【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第１の素子を有し、第２の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第１の素子の出力は、第２の素子の入力と電気的に接続され、第２の素子の出力は、第１の素子の入力と電気的に接続され、第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の素子を有し、
第２の素子を有し、
トランジスタを有し、
容量を有し、
前記第１の素子の出力は、前記第２の素子の入力と電気的に接続され、
前記第２の素子の出力は、前記第１の素子の入力と電気的に接続され、
前記第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、
前記第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記入力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は結晶を有することを特徴とする半導体装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【公開番号】特開２０１３−６２８４６（Ｐ２０１３−６２８４６Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２４２８７８（Ｐ２０１２−２４２８７８）
【出願日】平成２４年１１月２日（２０１２．１１．２）
【分割の表示】特願２０１０−２７３７０１（Ｐ２０１０−２７３７０１）の分割
【原出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】