半導体装置
【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバI
Cの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第1のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第2のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第1のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第2のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。
Cの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第1のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第2のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第1のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第2のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。
Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フリップフロップを有し、
前記フリップフロップは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、出力端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記出力端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第1の配線は、第1のクロック信号を供給する機能を有し、
前記第2の配線は、第1の電位を供給する機能を有し、
前記第3の配線は、第2のクロック信号を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項1】
フリップフロップを有し、
前記フリップフロップは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、出力端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記出力端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第1の配線は、第1のクロック信号を供給する機能を有し、
前記第2の配線は、第1の電位を供給する機能を有し、
前記第3の配線は、第2のクロック信号を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【公開番号】特開2013−70392(P2013−70392A)
【公開日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−244208(P2012−244208)
【出願日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【分割の表示】特願2011−241436(P2011−241436)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【分割の表示】特願2011−241436(P2011−241436)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]