セラミックコンデンサ
【課題】セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子１０と、一対の外部電極２０、３０と、一対の接続端子４０、５０と、を有する。一対の外部電極２０、３０は、セラミックコンデンサ素子１０の対向する端面をそれぞれ別個に覆う。一対の接続端子４０、５０は、それぞれの外部電極２０、３０と電気的に接続される。そして、接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。さらに、外部電極２０、３０は、基材層の両面に導電層を有し、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有する。
【解決手段】セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子１０と、一対の外部電極２０、３０と、一対の接続端子４０、５０と、を有する。一対の外部電極２０、３０は、セラミックコンデンサ素子１０の対向する端面をそれぞれ別個に覆う。一対の接続端子４０、５０は、それぞれの外部電極２０、３０と電気的に接続される。そして、接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。さらに、外部電極２０、３０は、基材層の両面に導電層を有し、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）又は携帯電話等の電子機器は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ又はこれらを複合した複合部品が表面実装された回路基板を有する。このような構造により、前記電子機器は、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体を小型化している。回路基板に搭載されるコンデンサとしては、例えば、セラミックコンデンサがある。
【０００３】
セラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が用いられている。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は電歪現象を発生し、機械的な歪みを生じる。このため、交流電圧が印加されたセラミックコンデンサは振動する。この振動は、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板にも伝達し、これを振動させる。その結果、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板は、振動音を発生する（音鳴り）。このような、セラミックコンデンサの電歪現象に起因した回路基板の振動音、すなわち音鳴りを低減するため、コンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接し、コンデンサ素子の下側に引き出して、回路基板へ接合する電子部品が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２３３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された電子部品は、セラミックコンデンサと回路基板との間に空隙を設け、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制している。このように、特許文献１に記載された電子部品は、音鳴りを抑制できるが、近年においては、さらなる音鳴りの抑制が求められている。本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意研究を重ねた結果、セラミックコンデンサの外部電極の両端面を接続端子で挟持し、この外部電極を介して回路基板にセラミックコンデンサを実装する場合、外部電極のばね定数を小さくすることが有効であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るセラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このような構造により、本発明に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの外部電極に接続される接続端子の導電層を金属材料とし、この導電層を樹脂の基材層の両面に設ける。その結果、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくなり、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、ばね定数が小さく、かつ導電性を有する接続端子でセラミックコンデンサを回路基板に実装できるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、このコンデンサは、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有するので、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられることが好ましい。このような構造とすることで、接続端子の回路基板と接続される部分がセラミックコンデンサ素子の長手方向外側に張り出すことを抑制できる。その結果、本態様は、回路基板へのセラミックコンデンサの実装密度を向上させることができる。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含むことが好ましい。このような構造により、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだは貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、このコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。基材層の厚みがこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【００１２】
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。貫通孔の直径がこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【００１３】
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されていることが好ましい。このようにすれば、はんだが貫通孔をより確実に通過できるので、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。
【図４】図４は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。
【図５】図５は、接続端子の寸法を示す説明図である。
【図６】図６は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図９】図９は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。
【図１０】図１０は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。
【図１１】図１１は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１７】
図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子（以下、必要に応じてコンデンサ素子という）１０と、一対の外部電極（端子電極）２０、３０と、一対の接続端子４０、５０と、を含む。このように、セラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０に、接続端子４０、５０を取り付けた構造の電子部品である。コンデンサ素子１０は、積層型のセラミックコンデンサであり、その形状は、略四角柱形状である。コンデンサ素子１０の構造については後述する。
【００１８】
それぞれの外部電極２０、３０は、略四角柱形状のコンデンサ素子１０の対向する端面をそれぞれ別個に覆っている。外部電極２０、３０は、導電性の材料であり、後述するように、コンデンサ素子１０の内部電極と電気的に接続されている。外部電極２０、３０は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）又は銀／パラジウム合金（Ａｇ／Ｐｄ）に、ニッケル（Ｎｉ）及びスズ（Ｓｎ）をこの順で積層した構造である。なお、外部電極２０、３０は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極２０、３０は、Ｃｕを主成分とした下地電極に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成するようにしてもよい。本実施形態において、外部電極２０、３０は、誘電体素体１１の端面と、当該端面と接続している側面のうち前記端面側の部分との両方を覆う。このように、外部電極２０、３０は、コンデンサ素子１０の両方の端部（端面及び当該端面と接続する側面の前記端面側の部分）を覆う。このため、外部電極２０、３０は、端面２１、３１と、側面２２、３２とを有する。
【００１９】
一対の接続端子４０、５０とそれぞれの外部電極２０、３０の端面２１、３１とは、それぞれ電気的に接続される。このため、本実施形態において、外部電極２０、３０は、少なくとも誘電体素体１１の両方の端面を覆っていればよく、必ずしも誘電体素体１１の側面まで覆う必要はない。一対の接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。
【００２０】
本実施形態において、一対の接続端子４０、５０は、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、外部電極２０、３０の端面２１、３１に電気的に接続される。そして、それぞれの接続端子４０、５０は、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段として、貫通孔（スルーホール）４０Ｈ、５０Ｈを有する。
【００２１】
図２に示すように、それぞれの接続端子４０、５０は、外部電極２０、３０と電気的に接続される脚部４０Ａ、５０Ａと、回路基板６０のランド（基板電極）６１と電気的に接続される基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとを有する。以下において、接続端子４０に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号４０Ａ、４０Ｂで表すものとし、接続端子５０に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号５０Ａ、５０Ｂで表すものとする。
【００２２】
脚部４０Ａ、５０Ａと基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとは、それぞれ板状の構造体であり、両者の板面は互いに直交している。このため、接続端子４０、５０は、脚部４０Ａ、５０Ａ及び基板取付部４０Ｂ、５０Ｂと直交する平面で切った場合の断面が、Ｌ字形状をしている。本実施形態において、接続端子４０、５０は、脚部４０Ａ、５０Ａと基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとを連続した一つの構造体として一体に構成したものである。
【００２３】
本実施形態において、一対の接続端子４０、５０は、それぞれの外部電極２０、３０から離れた位置で、外部電極２０、３０と接続される側とは反対側にある端面４０ｔ、５０ｔが、互いに対向するように曲げられる。端面４０ｔ、５０ｔは、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの端面であり、接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが端面４０ｔ、５０ｔが対向するように曲げられる。このような構造とすることで、脚部４０Ａ、５０Ａとつながっている基板取付部４０Ｂ、５０Ｂがコンデンサ素子１０の長手方向外側に張り出すことを抑制できるので、その分、回路基板６０に対するセラミックコンデンサ１の実装密度を向上させることができる。
【００２４】
脚部４０Ａ、５０Ａは、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される。本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが突出している側とは反対側の面が、外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される。外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される脚部４０Ａ、５０Ａの面は、電極接続面４４、５４である。本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、外部電極２０、３０の端面２１、３１とは、それぞれ、はんだ２、３で接続される。
【００２５】
脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４を外部電極２０、３０の端面２１、３１にはんだ２、３で接続する際には、融解したはんだが２、３が、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内を通過する。そして、はんだ２、３が固化すると、接続端子４０、５０の両面に設けられる導電層同士は、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内に保持されたはんだ２、３によって電気的に接続される。このように、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内に導体であるはんだ２、３を通過させた後、保持することにより、接続端子４０、５０の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。すなわち、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、前記両方の導電層を電気的に接続するための導電手段として機能する。
【００２６】
接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂは、回路基板６０のランド６１と電気的に接続される基板接続面４３、５３を有する。本実施形態において、基板接続面４３、５３は、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と連続する面である。基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの基板接続面４３、５３は、例えば、はんだによって回路基板６０のランド６１と電気的に接続される。
【００２７】
上述したように、接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが端面４０ｔ、５０ｔが対向するように曲げられる。脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とは、それぞれ接続端子４０、５０の異なる面である。このため、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とは、それぞれ接続端子４０、５０の異なる面に設けられる。その結果、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とを電気的に接続しないと、接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と、回路基板６０のランド６１とを電気的に接続することはできない。
【００２８】
本実施形態では、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈと、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内のはんだ２、３とを導電手段として用いる。そして、前記導電手段は、接続端子４０、５０の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。このような構造により、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とが電気的に接続されるので、接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と、回路基板６０のランド６１とを電気的に接続することができる。
【００２９】
本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、外部電極２０、３０の端面２１、３１とを接続するはんだ２、３が融解する温度は、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの基板接続面４３、５３とランド６１とを接続するはんだが融解する温度よりも高いことが好ましい。セラミックコンデンサ１は、ランド６１にはんだペーストが塗布された回路基板６０に実装された後、リフロー炉内で加熱されることによりはんだペーストが融解し、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとランド６１とが電気的に接続される。はんだ２、３が融解する温度を上述したように設定すれば、前記加熱においてはんだ２、３は融解しないので、接続端子４０、５０とコンデンサ素子１０との接続不良を回避しつつ、セラミックコンデンサ１を確実に回路基板６０へ実装できる。次に、セラミックコンデンサ１が有するコンデンサ素子１０について説明する。
【００３０】
図３は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。コンデンサ素子１０の長手方向、すなわち、一対の外部電極２０、３０の端面２１、３１と直交する方向をＹ軸とし、Ｙ軸に直交する軸をそれぞれＸ軸、Ｚ軸とする。コンデンサ素子１０に設けられる外部電極２０、３０の端面２１、３１は、略正方形形状である。コンデンサ素子１０は、外部電極２０、３０の端面２１、３１を底面とし、これらにつながる４個の側面（素子側面）１２を有する略四角柱形状、すなわち略直方体の電子部品である。
【００３１】
外部電極２０、３０が有する端面２１、３１の辺の長さは、Ｘ軸方向がＬａ、Ｚ軸方向がＬｂである。本実施形態において、端面２１、３１は略正方形形状なので、Ｌａ＝Ｌｂである。コンデンサ素子１０のＹ軸方向の長さ、すなわち、コンデンサ素子１０の長手方向の長さはＬｃである。Ｌｃは、一対の端面２１、３１間の最短距離である。
【００３２】
コンデンサ素子１０は、上述したように略直方体形状であるので、平面視（Ｚ軸又はＸ軸方向から見た状態）は矩形の形状（素子側面１２の形状が矩形）である。コンデンサ素子１０は、平面視において、長手方向（Ｙ軸方向）及び短手方向（Ｘ軸又はＺ軸方向）がある。本実施形態のセラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の寸法は問わないが、特に、コンデンサ素子１０の寸法が１６０８Ｍ（Ｃ５１０１−２１：２００６（ＩＥＣ６０３８４−２１：２００４）に規定される寸法記号）以上のものに好適である。なお、前記寸法記号において、１６０８Ｍとは、Ｌｃが１．６ｍｍ±０．１ｍｍ、ＬａとＬｂとのうち大きい方が０．８ｍｍ±０．１ｍｍである。次に、コンデンサ素子１０の内部構造について、簡単に説明する。
【００３３】
図４は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。同図は、コンデンサ素子１０を、外部電極２０、３０の端面２１、３１及び内部電極１７、１８と直交する平面で切った断面を示している。コンデンサ素子１０は、誘電体素体１１と、外部電極２０、３０とを有する。誘電体素体１１は、内部電極１７、１８と誘電材料の誘電体１１ａとを含む。内部電極１７、１８は、例えば、パラジウム、銀／パラジウム合金、ニッケル、銅（Ｃｕ）等である。誘電体１１ａは、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等である。本実施形態において、誘電体素体１１は、誘電体１１ａと内部電極１７、１８とが交互に積層される。誘電体素体１１は、セラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を複数枚積層した積層体を加熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。そして、誘電体素体１１は、内部電極１７に外部電極２０が電気的に接続され、かつ内部電極１８に外部電極３０が電気的に接続されてコンデンサ素子１０となる。コンデンサ素子１０が有する誘電体素体１１は、内部電極と絶縁体とを有していれば、本実施形態の構造に限定されるものではない。
【００３４】
誘電体素体１１の端面（外部電極形成面）１３、１４には、それぞれ内部電極１７、１８が露出している。上述したように、一対の外部電極２０、３０は、それぞれ外部電極形成面１３、１４を別々に覆うとともに、複数の内部電極１７、１８の電気的に接続される。本実施形態において、外部電極２０、３０は、端面２１、３１と側面２２、３２とを有する。外部電極２０、３０の側面２２、３２は、端面２１、３１とつながり、かつ素子側面１２の外部電極形成面１３、１４に延出する。
【００３５】
セラミックコンデンサ１が有するコンデンサ素子１０は、図４に示す誘電体１１ａに誘電材料が用いられる。コンデンサ素子１０が、外部電極２０をランドに直接接続することにより回路基板に実装した場合、外部電極２０、３０から交流電圧が印加されると、誘電体１１ａに電歪現象が発生し、コンデンサ素子１０が変形する。すなわち、強誘電性を有するセラミックの誘電体１１ａの電歪現象効果により、コンデンサ素子１０の積層方向に伸縮が生じる。そして、誘電体の一般的なポアソン比（＝０．３）にしたがって、積層方向と直交する方向、すなわち、回路基板６０の基板面に平行な方向にも伸縮が生じる。コンデンサ素子１０は、積層方向に伸びると積層方向と直交する方向には縮み、積層方向に縮むと積層方向と直交する方向には伸びる。交流電圧がコンデンサ素子１０に印加されることにより、コンデンサ素子１０は、積層方向への伸縮と、積層方向と直交する方向への伸縮（積層方向への伸縮と位相が９０度ずれる）とが繰り返される。その結果、コンデンサ素子１０が実装された回路基板は、基板面と略直交する方向へ振動する。コンデンサ素子１０の振動の振幅は微少（１ｐｍから１ｎｍ程度）であり、そのままでは音としてほとんど人間には認識されない。しかし、コンデンサ素子１０が回路基板に実装されると、回路基板が音響インピーダンス変換器として働く。そして、振動の周波数が人間の可聴周波数帯域（２０Ｈｚから２０ｋＨｚ）になったときに、音として人間の耳に検知される。このように、セラミックコンデンサは、回路基板に実装されると、誘電材料の電歪現象に起因する音鳴りが発生することがある。
【００３６】
セラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の両方の外部電極２０、３０の端面２１、３１を接続端子４０、５０で挟持する。そして、セラミックコンデンサ１は、接続端子４０、５０を介して回路基板６０に実装される。このような構造により、接続端子４０、５０がコンデンサ素子１０の振動を吸収するので、コンデンサ素子１０から回路基板６０へ伝達される振動が抑制される。その結果、セラミックコンデンサ１が実装された回路基板６０は、コンデンサ素子１０の電歪現象に起因する音鳴りが抑制される。
【００３７】
図５は、接続端子の寸法を示す説明図である。接続端子４０、５０の厚さをｔ、幅をｂ、回路基板６０の基板面６２から脚部４０Ａ、５０Ａとコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０とを接続するはんだ２、３の基板面６２側までの距離（接続端子取付長さ）をＬとする。このとき、接続端子４０、５０のばね定数Ｋは、式（１）で表すことができる。式（１）中のＥは、接続端子４０、５０のヤング率である。
【００３８】
【数１】
【００３９】
接続端子４０、５０のばね定数Ｋが小さい程、コンデンサ素子１０の電歪現象に起因する音鳴りを抑制する効果が高くなることが見出された。これは、接続端子４０、５０のばね定数Ｋが小さい程、コンデンサ素子１０からの振動を接続端子４０、５０が吸収しやすくなるからであると考えられる。接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と回路基板６０のランド６１とを電気的に接続するものであるため、導電性が必要である。導電性を有する材料としては金属材料があるが、金属材料は一般にヤング率が高い。このため、金属材料のみで接続端子４０、５０を製造すると、接続端子４０、５０のばね定数Ｋを小さくすることには限界がある。また、ヤング率の低い材料は樹脂材料があるが、一般に樹脂材料は導電性が極めて低い物がほとんどである。このため、接続端子４０、５０が導電性を有し、かつばね定数Ｋを小さくすることは、単一の材料では困難である。
【００４０】
本実施形態では、セラミックコンデンサ１の有する接続端子４０、５０を、ヤング率の異なる材料を少なくとも２以上積層させるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率を、他の層のヤング率よりも小さくする。より具体的には、接続端子４０、５０は、樹脂製の板状部材である基材層の両面に、金属の導電層を有する。一般に、樹脂のヤング率は、金属のヤング率よりも小さいため、接続端子４０、５０は、基材層のヤング率が導電層のヤング率よりも小さくなる。
【００４１】
このような構造の接続端子４０、５０を有するセラミックコンデンサ１は、導電性を有し、かつばね定数Ｋの低い接続端子４０、５０を備えることができ、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。なお、基材層に樹脂材料を用いて、接着剤により基材層に導電層を設ける構造を採用する場合、接着剤の層は基材層に含めてもよい。次に、樹脂の基材層の両面に金属の導電層を有する接続端子４０、５０の具体的な構造を説明する。
【００４２】
図６から図８は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。これらの図は、接続端子４０、５０の電極接続面４４、５４及び基板接続面４３、５３と直交する平面で接続端子４０、５０を切った場合の断面を示している。図６に示す接続端子４０、５０は、基材層４１、５１を有し、基材層４１、５１の両方の表面４１ｓ、５１ｓに、接着剤の層（接着層）４５、５５を介して導電層４６、５６を設けてある。すなわち、接着層４５、５５が導電層４６、５６と基材層４１、５１とを接合している。
【００４３】
このような構造により、例えば、樹脂の基材層４１、５１に接着剤で金属箔を貼り付けて導電層４６、５６とすることができるので、基材層４１、５１に樹脂材料を用いた場合でも、簡単に導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けることができる。また、接着剤を用いれば、無電解めっきやスパッタリング等のような、比較的大掛かりな設備が不要になるので、簡単な設備で導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けることができる。なお、導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設ける手法は上述したものに限定されるものではない。例えば、スパッタリングや無電解めっき等を用いて導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けてもよい。
【００４４】
貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、電極接続面４４、５４の位置に設けられて、一方の導電層４６、５６から他方の導電層４６、５６まで貫通している。すなわち、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、両方の導電層４６、５６、両方の接着層４５、５５及び基材層４１、５１を貫通している。接続端子４０、５０は、基板接続面４３、５３が張り出している側における導電層４６、５６の表面が電極接続面４４、５４となる。基板接続面４３、５３は、基材層４１、５１に対して電極接続面４４、５４の反対側に設けられる導電層４６、５６の表面の一部である。接続端子４０、５０は、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈが基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を貫通している。このため、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０が電極接続面４４、５４にはんだ付けされる際に、融解したはんだは貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０と、接続端子４０、５０の電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とが電気的に接続される。
【００４５】
基材層４１、５１は、接続端子４０、５０の強度を担い、コンデンサ素子１０を回路基板６０の表面に支持するための構造部材である。基材層４１、５１は、接続端子４０、５０が有する複数の層の中で最も厚みが大きい。このような構造により、基材層４１、５１のヤング率を前記複数の層の中で最も小さくしても、基材層４１、５１は構造部材としての機能を発揮して、コンデンサ素子１０を回路基板６０の表面に支持することができる。基材層４１、５１の材料である樹脂は、一般的に金属と比較して振動を減衰させる能力は高い。このため、樹脂を基材層４１、５１として用いた接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の振動を回路基板６０に伝えにくくするという作用が得られる。その結果、セラミックコンデンサ１は、電歪現象に起因する音鳴りをより効果的に抑制することができる。
【００４６】
基材層４１、５１は、樹脂であり、例えば、ポリイミド樹脂（ヤング率は２．５×１０９Ｐａ程度）、エポキシ樹脂（ヤング率は３．０×１０９Ｐａ〜４．０×１０９Ｐａ程度）、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂（ヤング率は５．０×１０７Ｐａ程度）等を用いることができる。この中では、特に、ポリイミドは耐熱性が高いので、接続端子４０、５０がコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０にはんだ付けされる際や、セラミックコンデンサ１が回路基板６０に実装される際のリフロー時における加熱に対しても十分に耐えられる。また、ポリイミドは、強度も比較的高いので、構造部材としての機能を十分に発揮して、コンデンサ素子１０を回路基板６０へ確実に保持できるとともに、落下等の衝撃に対しても耐性が高いという利点もある。
【００４７】
接着層４５、５５は、例えば、エポキシ系の接着剤（ヤング率は３．２×１０９Ｐａ〜２．０×１０１０Ｐａ程度）である。導電層４６、５６は、例えば、銅（ヤング率は１．１×１０１１Ｐａ程度）のような金属材料である。銅は電気伝導率が高いため、接続端子４０、５０の導電層４６、５６として好適である。このように、接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層４１、５１のヤング率は、他の層、すなわち導電層４６、５６及び接着層４５、５５のヤング率よりも小さい。
【００４８】
複数の層が積層された場合の合成ヤング率Ｅｓは、それぞれの層のヤング率をＥｋ、厚みをｔｋとすると、式（２）で求めることができる。なお、ｎは２以上の整数である。式（２）から分かるように、接続端子４０、５０が有する基材層４１、５１のヤング率を他の層、特に金属材料を用いる導電層４６、５６のヤング率よりも低くすることにより、全体のヤング率は、金属材料を用いる導電層４６、５６よりも小さくすることができる。このように、接続端子４０、５０は、導電層４６、５６に導電性の高い金属材料を用いても、基材層４１、５１にヤング率の低い樹脂材料を用いることで、導電性を有し、かつばね定数Ｋが低くなる。
【００４９】
【数２】
【００５０】
図７に示す接続端子４０ａ、５０ａは、基板接続面４３、５３の位置に貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａを有する点で、電極接続面４４、５４の位置に貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを有する接続端子４０、５０（図６参照）とは異なる。接続端子４０ａ、５０ａの他の構造は、図６の接続端子４０、５０と同様である。貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、基板接続面４３、５３の位置で、一方の導電層４６、５６から他方の導電層４６、５６まで貫通している。すなわち、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、両方の導電層４６、５６、両方の接着層４５、５５及び基材層４１ａ、５１ａを貫通している。
【００５１】
接続端子４０ａ、５０ａは、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａが基板接続面４３、５３の位置で、基材層４１ａ、５１ａの両方の導電層４６、５６同士を貫通している。このため、接続端子４０ａ、５０ａを回路基板６０のランド６１にはんだ付けする際に、融解したはんだが貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０と、接続端子４０ａ、５０ａの電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とが電気的に接続される。この例においては、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内に融解したはんだが通過した後、固化したはんだが貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内に保持されるので、固化したはんだによって両方の導電層４６、５６が電気的に接続される。すなわち、接続端子４０ａ、５０ａが回路基板６０のランド６１にはんだ付けされて、両方の導電層４６、５６が電気的に接続される。この例において、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、両方の導電層４６、５６を電気的に接続する導電手段として機能する。
【００５２】
図８に示す接続端子４０ｂ、５０ｂは、図６又は図７に示す接続端子４０、５０又は接続端子４０ａ、５０ａの導電層４６、５６の表面に、第１金属被覆層４７、５７を設け、さらに第１金属被覆層４７、５７の表面に第２金属被覆層４８、５８を設けたものである。他の点は、図６等に示す接続端子４０、５０等と同様である。接続端子４０ｂ、５０ｂは、上述したように、はんだによってコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と電気的に接続され、かつ、はんだによって回路基板６０のランド６１と接続される。このため、接続端子４０ｂ、５０ｂの導電層４６、５６のはんだ付け性を改善するために、接続端子４０ｂ、５０ｂは、はんだとなじみやすい金属（例えば、スズ）の第２金属被覆層４８、５８を、接続端子４０ｂ、５０ｂの最も外側に有する。
【００５３】
本実施形態において、第２金属被覆層４８、５８は、スズ（ヤング率は４．０×１０１０Ｐａ程度）である。銅の導電層４６、５６の表面には、ニッケル（ヤング率は２．０×１０１１Ｐａ程度）の第１金属被覆層４７、５７が設けられる。第１金属被覆層４７、５７及び第２金属被覆層４８、５８は、それぞれ電解めっきやスパッタリング等のよって形成される。第１金属被覆層４７、５７の存在により、スズの第２金属被覆層４８、５８を導電層４６、５６の表面に設けることができる。第２金属被覆層４８、５８の表面が、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と電気的に接続される電極接続面４４、５４となり、また、回路基板６０のランド６１と電気的に接続される基板接続面４３、５３となる。
【００５４】
貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂは、両方の接着層４５、５５、導電層４６、５６、第１金属被覆層４７、５７及び２金属被覆層４８、５８を貫通している。貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂは、図６に示す接続端子４０、５０のように電極接続面４４、５４の位置に設けられていてもよいし、図７に示す接続端子４０ａ、５０ａのように基板接続面４３、５３の位置に設けられていてもよい。接続端子４０ｂ、５０ｂをコンデンサ素子１０に接続する際、又は接続端子４０ｂ、５０ｂを回路基板６０のランド６１に接続する際に、融解したはんだは貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６と、第１金属被覆層４７、５７と、２金属被覆層４８、５８とをそれぞれ電気的に接続する。
【００５５】
図９は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。図１０は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。接続端子４０、５０が有する樹脂製の板状部材、すなわち基材層４１、５１の厚み（基材層厚み）ｔは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。基材層厚みｔが１０μｍを下回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈからはみ出して接続端子４０、５０の表面に流出する結果、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されてしまう。基材層厚みｔが５０μｍを上回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを通過できなくなり、基材層４１、５１の両面に設けられた両方の導電層４６、５６を電気的に接続できなくなってしまう。基材層厚みｔが上述した範囲であれば、はんだが接続端子４０、５０の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。
【００５６】
貫通孔４０Ｈ、５０Ｈの直径（貫通孔径）Ｄは５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。貫通孔径Ｄが５μｍを下回ると、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを通過できなくなり、基材層４１、５１の両面に設けられた両方の導電層４６、５６を電気的に接続できなくなってしまう。貫通孔径Ｄが３０μｍを上回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈからはみ出して接続端子４０、５０の表面に流出する結果、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されてしまう。貫通孔径Ｄが上述した範囲であれば、はんだが接続端子４０、５０の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。
【００５７】
図１１は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。図１１に示す貫通孔４０Ｈｃ、５０Ｈｃのように、その内面は、導電材料４０Ｃ、５０Ｃで被覆されていてもよい。このようにすれば、はんだが貫通孔４０Ｈｃ、５０Ｈｃをより確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。導電材料４０Ｃ、５０Ｃは、具体的には金属（銅、ニッケル、スズ等）であり、例えば、めっき（無電解めっき、電解めっき等）により形成される。
【００５８】
以上、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、樹脂の基材層の両面に金属の導電層をそれぞれ設け、かつ、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置に、両方の導電層を貫通する貫通孔を設けて一対の接続端子を構成する。そして、本実施形態に係るセラミックコンデンサは前記一対の接続端子を、コンデンサ素子の対向する外部電極の端面にそれぞれ電気的に接続する。このような構造により、基材層は導電層よりもヤング率が低くなるので、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくすることができ、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、外部電極は振動吸収作用を有するようになるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、貫通孔は、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置で、両方の導電層を貫通しているので、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだが貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続される。
【００５９】
セラミックコンデンサの振動は、主に内部電極と誘電体とが積層される方向に生ずるものと考えられる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装される場合に、音鳴りは大きくなると考えられる。本実施形態に係るセラミックコンデンサは、接続端子のばね定数を小さくして、電歪現象に起因する振動の回路基板への伝達を抑制できる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装された場合でも、前記振動の回路基板への伝達を抑制し、音鳴りを低減させることができる。
【００６０】
（評価）
上述した実施形態で説明した図６に示す接続端子と、図７に示す接続端子とを、基材層の厚み及び貫通孔の直径を変化させて複数種類作製し、セラミックコンデンサの容量及び音圧を測定した。比較例として、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層とし、その表面に第１金属被覆層としてニッケルを被覆し、第１金属被覆層の表面に第２金属被覆層としてスズを被覆した接続端子を有するセラミックコンデンサを作成し、音圧を測定した。接続端子の構造及び音圧の測定結果を、表１、表２に示す。表１は図６に示す接続端子の結果を示し、表２は図７に示す接続端子の結果を示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】
（測定に供したセラミックコンデンサの作製方法）
それぞれの評価例の接続端子は、次のようにして作製された。ポリイミド樹脂の基材層に、エポキシ系の接着剤で圧延銅を貼り付けた銅箔付き樹脂シートが作製された。この銅箔付き樹脂シートを外部電極の幅（約２．５ｍｍ）の短冊に切断し、貫通孔を穿孔してから、接続端子の形状に折り曲げ、接続端子が作製された。接続端子は、基材層の厚み及び貫通孔の直径を表１、表２に示すように変化させて、複数種類作製された。そして、作製された接続端子を、セラミックコンデンサの外部電極にＳｎ−Ｓｂ系の高温はんだで接合した。図５に示す幅ｂは２．５ｍｍ、接続端子取付長さＬは約１ｍｍである。また、接続端子を取り付けたコンデンサは、寸法記号３２１６Ｍで表されるものを用いた。
【００６４】
（測定方法）
図１２は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。試作したセラミックコンデンサを基板１０６に実装して交流電圧を印加した際に、基板１０６から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。試験装置１００は、無響箱１０１と、集音マイク（商品名：ＭＩ−１２３３、小野測器社製）１０２と、電源装置１０３と、ＦＦＴアナライザ（商品名：ＤＳ２１００、小野測器社製）１０４とを備えている。そして、測定対象となるセラミックコンデンサ１は、基板１０６に設置された状態で、無響箱１０１内に設置される。
【００６５】
セラミックコンデンサ１を設置した基板１０６は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。なお、基板１０６はガラスエポキシ基板であり、その寸法は、厚みが１．６ｍｍ、幅が４０ｍｍ、長さが１００ｍｍである。無響箱１０１は、箱状に形成され、その内壁に吸音材１０７が設けられている。吸音材１０７は、グラスウール等を用いており、その表面を波型等に形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。
【００６６】
電源装置１０３は、一対の配線１０８を介して、基板１０６の正負一対の電極にそれぞれ電気的に接続されている。基板１０６は、配線１０８に吊り下げられた状態で、セラミックコンデンサ１が無響箱１０１内の底面１０１Ｂに対向するように、無響箱１０１の中央部分に配置される。電源装置１０３は、セラミックコンデンサ１に対してＤＣバイアスを与えながら交流電圧を印加した。ＤＣバイアスは２０Ｖとした。交流電圧は、周波数を１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとした。また、交流電圧は、３Ｖｐ−ｐ（peak to peak）となるように、すなわち、ＤＣバイアスの２０Ｖを中心として、交流電圧が±３Ｖの範囲で変化するように印加された。
【００６７】
集音マイク１０２は、無響箱１０１内の底面１０１Ｂに設けられ、無響箱１０１の中央部分に設置されたセラミックコンデンサ１と所定距離（本評価例では５ｃｍ）を保つようにして配置される。ＦＦＴアナライザ１０４は、集音マイク１０２により集音された振動音の大きさ（音圧）を解析した。なお、ＩＳＯ２２６に規定される等感度曲線から、人間の耳の感度は３ｋＨｚから４ｋＨｚで最も鋭くなる。このため、本評価例においては、人間の耳の感度がもっと鋭くなる周波数（より具体的には３ｋＨｚ）での音圧を測定した。
【００６８】
試験装置１００の電源装置１０３が基板１０６に実装されたセラミックコンデンサ１に上述した交流電圧及びＤＣバイアスを印加すると、セラミックコンデンサ１で振動が発生し、セラミックコンデンサ１の振動が基板１０６に伝達される。その結果、基板１０６から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク１０２を用いて集音し、集音した振動音を、ＦＦＴアナライザ１０４で解析することで、基板１０６から発生する振動音の大きさ（音圧）を得た。なお、セラミックコンデンサの容量は、ＬＣＺメータ（商品名：２３４３、ＮＦ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製）で測定した。
【００６９】
（評価結果）
表１及び表２に示す導電性は、セラミックコンデンサが規定の容量である場合は○、コンデンサの容量を測定できなかった場合を×とした。音圧は、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層とした場合の音圧（５０ｄＢ）を基準とし、本評価においては、この音圧を下回るものは音鳴り抑制効果ありと判定した。比較例２、３は、いずれも、はんだが貫通孔を通過できなくなり、基材層の両面に設けられた両方の導電層を電気的に接続できず、コンデンサの容量を測定できなかった。比較例のうち、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層としたものは、音圧が５０ｄＢであった。比較例１は、音圧が５３ｄＢであり、比較例４は、音圧が５４ｄＢであった。比較例１、４は、いずれもはんだが貫通孔からはみ出して接続端子の表面に流出して固化していたことが観察された。比較例１、４の音圧が、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層としたものよりも大きくなったのは、接続端子の表面に流出したはんだにより、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されたことが原因と考えられる。
【００７０】
評価例１から８は、いずれも導電性は○である。また、評価例１から８は、音圧は５０ｄＢを下回っているので音鳴り抑制効果ありと判定した。このように、上述した実施形態に係る接続端子を有するセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続され、かつ音鳴り抑制効果が得られる。上述した評価の結果から、この結果から、基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましいことが分かる。また、貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明に係るセラミックコンデンサは、回路基板に実装されたときにおいて音鳴りを抑制することに有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１ セラミックコンデンサ
１０ コンデンサ素子（セラミックコンデンサ素子）
１１ 誘電体素体
１１ａ 誘電体
１２ 素子側面
１３、１４ 外部電極形成面
１７、１８ 内部電極
２０、３０ 外部電極
２１、３１ 端面
４０Ｈ、５０Ｈ、４０Ｈａ、５０Ｈａ、４０Ｈｂ、５０Ｈｂ、４０Ｈｃ、５０Ｈｃ 貫通孔
４０Ａ、５０Ａ 脚部
４０Ｂ、５０Ｂ 基板取付部
４０Ｃ、５０Ｃ 導電材料
４０、５０、４０ａ、５０ａ、４０ｂ、５０ｂ 接続端子
４０ｔ、５０ｔ 端面
４１、５１ 基材層
４１ｓ、５１ｓ 表面
４３、５３ 基板接続面
４４、５４ 電極接続面
４５、５５ 接着層
４６、５６ 導電層
４７、５７ 第１金属被覆層
４８、５８ 第２金属被覆層
６０ 回路基板
６１ ランド
６２ 基板面
１００ 試験装置
１０１ 無響箱
１０１Ｂ 底面
１０２ 集音マイク
１０３ 電源装置
１０４ ＦＦＴアナライザ
１０６ 基板
１０７ 吸音材
１０８ 配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）又は携帯電話等の電子機器は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ又はこれらを複合した複合部品が表面実装された回路基板を有する。このような構造により、前記電子機器は、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体を小型化している。回路基板に搭載されるコンデンサとしては、例えば、セラミックコンデンサがある。
【０００３】
セラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が用いられている。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は電歪現象を発生し、機械的な歪みを生じる。このため、交流電圧が印加されたセラミックコンデンサは振動する。この振動は、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板にも伝達し、これを振動させる。その結果、セラミックコンデンサが表面実装された回路基板は、振動音を発生する（音鳴り）。このような、セラミックコンデンサの電歪現象に起因した回路基板の振動音、すなわち音鳴りを低減するため、コンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接し、コンデンサ素子の下側に引き出して、回路基板へ接合する電子部品が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２３３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された電子部品は、セラミックコンデンサと回路基板との間に空隙を設け、セラミックコンデンサで発生した振動が基板に伝播するのを抑制している。このように、特許文献１に記載された電子部品は、音鳴りを抑制できるが、近年においては、さらなる音鳴りの抑制が求められている。本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題について鋭意研究を重ねた結果、セラミックコンデンサの外部電極の両端面を接続端子で挟持し、この外部電極を介して回路基板にセラミックコンデンサを実装する場合、外部電極のばね定数を小さくすることが有効であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るセラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このような構造により、本発明に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの外部電極に接続される接続端子の導電層を金属材料とし、この導電層を樹脂の基材層の両面に設ける。その結果、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくなり、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、ばね定数が小さく、かつ導電性を有する接続端子でセラミックコンデンサを回路基板に実装できるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、このコンデンサは、両方の導電層を電気的に接続するための導電手段を有するので、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられることが好ましい。このような構造とすることで、接続端子の回路基板と接続される部分がセラミックコンデンサ素子の長手方向外側に張り出すことを抑制できる。その結果、本態様は、回路基板へのセラミックコンデンサの実装密度を向上させることができる。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含むことが好ましい。このような構造により、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだは貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、このコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とを確実に電気的に接続することができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。基材層の厚みがこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【００１２】
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。貫通孔の直径がこのような範囲であれば、はんだが接続端子の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔を確実に通過できる。その結果、接続端子は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【００１３】
本発明の望ましい態様としては、前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されていることが好ましい。このようにすれば、はんだが貫通孔をより確実に通過できるので、両方の導電層との間に導電経路を確実に形成できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、セラミックコンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。
【図４】図４は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。
【図５】図５は、接続端子の寸法を示す説明図である。
【図６】図６は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。
【図９】図９は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。
【図１０】図１０は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。
【図１１】図１１は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１７】
図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係るセラミックコンデンサを示す側面図である。セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子（以下、必要に応じてコンデンサ素子という）１０と、一対の外部電極（端子電極）２０、３０と、一対の接続端子４０、５０と、を含む。このように、セラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０に、接続端子４０、５０を取り付けた構造の電子部品である。コンデンサ素子１０は、積層型のセラミックコンデンサであり、その形状は、略四角柱形状である。コンデンサ素子１０の構造については後述する。
【００１８】
それぞれの外部電極２０、３０は、略四角柱形状のコンデンサ素子１０の対向する端面をそれぞれ別個に覆っている。外部電極２０、３０は、導電性の材料であり、後述するように、コンデンサ素子１０の内部電極と電気的に接続されている。外部電極２０、３０は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）又は銀／パラジウム合金（Ａｇ／Ｐｄ）に、ニッケル（Ｎｉ）及びスズ（Ｓｎ）をこの順で積層した構造である。なお、外部電極２０、３０は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極２０、３０は、Ｃｕを主成分とした下地電極に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成するようにしてもよい。本実施形態において、外部電極２０、３０は、誘電体素体１１の端面と、当該端面と接続している側面のうち前記端面側の部分との両方を覆う。このように、外部電極２０、３０は、コンデンサ素子１０の両方の端部（端面及び当該端面と接続する側面の前記端面側の部分）を覆う。このため、外部電極２０、３０は、端面２１、３１と、側面２２、３２とを有する。
【００１９】
一対の接続端子４０、５０とそれぞれの外部電極２０、３０の端面２１、３１とは、それぞれ電気的に接続される。このため、本実施形態において、外部電極２０、３０は、少なくとも誘電体素体１１の両方の端面を覆っていればよく、必ずしも誘電体素体１１の側面まで覆う必要はない。一対の接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率は、他の層のヤング率よりも小さい。
【００２０】
本実施形態において、一対の接続端子４０、５０は、樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、外部電極２０、３０の端面２１、３１に電気的に接続される。そして、それぞれの接続端子４０、５０は、両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段として、貫通孔（スルーホール）４０Ｈ、５０Ｈを有する。
【００２１】
図２に示すように、それぞれの接続端子４０、５０は、外部電極２０、３０と電気的に接続される脚部４０Ａ、５０Ａと、回路基板６０のランド（基板電極）６１と電気的に接続される基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとを有する。以下において、接続端子４０に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号４０Ａ、４０Ｂで表すものとし、接続端子５０に対応する脚部と基板取付部とはそれぞれ符号５０Ａ、５０Ｂで表すものとする。
【００２２】
脚部４０Ａ、５０Ａと基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとは、それぞれ板状の構造体であり、両者の板面は互いに直交している。このため、接続端子４０、５０は、脚部４０Ａ、５０Ａ及び基板取付部４０Ｂ、５０Ｂと直交する平面で切った場合の断面が、Ｌ字形状をしている。本実施形態において、接続端子４０、５０は、脚部４０Ａ、５０Ａと基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとを連続した一つの構造体として一体に構成したものである。
【００２３】
本実施形態において、一対の接続端子４０、５０は、それぞれの外部電極２０、３０から離れた位置で、外部電極２０、３０と接続される側とは反対側にある端面４０ｔ、５０ｔが、互いに対向するように曲げられる。端面４０ｔ、５０ｔは、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの端面であり、接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが端面４０ｔ、５０ｔが対向するように曲げられる。このような構造とすることで、脚部４０Ａ、５０Ａとつながっている基板取付部４０Ｂ、５０Ｂがコンデンサ素子１０の長手方向外側に張り出すことを抑制できるので、その分、回路基板６０に対するセラミックコンデンサ１の実装密度を向上させることができる。
【００２４】
脚部４０Ａ、５０Ａは、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される。本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが突出している側とは反対側の面が、外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される。外部電極２０、３０の端面２１、３１と電気的に接続される脚部４０Ａ、５０Ａの面は、電極接続面４４、５４である。本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、外部電極２０、３０の端面２１、３１とは、それぞれ、はんだ２、３で接続される。
【００２５】
脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４を外部電極２０、３０の端面２１、３１にはんだ２、３で接続する際には、融解したはんだが２、３が、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内を通過する。そして、はんだ２、３が固化すると、接続端子４０、５０の両面に設けられる導電層同士は、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内に保持されたはんだ２、３によって電気的に接続される。このように、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内に導体であるはんだ２、３を通過させた後、保持することにより、接続端子４０、５０の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。すなわち、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、前記両方の導電層を電気的に接続するための導電手段として機能する。
【００２６】
接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂは、回路基板６０のランド６１と電気的に接続される基板接続面４３、５３を有する。本実施形態において、基板接続面４３、５３は、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と連続する面である。基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの基板接続面４３、５３は、例えば、はんだによって回路基板６０のランド６１と電気的に接続される。
【００２７】
上述したように、接続端子４０、５０の基板取付部４０Ｂ、５０Ｂが端面４０ｔ、５０ｔが対向するように曲げられる。脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とは、それぞれ接続端子４０、５０の異なる面である。このため、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とは、それぞれ接続端子４０、５０の異なる面に設けられる。その結果、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とを電気的に接続しないと、接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と、回路基板６０のランド６１とを電気的に接続することはできない。
【００２８】
本実施形態では、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈと、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内のはんだ２、３とを導電手段として用いる。そして、前記導電手段は、接続端子４０、５０の両面に設けられる両方の導電層を電気的に接続する。このような構造により、電極接続面４４、５４側の導電層と、基板接続面４３、５３側の導電層とが電気的に接続されるので、接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と、回路基板６０のランド６１とを電気的に接続することができる。
【００２９】
本実施形態において、脚部４０Ａ、５０Ａの電極接続面４４、５４と、外部電極２０、３０の端面２１、３１とを接続するはんだ２、３が融解する温度は、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂの基板接続面４３、５３とランド６１とを接続するはんだが融解する温度よりも高いことが好ましい。セラミックコンデンサ１は、ランド６１にはんだペーストが塗布された回路基板６０に実装された後、リフロー炉内で加熱されることによりはんだペーストが融解し、基板取付部４０Ｂ、５０Ｂとランド６１とが電気的に接続される。はんだ２、３が融解する温度を上述したように設定すれば、前記加熱においてはんだ２、３は融解しないので、接続端子４０、５０とコンデンサ素子１０との接続不良を回避しつつ、セラミックコンデンサ１を確実に回路基板６０へ実装できる。次に、セラミックコンデンサ１が有するコンデンサ素子１０について説明する。
【００３０】
図３は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の斜視図である。コンデンサ素子１０の長手方向、すなわち、一対の外部電極２０、３０の端面２１、３１と直交する方向をＹ軸とし、Ｙ軸に直交する軸をそれぞれＸ軸、Ｚ軸とする。コンデンサ素子１０に設けられる外部電極２０、３０の端面２１、３１は、略正方形形状である。コンデンサ素子１０は、外部電極２０、３０の端面２１、３１を底面とし、これらにつながる４個の側面（素子側面）１２を有する略四角柱形状、すなわち略直方体の電子部品である。
【００３１】
外部電極２０、３０が有する端面２１、３１の辺の長さは、Ｘ軸方向がＬａ、Ｚ軸方向がＬｂである。本実施形態において、端面２１、３１は略正方形形状なので、Ｌａ＝Ｌｂである。コンデンサ素子１０のＹ軸方向の長さ、すなわち、コンデンサ素子１０の長手方向の長さはＬｃである。Ｌｃは、一対の端面２１、３１間の最短距離である。
【００３２】
コンデンサ素子１０は、上述したように略直方体形状であるので、平面視（Ｚ軸又はＸ軸方向から見た状態）は矩形の形状（素子側面１２の形状が矩形）である。コンデンサ素子１０は、平面視において、長手方向（Ｙ軸方向）及び短手方向（Ｘ軸又はＺ軸方向）がある。本実施形態のセラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の寸法は問わないが、特に、コンデンサ素子１０の寸法が１６０８Ｍ（Ｃ５１０１−２１：２００６（ＩＥＣ６０３８４−２１：２００４）に規定される寸法記号）以上のものに好適である。なお、前記寸法記号において、１６０８Ｍとは、Ｌｃが１．６ｍｍ±０．１ｍｍ、ＬａとＬｂとのうち大きい方が０．８ｍｍ±０．１ｍｍである。次に、コンデンサ素子１０の内部構造について、簡単に説明する。
【００３３】
図４は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有するセラミックコンデンサ素子の断面図である。同図は、コンデンサ素子１０を、外部電極２０、３０の端面２１、３１及び内部電極１７、１８と直交する平面で切った断面を示している。コンデンサ素子１０は、誘電体素体１１と、外部電極２０、３０とを有する。誘電体素体１１は、内部電極１７、１８と誘電材料の誘電体１１ａとを含む。内部電極１７、１８は、例えば、パラジウム、銀／パラジウム合金、ニッケル、銅（Ｃｕ）等である。誘電体１１ａは、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等である。本実施形態において、誘電体素体１１は、誘電体１１ａと内部電極１７、１８とが交互に積層される。誘電体素体１１は、セラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を複数枚積層した積層体を加熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。そして、誘電体素体１１は、内部電極１７に外部電極２０が電気的に接続され、かつ内部電極１８に外部電極３０が電気的に接続されてコンデンサ素子１０となる。コンデンサ素子１０が有する誘電体素体１１は、内部電極と絶縁体とを有していれば、本実施形態の構造に限定されるものではない。
【００３４】
誘電体素体１１の端面（外部電極形成面）１３、１４には、それぞれ内部電極１７、１８が露出している。上述したように、一対の外部電極２０、３０は、それぞれ外部電極形成面１３、１４を別々に覆うとともに、複数の内部電極１７、１８の電気的に接続される。本実施形態において、外部電極２０、３０は、端面２１、３１と側面２２、３２とを有する。外部電極２０、３０の側面２２、３２は、端面２１、３１とつながり、かつ素子側面１２の外部電極形成面１３、１４に延出する。
【００３５】
セラミックコンデンサ１が有するコンデンサ素子１０は、図４に示す誘電体１１ａに誘電材料が用いられる。コンデンサ素子１０が、外部電極２０をランドに直接接続することにより回路基板に実装した場合、外部電極２０、３０から交流電圧が印加されると、誘電体１１ａに電歪現象が発生し、コンデンサ素子１０が変形する。すなわち、強誘電性を有するセラミックの誘電体１１ａの電歪現象効果により、コンデンサ素子１０の積層方向に伸縮が生じる。そして、誘電体の一般的なポアソン比（＝０．３）にしたがって、積層方向と直交する方向、すなわち、回路基板６０の基板面に平行な方向にも伸縮が生じる。コンデンサ素子１０は、積層方向に伸びると積層方向と直交する方向には縮み、積層方向に縮むと積層方向と直交する方向には伸びる。交流電圧がコンデンサ素子１０に印加されることにより、コンデンサ素子１０は、積層方向への伸縮と、積層方向と直交する方向への伸縮（積層方向への伸縮と位相が９０度ずれる）とが繰り返される。その結果、コンデンサ素子１０が実装された回路基板は、基板面と略直交する方向へ振動する。コンデンサ素子１０の振動の振幅は微少（１ｐｍから１ｎｍ程度）であり、そのままでは音としてほとんど人間には認識されない。しかし、コンデンサ素子１０が回路基板に実装されると、回路基板が音響インピーダンス変換器として働く。そして、振動の周波数が人間の可聴周波数帯域（２０Ｈｚから２０ｋＨｚ）になったときに、音として人間の耳に検知される。このように、セラミックコンデンサは、回路基板に実装されると、誘電材料の電歪現象に起因する音鳴りが発生することがある。
【００３６】
セラミックコンデンサ１は、コンデンサ素子１０の両方の外部電極２０、３０の端面２１、３１を接続端子４０、５０で挟持する。そして、セラミックコンデンサ１は、接続端子４０、５０を介して回路基板６０に実装される。このような構造により、接続端子４０、５０がコンデンサ素子１０の振動を吸収するので、コンデンサ素子１０から回路基板６０へ伝達される振動が抑制される。その結果、セラミックコンデンサ１が実装された回路基板６０は、コンデンサ素子１０の電歪現象に起因する音鳴りが抑制される。
【００３７】
図５は、接続端子の寸法を示す説明図である。接続端子４０、５０の厚さをｔ、幅をｂ、回路基板６０の基板面６２から脚部４０Ａ、５０Ａとコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０とを接続するはんだ２、３の基板面６２側までの距離（接続端子取付長さ）をＬとする。このとき、接続端子４０、５０のばね定数Ｋは、式（１）で表すことができる。式（１）中のＥは、接続端子４０、５０のヤング率である。
【００３８】
【数１】
【００３９】
接続端子４０、５０のばね定数Ｋが小さい程、コンデンサ素子１０の電歪現象に起因する音鳴りを抑制する効果が高くなることが見出された。これは、接続端子４０、５０のばね定数Ｋが小さい程、コンデンサ素子１０からの振動を接続端子４０、５０が吸収しやすくなるからであると考えられる。接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と回路基板６０のランド６１とを電気的に接続するものであるため、導電性が必要である。導電性を有する材料としては金属材料があるが、金属材料は一般にヤング率が高い。このため、金属材料のみで接続端子４０、５０を製造すると、接続端子４０、５０のばね定数Ｋを小さくすることには限界がある。また、ヤング率の低い材料は樹脂材料があるが、一般に樹脂材料は導電性が極めて低い物がほとんどである。このため、接続端子４０、５０が導電性を有し、かつばね定数Ｋを小さくすることは、単一の材料では困難である。
【００４０】
本実施形態では、セラミックコンデンサ１の有する接続端子４０、５０を、ヤング率の異なる材料を少なくとも２以上積層させるとともに、最も厚みが大きい層である基材層のヤング率を、他の層のヤング率よりも小さくする。より具体的には、接続端子４０、５０は、樹脂製の板状部材である基材層の両面に、金属の導電層を有する。一般に、樹脂のヤング率は、金属のヤング率よりも小さいため、接続端子４０、５０は、基材層のヤング率が導電層のヤング率よりも小さくなる。
【００４１】
このような構造の接続端子４０、５０を有するセラミックコンデンサ１は、導電性を有し、かつばね定数Ｋの低い接続端子４０、５０を備えることができ、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。なお、基材層に樹脂材料を用いて、接着剤により基材層に導電層を設ける構造を採用する場合、接着剤の層は基材層に含めてもよい。次に、樹脂の基材層の両面に金属の導電層を有する接続端子４０、５０の具体的な構造を説明する。
【００４２】
図６から図８は、本実施形態に係るセラミックコンデンサが有する接続端子の構造を示す断面図である。これらの図は、接続端子４０、５０の電極接続面４４、５４及び基板接続面４３、５３と直交する平面で接続端子４０、５０を切った場合の断面を示している。図６に示す接続端子４０、５０は、基材層４１、５１を有し、基材層４１、５１の両方の表面４１ｓ、５１ｓに、接着剤の層（接着層）４５、５５を介して導電層４６、５６を設けてある。すなわち、接着層４５、５５が導電層４６、５６と基材層４１、５１とを接合している。
【００４３】
このような構造により、例えば、樹脂の基材層４１、５１に接着剤で金属箔を貼り付けて導電層４６、５６とすることができるので、基材層４１、５１に樹脂材料を用いた場合でも、簡単に導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けることができる。また、接着剤を用いれば、無電解めっきやスパッタリング等のような、比較的大掛かりな設備が不要になるので、簡単な設備で導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けることができる。なお、導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設ける手法は上述したものに限定されるものではない。例えば、スパッタリングや無電解めっき等を用いて導電層４６、５６を基材層４１、５１の表面４１ｓ、５１ｓに設けてもよい。
【００４４】
貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、電極接続面４４、５４の位置に設けられて、一方の導電層４６、５６から他方の導電層４６、５６まで貫通している。すなわち、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈは、両方の導電層４６、５６、両方の接着層４５、５５及び基材層４１、５１を貫通している。接続端子４０、５０は、基板接続面４３、５３が張り出している側における導電層４６、５６の表面が電極接続面４４、５４となる。基板接続面４３、５３は、基材層４１、５１に対して電極接続面４４、５４の反対側に設けられる導電層４６、５６の表面の一部である。接続端子４０、５０は、貫通孔４０Ｈ、５０Ｈが基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を貫通している。このため、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０が電極接続面４４、５４にはんだ付けされる際に、融解したはんだは貫通孔４０Ｈ、５０Ｈ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０と、接続端子４０、５０の電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とが電気的に接続される。
【００４５】
基材層４１、５１は、接続端子４０、５０の強度を担い、コンデンサ素子１０を回路基板６０の表面に支持するための構造部材である。基材層４１、５１は、接続端子４０、５０が有する複数の層の中で最も厚みが大きい。このような構造により、基材層４１、５１のヤング率を前記複数の層の中で最も小さくしても、基材層４１、５１は構造部材としての機能を発揮して、コンデンサ素子１０を回路基板６０の表面に支持することができる。基材層４１、５１の材料である樹脂は、一般的に金属と比較して振動を減衰させる能力は高い。このため、樹脂を基材層４１、５１として用いた接続端子４０、５０は、コンデンサ素子１０の振動を回路基板６０に伝えにくくするという作用が得られる。その結果、セラミックコンデンサ１は、電歪現象に起因する音鳴りをより効果的に抑制することができる。
【００４６】
基材層４１、５１は、樹脂であり、例えば、ポリイミド樹脂（ヤング率は２．５×１０９Ｐａ程度）、エポキシ樹脂（ヤング率は３．０×１０９Ｐａ〜４．０×１０９Ｐａ程度）、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂（ヤング率は５．０×１０７Ｐａ程度）等を用いることができる。この中では、特に、ポリイミドは耐熱性が高いので、接続端子４０、５０がコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０にはんだ付けされる際や、セラミックコンデンサ１が回路基板６０に実装される際のリフロー時における加熱に対しても十分に耐えられる。また、ポリイミドは、強度も比較的高いので、構造部材としての機能を十分に発揮して、コンデンサ素子１０を回路基板６０へ確実に保持できるとともに、落下等の衝撃に対しても耐性が高いという利点もある。
【００４７】
接着層４５、５５は、例えば、エポキシ系の接着剤（ヤング率は３．２×１０９Ｐａ〜２．０×１０１０Ｐａ程度）である。導電層４６、５６は、例えば、銅（ヤング率は１．１×１０１１Ｐａ程度）のような金属材料である。銅は電気伝導率が高いため、接続端子４０、５０の導電層４６、５６として好適である。このように、接続端子４０、５０は、ヤング率の異なる材料が少なくとも２層積層されるとともに、最も厚みが大きい層である基材層４１、５１のヤング率は、他の層、すなわち導電層４６、５６及び接着層４５、５５のヤング率よりも小さい。
【００４８】
複数の層が積層された場合の合成ヤング率Ｅｓは、それぞれの層のヤング率をＥｋ、厚みをｔｋとすると、式（２）で求めることができる。なお、ｎは２以上の整数である。式（２）から分かるように、接続端子４０、５０が有する基材層４１、５１のヤング率を他の層、特に金属材料を用いる導電層４６、５６のヤング率よりも低くすることにより、全体のヤング率は、金属材料を用いる導電層４６、５６よりも小さくすることができる。このように、接続端子４０、５０は、導電層４６、５６に導電性の高い金属材料を用いても、基材層４１、５１にヤング率の低い樹脂材料を用いることで、導電性を有し、かつばね定数Ｋが低くなる。
【００４９】
【数２】
【００５０】
図７に示す接続端子４０ａ、５０ａは、基板接続面４３、５３の位置に貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａを有する点で、電極接続面４４、５４の位置に貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを有する接続端子４０、５０（図６参照）とは異なる。接続端子４０ａ、５０ａの他の構造は、図６の接続端子４０、５０と同様である。貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、基板接続面４３、５３の位置で、一方の導電層４６、５６から他方の導電層４６、５６まで貫通している。すなわち、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、両方の導電層４６、５６、両方の接着層４５、５５及び基材層４１ａ、５１ａを貫通している。
【００５１】
接続端子４０ａ、５０ａは、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａが基板接続面４３、５３の位置で、基材層４１ａ、５１ａの両方の導電層４６、５６同士を貫通している。このため、接続端子４０ａ、５０ａを回路基板６０のランド６１にはんだ付けする際に、融解したはんだが貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６同士を電気的に接続する。このような構造により、セラミックコンデンサ１の外部電極２０、３０と、接続端子４０ａ、５０ａの電極接続面４４、５４と、基板接続面４３、５３とが電気的に接続される。この例においては、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内に融解したはんだが通過した後、固化したはんだが貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａ内に保持されるので、固化したはんだによって両方の導電層４６、５６が電気的に接続される。すなわち、接続端子４０ａ、５０ａが回路基板６０のランド６１にはんだ付けされて、両方の導電層４６、５６が電気的に接続される。この例において、貫通孔４０Ｈａ、５０Ｈａは、両方の導電層４６、５６を電気的に接続する導電手段として機能する。
【００５２】
図８に示す接続端子４０ｂ、５０ｂは、図６又は図７に示す接続端子４０、５０又は接続端子４０ａ、５０ａの導電層４６、５６の表面に、第１金属被覆層４７、５７を設け、さらに第１金属被覆層４７、５７の表面に第２金属被覆層４８、５８を設けたものである。他の点は、図６等に示す接続端子４０、５０等と同様である。接続端子４０ｂ、５０ｂは、上述したように、はんだによってコンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と電気的に接続され、かつ、はんだによって回路基板６０のランド６１と接続される。このため、接続端子４０ｂ、５０ｂの導電層４６、５６のはんだ付け性を改善するために、接続端子４０ｂ、５０ｂは、はんだとなじみやすい金属（例えば、スズ）の第２金属被覆層４８、５８を、接続端子４０ｂ、５０ｂの最も外側に有する。
【００５３】
本実施形態において、第２金属被覆層４８、５８は、スズ（ヤング率は４．０×１０１０Ｐａ程度）である。銅の導電層４６、５６の表面には、ニッケル（ヤング率は２．０×１０１１Ｐａ程度）の第１金属被覆層４７、５７が設けられる。第１金属被覆層４７、５７及び第２金属被覆層４８、５８は、それぞれ電解めっきやスパッタリング等のよって形成される。第１金属被覆層４７、５７の存在により、スズの第２金属被覆層４８、５８を導電層４６、５６の表面に設けることができる。第２金属被覆層４８、５８の表面が、コンデンサ素子１０の外部電極２０、３０と電気的に接続される電極接続面４４、５４となり、また、回路基板６０のランド６１と電気的に接続される基板接続面４３、５３となる。
【００５４】
貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂは、両方の接着層４５、５５、導電層４６、５６、第１金属被覆層４７、５７及び２金属被覆層４８、５８を貫通している。貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂは、図６に示す接続端子４０、５０のように電極接続面４４、５４の位置に設けられていてもよいし、図７に示す接続端子４０ａ、５０ａのように基板接続面４３、５３の位置に設けられていてもよい。接続端子４０ｂ、５０ｂをコンデンサ素子１０に接続する際、又は接続端子４０ｂ、５０ｂを回路基板６０のランド６１に接続する際に、融解したはんだは貫通孔４０Ｈｂ、５０Ｈｂ内を通過する。そして、固化したはんだは、基材層４１、５１の両方の導電層４６、５６と、第１金属被覆層４７、５７と、２金属被覆層４８、５８とをそれぞれ電気的に接続する。
【００５５】
図９は、接続端子が有する基材層の厚みを示す断面図である。図１０は、接続端子が有する貫通孔の形状を示す平面図である。接続端子４０、５０が有する樹脂製の板状部材、すなわち基材層４１、５１の厚み（基材層厚み）ｔは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。基材層厚みｔが１０μｍを下回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈからはみ出して接続端子４０、５０の表面に流出する結果、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されてしまう。基材層厚みｔが５０μｍを上回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを通過できなくなり、基材層４１、５１の両面に設けられた両方の導電層４６、５６を電気的に接続できなくなってしまう。基材層厚みｔが上述した範囲であれば、はんだが接続端子４０、５０の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。
【００５６】
貫通孔４０Ｈ、５０Ｈの直径（貫通孔径）Ｄは５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。貫通孔径Ｄが５μｍを下回ると、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを通過できなくなり、基材層４１、５１の両面に設けられた両方の導電層４６、５６を電気的に接続できなくなってしまう。貫通孔径Ｄが３０μｍを上回るとはんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈからはみ出して接続端子４０、５０の表面に流出する結果、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されてしまう。貫通孔径Ｄが上述した範囲であれば、はんだが接続端子４０、５０の表面に流出することを抑制しつつ、はんだが貫通孔４０Ｈ、５０Ｈを確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。
【００５７】
図１１は、接続端子が有する貫通孔の変形例を示す平面図である。図１１に示す貫通孔４０Ｈｃ、５０Ｈｃのように、その内面は、導電材料４０Ｃ、５０Ｃで被覆されていてもよい。このようにすれば、はんだが貫通孔４０Ｈｃ、５０Ｈｃをより確実に通過できる。その結果、接続端子４０、５０は振動吸収作用を発揮しつつ、両方の導電層４６、５６との間に導電経路を確実に形成できる。導電材料４０Ｃ、５０Ｃは、具体的には金属（銅、ニッケル、スズ等）であり、例えば、めっき（無電解めっき、電解めっき等）により形成される。
【００５８】
以上、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、樹脂の基材層の両面に金属の導電層をそれぞれ設け、かつ、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置に、両方の導電層を貫通する貫通孔を設けて一対の接続端子を構成する。そして、本実施形態に係るセラミックコンデンサは前記一対の接続端子を、コンデンサ素子の対向する外部電極の端面にそれぞれ電気的に接続する。このような構造により、基材層は導電層よりもヤング率が低くなるので、接続端子全体のヤング率は、導電層のヤング率よりも小さくすることができ、また、接続端子をすべて金属材料で構成した場合よりも小さくすることができる。その結果、外部電極は振動吸収作用を有するようになるので、電歪現象に起因した音鳴りを効果的に抑制することができる。また、貫通孔は、回路基板のランド又はコンデンサ素子の外部電極の位置で、両方の導電層を貫通しているので、接続端子を外部電極にはんだ付けする場合、又は接続端子をランドにはんだ付けする場合に、はんだが貫通孔を通過して両方の導電層を電気的に接続する。その結果、本実施形態に係るセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続される。
【００５９】
セラミックコンデンサの振動は、主に内部電極と誘電体とが積層される方向に生ずるものと考えられる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装される場合に、音鳴りは大きくなると考えられる。本実施形態に係るセラミックコンデンサは、接続端子のばね定数を小さくして、電歪現象に起因する振動の回路基板への伝達を抑制できる。このため、誘電体と内部基板とが積層される方向が回路基板の基板面と直交するようにセラミックコンデンサが回路基板へ実装された場合でも、前記振動の回路基板への伝達を抑制し、音鳴りを低減させることができる。
【００６０】
（評価）
上述した実施形態で説明した図６に示す接続端子と、図７に示す接続端子とを、基材層の厚み及び貫通孔の直径を変化させて複数種類作製し、セラミックコンデンサの容量及び音圧を測定した。比較例として、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層とし、その表面に第１金属被覆層としてニッケルを被覆し、第１金属被覆層の表面に第２金属被覆層としてスズを被覆した接続端子を有するセラミックコンデンサを作成し、音圧を測定した。接続端子の構造及び音圧の測定結果を、表１、表２に示す。表１は図６に示す接続端子の結果を示し、表２は図７に示す接続端子の結果を示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】
（測定に供したセラミックコンデンサの作製方法）
それぞれの評価例の接続端子は、次のようにして作製された。ポリイミド樹脂の基材層に、エポキシ系の接着剤で圧延銅を貼り付けた銅箔付き樹脂シートが作製された。この銅箔付き樹脂シートを外部電極の幅（約２．５ｍｍ）の短冊に切断し、貫通孔を穿孔してから、接続端子の形状に折り曲げ、接続端子が作製された。接続端子は、基材層の厚み及び貫通孔の直径を表１、表２に示すように変化させて、複数種類作製された。そして、作製された接続端子を、セラミックコンデンサの外部電極にＳｎ−Ｓｂ系の高温はんだで接合した。図５に示す幅ｂは２．５ｍｍ、接続端子取付長さＬは約１ｍｍである。また、接続端子を取り付けたコンデンサは、寸法記号３２１６Ｍで表されるものを用いた。
【００６４】
（測定方法）
図１２は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。試作したセラミックコンデンサを基板１０６に実装して交流電圧を印加した際に、基板１０６から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。試験装置１００は、無響箱１０１と、集音マイク（商品名：ＭＩ−１２３３、小野測器社製）１０２と、電源装置１０３と、ＦＦＴアナライザ（商品名：ＤＳ２１００、小野測器社製）１０４とを備えている。そして、測定対象となるセラミックコンデンサ１は、基板１０６に設置された状態で、無響箱１０１内に設置される。
【００６５】
セラミックコンデンサ１を設置した基板１０６は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。なお、基板１０６はガラスエポキシ基板であり、その寸法は、厚みが１．６ｍｍ、幅が４０ｍｍ、長さが１００ｍｍである。無響箱１０１は、箱状に形成され、その内壁に吸音材１０７が設けられている。吸音材１０７は、グラスウール等を用いており、その表面を波型等に形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。
【００６６】
電源装置１０３は、一対の配線１０８を介して、基板１０６の正負一対の電極にそれぞれ電気的に接続されている。基板１０６は、配線１０８に吊り下げられた状態で、セラミックコンデンサ１が無響箱１０１内の底面１０１Ｂに対向するように、無響箱１０１の中央部分に配置される。電源装置１０３は、セラミックコンデンサ１に対してＤＣバイアスを与えながら交流電圧を印加した。ＤＣバイアスは２０Ｖとした。交流電圧は、周波数を１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとした。また、交流電圧は、３Ｖｐ−ｐ（peak to peak）となるように、すなわち、ＤＣバイアスの２０Ｖを中心として、交流電圧が±３Ｖの範囲で変化するように印加された。
【００６７】
集音マイク１０２は、無響箱１０１内の底面１０１Ｂに設けられ、無響箱１０１の中央部分に設置されたセラミックコンデンサ１と所定距離（本評価例では５ｃｍ）を保つようにして配置される。ＦＦＴアナライザ１０４は、集音マイク１０２により集音された振動音の大きさ（音圧）を解析した。なお、ＩＳＯ２２６に規定される等感度曲線から、人間の耳の感度は３ｋＨｚから４ｋＨｚで最も鋭くなる。このため、本評価例においては、人間の耳の感度がもっと鋭くなる周波数（より具体的には３ｋＨｚ）での音圧を測定した。
【００６８】
試験装置１００の電源装置１０３が基板１０６に実装されたセラミックコンデンサ１に上述した交流電圧及びＤＣバイアスを印加すると、セラミックコンデンサ１で振動が発生し、セラミックコンデンサ１の振動が基板１０６に伝達される。その結果、基板１０６から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク１０２を用いて集音し、集音した振動音を、ＦＦＴアナライザ１０４で解析することで、基板１０６から発生する振動音の大きさ（音圧）を得た。なお、セラミックコンデンサの容量は、ＬＣＺメータ（商品名：２３４３、ＮＦ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製）で測定した。
【００６９】
（評価結果）
表１及び表２に示す導電性は、セラミックコンデンサが規定の容量である場合は○、コンデンサの容量を測定できなかった場合を×とした。音圧は、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層とした場合の音圧（５０ｄＢ）を基準とし、本評価においては、この音圧を下回るものは音鳴り抑制効果ありと判定した。比較例２、３は、いずれも、はんだが貫通孔を通過できなくなり、基材層の両面に設けられた両方の導電層を電気的に接続できず、コンデンサの容量を測定できなかった。比較例のうち、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層としたものは、音圧が５０ｄＢであった。比較例１は、音圧が５３ｄＢであり、比較例４は、音圧が５４ｄＢであった。比較例１、４は、いずれもはんだが貫通孔からはみ出して接続端子の表面に流出して固化していたことが観察された。比較例１、４の音圧が、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金を基材層としたものよりも大きくなったのは、接続端子の表面に流出したはんだにより、接続端子４０、５０の振動吸収作用が抑制されたことが原因と考えられる。
【００７０】
評価例１から８は、いずれも導電性は○である。また、評価例１から８は、音圧は５０ｄＢを下回っているので音鳴り抑制効果ありと判定した。このように、上述した実施形態に係る接続端子を有するセラミックコンデンサは、回路基板のランドと接続端子と外部電極とが確実に電気的に接続され、かつ音鳴り抑制効果が得られる。上述した評価の結果から、この結果から、基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましいことが分かる。また、貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明に係るセラミックコンデンサは、回路基板に実装されたときにおいて音鳴りを抑制することに有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１ セラミックコンデンサ
１０ コンデンサ素子（セラミックコンデンサ素子）
１１ 誘電体素体
１１ａ 誘電体
１２ 素子側面
１３、１４ 外部電極形成面
１７、１８ 内部電極
２０、３０ 外部電極
２１、３１ 端面
４０Ｈ、５０Ｈ、４０Ｈａ、５０Ｈａ、４０Ｈｂ、５０Ｈｂ、４０Ｈｃ、５０Ｈｃ 貫通孔
４０Ａ、５０Ａ 脚部
４０Ｂ、５０Ｂ 基板取付部
４０Ｃ、５０Ｃ 導電材料
４０、５０、４０ａ、５０ａ、４０ｂ、５０ｂ 接続端子
４０ｔ、５０ｔ 端面
４１、５１ 基材層
４１ｓ、５１ｓ 表面
４３、５３ 基板接続面
４４、５４ 電極接続面
４５、５５ 接着層
４６、５６ 導電層
４７、５７ 第１金属被覆層
４８、５８ 第２金属被覆層
６０ 回路基板
６１ ランド
６２ 基板面
１００ 試験装置
１０１ 無響箱
１０１Ｂ 底面
１０２ 集音マイク
１０３ 電源装置
１０４ ＦＦＴアナライザ
１０６ 基板
１０７ 吸音材
１０８ 配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、
樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、
両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、
を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられる請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含む請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である請求項１又は２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されている請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１】
誘電体と内部電極とが交互に積層された誘電体素体及び前記誘電体素体の対向する端面をそれぞれ別個に覆う一対の外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、
樹脂の基材層の両面に導電層を有し、いずれか一方の前記導電層が、前記外部電極の端面に電気的に接続される一対の外部電極と、
両方の前記導電層を電気的に接続するための導電手段と、
を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記一対の接続端子は、それぞれの前記外部電極から離れた位置で、前記外部電極と接続される側とは反対側の端面が互いに対向するように曲げられる請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記導電手段は、両方の前記導電層と前記樹脂層とを貫通する貫通孔を含む請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記基材層の厚みは１０μｍ以上５０μｍ以下である請求項１又は２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記貫通孔の直径は５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記貫通孔の内面は、導電材料で被覆されている請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−３３６６０（Ｐ２０１２−３３６６０Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７１１７０（Ｐ２０１０−１７１１７０）
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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