ケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法及びケイ素化合物を用いるジエン誘導体の製造方法
【課題】様々な分野への応用可能なケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法を提供し、更に、ケイ素化合物からジエン誘導体への製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化１】
【解決手段】下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化１】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法及びケイ素化合物を用いるジエン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ケイ素化合物は、その特異な性質から、医用やエレクトロニクス分野（有機ＥＬ、有機半導体等）などに応用が期待され、注目が高い化合物である（例えば、非特許文献１〜５参照。）。
【０００３】
特に最近、シラシクロブテン誘導体は、様々な分野への応用可能なケイ素化合物として注目の高い化合物である。
【０００４】
そこで、新規なシラシクロブテン誘導体。ならびに、シラシクロブテン誘導体の新規製造方法を提供することが求められている。
【非特許文献１】Ｉｓｈｉｋａｗａ，Ｍ．；Ｊ．Ａｍ，Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．１９８２，１０４，２８７２
【非特許文献２】Ｍｉｒａｃｌｅ，Ｇ．Ｅ．；Ｊ．Ａｍ，Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．１９９３，１１５，１１５９８
【非特許文献３】Ｃｈｅｎ，Ｊ．；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５，１５３５
【非特許文献４】Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．；Ｘｉ，Ｚ．；Ｏｂｏｒａ，Ｙ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ｎ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９５，１１７，２６６５．
【非特許文献５】Ｘｉ，Ｚ．；Ｆｉｓｃｈｅｒ，Ｒ．；Ｈａｒａ，Ｒ．；Ｓｕｎ，Ｗ．；Ｏｂｏｒａ，Ｙ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ｎ．；Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｋ．；Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，１２８４２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、様々な分野への応用可能なケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法を提供し、更に、ケイ素化合物からジエン誘導体への製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。
【０００７】
１．下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【０００８】
【化１】
【０００９】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ1、Ａｒ2の少なくともひとつは置換基を有する。〕
２．下記一般式（２）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【００１０】
【化２】
【００１１】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ3、Ａｒ4の少なくともひとつは置換基を有する。〕
３．下記一般式（３）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【００１２】
【化３】
【００１３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ5、Ａｒ6の少なくとも一つは置換基を有する。〕
４．下記一般式（５）で表わされる化合物と下記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（７）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００１４】
【化４】
【００１５】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【００１６】
【化５】
【００１７】
〔式中、Ｒ1は置換基を表す。〕
【００１８】
【化６】
【００１９】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
５．前記一般式（７）で表わされるケイ素化合物と前記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（８）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００２０】
【化７】
【００２１】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
６．前記一般式（８）で表わされるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、ＣＰはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させる工程、次いで、酸処理を行う工程を有することを特徴とする下記一般式（９）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００２２】
【化８】
【００２３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
７．前記一般式（９）で表わされる化合物と（Ｒａ）4ＮＸを反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（４）で表わされるジエン誘導体の製造方法。
【００２４】
【化９】
【００２５】
〔式中、Ｒ6、Ｒ7は、各々置換基を表す。Ｒａはアルキル基または芳香族炭化水素基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。〕
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、様々な分野に応用可能なケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法を得ることができ、更にケイ素化合物からジエン誘導体の製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明のケイ素化合物においては、請求項１〜３のいずれか１項に規定される構成を有することにより、様々な分野、特に医用やエレクトロニクス分野等に応用が期待されるケイ素化合物、該ケイ素化合物の製造方法、特にシラシクロブテン誘導体の新規製造方法を得る事ができ、この製造方法によって、さまざまな置換基を有するシラシクロブテン誘導体の製造が可能になった。更に前記シラシクロブテン誘導体からジエン誘導体の製造方法を提供することができた。
【００２８】
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について説明する。
【００２９】
上記課題について、本発明者等が種々検討した結果、請求項１〜３のいずれか１項に記載の新規ケイ素化合物を見出し、また、ケイ素化合物の製造方法を得ることができた。
【００３０】
更に、本発明のシラシクロブテン誘導体を用いたジエン誘導体の製造方法を併せて得ることに成功した。
【００３１】
《一般式（１）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００３２】
一般式（１）において、Ｒ1は置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基、イソプロペニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【００３３】
これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００３４】
一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【００３５】
これらの基は、更に、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を有していてもよい。
【００３６】
尚、一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基の少なくともひとつは置換基を有しており、該置換基としては、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を挙げることが出来る。
【００３７】
一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
【００３８】
これらの基は、更に、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を有していてもよい。
【００３９】
尚、一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基の少なくともひとつは置換基を有しており、該置換基としては、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を挙げることが出来る。
【００４０】
《一般式（２）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００４１】
一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ1で表される置換基と同義である。
【００４２】
一般式（２）において、Ａｒ3、Ａｒ4で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００４３】
一般式（２）において、Ａｒ3、Ａｒ4で各々表される芳香族複素環基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００４４】
《一般式（３）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【００４５】
一般式（３）において、Ｒ4、Ｒ5で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基と同義である。
【００４６】
一般式（３）において、Ａｒ5、Ａｒ6で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００４７】
一般式（３）において、Ａｒ5、Ａｒ6で各々表される芳香族複素環基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００４８】
以下に、一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）で表される、本発明のケイ素化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００４９】
【化１０】
【００５０】
【化１１】
【００５１】
【化１２】
【００５２】
【化１３】
【００５３】
【化１４】
【００５４】
《本発明のケイ素化合物の製造方法（合成方法ともいう）》
本発明に係るケイ素化合物の製造方法について説明する。
【００５５】
（ａ）一般式（１）または一般式（７）で表されるケイ素化合物の製造
本発明の一般式（７）で表されるケイ素化合物は、請求項４に記載のように、上記一般式（５）で表される化合物と一般式（６）で表される化合物とを反応させる工程を経て、得られる。
【００５６】
一般式（５）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（７）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００５７】
一般式（５）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基は、一般式（７）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００５８】
一般式（６）において、Ｒ1で表される置換基は、一般式（７）において、Ｒ1で表される置換基と同義である。
【００５９】
また、本発明に係る、一般式（１）または一般式（７）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例１の例示化合物１−２の製造例で示す。
【００６０】
（ｂ）一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物の製造
本発明に係る、一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物は、請求項５に記載のように、一般式（７）で表されるケイ素化合物と一般式（６）で表される化合物を反応させる工程を経て、得られる。
【００６１】
また、本発明に係る、一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例２の例示化合物２−２の製造例で示す。
【００６２】
（ｃ）一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物の製造
本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物は、請求項６に記載のように、一般式（８）で表されるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させ、次いで、酸処理を行う工程を経て得られる。
【００６３】
《酸処理に用いられる酸》
上記の酸処理に用いられる酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、シュウ酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、テトラフルオロホウ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸類、安息香酸、酢酸のカルボン酸類等が挙げられるが、反応収率向上等の観点から特に好ましいのは塩酸である。
【００６４】
また、本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例３の例示化合物３−６の製造例で示す。
【００６５】
また、本発明者等は、本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物が、ジエン誘導体の新規製造方法として適用可能であることを見出したので、以下に説明する。
【００６６】
《ジエン誘導体の製造方法》
本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物は、請求項７に記載のように、（Ｒａ）4ＮＸと反応させることにより、上記一般式（４）で表されるジエン誘導体の新規製造方法（合成方法ともいう）を提供できる。
【００６７】
ここで、Ｒａで表されるアルキル基は、一般式（１）において、Ｒ1で表されるアルキル基と同義である。
【００６８】
また、Ｒａで表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）において、Ｒ1で表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００６９】
Ｘで表されるハロゲン原子としては、一般式（１）において、Ｒ1で表されるハロゲン原子と同義である。
【００７０】
また、本発明において、（Ｒａ）4ＮＸとして特に好ましく用いられるのは、テトラブチルアンモニウムフルオライド（Ｂｕ4ＮＦ）である。
【００７１】
《一般式（４）で表されるジエン誘導体》
一般式（４）で表されるジエン誘導体について説明する。
【００７２】
一般式（４）において、Ｒ6、Ｒ7で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ1で表される置換基と同義である。
【００７３】
また、一般式（４）で表されるジエン誘導体の製造方法の具体例は、後述する実施例４において、例示化合物４−１の製造例で示す。
【００７４】
《用途》
本発明の一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）で表されるケイ素化合物は、医用やエレクトロニクス分野等への応用が期待されるが、中でも、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、有機ＴＦＴ素子（有機薄膜トランジスタ素子）、有機薄膜太陽電池等の構成材料として用いることができる。
【００７５】
具体的な用途しては、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等の構成材料として用いることができる。
【００７６】
また、パーソナルコンピュータ、ノート、ラップトップ、パーソナル・アシスタント／発信機、ミニコンピュータ、ワークステーション、メインフレーム、マルチプロセッサー・コンピュータ又は他のすべての型のコンピュータシステム等のデータ処理システム；ＣＰＵ、メモリ、データ記憶装置等のデータ処理システムを構成する電子部品；電話、ＰＨＳ、モデム、ルータ等の通信機器；ディスプレイパネル、プロジェクタ等の画像表示機器；プリンタ、スキャナ、複写機等の事務機器；センサ；ビデオカメラ、デジタルカメラ等の撮像機器；ゲーム機、音楽プレーヤ等の娯楽機器；携帯情報端末、時計、電子辞書等の情報機器；カーナビゲーションシステム、カーオーディオ等の車載機器；動画、静止画、音楽等の情報を記録、再生するためのＡＶ機器；洗濯機、電子レンジ、冷蔵庫、炊飯器、食器洗い機、掃除機、エアコン等の電化製品；マッサージ器、体重計、血圧計等の健康管理機器；ＩＣカード、メモリカード等の携帯型記憶装置等の電子機器への幅広い応用が可能である。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００７８】
実施例１
《製造例１》：例示化合物１−２の製造
以下の反応スキームに従い、中間体Ａを製造し、次いで、前記中間体を用いて、本発明のケイ素化合物の一例である、例示化合物１−２を製造した。
【００７９】
【化１５】
【００８０】
（中間体Ａの製造）
２，４，６トリメチルフェニルブロマイド５．０ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下、−６０℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．５４Ｍ、１７．１ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【００８１】
１時間、−７８℃で攪拌した後、テトラクロロシラン４．２６ｇを加えた。次いで、室温まで昇温させて１６時間攪拌した。フェニルリチウム（シクロヘキサン／ジエチルエーテル溶液、１．０５Ｍ、２５．０４ｍｌ）を０℃でゆっくり加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。不溶のリチウム塩をろ過し、濾液を減圧下に濃縮した。
【００８２】
その残渣に、５０ｍｌのＥｔ2Ｏを加え、更に、ＣｕＦ2（４．５ｇ）を加え、室温で１２時間攪拌した。
【００８３】
その後、１Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、蒸留精製（１５０℃、０．２７ｋＰａ）する事で、中間体Ａを４．４７ｇ（収率：６１％）得た。
【００８４】
（例示化合物１−２の製造）
フェニルアセチレン２０４ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−７８℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液、１．３２ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【００８５】
−７８℃で１時間攪拌した。この溶液を、５２４ｍｇの中間体ＡをＴＨＦ３ｍｌに溶かした溶液に−７８℃で滴下した。
【００８６】
室温まで昇温させて１時間攪拌し、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。
【００８７】
得られたＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製する事で、例示化合物１−２を５４０ｍｇ（７８％）得た。
【００８８】
例示化合物１−２は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【００８９】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【００９０】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．７６〜７．７４（ｍ、２Ｈ）、７．５６〜７．５５（ｍ、２Ｈ）、７．５３〜７．３２（ｍ、６Ｈ）、６．８８（ｓ、２Ｈ）、２．４７〜２．４６（ｍ、６Ｈ）、２．３０（ｓ、３Ｈ）
得られたスペクトルを図１に示す。
【００９１】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ３００（７５ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１４５．４３、１４１．１０、１３４．２３、１３２．２６、１３１．０４、１２９．５２、１２９．３１、１２８．４１、１２４．７９、１２２．０２、１０８．３０、８９．０６、２３．９８、２３．９４、２２．４１
得られたスペクトルを図２に示す。
【００９２】
実施例２
《製造例２》：例示化合物２−２の製造
【００９３】
【化１６】
【００９４】
１０６ｍｇの中間体ＢをＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．５２Ｍ、ヘキサン溶液０．６９ｍｌ）をゆっくり滴下し、−６０℃で１時間攪拌した。
【００９５】
得られた溶液を、５２４ｍｇの例示化合物１−２をＴＨＦ３ｍｌに溶かした溶液に−６０℃で滴下した。
【００９６】
室温まで昇温させて１時間攪拌し、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製する事で、例示化合物２−２を４２１ｍｇ（９８％）得た。
【００９７】
例示化合物２−２は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【００９８】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【００９９】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：８．０１〜７．９８（ｍ、２Ｈ）、７．５４〜７．５３（ｍ、３Ｈ）、７．４３〜７．４１（ｍ、３Ｈ）、７．０２（ｓ、２Ｈ）、６．４１（ｓ、１Ｈ）、２．７５（ｓ、６Ｈ）、２．４３（ｓ、３Ｈ）、２．３５〜２．２１（ｍ、４Ｈ）、１．７７〜１．６９（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図３に示す。
【０１００】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１４５．５９、１４０．０３、１３７．１４、１３５．８１、１３４．５４、１３１．８９、１２９．６９、１２９．３６、１２８．８０、１２８．１８、１２５．６３、１２３．０１、１２０．８５、１１０．６４、１０７．９６、９１．２０、８７．４２、２８．６８、２５．８１、２５．１０、２２．２５、２１．５１、２１．２４
得られたスペクトルを図４に示す。
【０１０１】
実施例３
《製造例３》：例示化合物３−６の製造
【０１０２】
【化１７】
【０１０３】
０．８６２ｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ６ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液６．４８ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１０４】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、１．０２ｇの例示化合物２−２を−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１０５】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−６を５２０ｍｇ（５１％）得た。
【０１０６】
例示化合物３−６は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１０７】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１０８】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．６１〜７．５９（ｍ、２Ｈ）、７．５２（ｓ、Ｈ）、７．３７〜７．２８（ｍ、３Ｈ）、７．２１（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．１１（ｔ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．０６〜７．０３（ｍ、１Ｈ）、６．８４（ｓ、２Ｈ）、６．７３（ｓ、１Ｈ）、５．９１（ｓ、１Ｈ）、２．３２（ｓ、２Ｈ）、２．２８（ｓ、３Ｈ）、２．２６（ｓ、６Ｈ）、２．１２（ｓ、２Ｈ）、１．７３〜１．５６（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図５に示す。
【０１０９】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１５９．９４、１４９．７１、１４８．９５、１４６．２０、１４０．３８、１３９．１７、１３７．８０、１３５．８９、１３４．０２、１３１．６２、１２９．６０、１２９．３１、１２８．３６、１２８．３３、１２７．７８、１２７．１２、１２６．７６、１２６．５４、２６．３５、２５．３６、２４．６８、２２．６８、２２．３３、２１．２９
得られたスペクトルを図６に示す。
【０１１０】
実施例４
《製造例４》：ジエン誘導体の例示化合物４−１の製造
【０１１１】
【化１８】
【０１１２】
１７５ｍｇの例示化合物３−６をＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下室温で、テトラブチルアンモニウムフルオライド（Ｂｕ4ＮＦ）（１ＭのＴＨＦ溶液０．８９３ｍｌ）をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。
【０１１３】
その後、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、ジエン誘導体の例示化合物４−１を８３ｍｇ（９８％）得た。
【０１１４】
例示化合物４−１は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて確認した。
【０１１５】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１１６】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．３９〜７．３７（ｍ、２Ｈ）、７．３１〜７．２７（ｍ、２Ｈ）、７．２０〜７．１６（ｍ、１Ｈ）、６．８６〜６．８０（ｄｄ、Ｊ＝１５．６３Ｈｚ、１Ｈ）、６．５４〜６．５０（ｄ、Ｊ＝１５．６３Ｈｚ、１Ｈ）、６．３７〜６．３０（ｄｔ、Ｊ＝１４．６５Ｈｚ、Ｊ＝１４．６５Ｈｚ、２Ｈ）、５．８３〜５．８１（ｍ、１Ｈ）、２．２０〜２．１６（ｍ、４Ｈ）、１．７１〜１．６０（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図７に示す。
【０１１７】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ３００（７５ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１３７．７７、１３７．０７、１３６．０９、１３１．０５、１３０．８６、１２９．６３、１２８．６４、１２７．１５、１２６．２０、１２５．６３、２６．３７、２４．７２、２２．６９
得られたスペクトルを図８に示す。
【０１１８】
実施例５
《製造例５》：例示化合物３−１０の製造
【０１１９】
【化１９】
【０１２０】
１．４ｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ１０ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液１０．５ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１２１】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、１．９６ｇのビス（フェニルエチニル）フェニル（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）シランを−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１２２】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−１０を１．２８ｇ（５１％）得た。
【０１２３】
例示化合物３−１０は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１２４】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１２５】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．８３（ｓ、１Ｈ）、７．７３（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．４７〜７．４４（ｍ、３Ｈ）、７．３１〜７．２９（ｍ、４Ｈ）、７．２３〜７．２１（ｍ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、５Ｈ）、６．９８（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｓ、２Ｈ）、３．０８（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、１Ｈ）、２．８３（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、１Ｈ）、１．２１（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）、０．８０（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）、０．５４（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）．
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１５７．４９、１５７．４０、１５６．４４、１５１．０２、１４７．８４、１３９．５８、１３８．９４、１３６．４１、１３５．５６、１３０．４６、１２９．６２、１２８．４４、１２８．４１、１２８．１１、１２８．０３、１２７．０５、１２６．９３、１２６．８４、１２６．７３、１２１．５４、３４．９５、３４．２７、２４．７９、２４．５２、２３．９９、２３．８６．
実施例６
《製造例６》：例示化合物３−１１の製造
【０１２６】
【化２０】
【０１２７】
１５４ｍｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ２ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液１．２ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１２８】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、２２０ｍｇのフェニル（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）（フェニルエチニル）（（１，３，４−トリメチルフェニル）エチニル）シランを−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１２９】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−１１を２１３ｍｇ（９５％）得た。
【０１３０】
例示化合物３−１１は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１３１】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１３２】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．７４（ｓ、１Ｈ）、７．７０〜７．６７（ｍ、２Ｈ）、７．４５〜７．３９（ｍ、３Ｈ）、７．０６〜７．０２（ｍ、５Ｈ）、６．９６（ｓ、１Ｈ）、６．９２（ｓ、２Ｈ）、６．８９（ｓ、１Ｈ）、６．８８（ｓ、１Ｈ）、３．００（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．５９Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｓｅｐｔ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ、１Ｈ）、２．１９（ｓ、３Ｈ）、２．１３（ｓ、３Ｈ）、２．１１（ｓ、３Ｈ）、１．２３〜１．２１（ｄ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ、６Ｈ）、０．７９〜０．７８（ｄ、Ｊ＝６．５９Ｈｚ、６Ｈ）．
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ： １５９．０５、１５８．３３、１５６．２２、１５０．７８、１４８．２０、１３８．９３、１３６．７３、１３６．３４、１３５．４９、１３４．９９、１３３．４７、１３２．４８、１３１．６２、１３０．２６、１２９．３６、１２８．９６、１２８．１６、１２８．０１、１２８．００、１２７．０７、１２６．４６、１２１．３１、３４．９４、３４．３１、３１．８０、２４．９７、２４．２８、２３．９８、２３．９６、２２．８８、２０．７８、１９．５５、１９．３１、１４．３６
実施例７
《例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の製造》
実施例１の例示化合物１−２の製造と同様にして、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２を製造した。
【０１３３】
図９、図１１、図１３、図１５、図１７に、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３４】
図１０、図１２、図１４、図１６、図１８に、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３５】
《例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の製造》
実施例２の例示化合物２−２の製造と同様にして、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９を製造した。
【０１３６】
図１９、図２１、図２３、図２５、図２７、図２９に、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３７】
図２０、図２２、図２４、図２６、図２８、図３０に、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３８】
《例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の製造》
実施例３の例示化合物３−６の製造と同様にして、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９を製造した。
【０１３９】
図３１、図３３、図３５、図３７、図３９、図４１、図４３に、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１４０】
図３２、図３４、図３６、図３８、図４０、図４４に、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の13Ｃ−ＮＭＲのスペクトルを各々示す。
【０１４１】
実施例８
本発明のケイ素化合物である、例示化合物３−１０を下記に示す計算方法によってＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ値を計算した。尚、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの計算方法は、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０２，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．）を用いて計算した時の値であり、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）である。
【０１４２】
尚、本発明の例示化合物３−１０の分子軌道計算を行うに当たり、比較化合物として、従来公知の電子注入兼輸送材料として代表的な化合物である、ＢＡｌｑを選択して、比較計算を行った。
【０１４３】
【化２１】
【０１４４】
得られた結果を下記に示す。
【０１４５】
ＨＯＭＯ値 ＬＵＭＯ値 備考
３−１０ −５．１６ −１．５６ 本発明
ＢＡｌｑ −５．１３ −１．４２ 比較
本発明のケイ素化合物３−１０のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの電子雲を図４５、図４６に各々示す。
【０１４６】
得られた結果から、本発明のケイ素化合物３−１０は、従来公知の、代表的な電子注入兼輸送材料であるＢＡｌｑと比較して、深いＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ値を示しており、電子注入兼輸送性の高い化合物である事が示唆される。
【０１４７】
上記から、本発明のケイ素化合物の一例である、例示化合物３−１０が高い電子注入兼輸送性を示すことから、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）、有機薄膜太陽電池等のエレクトロニクス分野等への応用が、大いに期待できる化合物であることが判る。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】例示化合物１−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２】例示化合物１−２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３】例示化合物２−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４】例示化合物２−２の13Ｃ−ＮＭＲのスペクトルを示す。
【図５】例示化合物３−６の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図６】例示化合物３−６の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図７】例示化合物４−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図８】例示化合物４−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図９】例示化合物１−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１０】例示化合物１−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１１】例示化合物１−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１２】例示化合物１−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１３】例示化合物１−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１４】例示化合物１−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１５】例示化合物１−５の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１６】例示化合物１−５の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１７】例示化合物１−１２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１８】例示化合物１−１２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１９】例示化合物２−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２０】例示化合物２−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２１】例示化合物２−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２２】例示化合物２−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２３】例示化合物２−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２４】例示化合物２−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２５】例示化合物２−７の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２６】例示化合物２−７の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２７】例示化合物２−８の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２８】例示化合物２−８の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２９】例示化合物２−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３０】例示化合物２−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３１】例示化合物３−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３２】例示化合物３−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３３】例示化合物３−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３４】例示化合物３−２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３５】例示化合物３−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３６】例示化合物３−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３７】例示化合物３−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３８】例示化合物３−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３９】例示化合物３−７の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４０】例示化合物３−７の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４１】例示化合物３−８の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４２】例示化合物３−８の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４３】例示化合物３−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４４】例示化合物３−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４５】本発明のケイ素化合物３−１０のＨＯＭＯの電子密度の分布図を示す。
【図４６】本発明のケイ素化合物３−１０のＬＵＭＯの電子密度の分布図を示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法及びケイ素化合物を用いるジエン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ケイ素化合物は、その特異な性質から、医用やエレクトロニクス分野（有機ＥＬ、有機半導体等）などに応用が期待され、注目が高い化合物である（例えば、非特許文献１〜５参照。）。
【０００３】
特に最近、シラシクロブテン誘導体は、様々な分野への応用可能なケイ素化合物として注目の高い化合物である。
【０００４】
そこで、新規なシラシクロブテン誘導体。ならびに、シラシクロブテン誘導体の新規製造方法を提供することが求められている。
【非特許文献１】Ｉｓｈｉｋａｗａ，Ｍ．；Ｊ．Ａｍ，Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．１９８２，１０４，２８７２
【非特許文献２】Ｍｉｒａｃｌｅ，Ｇ．Ｅ．；Ｊ．Ａｍ，Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．１９９３，１１５，１１５９８
【非特許文献３】Ｃｈｅｎ，Ｊ．；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５，１５３５
【非特許文献４】Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．；Ｘｉ，Ｚ．；Ｏｂｏｒａ，Ｙ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ｎ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９５，１１７，２６６５．
【非特許文献５】Ｘｉ，Ｚ．；Ｆｉｓｃｈｅｒ，Ｒ．；Ｈａｒａ，Ｒ．；Ｓｕｎ，Ｗ．；Ｏｂｏｒａ，Ｙ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ｎ．；Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｋ．；Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，１２８４２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、様々な分野への応用可能なケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法を提供し、更に、ケイ素化合物からジエン誘導体への製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。
【０００７】
１．下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【０００８】
【化１】
【０００９】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ1、Ａｒ2の少なくともひとつは置換基を有する。〕
２．下記一般式（２）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【００１０】
【化２】
【００１１】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ3、Ａｒ4の少なくともひとつは置換基を有する。〕
３．下記一般式（３）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【００１２】
【化３】
【００１３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ5、Ａｒ6の少なくとも一つは置換基を有する。〕
４．下記一般式（５）で表わされる化合物と下記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（７）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００１４】
【化４】
【００１５】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【００１６】
【化５】
【００１７】
〔式中、Ｒ1は置換基を表す。〕
【００１８】
【化６】
【００１９】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
５．前記一般式（７）で表わされるケイ素化合物と前記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（８）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００２０】
【化７】
【００２１】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
６．前記一般式（８）で表わされるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、ＣＰはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させる工程、次いで、酸処理を行う工程を有することを特徴とする下記一般式（９）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【００２２】
【化８】
【００２３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
７．前記一般式（９）で表わされる化合物と（Ｒａ）4ＮＸを反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（４）で表わされるジエン誘導体の製造方法。
【００２４】
【化９】
【００２５】
〔式中、Ｒ6、Ｒ7は、各々置換基を表す。Ｒａはアルキル基または芳香族炭化水素基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。〕
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、様々な分野に応用可能なケイ素化合物、ケイ素化合物の製造方法を得ることができ、更にケイ素化合物からジエン誘導体の製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明のケイ素化合物においては、請求項１〜３のいずれか１項に規定される構成を有することにより、様々な分野、特に医用やエレクトロニクス分野等に応用が期待されるケイ素化合物、該ケイ素化合物の製造方法、特にシラシクロブテン誘導体の新規製造方法を得る事ができ、この製造方法によって、さまざまな置換基を有するシラシクロブテン誘導体の製造が可能になった。更に前記シラシクロブテン誘導体からジエン誘導体の製造方法を提供することができた。
【００２８】
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について説明する。
【００２９】
上記課題について、本発明者等が種々検討した結果、請求項１〜３のいずれか１項に記載の新規ケイ素化合物を見出し、また、ケイ素化合物の製造方法を得ることができた。
【００３０】
更に、本発明のシラシクロブテン誘導体を用いたジエン誘導体の製造方法を併せて得ることに成功した。
【００３１】
《一般式（１）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００３２】
一般式（１）において、Ｒ1は置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基、イソプロペニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【００３３】
これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００３４】
一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【００３５】
これらの基は、更に、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を有していてもよい。
【００３６】
尚、一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基の少なくともひとつは置換基を有しており、該置換基としては、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を挙げることが出来る。
【００３７】
一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
【００３８】
これらの基は、更に、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を有していてもよい。
【００３９】
尚、一般式（１）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基の少なくともひとつは置換基を有しており、該置換基としては、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基を挙げることが出来る。
【００４０】
《一般式（２）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００４１】
一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ1で表される置換基と同義である。
【００４２】
一般式（２）において、Ａｒ3、Ａｒ4で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００４３】
一般式（２）において、Ａｒ3、Ａｒ4で各々表される芳香族複素環基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００４４】
《一般式（３）で表されるケイ素化合物》
本発明の、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【００４５】
一般式（３）において、Ｒ4、Ｒ5で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ1で表される置換基と同義である。
【００４６】
一般式（３）において、Ａｒ5、Ａｒ6で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００４７】
一般式（３）において、Ａｒ5、Ａｒ6で各々表される芳香族複素環基は、一般式（１）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００４８】
以下に、一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）で表される、本発明のケイ素化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００４９】
【化１０】
【００５０】
【化１１】
【００５１】
【化１２】
【００５２】
【化１３】
【００５３】
【化１４】
【００５４】
《本発明のケイ素化合物の製造方法（合成方法ともいう）》
本発明に係るケイ素化合物の製造方法について説明する。
【００５５】
（ａ）一般式（１）または一般式（７）で表されるケイ素化合物の製造
本発明の一般式（７）で表されるケイ素化合物は、請求項４に記載のように、上記一般式（５）で表される化合物と一般式（６）で表される化合物とを反応させる工程を経て、得られる。
【００５６】
一般式（５）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基は、一般式（７）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００５７】
一般式（５）において、Ａｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基は、一般式（７）のＡｒ1、Ａｒ2で各々表される芳香族複素環基と同義である。
【００５８】
一般式（６）において、Ｒ1で表される置換基は、一般式（７）において、Ｒ1で表される置換基と同義である。
【００５９】
また、本発明に係る、一般式（１）または一般式（７）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例１の例示化合物１−２の製造例で示す。
【００６０】
（ｂ）一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物の製造
本発明に係る、一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物は、請求項５に記載のように、一般式（７）で表されるケイ素化合物と一般式（６）で表される化合物を反応させる工程を経て、得られる。
【００６１】
また、本発明に係る、一般式（２）または一般式（８）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例２の例示化合物２−２の製造例で示す。
【００６２】
（ｃ）一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物の製造
本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物は、請求項６に記載のように、一般式（８）で表されるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させ、次いで、酸処理を行う工程を経て得られる。
【００６３】
《酸処理に用いられる酸》
上記の酸処理に用いられる酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、シュウ酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、テトラフルオロホウ酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸類、安息香酸、酢酸のカルボン酸類等が挙げられるが、反応収率向上等の観点から特に好ましいのは塩酸である。
【００６４】
また、本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物の製造の具体例は、後述する実施例３の例示化合物３−６の製造例で示す。
【００６５】
また、本発明者等は、本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物が、ジエン誘導体の新規製造方法として適用可能であることを見出したので、以下に説明する。
【００６６】
《ジエン誘導体の製造方法》
本発明に係る、一般式（３）または一般式（９）で表されるケイ素化合物は、請求項７に記載のように、（Ｒａ）4ＮＸと反応させることにより、上記一般式（４）で表されるジエン誘導体の新規製造方法（合成方法ともいう）を提供できる。
【００６７】
ここで、Ｒａで表されるアルキル基は、一般式（１）において、Ｒ1で表されるアルキル基と同義である。
【００６８】
また、Ｒａで表される芳香族炭化水素基は、一般式（１）において、Ｒ1で表される芳香族炭化水素基と同義である。
【００６９】
Ｘで表されるハロゲン原子としては、一般式（１）において、Ｒ1で表されるハロゲン原子と同義である。
【００７０】
また、本発明において、（Ｒａ）4ＮＸとして特に好ましく用いられるのは、テトラブチルアンモニウムフルオライド（Ｂｕ4ＮＦ）である。
【００７１】
《一般式（４）で表されるジエン誘導体》
一般式（４）で表されるジエン誘導体について説明する。
【００７２】
一般式（４）において、Ｒ6、Ｒ7で各々表される置換基は、一般式（１）のＲ1で表される置換基と同義である。
【００７３】
また、一般式（４）で表されるジエン誘導体の製造方法の具体例は、後述する実施例４において、例示化合物４−１の製造例で示す。
【００７４】
《用途》
本発明の一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）で表されるケイ素化合物は、医用やエレクトロニクス分野等への応用が期待されるが、中でも、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、有機ＴＦＴ素子（有機薄膜トランジスタ素子）、有機薄膜太陽電池等の構成材料として用いることができる。
【００７５】
具体的な用途しては、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等の構成材料として用いることができる。
【００７６】
また、パーソナルコンピュータ、ノート、ラップトップ、パーソナル・アシスタント／発信機、ミニコンピュータ、ワークステーション、メインフレーム、マルチプロセッサー・コンピュータ又は他のすべての型のコンピュータシステム等のデータ処理システム；ＣＰＵ、メモリ、データ記憶装置等のデータ処理システムを構成する電子部品；電話、ＰＨＳ、モデム、ルータ等の通信機器；ディスプレイパネル、プロジェクタ等の画像表示機器；プリンタ、スキャナ、複写機等の事務機器；センサ；ビデオカメラ、デジタルカメラ等の撮像機器；ゲーム機、音楽プレーヤ等の娯楽機器；携帯情報端末、時計、電子辞書等の情報機器；カーナビゲーションシステム、カーオーディオ等の車載機器；動画、静止画、音楽等の情報を記録、再生するためのＡＶ機器；洗濯機、電子レンジ、冷蔵庫、炊飯器、食器洗い機、掃除機、エアコン等の電化製品；マッサージ器、体重計、血圧計等の健康管理機器；ＩＣカード、メモリカード等の携帯型記憶装置等の電子機器への幅広い応用が可能である。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００７８】
実施例１
《製造例１》：例示化合物１−２の製造
以下の反応スキームに従い、中間体Ａを製造し、次いで、前記中間体を用いて、本発明のケイ素化合物の一例である、例示化合物１−２を製造した。
【００７９】
【化１５】
【００８０】
（中間体Ａの製造）
２，４，６トリメチルフェニルブロマイド５．０ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下、−６０℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．５４Ｍ、１７．１ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【００８１】
１時間、−７８℃で攪拌した後、テトラクロロシラン４．２６ｇを加えた。次いで、室温まで昇温させて１６時間攪拌した。フェニルリチウム（シクロヘキサン／ジエチルエーテル溶液、１．０５Ｍ、２５．０４ｍｌ）を０℃でゆっくり加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。不溶のリチウム塩をろ過し、濾液を減圧下に濃縮した。
【００８２】
その残渣に、５０ｍｌのＥｔ2Ｏを加え、更に、ＣｕＦ2（４．５ｇ）を加え、室温で１２時間攪拌した。
【００８３】
その後、１Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、蒸留精製（１５０℃、０．２７ｋＰａ）する事で、中間体Ａを４．４７ｇ（収率：６１％）得た。
【００８４】
（例示化合物１−２の製造）
フェニルアセチレン２０４ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−７８℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍヘキサン溶液、１．３２ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【００８５】
−７８℃で１時間攪拌した。この溶液を、５２４ｍｇの中間体ＡをＴＨＦ３ｍｌに溶かした溶液に−７８℃で滴下した。
【００８６】
室温まで昇温させて１時間攪拌し、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。
【００８７】
得られたＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製する事で、例示化合物１−２を５４０ｍｇ（７８％）得た。
【００８８】
例示化合物１−２は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【００８９】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【００９０】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．７６〜７．７４（ｍ、２Ｈ）、７．５６〜７．５５（ｍ、２Ｈ）、７．５３〜７．３２（ｍ、６Ｈ）、６．８８（ｓ、２Ｈ）、２．４７〜２．４６（ｍ、６Ｈ）、２．３０（ｓ、３Ｈ）
得られたスペクトルを図１に示す。
【００９１】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ３００（７５ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１４５．４３、１４１．１０、１３４．２３、１３２．２６、１３１．０４、１２９．５２、１２９．３１、１２８．４１、１２４．７９、１２２．０２、１０８．３０、８９．０６、２３．９８、２３．９４、２２．４１
得られたスペクトルを図２に示す。
【００９２】
実施例２
《製造例２》：例示化合物２−２の製造
【００９３】
【化１６】
【００９４】
１０６ｍｇの中間体ＢをＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ｎ−ＢｕＬｉ（１．５２Ｍ、ヘキサン溶液０．６９ｍｌ）をゆっくり滴下し、−６０℃で１時間攪拌した。
【００９５】
得られた溶液を、５２４ｍｇの例示化合物１−２をＴＨＦ３ｍｌに溶かした溶液に−６０℃で滴下した。
【００９６】
室温まで昇温させて１時間攪拌し、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製する事で、例示化合物２−２を４２１ｍｇ（９８％）得た。
【００９７】
例示化合物２−２は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【００９８】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【００９９】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：８．０１〜７．９８（ｍ、２Ｈ）、７．５４〜７．５３（ｍ、３Ｈ）、７．４３〜７．４１（ｍ、３Ｈ）、７．０２（ｓ、２Ｈ）、６．４１（ｓ、１Ｈ）、２．７５（ｓ、６Ｈ）、２．４３（ｓ、３Ｈ）、２．３５〜２．２１（ｍ、４Ｈ）、１．７７〜１．６９（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図３に示す。
【０１００】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１４５．５９、１４０．０３、１３７．１４、１３５．８１、１３４．５４、１３１．８９、１２９．６９、１２９．３６、１２８．８０、１２８．１８、１２５．６３、１２３．０１、１２０．８５、１１０．６４、１０７．９６、９１．２０、８７．４２、２８．６８、２５．８１、２５．１０、２２．２５、２１．５１、２１．２４
得られたスペクトルを図４に示す。
【０１０１】
実施例３
《製造例３》：例示化合物３−６の製造
【０１０２】
【化１７】
【０１０３】
０．８６２ｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ６ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液６．４８ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１０４】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、１．０２ｇの例示化合物２−２を−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１０５】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−６を５２０ｍｇ（５１％）得た。
【０１０６】
例示化合物３−６は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１０７】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１０８】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．６１〜７．５９（ｍ、２Ｈ）、７．５２（ｓ、Ｈ）、７．３７〜７．２８（ｍ、３Ｈ）、７．２１（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．１１（ｔ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．０６〜７．０３（ｍ、１Ｈ）、６．８４（ｓ、２Ｈ）、６．７３（ｓ、１Ｈ）、５．９１（ｓ、１Ｈ）、２．３２（ｓ、２Ｈ）、２．２８（ｓ、３Ｈ）、２．２６（ｓ、６Ｈ）、２．１２（ｓ、２Ｈ）、１．７３〜１．５６（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図５に示す。
【０１０９】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１５９．９４、１４９．７１、１４８．９５、１４６．２０、１４０．３８、１３９．１７、１３７．８０、１３５．８９、１３４．０２、１３１．６２、１２９．６０、１２９．３１、１２８．３６、１２８．３３、１２７．７８、１２７．１２、１２６．７６、１２６．５４、２６．３５、２５．３６、２４．６８、２２．６８、２２．３３、２１．２９
得られたスペクトルを図６に示す。
【０１１０】
実施例４
《製造例４》：ジエン誘導体の例示化合物４−１の製造
【０１１１】
【化１８】
【０１１２】
１７５ｍｇの例示化合物３−６をＴＨＦ５ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下室温で、テトラブチルアンモニウムフルオライド（Ｂｕ4ＮＦ）（１ＭのＴＨＦ溶液０．８９３ｍｌ）をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。
【０１１３】
その後、１Ｍの塩酸で処理した後、２０ｍｌのＥｔ2Ｏで３回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、ジエン誘導体の例示化合物４−１を８３ｍｇ（９８％）得た。
【０１１４】
例示化合物４−１は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて確認した。
【０１１５】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１１６】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．３９〜７．３７（ｍ、２Ｈ）、７．３１〜７．２７（ｍ、２Ｈ）、７．２０〜７．１６（ｍ、１Ｈ）、６．８６〜６．８０（ｄｄ、Ｊ＝１５．６３Ｈｚ、１Ｈ）、６．５４〜６．５０（ｄ、Ｊ＝１５．６３Ｈｚ、１Ｈ）、６．３７〜６．３０（ｄｔ、Ｊ＝１４．６５Ｈｚ、Ｊ＝１４．６５Ｈｚ、２Ｈ）、５．８３〜５．８１（ｍ、１Ｈ）、２．２０〜２．１６（ｍ、４Ｈ）、１．７１〜１．６０（ｍ、４Ｈ）
得られたスペクトルを図７に示す。
【０１１７】
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ３００（７５ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１３７．７７、１３７．０７、１３６．０９、１３１．０５、１３０．８６、１２９．６３、１２８．６４、１２７．１５、１２６．２０、１２５．６３、２６．３７、２４．７２、２２．６９
得られたスペクトルを図８に示す。
【０１１８】
実施例５
《製造例５》：例示化合物３−１０の製造
【０１１９】
【化１９】
【０１２０】
１．４ｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ１０ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液１０．５ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１２１】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、１．９６ｇのビス（フェニルエチニル）フェニル（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）シランを−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１２２】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−１０を１．２８ｇ（５１％）得た。
【０１２３】
例示化合物３−１０は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１２４】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１２５】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．８３（ｓ、１Ｈ）、７．７３（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．４７〜７．４４（ｍ、３Ｈ）、７．３１〜７．２９（ｍ、４Ｈ）、７．２３〜７．２１（ｍ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、５Ｈ）、６．９８（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｓ、２Ｈ）、３．０８（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、１Ｈ）、２．８３（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、１Ｈ）、１．２１（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）、０．８０（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）、０．５４（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）．
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：１５７．４９、１５７．４０、１５６．４４、１５１．０２、１４７．８４、１３９．５８、１３８．９４、１３６．４１、１３５．５６、１３０．４６、１２９．６２、１２８．４４、１２８．４１、１２８．１１、１２８．０３、１２７．０５、１２６．９３、１２６．８４、１２６．７３、１２１．５４、３４．９５、３４．２７、２４．７９、２４．５２、２３．９９、２３．８６．
実施例６
《製造例６》：例示化合物３−１１の製造
【０１２６】
【化２０】
【０１２７】
１５４ｍｇのＣｐ2ＺｒＣｌ2をＴＨＦ２ｍｌに溶かし、その溶液に窒素気流下−６０℃で、ＥｔＭｇＢｒ（０．９１Ｍ、ＴＨＦ溶液１．２ｍｌ）をゆっくり滴下した。
【０１２８】
−６０℃で１時間攪拌し、得られた溶液に、２２０ｍｇのフェニル（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）（フェニルエチニル）（（１，３，４−トリメチルフェニル）エチニル）シランを−６０℃で加えた。その後、室温まで昇温させて１時間攪拌した。
【０１２９】
その後、３Ｍの塩酸で処理した後、５０ｍｌのＥｔ2Ｏで２回抽出した。このＥｔ2Ｏ溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによって精製し、例示化合物３−１１を２１３ｍｇ（９５％）得た。
【０１３０】
例示化合物３−１１は、1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）、13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）を用いて構造を確認した。
【０１３１】
測定条件及びスペクトル情報を下記に示す。
【０１３２】
1Ｈ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（４００ＭＨｚ）：日本電子製
δ：７．７４（ｓ、１Ｈ）、７．７０〜７．６７（ｍ、２Ｈ）、７．４５〜７．３９（ｍ、３Ｈ）、７．０６〜７．０２（ｍ、５Ｈ）、６．９６（ｓ、１Ｈ）、６．９２（ｓ、２Ｈ）、６．８９（ｓ、１Ｈ）、６．８８（ｓ、１Ｈ）、３．００（ｓｅｐｔ、Ｊ＝６．５９Ｈｚ、２Ｈ）、２．８６（ｓｅｐｔ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ、１Ｈ）、２．１９（ｓ、３Ｈ）、２．１３（ｓ、３Ｈ）、２．１１（ｓ、３Ｈ）、１．２３〜１．２１（ｄ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ、６Ｈ）、０．７９〜０．７８（ｄ、Ｊ＝６．５９Ｈｚ、６Ｈ）．
13Ｃ−ＮＭＲ：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−ＡＬ４００（１００ＭＨｚ）：日本電子製
δ： １５９．０５、１５８．３３、１５６．２２、１５０．７８、１４８．２０、１３８．９３、１３６．７３、１３６．３４、１３５．４９、１３４．９９、１３３．４７、１３２．４８、１３１．６２、１３０．２６、１２９．３６、１２８．９６、１２８．１６、１２８．０１、１２８．００、１２７．０７、１２６．４６、１２１．３１、３４．９４、３４．３１、３１．８０、２４．９７、２４．２８、２３．９８、２３．９６、２２．８８、２０．７８、１９．５５、１９．３１、１４．３６
実施例７
《例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の製造》
実施例１の例示化合物１−２の製造と同様にして、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２を製造した。
【０１３３】
図９、図１１、図１３、図１５、図１７に、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３４】
図１０、図１２、図１４、図１６、図１８に、例示化合物１−１、１−３、１−４、１−５、１−１２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３５】
《例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の製造》
実施例２の例示化合物２−２の製造と同様にして、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９を製造した。
【０１３６】
図１９、図２１、図２３、図２５、図２７、図２９に、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３７】
図２０、図２２、図２４、図２６、図２８、図３０に、例示化合物２−１、２−３、２−４、２−７、２−８、２−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１３８】
《例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の製造》
実施例３の例示化合物３−６の製造と同様にして、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９を製造した。
【０１３９】
図３１、図３３、図３５、図３７、図３９、図４１、図４３に、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを各々示す。
【０１４０】
図３２、図３４、図３６、図３８、図４０、図４４に、例示化合物３−１、３−２、３−３、３−４、３−７、３−８、３−９の13Ｃ−ＮＭＲのスペクトルを各々示す。
【０１４１】
実施例８
本発明のケイ素化合物である、例示化合物３−１０を下記に示す計算方法によってＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ値を計算した。尚、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの計算方法は、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０２，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．）を用いて計算した時の値であり、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）である。
【０１４２】
尚、本発明の例示化合物３−１０の分子軌道計算を行うに当たり、比較化合物として、従来公知の電子注入兼輸送材料として代表的な化合物である、ＢＡｌｑを選択して、比較計算を行った。
【０１４３】
【化２１】
【０１４４】
得られた結果を下記に示す。
【０１４５】
ＨＯＭＯ値 ＬＵＭＯ値 備考
３−１０ −５．１６ −１．５６ 本発明
ＢＡｌｑ −５．１３ −１．４２ 比較
本発明のケイ素化合物３−１０のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの電子雲を図４５、図４６に各々示す。
【０１４６】
得られた結果から、本発明のケイ素化合物３−１０は、従来公知の、代表的な電子注入兼輸送材料であるＢＡｌｑと比較して、深いＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ値を示しており、電子注入兼輸送性の高い化合物である事が示唆される。
【０１４７】
上記から、本発明のケイ素化合物の一例である、例示化合物３−１０が高い電子注入兼輸送性を示すことから、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）、有機薄膜太陽電池等のエレクトロニクス分野等への応用が、大いに期待できる化合物であることが判る。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】例示化合物１−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２】例示化合物１−２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３】例示化合物２−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４】例示化合物２−２の13Ｃ−ＮＭＲのスペクトルを示す。
【図５】例示化合物３−６の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図６】例示化合物３−６の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図７】例示化合物４−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図８】例示化合物４−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図９】例示化合物１−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１０】例示化合物１−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１１】例示化合物１−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１２】例示化合物１−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１３】例示化合物１−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１４】例示化合物１−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１５】例示化合物１−５の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１６】例示化合物１−５の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１７】例示化合物１−１２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１８】例示化合物１−１２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図１９】例示化合物２−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２０】例示化合物２−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２１】例示化合物２−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２２】例示化合物２−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２３】例示化合物２−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２４】例示化合物２−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２５】例示化合物２−７の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２６】例示化合物２−７の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２７】例示化合物２−８の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２８】例示化合物２−８の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２９】例示化合物２−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３０】例示化合物２−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３１】例示化合物３−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３２】例示化合物３−１の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３３】例示化合物３−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３４】例示化合物３−２の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３５】例示化合物３−３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３６】例示化合物３−３の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３７】例示化合物３−４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３８】例示化合物３−４の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図３９】例示化合物３−７の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４０】例示化合物３−７の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４１】例示化合物３−８の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４２】例示化合物３−８の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４３】例示化合物３−９の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４４】例示化合物３−９の13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４５】本発明のケイ素化合物３−１０のＨＯＭＯの電子密度の分布図を示す。
【図４６】本発明のケイ素化合物３−１０のＬＵＭＯの電子密度の分布図を示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化１】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ1、Ａｒ2の少なくともひとつは置換基を有する。〕
【請求項２】
下記一般式（２）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化２】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ3、Ａｒ4の少なくともひとつは置換基を有する。〕
【請求項３】
下記一般式（３）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ5、Ａｒ6の少なくとも一つは置換基を有する。〕
【請求項４】
下記一般式（５）で表わされる化合物と下記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（７）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化４】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【化５】
〔式中、Ｒ1は置換基を表す。〕
【化６】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項５】
前記一般式（７）で表わされるケイ素化合物と前記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（８）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化７】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項６】
前記一般式（８）で表わされるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、ＣＰはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させる工程、次いで、酸処理を行う工程を有することを特徴とする下記一般式（９）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化８】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項７】
前記一般式（９）で表わされる化合物と（Ｒａ）4ＮＸを反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（４）で表わされるジエン誘導体の製造方法。
【化９】
〔式中、Ｒ6、Ｒ7は、各々置換基を表す。Ｒａはアルキル基または芳香族炭化水素基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。〕
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化１】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ1、Ａｒ2の少なくともひとつは置換基を有する。〕
【請求項２】
下記一般式（２）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化２】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ3、Ａｒ4の少なくともひとつは置換基を有する。〕
【請求項３】
下記一般式（３）で表わされることを特徴とするケイ素化合物。
【化３】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。但し、Ａｒ5、Ａｒ6の少なくとも一つは置換基を有する。〕
【請求項４】
下記一般式（５）で表わされる化合物と下記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（７）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化４】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【化５】
〔式中、Ｒ1は置換基を表す。〕
【化６】
〔式中、Ｒ1は置換基を表わし、Ａｒ1、Ａｒ2は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項５】
前記一般式（７）で表わされるケイ素化合物と前記一般式（６）で表わされる化合物を反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（８）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化７】
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は、各々置換基を表わし、Ａｒ3、Ａｒ4は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項６】
前記一般式（８）で表わされるケイ素化合物とＣＰ2Ｚｒ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ここで、ＣＰはシクロペンタジエニル基を表す。）を反応させる工程、次いで、酸処理を行う工程を有することを特徴とする下記一般式（９）で表わされるケイ素化合物の製造方法。
【化８】
〔式中、Ｒ4、Ｒ5は、各々置換基を表わし、Ａｒ5、Ａｒ6は、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。〕
【請求項７】
前記一般式（９）で表わされる化合物と（Ｒａ）4ＮＸを反応させる工程を有することを特徴とする下記一般式（４）で表わされるジエン誘導体の製造方法。
【化９】
〔式中、Ｒ6、Ｒ7は、各々置換基を表す。Ｒａはアルキル基または芳香族炭化水素基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。〕
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【公開番号】特開２００８−１２７３３８（Ｐ２００８−１２７３３８Ａ）
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１５００１（Ｐ２００６−３１５００１）
【出願日】平成１８年１１月２２日（２００６．１１．２２）
【出願人】（３０４０２０２９２）国立大学法人徳島大学 (307)
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２２日（２００６．１１．２２）
【出願人】（３０４０２０２９２）国立大学法人徳島大学 (307)
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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