エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
【課題】容易に高く形成することができる遮光壁を有し、当該遮光壁の遮光効果によって混色を防止することが可能なエレクトロルミネッセンス装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置１は、画素４０に対応して配置された発光素子７０を有する素子基板と、画素４０に対応して配置された赤、緑、青の色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有する封止基板とが接着剤２８を介して貼り合わされてなる。画素間領域４１には、色要素３４と遮光部材３２とからなる遮光壁３３が形成されている。遮光壁３３は、色要素３４の表面に対して一定の高さＴを有している。このため、遮光壁３３は、ある画素４０の発光素子７０から射出された光のうち、これと隣接する画素４０の色要素３４に入射する光を遮光することができる。これにより、異なる色に対応する画素４０の間の混色を防止することができる。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置１は、画素４０に対応して配置された発光素子７０を有する素子基板と、画素４０に対応して配置された赤、緑、青の色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有する封止基板とが接着剤２８を介して貼り合わされてなる。画素間領域４１には、色要素３４と遮光部材３２とからなる遮光壁３３が形成されている。遮光壁３３は、色要素３４の表面に対して一定の高さＴを有している。このため、遮光壁３３は、ある画素４０の発光素子７０から射出された光のうち、これと隣接する画素４０の色要素３４に入射する光を遮光することができる。これにより、異なる色に対応する画素４０の間の混色を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素に対応して発光素子が形成された素子基板と、当該素子基板に対向して貼り合わされた封止基板とを有し、前記発光素子で発光した光を封止基板側から取り出す構成のエレクトロルミネッセンス装置に関する。また、当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記構成のエレクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」とも略す）装置は、トップエミッション型と呼ばれるＥＬ装置に含まれ、封止基板の対向面には色要素が形成されている場合が多い。ここで色要素とは、入射した光のうち特定の波長成分を吸収することによって透過光を所定の色（例えば赤、緑、青等）とすることが可能な物質であり、カラーフィルタとも呼ばれる。色要素は、画素ごとに、当該画素の色に対応した色のものが配置される。封止基板に色要素が配置されていることによって、ＥＬ装置から取り出される光の色純度を向上させることができるとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、また、外光の反射をある程度遮断することができる。
【０００３】
一般に、色要素と色要素の間の領域、すなわち画素間に対応する領域には、隣接する画素の間での混色防止のため遮光層が形成されているが、発光素子から大きな角度をもって斜めに射出された光は遮光層を超えて隣接画素に入り、混色を起こすことがあった。また、基板間に異物が混入した場合に当該異物が発光素子に悪影響を与えないよう、基板間隔を大きくすると、上記混色はさらに起こりやすくなる。このような混色が起こると、広角からＥＬ装置を観察したときに色相が変化するため、視角特性が悪化する。この現象を防止するための技術として、遮光層を色要素より厚く形成し、当該遮光壁によって混色を起こす斜めの光を遮光する技術が知られている（特許文献１参照）。本稿では、このような厚みをもった遮光層を「遮光壁」と呼ぶ。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、遮光壁のみを色要素に対して大幅に厚く（高く）形成することは技術的に困難であるという問題点があった。特に、上記した理由で基板間隔を大きくとる場合は、十分な遮光効果を得るためには遮光壁をその分だけ高く形成しなければならず、この問題点が顕著となる。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、容易に高く形成することができる遮光壁を有し、当該遮光壁の遮光効果によって混色を防止することが可能なエレクトロルミネッセンス装置、及び当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配列された、少なくとも３種の異なる色のいずれかに対応する複数の画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、第１の基板と、前記第１の基板上に前記画素に対応して形成された、発光層を含む複数の発光素子と、前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、接着剤を介して前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、前記第２の基板の対向面に前記画素に対応して形成された、前記画素に対応する色の色要素と、前記第２の基板の対向面のうち、互いに隣接する前記画素の間の領域に形成された、前記色要素と、遮光性を有する遮光部材とがこの順に積層されてなる遮光壁とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、第２の基板の対向面には、画素に応じて色要素が形成されているとともに、画素間領域には前記色要素より厚い（すなわち高さの高い）遮光壁が形成されている。この遮光壁は、色要素の上に遮光部材を重ねることによって形成されているため、容易に高く形成することができる。上記構成のエレクトロルミネッセンス装置において、第１の基板上に形成された発光素子から発せられた光は、その大部分が、対向する第２の基板上の色要素のうち、当該発光素子と同一の画素に形成された色要素に入射する。他方で、前記発光素子から隣接する画素の色要素に向かって斜めに射出された光は、前記遮光壁によって遮光される。このため、異なる色に対応する隣接画素間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。このように、上記構成によれば、容易に高く形成することができる遮光壁を有し、当該遮光壁の遮光効果によって混色を防止することが可能なエレクトロルミネッセンス装置が得られる。当該エレクトロルミネッセンス装置は、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【０００９】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁に含まれる前記色要素は、少なくとも２種の色の色要素が積層されてなることが好ましい。このような構成によれば、遮光壁は、２種又は３種以上の異なる色の色要素を重ね、その上にさらに遮光部材を積層することによって形成される。このような遮光壁は、容易に高く形成することができるため、例えば第１の基板と第２の基板の間隔を大きくとったとしても、混色の原因となる斜め方向に射出された光を効果的に遮光し、混色を防止することができる。
【００１０】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁は、前記色要素と前記遮光部材との間に配置された樹脂材料をさらに有することが好ましい。このような構成によれば、遮光壁は、１種、２種又は３種以上の異なる色の色要素を重ね、その上にさらに樹脂材料と遮光部材とをこの順に積層することによって形成される。このような遮光壁は、容易に高く形成することができるため、混色の原因となる斜め方向に射出された光をより効果的に遮光し、混色を防止することができる。
【００１１】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁は、対応する色が異なり、かつ互いに隣接する前記画素の間の領域に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、対応する色が互いに異なる隣接画素の間の領域に遮光壁が形成される。これらの互いに隣接する画素の一方から射出され、他方の画素の色要素に入射した光は必ず混色を引き起こすが、前記遮光壁はこのような光を遮光することができるので、混色を防止することができる。ここで、上記構成において、対応する色が同一である隣接画素の間の領域には、遮光壁は必ずしも設けなくてもよい。当該領域に遮光壁を設けない場合は、遮光壁の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００１２】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記少なくとも３種の異なる色は、赤系の色、緑系の色、青系の色の３色であることが好ましい。このような構成のエレクトロルミネッセンス装置によれば、赤系の色、緑系の色、青系の色の発光の組み合わせによるカラー発光、又はカラー表示を行うことができる。また、容易に高く形成することができる遮光壁によって上記３色の相互間の混色が防止されるので、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【００１３】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子は、当該発光素子が形成された前記画素に対応する色と同系の色の光を発し、前記遮光壁は、前記緑系の色に対応する前記画素と、当該画素に隣接する前記赤系の色又は前記青系の色の前記画素との間の領域に形成されていることが好ましい。このような構成のエレクトロルミネッセンス装置において、赤系の色、緑系の色、青系の色に対応する画素に形成された発光素子は、それぞれ赤系の色、緑系の色、青系の色の光を発する。また、緑系の色と赤系の色に対応する隣接画素、及び緑系の色と青系の色に対応する隣接画素の間の領域に遮光壁が形成されている。これらの互いに隣接する画素の一方から射出され、他方の画素の色要素に入射した光は必ず混色を引き起こすが、前記遮光壁はこのような光を遮光することができるので、混色を防止することができる。ここで、上記構成において、赤系の色と青系の色に対応する隣接画素の間の領域には、遮光壁は必ずしも設けなくてもよい。これは、赤系の色の画素において発せられた赤い光は、仮に隣接する青系の色の画素の色要素に入射したとしても当該色要素によって大部分が吸収され、同様に青系の色の画素において発せられた青い光は、仮に隣接する赤系の色の画素の色要素に入射したとしても当該色要素によって大部分が吸収されるためである。赤系の色の画素と青系の色の画素との間の領域に遮光壁を設けない場合は、遮光壁の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする。このような電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置によって、視角特性の良い高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置１を示す概略断面図である。この図に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板１０上に、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されてなる素子基板と、ガラス基板３０上に、赤、緑、青にそれぞれ対応する色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ（以下では色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂをまとめて「色要素３４」とも呼ぶ）、及び色要素３４上に形成された遮光部材３２が積層されてなる封止基板とを接着剤２８を介して貼り合わせたものである。ここで、基板１０が本発明における「第１の基板」に、ガラス基板３０が「第２の基板」に、有機発光層２０が「発光層」に、それぞれ対応する。有機ＥＬ装置１は、有機発光層２０において発光した光を封止基板側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置であり、観察者は、ガラス基板３０の側から表示を観察する。上記のうち、反射膜１２から陰極２４までの構成要素からなる素子が発光素子７０である。発光素子７０は、各画素４０ごとに形成されている。
【００１７】
図２は、画素４０の形状及び配置について説明するための、有機ＥＬ装置１の拡大平面図である。以下では、図２中のＸ軸に平行な方向を行方向、Ｙ軸に平行な方向を列方向とも呼ぶ。この図に示すように、上記遮光部材３２は、Ｘ軸及びＹ軸に平行な直線状の要素から構成された格子状に形成されている。そして、当該遮光部材３２の格子が形作る矩形の領域のそれぞれが画素４０に対応する。すなわち、画素４０は、複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置されている。なお、画素４０と画素４０の間の領域を以下では画素間領域４１とも呼ぶ。上述の遮光部材３２は、画素間領域４１に形成されていることになる。
【００１８】
各々の画素４０は、列方向に長い長方形をしており、行方向に沿って画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒがこの順に連環するように配置されている。ここで、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒは、それぞれ青系の色の発光、緑系の色の発光、赤系の色の発光を行う画素４０である。各々の画素４０には、対応する色の色要素３４、すなわち色要素３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒが形成されている。画素４０は、同色の画素４０同士が列をなすように配置されている。なお、上述の図１は、有機ＥＬ装置１を、画素４０を含む位置で図２中の行方向に沿って切断したときの断面図である。
【００１９】
図１に示すように、画素間領域４１に配置され、画素４０を区画する遮光部材３２は、色要素３４の上に形成されている。ここで、画素間領域４１における、色要素３４及び遮光部材３２を含む積層構造体を以下では遮光壁３３とも呼ぶ。
【００２０】
以下、図１中の各構成要素について詳述する。基板１０は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するためのデータ線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。反射膜１２は、アルミニウム又は銀からなる。画素電極１６は、反射膜１２上に、反射膜１２との短絡を防止するためのＳｉＮからなる絶縁層１４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。画素電極１６は、各画素４０に一つずつ配置されており、それぞれの画素電極１６は、基板１０に含まれるＴＦＴ素子を介して、データ線（不図示）に接続されている。陰極２４は、マグネシウムと銀の合金をハーフミラー状態に形成したものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００２１】
画素電極１６と陰極２４との間には、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２がこの順に積層されている。有機発光層２０は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極１６と陰極２４との間に電圧を印加することによって、有機発光層２０には、正孔輸送層１８から正孔が、また、電子輸送層２２から電子が注入され、有機発光層２０においてこれらが再結合したときに発光が行われる。有機発光層２０からの光は、一部は直接陰極２４を透過し、一部は反射膜１２によって反射されてから陰極２４を透過する。いずれにせよ、有機発光層２０からの光は、陰極２４を透過し、その後薄膜封止層２６、接着剤２８、色要素３４、ガラス基板３０を順に透過する。
【００２２】
ここで、反射膜１２及び陰極２４は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層２０において発せられた光は、反射膜１２と陰極２４との間を往復し、共振波長の光だけが増幅されて封止基板側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００２３】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１においては、画素電極１６の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒにおいてこの順に画素電極１６を厚くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒにおける画素電極１６の厚さはそれぞれ２０ｎｍ，５０ｎｍ，９０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、画素４０Ｂにおいては青色、画素４０Ｇにおいては緑色、画素４０Ｒにおいては赤色に相当する波長に設定される。この結果、陰極２４からは、共振波長に応じて青、緑、または赤の光が選択的に射出される。
【００２４】
陰極２４を覆って形成された薄膜封止層２６は、ＳｉＯＮからなる透光性を有する部材であり、有機ＥＬ素子７０を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極２４の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００２５】
ガラス基板３０上に形成された色要素３４は、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する部材である。色要素３４は、例えば、色要素材料としての顔料を含む感光性樹脂を塗布して露光現像することにより形成される。色要素３４を配置することによって、有機ＥＬ装置１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。色要素３４は、エポキシ樹脂からなる接着剤２８を介して薄膜封止層２６と対向している。
【００２６】
色要素３４に重ねて配置された遮光部材３２は、光をほとんど透過させない黒色の樹脂であり、上述したように遮光壁３３の一部を構成する。遮光部材３２は、その材料となる樹脂を色要素３４上に塗布した後に露光現像し、図２に示すような格子状にパターニングすることによって形成される。遮光壁３３は、このように色要素３４の上に遮光部材３２を重ねることによって形成されているため、容易に高く形成することができる。以下では、遮光部材３２の幅（すなわち遮光壁３３の幅）をＷとし、遮光部材３２の、色要素３４の表面からの高さをＴとする。また、色要素３４から陰極２４までの距離をＬとする。
【００２７】
ここで、発光素子７０から射出される光の振る舞いと、遮光壁３３の作用及び効果について説明する。
【００２８】
発光素子７０から射出された光は、様々な角度をもって封止基板に入射する。以下では、図１に示すように、発光素子７０からの光の射出角をθとする。この光の光路である接着剤２８、色要素３４、ガラス基板３０の屈折率は概ね１．５１であるので、射出角θが４２°より大きな光はガラス基板３０と空気層との界面で全反射され、観察者からは視認されない。よって、こうした光は仮に隣接画素４０の異なる色の色要素に入射して混色を起こしたとしても、表示には影響を与えない。逆に、射出角が４２°以下の光はガラス基板３０から空気層に取り出されるので、観察者に視認され得る。こうした光が隣接画素４０の異なる色の色要素に入射すると、混色を起こした状態で空気層に射出されるので、表示品位の低下を招く。
【００２９】
遮光壁３３は、ある画素４０の発光素子７０からθ≦４２°を満たして射出した光のうち、隣接する画素４０の色要素３４に入射しようとする光を遮光する。そのために、遮光部材３２は、その高さＴが下記式（１）を満たすように形成されている。
ｔａｎ４２°≦Ｗ／（Ｌ−Ｔ） …（１）
なお、従来の一般的な構成、すなわち画素間領域４１に色要素３４と等しい高さの遮光部材３２を配置する構成の有機ＥＬ装置においては、混色を防止するためには下記式（２）が要求されていた。
ｔａｎ４２°≦Ｗ／Ｌ …（２）
これと上記式（１）を比較すれば、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、混色を起こさずに、長さＬ（ひいては、素子基板と封止基板との間隔）を遮光部材３２の高さＴの分だけ大きくとることが可能であることが分かる。具体的には、Ｗ＝２０μｍとした場合、従来の構成では長さＬが２２μｍを越えると混色が起こる一方で、本実施形態においては、例えばＴ＝３μｍとすれば、長さＬを２５μｍにまで大きくすることができる。このように長さＬを大きくとることができれば、基板間隔を大きくすることができ、基板間に大きな異物が混入した場合でも当該異物が発光素子７０に影響を与えないようにすることができる。
【００３０】
以上のように、遮光壁３３は、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。このように、有機ＥＬ装置１は、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
続いて、図３の断面図を用いて第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ａについて説明する。有機ＥＬ装置１Ａは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００３２】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１Ａにおける遮光壁３３は、２種の異なる色の色要素３４と、その上に積層された遮光部材３２とからなる。この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上の画素４０Ｒに対応する領域及び画素４０Ｒに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｒを形成する。次に、画素４０Ｇに対応する領域及び画素４０Ｇに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｇを形成する。このとき、画素４０Ｒと画素４０Ｇとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｇとが積層される。続いて、画素４０Ｂに対応する領域及び画素４０Ｂに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｂを形成する。このとき、画素４０Ｒと画素４０Ｂとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｂとが積層され、画素４０Ｇと画素４０Ｂとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｇと色要素３４Ｂとが積層される。最後に、画素間領域４１に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００３３】
遮光壁３３は、このように色要素３４を２層に重ねた上に遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、色要素３４が１層である場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００３４】
有機ＥＬ装置１Ａにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔を大きくとることができる。
【００３５】
（第３の実施形態）
続いて、図４の断面図を用いて第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｂは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００３６】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１Ｂにおける遮光壁３３は、３種の異なる色の色要素３４と、その上に積層された遮光部材３２とからなる。この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上の画素４０Ｒに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｒを形成する。次に、画素４０Ｇに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｇを形成する。このとき、各画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｇとが積層される。続いて、画素４０Ｂに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｂを形成する。このとき、各画素間領域４１においては、色要素３４Ｒ、色要素３４Ｇに重ねて色要素３４Ｂが積層される。最後に、すべての画素間領域４１に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００３７】
遮光壁３３は、このように色要素３４を３層に重ねた上に遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、色要素３４が１層又は２層である場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００３８】
有機ＥＬ装置１Ｂにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００３９】
（第４の実施形態）
続いて、図５の断面図を用いて第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｃについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｃは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４０】
図５に示すように、有機ＥＬ装置１Ｃにおける遮光壁３３は、色要素３４に重ねて樹脂材料３１及び遮光部材３２がこの順に積層された構成となっている。ここで、樹脂材料３１は、遮光壁３３をより高く形成するための部材であるので、その特性は特に問わない。遮光壁３３の遮光性は遮光部材３２によって担保されるので、樹脂材料３１は透光性を有していてもよい。このため、一般にオーバーコートとして用いられる透明樹脂を用いることができる。もちろん、樹脂材料３１は、遮光部材３２と同様に遮光性を備えていてもよいし、あるいは色要素３４と同様に透過光を着色させるものであってもよい。
【００４１】
この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上に、第１の実施形態と同様に３色の色要素３４を形成する。次に、画素間領域４１に、色要素３４に重ねて樹脂材料３１を形成する。この工程は、例えばスピンコート法及びフォトリソグラフィー法によって行うことができる。最後に、樹脂材料３１の上に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００４２】
遮光壁３３は、このように色要素３４上に樹脂材料３１及び遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、１層の色要素３４及び遮光部材３２から構成される場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００４３】
有機ＥＬ装置１Ｃにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００４４】
なお、上記は、１層の色要素３４の上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成であるが、これに代えて、第２の実施形態のように２層の色要素３４を形成し、その上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成、あるいは第３の実施形態のように３層の色要素３４を形成し、その上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成とすることもできる。こうした構成によれば、遮光壁３３をさらに高く形成することができる。
【００４５】
（第５の実施形態）
続いて、図６の断面図を用いて第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｄについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｄは、樹脂材料３１の形成領域を除けば上記第４の実施形態の有機ＥＬ装置１Ｃと同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４６】
図６に示すように、有機ＥＬ装置１Ｄの遮光壁３３は、色要素３４に重ねて樹脂材料３１及び遮光部材３２が積層された構成となっている。ここで、樹脂材料３１は、遮光壁３３の一部としてだけでなく、色要素３４の全体を覆って形成されており、色要素３４を保護するとともに、平坦性を向上させる役割も果たしている。本実施形態の樹脂材料３１には、透光性を有する部材が用いられる。
【００４７】
有機ＥＬ装置１Ｄにおいても、遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００４８】
（第６の実施形態）
続いて、図７の平面図を用いて第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｅについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｅは、遮光部材３２の形成領域を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４９】
図７に示すように、有機ＥＬ装置１Ｅにおいては、遮光部材３２、及び遮光部材３２を構成要素とする遮光壁３３は、外周部分を除くと列方向にのみ形成され、行方向には形成されていない。換言すれば、互いに対応する色の異なる画素４０の間の領域にのみ遮光部材３２（遮光壁３３）が形成されている。なお、有機ＥＬ装置１Ｅを、画素４０を含む位置で図７中の行方向に沿って切断したときの断面図は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同様であり、図１に相当する。
【００５０】
こうした構成においても、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮し、有機ＥＬ装置１Ｅは、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。これは、混色が起こるのは互いに対応する色の異なる隣接する画素４０の間に限られるところ、こうした隣接する画素４０の間には混色を防止する遮光壁３３が形成されているからである。このように、遮光壁３３を部分的に形成する構成とすれば、遮光壁３３の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁３３の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００５１】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において遮光部材３２の形成領域を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第５の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄについて行うこともできる。
【００５２】
（第７の実施形態）
続いて、図８及び図９を用いて第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｆについて説明する。図８は、有機ＥＬ装置１Ｆの拡大平面図、図９は、有機ＥＬ装置１Ｆを、画素４０を含む位置で図８中の行方向に沿って切断したときの断面図である。有機ＥＬ装置１Ｆは、遮光部材３２の形成領域を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００５３】
図８及び図９に示すように、有機ＥＬ装置１Ｆにおいては、遮光部材３２、及び遮光部材３２を構成要素とする遮光壁３３は、外周部分を除くと列方向にのみ形成され、かつ、画素４０Ｇに隣接する画素間領域４１に限って形成されている。すなわち、画素４０Ｒと画素４０Ｂの画素間領域４１や、行方向に平行な画素間領域４１には形成されていない。
【００５４】
画素４０Ｒと画素４０Ｂの画素間領域４１に遮光壁３３が不要な理由は以下の通りである。すなわち、画素４０Ｒから発せられた赤色の光は、仮に隣接する画素４０Ｂの色要素３４Ｂに入射したとしても、当該色要素３４Ｂが赤色の光をほとんど透過しないことにより、ここで大部分が吸収される。同様に、画素４０Ｂから発せられた青色の光は、仮に隣接する画素４０Ｒの色要素３４Ｒに入射したとしても、当該色要素３４Ｒが青色の光をほとんど透過しないことにより、ここで大部分が吸収される。このように、画素４０Ｒと画素４０Ｂとの間では、一方の画素４０Ｒ（４０Ｂ）から他方の画素４０Ｂ（４０Ｒ）に入射した光は色要素３４Ｒ又は色要素３４Ｂによって吸収されるため、この画素間領域４１に遮光壁３３がない場合でも混色はほとんど起こらない。
【００５５】
したがって、上記の構成においても、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮し、有機ＥＬ装置１Ｆは、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。このように、遮光壁３３を部分的に形成する構成とすれば、遮光壁３３の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁３３の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００５６】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において遮光部材３２の形成領域を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第５の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄについて行うこともできる。
【００５７】
また、本実施形態は、発光素子７０から赤、緑、青のいずれかの色の光が射出される構成の有機ＥＬ装置に好適に用いることができる。このため、光共振器を利用した発光素子７０に代えて、例えば、赤、緑、青のそれぞれの光を発することができる有機発光層２０を含む発光素子７０を備えた有機ＥＬ装置にも適用することができる。
【００５８】
（第８の実施形態）
続いて、図１０の断面図を用いて第８の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｇについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｇは、封止基板については上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では素子基板の構成の相違点を中心に説明する。
【００５９】
図１０に示すように、有機ＥＬ装置１Ｇの素子基板は、基板１０上に、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されてなる。ここで、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１との構成の違いは、画素電極１６の厚さがすべての画素４０において均一である点、及び陰極２４が透明なＩＴＯからなる点である。このため、発光素子７０は、光共振器が内包されたものではなく、単に有機発光層２０で発光した光を陰極２４側から取り出す構成となっている。すなわち、各発光素子７０は、同じ色相の光を発する。
【００６０】
こうした構成の有機ＥＬ装置１Ｇにおいても、ある画素４０で発光した光が斜めに進行して隣接する画素４０の色要素３４に入射すると、本来意図した画素４０とは異なる画素４０において、意図しない色の発光が行われることとなり、表示品位の低下を招く。遮光壁３３は、上記斜めに進行する光を遮光し、こうした現象を防止することができる。
【００６１】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において素子基板の構成を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第６の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅについて行うこともできる。
【００６２】
（電子機器への搭載例）
上述した有機ＥＬ装置１（有機ＥＬ装置１Ａから１Ｇを含む）は、例えば、図１１に示すような「電子機器」としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５１０及び操作ボタン５２０を有している。表示部５１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン５２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、視角特性の良い、高品位な表示を行うことができる。
【００６３】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機５００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００６５】
（変形例１）
上記第１から第７までの各実施形態において、発光素子７０は、光共振器を用いて赤、緑、青の各色の光を発するものであるが、これに代えて、赤、緑、青の各色を発する有機発光層２０を用いた構成としてもよい。こうした構成の発光素子７０と組み合わせた場合でも、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮する。
【００６６】
（変形例２）
上記各実施形態において、画素４０及び色要素３４は、赤、緑、青の３色に対応する構成であるが、これに代えて、４色以上の色に対応する構成としてもよい。例えば、赤、青、の２色に、青から黄までの色相の中で選択された２種の色を加えた４色に対応する構成とすることができる。後者の２色は、例えば緑及びシアンとすることができる。
【００６７】
（変形例３）
上記各実施形態において、発光素子７０に含まれる正孔輸送層１８、電子輸送層２２は、必要に応じて配置すればよく、必ずしも形成しなくてもよい。また、薄膜封止層２６も、接着剤２８が同様の機能を兼ねる場合は省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大平面図。
【図３】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図４】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図５】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図６】第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図７】第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図８】第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大平面図。
【図９】第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図１０】第８の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図１１】本発明の電子機器の実施形態に係る携帯電話機の模式斜視図。
【符号の説明】
【００６９】
１，１Ａ〜１Ｇ…有機ＥＬ装置、１０…「第１の基板」としての基板、１２…反射膜、１４…絶縁層、１６…画素電極、１８…正孔輸送層、２０…有機発光層、２２…電子輸送層、２４…陰極、２６…薄膜封止層、２８…接着剤、３０…「第２の基板」としてのガラス基板、３１…樹脂材料、３２…遮光部材、３３…遮光壁、３４，３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…色要素、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…画素、７０…発光素子、５００…携帯電話機。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素に対応して発光素子が形成された素子基板と、当該素子基板に対向して貼り合わされた封止基板とを有し、前記発光素子で発光した光を封止基板側から取り出す構成のエレクトロルミネッセンス装置に関する。また、当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記構成のエレクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」とも略す）装置は、トップエミッション型と呼ばれるＥＬ装置に含まれ、封止基板の対向面には色要素が形成されている場合が多い。ここで色要素とは、入射した光のうち特定の波長成分を吸収することによって透過光を所定の色（例えば赤、緑、青等）とすることが可能な物質であり、カラーフィルタとも呼ばれる。色要素は、画素ごとに、当該画素の色に対応した色のものが配置される。封止基板に色要素が配置されていることによって、ＥＬ装置から取り出される光の色純度を向上させることができるとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、また、外光の反射をある程度遮断することができる。
【０００３】
一般に、色要素と色要素の間の領域、すなわち画素間に対応する領域には、隣接する画素の間での混色防止のため遮光層が形成されているが、発光素子から大きな角度をもって斜めに射出された光は遮光層を超えて隣接画素に入り、混色を起こすことがあった。また、基板間に異物が混入した場合に当該異物が発光素子に悪影響を与えないよう、基板間隔を大きくすると、上記混色はさらに起こりやすくなる。このような混色が起こると、広角からＥＬ装置を観察したときに色相が変化するため、視角特性が悪化する。この現象を防止するための技術として、遮光層を色要素より厚く形成し、当該遮光壁によって混色を起こす斜めの光を遮光する技術が知られている（特許文献１参照）。本稿では、このような厚みをもった遮光層を「遮光壁」と呼ぶ。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、遮光壁のみを色要素に対して大幅に厚く（高く）形成することは技術的に困難であるという問題点があった。特に、上記した理由で基板間隔を大きくとる場合は、十分な遮光効果を得るためには遮光壁をその分だけ高く形成しなければならず、この問題点が顕著となる。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、容易に高く形成することができる遮光壁を有し、当該遮光壁の遮光効果によって混色を防止することが可能なエレクトロルミネッセンス装置、及び当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配列された、少なくとも３種の異なる色のいずれかに対応する複数の画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、第１の基板と、前記第１の基板上に前記画素に対応して形成された、発光層を含む複数の発光素子と、前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、接着剤を介して前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、前記第２の基板の対向面に前記画素に対応して形成された、前記画素に対応する色の色要素と、前記第２の基板の対向面のうち、互いに隣接する前記画素の間の領域に形成された、前記色要素と、遮光性を有する遮光部材とがこの順に積層されてなる遮光壁とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、第２の基板の対向面には、画素に応じて色要素が形成されているとともに、画素間領域には前記色要素より厚い（すなわち高さの高い）遮光壁が形成されている。この遮光壁は、色要素の上に遮光部材を重ねることによって形成されているため、容易に高く形成することができる。上記構成のエレクトロルミネッセンス装置において、第１の基板上に形成された発光素子から発せられた光は、その大部分が、対向する第２の基板上の色要素のうち、当該発光素子と同一の画素に形成された色要素に入射する。他方で、前記発光素子から隣接する画素の色要素に向かって斜めに射出された光は、前記遮光壁によって遮光される。このため、異なる色に対応する隣接画素間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。このように、上記構成によれば、容易に高く形成することができる遮光壁を有し、当該遮光壁の遮光効果によって混色を防止することが可能なエレクトロルミネッセンス装置が得られる。当該エレクトロルミネッセンス装置は、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【０００９】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁に含まれる前記色要素は、少なくとも２種の色の色要素が積層されてなることが好ましい。このような構成によれば、遮光壁は、２種又は３種以上の異なる色の色要素を重ね、その上にさらに遮光部材を積層することによって形成される。このような遮光壁は、容易に高く形成することができるため、例えば第１の基板と第２の基板の間隔を大きくとったとしても、混色の原因となる斜め方向に射出された光を効果的に遮光し、混色を防止することができる。
【００１０】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁は、前記色要素と前記遮光部材との間に配置された樹脂材料をさらに有することが好ましい。このような構成によれば、遮光壁は、１種、２種又は３種以上の異なる色の色要素を重ね、その上にさらに樹脂材料と遮光部材とをこの順に積層することによって形成される。このような遮光壁は、容易に高く形成することができるため、混色の原因となる斜め方向に射出された光をより効果的に遮光し、混色を防止することができる。
【００１１】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記遮光壁は、対応する色が異なり、かつ互いに隣接する前記画素の間の領域に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、対応する色が互いに異なる隣接画素の間の領域に遮光壁が形成される。これらの互いに隣接する画素の一方から射出され、他方の画素の色要素に入射した光は必ず混色を引き起こすが、前記遮光壁はこのような光を遮光することができるので、混色を防止することができる。ここで、上記構成において、対応する色が同一である隣接画素の間の領域には、遮光壁は必ずしも設けなくてもよい。当該領域に遮光壁を設けない場合は、遮光壁の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００１２】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記少なくとも３種の異なる色は、赤系の色、緑系の色、青系の色の３色であることが好ましい。このような構成のエレクトロルミネッセンス装置によれば、赤系の色、緑系の色、青系の色の発光の組み合わせによるカラー発光、又はカラー表示を行うことができる。また、容易に高く形成することができる遮光壁によって上記３色の相互間の混色が防止されるので、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【００１３】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子は、当該発光素子が形成された前記画素に対応する色と同系の色の光を発し、前記遮光壁は、前記緑系の色に対応する前記画素と、当該画素に隣接する前記赤系の色又は前記青系の色の前記画素との間の領域に形成されていることが好ましい。このような構成のエレクトロルミネッセンス装置において、赤系の色、緑系の色、青系の色に対応する画素に形成された発光素子は、それぞれ赤系の色、緑系の色、青系の色の光を発する。また、緑系の色と赤系の色に対応する隣接画素、及び緑系の色と青系の色に対応する隣接画素の間の領域に遮光壁が形成されている。これらの互いに隣接する画素の一方から射出され、他方の画素の色要素に入射した光は必ず混色を引き起こすが、前記遮光壁はこのような光を遮光することができるので、混色を防止することができる。ここで、上記構成において、赤系の色と青系の色に対応する隣接画素の間の領域には、遮光壁は必ずしも設けなくてもよい。これは、赤系の色の画素において発せられた赤い光は、仮に隣接する青系の色の画素の色要素に入射したとしても当該色要素によって大部分が吸収され、同様に青系の色の画素において発せられた青い光は、仮に隣接する赤系の色の画素の色要素に入射したとしても当該色要素によって大部分が吸収されるためである。赤系の色の画素と青系の色の画素との間の領域に遮光壁を設けない場合は、遮光壁の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする。このような電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置によって、視角特性の良い高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置１を示す概略断面図である。この図に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板１０上に、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されてなる素子基板と、ガラス基板３０上に、赤、緑、青にそれぞれ対応する色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ（以下では色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂをまとめて「色要素３４」とも呼ぶ）、及び色要素３４上に形成された遮光部材３２が積層されてなる封止基板とを接着剤２８を介して貼り合わせたものである。ここで、基板１０が本発明における「第１の基板」に、ガラス基板３０が「第２の基板」に、有機発光層２０が「発光層」に、それぞれ対応する。有機ＥＬ装置１は、有機発光層２０において発光した光を封止基板側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置であり、観察者は、ガラス基板３０の側から表示を観察する。上記のうち、反射膜１２から陰極２４までの構成要素からなる素子が発光素子７０である。発光素子７０は、各画素４０ごとに形成されている。
【００１７】
図２は、画素４０の形状及び配置について説明するための、有機ＥＬ装置１の拡大平面図である。以下では、図２中のＸ軸に平行な方向を行方向、Ｙ軸に平行な方向を列方向とも呼ぶ。この図に示すように、上記遮光部材３２は、Ｘ軸及びＹ軸に平行な直線状の要素から構成された格子状に形成されている。そして、当該遮光部材３２の格子が形作る矩形の領域のそれぞれが画素４０に対応する。すなわち、画素４０は、複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置されている。なお、画素４０と画素４０の間の領域を以下では画素間領域４１とも呼ぶ。上述の遮光部材３２は、画素間領域４１に形成されていることになる。
【００１８】
各々の画素４０は、列方向に長い長方形をしており、行方向に沿って画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒがこの順に連環するように配置されている。ここで、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒは、それぞれ青系の色の発光、緑系の色の発光、赤系の色の発光を行う画素４０である。各々の画素４０には、対応する色の色要素３４、すなわち色要素３４Ｂ，３４Ｇ，３４Ｒが形成されている。画素４０は、同色の画素４０同士が列をなすように配置されている。なお、上述の図１は、有機ＥＬ装置１を、画素４０を含む位置で図２中の行方向に沿って切断したときの断面図である。
【００１９】
図１に示すように、画素間領域４１に配置され、画素４０を区画する遮光部材３２は、色要素３４の上に形成されている。ここで、画素間領域４１における、色要素３４及び遮光部材３２を含む積層構造体を以下では遮光壁３３とも呼ぶ。
【００２０】
以下、図１中の各構成要素について詳述する。基板１０は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するためのデータ線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。反射膜１２は、アルミニウム又は銀からなる。画素電極１６は、反射膜１２上に、反射膜１２との短絡を防止するためのＳｉＮからなる絶縁層１４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。画素電極１６は、各画素４０に一つずつ配置されており、それぞれの画素電極１６は、基板１０に含まれるＴＦＴ素子を介して、データ線（不図示）に接続されている。陰極２４は、マグネシウムと銀の合金をハーフミラー状態に形成したものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００２１】
画素電極１６と陰極２４との間には、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２がこの順に積層されている。有機発光層２０は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極１６と陰極２４との間に電圧を印加することによって、有機発光層２０には、正孔輸送層１８から正孔が、また、電子輸送層２２から電子が注入され、有機発光層２０においてこれらが再結合したときに発光が行われる。有機発光層２０からの光は、一部は直接陰極２４を透過し、一部は反射膜１２によって反射されてから陰極２４を透過する。いずれにせよ、有機発光層２０からの光は、陰極２４を透過し、その後薄膜封止層２６、接着剤２８、色要素３４、ガラス基板３０を順に透過する。
【００２２】
ここで、反射膜１２及び陰極２４は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層２０において発せられた光は、反射膜１２と陰極２４との間を往復し、共振波長の光だけが増幅されて封止基板側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００２３】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１においては、画素電極１６の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒにおいてこの順に画素電極１６を厚くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、画素４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒにおける画素電極１６の厚さはそれぞれ２０ｎｍ，５０ｎｍ，９０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、画素４０Ｂにおいては青色、画素４０Ｇにおいては緑色、画素４０Ｒにおいては赤色に相当する波長に設定される。この結果、陰極２４からは、共振波長に応じて青、緑、または赤の光が選択的に射出される。
【００２４】
陰極２４を覆って形成された薄膜封止層２６は、ＳｉＯＮからなる透光性を有する部材であり、有機ＥＬ素子７０を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極２４の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００２５】
ガラス基板３０上に形成された色要素３４は、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する部材である。色要素３４は、例えば、色要素材料としての顔料を含む感光性樹脂を塗布して露光現像することにより形成される。色要素３４を配置することによって、有機ＥＬ装置１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。色要素３４は、エポキシ樹脂からなる接着剤２８を介して薄膜封止層２６と対向している。
【００２６】
色要素３４に重ねて配置された遮光部材３２は、光をほとんど透過させない黒色の樹脂であり、上述したように遮光壁３３の一部を構成する。遮光部材３２は、その材料となる樹脂を色要素３４上に塗布した後に露光現像し、図２に示すような格子状にパターニングすることによって形成される。遮光壁３３は、このように色要素３４の上に遮光部材３２を重ねることによって形成されているため、容易に高く形成することができる。以下では、遮光部材３２の幅（すなわち遮光壁３３の幅）をＷとし、遮光部材３２の、色要素３４の表面からの高さをＴとする。また、色要素３４から陰極２４までの距離をＬとする。
【００２７】
ここで、発光素子７０から射出される光の振る舞いと、遮光壁３３の作用及び効果について説明する。
【００２８】
発光素子７０から射出された光は、様々な角度をもって封止基板に入射する。以下では、図１に示すように、発光素子７０からの光の射出角をθとする。この光の光路である接着剤２８、色要素３４、ガラス基板３０の屈折率は概ね１．５１であるので、射出角θが４２°より大きな光はガラス基板３０と空気層との界面で全反射され、観察者からは視認されない。よって、こうした光は仮に隣接画素４０の異なる色の色要素に入射して混色を起こしたとしても、表示には影響を与えない。逆に、射出角が４２°以下の光はガラス基板３０から空気層に取り出されるので、観察者に視認され得る。こうした光が隣接画素４０の異なる色の色要素に入射すると、混色を起こした状態で空気層に射出されるので、表示品位の低下を招く。
【００２９】
遮光壁３３は、ある画素４０の発光素子７０からθ≦４２°を満たして射出した光のうち、隣接する画素４０の色要素３４に入射しようとする光を遮光する。そのために、遮光部材３２は、その高さＴが下記式（１）を満たすように形成されている。
ｔａｎ４２°≦Ｗ／（Ｌ−Ｔ） …（１）
なお、従来の一般的な構成、すなわち画素間領域４１に色要素３４と等しい高さの遮光部材３２を配置する構成の有機ＥＬ装置においては、混色を防止するためには下記式（２）が要求されていた。
ｔａｎ４２°≦Ｗ／Ｌ …（２）
これと上記式（１）を比較すれば、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、混色を起こさずに、長さＬ（ひいては、素子基板と封止基板との間隔）を遮光部材３２の高さＴの分だけ大きくとることが可能であることが分かる。具体的には、Ｗ＝２０μｍとした場合、従来の構成では長さＬが２２μｍを越えると混色が起こる一方で、本実施形態においては、例えばＴ＝３μｍとすれば、長さＬを２５μｍにまで大きくすることができる。このように長さＬを大きくとることができれば、基板間隔を大きくすることができ、基板間に大きな異物が混入した場合でも当該異物が発光素子７０に影響を与えないようにすることができる。
【００３０】
以上のように、遮光壁３３は、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。このように、有機ＥＬ装置１は、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
続いて、図３の断面図を用いて第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ａについて説明する。有機ＥＬ装置１Ａは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００３２】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１Ａにおける遮光壁３３は、２種の異なる色の色要素３４と、その上に積層された遮光部材３２とからなる。この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上の画素４０Ｒに対応する領域及び画素４０Ｒに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｒを形成する。次に、画素４０Ｇに対応する領域及び画素４０Ｇに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｇを形成する。このとき、画素４０Ｒと画素４０Ｇとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｇとが積層される。続いて、画素４０Ｂに対応する領域及び画素４０Ｂに隣接する画素間領域４１に、色要素３４Ｂを形成する。このとき、画素４０Ｒと画素４０Ｂとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｂとが積層され、画素４０Ｇと画素４０Ｂとの間の画素間領域４１においては、色要素３４Ｇと色要素３４Ｂとが積層される。最後に、画素間領域４１に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００３３】
遮光壁３３は、このように色要素３４を２層に重ねた上に遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、色要素３４が１層である場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００３４】
有機ＥＬ装置１Ａにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔を大きくとることができる。
【００３５】
（第３の実施形態）
続いて、図４の断面図を用いて第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｂは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００３６】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１Ｂにおける遮光壁３３は、３種の異なる色の色要素３４と、その上に積層された遮光部材３２とからなる。この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上の画素４０Ｒに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｒを形成する。次に、画素４０Ｇに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｇを形成する。このとき、各画素間領域４１においては、色要素３４Ｒと色要素３４Ｇとが積層される。続いて、画素４０Ｂに対応する領域及びすべての画素間領域４１に、色要素３４Ｂを形成する。このとき、各画素間領域４１においては、色要素３４Ｒ、色要素３４Ｇに重ねて色要素３４Ｂが積層される。最後に、すべての画素間領域４１に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００３７】
遮光壁３３は、このように色要素３４を３層に重ねた上に遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、色要素３４が１層又は２層である場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００３８】
有機ＥＬ装置１Ｂにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００３９】
（第４の実施形態）
続いて、図５の断面図を用いて第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｃについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｃは、遮光壁３３の構成を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４０】
図５に示すように、有機ＥＬ装置１Ｃにおける遮光壁３３は、色要素３４に重ねて樹脂材料３１及び遮光部材３２がこの順に積層された構成となっている。ここで、樹脂材料３１は、遮光壁３３をより高く形成するための部材であるので、その特性は特に問わない。遮光壁３３の遮光性は遮光部材３２によって担保されるので、樹脂材料３１は透光性を有していてもよい。このため、一般にオーバーコートとして用いられる透明樹脂を用いることができる。もちろん、樹脂材料３１は、遮光部材３２と同様に遮光性を備えていてもよいし、あるいは色要素３４と同様に透過光を着色させるものであってもよい。
【００４１】
この遮光壁３３は、以下のような製造方法によって製造される。すなわち、まずガラス基板３０上に、第１の実施形態と同様に３色の色要素３４を形成する。次に、画素間領域４１に、色要素３４に重ねて樹脂材料３１を形成する。この工程は、例えばスピンコート法及びフォトリソグラフィー法によって行うことができる。最後に、樹脂材料３１の上に遮光部材３２を積層して遮光壁３３が完成する。
【００４２】
遮光壁３３は、このように色要素３４上に樹脂材料３１及び遮光部材３２をさらに積層することによって形成されているため、１層の色要素３４及び遮光部材３２から構成される場合に比べて高く形成することができる。また、遮光壁３３の各構成要素の厚さ（高さ）は第１の実施形態と同様であるので、容易に高く形成することができる。
【００４３】
有機ＥＬ装置１Ｃにおいても、こうした遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００４４】
なお、上記は、１層の色要素３４の上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成であるが、これに代えて、第２の実施形態のように２層の色要素３４を形成し、その上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成、あるいは第３の実施形態のように３層の色要素３４を形成し、その上に樹脂材料３１及び遮光部材３２を積層する構成とすることもできる。こうした構成によれば、遮光壁３３をさらに高く形成することができる。
【００４５】
（第５の実施形態）
続いて、図６の断面図を用いて第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｄについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｄは、樹脂材料３１の形成領域を除けば上記第４の実施形態の有機ＥＬ装置１Ｃと同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４６】
図６に示すように、有機ＥＬ装置１Ｄの遮光壁３３は、色要素３４に重ねて樹脂材料３１及び遮光部材３２が積層された構成となっている。ここで、樹脂材料３１は、遮光壁３３の一部としてだけでなく、色要素３４の全体を覆って形成されており、色要素３４を保護するとともに、平坦性を向上させる役割も果たしている。本実施形態の樹脂材料３１には、透光性を有する部材が用いられる。
【００４７】
有機ＥＬ装置１Ｄにおいても、遮光壁３３によって、発光素子７０から隣接する画素４０の色要素３４に向かって斜めに射出された光のうち、空気層に取り出される可能性のある光を遮光することができる。このため、異なる色に対応する隣接画素４０の間での混色が起きにくく、広角から観察しても色相が変化しにくい。また、遮光壁３３を高く形成することができるため、上記の遮光機能を保ったまま、基板間隔をさらに大きくとることができる。
【００４８】
（第６の実施形態）
続いて、図７の平面図を用いて第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｅについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｅは、遮光部材３２の形成領域を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４９】
図７に示すように、有機ＥＬ装置１Ｅにおいては、遮光部材３２、及び遮光部材３２を構成要素とする遮光壁３３は、外周部分を除くと列方向にのみ形成され、行方向には形成されていない。換言すれば、互いに対応する色の異なる画素４０の間の領域にのみ遮光部材３２（遮光壁３３）が形成されている。なお、有機ＥＬ装置１Ｅを、画素４０を含む位置で図７中の行方向に沿って切断したときの断面図は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同様であり、図１に相当する。
【００５０】
こうした構成においても、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮し、有機ＥＬ装置１Ｅは、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。これは、混色が起こるのは互いに対応する色の異なる隣接する画素４０の間に限られるところ、こうした隣接する画素４０の間には混色を防止する遮光壁３３が形成されているからである。このように、遮光壁３３を部分的に形成する構成とすれば、遮光壁３３の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁３３の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００５１】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において遮光部材３２の形成領域を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第５の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄについて行うこともできる。
【００５２】
（第７の実施形態）
続いて、図８及び図９を用いて第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｆについて説明する。図８は、有機ＥＬ装置１Ｆの拡大平面図、図９は、有機ＥＬ装置１Ｆを、画素４０を含む位置で図８中の行方向に沿って切断したときの断面図である。有機ＥＬ装置１Ｆは、遮光部材３２の形成領域を除けば上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００５３】
図８及び図９に示すように、有機ＥＬ装置１Ｆにおいては、遮光部材３２、及び遮光部材３２を構成要素とする遮光壁３３は、外周部分を除くと列方向にのみ形成され、かつ、画素４０Ｇに隣接する画素間領域４１に限って形成されている。すなわち、画素４０Ｒと画素４０Ｂの画素間領域４１や、行方向に平行な画素間領域４１には形成されていない。
【００５４】
画素４０Ｒと画素４０Ｂの画素間領域４１に遮光壁３３が不要な理由は以下の通りである。すなわち、画素４０Ｒから発せられた赤色の光は、仮に隣接する画素４０Ｂの色要素３４Ｂに入射したとしても、当該色要素３４Ｂが赤色の光をほとんど透過しないことにより、ここで大部分が吸収される。同様に、画素４０Ｂから発せられた青色の光は、仮に隣接する画素４０Ｒの色要素３４Ｒに入射したとしても、当該色要素３４Ｒが青色の光をほとんど透過しないことにより、ここで大部分が吸収される。このように、画素４０Ｒと画素４０Ｂとの間では、一方の画素４０Ｒ（４０Ｂ）から他方の画素４０Ｂ（４０Ｒ）に入射した光は色要素３４Ｒ又は色要素３４Ｂによって吸収されるため、この画素間領域４１に遮光壁３３がない場合でも混色はほとんど起こらない。
【００５５】
したがって、上記の構成においても、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮し、有機ＥＬ装置１Ｆは、視角特性の良い高品位な発光を行うことができる。このように、遮光壁３３を部分的に形成する構成とすれば、遮光壁３３の材料の使用量を削減することができるとともに、遮光壁３３の形成工程を短縮あるいは簡素化することができる。
【００５６】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において遮光部材３２の形成領域を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第５の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄについて行うこともできる。
【００５７】
また、本実施形態は、発光素子７０から赤、緑、青のいずれかの色の光が射出される構成の有機ＥＬ装置に好適に用いることができる。このため、光共振器を利用した発光素子７０に代えて、例えば、赤、緑、青のそれぞれの光を発することができる有機発光層２０を含む発光素子７０を備えた有機ＥＬ装置にも適用することができる。
【００５８】
（第８の実施形態）
続いて、図１０の断面図を用いて第８の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｇについて説明する。有機ＥＬ装置１Ｇは、封止基板については上記第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じであるので、以下では素子基板の構成の相違点を中心に説明する。
【００５９】
図１０に示すように、有機ＥＬ装置１Ｇの素子基板は、基板１０上に、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されてなる。ここで、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１との構成の違いは、画素電極１６の厚さがすべての画素４０において均一である点、及び陰極２４が透明なＩＴＯからなる点である。このため、発光素子７０は、光共振器が内包されたものではなく、単に有機発光層２０で発光した光を陰極２４側から取り出す構成となっている。すなわち、各発光素子７０は、同じ色相の光を発する。
【００６０】
こうした構成の有機ＥＬ装置１Ｇにおいても、ある画素４０で発光した光が斜めに進行して隣接する画素４０の色要素３４に入射すると、本来意図した画素４０とは異なる画素４０において、意図しない色の発光が行われることとなり、表示品位の低下を招く。遮光壁３３は、上記斜めに進行する光を遮光し、こうした現象を防止することができる。
【００６１】
なお、上記は第１の実施形態の有機ＥＬ装置１において素子基板の構成を変更したものであるが、同様の変更は、第２の実施形態から第６の実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅについて行うこともできる。
【００６２】
（電子機器への搭載例）
上述した有機ＥＬ装置１（有機ＥＬ装置１Ａから１Ｇを含む）は、例えば、図１１に示すような「電子機器」としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５１０及び操作ボタン５２０を有している。表示部５１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン５２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、視角特性の良い、高品位な表示を行うことができる。
【００６３】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機５００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００６５】
（変形例１）
上記第１から第７までの各実施形態において、発光素子７０は、光共振器を用いて赤、緑、青の各色の光を発するものであるが、これに代えて、赤、緑、青の各色を発する有機発光層２０を用いた構成としてもよい。こうした構成の発光素子７０と組み合わせた場合でも、遮光壁３３は混色を防止する効果を発揮する。
【００６６】
（変形例２）
上記各実施形態において、画素４０及び色要素３４は、赤、緑、青の３色に対応する構成であるが、これに代えて、４色以上の色に対応する構成としてもよい。例えば、赤、青、の２色に、青から黄までの色相の中で選択された２種の色を加えた４色に対応する構成とすることができる。後者の２色は、例えば緑及びシアンとすることができる。
【００６７】
（変形例３）
上記各実施形態において、発光素子７０に含まれる正孔輸送層１８、電子輸送層２２は、必要に応じて配置すればよく、必ずしも形成しなくてもよい。また、薄膜封止層２６も、接着剤２８が同様の機能を兼ねる場合は省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大平面図。
【図３】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図４】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図５】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図６】第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図７】第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図８】第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大平面図。
【図９】第７の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図１０】第８の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図１１】本発明の電子機器の実施形態に係る携帯電話機の模式斜視図。
【符号の説明】
【００６９】
１，１Ａ〜１Ｇ…有機ＥＬ装置、１０…「第１の基板」としての基板、１２…反射膜、１４…絶縁層、１６…画素電極、１８…正孔輸送層、２０…有機発光層、２２…電子輸送層、２４…陰極、２６…薄膜封止層、２８…接着剤、３０…「第２の基板」としてのガラス基板、３１…樹脂材料、３２…遮光部材、３３…遮光壁、３４，３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…色要素、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…画素、７０…発光素子、５００…携帯電話機。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配列された、少なくとも３種の異なる色のいずれかに対応する複数の画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に前記画素に対応して形成された、発光層を含む複数の発光素子と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、接着剤を介して前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、
前記第２の基板の対向面に前記画素に対応して形成された、前記画素に対応する色の色要素と、
前記第２の基板の対向面のうち、互いに隣接する前記画素の間の領域に形成された、前記色要素と、遮光性を有する遮光部材とがこの順に積層されてなる遮光壁と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁に含まれる前記色要素は、少なくとも２種の色の色要素が積層されてなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁は、前記色要素と前記遮光部材との間に配置された樹脂材料をさらに有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁は、対応する色が異なり、かつ互いに隣接する前記画素の間の領域に形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記少なくとも３種の異なる色は、赤系の色、緑系の色、青系の色の３色であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子は、当該発光素子が形成された前記画素に対応する色と同系の色の光を発し、
前記遮光壁は、前記緑系の色に対応する前記画素と、当該画素に隣接する前記赤系の色又は前記青系の色の前記画素との間の領域に形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配列された、少なくとも３種の異なる色のいずれかに対応する複数の画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に前記画素に対応して形成された、発光層を含む複数の発光素子と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、接着剤を介して前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、
前記第２の基板の対向面に前記画素に対応して形成された、前記画素に対応する色の色要素と、
前記第２の基板の対向面のうち、互いに隣接する前記画素の間の領域に形成された、前記色要素と、遮光性を有する遮光部材とがこの順に積層されてなる遮光壁と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁に含まれる前記色要素は、少なくとも２種の色の色要素が積層されてなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁は、前記色要素と前記遮光部材との間に配置された樹脂材料をさらに有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記遮光壁は、対応する色が異なり、かつ互いに隣接する前記画素の間の領域に形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記少なくとも３種の異なる色は、赤系の色、緑系の色、青系の色の３色であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子は、当該発光素子が形成された前記画素に対応する色と同系の色の光を発し、
前記遮光壁は、前記緑系の色に対応する前記画素と、当該画素に隣接する前記赤系の色又は前記青系の色の前記画素との間の領域に形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２２０３９５（Ｐ２００７−２２０３９５Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３７５８１（Ｐ２００６−３７５８１）
【出願日】平成１８年２月１５日（２００６．２．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月１５日（２００６．２．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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