エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
【課題】広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することが可能なエレクトロルミネッセンス装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０上に画素４０ごとに形成された、有機発光層２０を含む発光素子７０と、基板１０に貼り合わされた基板３０とを有する。基板３０は、対向面に、画素４０Ｇの中央部に配置された色要素３４ｇ、及び画素４０Ｇのうち当該画素４０Ｇの外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された色要素３４Ｇを有するカラーフィルタを備えている。ここで、色要素３４ｇの透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率は色要素３４ｇの透過率より低くなっている。画素４０Ｒ，４０Ｂについても同様である。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０上に画素４０ごとに形成された、有機発光層２０を含む発光素子７０と、基板１０に貼り合わされた基板３０とを有する。基板３０は、対向面に、画素４０Ｇの中央部に配置された色要素３４ｇ、及び画素４０Ｇのうち当該画素４０Ｇの外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された色要素３４Ｇを有するカラーフィルタを備えている。ここで、色要素３４ｇの透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率は色要素３４ｇの透過率より低くなっている。画素４０Ｒ，４０Ｂについても同様である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス装置（以下、ＥＬ装置とも呼ぶ）の一つの態様として、トップエミッション型と呼ばれる構成が知られている（特許文献１参照）。図１１は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の例を示す断面図である。この有機ＥＬ装置は、接着剤２８によって互いに対向して貼り合わされた基板１０、基板３０を有している。基板１０上には、反射膜１２、絶縁層１４、画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層され、基板３０上には、赤、緑、青の色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂが、遮光層３２に区画されて形成されている。有機発光層２０からの光は、一部は直接基板３０を透過して射出され、また一部は反射膜１２によって反射されて基板３０を透過して射出される。色要素３４は、射出光の色純度を向上させる役割を果たす。
【０００３】
ここで、陰極２４はハーフミラーであり、反射膜１２及び陰極２４は、光共振器を構成している。この光共振器により、特定の波長域の光を高効率で取り出すことができ、有機ＥＬ装置の発光スペクトルの幅を狭めることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３０２７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記光共振器から斜めに射出される光（以下、広角光と呼ぶ）は、正面に射出される光（以下、正面光と呼ぶ）よりも光共振器内の光路長が長いため、発光スペクトルが正面光より短波長側にシフトしてしまうという問題点がある。例えば、ある緑の発光素子の正面における発光スペクトルが図１２の曲線５８である場合に、当該発光素子から５０度の射出角で射出された広角光の発光スペクトルは同図の曲線５９のように短波長側にシフトする。このとき、正面光の色度は図１３のプロット６７であるのに対し、広角光の色度は、同図のプロット６８のようにシフトしてしまう。このように、トップエミッション型の有機ＥＬ装置においては、広角光の、正面光に対する色相のずれが生じやすいという問題点がある。なお、ハーフミラーを用いた光共振器を積極的に設けない構成であっても、トップエミッション型の有機ＥＬ装置では、発光層を挟むいずれかの２層間で光共振器が構成されるため、上記問題点が生じる。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の奏する効果の一つにより、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、有色発光を行う画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、第１の基板と、前記第１の基板上に前記画素ごとに形成された、発光層を含む発光素子と、前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、前記第２の基板の対向面に形成され、前記画素の中央部に配置された第１の色要素、及び前記画素のうち当該画素の外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された第２の色要素を有するカラーフィルタと、を備え、前記第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低いことを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、正面光と広角光との間で、カラーフィルタのうち第２の色要素を透過する割合を変えることができる。より詳しくは、広角光は、正面光と比較して、画素の外周に沿う領域に配置された第２の色要素を透過する割合が高くなる。ここで、第２の色要素の透過率は、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第１の色要素の透過率より低い。このため、広角光のうちスペクトルが短波長側にシフトした波長成分は、第２の色要素によって一定量吸収される。この結果、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。上記構成において「透過スペクトル」とは、可視光域についての透過スペクトルを指す。また、「前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低い」との事項については、必ずしも上記波長域のすべての波長に対して満たされていなくともよく、上記波長域における第２の色要素の透過スペクトルの、波長についての積分値が、第１の色要素の同積分値より小さい構成となっていれば足りる。
【０００９】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記画素は長方形又は長円形であり、前記第２の色要素は、前記画素のうち、当該画素の外周の長辺に沿う領域に少なくとも配置されていることが好ましい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光について、第２の色要素を透過する割合を高めることができる。このため、観察方向を画素の短軸の延在方向に傾けた場合の色相のずれを抑制することができ、エレクトロルミネッセンス装置の視角特性を向上させることが可能となる。上記構成において「長円形」とは、２つの向かい合う半円を２つの長辺で繋いだトラック状の図形をいう。
【００１０】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子の発光領域は、前記画素の短軸方向の幅が、前記画素の短軸より短い構成であることが好ましい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光のうち、射出角が小さい広角光についても、第２の色要素を透過する割合を高くすることができる。
【００１１】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記発光素子の発光領域と、前記第１の色要素とは、前記画素の短軸方向の幅が等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が前記第１の基板の法線方向から見て重なっていてもよい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光のうち、正面光以外のすべての広角光について、第２の色要素を透過する割合を、正面光より高くすることができる。これにより、正面光以外のすべての広角光について、色相のずれを抑制する効果を得ることができる。
【００１２】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記第２の色要素の色純度は、前記第１の色要素の色純度より高い構成であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素の透過率は、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第１の色要素の透過率より低くなる。このため、広角光のうちスペクトルが短波長側にシフトした波長成分を、第２の色要素によって一定量吸収することができ、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することが可能となる。
【００１３】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記第２の色要素は、その透過スペクトルにおいて最大の透過率を与える波長が前記第１の色要素より大きい構成であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素は、第１の色要素と比較して、長波長側においてより透過率が高い透過スペクトルを有することとなる。これにより、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第２の色要素の透過率を第１の色要素の透過率より容易に低くすることができる。
【００１４】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記第１の色要素と前記第２の色要素とは、同一の材料からなり、前記第２の色要素の厚さは、前記第１の色要素の厚さより大きい構成であってもよい。また、前記第１の色要素は透明であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素の透過スペクトルは、第１の色要素の透過スペクトルに対し、可視光領域の全体にわたって透過率が低くなる。これにより、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第２の色要素の透過率を第１の色要素の透過率より容易に低くすることができる。
【００１５】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子は、前記第１の基板と前記発光層との間に形成された反射膜と、前記発光層を挟んで前記反射膜の反対側に形成された半透過反射膜とを有し、前記反射膜と前記半透過反射膜との間で、前記発光層からの光を共振させる光共振器構造を有していてもよい。このような光共振器からの広角光の発光スペクトルは、正面光に対して短波長側にシフトする。また、当該広角光は、正面光と比較して第２の色要素を透過する割合が高くなる。ここで、広角光のうち短波長側にシフトした波長成分は、第２の色要素によって一定量吸収される。このため、上記構成によれば、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を表示部に備えることを特徴とする。このような構成によれば、視角による色相のずれの少ない、高品位な表示が可能な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置１を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬ装置１は、透明な接着剤２８を介して互いに対向して貼り合わされた、第１の基板としての基板１０と、第２の基板としての基板３０を有している。このうち、基板３０は透光性を有しており、例えばガラスからなる。基板１０と基板３０とは、基板１０の外縁部に配置された枠状のシール剤５２によっても固着されている。シール剤５２には、球状のギャップ材５４が含まれている。ギャップ材５４は、基板１０と基板３０とを支持しており、これらの基板間隔を一定に保つ役割を果たす。
【００１９】
基板１０のうち基板３０に対向する面（対向面）には、画素電極１６を含む薄膜層５０が形成されている。基板３０のうち基板１０に対向する面（対向面）には、カラーフィルタが形成されている。カラーフィルタは、遮光層３２と、当該遮光層３２によって区画された領域に配置された色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｇ，３４Ｇ，３４ｂ，３４Ｂ（以下、まとめて色要素３４とも呼ぶ）とを含んでいる。色要素３４は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収することによって透過光を所定の色（例えば赤、緑、青等）とすることが可能な物質である。色要素３４ｒ，３４Ｒは赤色系の光を透過し、色要素３４ｇ，３４Ｇは緑色系の光を透過し、色要素３４ｂ，３４Ｂは青色系の光を透過する。色要素３４は、例えば、色要素材料としての顔料を含む感光性樹脂を塗布して露光現像することにより形成される。ここで、顔料に代えて染料を用いてもよい。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、遮光層３２は格子状に配置されており、この格子によって枠取られた長方形の領域が、画素４０に相当する。画素４０は、赤、緑、青の発光をそれぞれ行う画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの３種類からなる。画素４０は、マトリクス状に配置されており、行方向には画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂがこの順に繰り返し配列され、列方向には同一の色に対応する画素４０がストライプ状に配列されている。
【００２１】
上記した色要素３４ｒは、画素４０Ｒの中央部の長方形の領域に配置されている。一方、色要素３４Ｒは、画素４０Ｒのうち、画素４０Ｒの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。換言すれば、画素４０Ｒのうち、色要素３４ｒが配置されていない領域に排他的に配置されている。同様に、色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。また、色要素３４ｂは、画素４０Ｂの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｂは、画素４０Ｂのうち、画素４０Ｂの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂは、本発明における第１の色要素に対応し、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、本発明における第２の色要素に対応する。
【００２２】
図４は、色要素３４ｇ及び色要素３４Ｇの透過スペクトルを示す図である。この図において、符号６１を付した曲線は色要素３４Ｇの透過スペクトルを示し、符号６２を付した曲線は色要素３４ｇの透過スペクトルを示す。このように、色要素３４ｇと色要素３４Ｇとは、透過スペクトルが互いに異なっている。
【００２３】
具体的には、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２より色純度が高いものとなっている。ここで、色純度とは、単色光と特定の白色光とを加法混色して試料の色と等しくなったときの単色光の刺激と、この特定の白色光の刺激との比をいう。したがって、透過スペクトルが単色光に近いほど色純度が高いと言え、簡易的には透過スペクトルの半値幅が小さいほど色純度が高いとも言える。図４から明らかなように、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１の半値幅は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２の半値幅より狭く、色純度が高くなっている。
【００２４】
加えて、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２と比較して、最大の透過率を与える波長（以下では主透過波長とも呼ぶ）が大きくなっている（長波長側にシフトしている）。
【００２５】
以上から、色要素３４Ｇは、色要素３４ｇの主透過波長を長波長側にシフトさせるとともに、色純度を向上させたものであると言える。この結果、色要素３４ｇの透過スペクトル６２のうち最大の透過率を与える波長（図４では約５００ｎｍ）より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率（透過スペクトル６１参照）は、色要素３４ｇの透過率（透過スペクトル６２参照）より低くなっている。色要素３４ｒと色要素３４Ｒの関係、及び色要素３４ｂと色要素３４Ｂの関係も、上記の色要素３４ｇと色要素３４Ｇの関係と同様となるように構成されている。
【００２６】
図１に戻り、画素電極１６の形成領域について説明する。画素電極１６は、画素４０ごとに形成されており、その形成領域は、図１（ａ）において破線で表されている。具体的には、画素電極１６の形成領域は、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂの形成領域全体を内包するとともに、画素４０に内包される大きさの長方形である。画素電極１６は、基板１０上に形成された薄膜層５０に含まれる構成要素である。以下では、薄膜層５０の構成要素について詳述する。
【００２７】
図２は、図１（ｂ）の断面図を拡大した図である。この図において、反射膜１２から薄膜封止層２６までの層が、薄膜層５０に相当する。
【００２８】
基板１０上には、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されており、これらの要素により、素子基板が構成されている。また、基板３０上には、上記したように遮光層３２及び色要素３４を含むカラーフィルタが形成されており、これらの要素により封止基板が構成されている。上記素子基板と上記封止基板とは、接着剤２８を介して貼り合わされている。上記において、有機発光層２０は、本発明における発光層に対応する。有機ＥＬ装置１は、有機発光層２０において発光した光を基板３０側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置であり、観察者は、基板３０の側から表示を観察する。上記のうち、画素４０ごとに形成された、反射膜１２から陰極２４までの構成要素からなる素子が、発光素子７０に相当する。
【００２９】
上記のうち、基板１０は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するためのデータ線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。反射膜１２は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。画素電極１６は、反射膜１２上に、反射膜１２との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層１４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。画素電極１６は、各画素４０に一つずつ配置されており、それぞれの画素電極１６は、基板１０に含まれるＴＦＴ素子を介して、データ線（不図示）に接続されている。陰極２４は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００３０】
画素電極１６と陰極２４との間には、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２がこの順に積層されている。有機発光層２０は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極１６と陰極２４との間に電圧を印加することによって、有機発光層２０には、正孔輸送層１８から正孔が、また、電子輸送層２２から電子が注入され、有機発光層２０においてこれらが再結合したときに発光が行われる。有機発光層２０からの光は、一部は直接陰極２４を透過し、一部は反射膜１２によって反射されてから陰極２４を透過する。いずれにせよ、有機発光層２０からの光は、陰極２４を透過し、その後薄膜封止層２６、接着剤２８、色要素３４、基板３０を順に透過する。
【００３１】
ここで、反射膜１２及び陰極２４は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層２０において発せられた光は、反射膜１２と陰極２４との間を往復し、共振波長の光だけが基板３０側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００３２】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１においては、画素電極１６の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂにおいてこの順に画素電極１６を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂにおける画素電極１６の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、画素４０Ｒにおいては赤色、画素４０Ｇにおいては緑色、画素４０Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極２４からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００３３】
陰極２４を覆って形成された薄膜封止層２６は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子７０を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極２４の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００３４】
基板３０上に形成された色要素３４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する部材である。色要素３４を配置することによって、有機ＥＬ装置１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。色要素３４は、エポキシ樹脂からなる接着剤２８を介して薄膜封止層２６と対向している。
【００３５】
色要素３４を区画する遮光層３２は、上述したようにカラーフィルタの一部を構成する。遮光層３２は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各画素４０間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層３２は、色要素３４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００３６】
続いて、図３を用いて、有機ＥＬ装置１の視角特性について説明する。図３は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面のうち、緑に対応する画素４０Ｇを拡大して示す断面図である。この図においては、基板１０上に形成された要素のうち、画素電極１６、有機発光層２０、陰極２４を除く構成要素は省略されている。
【００３７】
この図において、画素４０Ｇの幅（すなわち短軸方向の幅）は、８０μｍである。このうち、色要素３４ｇが占める部分の幅Ｌ１は３２μｍであり、色要素３４Ｇが占める幅Ｌ２は左右それぞれ２４μｍである。また、色要素３４の表面から、発光素子７０の発光面までの距離Ｄは、４３μｍである。一方、画素電極１６の幅Ｗは４０μｍである。ここで、発光素子７０の発光領域の幅は、画素電極１６の幅によって規定されるため、発光素子７０の発光領域の幅も４０μｍとなる。以上から分かるように、発光素子７０の発光領域のうち画素４０Ｇの短軸の延在方向についての幅は、画素４０の短軸方向の幅より小さくなっている。
【００３８】
このような構成によれば、発光素子７０から射出された正面光（図３中の一点鎖線）は、８０％が色要素３４ｇを透過し、２０％が色要素３４Ｇを透過する。ここで、画素４０Ｇの発光素子７０から正面に射出する光の発光スペクトルは、図１２の曲線５８に示されている。そして、色要素３４ｇ，３４Ｇを透過した後の光は、曲線５８と、透過する色要素３４ｇ，３４Ｇの透過スペクトルとの積によって得られるスペクトルを有することとなる。具体的には、上記曲線５８で示された発光スペクトルと、図４の透過スペクトル６２との積、及び透過スペクトル６１との積について、８：２の重み付けがなされて足し合わされたスペクトルを有する光が取り出される。
【００３９】
一方、図３において、発光素子７０からの光の射出方向が正面からずれ、射出角が所定値より大きくなると、射出光は、色要素３４ｇの一部を透過しなくなるとともに、色要素３４Ｇを透過する成分が増加していく。ここで、射出角の上記所定値とは、射出光が図３中の片側の色要素３４Ｇに入射しなくなる最小の角度である。射出角がさらに大きくなり、５０度に達すると、このような広角光（図３中の二点鎖線）では、色要素３４ｇを透過する成分は３０％にとどまり、残る７０％が色要素３４Ｇを透過するようになる。
【００４０】
画素４０Ｇの発光素子７０から５０度の広角で射出する光の発光スペクトルは、図１２の曲線５９に示されている。そして、色要素３４ｇ，３４Ｇを透過した後の光は、上記曲線５９で示された発光スペクトルと、図４の透過スペクトル６２との積、及び透過スペクトル６１との積について、３：７の重み付けがなされて足し合わされたスペクトルを有する。ここで、図１２から明らかなように、広角光の発光スペクトル（曲線５９）は、正面光の発光スペクトル（曲線５８）から短波長側にシフトしている。しかしながら、その光の多くの部分は、短波長側の透過率の小さい透過スペクトル６１を有する色要素３４Ｇを透過するため、上記のように短波長側にシフトした成分が一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置の視角特性を向上させることができる。
【００４１】
図５は、緑に対応する画素４０Ｇから取り出される光の色度を示す図であり、プロット６５は有機ＥＬ装置１から外部に取り出される正面光の色度、プロット６６は有機ＥＬ装置１から外部に取り出される５０度の広角光の色度、プロット６８は図１３に示した従来の構成の有機ＥＬ装置から取り出される５０度の広角光の色度を示している。この図から分かるように、色要素３４ｇ，３４Ｇの配置、及び画素電極１６の配置に工夫を加えた本実施形態の有機ＥＬ装置１は、正面光に対する広角光の色相のずれが従来と比較して小さく抑えられている。
【００４２】
以上は、緑に対応する画素４０Ｇを例に説明したが、赤、青に対応する画素４０Ｒ，４０Ｂにおいても同様の作用によって広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００４３】
（第２の実施形態）
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、基板１０上の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の各図においては第１の実施形態と同じ要素には同じ符号を付して示すことにして、重複する説明は省略する。
【００４４】
図６は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ａの断面図であり、第１の実施形態における図１（ｂ）に相当する図である。有機ＥＬ装置１Ａは、基板１０上の画素電極１６が形成されていない領域に配置された、樹脂等からなるバンク５５を有している。換言すれば、画素電極１６は、基板１０とバンク５５とが形作る凹部に形成されている。また、薄膜層５０のうち、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２も上記凹部に形成されている。したがって、発光素子７０はバンク５５に囲まれた領域に形成されることとなり、当該領域が発光素子７０の発光領域となる。
【００４５】
そして、バンク５５と遮光層３２との間には、ギャップ材５６が配置されている。ギャップ材５６は、ギャップ材５４より直径の小さい樹脂等からなり、ギャップ材５４と同様に、基板１０と基板３０とを支持してこれらの基板間の距離を一定に保つ役割を果たす。ギャップ材５６のこのような効果により、図３における距離Ｄがすべての画素４０にわたって略一定となる。このとき、すべての画素４０において、ある角度で射出された広角光の、色要素３４ｇを透過する成分と色要素３４Ｇを透過する成分との比率が略等しくなる。このことは、色要素３４ｒと色要素３４Ｒ、及び色要素３４ｂと色要素３４Ｂについても同様である。このため、場所による視角特性のムラを生じにくくすることができる。
【００４６】
（第３の実施形態）
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、基板３０上に形成されたカラーフィルタの構成に変更を加えたものであり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００４７】
図７は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂの拡大断面図であり、第１の実施形態における図１（ｂ）に相当する図である。有機ＥＬ装置１Ｂにおいては、カラーフィルタは、遮光層３２と、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂと、透光性を有するオーバーコート３６とから構成され、第１の実施形態における色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを含んでいない。オーバーコート３６は、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの上に積層されており、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの表面を保護し、かつその凹凸を平坦化する役割を果たす。
【００４８】
このうち、例えば色要素３４Ｇは、画素４０Ｇ内において凹状となるような凹凸を有している。より詳しくは、色要素３４Ｇのうち、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域、すなわち第１の実施形態において色要素３４ｇが形成されている領域における厚さがｍとなっている。また、当該長方形以外の領域であって、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域、すなわち第１の実施形態において色要素３４Ｇが形成されている領域における厚さがＭとなっている。そして、ｍとＭの間には、ｍ＜Ｍの関係がある。ここで、本実施形態では、色要素３４Ｇのうち、厚さｍを有する部分が本発明における第１の色要素に相当し、厚さＭを有する部分が本発明における第２の色要素に相当する。すなわち、本実施形態における第１の色要素及び第２の色要素は、同一の材料からなり、第２の色要素の厚さが、第１の色要素の厚さより大きくなっている。上記は、画素４０Ｇ及び色要素３４Ｇについての説明であるが、画素４０Ｒ，４０Ｂ及び色要素３４Ｒ，３４Ｂについても同様の構成となっている。
【００４９】
色要素３４を厚くすると、可視光領域の全体にわたって透過率が低下する。したがって、上記構成によれば、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのうち、厚さＭを有する部分の透過スペクトルは、厚さｍを有する部分の透過スペクトルに対し、可視光領域の全体にわたって透過率が低くなる。また、第１の実施形態と同様の作用により、発光素子７０から射出された広角光は、正面光に比べて、厚さＭを有する部分を多く透過する。このため、広角光のうち短波長側にシフトした成分は、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのうち厚さＭを有する部分によって一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｂの視角特性を向上させることができる。
【００５０】
（第４の実施形態）
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、基板３０上に形成されたカラーフィルタが、遮光層３２を持たない点で第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００５１】
図８は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｃを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図である。有機ＥＬ装置１Ｃにおいては、基板３０上に遮光層３２が形成されておらず、色要素３４は、互いに隣接するように形成されている。色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。換言すれば、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、色要素３４ｇが配置されていない領域に配置されている。以上の構成は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。
【００５２】
このような構成によっても、広角光は、正面光と比較して、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合が大きくなる。このため、第１の実施形態と同様、広角光のうち短波長側にシフトした成分が、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｃの視角特性を向上させることができる。
【００５３】
（第５の実施形態）
続いて、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態と比較して、色要素３４及び画素電極１６の配置領域が異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００５４】
図９は、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｄの平面図である。有機ＥＬ装置１Ｄにおいては、色要素３４Ｇは、長方形の画素４０Ｇのうち、外周の長辺に沿う領域に配置されている。そして、色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部に加えて、画素４０Ｇの外周の短辺に沿う領域にまで延設されている。換言すれば、画素４０Ｇには、画素４０Ｇの長辺と同じ長さを有する帯状の１つの色要素３４ｇと２つの色要素３４Ｇが含まれており、色要素３４ｇが色要素３４Ｇに挟まれるように配置されている。以上の構成は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。
【００５５】
このような構成によれば、画素４０の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光について、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合を高めることができる。このため、観察方向を画素４０の短軸の延在方向に傾けた場合の色相のずれを効果的に抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｄの視角特性を向上させることが可能となる。
【００５６】
（電子機器）
上述した有機ＥＬ装置１（有機ＥＬ装置１Ａから１Ｄを含む）は、例えば、図１０に示すような「電子機器」としての携帯電話機１００に搭載して用いることができる。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報をはじめとする様々な情報について、広角光において色相のずれの少ない、高品位な表示を行うことができる。
【００５７】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００５８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００５９】
（変形例１）
本発明の実施にあたっては、図３における、色要素３４の表面から発光素子７０の発光面までの距離Ｄを任意に変更することができる。距離Ｄを変更するためには、図１（ｂ）に示すギャップ材５４や、図６に示すギャップ材５６の直径を変更すればよい。距離Ｄを小さくすると、射出角を変化させたときの、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合の変化率が小さくなる。換言すれば、射出角の大きな広角光についても、射出角に応じた色相ずれの抑制効果を持たせることが可能となる。一方、距離Ｄを大きくすると、射出角を変化させたときの、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合の変化率が大きくなる。この場合は、比較的狭い範囲の射出角について広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６０】
（変形例２）
上記実施形態において、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを透明にしてもよい。このような構成によっても、射出角が大きいほど色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合が増加するため、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収することができる。これにより、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００６１】
（変形例３）
図４に示すように、上記実施形態の色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２の主透過波長を長波長側にシフトさせるとともに、色純度を向上させたものであるが、これに限定する趣旨ではない。このような構成に代えて、例えば色要素３４ｇと色要素３４Ｇとを同一の色相とし、色純度のみを変える構成としてもよい。この場合は、色要素３４ｇ，３４Ｇの主透過波長が略同一となる。また、色要素３４Ｇの透過スペクトルは、色要素３４ｇの透過スペクトルと略同一の半値幅とし、主透過波長を色要素３４ｇより長波長側にシフトさせたものとすることもできる。これらの構成によっても、色要素３４ｇの透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率を色要素３４ｇの透過率より低くすることができる。上記のような構成は、色要素３４ｒと色要素３４Ｒ、又は色要素３４ｂと色要素３４Ｂにも適用可能である。本変形例の構成によっても、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収し、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００６２】
（変形例４）
上記実施形態では、画素電極１６の形成領域は、基板１０の法線方向から見て、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂの形成領域全体を内包するとともに、画素４０に内包される大きさの長方形であるが、これに限定する趣旨ではない。上記構成に代えて、例えば、画素電極１６の配置領域（すなわち発光素子７０の発光領域）と、色要素３４ｇとが、画素４０Ｇの短軸方向の幅が互いに等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が基板１０の法線方向から見て重なるような配置としてもよい。この場合は、画素４０Ｇの発光素子７０からの正面光は、すべて色要素３４ｇに入射し、正面光以外の広角光は、射出角に応じた割合で必ず色要素３４Ｇに一部が入射する。したがって、正面光以外のすべての広角光について、色相のずれを抑制する効果を得ることができる。上記は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。また、上記構成に代えて、画素電極１６を画素４０の全体にわたって形成してもよく、この場合でも広角光の色相のずれを抑制することが可能である。
【００６３】
（変形例５）
上記実施形態では、例えば画素４０Ｇに配置される色要素は、色要素３４ｇ，３４Ｇの２種のみであるが、これ以外の緑系の色要素を加えて３種以上の色要素から構成するようにしてもよい。追加する色要素は、例えば、色要素３４ｇと色要素３４Ｇの中間の透過スペクトルを有する色要素とし、色要素３４ｇと色要素３４Ｇに挟まれるような領域に配置する。上記は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。このような構成によれば、射出角に応じてよりきめ細かく色相ずれの抑制効果を得ることができる。
【００６４】
（変形例６）
上記実施形態は、陰極２４をハーフミラー状とし、積極的に光共振器を形成する構成であるが、光共振器を形成しない構成としてもよい。光共振器を積極的に設けない構成であっても、トップエミッション型の有機ＥＬ装置では、有機発光層２０を挟むいずれかの２層間で光共振器が構成されるため、広角光の色相ずれの問題が生じる。このとき、上記実施形態に示したような色要素３４の配置等によって、当該色相ずれを抑制することができる。
【００６５】
（変形例７）
本発明の第２の色要素に対応する色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、画素４０のうち当該画素４０の外周に沿う領域のすべてに配置されていなくともよく、この領域の少なくとも一部に配置されていればよい。このようにすれば、発光素子７０から射出された広角光は、正面光に比べて、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂをより多く透過する。このため、広角光のうち短波長側にシフトした成分が一定量吸収され、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６６】
（変形例８）
上記第１の実施形態は、格子状の遮光層３２を有する構成であり、また、第４の実施形態は、遮光層３２をもたない構成である。遮光層３２の配置はこれに限られず、例えば、遮光層３２を部分的に設ける構成としてもよい。一例としては、長辺を挟んで隣接する画素４０の間にのみ遮光層３２を設け、短辺を挟んで隣接する画素４０の間には設けない構成とすることができる。このような構成によっても、広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６７】
（変形例９）
上記実施形態は、画素４０が長方形をなしているが、これに限定する趣旨ではなく、例えば長円形とすることができる。ここで長円形とは、２つの向かい合う半円を２つの長辺で繋いだトラック状の図形をいう。このような構成においても、画素４０のうち上記長辺に沿う領域に色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを配置することにより、広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６８】
（変形例１０）
上記実施形態において、画素４０及び色要素３４は、赤、緑、青の３色に対応する構成であるが、これに代えて、４色以上の色に対応する構成としてもよい。例えば、赤、青、の２色に、青から黄までの色相の中で選択された２種の色を加えた４色に対応する構成とすることができる。後者の２色は、例えば緑及びシアンとすることができる。
【００６９】
（変形例１１）
上記実施形態において、発光素子７０に含まれる正孔輸送層１８、電子輸送層２２は、必要に応じて配置すればよく、必ずしも形成しなくてもよい。また、薄膜封止層２６も、接着剤２８が同様の機能を兼ねる場合は省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２】図１（ｂ）の断面図を拡大した図。
【図３】図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面のうち、緑に対応する画素を拡大して示す断面図。
【図４】色要素３４ｇ及び色要素３４Ｇの透過スペクトルを示す図。
【図５】緑に対応する画素から取り出される光の色度を示す図。
【図６】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図７】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大断面図。
【図８】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図。
【図９】第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面図。
【図１０】電子機器としての携帯電話機の模式斜視図。
【図１１】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の例を示す断面図。
【図１２】正面光及び広角光の発光スペクトルを示す図。
【図１３】正面光及び広角光の色度を示す図。
【符号の説明】
【００７１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置、１０…第１の基板、１２…反射膜、１４…絶縁層、１６…画素電極、１８…正孔輸送層、２０…有機発光層、２２…電子輸送層、２４…陰極、２６…薄膜封止層、２８…接着剤、３０…第２の基板、３２…遮光層、３４ｒ，３４ｇ，３４ｂ…第１の色要素、３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…第２の色要素、３６…オーバーコート、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…画素、５０…薄膜層、５２…シール剤、５４，５６…ギャップ材、５５…バンク、７０…発光素子、１００…携帯電話機。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス装置（以下、ＥＬ装置とも呼ぶ）の一つの態様として、トップエミッション型と呼ばれる構成が知られている（特許文献１参照）。図１１は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の例を示す断面図である。この有機ＥＬ装置は、接着剤２８によって互いに対向して貼り合わされた基板１０、基板３０を有している。基板１０上には、反射膜１２、絶縁層１４、画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層され、基板３０上には、赤、緑、青の色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂが、遮光層３２に区画されて形成されている。有機発光層２０からの光は、一部は直接基板３０を透過して射出され、また一部は反射膜１２によって反射されて基板３０を透過して射出される。色要素３４は、射出光の色純度を向上させる役割を果たす。
【０００３】
ここで、陰極２４はハーフミラーであり、反射膜１２及び陰極２４は、光共振器を構成している。この光共振器により、特定の波長域の光を高効率で取り出すことができ、有機ＥＬ装置の発光スペクトルの幅を狭めることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３０２７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記光共振器から斜めに射出される光（以下、広角光と呼ぶ）は、正面に射出される光（以下、正面光と呼ぶ）よりも光共振器内の光路長が長いため、発光スペクトルが正面光より短波長側にシフトしてしまうという問題点がある。例えば、ある緑の発光素子の正面における発光スペクトルが図１２の曲線５８である場合に、当該発光素子から５０度の射出角で射出された広角光の発光スペクトルは同図の曲線５９のように短波長側にシフトする。このとき、正面光の色度は図１３のプロット６７であるのに対し、広角光の色度は、同図のプロット６８のようにシフトしてしまう。このように、トップエミッション型の有機ＥＬ装置においては、広角光の、正面光に対する色相のずれが生じやすいという問題点がある。なお、ハーフミラーを用いた光共振器を積極的に設けない構成であっても、トップエミッション型の有機ＥＬ装置では、発光層を挟むいずれかの２層間で光共振器が構成されるため、上記問題点が生じる。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の奏する効果の一つにより、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、有色発光を行う画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、第１の基板と、前記第１の基板上に前記画素ごとに形成された、発光層を含む発光素子と、前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、前記第２の基板の対向面に形成され、前記画素の中央部に配置された第１の色要素、及び前記画素のうち当該画素の外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された第２の色要素を有するカラーフィルタと、を備え、前記第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低いことを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、正面光と広角光との間で、カラーフィルタのうち第２の色要素を透過する割合を変えることができる。より詳しくは、広角光は、正面光と比較して、画素の外周に沿う領域に配置された第２の色要素を透過する割合が高くなる。ここで、第２の色要素の透過率は、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第１の色要素の透過率より低い。このため、広角光のうちスペクトルが短波長側にシフトした波長成分は、第２の色要素によって一定量吸収される。この結果、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。上記構成において「透過スペクトル」とは、可視光域についての透過スペクトルを指す。また、「前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低い」との事項については、必ずしも上記波長域のすべての波長に対して満たされていなくともよく、上記波長域における第２の色要素の透過スペクトルの、波長についての積分値が、第１の色要素の同積分値より小さい構成となっていれば足りる。
【０００９】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記画素は長方形又は長円形であり、前記第２の色要素は、前記画素のうち、当該画素の外周の長辺に沿う領域に少なくとも配置されていることが好ましい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光について、第２の色要素を透過する割合を高めることができる。このため、観察方向を画素の短軸の延在方向に傾けた場合の色相のずれを抑制することができ、エレクトロルミネッセンス装置の視角特性を向上させることが可能となる。上記構成において「長円形」とは、２つの向かい合う半円を２つの長辺で繋いだトラック状の図形をいう。
【００１０】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子の発光領域は、前記画素の短軸方向の幅が、前記画素の短軸より短い構成であることが好ましい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光のうち、射出角が小さい広角光についても、第２の色要素を透過する割合を高くすることができる。
【００１１】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記発光素子の発光領域と、前記第１の色要素とは、前記画素の短軸方向の幅が等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が前記第１の基板の法線方向から見て重なっていてもよい。このような構成によれば、画素の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光のうち、正面光以外のすべての広角光について、第２の色要素を透過する割合を、正面光より高くすることができる。これにより、正面光以外のすべての広角光について、色相のずれを抑制する効果を得ることができる。
【００１２】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記第２の色要素の色純度は、前記第１の色要素の色純度より高い構成であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素の透過率は、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第１の色要素の透過率より低くなる。このため、広角光のうちスペクトルが短波長側にシフトした波長成分を、第２の色要素によって一定量吸収することができ、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することが可能となる。
【００１３】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記第２の色要素は、その透過スペクトルにおいて最大の透過率を与える波長が前記第１の色要素より大きい構成であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素は、第１の色要素と比較して、長波長側においてより透過率が高い透過スペクトルを有することとなる。これにより、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第２の色要素の透過率を第１の色要素の透過率より容易に低くすることができる。
【００１４】
上記エレクトロルミネッセンス装置においては、前記第１の色要素と前記第２の色要素とは、同一の材料からなり、前記第２の色要素の厚さは、前記第１の色要素の厚さより大きい構成であってもよい。また、前記第１の色要素は透明であってもよい。このような構成によれば、第２の色要素の透過スペクトルは、第１の色要素の透過スペクトルに対し、可視光領域の全体にわたって透過率が低くなる。これにより、第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、第２の色要素の透過率を第１の色要素の透過率より容易に低くすることができる。
【００１５】
上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光素子は、前記第１の基板と前記発光層との間に形成された反射膜と、前記発光層を挟んで前記反射膜の反対側に形成された半透過反射膜とを有し、前記反射膜と前記半透過反射膜との間で、前記発光層からの光を共振させる光共振器構造を有していてもよい。このような光共振器からの広角光の発光スペクトルは、正面光に対して短波長側にシフトする。また、当該広角光は、正面光と比較して第２の色要素を透過する割合が高くなる。ここで、広角光のうち短波長側にシフトした波長成分は、第２の色要素によって一定量吸収される。このため、上記構成によれば、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を表示部に備えることを特徴とする。このような構成によれば、視角による色相のずれの少ない、高品位な表示が可能な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置１を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬ装置１は、透明な接着剤２８を介して互いに対向して貼り合わされた、第１の基板としての基板１０と、第２の基板としての基板３０を有している。このうち、基板３０は透光性を有しており、例えばガラスからなる。基板１０と基板３０とは、基板１０の外縁部に配置された枠状のシール剤５２によっても固着されている。シール剤５２には、球状のギャップ材５４が含まれている。ギャップ材５４は、基板１０と基板３０とを支持しており、これらの基板間隔を一定に保つ役割を果たす。
【００１９】
基板１０のうち基板３０に対向する面（対向面）には、画素電極１６を含む薄膜層５０が形成されている。基板３０のうち基板１０に対向する面（対向面）には、カラーフィルタが形成されている。カラーフィルタは、遮光層３２と、当該遮光層３２によって区画された領域に配置された色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｇ，３４Ｇ，３４ｂ，３４Ｂ（以下、まとめて色要素３４とも呼ぶ）とを含んでいる。色要素３４は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収することによって透過光を所定の色（例えば赤、緑、青等）とすることが可能な物質である。色要素３４ｒ，３４Ｒは赤色系の光を透過し、色要素３４ｇ，３４Ｇは緑色系の光を透過し、色要素３４ｂ，３４Ｂは青色系の光を透過する。色要素３４は、例えば、色要素材料としての顔料を含む感光性樹脂を塗布して露光現像することにより形成される。ここで、顔料に代えて染料を用いてもよい。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、遮光層３２は格子状に配置されており、この格子によって枠取られた長方形の領域が、画素４０に相当する。画素４０は、赤、緑、青の発光をそれぞれ行う画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの３種類からなる。画素４０は、マトリクス状に配置されており、行方向には画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂがこの順に繰り返し配列され、列方向には同一の色に対応する画素４０がストライプ状に配列されている。
【００２１】
上記した色要素３４ｒは、画素４０Ｒの中央部の長方形の領域に配置されている。一方、色要素３４Ｒは、画素４０Ｒのうち、画素４０Ｒの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。換言すれば、画素４０Ｒのうち、色要素３４ｒが配置されていない領域に排他的に配置されている。同様に、色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。また、色要素３４ｂは、画素４０Ｂの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｂは、画素４０Ｂのうち、画素４０Ｂの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂは、本発明における第１の色要素に対応し、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、本発明における第２の色要素に対応する。
【００２２】
図４は、色要素３４ｇ及び色要素３４Ｇの透過スペクトルを示す図である。この図において、符号６１を付した曲線は色要素３４Ｇの透過スペクトルを示し、符号６２を付した曲線は色要素３４ｇの透過スペクトルを示す。このように、色要素３４ｇと色要素３４Ｇとは、透過スペクトルが互いに異なっている。
【００２３】
具体的には、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２より色純度が高いものとなっている。ここで、色純度とは、単色光と特定の白色光とを加法混色して試料の色と等しくなったときの単色光の刺激と、この特定の白色光の刺激との比をいう。したがって、透過スペクトルが単色光に近いほど色純度が高いと言え、簡易的には透過スペクトルの半値幅が小さいほど色純度が高いとも言える。図４から明らかなように、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１の半値幅は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２の半値幅より狭く、色純度が高くなっている。
【００２４】
加えて、色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２と比較して、最大の透過率を与える波長（以下では主透過波長とも呼ぶ）が大きくなっている（長波長側にシフトしている）。
【００２５】
以上から、色要素３４Ｇは、色要素３４ｇの主透過波長を長波長側にシフトさせるとともに、色純度を向上させたものであると言える。この結果、色要素３４ｇの透過スペクトル６２のうち最大の透過率を与える波長（図４では約５００ｎｍ）より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率（透過スペクトル６１参照）は、色要素３４ｇの透過率（透過スペクトル６２参照）より低くなっている。色要素３４ｒと色要素３４Ｒの関係、及び色要素３４ｂと色要素３４Ｂの関係も、上記の色要素３４ｇと色要素３４Ｇの関係と同様となるように構成されている。
【００２６】
図１に戻り、画素電極１６の形成領域について説明する。画素電極１６は、画素４０ごとに形成されており、その形成領域は、図１（ａ）において破線で表されている。具体的には、画素電極１６の形成領域は、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂの形成領域全体を内包するとともに、画素４０に内包される大きさの長方形である。画素電極１６は、基板１０上に形成された薄膜層５０に含まれる構成要素である。以下では、薄膜層５０の構成要素について詳述する。
【００２７】
図２は、図１（ｂ）の断面図を拡大した図である。この図において、反射膜１２から薄膜封止層２６までの層が、薄膜層５０に相当する。
【００２８】
基板１０上には、反射膜１２、絶縁層１４、陽極としての画素電極１６、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２、陰極２４、薄膜封止層２６がこの順に積層されており、これらの要素により、素子基板が構成されている。また、基板３０上には、上記したように遮光層３２及び色要素３４を含むカラーフィルタが形成されており、これらの要素により封止基板が構成されている。上記素子基板と上記封止基板とは、接着剤２８を介して貼り合わされている。上記において、有機発光層２０は、本発明における発光層に対応する。有機ＥＬ装置１は、有機発光層２０において発光した光を基板３０側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置であり、観察者は、基板３０の側から表示を観察する。上記のうち、画素４０ごとに形成された、反射膜１２から陰極２４までの構成要素からなる素子が、発光素子７０に相当する。
【００２９】
上記のうち、基板１０は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するためのデータ線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。反射膜１２は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。画素電極１６は、反射膜１２上に、反射膜１２との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層１４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。画素電極１６は、各画素４０に一つずつ配置されており、それぞれの画素電極１６は、基板１０に含まれるＴＦＴ素子を介して、データ線（不図示）に接続されている。陰極２４は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００３０】
画素電極１６と陰極２４との間には、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２がこの順に積層されている。有機発光層２０は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極１６と陰極２４との間に電圧を印加することによって、有機発光層２０には、正孔輸送層１８から正孔が、また、電子輸送層２２から電子が注入され、有機発光層２０においてこれらが再結合したときに発光が行われる。有機発光層２０からの光は、一部は直接陰極２４を透過し、一部は反射膜１２によって反射されてから陰極２４を透過する。いずれにせよ、有機発光層２０からの光は、陰極２４を透過し、その後薄膜封止層２６、接着剤２８、色要素３４、基板３０を順に透過する。
【００３１】
ここで、反射膜１２及び陰極２４は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層２０において発せられた光は、反射膜１２と陰極２４との間を往復し、共振波長の光だけが基板３０側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００３２】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１においては、画素電極１６の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂにおいてこの順に画素電極１６を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂにおける画素電極１６の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、画素４０Ｒにおいては赤色、画素４０Ｇにおいては緑色、画素４０Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極２４からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００３３】
陰極２４を覆って形成された薄膜封止層２６は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子７０を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極２４の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００３４】
基板３０上に形成された色要素３４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する部材である。色要素３４を配置することによって、有機ＥＬ装置１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。色要素３４は、エポキシ樹脂からなる接着剤２８を介して薄膜封止層２６と対向している。
【００３５】
色要素３４を区画する遮光層３２は、上述したようにカラーフィルタの一部を構成する。遮光層３２は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各画素４０間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層３２は、色要素３４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００３６】
続いて、図３を用いて、有機ＥＬ装置１の視角特性について説明する。図３は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面のうち、緑に対応する画素４０Ｇを拡大して示す断面図である。この図においては、基板１０上に形成された要素のうち、画素電極１６、有機発光層２０、陰極２４を除く構成要素は省略されている。
【００３７】
この図において、画素４０Ｇの幅（すなわち短軸方向の幅）は、８０μｍである。このうち、色要素３４ｇが占める部分の幅Ｌ１は３２μｍであり、色要素３４Ｇが占める幅Ｌ２は左右それぞれ２４μｍである。また、色要素３４の表面から、発光素子７０の発光面までの距離Ｄは、４３μｍである。一方、画素電極１６の幅Ｗは４０μｍである。ここで、発光素子７０の発光領域の幅は、画素電極１６の幅によって規定されるため、発光素子７０の発光領域の幅も４０μｍとなる。以上から分かるように、発光素子７０の発光領域のうち画素４０Ｇの短軸の延在方向についての幅は、画素４０の短軸方向の幅より小さくなっている。
【００３８】
このような構成によれば、発光素子７０から射出された正面光（図３中の一点鎖線）は、８０％が色要素３４ｇを透過し、２０％が色要素３４Ｇを透過する。ここで、画素４０Ｇの発光素子７０から正面に射出する光の発光スペクトルは、図１２の曲線５８に示されている。そして、色要素３４ｇ，３４Ｇを透過した後の光は、曲線５８と、透過する色要素３４ｇ，３４Ｇの透過スペクトルとの積によって得られるスペクトルを有することとなる。具体的には、上記曲線５８で示された発光スペクトルと、図４の透過スペクトル６２との積、及び透過スペクトル６１との積について、８：２の重み付けがなされて足し合わされたスペクトルを有する光が取り出される。
【００３９】
一方、図３において、発光素子７０からの光の射出方向が正面からずれ、射出角が所定値より大きくなると、射出光は、色要素３４ｇの一部を透過しなくなるとともに、色要素３４Ｇを透過する成分が増加していく。ここで、射出角の上記所定値とは、射出光が図３中の片側の色要素３４Ｇに入射しなくなる最小の角度である。射出角がさらに大きくなり、５０度に達すると、このような広角光（図３中の二点鎖線）では、色要素３４ｇを透過する成分は３０％にとどまり、残る７０％が色要素３４Ｇを透過するようになる。
【００４０】
画素４０Ｇの発光素子７０から５０度の広角で射出する光の発光スペクトルは、図１２の曲線５９に示されている。そして、色要素３４ｇ，３４Ｇを透過した後の光は、上記曲線５９で示された発光スペクトルと、図４の透過スペクトル６２との積、及び透過スペクトル６１との積について、３：７の重み付けがなされて足し合わされたスペクトルを有する。ここで、図１２から明らかなように、広角光の発光スペクトル（曲線５９）は、正面光の発光スペクトル（曲線５８）から短波長側にシフトしている。しかしながら、その光の多くの部分は、短波長側の透過率の小さい透過スペクトル６１を有する色要素３４Ｇを透過するため、上記のように短波長側にシフトした成分が一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置の視角特性を向上させることができる。
【００４１】
図５は、緑に対応する画素４０Ｇから取り出される光の色度を示す図であり、プロット６５は有機ＥＬ装置１から外部に取り出される正面光の色度、プロット６６は有機ＥＬ装置１から外部に取り出される５０度の広角光の色度、プロット６８は図１３に示した従来の構成の有機ＥＬ装置から取り出される５０度の広角光の色度を示している。この図から分かるように、色要素３４ｇ，３４Ｇの配置、及び画素電極１６の配置に工夫を加えた本実施形態の有機ＥＬ装置１は、正面光に対する広角光の色相のずれが従来と比較して小さく抑えられている。
【００４２】
以上は、緑に対応する画素４０Ｇを例に説明したが、赤、青に対応する画素４０Ｒ，４０Ｂにおいても同様の作用によって広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００４３】
（第２の実施形態）
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、基板１０上の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第１の実施形態と同様である。以下の各図においては第１の実施形態と同じ要素には同じ符号を付して示すことにして、重複する説明は省略する。
【００４４】
図６は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ａの断面図であり、第１の実施形態における図１（ｂ）に相当する図である。有機ＥＬ装置１Ａは、基板１０上の画素電極１６が形成されていない領域に配置された、樹脂等からなるバンク５５を有している。換言すれば、画素電極１６は、基板１０とバンク５５とが形作る凹部に形成されている。また、薄膜層５０のうち、正孔輸送層１８、有機発光層２０、電子輸送層２２も上記凹部に形成されている。したがって、発光素子７０はバンク５５に囲まれた領域に形成されることとなり、当該領域が発光素子７０の発光領域となる。
【００４５】
そして、バンク５５と遮光層３２との間には、ギャップ材５６が配置されている。ギャップ材５６は、ギャップ材５４より直径の小さい樹脂等からなり、ギャップ材５４と同様に、基板１０と基板３０とを支持してこれらの基板間の距離を一定に保つ役割を果たす。ギャップ材５６のこのような効果により、図３における距離Ｄがすべての画素４０にわたって略一定となる。このとき、すべての画素４０において、ある角度で射出された広角光の、色要素３４ｇを透過する成分と色要素３４Ｇを透過する成分との比率が略等しくなる。このことは、色要素３４ｒと色要素３４Ｒ、及び色要素３４ｂと色要素３４Ｂについても同様である。このため、場所による視角特性のムラを生じにくくすることができる。
【００４６】
（第３の実施形態）
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、基板３０上に形成されたカラーフィルタの構成に変更を加えたものであり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００４７】
図７は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂの拡大断面図であり、第１の実施形態における図１（ｂ）に相当する図である。有機ＥＬ装置１Ｂにおいては、カラーフィルタは、遮光層３２と、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂと、透光性を有するオーバーコート３６とから構成され、第１の実施形態における色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを含んでいない。オーバーコート３６は、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの上に積層されており、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの表面を保護し、かつその凹凸を平坦化する役割を果たす。
【００４８】
このうち、例えば色要素３４Ｇは、画素４０Ｇ内において凹状となるような凹凸を有している。より詳しくは、色要素３４Ｇのうち、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域、すなわち第１の実施形態において色要素３４ｇが形成されている領域における厚さがｍとなっている。また、当該長方形以外の領域であって、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域、すなわち第１の実施形態において色要素３４Ｇが形成されている領域における厚さがＭとなっている。そして、ｍとＭの間には、ｍ＜Ｍの関係がある。ここで、本実施形態では、色要素３４Ｇのうち、厚さｍを有する部分が本発明における第１の色要素に相当し、厚さＭを有する部分が本発明における第２の色要素に相当する。すなわち、本実施形態における第１の色要素及び第２の色要素は、同一の材料からなり、第２の色要素の厚さが、第１の色要素の厚さより大きくなっている。上記は、画素４０Ｇ及び色要素３４Ｇについての説明であるが、画素４０Ｒ，４０Ｂ及び色要素３４Ｒ，３４Ｂについても同様の構成となっている。
【００４９】
色要素３４を厚くすると、可視光領域の全体にわたって透過率が低下する。したがって、上記構成によれば、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのうち、厚さＭを有する部分の透過スペクトルは、厚さｍを有する部分の透過スペクトルに対し、可視光領域の全体にわたって透過率が低くなる。また、第１の実施形態と同様の作用により、発光素子７０から射出された広角光は、正面光に比べて、厚さＭを有する部分を多く透過する。このため、広角光のうち短波長側にシフトした成分は、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのうち厚さＭを有する部分によって一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｂの視角特性を向上させることができる。
【００５０】
（第４の実施形態）
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、基板３０上に形成されたカラーフィルタが、遮光層３２を持たない点で第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００５１】
図８は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｃを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図である。有機ＥＬ装置１Ｃにおいては、基板３０上に遮光層３２が形成されておらず、色要素３４は、互いに隣接するように形成されている。色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部の長方形の領域に配置されており、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、画素４０Ｇの外周に沿う矩形の枠状の領域に配置されている。換言すれば、色要素３４Ｇは、画素４０Ｇのうち、色要素３４ｇが配置されていない領域に配置されている。以上の構成は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。
【００５２】
このような構成によっても、広角光は、正面光と比較して、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合が大きくなる。このため、第１の実施形態と同様、広角光のうち短波長側にシフトした成分が、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収される。これにより、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｃの視角特性を向上させることができる。
【００５３】
（第５の実施形態）
続いて、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態と比較して、色要素３４及び画素電極１６の配置領域が異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００５４】
図９は、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｄの平面図である。有機ＥＬ装置１Ｄにおいては、色要素３４Ｇは、長方形の画素４０Ｇのうち、外周の長辺に沿う領域に配置されている。そして、色要素３４ｇは、画素４０Ｇの中央部に加えて、画素４０Ｇの外周の短辺に沿う領域にまで延設されている。換言すれば、画素４０Ｇには、画素４０Ｇの長辺と同じ長さを有する帯状の１つの色要素３４ｇと２つの色要素３４Ｇが含まれており、色要素３４ｇが色要素３４Ｇに挟まれるように配置されている。以上の構成は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。
【００５５】
このような構成によれば、画素４０の短軸の延在方向に傾いて射出された広角光について、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合を高めることができる。このため、観察方向を画素４０の短軸の延在方向に傾けた場合の色相のずれを効果的に抑制することができ、有機ＥＬ装置１Ｄの視角特性を向上させることが可能となる。
【００５６】
（電子機器）
上述した有機ＥＬ装置１（有機ＥＬ装置１Ａから１Ｄを含む）は、例えば、図１０に示すような「電子機器」としての携帯電話機１００に搭載して用いることができる。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報をはじめとする様々な情報について、広角光において色相のずれの少ない、高品位な表示を行うことができる。
【００５７】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００５８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００５９】
（変形例１）
本発明の実施にあたっては、図３における、色要素３４の表面から発光素子７０の発光面までの距離Ｄを任意に変更することができる。距離Ｄを変更するためには、図１（ｂ）に示すギャップ材５４や、図６に示すギャップ材５６の直径を変更すればよい。距離Ｄを小さくすると、射出角を変化させたときの、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合の変化率が小さくなる。換言すれば、射出角の大きな広角光についても、射出角に応じた色相ずれの抑制効果を持たせることが可能となる。一方、距離Ｄを大きくすると、射出角を変化させたときの、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合の変化率が大きくなる。この場合は、比較的狭い範囲の射出角について広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６０】
（変形例２）
上記実施形態において、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを透明にしてもよい。このような構成によっても、射出角が大きいほど色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを透過する割合が増加するため、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収することができる。これにより、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００６１】
（変形例３）
図４に示すように、上記実施形態の色要素３４Ｇの透過スペクトル６１は、色要素３４ｇの透過スペクトル６２の主透過波長を長波長側にシフトさせるとともに、色純度を向上させたものであるが、これに限定する趣旨ではない。このような構成に代えて、例えば色要素３４ｇと色要素３４Ｇとを同一の色相とし、色純度のみを変える構成としてもよい。この場合は、色要素３４ｇ，３４Ｇの主透過波長が略同一となる。また、色要素３４Ｇの透過スペクトルは、色要素３４ｇの透過スペクトルと略同一の半値幅とし、主透過波長を色要素３４ｇより長波長側にシフトさせたものとすることもできる。これらの構成によっても、色要素３４ｇの透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、色要素３４Ｇの透過率を色要素３４ｇの透過率より低くすることができる。上記のような構成は、色要素３４ｒと色要素３４Ｒ、又は色要素３４ｂと色要素３４Ｂにも適用可能である。本変形例の構成によっても、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂによって一定量吸収し、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
【００６２】
（変形例４）
上記実施形態では、画素電極１６の形成領域は、基板１０の法線方向から見て、色要素３４ｒ，３４ｇ，３４ｂの形成領域全体を内包するとともに、画素４０に内包される大きさの長方形であるが、これに限定する趣旨ではない。上記構成に代えて、例えば、画素電極１６の配置領域（すなわち発光素子７０の発光領域）と、色要素３４ｇとが、画素４０Ｇの短軸方向の幅が互いに等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が基板１０の法線方向から見て重なるような配置としてもよい。この場合は、画素４０Ｇの発光素子７０からの正面光は、すべて色要素３４ｇに入射し、正面光以外の広角光は、射出角に応じた割合で必ず色要素３４Ｇに一部が入射する。したがって、正面光以外のすべての広角光について、色相のずれを抑制する効果を得ることができる。上記は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。また、上記構成に代えて、画素電極１６を画素４０の全体にわたって形成してもよく、この場合でも広角光の色相のずれを抑制することが可能である。
【００６３】
（変形例５）
上記実施形態では、例えば画素４０Ｇに配置される色要素は、色要素３４ｇ，３４Ｇの２種のみであるが、これ以外の緑系の色要素を加えて３種以上の色要素から構成するようにしてもよい。追加する色要素は、例えば、色要素３４ｇと色要素３４Ｇの中間の透過スペクトルを有する色要素とし、色要素３４ｇと色要素３４Ｇに挟まれるような領域に配置する。上記は、色要素３４ｒ，３４Ｒ，３４ｂ，３４Ｂについても同様である。このような構成によれば、射出角に応じてよりきめ細かく色相ずれの抑制効果を得ることができる。
【００６４】
（変形例６）
上記実施形態は、陰極２４をハーフミラー状とし、積極的に光共振器を形成する構成であるが、光共振器を形成しない構成としてもよい。光共振器を積極的に設けない構成であっても、トップエミッション型の有機ＥＬ装置では、有機発光層２０を挟むいずれかの２層間で光共振器が構成されるため、広角光の色相ずれの問題が生じる。このとき、上記実施形態に示したような色要素３４の配置等によって、当該色相ずれを抑制することができる。
【００６５】
（変形例７）
本発明の第２の色要素に対応する色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、画素４０のうち当該画素４０の外周に沿う領域のすべてに配置されていなくともよく、この領域の少なくとも一部に配置されていればよい。このようにすれば、発光素子７０から射出された広角光は、正面光に比べて、色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂをより多く透過する。このため、広角光のうち短波長側にシフトした成分が一定量吸収され、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６６】
（変形例８）
上記第１の実施形態は、格子状の遮光層３２を有する構成であり、また、第４の実施形態は、遮光層３２をもたない構成である。遮光層３２の配置はこれに限られず、例えば、遮光層３２を部分的に設ける構成としてもよい。一例としては、長辺を挟んで隣接する画素４０の間にのみ遮光層３２を設け、短辺を挟んで隣接する画素４０の間には設けない構成とすることができる。このような構成によっても、広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６７】
（変形例９）
上記実施形態は、画素４０が長方形をなしているが、これに限定する趣旨ではなく、例えば長円形とすることができる。ここで長円形とは、２つの向かい合う半円を２つの長辺で繋いだトラック状の図形をいう。このような構成においても、画素４０のうち上記長辺に沿う領域に色要素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを配置することにより、広角光の色相のずれを抑制することができる。
【００６８】
（変形例１０）
上記実施形態において、画素４０及び色要素３４は、赤、緑、青の３色に対応する構成であるが、これに代えて、４色以上の色に対応する構成としてもよい。例えば、赤、青、の２色に、青から黄までの色相の中で選択された２種の色を加えた４色に対応する構成とすることができる。後者の２色は、例えば緑及びシアンとすることができる。
【００６９】
（変形例１１）
上記実施形態において、発光素子７０に含まれる正孔輸送層１８、電子輸送層２２は、必要に応じて配置すればよく、必ずしも形成しなくてもよい。また、薄膜封止層２６も、接着剤２８が同様の機能を兼ねる場合は省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２】図１（ｂ）の断面図を拡大した図。
【図３】図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面のうち、緑に対応する画素を拡大して示す断面図。
【図４】色要素３４ｇ及び色要素３４Ｇの透過スペクトルを示す図。
【図５】緑に対応する画素から取り出される光の色度を示す図。
【図６】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図７】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の拡大断面図。
【図８】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図。
【図９】第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面図。
【図１０】電子機器としての携帯電話機の模式斜視図。
【図１１】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の例を示す断面図。
【図１２】正面光及び広角光の発光スペクトルを示す図。
【図１３】正面光及び広角光の色度を示す図。
【符号の説明】
【００７１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…エレクトロルミネッセンス装置としての有機ＥＬ装置、１０…第１の基板、１２…反射膜、１４…絶縁層、１６…画素電極、１８…正孔輸送層、２０…有機発光層、２２…電子輸送層、２４…陰極、２６…薄膜封止層、２８…接着剤、３０…第２の基板、３２…遮光層、３４ｒ，３４ｇ，３４ｂ…第１の色要素、３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…第２の色要素、３６…オーバーコート、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ…画素、５０…薄膜層、５２…シール剤、５４，５６…ギャップ材、５５…バンク、７０…発光素子、１００…携帯電話機。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有色発光を行う画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に前記画素ごとに形成された、発光層を含む発光素子と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、
前記第２の基板の対向面に形成され、前記画素の中央部に配置された第１の色要素、及び前記画素のうち当該画素の外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された第２の色要素を有するカラーフィルタと、
を備え、
前記第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記画素は長方形又は長円形であり、
前記第２の色要素は、前記画素のうち、当該画素の外周の長辺に沿う領域に少なくとも配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子の発光領域は、前記画素の短軸方向の幅が、前記画素の短軸より短いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子の発光領域と、前記第１の色要素とは、前記画素の短軸方向の幅が等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が前記第１の基板の法線方向から見て重なっていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の色要素の色純度は、前記第１の色要素の色純度より高いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の色要素は、その透過スペクトルにおいて最大の透過率を与える波長が前記第１の色要素より大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第１の色要素と前記第２の色要素とは、同一の材料からなり、
前記第２の色要素の厚さは、前記第１の色要素の厚さより大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第１の色要素は透明であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子は、前記第１の基板と前記発光層との間に形成された反射膜と、前記発光層を挟んで前記反射膜の反対側に形成された半透過反射膜とを有し、
前記反射膜と前記半透過反射膜との間で、前記発光層からの光を共振させる光共振器構造を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
有色発光を行う画素を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に前記画素ごとに形成された、発光層を含む発光素子と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、前記第１の基板と貼り合わされた透光性を有する第２の基板と、
前記第２の基板の対向面に形成され、前記画素の中央部に配置された第１の色要素、及び前記画素のうち当該画素の外周に沿う領域の少なくとも一部に配置された第２の色要素を有するカラーフィルタと、
を備え、
前記第１の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、前記第２の色要素の透過率は前記第１の色要素の透過率より低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記画素は長方形又は長円形であり、
前記第２の色要素は、前記画素のうち、当該画素の外周の長辺に沿う領域に少なくとも配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子の発光領域は、前記画素の短軸方向の幅が、前記画素の短軸より短いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子の発光領域と、前記第１の色要素とは、前記画素の短軸方向の幅が等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が前記第１の基板の法線方向から見て重なっていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の色要素の色純度は、前記第１の色要素の色純度より高いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の色要素は、その透過スペクトルにおいて最大の透過率を与える波長が前記第１の色要素より大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第１の色要素と前記第２の色要素とは、同一の材料からなり、
前記第２の色要素の厚さは、前記第１の色要素の厚さより大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第１の色要素は透明であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光素子は、前記第１の基板と前記発光層との間に形成された反射膜と、前記発光層を挟んで前記反射膜の反対側に形成された半透過反射膜とを有し、
前記反射膜と前記半透過反射膜との間で、前記発光層からの光を共振させる光共振器構造を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００８−２８２６０２（Ｐ２００８−２８２６０２Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２４２０５（Ｐ２００７−１２４２０５）
【出願日】平成１９年５月９日（２００７．５．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月９日（２００７．５．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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