エレクトロルミネセントデバイス、及びセグメント化された照明装置
本発明はエレクトロルミネセントデバイスに関する。当該デバイスは、第１のエレクトロルミネセント層１０２と、エレクトロルミネセント層に電荷を供給するための、エレクトロルミネセント層の第１の面上に配置された不透明材料からなる第１の電極層１０４、及びエレクトロルミネセント層の第１の面とは反対側の第２の面上に配置された透明材料からなる第２の電極層１０６と、第１の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第１のコンタクト要素１０８と、第２の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第２のコンタクト要素１１４とを有し、第１のコンタクト要素は第１の電極層の第１のエッジ１１０に沿って延在し、第２のコンタクト要素は第２の電極層の第２のエッジ１１５に沿って延在し、第１のエッジ及び第２のエッジは互いに平行であり、第１の電極層は第１のシート抵抗を有し、第２の電極層は第２のシート抵抗を有し、第１のシート抵抗は第２のシート抵抗の０．１倍から３倍である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセントデバイス、より具体的には、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の分野、及びセグメントされた照明装置の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセントデバイスは、電流が流れるときに光を放射することが可能なエレクトロルミネセント材料を有する。エレクトロルミネセントデバイスに使用される材料は、発光ポリマー又は小有機分子とし得る。有機デバイスは、例えば、技術的に知られた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とし得る。エレクトロルミネセントデバイスを活性化するため、エレクトロルミネセント材料の表面に配置された電極によって、エレクトロルミネセント材料に電流が印加される。
【０００３】
例えばＯＬＥＤなどのエレクトロルミネセントデバイスは、電極間に配置されたエレクトロルミネセント材料を有する。適切な電圧を印加すると、アノードからカソードへと、エレクトロルミネセント材料中を電流が流れる。エレクトロルミネセント材料内での正孔と電子との放射再結合によって光が生成される。
【０００４】
有機エレクトロルミネセント材料を用いるエレクトロルミネセントデバイスは、例えば全般照明などの大面積照明用途に適している。大きい照明面積を有するタイル状の領域に結合された複数のエレクトロルミネセントデバイスを使用することが知られている。
【０００５】
単一のエレクトロルミネセントデバイスの大きさは数平方センチメートル、タイル状の領域の大きさはその複数倍となり得る。エレクトロルミネセントデバイスは、全般照明だけでなく効果照明及びムード照明にも使用される平坦な直視型照明器具を制作するのに好適である。
【０００６】
例えば、全般照明の場合、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント表面全体にわたってほぼ均一な発光分布を達成するように配置されたリング状の電極を有する。
【０００７】
対照的に、ストリップ形態の従来のＯＬＥＤは、特に大電流において、電流の流れ方向に沿って有意な明るさの低下を示す。典型的に、ストリップ形態のＯＬＥＤの輝度バラつきは、電流の流れ方向で５０％を超えるものとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
故に、本発明は、改善されたエレクトロルミネセントデバイス、特に改善されたＯＬＥＤデバイス、及び改善された、セグメント化された照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明により、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス、及び請求項１３に記載のセグメント化された照明装置が提供される。本発明の実施形態が従属請求項にて与えられる。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、第１の電極層と第２の電極層との間に挟まれた第１のエレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセントデバイスが提供される。第１の電極層は第１のエレクトロルミネセント層の第１の面上に配置され、第２の電極層は第１のエレクトロルミネセント層の第２の面上に配置される。該第２の面は、第１のエレクトロルミネセント層の前記第１の面の反対側である。第１及び第２の電極層は、エレクトロルミネセント層に電荷を供給するように構成される。すなわち、第１の電極層はエレクトロルミネセントデバイスのカソードを構成し、第２の電極層はエレクトロルミネセントデバイスのアノードを構成する。第１の電極層は、例えば金属などの不透明材料からなり、第２の電極層は透明材料からなる。故に、第２の電極層は、エレクトロルミネセントデバイスの透明導電（transparent conductive；ＴＣＯ）層を構成する。例えば、第２の電極層はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなり得る。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、第１の電極層はアルミニウム、銀、又は金属合金からなる。
【００１２】
エレクトロルミネセントデバイスは更に、第１の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第１のコンタクト要素と、第２の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第２のコンタクト要素とを有する。第１のコンタクト要素は、第１の電極層の第１のエッジに沿って延在し、第２のコンタクト要素は、第２の電極層の第２のエッジに沿って延在し、第１のエッジ及び第２のエッジは互いに平行である。第１のエッジと第２のエッジとは、エレクトロルミネセントデバイスの幅方向に離間され、第１及び第２のコンタクト要素は、エレクトロルミネセントデバイスの長さ方向に延在する。
【００１３】
第１の電極層は第１のシート抵抗を有し、第２の電極層は第２のシート抵抗を有し、第１のシート抵抗は第２のシート抵抗の０．１倍から３倍である。これは、不透明なカソードのシート抵抗が透明なアノードの高い抵抗より複数桁の大きさで小さい従来のエレクトロルミネセントデバイスと対照的である。驚くべきことに、アノードと同じ桁の大きさ内のシート抵抗を有する高抵抗のカソードは、エレクトロルミネセントデバイスの電力効率に実質的な影響を及ぼすことなく、電流の流れ方向でのエレクトロルミネセントデバイスの明るさの均一性を改善する。
【００１４】
これは、エレクトロルミネセントデバイスの均一な明るさ及び高い電力効率の双方を望まれる照明用途にとって特に有利である。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、第１の電極層すなわちカソードの第１のシート抵抗は、第２の電極層すなわちアノードの第２のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である。最も好ましくは、電流の流れ方向でのエレクトロルミネセントデバイスの明るさの最大の均一性のため、第１及び第２のシート抵抗は実質的に等しくされる。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のシート抵抗は３０Ωと１００Ωとの間の範囲内である。例えば、第１及び第２のシート抵抗は５０Ω又は７０Ωとし得る。
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のシート抵抗は、通常の動作条件下でエレクトロルミネセント層に電荷が供給されるときに、第２の電極層の明るさ、すなわち、輝度のバラつきが６０％未満になるように選定される。
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、高抵抗の第１の電極層はバラスト抵抗を提供し、エレクトロルミネセントデバイスを、外部バラスト抵抗なしで、幹線電力に直接的に結合することが可能になる。第１及び第２のシート抵抗は、幹線電力が印加されるときに第２の電極層上で得られる輝度バラつきが、エレクトロルミネセントデバイスの幅方向で５３％未満又は５０％未満になるように選定される。
【００１９】
本発明の一実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、１対２より高いアスペクト比を有するストリップ（細長片）形態、すなわち、エレクトロルミネセントデバイスの長さがその幅の少なくとも２倍であるストリップ形態を有する。これがとりわけ有利なのは、高抵抗の第１の電極層を用いる有利な効果は特に、このようなストリップ状のエレクトロルミネセントデバイスで著しいからである。
【００２０】
本発明の更なる一実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、第２のエレクトロルミネセント層及び第３の電極を有する。第２のエレクトロルミネセント層は第１の電極層と第３の電極層との間に挟まれ、第１の電極層が第２のエレクトロルミネセント層のカソードを構成し、第３の電極層が第２のエレクトロルミネセント層のアノードを構成する。第３の電極層は透明材料からなる。第３の電極層を形成する透明材料は、第２の電極層のものと同じ透明材料又は別の透明材料とし得る。第３の電極層は、第２のシート抵抗に等しくしてもよい第３のシート抵抗を有する。第１のシート抵抗は第３のシート抵抗の０．１倍から３倍、好ましくは第３のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である。最も好ましくは、第１、第２及び第３のシート抵抗は実質的に等しくされる。
【００２１】
本発明の一実施形態によれば、これら電極層及びこれら２つのエレクトロルミネセント層は、正面及び背面の双方から光を放射するスタック型のエレクトロルミネセントデバイスを構成する。
【００２２】
他の一態様によれば、本発明は、複数のエレクトロルミネセントデバイスを有するセグメント化された照明装置に関する。これら複数のエレクトロルミネセントデバイスは直列に接続され得る。結果として得られるセグメント化された照明装置の総抵抗は、当該セグメント化された照明装置を、更なるバラスト抵抗なしで、幹線電力に直接的に接続することができるようなバラスト（安定器）を構成する。これがとりわけ有利なのは、バラスト抵抗による電力消散が、全てのセグメントを巻き込んで分散的に行われるからである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下では、以下の図を含む図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を更に詳細に説明する。
【図１】本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のエレクトロルミネセントデバイスの幅方向に沿った正規化された電流変化を例示する図である。
【図３】図１のエレクトロルミネセントデバイスの幅方向での電圧降下を例示する図である。
【図４】デュアルスタック構成の個々のセグメントを有する本発明に従ったセグメント化された照明装置の一実施形態を示す断面図である。
【図５】図４のセグメント化された照明装置のセグメント群のうちの１つのセグメントの幅方向での電圧降下を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、説明する様々な実施形態を通して、同様の要素を指し示すために同一の参照符号を使用する。
【００２５】
図１は、エレクトロルミネセントデバイス１００を示している。エレクトロルミネセントデバイス１００は、エレクトロルミネセント層１０２を有している。エレクトロルミネセント層１０２は発光ポリマー又は小有機分子を有し得る。特に、エレクトロルミネセントデバイス１００はＯＬＥＤとして実現され得る。
【００２６】
エレクトロルミネセントデバイス１００は、カソードを構成する第１の電極層１０４を有している。電極層１０４は、エレクトロルミネセント層１０２の頂面に配置されている。第２の電極層１０６が、反対側の、エレクトロルミネセント層１０２の底面に配置されている。電極層１０６は、エレクトロルミネセントデバイス１００のアノードを構成する。
【００２７】
電極層１０４は、第１のコンタクト要素１０８と電気的に接触している。第１のコンタクト要素１０８は、エレクトロルミネセントデバイス１００の第１の端部（エッジ）１１０に沿って、エレクトロルミネセントデバイス１００の長さ方向１１１に延在している。コンタクト要素１０８は、電極層１０４の一体部分を形成することができる。好ましくは、コンタクト要素１０８は電極層１０４内に組み込まれる。コンタクト要素１０８は、電極層１０４と同じ材料から成ることができる。コンタクト要素１０８は出力電流フロー１１２を受け取るように作用する。
【００２８】
電極層１０６は、第２のコンタクト要素１１４と電気的に接触している。第２のコンタクト要素１１４は、エレクトロルミネセントデバイス１００の第２のエッジ１１５に沿って、エレクトロルミネセントデバイス１００の長さ方向１１１に延在している。コンタクト要素１１４は、電極層１０６の一体部分を形成することができる。好ましくは、コンタクト要素１１４は電極層１０６内に組み込まれる。コンタクト要素１１４は、電極層１０６と同じ材料から成ることができる。コンタクト要素１１４は入力電流フロー１１６を導通するように作用する。
【００２９】
コンタクト要素１０８と１１４とは、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅方向１１８で、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅だけ離間されている。
【００３０】
エレクトロルミネセントデバイス１００は、例えばガラスなどの透明基板１２０上に構成され得る。
【００３１】
ここで検討する実施形態において、エレクトロルミネセントデバイス１００は、平行なエッジ１１０及び１１５を有するストライプとして形成されている。エレクトロルミネセントデバイス１００は、１対２より高いアスペクト比を有する。すなわち、長さ方向１１１に延在するエレクトロルミネセントデバイス１００の長さは、幅方向１１８に延在するエレクトロルミネセントデバイス１００の幅の少なくとも２倍の大きさである。
【００３２】
電極層１０６は、例えばＩＴＯなどの透明且つ導電性の材料で形成された透明導電層である。電極層１０４は不透明であり、エレクトロルミネセントデバイスを電流が流れて電荷がエレクトロルミネセント層１０２に供給されるときにエレクトロルミネセント層１０２から放射される光を反射するように反射性とし得る。エレクトロルミネセント層１０２から放射され、また、電極層１０４から反射された光１２２が、例えば照明目的で、電極層１０６及び基板１２０を通して放射される。
【００３３】
電極層１０４のシート抵抗は、電極層１０６のシート抵抗と同程度の大きさを有する。故に、不透明電極層１０４及び透明電極層１０６は何れも、高いシート抵抗を有する。例えば、電極１０４のシート抵抗は、電極層１０６のシート抵抗の０．１倍から３倍である。好ましくは、電極層１０４のシート抵抗及び電極層１０６のシート抵抗は実質的に等しい。これは、アノード電極層のシート抵抗より少なくとも一桁小さいシート抵抗を持つカソード電極層を有する従来のエレクトロルミネセントデバイスと対照的である。
【００３４】
驚くべきことに、高抵抗のカソード電極層１０４は、特に電子デバイス１００が高電流で動作されるときに、電子デバイス１００の電力効率に実質的な影響を及ぼすことなく、電子デバイス１００の輝度バラつきを低減することに関して有利な効果を有する。
【００３５】
図２は、エレクトロルミネセント層１０２を流れる電流の電流密度Ｉｃを、幅方向１１８（図１参照）の幅座標ｘの関数として示している。電流はエレクトロルミネセント層１０２を流れ、該層に電荷を供給する。ｘ＝０はエレクトロルミネセントデバイス１００のエッジ１１５の位置であり、ｘ＝１５ｍｍはエレクトロルミネセントデバイス１００のエッジ１１０の位置である。すなわち、ここで検討する例において、エレクトロルミネセントデバイス１００は１５ｍｍの幅を有する。電流密度Ｉｃは、位置ｘ＝０でエレクトロルミネセント層１０２を流れる最大電流密度Ｉｍａｘで正規化されている。
【００３６】
図２から見て取れるように、電流Ｉは、エッジ１１５からエッジ１１０まで、幅方向１１８にたった３０％だけ減少しており、このことは、第２の電極層１０６を通して放射される光１２２の輝度バラつきも３０％であることに相当する。このような比較的小さい輝度バラつきは、人間の肉眼では認識することができないものであり、エレクトロルミネセントデバイス１００によって提供される照明は、電極層１０６の表面全体にわたって均一に見える。
【００３７】
例えば、電極層１０４のシート抵抗及び電極層１０６のシート抵抗は、相等しく、５０Ωの値を有する。エレクトロルミネセントデバイス１００が０．１Ａの電流Ｉによって駆動されるとき、エレクトロルミネセントデバイス１００によって放射される光１２２の輝度は、４８．７ｌｍ／Ｗの電力効率の場合、Ｌｍａｘ＝２２７１ｃｄ／ｍ２とＬｍｉｎ＝１９４４ｃｄ／ｍ２との間で変化する。
【００３８】
図３は、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅方向１１８に沿った電圧降下を例示している。具体的には、図３は、カソード電圧ｖｃ、アノード電圧ｖａ、及びエレクトロルミネセント層１０２に印加される発光層電圧ｖｅｌを示している。発光層電圧ｖｅｌは、カソード電圧ｖｃとアノード電圧ｖａとの間の差である。
【００３９】
電極層１０６のシート抵抗と実質的に等しい電極層１０４の高抵抗のシート抵抗により、エレクトロルミネセントデバイス１００は、電極層１０６及び電極層１０４の双方で有意な電圧降下を有する。カソード側で電圧降下が幅にわたって増大するにつれて、アノード側では電圧降下が低減し、部分的な相殺が起こる。その結果は、低減された総電圧降下となり、最大の電圧降下デルタＶｍａｘは、エレクトロルミネセントデバイス１００の中心に現れる。対称性の理由から、電極層１０４及び電極層１０６の双方のシート抵抗が同じ場合に上記相殺は最大となる。
【００４０】
デルタＶｍａｘに制限される低減された電圧降下は、エレクトロルミネセント層１０２の電流電圧特性に従ってエレクトロルミネセント層１０２を流れる電流Ｉの、低減された電流変化を意味する。電流と輝度との間の基本的に線形な関係により、得られる光１２２の輝度バラつきも比例して低減される。
【００４１】
図４は、セグメント化された照明装置１２４を示しており、照明装置１２４の各セグメント（区画）が、二重に積み重ねられたエレクトロルミネセントデバイスによって構成されている。例えば、エレクトロルミネセントデバイス１００’は、図１のエレクトロルミネセントデバイス１００のように、電極層１０４’、１０６’、及び電極層１０４’と１０６’との間に挟まれたエレクトロルミネセント層１０２’を有している。
【００４２】
図４の実施形態において、電極層１０４’は、当該電極層１０４’と更なる電極層１３０’との間に挟まれた更なるエレクトロルミネセント層１２８’の共有（共通）カソードとして作用する。電極層１３０’は、電極層１０６’と同じ材料で形成されることができ、電極層１０６’及び／又は電極層１０４’と同じシート抵抗を有し得る。電極層１３０’は、エレクトロルミネセント層１２８’用の更なるアノードとして作用する。斯くして、デュアルスタック構成のエレクトロルミネセントデバイス１００’が設けられる。エレクトロルミネセントデバイス１００’は、照明装置１２４の次のセグメントを構成する隣のエレクトロルミネセントデバイス１００”と直列に接続されている。
【００４３】
図５は、エレクトロルミネセントデバイス１００”の幅方向に沿った電圧を例示している。図５に示すように、スタック型のエレクトロルミネセントデバイス１００”を構成する２つのＯＬＥＤデバイスの双方において同時に、電圧降下補償が起こる。図５は、カソード電極層１０４”のシート抵抗とアノード電極層１０６”及び１２８”の双方のシート抵抗とが同一であるときの電圧降下をｘに対して示している。
【００４４】
エレクトロルミネセントデバイス１００の実施形態は特に、得られる高抵抗電極層１０４’、１０４”、・・・の抵抗がエレクトロルミネセントデバイス１００を幹線電力に直接的に結合するためのバラスト（安定）抵抗として使用され得るので有利である。
【００４５】
例えば、アスペクト比が１：１０であるとき、電極層１０４及び電極層１０６の双方に７０Ωのシート抵抗を選択することにより、１４Ωのバラスト抵抗をエレクトロルミネセントデバイス１００に一体化することができる。
【００４６】
本発明の更なる一実施形態によれば、セグメント化された照明装置の直列接続された電極層に得られる抵抗は、追加のバラスト抵抗を用いずに幹線電力に照明装置を直接的に接続することを可能にするバラスト抵抗を構成する。例えば、アノード及びカソードの電極層のシート抵抗が７０Ωであり、セグメント当たり１４Ωの合計抵抗が生成される場合、図４に示したタイプの６５個のセグメントを直列接続して、９１０Ωの合計バラスト抵抗を得ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００、１００’、１００” エレクトロルミネセントデバイス
１０２、１０２’、１０２” エレクトロルミネセント層
１０４、１０４’、１０４” 電極層
１０６、１０６’、１０６” 電極層
１０８、１０８’ コンタクト要素
１１０ エッジ
１１１ 長さ方向
１１２、１１２” 出力電流フロー
１１４ コンタクト要素
１１５ エッジ
１１６、１１６” 入力電流フロー
１１８ 幅方向
１２０ 基板
１２２ 光
１２４ 照明装置
１２８’ エレクトロルミネセント層
１３０’ 電極層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセントデバイス、より具体的には、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の分野、及びセグメントされた照明装置の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセントデバイスは、電流が流れるときに光を放射することが可能なエレクトロルミネセント材料を有する。エレクトロルミネセントデバイスに使用される材料は、発光ポリマー又は小有機分子とし得る。有機デバイスは、例えば、技術的に知られた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とし得る。エレクトロルミネセントデバイスを活性化するため、エレクトロルミネセント材料の表面に配置された電極によって、エレクトロルミネセント材料に電流が印加される。
【０００３】
例えばＯＬＥＤなどのエレクトロルミネセントデバイスは、電極間に配置されたエレクトロルミネセント材料を有する。適切な電圧を印加すると、アノードからカソードへと、エレクトロルミネセント材料中を電流が流れる。エレクトロルミネセント材料内での正孔と電子との放射再結合によって光が生成される。
【０００４】
有機エレクトロルミネセント材料を用いるエレクトロルミネセントデバイスは、例えば全般照明などの大面積照明用途に適している。大きい照明面積を有するタイル状の領域に結合された複数のエレクトロルミネセントデバイスを使用することが知られている。
【０００５】
単一のエレクトロルミネセントデバイスの大きさは数平方センチメートル、タイル状の領域の大きさはその複数倍となり得る。エレクトロルミネセントデバイスは、全般照明だけでなく効果照明及びムード照明にも使用される平坦な直視型照明器具を制作するのに好適である。
【０００６】
例えば、全般照明の場合、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント表面全体にわたってほぼ均一な発光分布を達成するように配置されたリング状の電極を有する。
【０００７】
対照的に、ストリップ形態の従来のＯＬＥＤは、特に大電流において、電流の流れ方向に沿って有意な明るさの低下を示す。典型的に、ストリップ形態のＯＬＥＤの輝度バラつきは、電流の流れ方向で５０％を超えるものとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
故に、本発明は、改善されたエレクトロルミネセントデバイス、特に改善されたＯＬＥＤデバイス、及び改善された、セグメント化された照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明により、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス、及び請求項１３に記載のセグメント化された照明装置が提供される。本発明の実施形態が従属請求項にて与えられる。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、第１の電極層と第２の電極層との間に挟まれた第１のエレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセントデバイスが提供される。第１の電極層は第１のエレクトロルミネセント層の第１の面上に配置され、第２の電極層は第１のエレクトロルミネセント層の第２の面上に配置される。該第２の面は、第１のエレクトロルミネセント層の前記第１の面の反対側である。第１及び第２の電極層は、エレクトロルミネセント層に電荷を供給するように構成される。すなわち、第１の電極層はエレクトロルミネセントデバイスのカソードを構成し、第２の電極層はエレクトロルミネセントデバイスのアノードを構成する。第１の電極層は、例えば金属などの不透明材料からなり、第２の電極層は透明材料からなる。故に、第２の電極層は、エレクトロルミネセントデバイスの透明導電（transparent conductive；ＴＣＯ）層を構成する。例えば、第２の電極層はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなり得る。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、第１の電極層はアルミニウム、銀、又は金属合金からなる。
【００１２】
エレクトロルミネセントデバイスは更に、第１の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第１のコンタクト要素と、第２の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第２のコンタクト要素とを有する。第１のコンタクト要素は、第１の電極層の第１のエッジに沿って延在し、第２のコンタクト要素は、第２の電極層の第２のエッジに沿って延在し、第１のエッジ及び第２のエッジは互いに平行である。第１のエッジと第２のエッジとは、エレクトロルミネセントデバイスの幅方向に離間され、第１及び第２のコンタクト要素は、エレクトロルミネセントデバイスの長さ方向に延在する。
【００１３】
第１の電極層は第１のシート抵抗を有し、第２の電極層は第２のシート抵抗を有し、第１のシート抵抗は第２のシート抵抗の０．１倍から３倍である。これは、不透明なカソードのシート抵抗が透明なアノードの高い抵抗より複数桁の大きさで小さい従来のエレクトロルミネセントデバイスと対照的である。驚くべきことに、アノードと同じ桁の大きさ内のシート抵抗を有する高抵抗のカソードは、エレクトロルミネセントデバイスの電力効率に実質的な影響を及ぼすことなく、電流の流れ方向でのエレクトロルミネセントデバイスの明るさの均一性を改善する。
【００１４】
これは、エレクトロルミネセントデバイスの均一な明るさ及び高い電力効率の双方を望まれる照明用途にとって特に有利である。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、第１の電極層すなわちカソードの第１のシート抵抗は、第２の電極層すなわちアノードの第２のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である。最も好ましくは、電流の流れ方向でのエレクトロルミネセントデバイスの明るさの最大の均一性のため、第１及び第２のシート抵抗は実質的に等しくされる。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のシート抵抗は３０Ωと１００Ωとの間の範囲内である。例えば、第１及び第２のシート抵抗は５０Ω又は７０Ωとし得る。
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のシート抵抗は、通常の動作条件下でエレクトロルミネセント層に電荷が供給されるときに、第２の電極層の明るさ、すなわち、輝度のバラつきが６０％未満になるように選定される。
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、高抵抗の第１の電極層はバラスト抵抗を提供し、エレクトロルミネセントデバイスを、外部バラスト抵抗なしで、幹線電力に直接的に結合することが可能になる。第１及び第２のシート抵抗は、幹線電力が印加されるときに第２の電極層上で得られる輝度バラつきが、エレクトロルミネセントデバイスの幅方向で５３％未満又は５０％未満になるように選定される。
【００１９】
本発明の一実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、１対２より高いアスペクト比を有するストリップ（細長片）形態、すなわち、エレクトロルミネセントデバイスの長さがその幅の少なくとも２倍であるストリップ形態を有する。これがとりわけ有利なのは、高抵抗の第１の電極層を用いる有利な効果は特に、このようなストリップ状のエレクトロルミネセントデバイスで著しいからである。
【００２０】
本発明の更なる一実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、第２のエレクトロルミネセント層及び第３の電極を有する。第２のエレクトロルミネセント層は第１の電極層と第３の電極層との間に挟まれ、第１の電極層が第２のエレクトロルミネセント層のカソードを構成し、第３の電極層が第２のエレクトロルミネセント層のアノードを構成する。第３の電極層は透明材料からなる。第３の電極層を形成する透明材料は、第２の電極層のものと同じ透明材料又は別の透明材料とし得る。第３の電極層は、第２のシート抵抗に等しくしてもよい第３のシート抵抗を有する。第１のシート抵抗は第３のシート抵抗の０．１倍から３倍、好ましくは第３のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である。最も好ましくは、第１、第２及び第３のシート抵抗は実質的に等しくされる。
【００２１】
本発明の一実施形態によれば、これら電極層及びこれら２つのエレクトロルミネセント層は、正面及び背面の双方から光を放射するスタック型のエレクトロルミネセントデバイスを構成する。
【００２２】
他の一態様によれば、本発明は、複数のエレクトロルミネセントデバイスを有するセグメント化された照明装置に関する。これら複数のエレクトロルミネセントデバイスは直列に接続され得る。結果として得られるセグメント化された照明装置の総抵抗は、当該セグメント化された照明装置を、更なるバラスト抵抗なしで、幹線電力に直接的に接続することができるようなバラスト（安定器）を構成する。これがとりわけ有利なのは、バラスト抵抗による電力消散が、全てのセグメントを巻き込んで分散的に行われるからである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下では、以下の図を含む図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を更に詳細に説明する。
【図１】本発明に従ったエレクトロルミネセントデバイスの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のエレクトロルミネセントデバイスの幅方向に沿った正規化された電流変化を例示する図である。
【図３】図１のエレクトロルミネセントデバイスの幅方向での電圧降下を例示する図である。
【図４】デュアルスタック構成の個々のセグメントを有する本発明に従ったセグメント化された照明装置の一実施形態を示す断面図である。
【図５】図４のセグメント化された照明装置のセグメント群のうちの１つのセグメントの幅方向での電圧降下を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、説明する様々な実施形態を通して、同様の要素を指し示すために同一の参照符号を使用する。
【００２５】
図１は、エレクトロルミネセントデバイス１００を示している。エレクトロルミネセントデバイス１００は、エレクトロルミネセント層１０２を有している。エレクトロルミネセント層１０２は発光ポリマー又は小有機分子を有し得る。特に、エレクトロルミネセントデバイス１００はＯＬＥＤとして実現され得る。
【００２６】
エレクトロルミネセントデバイス１００は、カソードを構成する第１の電極層１０４を有している。電極層１０４は、エレクトロルミネセント層１０２の頂面に配置されている。第２の電極層１０６が、反対側の、エレクトロルミネセント層１０２の底面に配置されている。電極層１０６は、エレクトロルミネセントデバイス１００のアノードを構成する。
【００２７】
電極層１０４は、第１のコンタクト要素１０８と電気的に接触している。第１のコンタクト要素１０８は、エレクトロルミネセントデバイス１００の第１の端部（エッジ）１１０に沿って、エレクトロルミネセントデバイス１００の長さ方向１１１に延在している。コンタクト要素１０８は、電極層１０４の一体部分を形成することができる。好ましくは、コンタクト要素１０８は電極層１０４内に組み込まれる。コンタクト要素１０８は、電極層１０４と同じ材料から成ることができる。コンタクト要素１０８は出力電流フロー１１２を受け取るように作用する。
【００２８】
電極層１０６は、第２のコンタクト要素１１４と電気的に接触している。第２のコンタクト要素１１４は、エレクトロルミネセントデバイス１００の第２のエッジ１１５に沿って、エレクトロルミネセントデバイス１００の長さ方向１１１に延在している。コンタクト要素１１４は、電極層１０６の一体部分を形成することができる。好ましくは、コンタクト要素１１４は電極層１０６内に組み込まれる。コンタクト要素１１４は、電極層１０６と同じ材料から成ることができる。コンタクト要素１１４は入力電流フロー１１６を導通するように作用する。
【００２９】
コンタクト要素１０８と１１４とは、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅方向１１８で、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅だけ離間されている。
【００３０】
エレクトロルミネセントデバイス１００は、例えばガラスなどの透明基板１２０上に構成され得る。
【００３１】
ここで検討する実施形態において、エレクトロルミネセントデバイス１００は、平行なエッジ１１０及び１１５を有するストライプとして形成されている。エレクトロルミネセントデバイス１００は、１対２より高いアスペクト比を有する。すなわち、長さ方向１１１に延在するエレクトロルミネセントデバイス１００の長さは、幅方向１１８に延在するエレクトロルミネセントデバイス１００の幅の少なくとも２倍の大きさである。
【００３２】
電極層１０６は、例えばＩＴＯなどの透明且つ導電性の材料で形成された透明導電層である。電極層１０４は不透明であり、エレクトロルミネセントデバイスを電流が流れて電荷がエレクトロルミネセント層１０２に供給されるときにエレクトロルミネセント層１０２から放射される光を反射するように反射性とし得る。エレクトロルミネセント層１０２から放射され、また、電極層１０４から反射された光１２２が、例えば照明目的で、電極層１０６及び基板１２０を通して放射される。
【００３３】
電極層１０４のシート抵抗は、電極層１０６のシート抵抗と同程度の大きさを有する。故に、不透明電極層１０４及び透明電極層１０６は何れも、高いシート抵抗を有する。例えば、電極１０４のシート抵抗は、電極層１０６のシート抵抗の０．１倍から３倍である。好ましくは、電極層１０４のシート抵抗及び電極層１０６のシート抵抗は実質的に等しい。これは、アノード電極層のシート抵抗より少なくとも一桁小さいシート抵抗を持つカソード電極層を有する従来のエレクトロルミネセントデバイスと対照的である。
【００３４】
驚くべきことに、高抵抗のカソード電極層１０４は、特に電子デバイス１００が高電流で動作されるときに、電子デバイス１００の電力効率に実質的な影響を及ぼすことなく、電子デバイス１００の輝度バラつきを低減することに関して有利な効果を有する。
【００３５】
図２は、エレクトロルミネセント層１０２を流れる電流の電流密度Ｉｃを、幅方向１１８（図１参照）の幅座標ｘの関数として示している。電流はエレクトロルミネセント層１０２を流れ、該層に電荷を供給する。ｘ＝０はエレクトロルミネセントデバイス１００のエッジ１１５の位置であり、ｘ＝１５ｍｍはエレクトロルミネセントデバイス１００のエッジ１１０の位置である。すなわち、ここで検討する例において、エレクトロルミネセントデバイス１００は１５ｍｍの幅を有する。電流密度Ｉｃは、位置ｘ＝０でエレクトロルミネセント層１０２を流れる最大電流密度Ｉｍａｘで正規化されている。
【００３６】
図２から見て取れるように、電流Ｉは、エッジ１１５からエッジ１１０まで、幅方向１１８にたった３０％だけ減少しており、このことは、第２の電極層１０６を通して放射される光１２２の輝度バラつきも３０％であることに相当する。このような比較的小さい輝度バラつきは、人間の肉眼では認識することができないものであり、エレクトロルミネセントデバイス１００によって提供される照明は、電極層１０６の表面全体にわたって均一に見える。
【００３７】
例えば、電極層１０４のシート抵抗及び電極層１０６のシート抵抗は、相等しく、５０Ωの値を有する。エレクトロルミネセントデバイス１００が０．１Ａの電流Ｉによって駆動されるとき、エレクトロルミネセントデバイス１００によって放射される光１２２の輝度は、４８．７ｌｍ／Ｗの電力効率の場合、Ｌｍａｘ＝２２７１ｃｄ／ｍ２とＬｍｉｎ＝１９４４ｃｄ／ｍ２との間で変化する。
【００３８】
図３は、エレクトロルミネセントデバイス１００の幅方向１１８に沿った電圧降下を例示している。具体的には、図３は、カソード電圧ｖｃ、アノード電圧ｖａ、及びエレクトロルミネセント層１０２に印加される発光層電圧ｖｅｌを示している。発光層電圧ｖｅｌは、カソード電圧ｖｃとアノード電圧ｖａとの間の差である。
【００３９】
電極層１０６のシート抵抗と実質的に等しい電極層１０４の高抵抗のシート抵抗により、エレクトロルミネセントデバイス１００は、電極層１０６及び電極層１０４の双方で有意な電圧降下を有する。カソード側で電圧降下が幅にわたって増大するにつれて、アノード側では電圧降下が低減し、部分的な相殺が起こる。その結果は、低減された総電圧降下となり、最大の電圧降下デルタＶｍａｘは、エレクトロルミネセントデバイス１００の中心に現れる。対称性の理由から、電極層１０４及び電極層１０６の双方のシート抵抗が同じ場合に上記相殺は最大となる。
【００４０】
デルタＶｍａｘに制限される低減された電圧降下は、エレクトロルミネセント層１０２の電流電圧特性に従ってエレクトロルミネセント層１０２を流れる電流Ｉの、低減された電流変化を意味する。電流と輝度との間の基本的に線形な関係により、得られる光１２２の輝度バラつきも比例して低減される。
【００４１】
図４は、セグメント化された照明装置１２４を示しており、照明装置１２４の各セグメント（区画）が、二重に積み重ねられたエレクトロルミネセントデバイスによって構成されている。例えば、エレクトロルミネセントデバイス１００’は、図１のエレクトロルミネセントデバイス１００のように、電極層１０４’、１０６’、及び電極層１０４’と１０６’との間に挟まれたエレクトロルミネセント層１０２’を有している。
【００４２】
図４の実施形態において、電極層１０４’は、当該電極層１０４’と更なる電極層１３０’との間に挟まれた更なるエレクトロルミネセント層１２８’の共有（共通）カソードとして作用する。電極層１３０’は、電極層１０６’と同じ材料で形成されることができ、電極層１０６’及び／又は電極層１０４’と同じシート抵抗を有し得る。電極層１３０’は、エレクトロルミネセント層１２８’用の更なるアノードとして作用する。斯くして、デュアルスタック構成のエレクトロルミネセントデバイス１００’が設けられる。エレクトロルミネセントデバイス１００’は、照明装置１２４の次のセグメントを構成する隣のエレクトロルミネセントデバイス１００”と直列に接続されている。
【００４３】
図５は、エレクトロルミネセントデバイス１００”の幅方向に沿った電圧を例示している。図５に示すように、スタック型のエレクトロルミネセントデバイス１００”を構成する２つのＯＬＥＤデバイスの双方において同時に、電圧降下補償が起こる。図５は、カソード電極層１０４”のシート抵抗とアノード電極層１０６”及び１２８”の双方のシート抵抗とが同一であるときの電圧降下をｘに対して示している。
【００４４】
エレクトロルミネセントデバイス１００の実施形態は特に、得られる高抵抗電極層１０４’、１０４”、・・・の抵抗がエレクトロルミネセントデバイス１００を幹線電力に直接的に結合するためのバラスト（安定）抵抗として使用され得るので有利である。
【００４５】
例えば、アスペクト比が１：１０であるとき、電極層１０４及び電極層１０６の双方に７０Ωのシート抵抗を選択することにより、１４Ωのバラスト抵抗をエレクトロルミネセントデバイス１００に一体化することができる。
【００４６】
本発明の更なる一実施形態によれば、セグメント化された照明装置の直列接続された電極層に得られる抵抗は、追加のバラスト抵抗を用いずに幹線電力に照明装置を直接的に接続することを可能にするバラスト抵抗を構成する。例えば、アノード及びカソードの電極層のシート抵抗が７０Ωであり、セグメント当たり１４Ωの合計抵抗が生成される場合、図４に示したタイプの６５個のセグメントを直列接続して、９１０Ωの合計バラスト抵抗を得ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００、１００’、１００” エレクトロルミネセントデバイス
１０２、１０２’、１０２” エレクトロルミネセント層
１０４、１０４’、１０４” 電極層
１０６、１０６’、１０６” 電極層
１０８、１０８’ コンタクト要素
１１０ エッジ
１１１ 長さ方向
１１２、１１２” 出力電流フロー
１１４ コンタクト要素
１１５ エッジ
１１６、１１６” 入力電流フロー
１１８ 幅方向
１２０ 基板
１２２ 光
１２４ 照明装置
１２８’ エレクトロルミネセント層
１３０’ 電極層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセントデバイスであって：
第１のエレクトロルミネセント層と、該エレクトロルミネセント層に電荷を供給するための、該エレクトロルミネセント層の第１の面上に配置された、不透明材料からなる第１の電極層、及び該エレクトロルミネセント層の前記第１の面とは反対側の第２の面上に配置され、透明材料からなる第２の電極層と、
前記第１の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第１のコンタクト要素と、前記第２の電極層と前記電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第２のコンタクト要素と、
を有し、
前記第１のコンタクト要素は、前記第１の電極層の第１のエッジに沿って延在し、前記第２のコンタクト要素は、前記第２の電極層の第２のエッジに沿って延在し、該第１のエッジ及び該第２のエッジは互いに平行であり、
前記第１の電極層は第１のシート抵抗を有し、前記第２の電極層は第２のシート抵抗を有し、該第１のシート抵抗は該第２のシート抵抗の０．１倍から３倍である、
エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２】
前記第１のシート抵抗は前記第２のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項３】
前記第１のシート抵抗は前記第２のシート抵抗に等しい、請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項４】
前記第１及び第２の電極層は、当該エレクトロルミネセントデバイスを電源に直接的に接続するための抵抗性の安定器を構成し、前記第１及び第２のシート抵抗は好ましくは３０Ωと１００Ωとの間である、請求項１乃至３の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項５】
前記第１及び第２のシート抵抗は５０Ω又は７０Ωである、請求項１乃至４の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項６】
前記第１及び第２のシート抵抗は、前記エレクトロルミネセント層に電荷が供給されるときに前記第２の電極層上での輝度バラつきが６０％未満になるように選定されている、請求項１乃至５の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項７】
当該エレクトロルミネセントデバイスは、１対２より高いアスペクト比を有するストリップ形態を有し、前記第１及び第２のコンタクト要素は該ストリップ形態の長さ方向に延在している、請求項１乃至６の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項８】
第２のエレクトロルミネセント層であり、該第２のエレクトロルミネセント層の第１の面が前記第１の電極層上に配置された、第２のエレクトロルミネセント層と、
前記第２のエレクトロルミネセント層の第２の面上に配置された第３の電極層であり、前記第２のエレクトロルミネセント層の該第２の面は前記第２のエレクトロルミネセント層の前記第１の面とは反対側であり、該第３の電極層は第３のシート抵抗を有し、前記第１のシート抵抗は該第３のシート抵抗の０．１倍から３倍である、第３の電極層と、
を更に有する請求項１乃至７の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項９】
前記第１のシート抵抗は前記第３のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である、請求項８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１０】
前記第１、第２及び第３のシート抵抗は相等しい、請求項８又は９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１１】
共通電極を共有するスタック型デバイスである請求項８乃至１０の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１２】
ＯＬＥＤデバイスである請求項１乃至１１の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１３】
複数の、請求項１乃至１２の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス、を有するセグメント化された照明装置。
【請求項１４】
前記複数のエレクトロルミネセントデバイスは直列接続にて電気的に結合されている、請求項１３に記載のセグメント化された照明装置。
【請求項１５】
前記第１の電極層は、当該セグメント化された照明装置を幹線電力に直接的に接続するための、分散された安定器を構成する、請求項１３又は１４に記載のセグメント化された照明装置。
【請求項１】
エレクトロルミネセントデバイスであって：
第１のエレクトロルミネセント層と、該エレクトロルミネセント層に電荷を供給するための、該エレクトロルミネセント層の第１の面上に配置された、不透明材料からなる第１の電極層、及び該エレクトロルミネセント層の前記第１の面とは反対側の第２の面上に配置され、透明材料からなる第２の電極層と、
前記第１の電極層と電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第１のコンタクト要素と、前記第２の電極層と前記電荷供給源とのコンタクトをとる単一の第２のコンタクト要素と、
を有し、
前記第１のコンタクト要素は、前記第１の電極層の第１のエッジに沿って延在し、前記第２のコンタクト要素は、前記第２の電極層の第２のエッジに沿って延在し、該第１のエッジ及び該第２のエッジは互いに平行であり、
前記第１の電極層は第１のシート抵抗を有し、前記第２の電極層は第２のシート抵抗を有し、該第１のシート抵抗は該第２のシート抵抗の０．１倍から３倍である、
エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２】
前記第１のシート抵抗は前記第２のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項３】
前記第１のシート抵抗は前記第２のシート抵抗に等しい、請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項４】
前記第１及び第２の電極層は、当該エレクトロルミネセントデバイスを電源に直接的に接続するための抵抗性の安定器を構成し、前記第１及び第２のシート抵抗は好ましくは３０Ωと１００Ωとの間である、請求項１乃至３の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項５】
前記第１及び第２のシート抵抗は５０Ω又は７０Ωである、請求項１乃至４の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項６】
前記第１及び第２のシート抵抗は、前記エレクトロルミネセント層に電荷が供給されるときに前記第２の電極層上での輝度バラつきが６０％未満になるように選定されている、請求項１乃至５の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項７】
当該エレクトロルミネセントデバイスは、１対２より高いアスペクト比を有するストリップ形態を有し、前記第１及び第２のコンタクト要素は該ストリップ形態の長さ方向に延在している、請求項１乃至６の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項８】
第２のエレクトロルミネセント層であり、該第２のエレクトロルミネセント層の第１の面が前記第１の電極層上に配置された、第２のエレクトロルミネセント層と、
前記第２のエレクトロルミネセント層の第２の面上に配置された第３の電極層であり、前記第２のエレクトロルミネセント層の該第２の面は前記第２のエレクトロルミネセント層の前記第１の面とは反対側であり、該第３の電極層は第３のシート抵抗を有し、前記第１のシート抵抗は該第３のシート抵抗の０．１倍から３倍である、第３の電極層と、
を更に有する請求項１乃至７の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項９】
前記第１のシート抵抗は前記第３のシート抵抗の０．９倍から１．１倍である、請求項８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１０】
前記第１、第２及び第３のシート抵抗は相等しい、請求項８又は９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１１】
共通電極を共有するスタック型デバイスである請求項８乃至１０の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１２】
ＯＬＥＤデバイスである請求項１乃至１１の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１３】
複数の、請求項１乃至１２の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス、を有するセグメント化された照明装置。
【請求項１４】
前記複数のエレクトロルミネセントデバイスは直列接続にて電気的に結合されている、請求項１３に記載のセグメント化された照明装置。
【請求項１５】
前記第１の電極層は、当該セグメント化された照明装置を幹線電力に直接的に接続するための、分散された安定器を構成する、請求項１３又は１４に記載のセグメント化された照明装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１２−５２１６３０（Ｐ２０１２−５２１６３０Ａ）
【公表日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５０１４４１（Ｐ２０１２−５０１４４１）
【出願日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２０１０／０５１１６９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１０９３７９
【国際公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１８日（２０１０．３．１８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２０１０／０５１１６９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１０９３７９
【国際公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
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