クリーンフィルムおよびそれを用いた包装袋
【課題】 本発明における課題は、有機系アウトガスが少ないことを定量的に示したクリーンフィルムおよび、そのクリーンフィルムよりなる包装袋を提供するものである。また、前記包装袋を用いて電子部品を包装した包装体を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量が、ヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量が、シロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルムを提供するものである。また、前記クリーンフィルムよりなる包装袋、および、その包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体を提供する。
【解決手段】 本発明は、少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量が、ヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量が、シロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルムを提供するものである。また、前記クリーンフィルムよりなる包装袋、および、その包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塵・埃等の付着、ハロゲンイオンをはじめとする化学物質の付着を極端に嫌う、シリコンウエハー、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品、コンピューター周辺装置の記憶装置であるＦＤＤ、光磁気ディスクドライブ、ＨＤＤ、ＭＲ（磁気抵抗効果式）ヘッド等、メモリ媒体であるＦＤ、ＨＤ等の電子部品等の包装袋に好適に使用されるものである。さらに詳しくは、内容物に接触する可能性があるシーラントフィルム層からの揮発性成分が定量的に少ない包装袋に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハー、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品、コンピューター周辺装置の記憶装置であるＦＤＤ、光磁気ディスクドライブ、ＨＤＤ、ＭＲ（磁気抵抗効果式）ヘッド等、メモリ媒体であるＦＤ、ＨＤ等の電子部品は、極微小、極微量の汚染物で腐食、動作不良等の障害が起こる。
【０００３】
ＨＤＤを例に挙げると、上記汚染物質は（１）腐食の原因となるイオン性物質、（２）ヘッド−ディスク間に侵入して、記録再生面の損傷原因となる塵埃、（３）液滴飛散ないし表面移動により、ヘッド−ディスク間に侵入して製品粘着原因となる不揮発性残渣、（４）凝縮、吸着、固体化などによりヘッドに付着して浮上性に影響を及ぼしたり、ヘッド−ディスク間に凝縮して粘着原因となる有機系アウトガスに分けられる。（１）〜（４）に加え、ディスク障害につながるため、Ｓｎ、Ｓｉは禁忌物質として知られている。
【０００４】
（４）の有機系アウトガスに関して、さらに詳しく述べる。アウトガスはＤＥ（ディスク・エンクロージャー）内各種構成部品より発生するガスの総称であり、有機物系と無機物系に大別できるが、有機系のガスを示す場合が多い。アウトガスはＨＤＤの信頼性に大きく関与しており、材料選定や加工後の加熱処理および超精密洗浄等をすることで低減対策となる。アウトガス物質とされているものの中で、シロキサン化合物、トリブチルスズ化合物等は、ヘッド表面に固着し、ヘッド・クラッシュの原因となる。炭水化物、メタクリレート系モノマー、ＤＯＰ（ディオクチルフタレート）等の可塑剤や酸化防止剤であるフェノール系物質等は、ヘッドと媒体の吸着障害の原因となる。有機酸はヘッドのコア材やコイル部および磁気媒体の磁性膜腐食の原因となる。
このような汚染物で製品が汚染されることをコンタミネーションというが、極微小、極微量の汚染物が故障原因となるため、通常のコンタミネーションと区別する意味でマイクロコンタミネーションとも呼ばれている。
【０００５】
ＨＤＤのみならずこのような電子部品を梱包する包装袋については、内容物に悪影響を及ぼさないよう、汚染物を可能な限り少なくし、マイクロコンタミネーションを制御することが求められる。しかし、クリーンフィルムおよびクリーン包装袋と呼ばれる包装材料は、広く世の中に流布しているものの、その評価方法としてよく実施されている方法は、清浄なＨＤＤ媒体等に包材を密着させ、包材から転写された物質を基盤検査機あるいは、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）、蛍光Ｘ線分析等の表面分析により評価する方法であり、この方法では包材だけのクリーン度が測定できず、また、清浄な媒体等は入手困難なものである。また、アウトガス測定方法については、ＨＤＤ媒体等の加熱装置を包材評価に転用し、パージアンドトラップガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ−ＭＳ）する方法があるが、分析自体が煩雑である。このように、包材のクリーン度評価方法の規定およびクリーン性を定量的に規定した包材はほとんどないのが現状である。
【特許文献１】特開２００４−１０８９６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の課題を考慮してなされたもので、有機系アウトガスが少ないことを定量的に示したクリーンフィルムおよび、そのクリーンフィルムよりなる包装袋を提供するものである。また、前記包装袋を用いて電子部品を包装した包装体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量が、ヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量が、シロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルムである。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記シーラント層の厚みが１２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のクリーンフィルムである。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記ポリオレフィン樹脂において、メルトインデックス（ＭＩ）が０．１から２０（ｇ／１０分・１９０℃）の低密度ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のクリーンフィルムである。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記シーラント層の少なくとも片側に、ガスバリア層および／または基材層を積層した多層構造を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のクリーンフィルムである。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかに記載のクリーンフィルムよりなることを特徴とする包装袋である。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のクリーンフィルムおよび、そのクリーンフィルムよりなる包装袋は、包装袋からのアウトガスが少なく、最高水準のクリーン性を有するものである。また、ＨＤＤをはじめとする電子部品の梱包に最適であり、最高水準のクリーン性を有する電子部品包装体とすることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明のクリーンフィルムを形成するシーラントの巻取１０の斜視図であり、図２（ａ）はキャスト法で成膜して巻き取った本発明のクリーンフィルムを形成するシーラント１１のＡ−Ａ’面の側断面図であり、図２（ｂ）はインフレーション法で樹脂をチューブ状に押出し、押出したチューブ状シーラント内にクリーンエアを吹き込み、チューブ状シーラントの両端を製造ライン上で耳切りをせず、帯状で巻き取った本発明のクリーンフィルムを形成するシーラント１２Ａ−Ａ’面の側断面図である。
【００１５】
本発明のクリーンフィルムを形成するシーラントは、共押出し構成とすることも好ましく行われる。つまり、要求されるシーラントの厚みが厚い場合、２層以上の共押出し構成とすることも可能である。例えば、シーラントの厚みとして９０μｍ必要である場合、加工方法によっては単層で９０μｍの厚さが得られない場合がある。そのようなときには、４５μｍ、４５μｍの２層共押出し構成としてもよいし、３０μｍ、３０μｍ、３０μｍの３層共押出し構成としてもよい。
共押出し構成の場合に用いる樹脂は、必ずしも同じ樹脂である必要はなく、十分な層間強度が得られるような樹脂を選択する必要がある。
【００１６】
前記シーラント１１、１２に用いる樹脂としては、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）などのポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどの単独重合体や、エチレン、プロピレン、ブテン、メチルペンテンなどのオレフィンから選ばれる２種以上のモノマーの共重合体、例えばエチレン−プロピレン共重合体等が挙げられ、これらの２種以上の混合物を用いることも可能であり、また、ある種の官能基を導入したグラフトポリマー、例えば無水マレイン酸グラフトポリプロピレンのような樹脂、エチレン−α、β不飽和カルボン酸共重合体を主骨格とするエチレン系共重合体を用いることも可能であるが、クリーン性の面からはメルトインデックス（ＭＩ）＝０．１〜２０（ｇ／１０分・１９０℃）で、かつ酸化防止剤、アンチブロッキング剤、滑剤等の添加剤を含まないＬＤＰＥが最適である。前記ＬＤＰＥのメルトインデックス（ＭＩ）が０．１〜２０（ｇ／１０分・１９０℃）が好ましいとするのは、メルトインデックス（ＭＩ）の低い樹脂を用いた方が、低分子量成分が少ないため成形時の熱安定性に優れ、クリーン性が高い積層材料が得られるためである。
【００１７】
図３（ａ）は、前記シーラント１１の片面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の断面図であり、シーラント１１、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｂ）は、前記シーラントの片面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の断面図であり、クリーンフィルム１２、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｃ）は、前記シーラント１２の両面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の側断面図であり、シーラント１２の両面にそれぞれ、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｄ）は、前記シーラント１２の両面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の側断面図であり、シーラント１２の両面にそれぞれ、接着剤層１３、ガスバリア層１８、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。
【００１８】
前記接着層１３、１５に用いる接着剤としては、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、および、それらを主体とした混合物などが一般的に用いられるが、Ｓｎ化合物およびＳｉ化合物を含有せず、溶出成分の少ない接着剤が好ましく、かつ、塗布量は必要最低限とすることが好ましい。接着性樹脂を用いることも可能であるし、何らかの表面改質によりダイレクトラミネーション、あるいはサンドラミネーションをすることも好ましく行われる。また、ラミネートする面の活性を上げるために、コロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、オゾン処理等の表面処理をしてもよい。
サンドラミネーションに用いるラミネーション用樹脂としては、エチレンアクリル酸またはメタクリル酸共重合体、エチレンアクリレートまたはメタアクリレート共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、変性マレイン酸共重合体などが用いられる。接着剤をアンカーコートしても構わないが、クリーン性の面から好ましいのは、アンカーコートをせず、酸成分等の分解が少ないポリエチレンを用いるサンドラミネーションである。
【００１９】
前記基材層１６としては、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等のポリエステルフィルム、二軸延伸ナイロンフィルム（ＯＮｙフィルム）、二軸延伸ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰフィルム）、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物フィルム（ＥＶＯＨフィルム）などが選択され、他の層を接着させる面にコロナ処理等を施すことでより良好な接着強度が得られる。
【００２０】
前記ガスバリア層１４としては、アルミニウム箔、または、金属あるいは金属化合物からなる薄膜層を設けたフィルムが使用される。薄膜形成材料としては、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、錫、チタン、亜鉛、ジルコニウム、カルシウム、ニッケル等から選択される酸化物、窒化物、フッ化物のうちのいずれか１種、あるいは２種以上の混合物が挙げられるが、その中で特に酸化アルミニウムあるいは酸化ケイ素が、透明性および酸素や水蒸気のガスバリア性に優れており、より好ましい。
【００２１】
アルミニウム箔の厚みは７〜１００μｍが好ましく、前記金属アルミニウム、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素などの薄膜層の厚みは１〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。これらの金属薄膜層は、通常の真空蒸着法により形成することができる。また、その他の薄膜形成方法であるスパッタリング法やイオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などを用いることも可能である。
【００２２】
また、前記ガスバリア層１４に代わって、金属あるいは金属化合物からなる薄膜層の上に、ラミネート後のガスバリア劣化を抑制するため、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層を設けてなるガスバリア層１８も好ましく用いられる。
【００２３】
ガスバリア層１８は、基材層１７の少なくとも片面に、薄膜層（Ａ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｂ層）とが順次積層されてなる構成や、あるいは、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも片面に、薄膜層（Ａ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｂ層）と、さらに、薄膜層（Ｃ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｄ層）とが順次積層されてなる構成を有する。
【００２４】
前記薄膜層（Ａ層およびＣ層）の薄膜形成材料としては、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、錫、チタン、亜鉛、ジルコニウム、カルシウム、ニッケル等から選択される金属、またはこれら金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちのいずれか一種、あるいは２種以上の混合物が挙げられる。透明性を考慮する場合には、無機化合物を用いることが好ましく、特に酸化アルミニウム、酸化ケイ素は蒸着膜単体での水蒸気、酸素等のガスバリア性に優れ、さらに高い透明性を有するために内容物の認識が可能となる点でより好ましい。また、薄膜層Ａ層およびＣ層に用いる薄膜形成材料は、それぞれ同じ材料でも異なる材料でも特に制限はなく、要求されるガスバリア性に応じてその組み合わせは特に限定されない。
【００２５】
前記薄膜層（Ａ層およびＣ層）を形成する方法としては種々存在するが、真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などの薄膜形成方法を用いることが可能である。特に真空蒸着法は生産効率の点から特に優れている。また、薄膜層と基材層の密着性および薄膜層の緻密性を向上させるために、プラズマアシスト法やイオンビームアシスト法を用いて蒸着することも可能である。また、蒸着の際に、酸素ガス等を吹き込む反応蒸着を行ってもよい。
【００２６】
薄膜層の厚みは、用いられる蒸着材料の種類等により最低条件が異なるが、１〜３００ｎｍの範囲であることが望ましい。より好ましくは５〜１００ｎｍの範囲にあることが望ましい。薄膜層の厚みが１ｎｍ未満であると、基材層の全面に製膜できないおそれがある。また、薄膜層の厚みが３００ｎｍを超える場合には薄膜にフレキシビリティを保持させることができず、外的要因により薄膜に亀裂を生じさせるおそれがあるために好ましくない。
【００２７】
被膜層（Ｂ層およびＤ層）の形成材料としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、デンプン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム等の水溶性高分子成分が挙げられる。特に、ポリビニルアルコール（ＰＶＤ）はガスバリア性に優れており、好ましい。ここでＰＶＤは、ポリ酢酸ビニルをけん化して得られるものである。
【００２８】
被膜層の厚みは、１００〜５０００ｎｍの範囲であることが好ましい。１００ｎｍ以下の場合には、塗膜が均一にならない恐れがあり、また５０００ｎｍを超える場合には膜にクラックを生じやすくなる。より好ましくは、乾燥後の被膜厚みが２００〜６００ｎｍの範囲にあることである。
【００２９】
さらに好ましくは、被膜層（Ｂ層およびＤ層）が、前記水溶性高分子と、１種類以上の金属アルコキシドおよびその金属アルコキシドから生成される加水分解物とを含む水溶液または水／アルコール混合溶液を主剤とするコーティング剤とからなる層であることが好ましい。
【００３０】
本発明のクリーンフィルムについて、定量的に規定した有機系総アウトガス量について説明を加える。
【００３１】
本発明のクリーンフィルムからの有機系総アウトガス量の測定方法を以下に述べる。
【００３２】
本発明のクリーンフィルムからの有機系総アウトガス量を測定するには、パージアンドトラップ・ガスクロマトグラフ質量分析装置（以下、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳとする）を用いることが好ましい。
【００３３】
サンプリングはクリーンフィルムをパージアンドトラップ用のガラスチューブの中央に納まる大きさに裁断することが好ましい。その際、重量を小数点以下４位ｍｇまで測定することが好ましい。サンプリングの際には、コンタミネーションを起こさぬよう注意を払う必要がある。まず、ＰＥ手袋またはＧＣ−ＭＳ用手袋を着用することが好ましい。次にカッティングマット上にサンプリングするクリーンフィルムと同構成のものを載せる。その上にサンプリングするフィルムを４つ折りにして載せる。枚葉の場合には３枚以上重ねる。さらに専用治具を用い、カッターでサンプリングすることが好ましい。治具および下敷きフィルムと接触しているサンプルは廃棄し、内側のサンプルのみ清浄なピンセットで取り出すことが好ましい。上記の作業をクリーンルームで実施することも好ましく行われる。
【００３４】
パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定の際に、使用するガラスチューブからコンタミネーションを起こさぬように、清浄なガラスチューブを使用することが好ましい。清浄化の方法としては、アセトンを入れたビーカー内にガラスチューブを入れ、超音波洗浄を３０分以上行う。次に、ガラスチューブを電気炉で５００℃、３時間加熱する。さらに、ガラスチューブに石英ウールを詰め、電気炉で３５０℃、２４時間加熱し、その後、ガラスチューブ両端にサンプルチューブキャップをする。さらに、アルミホイルでガラスチューブを一本づつくるむことが好ましい。
【００３５】
有機系総アウトガス量の定量は、上記方法でサンプリングしたサンプルをパージアンドトラップＧＣ−ＭＳで測定し、次いでトータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）からベースライン上昇分を除いたピーク面積をマニュアル積分し、そのピーク面積合計値をヘキサデカン換算にして定量することが好ましい。
【００３６】
ヘキサデカン検量線作成について、以下にその方法を述べる。まず、ヘキサデカン５０ｎｇ／μｌ程度のメタノール溶液を調製し、ヘキサデカン標準液を作成する。この際、ヘキサデカンの正確な重量を測定することが必要ある。
【００３７】
ヘキサデカン標準液は、例えばＴＥＮＡＸ ＴＡ１００ｍｇを充填したガラスチューブ（以下、ＴＥＮＡＸチューブとする）を用いて、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定することが好ましい。充填剤としては他に、ＴＥＮＡＸ ＧＲ、Ｃａｒｂｏｔｒａｐ等が用いられる。ＴＥＮＡＸチューブは測定前にコンディショニングすることが好ましい。その手順としては、Ｈｅガスによるパージを流量３０ｍｌ／ｍｉｎ．以上で３分以上行う。コンディショニングを行ったＴＥＮＡＸチューブにヘキサデカン標準液をゼロデッドポリュームシリンジに１μｌ取り、ＴＥＮＡＸチューブのＧＣ−ＭＳ測定時にＧＣ注入口に近い端からＴＥＮＡＸ中に打ち込み、パージアンドトラップ装置に取り付け、ＧＣ−ＭＳ測定を行う。検量線は横軸にヘキサデカン重量、縦軸にピーク面積を取って作成する。精度向上のため、多点検量線を作成することも好ましく行われる。
【００３８】
ヘキサデカン検量線より得られた有機系総アウトガス量は、クリーンフィルム１ｃｍ２当たりの量に計算する。
クリーンフィルム１ｃｍ２当たりのアウトガス量（ｎｇ／ｃｍ２）＝測定したサンプルのアウトガス量（ｎｇ）／サンプルの面積（ｃｍ２）
【００３９】
環状シロキサン量は、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳで測定したとき、ＴＩＣにおいて環状シロキサン３量体（Ｄ３）から環状シロキサン８量体（Ｄ８）までのピーク面積をマニュアル積分で計算し、その合計値を求め、シロキサン６量体（Ｄ６）換算にして定量することが好ましい。炭化水素ピークが大きく環状シロキサンピークの確認が困難である場合には、質量電荷比ｍ／ｚ＝２０７（Ｄ３）、２８１（環状シロキサン４量体（Ｄ４）、環状シロキサン７量体（Ｄ７））、３４１（環状シロキサン５量体（Ｄ５）、Ｄ８）、３５５（Ｄ６）を指標として確認することが好ましい。シロキサン６量体より検量線を作成し、環状シロキサン合計値が２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることが好ましい。
【００４０】
環状シロキサン量についても、シロキサン６量体標準物質で検量線を作成し、同様の方法で算出する。なお、ヘキサデカン、シロキサン６量体は夾雑物がなく、純度の高い試薬を使用することが好ましい。
【００４１】
パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定におけるコンタミネーション把握のため、サンプル測定の前には、ガラスチューブのみにブランク測定を行うことが好ましく、ＴＥＮＡＸチューブを使用するときも、標準液を打ち込む前にブランク測定を行うことが好ましい。ブランクの測定値が環状シロキサンで０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることが好ましい。ブランク測定し、上記環状シロキサンが０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを確認した後、同一チューブにサンプルを入れて測定することが好ましい。
【００４２】
実験室環境のコンタミネーションがある場合には、サンプルあるいは標準液測定の前に、プレ測定を行うことが好ましい。プレ測定は以下の手順で行う。パージアンドトラップＧＣ−ＭＳで一度プレ測定した後、パージアンドトラップ装置内を大気開放せずに同一チューブで本測定を行う。
【００４３】
パージアンドトラップの加熱脱着温度条件はサンプル本測定の場合は８０℃、１０分、標準液の場合には２５０℃、１０分であることが好ましい。コールドトラップ温度は、−１３５℃以下であることが好ましい。プレ測定の場合は、パージアンドトラップの加熱脱着温度条件はサンプル、標準液で３０℃、１０分のように設定可能な最低条件で構わない。また、サンプルのアウトガスをＴＥＮＡＸ等の充填剤やポリジメチルシロキサンをコーティングしたガラスキューブに吸着させた後にパージアンドトラップＧＣ−ＭＳ内で脱着させてもよい。
【００４４】
ＧＣ−ＭＳの温度条件はサンプル測定の場合は、初期温度４０℃、５分保持、昇温速度５℃／ｍｉｎ．、最高温度３００℃、５分保持とすることが好ましい。また、標準的なＧＣ−ＭＳ測定条件としては、イオン化法は電子衝撃法（ＥＩ）、イオン化電圧は７０ｅＶ、イオン源温度は２３０℃、四重極温度は１５０℃、マスレンジは４５〜５５０であり、ＳＣＡＮ測定が好ましく、データ取り込みは細かく行うことが好ましい。使用カラムは５％Ｐｈｅｎｙｌ、９５％Ｐｏｌｙ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ｓｉｌｏｘａｎｅ、長さ３０ｍ×直径０．２５ｍｍｉｄ×液相厚み０．２５μｍが好ましく用いられる。
【００４５】
以下、本発明の実施例を示すが、本発明の技術範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４６】
無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）を原料とし、キャスト法によりフィルム（厚み９０μｍ）を得た。
この後、得られたフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例１の包装袋を得た。
なお、押出成形および製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例２】
【００４７】
インフレーション法により、シーラント側から無添加ＬＤＰＥ（ＭＩ＝０．８）樹脂（厚さ８０μｍ）、接着性樹脂、Ｎｙ（厚み２５μｍ）の順に積層した。このとき、ＬＤＰＥ層は樹脂温度１７０℃で押し出し、クリーンエアを吹き込んだ。
得られたチューブ状の積層体をライン上で折り込み、耳切りをせず、帯状のクリーンフィルムを得た。
該フィルムを、内寸２５×３５ｃｍの底シールの袋状に貼り合わせ、実施例２の包装袋を得た。なお、製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例３】
【００４８】
インフレーション法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝０．８）からなる厚さ４０μｍのチューブ状シーラントを得た。該シーラントの外表面と、ＰＥＴフィルム（厚み１２μｍ）、接着剤、Ａｌ箔（厚み７μｍ）の順に積層してなる積層体とをＡｌ箔面が接着面となるように接着剤により貼り合わせ、クリーンフィルムを得た。
該クリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例３の包装袋を得た。なお、製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例４】
【００４９】
ドライラミネーション加工により、ＰＥＴ（厚み１２μｍ）、接着剤、ケイ素酸化物薄膜層を有するＰＥＴ（厚み１２μｍ）の順に積層してなるフィルムを得た。さらに、該ケイ素酸化物薄膜層を有するＰＥＴ層上に接着剤を積層し、さらにキャスト法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）（厚み８０μｍ）を積層し、クリーンフィルムを得た。
該クリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例４の包装袋を得た。なお、ドライラミネーション加工、押出加工、製袋加工はクラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例５】
【００５０】
インフレーション法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝１．０）からなる厚さ９０μｍのフィルムを得た。このとき、樹脂温度１６０℃で押し出し、クリーンエアを吹き込むことにより得られたチューブ状のシーラントをライン上で織り込み、耳切りをせず、内面層が密着した帯状のシーラントとした。
また、ドライラミネーション加工により、Ａｌ箔（厚み７μｍ）、接着剤、延伸Ｎｙ（厚み２５μｍ）、接着剤、Ａｌ薄膜層を有するＰＥＴ（１２μｍ）の順に積層してなるフィルムを得た。
次に、ドライラミネーション加工により、該シーラント、接着剤、該積層フィルムの順に積層し、クリーンフィルムを得た。この際、該積層フィルムのＡｌ薄膜層を有するＰＥＴ層面とシーラントとが密着するように貼り合せた。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、実施例５の包装袋を得た。
【実施例６】
【００５１】
基材１７として、厚さ１２μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルムの片面に、電子線加熱方式による真空蒸着装置により、金属アルミニウムを蒸発させ、そこに酸素ガスを導入し、厚さ１５ｎｍの酸化アルミニウムを蒸着して薄膜層（Ａ層）を形成した。次いで、下記組成からなるコーティング剤をグラビアコート法により塗布し、その後１２０℃、１分間乾燥させ、厚さ４００ｎｍの被膜層（Ｂ層）を形成した。さらに、該被膜層上に電子線加熱方式による真空蒸着装置により、金属アルミニウムを蒸発させ、そこに酸素ガスを導入し、厚さ１５ｎｍの酸化アルミニウムを蒸着して薄膜層（Ｃ層）を形成した。さらに、該薄膜層上に下記組成からなるコーティング剤をグラビアコート法により塗布し、その後１２０℃、１分間乾燥させ、厚さ３５０ｎｍの被膜層（Ｄ層）を形成した。
【００５２】
被膜層（Ｂ層およびＤ層）を形成するコーティング剤の組成は、下記に示す（イ）液と（ロ）液とを配合比（ｗｔ％）で６５／３５に混合したものである。
（イ）液：テトラエトキシシラン１０．４ｇに塩酸（０．１Ｎ）８９．６ｇを加え、３０分間撹拌し、加水分解させた固形分３ｗｔ％（ＳｉＯ２換算）の加水分解溶液。
（ロ）液：ポリビニルアルコールの３ｗｔ％水／イソプロピルアルコール溶液（水：イソプロピルアルコール＝９０：１０（重量比））
【００５３】
また、インフレーション法により、厚み８０μｍのＰＥよりなるシーラントを得た。
【００５４】
被膜層（Ｄ層）上にＯＮｙフィルム（２５μｍ）を接着剤層を介してラミネートし、ＰＥＴ基材上に接着剤を介してシーラントをラミネートし、図３（ｄ）に示す実施例６のクリーンフィルムを得た。
【００５５】
＜比較例１＞
ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）を原料とし、キャスト法によりシーラント（厚み９０μｍ）を得た。得られたシーラントをドライラミネーション加工により、外面からＮｙフィルム（２５μｍ）、接着剤層、該ＬＤＰＥフィルム層の順に積層してなるクリーンフィルムを得た。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、比較例１の包装袋を得た。なお、押出成形および製袋加工は一般環境下で行った。
【００５６】
＜比較例２＞
シングルサイト系ＬＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．５）を原料とし、キャスト法によりシーラント（厚み８０μｍ）を得た。得られたシーラントをドライラミネーション加工により、外面からＮｙフィルム（２５μｍ）、接着剤層、該ＬＬＤＰＥフィルムの順に積層してなるクリーンフィルムを得た。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、比較例２の包装袋を得た。なお、押出成形および製袋加工は一般環境下で行った。
【００５７】
実施例１〜６、比較例１〜２の包装袋についてパージアンドドラップＧＣ−ＭＳ測定用のガラスチューブに納まるよう２×１２ｍｍの大きさに裁断し、重量を小数点以下４位ｍｇまで測定した。ガラスチューブは清浄化したものを用いた。清浄化の方法は前記した通りに行った。まず、ガラスチューブのみのブランク測定を行った。ＧＣ−ＭＳ測定条件としては、イオン化法はＥＩ、イオン化電圧は７０ｅＶ、イオン源温度は２３０℃、四重極温度は１５０℃、マスレンジは４５〜５５０であり、ＳＣＡＮ測定で行った。使用カラムは、５％Ｐｈｅｎｙｌ、９５％Ｐｏｌｙ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ｓｉｏｘａｎｅ、長さ３０ｍ×直径０．２５ｍｍ・ｄ×液相厚み０．２５μｍのものを用いた。ＧＣ−ＭＳ温度条件は、初期温度４０℃、５分保持、昇温温度は５℃／分、最高温度３００℃、５分保持とした。パージアンドトラップ加熱脱着温度条件は８０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ブランクの測定値が環状シロキサンにおいて０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを確認した後、同一チューブにサンプルを入れ、次にサンプルの測定を行った。パージアンドトラップ加熱脱着温度条件は８０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は、上記のブランク測定と同様とした。
有機系総アウトガスに関しては、得られたＴＩＣのベースライン上昇分を除いた部分のピーク面積をマニュアル積分し、ピーク面積合計値を求めた。環状シロキサンに関しては、ＴＩＣ上において環状シロキサン３量体（Ｄ３）〜環状シロキサン８量体（Ｄ８）までのピーク面積をマニュアル積分で計算し、その合計値を求めた。
【００５８】
次に検量線作成のため、標準物質を測定した。有機系総アウトガスに関しては、ヘキサデカン５０ｎｇ／μｌのメタノール溶液、環状シロキサンに関しては、シロキサン６量体５０ｎｇ／μｌのメタノール溶液を調整した。次にコンディショニングを行ったＴＥＮＡＸチューブのブランク測定を行った。パージアンドトラップの加熱脱着温度条件は２５０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は上記のブランク本測定と同様とした。各標準液をゼロデッドポリュームシリンジに１μｌ取り、ブランク測定をした同一ＴＥＮＡＸチューブのＧＣ注入口に近い側からＴＥＮＡＸ中に打ち込み、Ｈｅガスで３０ｍｌ／ｍｉｎ．、３分パージした後、パージアンドトラップ装置に取り付け、ＧＣ−ＭＳ測定を行った。パージアンドトラップの加熱脱着温度条件は２５０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は上記のブランク測定と同様とした。
検量線は、横軸にヘキサデカン重量またはシロキサン６量体重量、縦軸にピーク面積を取って作成した。ヘキサデカン検量線を用いて、有機系総アウトガスのピーク面積合計値から有機系総アウトガス量（ｎｇ）を、シロキサン６量体検量線を用いて、サンプルより測定した環状シロキサンのピーク面積合計値から環状シロキサン量（ｎｇ）を算出し、サンプルの片面の面積で割ることでクリーンフィルム１ｃｍ２当たりに換算して、有機系総アウトガス量（ｎｇ／ｃｍ２）および環状シロキサン量（ｎｇ／ｃｍ２）を求めた。結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】
また、比較例１および２の包装袋は、ＨＤメディア回転時の熱でシリカが発生し、磁気ヘッドとＨＤメディアとの間に挟まることでディスククラッシュする恐れが生じた。これは、環状シロキサン量が多いためであると考えられる。
一方、実施例１〜６の包装袋は、アウトガスが非常に少なく、クリーン性が高いことが判明した。このことは、表１に示す結果からも明らかなように、実施例１〜６の包装袋が、有機系総アウトガス量が１５００ｎｇ／ｃｍ２未満、環状シロキサン量は２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であるという特徴を有するためであることが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】シーラントの巻取りの一例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）はシーラントのＡ−Ａ’面の側断面図の一例であり、（ｂ）はチューブ状シーラントのＡ−Ａ’面の側断面図の一例である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明におけるクリーンフィルムの側断面図の一例である。
【符号の説明】
【００６２】
１０ シーラントの巻取り
１１、１２ シーラント
１３、１５ 接着剤層
１４、１８ ガスバリア層
１６、１７ 基材層
Ａ層 薄膜層
Ｂ層 被膜層
Ｃ層 薄膜層
Ｄ層 被膜層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塵・埃等の付着、ハロゲンイオンをはじめとする化学物質の付着を極端に嫌う、シリコンウエハー、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品、コンピューター周辺装置の記憶装置であるＦＤＤ、光磁気ディスクドライブ、ＨＤＤ、ＭＲ（磁気抵抗効果式）ヘッド等、メモリ媒体であるＦＤ、ＨＤ等の電子部品等の包装袋に好適に使用されるものである。さらに詳しくは、内容物に接触する可能性があるシーラントフィルム層からの揮発性成分が定量的に少ない包装袋に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハー、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品、コンピューター周辺装置の記憶装置であるＦＤＤ、光磁気ディスクドライブ、ＨＤＤ、ＭＲ（磁気抵抗効果式）ヘッド等、メモリ媒体であるＦＤ、ＨＤ等の電子部品は、極微小、極微量の汚染物で腐食、動作不良等の障害が起こる。
【０００３】
ＨＤＤを例に挙げると、上記汚染物質は（１）腐食の原因となるイオン性物質、（２）ヘッド−ディスク間に侵入して、記録再生面の損傷原因となる塵埃、（３）液滴飛散ないし表面移動により、ヘッド−ディスク間に侵入して製品粘着原因となる不揮発性残渣、（４）凝縮、吸着、固体化などによりヘッドに付着して浮上性に影響を及ぼしたり、ヘッド−ディスク間に凝縮して粘着原因となる有機系アウトガスに分けられる。（１）〜（４）に加え、ディスク障害につながるため、Ｓｎ、Ｓｉは禁忌物質として知られている。
【０００４】
（４）の有機系アウトガスに関して、さらに詳しく述べる。アウトガスはＤＥ（ディスク・エンクロージャー）内各種構成部品より発生するガスの総称であり、有機物系と無機物系に大別できるが、有機系のガスを示す場合が多い。アウトガスはＨＤＤの信頼性に大きく関与しており、材料選定や加工後の加熱処理および超精密洗浄等をすることで低減対策となる。アウトガス物質とされているものの中で、シロキサン化合物、トリブチルスズ化合物等は、ヘッド表面に固着し、ヘッド・クラッシュの原因となる。炭水化物、メタクリレート系モノマー、ＤＯＰ（ディオクチルフタレート）等の可塑剤や酸化防止剤であるフェノール系物質等は、ヘッドと媒体の吸着障害の原因となる。有機酸はヘッドのコア材やコイル部および磁気媒体の磁性膜腐食の原因となる。
このような汚染物で製品が汚染されることをコンタミネーションというが、極微小、極微量の汚染物が故障原因となるため、通常のコンタミネーションと区別する意味でマイクロコンタミネーションとも呼ばれている。
【０００５】
ＨＤＤのみならずこのような電子部品を梱包する包装袋については、内容物に悪影響を及ぼさないよう、汚染物を可能な限り少なくし、マイクロコンタミネーションを制御することが求められる。しかし、クリーンフィルムおよびクリーン包装袋と呼ばれる包装材料は、広く世の中に流布しているものの、その評価方法としてよく実施されている方法は、清浄なＨＤＤ媒体等に包材を密着させ、包材から転写された物質を基盤検査機あるいは、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）、蛍光Ｘ線分析等の表面分析により評価する方法であり、この方法では包材だけのクリーン度が測定できず、また、清浄な媒体等は入手困難なものである。また、アウトガス測定方法については、ＨＤＤ媒体等の加熱装置を包材評価に転用し、パージアンドトラップガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ−ＭＳ）する方法があるが、分析自体が煩雑である。このように、包材のクリーン度評価方法の規定およびクリーン性を定量的に規定した包材はほとんどないのが現状である。
【特許文献１】特開２００４−１０８９６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の課題を考慮してなされたもので、有機系アウトガスが少ないことを定量的に示したクリーンフィルムおよび、そのクリーンフィルムよりなる包装袋を提供するものである。また、前記包装袋を用いて電子部品を包装した包装体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量が、ヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量が、シロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルムである。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記シーラント層の厚みが１２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のクリーンフィルムである。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記ポリオレフィン樹脂において、メルトインデックス（ＭＩ）が０．１から２０（ｇ／１０分・１９０℃）の低密度ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のクリーンフィルムである。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記シーラント層の少なくとも片側に、ガスバリア層および／または基材層を積層した多層構造を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のクリーンフィルムである。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかに記載のクリーンフィルムよりなることを特徴とする包装袋である。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のクリーンフィルムおよび、そのクリーンフィルムよりなる包装袋は、包装袋からのアウトガスが少なく、最高水準のクリーン性を有するものである。また、ＨＤＤをはじめとする電子部品の梱包に最適であり、最高水準のクリーン性を有する電子部品包装体とすることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明のクリーンフィルムを形成するシーラントの巻取１０の斜視図であり、図２（ａ）はキャスト法で成膜して巻き取った本発明のクリーンフィルムを形成するシーラント１１のＡ−Ａ’面の側断面図であり、図２（ｂ）はインフレーション法で樹脂をチューブ状に押出し、押出したチューブ状シーラント内にクリーンエアを吹き込み、チューブ状シーラントの両端を製造ライン上で耳切りをせず、帯状で巻き取った本発明のクリーンフィルムを形成するシーラント１２Ａ−Ａ’面の側断面図である。
【００１５】
本発明のクリーンフィルムを形成するシーラントは、共押出し構成とすることも好ましく行われる。つまり、要求されるシーラントの厚みが厚い場合、２層以上の共押出し構成とすることも可能である。例えば、シーラントの厚みとして９０μｍ必要である場合、加工方法によっては単層で９０μｍの厚さが得られない場合がある。そのようなときには、４５μｍ、４５μｍの２層共押出し構成としてもよいし、３０μｍ、３０μｍ、３０μｍの３層共押出し構成としてもよい。
共押出し構成の場合に用いる樹脂は、必ずしも同じ樹脂である必要はなく、十分な層間強度が得られるような樹脂を選択する必要がある。
【００１６】
前記シーラント１１、１２に用いる樹脂としては、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）などのポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどの単独重合体や、エチレン、プロピレン、ブテン、メチルペンテンなどのオレフィンから選ばれる２種以上のモノマーの共重合体、例えばエチレン−プロピレン共重合体等が挙げられ、これらの２種以上の混合物を用いることも可能であり、また、ある種の官能基を導入したグラフトポリマー、例えば無水マレイン酸グラフトポリプロピレンのような樹脂、エチレン−α、β不飽和カルボン酸共重合体を主骨格とするエチレン系共重合体を用いることも可能であるが、クリーン性の面からはメルトインデックス（ＭＩ）＝０．１〜２０（ｇ／１０分・１９０℃）で、かつ酸化防止剤、アンチブロッキング剤、滑剤等の添加剤を含まないＬＤＰＥが最適である。前記ＬＤＰＥのメルトインデックス（ＭＩ）が０．１〜２０（ｇ／１０分・１９０℃）が好ましいとするのは、メルトインデックス（ＭＩ）の低い樹脂を用いた方が、低分子量成分が少ないため成形時の熱安定性に優れ、クリーン性が高い積層材料が得られるためである。
【００１７】
図３（ａ）は、前記シーラント１１の片面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の断面図であり、シーラント１１、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｂ）は、前記シーラントの片面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の断面図であり、クリーンフィルム１２、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｃ）は、前記シーラント１２の両面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の側断面図であり、シーラント１２の両面にそれぞれ、接着剤層１３、ガスバリア層１４、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。また、図３（ｄ）は、前記シーラント１２の両面に接着剤層を介して、ガスバリア層、基材層を積層した積層体の側断面図であり、シーラント１２の両面にそれぞれ、接着剤層１３、ガスバリア層１８、接着剤層１５、基材層１６が順次積層されている。
【００１８】
前記接着層１３、１５に用いる接着剤としては、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、および、それらを主体とした混合物などが一般的に用いられるが、Ｓｎ化合物およびＳｉ化合物を含有せず、溶出成分の少ない接着剤が好ましく、かつ、塗布量は必要最低限とすることが好ましい。接着性樹脂を用いることも可能であるし、何らかの表面改質によりダイレクトラミネーション、あるいはサンドラミネーションをすることも好ましく行われる。また、ラミネートする面の活性を上げるために、コロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、オゾン処理等の表面処理をしてもよい。
サンドラミネーションに用いるラミネーション用樹脂としては、エチレンアクリル酸またはメタクリル酸共重合体、エチレンアクリレートまたはメタアクリレート共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、変性マレイン酸共重合体などが用いられる。接着剤をアンカーコートしても構わないが、クリーン性の面から好ましいのは、アンカーコートをせず、酸成分等の分解が少ないポリエチレンを用いるサンドラミネーションである。
【００１９】
前記基材層１６としては、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等のポリエステルフィルム、二軸延伸ナイロンフィルム（ＯＮｙフィルム）、二軸延伸ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰフィルム）、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物フィルム（ＥＶＯＨフィルム）などが選択され、他の層を接着させる面にコロナ処理等を施すことでより良好な接着強度が得られる。
【００２０】
前記ガスバリア層１４としては、アルミニウム箔、または、金属あるいは金属化合物からなる薄膜層を設けたフィルムが使用される。薄膜形成材料としては、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、錫、チタン、亜鉛、ジルコニウム、カルシウム、ニッケル等から選択される酸化物、窒化物、フッ化物のうちのいずれか１種、あるいは２種以上の混合物が挙げられるが、その中で特に酸化アルミニウムあるいは酸化ケイ素が、透明性および酸素や水蒸気のガスバリア性に優れており、より好ましい。
【００２１】
アルミニウム箔の厚みは７〜１００μｍが好ましく、前記金属アルミニウム、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素などの薄膜層の厚みは１〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。これらの金属薄膜層は、通常の真空蒸着法により形成することができる。また、その他の薄膜形成方法であるスパッタリング法やイオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などを用いることも可能である。
【００２２】
また、前記ガスバリア層１４に代わって、金属あるいは金属化合物からなる薄膜層の上に、ラミネート後のガスバリア劣化を抑制するため、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層を設けてなるガスバリア層１８も好ましく用いられる。
【００２３】
ガスバリア層１８は、基材層１７の少なくとも片面に、薄膜層（Ａ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｂ層）とが順次積層されてなる構成や、あるいは、熱可塑性樹脂からなる基材の少なくとも片面に、薄膜層（Ａ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｂ層）と、さらに、薄膜層（Ｃ層）と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布し加熱乾燥してなる被膜層（Ｄ層）とが順次積層されてなる構成を有する。
【００２４】
前記薄膜層（Ａ層およびＣ層）の薄膜形成材料としては、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、錫、チタン、亜鉛、ジルコニウム、カルシウム、ニッケル等から選択される金属、またはこれら金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちのいずれか一種、あるいは２種以上の混合物が挙げられる。透明性を考慮する場合には、無機化合物を用いることが好ましく、特に酸化アルミニウム、酸化ケイ素は蒸着膜単体での水蒸気、酸素等のガスバリア性に優れ、さらに高い透明性を有するために内容物の認識が可能となる点でより好ましい。また、薄膜層Ａ層およびＣ層に用いる薄膜形成材料は、それぞれ同じ材料でも異なる材料でも特に制限はなく、要求されるガスバリア性に応じてその組み合わせは特に限定されない。
【００２５】
前記薄膜層（Ａ層およびＣ層）を形成する方法としては種々存在するが、真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＣＶＤ）などの薄膜形成方法を用いることが可能である。特に真空蒸着法は生産効率の点から特に優れている。また、薄膜層と基材層の密着性および薄膜層の緻密性を向上させるために、プラズマアシスト法やイオンビームアシスト法を用いて蒸着することも可能である。また、蒸着の際に、酸素ガス等を吹き込む反応蒸着を行ってもよい。
【００２６】
薄膜層の厚みは、用いられる蒸着材料の種類等により最低条件が異なるが、１〜３００ｎｍの範囲であることが望ましい。より好ましくは５〜１００ｎｍの範囲にあることが望ましい。薄膜層の厚みが１ｎｍ未満であると、基材層の全面に製膜できないおそれがある。また、薄膜層の厚みが３００ｎｍを超える場合には薄膜にフレキシビリティを保持させることができず、外的要因により薄膜に亀裂を生じさせるおそれがあるために好ましくない。
【００２７】
被膜層（Ｂ層およびＤ層）の形成材料としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、デンプン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウム等の水溶性高分子成分が挙げられる。特に、ポリビニルアルコール（ＰＶＤ）はガスバリア性に優れており、好ましい。ここでＰＶＤは、ポリ酢酸ビニルをけん化して得られるものである。
【００２８】
被膜層の厚みは、１００〜５０００ｎｍの範囲であることが好ましい。１００ｎｍ以下の場合には、塗膜が均一にならない恐れがあり、また５０００ｎｍを超える場合には膜にクラックを生じやすくなる。より好ましくは、乾燥後の被膜厚みが２００〜６００ｎｍの範囲にあることである。
【００２９】
さらに好ましくは、被膜層（Ｂ層およびＤ層）が、前記水溶性高分子と、１種類以上の金属アルコキシドおよびその金属アルコキシドから生成される加水分解物とを含む水溶液または水／アルコール混合溶液を主剤とするコーティング剤とからなる層であることが好ましい。
【００３０】
本発明のクリーンフィルムについて、定量的に規定した有機系総アウトガス量について説明を加える。
【００３１】
本発明のクリーンフィルムからの有機系総アウトガス量の測定方法を以下に述べる。
【００３２】
本発明のクリーンフィルムからの有機系総アウトガス量を測定するには、パージアンドトラップ・ガスクロマトグラフ質量分析装置（以下、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳとする）を用いることが好ましい。
【００３３】
サンプリングはクリーンフィルムをパージアンドトラップ用のガラスチューブの中央に納まる大きさに裁断することが好ましい。その際、重量を小数点以下４位ｍｇまで測定することが好ましい。サンプリングの際には、コンタミネーションを起こさぬよう注意を払う必要がある。まず、ＰＥ手袋またはＧＣ−ＭＳ用手袋を着用することが好ましい。次にカッティングマット上にサンプリングするクリーンフィルムと同構成のものを載せる。その上にサンプリングするフィルムを４つ折りにして載せる。枚葉の場合には３枚以上重ねる。さらに専用治具を用い、カッターでサンプリングすることが好ましい。治具および下敷きフィルムと接触しているサンプルは廃棄し、内側のサンプルのみ清浄なピンセットで取り出すことが好ましい。上記の作業をクリーンルームで実施することも好ましく行われる。
【００３４】
パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定の際に、使用するガラスチューブからコンタミネーションを起こさぬように、清浄なガラスチューブを使用することが好ましい。清浄化の方法としては、アセトンを入れたビーカー内にガラスチューブを入れ、超音波洗浄を３０分以上行う。次に、ガラスチューブを電気炉で５００℃、３時間加熱する。さらに、ガラスチューブに石英ウールを詰め、電気炉で３５０℃、２４時間加熱し、その後、ガラスチューブ両端にサンプルチューブキャップをする。さらに、アルミホイルでガラスチューブを一本づつくるむことが好ましい。
【００３５】
有機系総アウトガス量の定量は、上記方法でサンプリングしたサンプルをパージアンドトラップＧＣ−ＭＳで測定し、次いでトータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）からベースライン上昇分を除いたピーク面積をマニュアル積分し、そのピーク面積合計値をヘキサデカン換算にして定量することが好ましい。
【００３６】
ヘキサデカン検量線作成について、以下にその方法を述べる。まず、ヘキサデカン５０ｎｇ／μｌ程度のメタノール溶液を調製し、ヘキサデカン標準液を作成する。この際、ヘキサデカンの正確な重量を測定することが必要ある。
【００３７】
ヘキサデカン標準液は、例えばＴＥＮＡＸ ＴＡ１００ｍｇを充填したガラスチューブ（以下、ＴＥＮＡＸチューブとする）を用いて、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定することが好ましい。充填剤としては他に、ＴＥＮＡＸ ＧＲ、Ｃａｒｂｏｔｒａｐ等が用いられる。ＴＥＮＡＸチューブは測定前にコンディショニングすることが好ましい。その手順としては、Ｈｅガスによるパージを流量３０ｍｌ／ｍｉｎ．以上で３分以上行う。コンディショニングを行ったＴＥＮＡＸチューブにヘキサデカン標準液をゼロデッドポリュームシリンジに１μｌ取り、ＴＥＮＡＸチューブのＧＣ−ＭＳ測定時にＧＣ注入口に近い端からＴＥＮＡＸ中に打ち込み、パージアンドトラップ装置に取り付け、ＧＣ−ＭＳ測定を行う。検量線は横軸にヘキサデカン重量、縦軸にピーク面積を取って作成する。精度向上のため、多点検量線を作成することも好ましく行われる。
【００３８】
ヘキサデカン検量線より得られた有機系総アウトガス量は、クリーンフィルム１ｃｍ２当たりの量に計算する。
クリーンフィルム１ｃｍ２当たりのアウトガス量（ｎｇ／ｃｍ２）＝測定したサンプルのアウトガス量（ｎｇ）／サンプルの面積（ｃｍ２）
【００３９】
環状シロキサン量は、パージアンドトラップＧＣ−ＭＳで測定したとき、ＴＩＣにおいて環状シロキサン３量体（Ｄ３）から環状シロキサン８量体（Ｄ８）までのピーク面積をマニュアル積分で計算し、その合計値を求め、シロキサン６量体（Ｄ６）換算にして定量することが好ましい。炭化水素ピークが大きく環状シロキサンピークの確認が困難である場合には、質量電荷比ｍ／ｚ＝２０７（Ｄ３）、２８１（環状シロキサン４量体（Ｄ４）、環状シロキサン７量体（Ｄ７））、３４１（環状シロキサン５量体（Ｄ５）、Ｄ８）、３５５（Ｄ６）を指標として確認することが好ましい。シロキサン６量体より検量線を作成し、環状シロキサン合計値が２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることが好ましい。
【００４０】
環状シロキサン量についても、シロキサン６量体標準物質で検量線を作成し、同様の方法で算出する。なお、ヘキサデカン、シロキサン６量体は夾雑物がなく、純度の高い試薬を使用することが好ましい。
【００４１】
パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ測定におけるコンタミネーション把握のため、サンプル測定の前には、ガラスチューブのみにブランク測定を行うことが好ましく、ＴＥＮＡＸチューブを使用するときも、標準液を打ち込む前にブランク測定を行うことが好ましい。ブランクの測定値が環状シロキサンで０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることが好ましい。ブランク測定し、上記環状シロキサンが０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを確認した後、同一チューブにサンプルを入れて測定することが好ましい。
【００４２】
実験室環境のコンタミネーションがある場合には、サンプルあるいは標準液測定の前に、プレ測定を行うことが好ましい。プレ測定は以下の手順で行う。パージアンドトラップＧＣ−ＭＳで一度プレ測定した後、パージアンドトラップ装置内を大気開放せずに同一チューブで本測定を行う。
【００４３】
パージアンドトラップの加熱脱着温度条件はサンプル本測定の場合は８０℃、１０分、標準液の場合には２５０℃、１０分であることが好ましい。コールドトラップ温度は、−１３５℃以下であることが好ましい。プレ測定の場合は、パージアンドトラップの加熱脱着温度条件はサンプル、標準液で３０℃、１０分のように設定可能な最低条件で構わない。また、サンプルのアウトガスをＴＥＮＡＸ等の充填剤やポリジメチルシロキサンをコーティングしたガラスキューブに吸着させた後にパージアンドトラップＧＣ−ＭＳ内で脱着させてもよい。
【００４４】
ＧＣ−ＭＳの温度条件はサンプル測定の場合は、初期温度４０℃、５分保持、昇温速度５℃／ｍｉｎ．、最高温度３００℃、５分保持とすることが好ましい。また、標準的なＧＣ−ＭＳ測定条件としては、イオン化法は電子衝撃法（ＥＩ）、イオン化電圧は７０ｅＶ、イオン源温度は２３０℃、四重極温度は１５０℃、マスレンジは４５〜５５０であり、ＳＣＡＮ測定が好ましく、データ取り込みは細かく行うことが好ましい。使用カラムは５％Ｐｈｅｎｙｌ、９５％Ｐｏｌｙ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ｓｉｌｏｘａｎｅ、長さ３０ｍ×直径０．２５ｍｍｉｄ×液相厚み０．２５μｍが好ましく用いられる。
【００４５】
以下、本発明の実施例を示すが、本発明の技術範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４６】
無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）を原料とし、キャスト法によりフィルム（厚み９０μｍ）を得た。
この後、得られたフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例１の包装袋を得た。
なお、押出成形および製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例２】
【００４７】
インフレーション法により、シーラント側から無添加ＬＤＰＥ（ＭＩ＝０．８）樹脂（厚さ８０μｍ）、接着性樹脂、Ｎｙ（厚み２５μｍ）の順に積層した。このとき、ＬＤＰＥ層は樹脂温度１７０℃で押し出し、クリーンエアを吹き込んだ。
得られたチューブ状の積層体をライン上で折り込み、耳切りをせず、帯状のクリーンフィルムを得た。
該フィルムを、内寸２５×３５ｃｍの底シールの袋状に貼り合わせ、実施例２の包装袋を得た。なお、製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例３】
【００４８】
インフレーション法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝０．８）からなる厚さ４０μｍのチューブ状シーラントを得た。該シーラントの外表面と、ＰＥＴフィルム（厚み１２μｍ）、接着剤、Ａｌ箔（厚み７μｍ）の順に積層してなる積層体とをＡｌ箔面が接着面となるように接着剤により貼り合わせ、クリーンフィルムを得た。
該クリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例３の包装袋を得た。なお、製袋加工は、クラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例４】
【００４９】
ドライラミネーション加工により、ＰＥＴ（厚み１２μｍ）、接着剤、ケイ素酸化物薄膜層を有するＰＥＴ（厚み１２μｍ）の順に積層してなるフィルムを得た。さらに、該ケイ素酸化物薄膜層を有するＰＥＴ層上に接着剤を積層し、さらにキャスト法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）（厚み８０μｍ）を積層し、クリーンフィルムを得た。
該クリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合わせ、実施例４の包装袋を得た。なお、ドライラミネーション加工、押出加工、製袋加工はクラス１００００以下のクリーン環境下で行った。
【実施例５】
【００５０】
インフレーション法により、無添加ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝１．０）からなる厚さ９０μｍのフィルムを得た。このとき、樹脂温度１６０℃で押し出し、クリーンエアを吹き込むことにより得られたチューブ状のシーラントをライン上で織り込み、耳切りをせず、内面層が密着した帯状のシーラントとした。
また、ドライラミネーション加工により、Ａｌ箔（厚み７μｍ）、接着剤、延伸Ｎｙ（厚み２５μｍ）、接着剤、Ａｌ薄膜層を有するＰＥＴ（１２μｍ）の順に積層してなるフィルムを得た。
次に、ドライラミネーション加工により、該シーラント、接着剤、該積層フィルムの順に積層し、クリーンフィルムを得た。この際、該積層フィルムのＡｌ薄膜層を有するＰＥＴ層面とシーラントとが密着するように貼り合せた。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、実施例５の包装袋を得た。
【実施例６】
【００５１】
基材１７として、厚さ１２μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルムの片面に、電子線加熱方式による真空蒸着装置により、金属アルミニウムを蒸発させ、そこに酸素ガスを導入し、厚さ１５ｎｍの酸化アルミニウムを蒸着して薄膜層（Ａ層）を形成した。次いで、下記組成からなるコーティング剤をグラビアコート法により塗布し、その後１２０℃、１分間乾燥させ、厚さ４００ｎｍの被膜層（Ｂ層）を形成した。さらに、該被膜層上に電子線加熱方式による真空蒸着装置により、金属アルミニウムを蒸発させ、そこに酸素ガスを導入し、厚さ１５ｎｍの酸化アルミニウムを蒸着して薄膜層（Ｃ層）を形成した。さらに、該薄膜層上に下記組成からなるコーティング剤をグラビアコート法により塗布し、その後１２０℃、１分間乾燥させ、厚さ３５０ｎｍの被膜層（Ｄ層）を形成した。
【００５２】
被膜層（Ｂ層およびＤ層）を形成するコーティング剤の組成は、下記に示す（イ）液と（ロ）液とを配合比（ｗｔ％）で６５／３５に混合したものである。
（イ）液：テトラエトキシシラン１０．４ｇに塩酸（０．１Ｎ）８９．６ｇを加え、３０分間撹拌し、加水分解させた固形分３ｗｔ％（ＳｉＯ２換算）の加水分解溶液。
（ロ）液：ポリビニルアルコールの３ｗｔ％水／イソプロピルアルコール溶液（水：イソプロピルアルコール＝９０：１０（重量比））
【００５３】
また、インフレーション法により、厚み８０μｍのＰＥよりなるシーラントを得た。
【００５４】
被膜層（Ｄ層）上にＯＮｙフィルム（２５μｍ）を接着剤層を介してラミネートし、ＰＥＴ基材上に接着剤を介してシーラントをラミネートし、図３（ｄ）に示す実施例６のクリーンフィルムを得た。
【００５５】
＜比較例１＞
ＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．０）を原料とし、キャスト法によりシーラント（厚み９０μｍ）を得た。得られたシーラントをドライラミネーション加工により、外面からＮｙフィルム（２５μｍ）、接着剤層、該ＬＤＰＥフィルム層の順に積層してなるクリーンフィルムを得た。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、比較例１の包装袋を得た。なお、押出成形および製袋加工は一般環境下で行った。
【００５６】
＜比較例２＞
シングルサイト系ＬＬＤＰＥ樹脂（ＭＩ＝２．５）を原料とし、キャスト法によりシーラント（厚み８０μｍ）を得た。得られたシーラントをドライラミネーション加工により、外面からＮｙフィルム（２５μｍ）、接着剤層、該ＬＬＤＰＥフィルムの順に積層してなるクリーンフィルムを得た。
得られたクリーンフィルムを、内寸４０×４０ｃｍの三方シールの袋状に貼り合せ、比較例２の包装袋を得た。なお、押出成形および製袋加工は一般環境下で行った。
【００５７】
実施例１〜６、比較例１〜２の包装袋についてパージアンドドラップＧＣ−ＭＳ測定用のガラスチューブに納まるよう２×１２ｍｍの大きさに裁断し、重量を小数点以下４位ｍｇまで測定した。ガラスチューブは清浄化したものを用いた。清浄化の方法は前記した通りに行った。まず、ガラスチューブのみのブランク測定を行った。ＧＣ−ＭＳ測定条件としては、イオン化法はＥＩ、イオン化電圧は７０ｅＶ、イオン源温度は２３０℃、四重極温度は１５０℃、マスレンジは４５〜５５０であり、ＳＣＡＮ測定で行った。使用カラムは、５％Ｐｈｅｎｙｌ、９５％Ｐｏｌｙ Ｄｉｍｅｔｈｙｌ Ｓｉｏｘａｎｅ、長さ３０ｍ×直径０．２５ｍｍ・ｄ×液相厚み０．２５μｍのものを用いた。ＧＣ−ＭＳ温度条件は、初期温度４０℃、５分保持、昇温温度は５℃／分、最高温度３００℃、５分保持とした。パージアンドトラップ加熱脱着温度条件は８０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ブランクの測定値が環状シロキサンにおいて０．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを確認した後、同一チューブにサンプルを入れ、次にサンプルの測定を行った。パージアンドトラップ加熱脱着温度条件は８０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は、上記のブランク測定と同様とした。
有機系総アウトガスに関しては、得られたＴＩＣのベースライン上昇分を除いた部分のピーク面積をマニュアル積分し、ピーク面積合計値を求めた。環状シロキサンに関しては、ＴＩＣ上において環状シロキサン３量体（Ｄ３）〜環状シロキサン８量体（Ｄ８）までのピーク面積をマニュアル積分で計算し、その合計値を求めた。
【００５８】
次に検量線作成のため、標準物質を測定した。有機系総アウトガスに関しては、ヘキサデカン５０ｎｇ／μｌのメタノール溶液、環状シロキサンに関しては、シロキサン６量体５０ｎｇ／μｌのメタノール溶液を調整した。次にコンディショニングを行ったＴＥＮＡＸチューブのブランク測定を行った。パージアンドトラップの加熱脱着温度条件は２５０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は上記のブランク本測定と同様とした。各標準液をゼロデッドポリュームシリンジに１μｌ取り、ブランク測定をした同一ＴＥＮＡＸチューブのＧＣ注入口に近い側からＴＥＮＡＸ中に打ち込み、Ｈｅガスで３０ｍｌ／ｍｉｎ．、３分パージした後、パージアンドトラップ装置に取り付け、ＧＣ−ＭＳ測定を行った。パージアンドトラップの加熱脱着温度条件は２５０℃、１０分、コールドトラップ温度は−１５０℃とした。ＧＣ−ＭＳ測定条件は上記のブランク測定と同様とした。
検量線は、横軸にヘキサデカン重量またはシロキサン６量体重量、縦軸にピーク面積を取って作成した。ヘキサデカン検量線を用いて、有機系総アウトガスのピーク面積合計値から有機系総アウトガス量（ｎｇ）を、シロキサン６量体検量線を用いて、サンプルより測定した環状シロキサンのピーク面積合計値から環状シロキサン量（ｎｇ）を算出し、サンプルの片面の面積で割ることでクリーンフィルム１ｃｍ２当たりに換算して、有機系総アウトガス量（ｎｇ／ｃｍ２）および環状シロキサン量（ｎｇ／ｃｍ２）を求めた。結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】
また、比較例１および２の包装袋は、ＨＤメディア回転時の熱でシリカが発生し、磁気ヘッドとＨＤメディアとの間に挟まることでディスククラッシュする恐れが生じた。これは、環状シロキサン量が多いためであると考えられる。
一方、実施例１〜６の包装袋は、アウトガスが非常に少なく、クリーン性が高いことが判明した。このことは、表１に示す結果からも明らかなように、実施例１〜６の包装袋が、有機系総アウトガス量が１５００ｎｇ／ｃｍ２未満、環状シロキサン量は２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であるという特徴を有するためであることが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】シーラントの巻取りの一例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）はシーラントのＡ−Ａ’面の側断面図の一例であり、（ｂ）はチューブ状シーラントのＡ−Ａ’面の側断面図の一例である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明におけるクリーンフィルムの側断面図の一例である。
【符号の説明】
【００６２】
１０ シーラントの巻取り
１１、１２ シーラント
１３、１５ 接着剤層
１４、１８ ガスバリア層
１６、１７ 基材層
Ａ層 薄膜層
Ｂ層 被膜層
Ｃ層 薄膜層
Ｄ層 被膜層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量がヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量がシロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルム。
【請求項２】
前記シーラント層の厚みが１２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のクリーンフィルム。
【請求項３】
前記ポリオレフィン樹脂において、メルトインデックス（ＭＩ）が０．１から２０（ｇ／１０分・１９０℃）の低密度ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のクリーンフィルム。
【請求項４】
前記シーラント層の少なくとも片側に、ガスバリア層および／または基材層を積層した多層構造を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のクリーンフィルム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のクリーンフィルムよりなることを特徴とする包装袋。
【請求項６】
請求項５に記載の包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体。
【請求項１】
少なくともポリオレフィン系樹脂からなるシーラント層からなり、８０℃、１０分間加熱したときに発生する有機系総アウトガス量がヘキサデカン換算で１５００ｎｇ／ｃｍ２未満であり、かつ８０℃、１０分間加熱したときに発生する環状シロキサン合計量がシロキサン６量体換算で２．５ｎｇ／ｃｍ２未満であることを特徴とするクリーンフィルム。
【請求項２】
前記シーラント層の厚みが１２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のクリーンフィルム。
【請求項３】
前記ポリオレフィン樹脂において、メルトインデックス（ＭＩ）が０．１から２０（ｇ／１０分・１９０℃）の低密度ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のクリーンフィルム。
【請求項４】
前記シーラント層の少なくとも片側に、ガスバリア層および／または基材層を積層した多層構造を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のクリーンフィルム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のクリーンフィルムよりなることを特徴とする包装袋。
【請求項６】
請求項５に記載の包装袋を用いて電子部品を包装したことを特徴とする電子部品包装体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−９６８５１（Ｐ２００６−９６８５１Ａ）
【公開日】平成１８年４月１３日（２００６．４．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２８４０２８（Ｐ２００４−２８４０２８）
【出願日】平成１６年９月２９日（２００４．９．２９）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月１３日（２００６．４．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月２９日（２００４．９．２９）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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