セラミック配線基板
【課題】一対の導体部の間を電気的に接続する厚膜抵抗体を有するセラミック配線基板において、厚膜抵抗体のトリミング部における抗折強度の低下を極力防止する。
【解決手段】セラミック層１１の一面１ａ上に設けられた一対の導体部１３と、一対の導体部１３を電気的に接続する厚膜抵抗体１４とを備え、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれたトリミング部２０とされているセラミック配線基板Ｓ１において、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下では、当該トリミング部２０とセラミック層１１との間に、厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部１７が設けられている。
【解決手段】セラミック層１１の一面１ａ上に設けられた一対の導体部１３と、一対の導体部１３を電気的に接続する厚膜抵抗体１４とを備え、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれたトリミング部２０とされているセラミック配線基板Ｓ１において、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下では、当該トリミング部２０とセラミック層１１との間に、厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部１７が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の導体部の間を電気的に接続する厚膜抵抗体を有するセラミック配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種のセラミック配線基板としては、セラミックよりなる基材の一面上に設けられた一対の導体部の間を、厚膜抵抗体で電気的に接続してなり、さらに、厚膜抵抗体のうち一対の導体部の間に位置する部位が切り欠かれるようにトリミングされたトリミング部とされているものが提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３等参照）。
【０００３】
トリミング部は、厚膜抵抗体の抵抗値を、より高精度なものとするために形成されるものであり、レーザ法やサンドブラスト法などを用いて厚膜抵抗体部の一部を気化、焼失あるいは、機械的に削ることで抵抗値の調整を行うものである。
【特許文献１】特開２０００−１３８４３６号公報
【特許文献２】特開平５−２６７８１５号公報
【特許文献３】特開２００１−３３９０１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は上記した従来技術に基づいてセラミック配線基板を試作し、検討を行った。図９は、この本発明者が試作した試作品としてのセラミック配線基板Ｊ１を示す概略断面図である。
【０００５】
基材１１は、アルミナなどのセラミックが複数積層されたもの、もしくは単層のものであり、基材１１の一面１１ａ上に設けられた一対の導体部１３の間は、厚膜抵抗体１４で接続されている。そして、厚膜抵抗体１４における導体部１３の間に位置する部位は、切り欠かれたトリミング部２０とされている。そして、これら厚膜抵抗体１４および導体部１３は、ガラスよりなる保護ガラス１５や樹脂よりなる保護樹脂１６により被覆され、保護されている。
【０００６】
ここで、安定かつ高精度な抵抗値を得るためには、トリミング時に厚膜抵抗体１４の膜を完全に切断する必要がある。このため、図９に示されるように、厚膜抵抗体１４の下に位置する基材１１の一部もトリミングされるのが通常である。
【０００７】
また、近年、この種のセラミック配線基板は、銅や鉄などの金属ベース板上に接着剤により固着され、さらに、これらをエポキシ樹脂などのモールド樹脂にて封止するモールド構造に用いられることがある。
【０００８】
図１０は、本発明者の試作したモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージは、上記図９に示されるセラミック配線基板Ｊ１を金属ベース板Ｊ２上に接着剤Ｊ３を介して固着し、これらをリードフレームＪ４とともにモールド樹脂Ｊ５にて封止した構造としている。
【０００９】
そして、本発明者の検討によれば、このような構造においては、トリミング部２０ではその直下の基材１１も一部トリミングされているため、その部分を起点としてセラミック配線基板Ｊ１の割れが発生することが分かった。
【００１０】
たとえば、図１０に示されるように、セラミック配線基板Ｊ１にて、厚膜抵抗体１４が形成された面を金属ベース板Ｊ２側に固着する場合には、金属ベース板Ｊ２における配線基板Ｊ１を固着する面が凹状になっていると、封止成型時の樹脂圧により配線基板Ｊ１が金属ベース板Ｊ２に沿うように変形する。
【００１１】
すると、この配線基板Ｊ１の変形により、トリミング部２０に沿った引っ張り力が配線基板Ｊ１の表面に発生し、トリミング部２０に引っ張り力が集中して、そこを起点にクラックが発生し、基板割れとなる。
【００１２】
また、この基板割れは、セラミック配線基板Ｊ１の変形により発生する引っ張り力がトリミング部２０と平行する方向にて生じる場合に、発生するものである。たとえば、モールド樹脂Ｊ５は一般に約１７０℃の温度にて樹脂を軟化させた状態で、配線基板Ｊ１が配置された金型に注入し、冷却させて固体化させる。そのため、モールド樹脂Ｊ５の硬化収縮によっても基板割れは発生する場合がある。
【００１３】
金属ベース板Ｊ２の熱膨張率は、たとえば１１ｐｐｍ／℃で、セラミック配線基板Ｊ１の熱膨張率はたとえば、７ｐｐｍ／℃で、銅からなる金属ベース板Ｊ２の熱膨張率は約１７ｐｐｍ／℃である。
【００１４】
このことから、熱収縮については、セラミック配線基板Ｊ１よりも金属ベース板Ｊ２およびモールド樹脂Ｊ５の方が大きくなる。そして、セラミック配線基板Ｊ１を中心として上下、左右の熱収縮率が異なると、セラミック配線基板Ｊ１は何れかの方向に変形することとなる。
【００１５】
実際に、本発明者はセラミック配線基板Ｊ１の抗折強度試験を行い、上記したメカニズムを確かめた。図１１（ａ）は、当該抗折強度の評価方法を示す図、（ｂ）は、その評価結果を示す図である。なお、図１１（ｂ）には、後述する第１実施形態の評価結果も並記してある。
【００１６】
抗折強度は、図１１（ａ）に示されるように、２つの支点Ｈの上に評価するセラミック配線基板Ｊ１を置き、支点Ｈ間の中央部に荷重Ｆを加え、当該配線基板Ｊ１を変形させることで配線基板Ｊ１が破壊する強度を求めるものである。
【００１７】
図１１（ｂ）は、積層基板としてのセラミック配線基板Ｊ１の抗折強度の一例を示したもので、基材１１の総厚みが０．８ｍｍ、支点Ｈ間の距離が１８ｍｍ、配線基板Ｊ１の長さ（図１１（ａ）における紙面垂直方向の基板Ｊ１の長さ）が１０ｍｍの場合における抗折強度の結果である。
【００１８】
図１１（ｂ）より、トリミング部２０の無い配線基板Ｊ１の抗折強度は約３２０Ｎ／ｍｍ以上であるのに対して、トリミング部２０に平行に配線基板Ｊ１を加圧する、つまり、トリミング部２０に平行な引っ張り力が加わるように試験を行うと、抗折強度が約１７０Ｎ／ｍｍ以下に低下することがわかる。また、トリミング部２０に交差するような引っ張り力が加わっても抗折強度は実質的に変わらないこともわかった。
【００１９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対の導体部の間を電気的に接続する厚膜抵抗体を有するセラミック配線基板において、厚膜抵抗体のトリミング部における抗折強度の低下を極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明は、厚膜抵抗体（１４）におけるトリミング部（２０）の直下では、当該トリミング部（２０）と基材（１１）との間に、厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部（１７）が設けられていることを特徴とする。
【００２１】
それによれば、トリミング部（２０）を形成するべくトリミングを行うときに、トリミング部（２０）の直下に絶縁部（１７）が存在し、この絶縁部（１７）がその下の基材（１１）のバリアとなってトリミングによる基材（１１）の損傷が防止されるため、厚膜抵抗体（１４）のトリミングされた部位における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００２２】
ここで、１個のトリミング部（２０）に対して絶縁部（１７）を複数個設け、複数個の絶縁部（１７）を、１個のトリミング部（２０）の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されたものとし、複数個の絶縁部（１７）の配列方向における個々の絶縁部（１７）の幅（ｄ１）の大きさを、個々の絶縁部（１７）の間隔（ｄ２）よりも大きいものとすることが好ましい（後述の図２参照）。
【００２３】
このようにすれば、１個のトリミング部（２０）に対して絶縁部（１７）を複数個設けた場合にも、抗折強度の低下への影響を抑制できる。
【００２４】
さらに、この場合、複数個の絶縁部（１７）が、基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部（１７）上に厚膜抵抗体（１４）が設けられているものであってもよい。
【００２５】
基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出する絶縁部（１７）の上に、厚膜抵抗体（１４）を設けた場合、厚膜抵抗体（１４）の厚さが、絶縁部（１７）上の部位では薄くなりがちとなるが、絶縁部（１７）を断続的に配列された複数個のものとすることで、その影響を小さくできる。
【００２６】
また、絶縁部（１７）を、厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層（１７ａ、１７ｂ）が積層されてなるものとし、複数の層（１７ａ、１７ｂ）において、基材（１１）側に位置するものよりも厚膜抵抗体（１４）側に位置するものの方がサイズが小さいものとして、絶縁部（１７）の端部を階段状とすることにより、厚膜抵抗体（１４）のうち絶縁部（１７）の端部を被覆する部位の表面形状が、テーパ状とされているものであってもよい（後述の図６参照）。
【００２７】
それによれば、絶縁部（１７）を厚くした場合であっても、厚膜抵抗体（１４）のうち前記絶縁部（１７）の端部を被覆する部位を、テーパ面とすることで、当該部位の段差を緩やかにできる。
【００２８】
また、厚膜抵抗体（１４）のうち一対の導体部（１３）の間にて、トリミング部（２０）を複数個設け、絶縁部（１７）を、個々のトリミング部（２０）に対応して設けるとともに、１つのトリミング部（２０）に対応する絶縁部（１７）を、当該１つのトリミング部（２０）以外のトリミング部（２０）に対応する絶縁部（１７）とは離れて設けてもよい（後述の図３参照）。
【００２９】
このように、トリミング部（２０）が複数個ある場合、それぞれのトリミング部（２０）に対して、独立に絶縁部（１７）を設けてもよい。
【００３０】
また、厚膜抵抗体（１４）のうち一対の導体部（１３）の間にて、トリミング部（２０）を複数個設けた場合、絶縁部（１７）を、それぞれのトリミング部（２０）の直下に位置するように、厚膜抵抗体（１４）と基材（１１）との間に連続して設けられた１個のものよりなるものとしてもよい（後述の図４参照）。
【００３１】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３３】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るセラミック配線基板Ｓ１を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は同セラミック配線基板Ｓ１におけるトリミング部２０の拡大断面図、図１（ｃ）は（ｂ）の下視平面図である。なお、図１（ｃ）および以下の各実施形態における平面図では、後述する保護ガラス１５、保護樹脂１６は省略してある。
【００３４】
このセラミック積層配線基板Ｓ１は、セラミックのグリーンシートを焼成してなる基材としてのセラミック層１１を、複数層積層したものである。各セラミック層１１は、アルミナなどを用いて一般的なドクターブレード法により作製されるものであり、本例ではアルミナシートである。
【００３５】
図１に示される例では、セラミック層１１は３層であるが、このセラミック層１１の数は特に限定されるものではない。たとえば、セラミック層１１は、３〜８層程度の範囲で任意に複数層を積層することができる。また、各セラミック層１１の厚さは、互いに同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
【００３６】
また、それぞれのセラミック層１１には、この種の一般的なセラミック配線基板と同じように、モリブデンなどを主成分とする導体材料が充填されたスルーホール１２が形成されるとともに、タングステンなどを主成分とする導体材料によって導体部１３が形成されている。
【００３７】
ここで、図１（ａ）において、セラミック配線基板Ｓ１の上面には、ＩＣチップやコンデンサ素子、抵抗素子などの図示しない部品が実装されるものである。一方、セラミック配線基板Ｓ１の下面１１ａには、上記導体部１３、厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５、保護樹脂１６が設けられている。
【００３８】
これら部材１３〜１６は、当該セラミック配線基板Ｓ１の下面１１ａを構成する基材としての最下層のセラミック層１１の一面１１ａに設けられている。導体部１３は、当該セラミック層１１の一面１１ａ上に一対のものが設けられ、これら一対の導体部１３を跨ぐように厚膜抵抗体１４が設けられている。
【００３９】
導体部１３は、上述したようにタングステンやモリブデンなどの導体ペーストを印刷などにより塗布・硬化してなるものである。ここで、厚膜抵抗体１４に接続されている導体部１３の表面には、接続性を確保するために、無電解メッキなどによる図示しないＣｕメッキが施されている。
【００４０】
厚膜抵抗体１４は、一般的なＳｎＯ2系やＬａＢ6系などの抵抗体材料よりなり、塗布・焼成などにより形成されるものである。そして、一対の導体部１３は、この厚膜抵抗体１４により電気的に接続されている。
【００４１】
また、保護ガラス１５は、上記した最下層のセラミック層１１の一面１１ａにて、導体部１３および厚膜抵抗体１４を被覆している。さらに、保護樹脂１６は、保護ガラス１５を被覆している。
【００４２】
これら保護ガラス１５および保護樹脂１６は一般的なものであり、これらにより、導体部１３および厚膜抵抗体１４が封止され外部から保護されている。たとえば、保護ガラス１５としては、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3などの複数無機系酸化物が挙げられ、保護樹脂１６としてはエポキシアクリレートなどが挙げられる。
【００４３】
さらに、本実施形態では、図１に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれた部分２０となっている。この厚膜抵抗体１４の切り欠き部分２０はトリミング部２０であり、厚膜抵抗体１４の抵抗値の調整のために形成されたものである。ここでは、トリミング部２０には保護樹脂１６が充填されている。
【００４４】
そして、このトリミング部２０においては、図１（ｂ）に示されるように、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下では、トリミング部２０と上記最下層のセラミック層１１との間に、絶縁部１７が設けられている。
【００４５】
この絶縁部１７は、基材である最下層のセラミック層１１とは異なる材料であって、厚膜抵抗体１４よりも電気抵抗の高い材料すなわち厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる。
【００４６】
具体的には、厚膜抵抗体１４を構成する導電性成分、たとえばＳｎＯ2やＬａＢ6が０〜５０ｗｔ％であり、残部がアルミナやシリカなどのセラミックなどよりなる電気絶縁性ペースト材料を、塗布し、硬化させてなるものである。なお、上記の残部成分としては、耐熱性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂なども可能である。
【００４７】
ここで、トリミング部２０の幅Ｗ２０の大きさを１とした場合、絶縁部１７の幅Ｗ１７は２以上であるものにできる。また、絶縁部１７の厚さは、５μｍ以上であることが望ましく、好ましくは、５μｍ以上１５μｍ以下である。ここでは、絶縁部１７は、基材であるセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられているが、絶縁部１７の厚さは、導体部１３の厚さと同程度としている（図１（ｂ）参照）。
【００４８】
次に、図１に示されるセラミック配線基板Ｓ１の製造方法について述べる。なお、本製造方法は、一般的なアルミナよりなるグリーンシートを用いたアルミナ積層配線基板を基本としたものである。そのため、後述する加圧・焼成条件などは、これに準ずるものであるが、もちろん、これらの条件に限定されるものではない。
【００４９】
まず、ドクターブレード法により作製された各グリーンシートとしてのセラミック層１１を用意し、各セラミック層１１に対して、上記スルーホール１２となる穴を、金型などを用いて形成する。
【００５０】
次に、各セラミック層１１に対して、印刷法などにより上記穴内に導体材料を充填する。その後に、印刷法などにより、各セラミック層１１の表面に、上記導体部１３のパターンにて導体材料を塗布する。なお、上記穴内の導体材料は、スルーホール１２として構成され、セラミック層１１の表面の導体材料は、セラミック配線基板Ｓ１の内部および表面において各セラミック層１１に設けられた導体部１３として構成される。
【００５１】
続いて、各セラミック層１１を、上記図１（ａ）に示されるように積層し、これらを加圧して積層体を形成する。ここにおいて、加圧条件は、たとえば３０ｋｇ〜７０ｋｇ程度の荷重とすることができる。次に、当該積層体を焼成する。この焼成は、たとえば水素などの還元雰囲気にて約１６００℃の温度で行う。
【００５２】
次に、図１（ａ）におけるセラミック配線基板Ｓ１の上面および下面１１ａの導体部１３の表面に無電界メッキにより上記Ｃｕメッキを形成する。次に、最下層のセラミック層１１の一面１１ａのうちトリミングが行われる部位に、絶縁部１７を形成する。この絶縁部１７は、上述した絶縁性ペースト材料を、印刷法などにより塗布した後、これを硬化させて形成する。
【００５３】
その後、厚膜抵抗体１４となるペースト材料を、印刷法を用いて塗布し、たとえば約９００℃の雰囲気下にて焼成することにより、厚膜抵抗体１４を形成する。次に、保護ガラス１５を厚膜抵抗体１４と同様にして形成する。
【００５４】
この後で、厚膜抵抗体１４の抵抗値の調整のために、厚膜抵抗体１４にトリミングを行う。このトリミングは、一般的な方法と同様なものであり、たとえば炭酸ガス（ＣＯ2）レーザやＹＡＧなどのレーザを照射して、厚膜抵抗体１４の一部を気化、焼失させることにより行う。
【００５５】
これにより、厚膜抵抗体１４には、当該厚膜抵抗体１４の端部から内部へ向かって所定長さを有するトリミング部２０が形成される（図１参照）。このとき、トリミング部２０の直下に位置する絶縁部１７も一部トリミングされる結果、図１（ｂ）に示されるように、絶縁部１７には凹みが形成される。
【００５６】
次に、上記セラミック層１１の一面１１ａ上にて、トリミング部２０を含む厚膜抵抗体１４および導体部１３を覆うように、保護樹脂１６を、印刷法を用いて塗布する。その後、これを、たとえば約１５０℃の雰囲気下にて硬化させることで、保護樹脂１６ができあがる。
【００５７】
その後は、必要に応じて、セラミック配線基板Ｓ１における厚膜抵抗体１４とは反対側の面に、ＩＣチップやコンデンサなどの実装部品を搭載する。さらに、ここまでの工程は、通常ウェハ状態で行われるものであり、最終的にはウェハに設けられた分割溝を介して分割することにより、個片化された複数の配線基板Ｓ１を形成する。
【００５８】
こうして、上記図１に示される本実施形態のセラミック配線基板Ｓ１ができあがる。なお、このセラミック配線基板Ｓ１は、たとえば、上記図１０に示したようなモールドパッケージに組み込まれて使用される。
【００５９】
ところで、本実施形態によれば、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下にて、トリミング部２０とセラミック層１１との間に絶縁部１７を設けているため、トリミングを行うときに、絶縁部１７がその下のセラミック層１１のバリアとなってレーザによるセラミック層１１の損傷が防止される。そのため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００６０】
本実施形態による抗折強度低下の具体的な防止効果は、上記図１１（ｂ）中に示してある。本実施形態のセラミック配線基板Ｓ１について、上記図１１と同様の評価を行った結果を、図１１（ｂ）の一番右側のプロットとして示してある。本実施形態によれば、トリミングしない場合と同等の抗折強度を維持できることが確認された。
【００６１】
なお、上記したように絶縁部１７の厚さは、５μｍ以上１５μｍ以下が好ましいが、絶縁部１７の厚さ５μｍは、厚膜抵抗体１４を完全に切断し、かつ、基材としてのセラミック層１１に損傷を与えないために必要な厚さである。もちろん場合によっては、絶縁部１７の厚さは５μｍ未満でもよく、５μｍ以上に限定するものではない。
【００６２】
また、厚膜抵抗体１４を安定して印刷するためには、絶縁部１７を１５μｍ以下とするのが望ましい。当該厚さが１５μｍより厚くなると、絶縁部１７の端部にて厚膜抵抗体１４が薄くなったり、ピンホールが発生したりする場合があるからである。
【００６３】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。本実施形態のセラミック配線基板は、この図２に示される部分以外は、上記第１実施形態と同様のものであるため、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６４】
上記第１実施形態では、１個のトリミング部２０に対して１個の絶縁部１７が設けられていたが、本実施形態では、図２に示されるように、１個のトリミング部２０に対して絶縁部１７が複数個設けられている。図２では、絶縁部１７は４個設けられている。なお、図２（ｂ）中の破線は、トリミング前の厚膜抵抗体１４の外形線である。
【００６５】
ここで、複数個の絶縁部１７は、１個のトリミング部２０の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されている。つまり、各絶縁部１７は、トリミングの方向に沿って互いに接触することなく、離間して配置されている。
【００６６】
なお、トリミングの方向とは、一般的なものと同様であり、厚膜抵抗体１４のある部分を起点として厚膜抵抗体１４をトリミングしていく方向である。図２（ａ）では、図中の一点鎖線Ａ−Ａに平行な方向、つまりトリミング部２０の長手方向が、トリミングの方向に相当する。
【００６７】
そして、図２（ｂ）に示されるように、複数個の絶縁部１７の配列方向（つまり上記トリミングの方向）における個々の絶縁部１７の幅ｄ１の大きさを、個々の絶縁部１７の間隔ｄ２よりも大きいものとしている。
【００６８】
このような幅ｄ１、ｄ２の関係にすれば、１個のトリミング部２０に対して絶縁部１７を複数個設けた場合にも、上記した抗折強度の低下への影響を抑制できる。たとえば、個々の絶縁部１７の間隔ｄ２は０．２ｍｍ以下が望ましく、絶縁部１７の幅ｄ１の大きさを、この個々の絶縁部１７の間隔ｄ２の２倍以上とする。
【００６９】
また、図２（ｂ）に示されるように、複数個の絶縁部１７は、基材である上記最下層のセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部１７上に厚膜抵抗体１４が設けられている。
【００７０】
セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７の上に、厚膜抵抗体１４を設けた場合、厚膜抵抗体１４の厚さが、絶縁部１７上の部位では当絶縁部１７の厚さの分、薄くなりがちとなる。
【００７１】
そこで、この場合に、セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７を断続的に配列された複数個のものとすれば、絶縁部１７が存在しない部位では厚膜抵抗体１４の厚さを大きくでき、厚膜抵抗体１４の全体で、厚さを確保しやすくできる。
【００７２】
また、厚膜抵抗体１４の抵抗値の変動は、トリミング部２０の長さ（つまり、トリミングの方向でのトリミング部２０の長さ）で決まるが、厚膜抵抗体１４が厚いほど、トリミングしたときの単位長さ当たりの抵抗値変動が大きくなる。
【００７３】
その点、セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７を、図２に示されるように、断続的に配列された複数個のものとすれば、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７上に位置する部位は薄いものとなって、トリミングによる抵抗値変動が小さいため、トリミングの微調整に適した部分となる。
【００７４】
一方、それに比べて、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７の間の部分上に位置する部位は厚いものとなって、トリミングによる抵抗値変動が大きいため、トリミングの粗調整に適した部分となる。つまり、本実施形態の場合、トリミングによる抵抗値変動の微調整とラフな調整とが両方できるようになり、抵抗値変動を調整しやすくなる。
【００７５】
（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略平面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００７６】
上記第１実施形態では、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０は１個設けられていたが、本実施形態では、図３に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０を複数個設けている。図３では、２個のトリミング部２０を設けている。
【００７７】
そして、絶縁部１７を、個々のトリミング部２０に対応して設けている。つまり、ある１つのトリミング部２０に対応する絶縁部１７は、当該ある１つのトリミング部２０以外のトリミング部２０に対応する絶縁部１７とは離れて設けられている。
【００７８】
本実施形態においてもトリミングを行うときに、トリミング部２０の直下の絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止されるため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００７９】
なお、本実施形態においては、個々のトリミング部２０に対応する絶縁部１７を、上記図２に示したような断続的に配列された複数個の絶縁部１７として構成してもよい。この場合には、上記第２実施形態に示したものと同様の効果が、本実施形態においても期待される。
【００８０】
（第４実施形態）
図４は、本発明の第４実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略平面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００８１】
上記第１実施形態とは異なり、本実施形態においても、図４に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０を複数個設けている。ここで、本実施形態では、上記図３とは異なり、絶縁部１７を、個々のトリミング部２０に対応して設けるのではなく、個々のトリミング部２０のすべてに共通する１個の絶縁部１７を設けている。
【００８２】
このように、本実施形態の絶縁部１７は、それぞれのトリミング部２０の直下に位置するように、厚膜抵抗体１４とセラミック層１１との間に連続して設けられた１個のものよりなる。
【００８３】
そして、本実施形態においてもトリミングを行うときに、絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止され、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００８４】
また、図５は、上記図１（ｃ）や図３のように、厚膜抵抗体１４の直下に部分的に絶縁部１７を形成したときのトリミング部２０を示す概略断面図である。この場合、絶縁部１７を厚くする、たとえば、絶縁部１７を導体部１３よりも厚くすると、図５に示されるように、厚膜抵抗体１４に大きな段差Ｋが生じ、熱ストレス環境下において、抵抗値が変動する恐れがある。
【００８５】
それに対して、上記図４に示されるように、絶縁部１７を広く形成すれば、好ましくは、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間の部位全体の直下に、絶縁部１７を形成すれば、厚膜抵抗体１４において上記段差Ｋが生じにくくなる。
【００８６】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図である。本実施形態は、上記した各実施形態に適用可能であって、上記各実施形態において、後述するように、絶縁部１７を積層構造とした点が相違するものである。以下、この相違点を中心に述べることとする。
【００８７】
上記図５に示される絶縁部１７による厚膜抵抗体１４の段差Ｋを小さくするには、本実施形態が有効である。すなわち、本実施形態では、図６に示されるように、絶縁部１７は、厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層１７ａ、１７ｂを積層してなるものである。
【００８８】
それとともに、複数の層１７ａ、１７ｂにおいては、セラミック層１１側に位置する第１の層１７ａよりも厚膜抵抗体１４側に位置する第２の層１７ｂの方が、サイズが小さいものとしており、そうすることで、絶縁部１７の端部を階段状としている。
【００８９】
具体的には、第１の層１７ａと第２の層１７ｂは、互いに相似形状である矩形板状の層であり、第２の層１７ｂの方が平面サイズが小さく、平面的に見たとき、第２の層１７ｂは第１の層１７ａの領域内に収まった配置となっている。
【００９０】
これにより、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７の端部を被覆する部位の表面形状は、絶縁部１７の端部の階段形状を承継し、テーパ形状状とされている。つまり、図６に示されるように、本実施形態の厚膜抵抗体１４の段差Ｋは、上記図５における段差Ｋに比べて、なだらかなテーパ形状となっている。
【００９１】
本実施形態によれば、上記各実施形態において、絶縁部１７を厚くした場合であっても、厚膜抵抗体１４の上記段差Ｋを緩やかなものにできる。その結果、熱ストレス環境下における抵抗値変動を抑制することが可能となる。
【００９２】
なお、本実施形態の図６では、絶縁部１７は、２層の層１７ａ、１７ｂを積層してなるものであったが、絶縁部１７の端部を階段状とするものならば、絶縁部１７は３層以上の積層構造であってもよい。たとえば、３層以上の積層構成の場合には、図示しないが、当該３層を、セラミック層１１側から厚膜抵抗体１４側へ行くほど、平面サイズの小さいものとして構成すれば、上記階段状の端部が形成される。
【００９３】
また、上述したように、本実施形態は上記各実施形態に適用されるが、たとえば、上記図２や図３のように、１個の厚膜抵抗体１４について複数個の絶縁部１７を設ける場合には、個々の絶縁部１７に対して本実施形態の積層構成を適用すればよいし、上記図４にように、広い１個の絶縁部１７である場合には、この１個の絶縁部１７に対して本実施形態の積層構成を適用すればよい。
【００９４】
（第６実施形態）
図７は、本発明の第６実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００９５】
図７に示されるように、本実施形態では、セラミック層１１の一面１１ａに絶縁部１７を形成した後、その上に導体部１３、厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５を順次形成し、さらに、トリミングを行ってトリミング部２０を形成したものである。
【００９６】
この場合、積層されたセラミック層１１を焼成し、その上に絶縁部１７を形成した後、厚膜抵抗体１４用の導体部１３を別途形成し、さらに厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５を形成すればよい。
【００９７】
本実施形態では、１枚の平坦な絶縁部１７の上に導体部１３および厚膜抵抗体１４を形成するため、絶縁部１７による段差が厚膜抵抗体１４に影響を与えることがなくなり、厚膜抵抗体１４の段差を極力小さいものにできる。そのため、上記同様、熱ストレス環境下における抵抗値変動を抑制することが可能となる。
【００９８】
（第７実施形態）
図８（ａ）および（ｂ）は、本発明の第７実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示すものである。
【００９９】
上記した各実施形態では、上記各断面図に示したように、絶縁部１７は、基材である上記最下層のセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられていた。それに対して、本実施形態では、絶縁部１７は、当該セラミック層１１の一面１１ａの下すなわち当該セラミック層１１の内部に埋め込まれた形で設けられている。
【０１００】
この場合は、セラミック層１１を焼成する前に、当該セラミック層１１に対して、プレスやエッチングなどにより凹み部を形成しておき、その凹み部に絶縁部１７を充填・形成すればよい。
【０１０１】
なお、図８（ａ）に示される第１の例は、たとえば上記図１〜図３に示されるような部分的な平面配置を有する絶縁部１７に対して、本実施形態を適用したものであり、図８（ｂ）に示される第２の例は、たとえば上記図４に示されるような広い平面配置を有する絶縁部１７に対して、本実施形態を適用したものである。
【０１０２】
本実施形態によっても、トリミングを行うときに、トリミング部２０の直下の絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止されるため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。また、本実施形態は、上記第２実施形態に示したような断続的な配置についても適用できる。
【０１０３】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、セラミック配線基板は、複数のセラミック層１１が積層されてなる積層基板であったが、これに限定するものではなく、セラミック配線基板は１つのセラミック層よりなる単層基板でもよい。
【０１０４】
また、上記実施形態では、絶縁部１７は、導体部１３を形成したセラミック層１１を焼成した後に、セラミック層１１の一面１１ａに配設されたが、当該セラミック層１１を焼成する前に、絶縁部１７をセラミック層１１の一面１１ａに配設し、その後、セラミック層１１の焼成を行い、当該焼成と同時に絶縁部１７の硬化を行ってもよい。
【０１０５】
また、上記各実施形態では、導体部１３、厚膜抵抗体１４およびトリミング部２０はセラミック配線基板の一面１１ａのみに設けられていたが、これら導体部、厚膜抵抗体およびトリミング部は、セラミック配線基板の１つの面だけでなく、２つ以上の面に設けられていてもよい。その場合、それぞれのトリミング部において上記各実施形態に示した絶縁部１７の構成が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るセラミック配線基板を示す概略断面図であり、（ｂ）は同セラミック配線基板におけるトリミング部の拡大断面図、（ｃ）は（ｂ）の下視平面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略平面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略平面図である。
【図５】厚膜抵抗体の直下に部分的に絶縁部を形成したときのトリミング部を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【図９】本発明者の試作品としてのセラミック配線基板を示す概略断面図である。
【図１０】本発明者の試作したモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１１】（ａ）は本発明者の行った抗折強度試験の評価方法を示す図、（ｂ）はその評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１１…基材としてのセラミック層、１１ａ…セラミック層の一面、１３…導体部、
１４…厚膜抵抗体、１７…絶縁部、１７ａ…絶縁部の第１の層、
１７ｂ…絶縁部の第２の層、２０…トリミング部、ｄ１…個々の絶縁部の幅、
ｄ２…個々の絶縁部の間隔。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の導体部の間を電気的に接続する厚膜抵抗体を有するセラミック配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種のセラミック配線基板としては、セラミックよりなる基材の一面上に設けられた一対の導体部の間を、厚膜抵抗体で電気的に接続してなり、さらに、厚膜抵抗体のうち一対の導体部の間に位置する部位が切り欠かれるようにトリミングされたトリミング部とされているものが提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３等参照）。
【０００３】
トリミング部は、厚膜抵抗体の抵抗値を、より高精度なものとするために形成されるものであり、レーザ法やサンドブラスト法などを用いて厚膜抵抗体部の一部を気化、焼失あるいは、機械的に削ることで抵抗値の調整を行うものである。
【特許文献１】特開２０００−１３８４３６号公報
【特許文献２】特開平５−２６７８１５号公報
【特許文献３】特開２００１−３３９０１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は上記した従来技術に基づいてセラミック配線基板を試作し、検討を行った。図９は、この本発明者が試作した試作品としてのセラミック配線基板Ｊ１を示す概略断面図である。
【０００５】
基材１１は、アルミナなどのセラミックが複数積層されたもの、もしくは単層のものであり、基材１１の一面１１ａ上に設けられた一対の導体部１３の間は、厚膜抵抗体１４で接続されている。そして、厚膜抵抗体１４における導体部１３の間に位置する部位は、切り欠かれたトリミング部２０とされている。そして、これら厚膜抵抗体１４および導体部１３は、ガラスよりなる保護ガラス１５や樹脂よりなる保護樹脂１６により被覆され、保護されている。
【０００６】
ここで、安定かつ高精度な抵抗値を得るためには、トリミング時に厚膜抵抗体１４の膜を完全に切断する必要がある。このため、図９に示されるように、厚膜抵抗体１４の下に位置する基材１１の一部もトリミングされるのが通常である。
【０００７】
また、近年、この種のセラミック配線基板は、銅や鉄などの金属ベース板上に接着剤により固着され、さらに、これらをエポキシ樹脂などのモールド樹脂にて封止するモールド構造に用いられることがある。
【０００８】
図１０は、本発明者の試作したモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージは、上記図９に示されるセラミック配線基板Ｊ１を金属ベース板Ｊ２上に接着剤Ｊ３を介して固着し、これらをリードフレームＪ４とともにモールド樹脂Ｊ５にて封止した構造としている。
【０００９】
そして、本発明者の検討によれば、このような構造においては、トリミング部２０ではその直下の基材１１も一部トリミングされているため、その部分を起点としてセラミック配線基板Ｊ１の割れが発生することが分かった。
【００１０】
たとえば、図１０に示されるように、セラミック配線基板Ｊ１にて、厚膜抵抗体１４が形成された面を金属ベース板Ｊ２側に固着する場合には、金属ベース板Ｊ２における配線基板Ｊ１を固着する面が凹状になっていると、封止成型時の樹脂圧により配線基板Ｊ１が金属ベース板Ｊ２に沿うように変形する。
【００１１】
すると、この配線基板Ｊ１の変形により、トリミング部２０に沿った引っ張り力が配線基板Ｊ１の表面に発生し、トリミング部２０に引っ張り力が集中して、そこを起点にクラックが発生し、基板割れとなる。
【００１２】
また、この基板割れは、セラミック配線基板Ｊ１の変形により発生する引っ張り力がトリミング部２０と平行する方向にて生じる場合に、発生するものである。たとえば、モールド樹脂Ｊ５は一般に約１７０℃の温度にて樹脂を軟化させた状態で、配線基板Ｊ１が配置された金型に注入し、冷却させて固体化させる。そのため、モールド樹脂Ｊ５の硬化収縮によっても基板割れは発生する場合がある。
【００１３】
金属ベース板Ｊ２の熱膨張率は、たとえば１１ｐｐｍ／℃で、セラミック配線基板Ｊ１の熱膨張率はたとえば、７ｐｐｍ／℃で、銅からなる金属ベース板Ｊ２の熱膨張率は約１７ｐｐｍ／℃である。
【００１４】
このことから、熱収縮については、セラミック配線基板Ｊ１よりも金属ベース板Ｊ２およびモールド樹脂Ｊ５の方が大きくなる。そして、セラミック配線基板Ｊ１を中心として上下、左右の熱収縮率が異なると、セラミック配線基板Ｊ１は何れかの方向に変形することとなる。
【００１５】
実際に、本発明者はセラミック配線基板Ｊ１の抗折強度試験を行い、上記したメカニズムを確かめた。図１１（ａ）は、当該抗折強度の評価方法を示す図、（ｂ）は、その評価結果を示す図である。なお、図１１（ｂ）には、後述する第１実施形態の評価結果も並記してある。
【００１６】
抗折強度は、図１１（ａ）に示されるように、２つの支点Ｈの上に評価するセラミック配線基板Ｊ１を置き、支点Ｈ間の中央部に荷重Ｆを加え、当該配線基板Ｊ１を変形させることで配線基板Ｊ１が破壊する強度を求めるものである。
【００１７】
図１１（ｂ）は、積層基板としてのセラミック配線基板Ｊ１の抗折強度の一例を示したもので、基材１１の総厚みが０．８ｍｍ、支点Ｈ間の距離が１８ｍｍ、配線基板Ｊ１の長さ（図１１（ａ）における紙面垂直方向の基板Ｊ１の長さ）が１０ｍｍの場合における抗折強度の結果である。
【００１８】
図１１（ｂ）より、トリミング部２０の無い配線基板Ｊ１の抗折強度は約３２０Ｎ／ｍｍ以上であるのに対して、トリミング部２０に平行に配線基板Ｊ１を加圧する、つまり、トリミング部２０に平行な引っ張り力が加わるように試験を行うと、抗折強度が約１７０Ｎ／ｍｍ以下に低下することがわかる。また、トリミング部２０に交差するような引っ張り力が加わっても抗折強度は実質的に変わらないこともわかった。
【００１９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対の導体部の間を電気的に接続する厚膜抵抗体を有するセラミック配線基板において、厚膜抵抗体のトリミング部における抗折強度の低下を極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明は、厚膜抵抗体（１４）におけるトリミング部（２０）の直下では、当該トリミング部（２０）と基材（１１）との間に、厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部（１７）が設けられていることを特徴とする。
【００２１】
それによれば、トリミング部（２０）を形成するべくトリミングを行うときに、トリミング部（２０）の直下に絶縁部（１７）が存在し、この絶縁部（１７）がその下の基材（１１）のバリアとなってトリミングによる基材（１１）の損傷が防止されるため、厚膜抵抗体（１４）のトリミングされた部位における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００２２】
ここで、１個のトリミング部（２０）に対して絶縁部（１７）を複数個設け、複数個の絶縁部（１７）を、１個のトリミング部（２０）の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されたものとし、複数個の絶縁部（１７）の配列方向における個々の絶縁部（１７）の幅（ｄ１）の大きさを、個々の絶縁部（１７）の間隔（ｄ２）よりも大きいものとすることが好ましい（後述の図２参照）。
【００２３】
このようにすれば、１個のトリミング部（２０）に対して絶縁部（１７）を複数個設けた場合にも、抗折強度の低下への影響を抑制できる。
【００２４】
さらに、この場合、複数個の絶縁部（１７）が、基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部（１７）上に厚膜抵抗体（１４）が設けられているものであってもよい。
【００２５】
基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出する絶縁部（１７）の上に、厚膜抵抗体（１４）を設けた場合、厚膜抵抗体（１４）の厚さが、絶縁部（１７）上の部位では薄くなりがちとなるが、絶縁部（１７）を断続的に配列された複数個のものとすることで、その影響を小さくできる。
【００２６】
また、絶縁部（１７）を、厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層（１７ａ、１７ｂ）が積層されてなるものとし、複数の層（１７ａ、１７ｂ）において、基材（１１）側に位置するものよりも厚膜抵抗体（１４）側に位置するものの方がサイズが小さいものとして、絶縁部（１７）の端部を階段状とすることにより、厚膜抵抗体（１４）のうち絶縁部（１７）の端部を被覆する部位の表面形状が、テーパ状とされているものであってもよい（後述の図６参照）。
【００２７】
それによれば、絶縁部（１７）を厚くした場合であっても、厚膜抵抗体（１４）のうち前記絶縁部（１７）の端部を被覆する部位を、テーパ面とすることで、当該部位の段差を緩やかにできる。
【００２８】
また、厚膜抵抗体（１４）のうち一対の導体部（１３）の間にて、トリミング部（２０）を複数個設け、絶縁部（１７）を、個々のトリミング部（２０）に対応して設けるとともに、１つのトリミング部（２０）に対応する絶縁部（１７）を、当該１つのトリミング部（２０）以外のトリミング部（２０）に対応する絶縁部（１７）とは離れて設けてもよい（後述の図３参照）。
【００２９】
このように、トリミング部（２０）が複数個ある場合、それぞれのトリミング部（２０）に対して、独立に絶縁部（１７）を設けてもよい。
【００３０】
また、厚膜抵抗体（１４）のうち一対の導体部（１３）の間にて、トリミング部（２０）を複数個設けた場合、絶縁部（１７）を、それぞれのトリミング部（２０）の直下に位置するように、厚膜抵抗体（１４）と基材（１１）との間に連続して設けられた１個のものよりなるものとしてもよい（後述の図４参照）。
【００３１】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３３】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るセラミック配線基板Ｓ１を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は同セラミック配線基板Ｓ１におけるトリミング部２０の拡大断面図、図１（ｃ）は（ｂ）の下視平面図である。なお、図１（ｃ）および以下の各実施形態における平面図では、後述する保護ガラス１５、保護樹脂１６は省略してある。
【００３４】
このセラミック積層配線基板Ｓ１は、セラミックのグリーンシートを焼成してなる基材としてのセラミック層１１を、複数層積層したものである。各セラミック層１１は、アルミナなどを用いて一般的なドクターブレード法により作製されるものであり、本例ではアルミナシートである。
【００３５】
図１に示される例では、セラミック層１１は３層であるが、このセラミック層１１の数は特に限定されるものではない。たとえば、セラミック層１１は、３〜８層程度の範囲で任意に複数層を積層することができる。また、各セラミック層１１の厚さは、互いに同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
【００３６】
また、それぞれのセラミック層１１には、この種の一般的なセラミック配線基板と同じように、モリブデンなどを主成分とする導体材料が充填されたスルーホール１２が形成されるとともに、タングステンなどを主成分とする導体材料によって導体部１３が形成されている。
【００３７】
ここで、図１（ａ）において、セラミック配線基板Ｓ１の上面には、ＩＣチップやコンデンサ素子、抵抗素子などの図示しない部品が実装されるものである。一方、セラミック配線基板Ｓ１の下面１１ａには、上記導体部１３、厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５、保護樹脂１６が設けられている。
【００３８】
これら部材１３〜１６は、当該セラミック配線基板Ｓ１の下面１１ａを構成する基材としての最下層のセラミック層１１の一面１１ａに設けられている。導体部１３は、当該セラミック層１１の一面１１ａ上に一対のものが設けられ、これら一対の導体部１３を跨ぐように厚膜抵抗体１４が設けられている。
【００３９】
導体部１３は、上述したようにタングステンやモリブデンなどの導体ペーストを印刷などにより塗布・硬化してなるものである。ここで、厚膜抵抗体１４に接続されている導体部１３の表面には、接続性を確保するために、無電解メッキなどによる図示しないＣｕメッキが施されている。
【００４０】
厚膜抵抗体１４は、一般的なＳｎＯ2系やＬａＢ6系などの抵抗体材料よりなり、塗布・焼成などにより形成されるものである。そして、一対の導体部１３は、この厚膜抵抗体１４により電気的に接続されている。
【００４１】
また、保護ガラス１５は、上記した最下層のセラミック層１１の一面１１ａにて、導体部１３および厚膜抵抗体１４を被覆している。さらに、保護樹脂１６は、保護ガラス１５を被覆している。
【００４２】
これら保護ガラス１５および保護樹脂１６は一般的なものであり、これらにより、導体部１３および厚膜抵抗体１４が封止され外部から保護されている。たとえば、保護ガラス１５としては、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3などの複数無機系酸化物が挙げられ、保護樹脂１６としてはエポキシアクリレートなどが挙げられる。
【００４３】
さらに、本実施形態では、図１に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれた部分２０となっている。この厚膜抵抗体１４の切り欠き部分２０はトリミング部２０であり、厚膜抵抗体１４の抵抗値の調整のために形成されたものである。ここでは、トリミング部２０には保護樹脂１６が充填されている。
【００４４】
そして、このトリミング部２０においては、図１（ｂ）に示されるように、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下では、トリミング部２０と上記最下層のセラミック層１１との間に、絶縁部１７が設けられている。
【００４５】
この絶縁部１７は、基材である最下層のセラミック層１１とは異なる材料であって、厚膜抵抗体１４よりも電気抵抗の高い材料すなわち厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる。
【００４６】
具体的には、厚膜抵抗体１４を構成する導電性成分、たとえばＳｎＯ2やＬａＢ6が０〜５０ｗｔ％であり、残部がアルミナやシリカなどのセラミックなどよりなる電気絶縁性ペースト材料を、塗布し、硬化させてなるものである。なお、上記の残部成分としては、耐熱性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂なども可能である。
【００４７】
ここで、トリミング部２０の幅Ｗ２０の大きさを１とした場合、絶縁部１７の幅Ｗ１７は２以上であるものにできる。また、絶縁部１７の厚さは、５μｍ以上であることが望ましく、好ましくは、５μｍ以上１５μｍ以下である。ここでは、絶縁部１７は、基材であるセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられているが、絶縁部１７の厚さは、導体部１３の厚さと同程度としている（図１（ｂ）参照）。
【００４８】
次に、図１に示されるセラミック配線基板Ｓ１の製造方法について述べる。なお、本製造方法は、一般的なアルミナよりなるグリーンシートを用いたアルミナ積層配線基板を基本としたものである。そのため、後述する加圧・焼成条件などは、これに準ずるものであるが、もちろん、これらの条件に限定されるものではない。
【００４９】
まず、ドクターブレード法により作製された各グリーンシートとしてのセラミック層１１を用意し、各セラミック層１１に対して、上記スルーホール１２となる穴を、金型などを用いて形成する。
【００５０】
次に、各セラミック層１１に対して、印刷法などにより上記穴内に導体材料を充填する。その後に、印刷法などにより、各セラミック層１１の表面に、上記導体部１３のパターンにて導体材料を塗布する。なお、上記穴内の導体材料は、スルーホール１２として構成され、セラミック層１１の表面の導体材料は、セラミック配線基板Ｓ１の内部および表面において各セラミック層１１に設けられた導体部１３として構成される。
【００５１】
続いて、各セラミック層１１を、上記図１（ａ）に示されるように積層し、これらを加圧して積層体を形成する。ここにおいて、加圧条件は、たとえば３０ｋｇ〜７０ｋｇ程度の荷重とすることができる。次に、当該積層体を焼成する。この焼成は、たとえば水素などの還元雰囲気にて約１６００℃の温度で行う。
【００５２】
次に、図１（ａ）におけるセラミック配線基板Ｓ１の上面および下面１１ａの導体部１３の表面に無電界メッキにより上記Ｃｕメッキを形成する。次に、最下層のセラミック層１１の一面１１ａのうちトリミングが行われる部位に、絶縁部１７を形成する。この絶縁部１７は、上述した絶縁性ペースト材料を、印刷法などにより塗布した後、これを硬化させて形成する。
【００５３】
その後、厚膜抵抗体１４となるペースト材料を、印刷法を用いて塗布し、たとえば約９００℃の雰囲気下にて焼成することにより、厚膜抵抗体１４を形成する。次に、保護ガラス１５を厚膜抵抗体１４と同様にして形成する。
【００５４】
この後で、厚膜抵抗体１４の抵抗値の調整のために、厚膜抵抗体１４にトリミングを行う。このトリミングは、一般的な方法と同様なものであり、たとえば炭酸ガス（ＣＯ2）レーザやＹＡＧなどのレーザを照射して、厚膜抵抗体１４の一部を気化、焼失させることにより行う。
【００５５】
これにより、厚膜抵抗体１４には、当該厚膜抵抗体１４の端部から内部へ向かって所定長さを有するトリミング部２０が形成される（図１参照）。このとき、トリミング部２０の直下に位置する絶縁部１７も一部トリミングされる結果、図１（ｂ）に示されるように、絶縁部１７には凹みが形成される。
【００５６】
次に、上記セラミック層１１の一面１１ａ上にて、トリミング部２０を含む厚膜抵抗体１４および導体部１３を覆うように、保護樹脂１６を、印刷法を用いて塗布する。その後、これを、たとえば約１５０℃の雰囲気下にて硬化させることで、保護樹脂１６ができあがる。
【００５７】
その後は、必要に応じて、セラミック配線基板Ｓ１における厚膜抵抗体１４とは反対側の面に、ＩＣチップやコンデンサなどの実装部品を搭載する。さらに、ここまでの工程は、通常ウェハ状態で行われるものであり、最終的にはウェハに設けられた分割溝を介して分割することにより、個片化された複数の配線基板Ｓ１を形成する。
【００５８】
こうして、上記図１に示される本実施形態のセラミック配線基板Ｓ１ができあがる。なお、このセラミック配線基板Ｓ１は、たとえば、上記図１０に示したようなモールドパッケージに組み込まれて使用される。
【００５９】
ところで、本実施形態によれば、厚膜抵抗体１４におけるトリミング部２０の直下にて、トリミング部２０とセラミック層１１との間に絶縁部１７を設けているため、トリミングを行うときに、絶縁部１７がその下のセラミック層１１のバリアとなってレーザによるセラミック層１１の損傷が防止される。そのため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００６０】
本実施形態による抗折強度低下の具体的な防止効果は、上記図１１（ｂ）中に示してある。本実施形態のセラミック配線基板Ｓ１について、上記図１１と同様の評価を行った結果を、図１１（ｂ）の一番右側のプロットとして示してある。本実施形態によれば、トリミングしない場合と同等の抗折強度を維持できることが確認された。
【００６１】
なお、上記したように絶縁部１７の厚さは、５μｍ以上１５μｍ以下が好ましいが、絶縁部１７の厚さ５μｍは、厚膜抵抗体１４を完全に切断し、かつ、基材としてのセラミック層１１に損傷を与えないために必要な厚さである。もちろん場合によっては、絶縁部１７の厚さは５μｍ未満でもよく、５μｍ以上に限定するものではない。
【００６２】
また、厚膜抵抗体１４を安定して印刷するためには、絶縁部１７を１５μｍ以下とするのが望ましい。当該厚さが１５μｍより厚くなると、絶縁部１７の端部にて厚膜抵抗体１４が薄くなったり、ピンホールが発生したりする場合があるからである。
【００６３】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。本実施形態のセラミック配線基板は、この図２に示される部分以外は、上記第１実施形態と同様のものであるため、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６４】
上記第１実施形態では、１個のトリミング部２０に対して１個の絶縁部１７が設けられていたが、本実施形態では、図２に示されるように、１個のトリミング部２０に対して絶縁部１７が複数個設けられている。図２では、絶縁部１７は４個設けられている。なお、図２（ｂ）中の破線は、トリミング前の厚膜抵抗体１４の外形線である。
【００６５】
ここで、複数個の絶縁部１７は、１個のトリミング部２０の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されている。つまり、各絶縁部１７は、トリミングの方向に沿って互いに接触することなく、離間して配置されている。
【００６６】
なお、トリミングの方向とは、一般的なものと同様であり、厚膜抵抗体１４のある部分を起点として厚膜抵抗体１４をトリミングしていく方向である。図２（ａ）では、図中の一点鎖線Ａ−Ａに平行な方向、つまりトリミング部２０の長手方向が、トリミングの方向に相当する。
【００６７】
そして、図２（ｂ）に示されるように、複数個の絶縁部１７の配列方向（つまり上記トリミングの方向）における個々の絶縁部１７の幅ｄ１の大きさを、個々の絶縁部１７の間隔ｄ２よりも大きいものとしている。
【００６８】
このような幅ｄ１、ｄ２の関係にすれば、１個のトリミング部２０に対して絶縁部１７を複数個設けた場合にも、上記した抗折強度の低下への影響を抑制できる。たとえば、個々の絶縁部１７の間隔ｄ２は０．２ｍｍ以下が望ましく、絶縁部１７の幅ｄ１の大きさを、この個々の絶縁部１７の間隔ｄ２の２倍以上とする。
【００６９】
また、図２（ｂ）に示されるように、複数個の絶縁部１７は、基材である上記最下層のセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部１７上に厚膜抵抗体１４が設けられている。
【００７０】
セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７の上に、厚膜抵抗体１４を設けた場合、厚膜抵抗体１４の厚さが、絶縁部１７上の部位では当絶縁部１７の厚さの分、薄くなりがちとなる。
【００７１】
そこで、この場合に、セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７を断続的に配列された複数個のものとすれば、絶縁部１７が存在しない部位では厚膜抵抗体１４の厚さを大きくでき、厚膜抵抗体１４の全体で、厚さを確保しやすくできる。
【００７２】
また、厚膜抵抗体１４の抵抗値の変動は、トリミング部２０の長さ（つまり、トリミングの方向でのトリミング部２０の長さ）で決まるが、厚膜抵抗体１４が厚いほど、トリミングしたときの単位長さ当たりの抵抗値変動が大きくなる。
【００７３】
その点、セラミック層１１の一面１１ａ上に突出する絶縁部１７を、図２に示されるように、断続的に配列された複数個のものとすれば、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７上に位置する部位は薄いものとなって、トリミングによる抵抗値変動が小さいため、トリミングの微調整に適した部分となる。
【００７４】
一方、それに比べて、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７の間の部分上に位置する部位は厚いものとなって、トリミングによる抵抗値変動が大きいため、トリミングの粗調整に適した部分となる。つまり、本実施形態の場合、トリミングによる抵抗値変動の微調整とラフな調整とが両方できるようになり、抵抗値変動を調整しやすくなる。
【００７５】
（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略平面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００７６】
上記第１実施形態では、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０は１個設けられていたが、本実施形態では、図３に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０を複数個設けている。図３では、２個のトリミング部２０を設けている。
【００７７】
そして、絶縁部１７を、個々のトリミング部２０に対応して設けている。つまり、ある１つのトリミング部２０に対応する絶縁部１７は、当該ある１つのトリミング部２０以外のトリミング部２０に対応する絶縁部１７とは離れて設けられている。
【００７８】
本実施形態においてもトリミングを行うときに、トリミング部２０の直下の絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止されるため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００７９】
なお、本実施形態においては、個々のトリミング部２０に対応する絶縁部１７を、上記図２に示したような断続的に配列された複数個の絶縁部１７として構成してもよい。この場合には、上記第２実施形態に示したものと同様の効果が、本実施形態においても期待される。
【００８０】
（第４実施形態）
図４は、本発明の第４実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略平面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００８１】
上記第１実施形態とは異なり、本実施形態においても、図４に示されるように、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間にて、トリミング部２０を複数個設けている。ここで、本実施形態では、上記図３とは異なり、絶縁部１７を、個々のトリミング部２０に対応して設けるのではなく、個々のトリミング部２０のすべてに共通する１個の絶縁部１７を設けている。
【００８２】
このように、本実施形態の絶縁部１７は、それぞれのトリミング部２０の直下に位置するように、厚膜抵抗体１４とセラミック層１１との間に連続して設けられた１個のものよりなる。
【００８３】
そして、本実施形態においてもトリミングを行うときに、絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止され、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。
【００８４】
また、図５は、上記図１（ｃ）や図３のように、厚膜抵抗体１４の直下に部分的に絶縁部１７を形成したときのトリミング部２０を示す概略断面図である。この場合、絶縁部１７を厚くする、たとえば、絶縁部１７を導体部１３よりも厚くすると、図５に示されるように、厚膜抵抗体１４に大きな段差Ｋが生じ、熱ストレス環境下において、抵抗値が変動する恐れがある。
【００８５】
それに対して、上記図４に示されるように、絶縁部１７を広く形成すれば、好ましくは、厚膜抵抗体１４のうち一対の導体部１３の間の部位全体の直下に、絶縁部１７を形成すれば、厚膜抵抗体１４において上記段差Ｋが生じにくくなる。
【００８６】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図である。本実施形態は、上記した各実施形態に適用可能であって、上記各実施形態において、後述するように、絶縁部１７を積層構造とした点が相違するものである。以下、この相違点を中心に述べることとする。
【００８７】
上記図５に示される絶縁部１７による厚膜抵抗体１４の段差Ｋを小さくするには、本実施形態が有効である。すなわち、本実施形態では、図６に示されるように、絶縁部１７は、厚膜抵抗体１４よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層１７ａ、１７ｂを積層してなるものである。
【００８８】
それとともに、複数の層１７ａ、１７ｂにおいては、セラミック層１１側に位置する第１の層１７ａよりも厚膜抵抗体１４側に位置する第２の層１７ｂの方が、サイズが小さいものとしており、そうすることで、絶縁部１７の端部を階段状としている。
【００８９】
具体的には、第１の層１７ａと第２の層１７ｂは、互いに相似形状である矩形板状の層であり、第２の層１７ｂの方が平面サイズが小さく、平面的に見たとき、第２の層１７ｂは第１の層１７ａの領域内に収まった配置となっている。
【００９０】
これにより、厚膜抵抗体１４のうち絶縁部１７の端部を被覆する部位の表面形状は、絶縁部１７の端部の階段形状を承継し、テーパ形状状とされている。つまり、図６に示されるように、本実施形態の厚膜抵抗体１４の段差Ｋは、上記図５における段差Ｋに比べて、なだらかなテーパ形状となっている。
【００９１】
本実施形態によれば、上記各実施形態において、絶縁部１７を厚くした場合であっても、厚膜抵抗体１４の上記段差Ｋを緩やかなものにできる。その結果、熱ストレス環境下における抵抗値変動を抑制することが可能となる。
【００９２】
なお、本実施形態の図６では、絶縁部１７は、２層の層１７ａ、１７ｂを積層してなるものであったが、絶縁部１７の端部を階段状とするものならば、絶縁部１７は３層以上の積層構造であってもよい。たとえば、３層以上の積層構成の場合には、図示しないが、当該３層を、セラミック層１１側から厚膜抵抗体１４側へ行くほど、平面サイズの小さいものとして構成すれば、上記階段状の端部が形成される。
【００９３】
また、上述したように、本実施形態は上記各実施形態に適用されるが、たとえば、上記図２や図３のように、１個の厚膜抵抗体１４について複数個の絶縁部１７を設ける場合には、個々の絶縁部１７に対して本実施形態の積層構成を適用すればよいし、上記図４にように、広い１個の絶縁部１７である場合には、この１個の絶縁部１７に対して本実施形態の積層構成を適用すればよい。
【００９４】
（第６実施形態）
図７は、本発明の第６実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図である。以下、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００９５】
図７に示されるように、本実施形態では、セラミック層１１の一面１１ａに絶縁部１７を形成した後、その上に導体部１３、厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５を順次形成し、さらに、トリミングを行ってトリミング部２０を形成したものである。
【００９６】
この場合、積層されたセラミック層１１を焼成し、その上に絶縁部１７を形成した後、厚膜抵抗体１４用の導体部１３を別途形成し、さらに厚膜抵抗体１４、保護ガラス１５を形成すればよい。
【００９７】
本実施形態では、１枚の平坦な絶縁部１７の上に導体部１３および厚膜抵抗体１４を形成するため、絶縁部１７による段差が厚膜抵抗体１４に影響を与えることがなくなり、厚膜抵抗体１４の段差を極力小さいものにできる。そのため、上記同様、熱ストレス環境下における抵抗値変動を抑制することが可能となる。
【００９８】
（第７実施形態）
図８（ａ）および（ｂ）は、本発明の第７実施形態に係るセラミック配線基板の要部であるトリミング部２０を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示すものである。
【００９９】
上記した各実施形態では、上記各断面図に示したように、絶縁部１７は、基材である上記最下層のセラミック層１１の一面１１ａ上に突出して設けられていた。それに対して、本実施形態では、絶縁部１７は、当該セラミック層１１の一面１１ａの下すなわち当該セラミック層１１の内部に埋め込まれた形で設けられている。
【０１００】
この場合は、セラミック層１１を焼成する前に、当該セラミック層１１に対して、プレスやエッチングなどにより凹み部を形成しておき、その凹み部に絶縁部１７を充填・形成すればよい。
【０１０１】
なお、図８（ａ）に示される第１の例は、たとえば上記図１〜図３に示されるような部分的な平面配置を有する絶縁部１７に対して、本実施形態を適用したものであり、図８（ｂ）に示される第２の例は、たとえば上記図４に示されるような広い平面配置を有する絶縁部１７に対して、本実施形態を適用したものである。
【０１０２】
本実施形態によっても、トリミングを行うときに、トリミング部２０の直下の絶縁部１７によって、トリミングによるセラミック層１１の損傷が防止されるため、トリミング部２０における抗折強度の低下を極力防止することができる。また、本実施形態は、上記第２実施形態に示したような断続的な配置についても適用できる。
【０１０３】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、セラミック配線基板は、複数のセラミック層１１が積層されてなる積層基板であったが、これに限定するものではなく、セラミック配線基板は１つのセラミック層よりなる単層基板でもよい。
【０１０４】
また、上記実施形態では、絶縁部１７は、導体部１３を形成したセラミック層１１を焼成した後に、セラミック層１１の一面１１ａに配設されたが、当該セラミック層１１を焼成する前に、絶縁部１７をセラミック層１１の一面１１ａに配設し、その後、セラミック層１１の焼成を行い、当該焼成と同時に絶縁部１７の硬化を行ってもよい。
【０１０５】
また、上記各実施形態では、導体部１３、厚膜抵抗体１４およびトリミング部２０はセラミック配線基板の一面１１ａのみに設けられていたが、これら導体部、厚膜抵抗体およびトリミング部は、セラミック配線基板の１つの面だけでなく、２つ以上の面に設けられていてもよい。その場合、それぞれのトリミング部において上記各実施形態に示した絶縁部１７の構成が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るセラミック配線基板を示す概略断面図であり、（ｂ）は同セラミック配線基板におけるトリミング部の拡大断面図、（ｃ）は（ｂ）の下視平面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略平面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略平面図である。
【図５】厚膜抵抗体の直下に部分的に絶縁部を形成したときのトリミング部を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態に係るセラミック配線基板の要部を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【図９】本発明者の試作品としてのセラミック配線基板を示す概略断面図である。
【図１０】本発明者の試作したモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１１】（ａ）は本発明者の行った抗折強度試験の評価方法を示す図、（ｂ）はその評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１１…基材としてのセラミック層、１１ａ…セラミック層の一面、１３…導体部、
１４…厚膜抵抗体、１７…絶縁部、１７ａ…絶縁部の第１の層、
１７ｂ…絶縁部の第２の層、２０…トリミング部、ｄ１…個々の絶縁部の幅、
ｄ２…個々の絶縁部の間隔。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックよりなる基材（１１）と、
前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に設けられた一対の導体部（１３）と、
前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に設けられ前記一対の導体部（１３）を電気的に接続する厚膜抵抗体（１４）と、を備え、
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれたトリミング部（２０）とされているセラミック配線基板において、
前記厚膜抵抗体（１４）における前記トリミング部（２０）の直下では、当該トリミング部（２０）と前記基材（１１）との間に、前記厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部（１７）が設けられていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
１個の前記トリミング部（２０）に対して前記絶縁部（１７）は複数個設けられており、
当該複数個の絶縁部（１７）は、前記１個のトリミング部（２０）の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されたものであり、
前記複数個の絶縁部（１７）の配列方向における個々の前記絶縁部（１７）の幅（ｄ１）の大きさが、個々の前記絶縁部（１７）の間隔（ｄ２）よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
前記複数個の絶縁部（１７）は、前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部（１７）上に前記厚膜抵抗体（１４）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
前記絶縁部（１７）は前記厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層（１７ａ、１７ｂ）が積層されてなるものであり、
前記複数の層（１７ａ、１７ｂ）において、前記基材（１１）側に位置するものよりも前記厚膜抵抗体（１４）側に位置するものの方がサイズが小さいものとして、前記絶縁部（１７）の端部を階段状とすることにより、
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記絶縁部（１７）の端部を被覆する部位の表面形状が、テーパ状とされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。
【請求項５】
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間にて、前記トリミング部（２０）は複数個設けられており、
前記絶縁部（１７）は、個々の前記トリミング部（２０）に対応して設けられ、
１つの前記トリミング部（２０）に対応する前記絶縁部（１７）は、当該１つのトリミング部（２０）以外のトリミング部（２０）に対応する前記絶縁部（１７）とは離れて設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。
【請求項６】
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間にて、前記トリミング部（２０）は複数個設けられており、
前記絶縁部（１７）は、それぞれの前記トリミング部（２０）の直下に位置するように、前記厚膜抵抗体（１４）と前記基材（１１）との間に連続して設けられた１個のものよりなることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項１】
セラミックよりなる基材（１１）と、
前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に設けられた一対の導体部（１３）と、
前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に設けられ前記一対の導体部（１３）を電気的に接続する厚膜抵抗体（１４）と、を備え、
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間に位置する部位が、トリミングされて切り欠かれたトリミング部（２０）とされているセラミック配線基板において、
前記厚膜抵抗体（１４）における前記トリミング部（２０）の直下では、当該トリミング部（２０）と前記基材（１１）との間に、前記厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる絶縁部（１７）が設けられていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
１個の前記トリミング部（２０）に対して前記絶縁部（１７）は複数個設けられており、
当該複数個の絶縁部（１７）は、前記１個のトリミング部（２０）の直下においてトリミングの方向に沿って断続的に配列されたものであり、
前記複数個の絶縁部（１７）の配列方向における個々の前記絶縁部（１７）の幅（ｄ１）の大きさが、個々の前記絶縁部（１７）の間隔（ｄ２）よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
前記複数個の絶縁部（１７）は、前記基材（１１）の一面（１１ａ）上に突出して設けられたものであり、これら複数個の絶縁部（１７）上に前記厚膜抵抗体（１４）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
前記絶縁部（１７）は前記厚膜抵抗体（１４）よりも電気絶縁性の大きな材料よりなる複数の層（１７ａ、１７ｂ）が積層されてなるものであり、
前記複数の層（１７ａ、１７ｂ）において、前記基材（１１）側に位置するものよりも前記厚膜抵抗体（１４）側に位置するものの方がサイズが小さいものとして、前記絶縁部（１７）の端部を階段状とすることにより、
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記絶縁部（１７）の端部を被覆する部位の表面形状が、テーパ状とされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。
【請求項５】
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間にて、前記トリミング部（２０）は複数個設けられており、
前記絶縁部（１７）は、個々の前記トリミング部（２０）に対応して設けられ、
１つの前記トリミング部（２０）に対応する前記絶縁部（１７）は、当該１つのトリミング部（２０）以外のトリミング部（２０）に対応する前記絶縁部（１７）とは離れて設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。
【請求項６】
前記厚膜抵抗体（１４）のうち前記一対の導体部（１３）の間にて、前記トリミング部（２０）は複数個設けられており、
前記絶縁部（１７）は、それぞれの前記トリミング部（２０）の直下に位置するように、前記厚膜抵抗体（１４）と前記基材（１１）との間に連続して設けられた１個のものよりなることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−１６５９２（Ｐ２００９−１６５９２Ａ）
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１７７０５２（Ｐ２００７−１７７０５２）
【出願日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
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