続する。スイッチング素子の他方の電極は前記インバータの出力あるいは入力である第２のノードに接続する。ここで、第１のノードの電位と第２のノードの電位は互いに逆の位相である。このような接続により、データ回復時における第１のノードと第２のノードの電位差の絶対値を十分に大きくすることができ、データ回復時のエラーを減らせる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及
びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第１乃至第１０のトランジ
スタを有し、第１のトランジスタおよび第３のトランジスタのチャネル長Ｌに対するチャ
ネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタ
のＷ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタのＷ／Ｌは
、第７のトランジスタのＷ／Ｌと等しく、第３のトランジスタのＷ／Ｌは、第４のトラン
ジスタのＷ／Ｌよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス
信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】セレクタ付フリップフロップ回路の入力信号がラッチ回路へと伝播するまでに、選択信号により制御されるスイッチ回路とクロック信号により制御されるスイッチ回路とを介するため、入力信号がラッチへと伝播するまでの時間が長い。
【解決手段】セレクタ付フリップフロップ回路１００は、選択信号ＳＡ、クロック信号ＣＫおよび複数の入力データが入力され、複数の入力データのうち１つを出力するフリップフロップ回路であって、選択信号ＳＡおよびクロック信号ＣＫに基づいて、第１の制御信号ＣＡを生成する第１の論理回路１０２と、第１の制御信号ＣＡにより制御される第１のスイッチ回路１０１と、第１のスイッチ回路１０１を介して、複数の入力データから選択された一の入力データを保持する第１のラッチ回路１０３とを有する。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第１の素子を有し、第２の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第１の素子の出力は、第２の素子の入力と電気的に接続され、第２の素子の出力は、第１の素子の入力と電気的に接続され、第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡易な方法でスタティックランダムアクセスメモリセルの電圧特性を向上する。
【解決手段】スタティックランダムアクセスメモリセルにおいて、電源電圧印加点と一方のビット線との間の電圧差を通常の電圧差Ｖ１より高い電圧差Ｖ１ｈとすると共にワード線と一方のビット線との間の電圧差をパスゲートトランジスタの閾値電圧より若干高い電圧差Ｖｗｄとして、一方のビット線に接続されているパスゲートトランジスタのソース，ドレインとなる拡散層のうちメモリセルを構成するインバータの出力端子に接続されているほうの拡散層近傍の絶縁層へエレクトロンを注入する（ステップＳ１１０）。これにより、より簡易な方法でメモリセルの電圧特性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１
μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力され
た第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を
出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）