説明

タッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器

【課題】タッチ検出電極を見えにくくすることができるタッチ検出器付き表示パネルを得る。
【解決手段】並設された複数の表示要素(R,G,B)を含む表示層と、第1の方向(方向x)に沿って第1の領域(タッチ検出電極領域RT)と第2の領域(ダミー電極領域RD)とに交互に区分されると共に、第2の方向(方向y)に延びるように並設された複数の第1のスリットSLと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットSLDとを有する電極層とを備える。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、静電容量の変化に基づいて外部近接物体によるタッチを検出する機能を有するタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる接触検出装置を液晶表示装置等の表示装置上に装着し、あるいはタッチパネルと表示装置とを一体化し、その表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能とした表示パネルが注目されている。このようなタッチパネルを有する表示パネルは、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。
【0003】
タッチパネルの方式としては、光学式や抵抗式などいくつかの方式が存在するが、比較的単純な構造をもち、かつ低消費電力が実現できる、静電容量式のタッチパネルが期待されている。例えば、特許文献1には、複数の対向電極(駆動電極)と、これらと交差する複数の検出電極(タッチ検出電極)とを備え、それらの交差部に形成された静電容量が外部近接物体により変化することを利用してタッチを検出するタッチ検出器付き表示装置が開示されている。このタッチ検出器付き表示装置では、例えば、タッチ検出電極を、画素の配置ピッチの自然数倍のピッチで配置することにより、そのタッチ検出電極が見えにくくなるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2010−197576号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
このようなタッチパネルでは、このタッチ検出電極が殆ど見えなくなるのが望ましく、さらにこのタッチ検出電極を見えにくくすることが期待されている。
【0006】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、タッチ検出電極を見えにくくすることができるタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示のタッチ検出器付き表示パネルは、表示層と、電極層とを備えている。表示層は、並設された複数の表示要素を含んでいる。電極層は、第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有するものである。
【0008】
本開示のタッチパネルは、電極層を備えている。この電極層は、第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有するものである。
【0009】
本開示の電子機器は、上記タッチ検出器付き表示パネルを備えたものであり、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。
【0010】
本開示のタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器では、電極層の第1の領域および第2の領域において、第2の方向に延びる第1のスリットが並設される。そして、第2の領域において、隣接する第1のスリットは、第2のスリットにより連通される。
【発明の効果】
【0011】
本開示のタッチ検出器付き表示パネル、タッチパネル、および電子機器によれば、電極層の第1の領域および第2の領域において、第1のスリットを並設するとともに、第2の領域において、隣接する第1のスリットを、第2のスリットにより連通したので、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、指が接触または近接していない状態を表す図である。
【図2】本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、指が接触または近接した状態を表す図である。
【図3】本開示のタッチ検出器付き表示パネルにおけるタッチ検出方式の基本原理を説明するための図であり、駆動信号およびタッチ検出信号の波形の一例を表す図である。
【図4】本開示の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネルの一構成例を表すブロック図である。
【図5】図4に示したタッチ検出器付き表示デバイスの概略断面構造を表す断面図である。
【図6】図4に示したタッチ検出器付き表示デバイスにおける画素配列を表す回路図である。
【図7】図4に示したタッチ検出器付き表示デバイスにおける駆動電極およびタッチ検出電極の一構成例を表す斜視図である。
【図8】図7に示したタッチ検出電極の一構成例を表す平面図である。
【図9】第1の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図10】図9に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図11】第1の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図12】第1の実施の形態の他の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図13】図12に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図14】第2の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図15】第2の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図16】第2の実施の形態の他の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図17】第3の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図18】図17に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図19】第3の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図20】第4の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図21】図20に示した各画素に対応する領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図22】第5の実施の形態に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図23】第5の実施の形態の変形例に係るタッチ検出電極領域およびダミー電極領域における電極配置の一構成例を表す平面図である。
【図24】実施の形態を適用したタッチ検出器付き表示パネルのうち、適用例1の外観構成を表す斜視図である。
【図25】適用例2の外観構成を表す斜視図である。
【図26】適用例3の外観構成を表す斜視図である。
【図27】適用例4の外観構成を表す斜視図である。
【図28】適用例5の外観構成を表す正面図、側面図、上面図および下面図である。
【図29】変形例に係るタッチ検出器付き表示デバイスの概略断面構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.静電容量式タッチ検出の基本原理
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第3の実施の形態
5.第4の実施の形態
6.第5の実施の形態
7.適用例
【0014】
<1.静電容量式タッチ検出の基本原理>
まず最初に、図1〜図3を参照して、本発明のタッチ検出器付き表示装置におけるタッチ検出の基本原理について説明する。このタッチ検出方式は、静電容量式のタッチセンサとして具現化されるものであり、例えば図1(A)に示したように、誘電体Dを挟んで互いに対向配置された一対の電極(駆動電極E1およびタッチ検出電極E2)を用い、容量素子を構成する。この構造は、図1(B)に示した等価回路として表される。駆動電極E1、タッチ検出電極E2および誘電体Dによって、容量素子C1が構成される。容量素子C1は、その一端が交流信号源(駆動信号源)Sに接続され、他端Pは抵抗器Rを介して接地されると共に、電圧検出器(タッチ検出部)DETに接続される。交流信号源Sから駆動電極E1(容量素子C1の一端)に所定の周波数(例えば数kHz〜数十kHz程度)の交流矩形波Sg(図3(B))を印加すると、タッチ検出電極E2(容量素子C1の他端P)に、図3(A)に示したような出力波形(タッチ検出信号Vdet)が現れる。なお、この交流矩形波Sgは、後述する駆動信号Vcomに相当するものである。
【0015】
指が接触(または近接)していない状態では、図1に示したように、容量素子C1に対する充放電に伴って、容量素子C1の容量値に応じた電流I0が流れる。このときの容量素子C1の他端Pの電位波形は、例えば図3(A)の波形V0のようになり、これが電圧検出器DETによって検出される。
【0016】
一方、指が接触(または近接)した状態では、図2に示したように、指によって形成される容量素子C2が容量素子C1に直列に追加された形となる。この状態では、容量素子C1、C2に対する充放電に伴って、それぞれ電流I1、I2が流れる。このときの容量素子C1の他端Pの電位波形は、例えば図3(A)の波形V1のようになり、これが電圧検出器DETによって検出される。このとき、点Pの電位は、容量素子C1、C2を流れる電流I1、I2の値によって定まる分圧電位となる。このため、波形V1は、非接触状態での波形V0よりも小さい値となる。電圧検出器DETは、検出した電圧を所定のしきい値電圧Vthと比較し、このしきい値電圧以上であれば非接触状態と判断する一方、しきい値電圧未満であれば接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出が可能となる。
【0017】
<2.第1の実施の形態>
[構成例]
(全体構成例)
図4は、本発明の第1の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示装置の一構成例を表すものである。尚、本発明の実施の形態に係るタッチ検出装置は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。このタッチ検出器付き表示装置は、表示素子として液晶表示素子を用いており、その液晶表示素子により構成される液晶表示デバイスと静電容量式のタッチ検出デバイスとを一体化した、いわゆるインセルタイプの装置である。
【0018】
このタッチ検出器付き表示装置1は、制御部11と、ゲートドライバ12と、ソースドライバ13と、駆動電極ドライバ14と、タッチ検出器付き表示デバイス10と、タッチ検出部40とを備えている。
【0019】
制御部11は、外部より供給された映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動電極ドライバ14、およびタッチ検出部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する回路である。
【0020】
ゲートドライバ12は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。具体的には、ゲートドライバ12は、後述するように、走査信号Vscanを、走査信号線GCLを介して、画素PixのTFT素子Trのゲートに印加することにより、タッチ検出器付き表示デバイス10の液晶表示デバイス20にマトリックス状に形成されている画素Pixのうちの1行(1水平ライン)を表示駆動の対象として順次選択するようになっている。
【0021】
ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス10の各画素Pix(後述)に画素信号Vpixを供給する回路である。具体的には、ソースドライバ13は、後述するように、画素信号Vpixを、画素信号線SGLを介して、ゲートドライバ12により順次選択される1水平ラインを構成する各画素Pixにそれぞれ供給するものである。そして、これらの画素Pixでは、供給される画素信号Vpixに応じて、1水平ラインの表示が行われるようになっている。
【0022】
駆動電極ドライバ14は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出器付き表示デバイス10の駆動電極COML(後述)に駆動信号Vcomを供給する回路である。具体的には、駆動電極ドライバ14は、駆動電極COMLに対して、駆動信号Vcomを時分割的に順次印加する。そして、タッチ検出デバイス30は、複数のタッチ検出電極TDL(後述)から、その駆動信号Vcomに基づくタッチ検出信号Vdetを出力し、タッチ検出部40に供給するようになっている。
【0023】
タッチ検出器付き表示デバイス10は、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイスである。タッチ検出器付き表示デバイス10は、液晶表示デバイス20と、タッチ検出デバイス30とを有する。液晶表示デバイス20は、後述するように、ゲートドライバ12から供給される走査信号Vscanに従って、1水平ラインずつ順次走査して表示を行うデバイスである。タッチ検出デバイス30は、上述した静電容量式タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、タッチ検出信号Vdetを出力するものである。このタッチ検出デバイス30は、後述するように、駆動電極ドライバ14から供給される駆動信号Vcomに従って順次走査を行い、タッチ検出を行うようになっている。
【0024】
タッチ検出部40は、制御部11から供給される制御信号と、タッチ検出器付き表示デバイス10のタッチ検出デバイス30から供給されるタッチ検出信号Vdetに基づいて、タッチ検出デバイス30に対するタッチの有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求め、出力信号Outとして出力する回路である。
【0025】
(タッチ検出器付き表示デバイス10)
次に、タッチ検出器付き表示デバイス10の構成例を詳細に説明する。
【0026】
図5は、タッチ検出器付き表示デバイス10の要部断面構造の例を表すものである。このタッチ検出器付き表示デバイス10は、画素基板2と、この画素基板2に対向して配置された対向基板3と、画素基板2と対向基板3との間に挿設された液晶層6とを備えている。
【0027】
画素基板2は、回路基板としてのTFT基板21と、駆動電極COMLと、画素電極22とを有している。TFT基板21は、各種電極や配線、薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)などが形成される回路基板として機能するものであり、例えばガラスにより構成されるものである。このTFT基板21の上には、駆動電極COMLが形成される。駆動電極COMLは、複数の画素Pix(後述)に共通の電圧を供給するための電極である。この駆動電極COMLは、液晶表示動作のための共通駆動電極として機能するとともに、タッチ検出動作のための駆動電極としても機能するものである。なお、この例では駆動電極を表示とタッチ検出とで共用するようにしたが、別体としてそれぞれ設けるようにしてもよい。駆動電極COMLの上には絶縁層23が形成され、その上に画素電極22が形成される。画素電極22は、表示を行うための画素信号が供給される電極であり、透光性を有するものである。駆動電極COMLおよび画素電極22は、例えばITO(Indium Tin Oxide)により構成される。
【0028】
対向基板3は、ガラス基板31と、カラーフィルタ32と、タッチ検出電極TDLとを有している。カラーフィルタ32は、ガラス基板31の一方の面に形成されている。このカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のカラーフィルタ層を周期的に配列して構成したもので、各表示画素にR、G、Bの3色が1組として対応付けられている。なお、カラーフィルタ32は、RGBの3色に限定されるものではなく、例えば、他の色のカラーフィルタ層を含んで構成してもよいし、2色以下あるいは4色以上のカラーフィルタ層により構成してもよい。また、ガラス基板31の他方の面には、透光層33が形成され、その上にタッチ検出デバイス30の検出電極であるタッチ検出電極TDLが複数並設されている。これらのタッチ検出電極TDLの間には、後述するように、このタッチ検出電極TDLを見えにくくするためのダミー電極37が設けられている。タッチ検出電極TDLおよびダミー電極37は、例えばITO、IZO、SnOなどにより構成されるものであり、透光性のある電極である。透光層33は、例えばSiN,SiCなど絶縁性の材料によって構成されるものであり、透光層33の屈折率は、視感度が高い波長550nm付近において、ガラス基板31の屈折率(例えば1.5程度)とタッチ検出電極TDLの屈折率(例えば1.8程度)の間の値(例えばSiNでは1.75程度、SiCでは1.6程度)になっている。この透光層33は、ガラス基板31とタッチ検出電極TDLの間における反射を低減するためのインデックスマッチング層として設けられたものである。このタッチ検出電極TDLの上には、偏光板35が配設され、その上にはカバーガラス36が設けられている。なお、この例では、透光層33を設けるようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、透光層33を設けなくても良い。
【0029】
液晶層6は、表示機能層として機能するものであり、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。この電界は、駆動電極COMLの電圧と画素電極22の電圧との電位差により形成される。液晶層6には、FFS(フリンジフィールドスイッチング)やIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶が用いられる。
【0030】
なお、液晶層6と画素基板2との間、および液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜が配設され、また、画素基板2の下面側には入射側偏光板が配置されるが、ここでは図示を省略している。偏光板35およびこの入射側偏光板(図示せず)は、円偏光板または楕円偏光板が用いられる。
【0031】
図6は、液晶表示デバイス20の一構成例を表すものであり、(A)は回路図を示し、(B)は画素配列を示す。液晶表示デバイス20は、マトリックス状に配列した複数の画素Pixを有している。各画素Pixは、3つのサブ画素SPixにより構成される。この3つのサブ画素SPixは、図5に示したカラーフィルタ32の3色(RGB)にそれぞれ対応するように配置されている。サブ画素SPixは、TFT素子Trおよび液晶素子LCを有している。TFT素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。TFT素子Trのソースは画素信号線SGLに接続され、ゲートは走査信号線GCLに接続され、ドレインは液晶素子LCの一端に接続されている。液晶素子LCは、一端がTFT素子Trのドレインに接続され、他端が駆動電極COMLに接続されている。
【0032】
サブ画素SPixは、走査信号線GCLにより、液晶表示デバイス20の同じ行に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。走査信号線GCLは、ゲートドライバ12と接続され、ゲートドライバ12より走査信号Vscanが供給される。また、サブ画素SPixは、画素信号線SGLにより、液晶表示デバイス20の同じ列に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。画素信号線SGLは、ソースドライバ13と接続され、ソースドライバ13より画素信号Vpixが供給される。
【0033】
画素信号線SGLおよび走査信号線GCLは、図6(B)に示したように、画素基板2において、互いに隣接するサブ画素SPixの間の境界に配置されている。具体的には、画素信号線SGLは、横方向(x方向)に隣接するサブ画素SPixの間の境界に配置され、走査信号線GCLは、縦方向(y方向)に隣接するサブ画素SPixの間の境界に配置されている。画素信号線SGLおよび走査信号線GCLは、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、チタンなどの単層または多層膜などより構成される。これにより、画素信号線SGLおよび走査信号線GCLの部分では光が通らないようになっている。
【0034】
さらに、サブ画素SPixは、駆動電極COMLにより、液晶表示デバイス20の同じ行に属する他のサブ画素SPixと互いに接続されている。駆動電極COMLは、駆動電極ドライバ14と接続され、駆動電極ドライバ14より駆動信号Vcomが供給される。
【0035】
この構成により、液晶表示デバイス20では、ゲートドライバ12が走査信号線GCLを時分割的に線順次走査するように駆動することにより、1水平ラインが順次選択され、その1水平ラインに属する画素Pixに対して、ソースドライバ13が画素信号Vpixを供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【0036】
図7は、タッチ検出デバイス30の一構成例を斜視的に表すものである。タッチ検出デバイス30は、画素基板2に設けられた駆動電極COML、および対向基板3に設けられたタッチ検出電極TDLにより構成されている。駆動電極COMLは、図の左右方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンに分割されている。タッチ検出動作を行う際は、各電極パターンには、駆動電極ドライバ14によって駆動信号Vcomが順次供給され、時分割的に順次走査駆動が行われるようになっている。タッチ検出電極TDLは、駆動電極COMLの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びる電極パターンから構成されている。タッチ検出電極TDLの各電極パターンは、タッチ検出部40にそれぞれ接続されている。駆動電極COMLとタッチ検出電極TDLにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を形成している。
【0037】
この構成により、タッチ検出デバイス30では、駆動電極ドライバ14が駆動電極COMLに対して駆動信号Vcomを印加することにより、タッチ検出電極TDLからタッチ検出信号Vdetを出力し、タッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極COMLは、図1〜図3に示したタッチ検出の基本原理における駆動電極E1に対応し、タッチ検出電極TDLは、タッチ検出電極E2に対応するものであり、タッチ検出デバイス30はこの基本原理に従ってタッチを検出するようになっている。図7に示したように、互いに交差した電極パターンは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチ検出デバイス30のタッチ検出面全体にわたって走査することにより、外部近接物体の接触または近接が生じた位置の検出も可能となっている。
【0038】
図8は、タッチ検出電極TDLの一構成例を表すものである。図8において、タッチ検出電極TDL(タッチ検出電極領域RT)は、表示領域Sdを縦断してy方向に延伸するように形成されており、その表示領域Sdの外側の額縁領域Sfから、例えば配線などを介してタッチ検出部40に接続されている。タッチ検出電極TDLは、図8に示したように、四角形の形状の開口部を有している。そして、この開口部の領域および隣接するタッチ検出電極TDLとの間の領域には、ダミー電極領域RDが設けられ、ダミー電極37(後述)が形成されている。後述するように、タッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDでは、各画素Pixの有効画素領域における電極配置が同じになっている。
【0039】
図9は、タッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDにおける電極配置の一構成例を表すものである。この図9は、図8に示した部分Pを詳細に示したものである。
【0040】
タッチ検出電極領域RTでは、図9において縦方向(y方向)に延びるスリットSLにより分割された複数の電極パターンが形成されている。これらの複数の電極パターンは、図8に示した額縁領域Sfにおいて束ねられ、1本のタッチ検出電極TDLを構成するようになっている。このスリットSLは、タッチ検出電極領域RTと同様に、ダミー電極領域RDにも設けられている。これらのスリットSLは、図9の横方向(x方向)において所定数(この例では3つ)のサブ画素Spixごとに配置されている。このスリットSLのピッチは、人間の目で認識できない大きさであることが望ましく、例えば500μm以下であることが望ましい。また、ダミー電極領域RDには、図9において横方向に延び、隣接するスリットSLを互いに接続するスリットSLDも設けられている。このスリットSLDは、画素基板2において走査信号線GCLが形成された領域に設けられている。すなわち、このスリットSLDは、光を通さない位置に配置されている。スリットSLDは、図9の縦方向において所定数(この例では8つ)の画素Pix(サブ画素Spix)ごとに配置されている。このスリットSLDのピッチは、スリットSLの場合と同様に、人間の目で認識できない大きさであることが望ましく、例えば500μm以下であることが望ましい。これにより、ダミー電極領域RDには、スリットSL,SLDにより分割された、複数のダミー電極37が形成される。ダミー電極37のそれぞれは、電気的に他の部分と接続されておらず、フローティング状態になっている。
【0041】
スリットSLは、この例では、画素Pixのうちの、青色(B)のサブ画素Spixに対応する位置に設けられている。これは、タッチ検出電極TDLおよびダミー電極37における光透過率が、赤(R)、緑(G)、青(B)のうち、青(B)で最も低いことに対応している。すなわち、スリットSLを青色(B)のサブ画素SPixに対応する位置に配置することにより、青色の光の強度がこれらの電極で低下し、白色の色度が黄変化するのを抑えるようになっている。
【0042】
ここで、サブ画素SPixは、本開示における「表示要素」の一具体例に対応する。液晶層6は、本開示における「表示層」の一具体例に対応する。タッチ検出電極領域RTは、本開示における「第1の領域」の一具体例に対応する。ダミー電極領域RDは、本開示における「第2の領域」の一具体例に対応する。スリットSLは、本開示における「第1のスリット」の一具体例に対応する。スリットSLDは、本開示における「第2のスリット」の一具体例に対応する。走査信号線GCLは、本開示における「信号配線」の一具体例に対応する。
【0043】
[作用および効果]
続いて、本実施の形態のタッチ検出器付き表示パネル1の作用および効果について説明する。
【0044】
(全体動作概要)
制御部11は、外部より供給された映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動電極ドライバ14、およびタッチ検出部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらがお互いに同期して動作するように制御する。ゲートドライバ12は、液晶表示デバイス20に走査信号Vscanを供給し、表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する。ソースドライバ13は、ゲートドライバ12により選択された1水平ラインを構成する各画素Pixに、画素信号Vpixを供給する。駆動電極ドライバ14は、駆動電極COMLに対して駆動信号Vcomを順次印加する。タッチ検出器付き表示デバイス10は、表示動作を行うとともに、駆動信号Vcomに基づいてタッチ検出動作を行い、タッチ検出電極TDLからタッチ検出信号Vdetを出力する。タッチ検出部40は、タッチ検出デバイス30に対するタッチの有無およびタッチ座標を求め、その結果を出力信号Outとして出力する。
【0045】
タッチ検出器付き表示パネル1では、タッチ検出電極領域RTと、ダミー電極領域RDとで、画素Pixにおける光を通す領域(有効画素領域)における電極配置が同じになっている。これにより、タッチ検出電極領域RTにおける光の透過量と、ダミー電極領域RDにおける光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。以下に、その詳細を説明する。
【0046】
図10は、有効画素領域における電極配置を表すものであり、(A)はタッチ検出電極領域RTにおける電極配置を示し、(B),(C)はダミー電極領域RDにおける電極配置を示す。ここで、図10(B)は、図9に示した画素PixDの有効画素領域における電極配置を示し、図10(C)は、画素PixD2の有効画素領域における電極配置を示す。
【0047】
図10(A),(B)に示したように、タッチ検出電極領域RTに係る画素PixTにおける電極配置と、ダミー電極領域RDに係る画素PixDにおける電極配置とは、同じである。これにより、画素PixTの有効画素領域(走査信号線GCLおよび画素信号線SGLが設けられていない領域)における電極配置と、画素PixDの有効画素領域における電極配置は同じものとなる。具体的には、画素PixTの有効画素領域のうち、赤色(R)および緑色(G)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域全体を覆うように電極(タッチ検出電極TDL)が設けられ、青色(B)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域の一部に電極(タッチ検出電極TDL)が設けられている(図10(A)の斜線部)。同様に、画素PixDの有効画素領域のうち、赤色(R)および緑色(G)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域全体を覆うように電極(ダミー電極37)が設けられ、青色(B)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域の一部に電極(ダミー電極37)が設けられている(図10(B)の斜線部)。
【0048】
一方、図10に示したように、ダミー電極領域RDに係る画素PixD2における電極配置(図10(C))は、画素PixTに係る電極配置(図10(A))および画素PixDに係る電極配置(図10(B))と若干異なる。しかしながら、画素PixD2の有効画素領域における電極配置は、画素PixT,PixDのものと同じである。すなわち、画素PixD2の有効画素領域のうち、赤色(R)および緑色(G)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域全体を覆うように電極(ダミー電極37)が設けられ、青色(B)に係るサブ画素SPixの領域には、その領域の一部に電極(ダミー電極37)が設けられている(図10(C)の斜線部)。
【0049】
このように、タッチ検出器付き表示パネル1では、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、有効画素領域における電極配置パターンが同じになっている。これにより、タッチ検出器付き表示デバイス10の液晶表示デバイス20において、例えば、各画素Pixが同じ色の表示を行うことにより、画面一面にわたり均一な表示が行われた場合でも、タッチ検出電極領域RTにおける光の透過量と、ダミー電極領域RDにおける光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。
【0050】
なお、図5に示したように、タッチ検出電極TDLとカラーフィルタ31とは、互いに異なる層に形成されるため、観察者が表示画面を正面から見た場合には、スリットSLが青色(B)のサブ画素SPixに対応する位置にあっても、観察者が斜めの方向から見た場合には、例えばスリットSLが緑色(G)のサブ画素SPixに対応する位置にあるように見える場合があり、色度ずれが生じるおそれがある。しかしながら、この場合でも、タッチ検出器付き表示パネル1では、画素PixT,PixD,PixD2の有効画素領域における電極配置パターンが同じであるため、タッチ検出電極領域RTと、ダミー電極領域RDとで、この色度ずれも同じになるため、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。
【0051】
また、タッチ検出器付き表示パネル1では、ダミー電極領域RDにおいて、スリットSLDを、図9の縦方向(y方向)において8つの画素Pix(サブ画素Spix)ごとに配置している。これにより、ダミー電極領域RDにおける電極配置パターンは、ダミー電極領域RDにおいて各画素PixごとスリットSLDを設けた場合と比較して、横方向(x方向)に延びるスリットが設けられていないタッチ検出電極領域RTにおける電極配置パターンとより似たものになる。よって、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、ダミー電極領域RDとタッチ検出電極領域RTとで電極配置パターンが似ているため、タッチ検出電極領域RTのタッチ検出電極TDLが見えてしまうおそれを低減することができる。
【0052】
[効果]
以上のように本実施の形態では、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、各画素の有効画素領域における電極配置率を等しくしたので、これらの領域における光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
【0053】
また、本実施の形態では、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、各画素の有効画素領域における電極配置パターンを同じにしたので、同じ色のサブ画素で光の透過量が互いに等しくなるため、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
【0054】
また、本実施の形態では、ダミー電極領域において、スリットSLDを複数の画素ごとに設けたので、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで電極配置パターンが互いに似たものになるため、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。
【0055】
[変形例1−1]
上記実施の形態では、スリットSLを3つのサブ画素SPixごとに配置し、スリットSLDを8つの画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、スリットSLを2つ以下もしくは4つ以上のサブ画素SPixごとに配置してもよいし、スリットSLDを7つ以下もしくは9つ以上の画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置してもよい。図11に、スリットSLを各サブ画素Spixごとに配置するとともに、スリットSLDを4つの画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置した場合を示す。この場合でも、上記実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。
【0056】
[変形例1−2]
上記実施の形態では、各サブ画素SPixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、例えば、図12に示したように、平行四辺形の形状に形成してもよい。この場合でも、図13に示したように、画素PixTの有効画素領域における電極配置(図13(A)の斜線部)は、画素PixD,PixD2の有効画素領域における電極配置(図13(B),(C)の斜線部)と同じになるため、上記実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDLを見えにくくすることができる。
【0057】
<3.第2の実施の形態>
次に、第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120について説明する。本実施の形態は、タッチ検出電極領域RTにも、スリットSLに交差する方向に延びるスリットを設けたものである。なお、上記第1の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル1と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0058】
図14は、タッチ検出器付き表示パネル120に係るタッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDにおける電極配置の一構成例を表すものである。なお、図14では、説明の便宜上、走査信号線GCLを太く描いている。
【0059】
タッチ検出電極領域RTには、図14において横方向(x方向)に延びるスリットSLTを有している。このスリットSLTは、ダミー電極領域RDに設けられたスリットSLDと同様に、走査信号線GCLに対応する位置に設けられており、この例では、スリットSLT,SLDは、図14の縦方向(y方向)において各画素Pix(サブ画素Spix)ごとに配置されている。スリットSLTは、スリットSLを中心にして左右に延びるように形成されている。スリットSLTの長さは、図14の横方向における画素Pixの幅と同じであり、スリットSLTの幅は、スリットSLDの幅と同じである。隣接するスリットSLに係るスリットSLTは、図14の縦方向において互い違いに配置されている。
【0060】
ここで、スリットSLTは、本開示における「第3のスリット」の一具体例に対応する。
【0061】
この構成により、タッチ検出器付き表示パネル120では、上記第1の実施の形態におけるタッチ検出器付き表示パネル1と同様に、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、各画素の有効画素領域における電極配置を同じにしたので、これらの領域における光の透過量が等しくなるため、タッチ検出電極TDL2を見えにくくすることができる。
【0062】
また、タッチ検出器付き表示パネル120では、タッチ検出電極領域RTにスリットSLTを設けることにより、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができるとともに、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができる。すなわち、タッチ検出器付き表示パネル120では、ダミー電極領域RDにおいて、図14の縦方向(y方向)に並設された画素Pix(サブ画素Spix)ごとにスリットSLDを配置している。この場合には、タッチ検出電極領域RTにおいても、図14の縦方向に並設された画素Pix(サブ画素Spix)ごとにスリットSLTを形成することにより、上記第1の実施の形態に示したような、タッチ検出電極領域RTにスリットSLTを形成しない場合に比べて、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができる。これにより、タッチ検出器付き表示パネル120では、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極TDL2を見えにくくすることができる。
【0063】
言い換えれば、上記第1の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル1は、ダミー電極領域RDのスリットSLDを少なくすることにより、タッチ検出電極領域RTにスリットSLTを設けなくても、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、互いに似た電極配置パターンを有するように構成したものである。
【0064】
一方、本実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120は、タッチ検出電極領域RTでも、ダミー電極領域RDのスリットSLDと同じようにスリットSLTを設けることにより、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにするとともに、互いに似た電極配置パターンを有するように構成したものである。これにより、例えば、ダミー電極領域RDにおいて、スリットSLDが多く配置されている場合でも、タッチ検出電極領域RTに同じようにスリットSLTを設けることにより、タッチ検出電極TDL2を見えにくくすることができる。
【0065】
以上のように、本実施の形態では、タッチ検出電極領域にスリットSLTを設けたので、例えば、ダミー電極領域においてスリットSLDが多く配置されている場合でも、タッチ検出電極領域とダミー電極領域とで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができるとともに、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第1の実施の形態の場合と同様である。
【0066】
[変形例2−1]
上記実施の形態では、スリットSLを3つのサブ画素SPixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットSLを2つ以下もしくは4つ以上のサブ画素SPixごとに配置してもよい。図15は、スリットSLを各サブ画素Spixごとに配置した場合に例を表すものである。この場合でも、上記第2の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL2Aを見えにくくすることができる。
【0067】
[変形例2−2]
上記実施の形態では、スリットSLD,SLTを各画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットSLD,SLTを2つ以上の画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置してもよい。図16は、スリットSLD,SLTを2つの画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置した場合の例を表すものである。この場合でも、上記第2の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL2Bを見えにくくすることができる。
【0068】
[その他の変形例]
上記実施の形態では、各サブ画素SPixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第1の実施の形態の変形例1−2と同様に、各サブ画素SPixを平行四辺形の形状に形成してもよい。
【0069】
<4.第3の実施の形態>
次に、第3の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル130について説明する。本実施の形態は、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120において、ダミー電極領域RDのスリットSLDを、タッチ検出電極領域RTのスリットSLTと同様に、互い違いに配置したものである。なお、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0070】
図17は、タッチ検出器付き表示パネル130に係るタッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDにおける電極配置の一構成例を表すものである。なお、図17では、説明の便宜上、走査信号線GCLを太く描いている。
【0071】
タッチ検出器付き表示パネル130では、ダミー電極領域RDにおいて、図17の横方向(x方向)に隣接するスリットSLDが、タッチ検出電極領域RTにおけるスリットSLTと同じように互い違いに配置されている。これにより、タッチ検出器付き表示パネル130では、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120の場合に比べて、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、電極配置パターンとを互いにより似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極TDL2を見えにくくすることができる。
【0072】
以上のように、本実施の形態では、ダミー電極領域のスリットSLDを、タッチ検出電極領域のスリットSLTと同じように互い違いに配置したので、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第2の実施の形態の場合と同様である。
【0073】
[変形例3−1]
上記実施の形態では、スリットSLT,SLDは、ともに走査信号線GCLが形成された領域において互い違いに設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、走査信号線GCLが形成された領域を挟んで互い違いに設けてもよい。この場合、例えば、図18に示したように、画素PixTの有効画素領域における電極配置パターン(図18(A)の斜線部)は、画素PixDの有効画素領域における電極配置パターン(図18(B)の斜線部)とは若干異なるものの、各有効画素領域における電極配置率は等しくなるため、上記第3の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL2を見えにくくすることができる。
【0074】
[変形例3−2]
上記実施の形態では、スリットSLを3つのサブ画素SPixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットSLを2つ以下もしくは4つ以上のサブ画素SPixごとに配置してもよい。図19は、スリットSLを各サブ画素Spixごとに配置した場合に例を表すものである。この場合でも、上記第3の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL2Aを見えにくくすることができる。
【0075】
[その他の変形例]
上記実施の形態では、各サブ画素SPixを長方形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第1の実施の形態の変形例1−2と同様に、各サブ画素SPixを平行四辺形の形状に形成してもよい。
【0076】
<5.第4の実施の形態>
次に、第4の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル140について説明する。本実施の形態は、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120において、タッチ検出電極領域RTのスリットSLTおよびダミー電極領域RDのスリットSLDの延伸方向を傾けて配置したものである。なお、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0077】
図20は、タッチ検出器付き表示パネル140に係るタッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDにおける電極配置の一構成例を表すものである。タッチ検出器付き表示パネル140では、各サブ画素SPixを平行四辺形の形状に形成しており、それに応じて、タッチ検出電極領域RTのスリットSLTおよびダミー電極領域RDのスリットSLDは、走査信号線GCLが形成された領域において、その延伸方向を傾けて設けられている。タッチ検出電極領域RTにおいて、隣接するスリットSLに係るスリットSLTは、上記第3の実施の形態の場合(図17)とは異なり、図20の縦方向の同じ位置に配置されている。
【0078】
これにより、タッチ検出器付き表示パネル140では、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極TDL4を見えにくくすることができる。
【0079】
以上のように、本実施の形態では、スリットSLT,SLDを斜め方向に延伸するように形成したので、上記第2の実施の形態のように互い違いに形成することなく、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第2の実施の形態の場合と同様である。
【0080】
[変形例4−1]
上記実施の形態では、スリットSLT,SLDは、ともに走査信号線GCLが形成された領域に設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、走査信号線GCLが形成された領域からはみ出すように形成してもよい。この場合、図21に示したように、画素PixTの有効画素領域における電極配置パターン(図21(A)の斜線部)は、画素PixDの有効画素領域における電極配置パターン(図21(B)の斜線部)と若干異なるものの、各有効画素領域における電極配置率はほぼ等しくなるため、上記第4の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL4を見えにくくすることができる。
【0081】
[その他の変形例]
上記実施の形態では、スリットSLを3つのサブ画素SPixごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットSLを2つ以下もしくは4つ以上のサブ画素SPixごとに配置してもよい。
【0082】
また、上記実施の形態では、スリットSLD,SLTを各画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、スリットSLD,SLTを2つ以上の画素Pix(サブ画素SPix)ごとに配置してもよい。
【0083】
また、上記実施の形態では、各サブ画素SPixを平行四辺形の形状に形成したが、これに限定するものではなく、これに代えて、上記第3の実施の形態等の場合と同様に、長方形の形状に形成してもよい。
【0084】
<6.第5の実施の形態>
次に、第5の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル150について説明する。本実施の形態は、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120において、タッチ検出電極領域RTのスリットSLTを互い違いに配置する代わりに、太く形成したものである。なお、上記第2の実施の形態に係るタッチ検出器付き表示パネル120と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0085】
図22は、タッチ検出器付き表示パネル150に係るタッチ検出電極領域RTおよびダミー電極領域RDにおける電極配置の一構成例を表すものである。タッチ検出電極領域RTのスリットSLTは、その長さが図22の横方向(x方向)における画素Pixの幅よりも短く形成されるとともに、その幅がダミー電極領域RDのスリットSLDに比べて太く形成されている。これにより、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、単位面積あたりの電極配置率を同じにすることができる。隣接するスリットSLに係るスリットSLTは、図22の縦方向(y方向)において同じ位置に配置されている。
【0086】
これにより、タッチ検出器付き表示パネル150では、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、電極配置パターンとを互いに似たものにすることができ、例えば外部から入射した光がこれらの電極で反射された場合でも、タッチ検出電極TDL5を見えにくくすることができる。
【0087】
以上のように、本実施の形態では、スリットSLTを太く形成したので、上記第2の実施の形態のように互い違いに形成することなく、タッチ検出電極を見えにくくすることができる。その他の効果は、上記第2の実施の形態の場合と同様である。
【0088】
[変形例5−1]
上記実施の形態では、スリットSLTは、スリットSLから左右に延びるように形成したが、これに限定されるものではなく、例えば、図23に示したように、スリットSLと分離して形成してもよい。この場合でも、タッチ検出電極領域RTとダミー電極領域RDとで、電極配置パターンを互いに似たものにすることができるため、上記第5の実施の形態と同様に、タッチ検出電極TDL5Aを見えにくくすることができる。
【0089】
<7.適用例>
次に、図24〜図28を参照して、上記実施の形態および変形例で説明したタッチ検出器付き表示パネルの適用例について説明する。上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルは、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルは、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【0090】
(適用例1)
図24は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるテレビジョン装置の外観を表すものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル511およびフィルターガラス512を含む映像表示画面部510を有しており、この映像表示画面部510は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
【0091】
(適用例2)
図25は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるデジタルカメラの外観を表すものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部521、表示部522、メニュースイッチ523およびシャッターボタン524を有しており、その表示部522は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
【0092】
(適用例3)
図26は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表すものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体531、文字等の入力操作のためのキーボード532および画像を表示する表示部533を有しており、その表示部533は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
【0093】
(適用例4)
図27は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部541、この本体部541の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ542、撮影時のスタート/ストップスイッチ543および表示部544を有している。そして、その表示部544は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
【0094】
(適用例5)
図28は、上記実施の形態等のタッチ検出器付き表示パネルが適用される携帯電話機の外観を表すものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740、サブディスプレイ750、ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態等に係るタッチ検出器付き表示パネルにより構成されている。
【0095】
以上、いくつかの実施の形態および変形例、ならびに電子機器への適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。
【0096】
例えば、上記実施の形態等では、TFT基板21の上に駆動電極COMLを形成し、その上に絶縁膜23を介して画素電極22を形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、TFT基板21の上に画素電極22を形成し、その上に絶縁膜23を介して駆動電極COMLを形成してもよい。
【0097】
また、例えば、上記実施の形態等では、FFSやIPS等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化したが、これに代えて、TN(ツイステッドネマティック)、VA(垂直配向)、ECB(電界制御複屈折)等の各種モードの液晶を用いた液晶表示デバイスとタッチ検出デバイスとを一体化してもよい。このような液晶を用いた場合には、タッチ検出器付き表示デバイスを、図29に示したように構成可能である。図29は、本変形例に係るタッチ検出器付き表示デバイス10Bの要部断面構造の一例を表すものであり、画素基板2Bと対向基板3Bとの間に液晶層6Bを挟持された状態を示している。その他の各部の名称や機能等は図5の場合と同様なので、説明を省略する。この例では、図5の場合とは異なり、表示用とタッチ検出用の双方に兼用される駆動電極COMLは、対向基板3Bに形成されている。
【0098】
また、例えば、上記各実施の形態では、液晶表示デバイスと静電容量式のタッチ検出デバイスとを一体化したいわゆるインセルタイプとしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば液晶表示デバイスの表面に静電容量式のタッチ検出デバイスを形成した、いわゆるオンセルタイプであってもよいし、静電容量式のタッチ検出デバイスを表示デバイスとは別体として形成してもよい。
【0099】
また、例えば、上記各実施の形態では、表示素子は液晶素子としたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えばEL(Electro Luminescence)素子であってもよい。
【0100】
なお、本技術は以下のような構成とすることができる。
【0101】
(1)並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層と
を備えたタッチ検出器付き表示パネル
【0102】
(2)前記第2の方向に隣接する前記表示要素間において前記第1の方向に延伸する信号配線を複数有する配線層をさらに備え、
前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域に設けられている
前記(1)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0103】
(3)前記第2のスリットは、複数の前記信号配線ごとに設けられている
前記(2)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0104】
(4)前記電極層は、前記第1の領域において、隣接する第1のスリット間を連通させないように配置された複数の第3のスリットを有する
前記(2)または(3)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0105】
(5)前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、ともに同じ前記信号配線に対応する領域に設けられている
前記(4)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0106】
(6)前記第1の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第3のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において互いに異なる位置に設けられている
前記(4)または(5)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0107】
(7)前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において互いに異なる位置に設けられている
前記(6)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0108】
(8)前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられている
前記(6)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0109】
(9)前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向に延伸し、
前記第2のスリットの幅と前記第3のスリットの幅とは、互いに等しい
前記(6)から(8)のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0110】
(10)前記第1の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第3のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられ、
前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられている
前記(4)または(5)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0111】
(11)前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向とは異なる第3の方向に延伸する
前記(10)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0112】
(12)前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向に延伸し、
前記第3のスリットの幅は、前記第2のスリットの幅よりも太い
前記(10)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0113】
(13)前記第1のスリットは、前記第1の方向における所定数の前記表示要素ごとに設けられた
前記(1)から(12)のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0114】
(14)前記表示要素は、赤色表示要素、緑色表示要素、および青色表示要素を含む表示画素を構成し、
前記第1のスリットは、前記青色表示要素に対応する位置に配置されている
前記(13)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0115】
(15)前記電極層は、前記第2の領域において、前記第1のスリットおよび前記第2のスリットにより分割された複数のダミー電極を有し、
各ダミー電極は、電気的にフローティング状態である
前記(1)から(14)のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0116】
(16)前記第2の方向と交差する方向に延在する駆動電極を備え、
前記電極層は、前記第1の領域において、前記第1のスリットにより分割された複数の電極パターンからなる検出電極を有し、
前記検出電極と前記駆動電極との交差部分には静電容量が形成されている
前記(1)から(15)のいずれかに記載のタッチ検出器付き表示装置。
【0117】
(17)前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
前記(16)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0118】
(18)前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
前記(16)に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【0119】
(19)第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層を備えた
タッチパネル。
【0120】
(20)タッチ検出器付き表示パネルと、
前記タッチ検出器付き表示パネルを利用した動作制御を行う制御部と
を備え、
前記タッチ検出器付き表示パネルは、
並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層と
を有する
電子機器。
【符号の説明】
【0121】
1,120,130,140,150…タッチ検出器付き表示パネル、2…画素基板、3…対向基板、6…液晶層、10…タッチ検出器付き表示デバイス、11…制御部、12…ゲートドライバ、13…ソースドライバ、14…駆動電極ドライバ、20…液晶表示デバイス、21…TFT基板、22…画素電極、23…絶縁層、30…タッチ検出デバイス、31…ガラス基板、32…カラーフィルタ、33…透光層、35…偏光板、36…カバーガラス、37…ダミー電極、40…タッチ検出部、COML…駆動電極、GCL…走査信号線、LC…液晶素子、Out…出力信号、Pix、PixD,PixD2,PixT…画素、RD…ダミー電極領域、RT…タッチ検出電極領域、SL,SLD,SLT…スリット、SGL…画素信号線、SPix…サブ画素、TDL,TDL2,TDL2A,TDL2B,TDL4,TDL5,TDL5A…タッチ検出電極、Tr…TFT素子、Vcom…駆動信号、Vdet…タッチ検出信号、Vdisp…映像信号、Vpix…画素信号、Vscan…走査信号。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層と
を備えたタッチ検出器付き表示パネル
【請求項2】
前記第2の方向に隣接する前記表示要素間において前記第1の方向に延伸する信号配線を複数有する配線層をさらに備え、
前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域に設けられている
請求項1に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項3】
前記第2のスリットは、複数の前記信号配線ごとに設けられている
請求項2に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項4】
前記電極層は、前記第1の領域において、隣接する第1のスリット間を連通させないように配置された複数の第3のスリットを有する
請求項2に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項5】
前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、ともに同じ前記信号配線に対応する領域に設けられている
請求項4に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項6】
前記第1の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第3のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において互いに異なる位置に設けられている
請求項5に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項7】
前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において互いに異なる位置に設けられている
請求項6に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項8】
前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられている
請求項6に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項9】
前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向に延伸し、
前記第2のスリットの幅と前記第3のスリットの幅とは、互いに等しい
請求項6に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項10】
前記第1の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第3のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられ、
前記第2の領域において、前記第1の方向に隣接する前記第2のスリットは、前記信号配線に対応する領域における前記第2の方向において同じ位置に設けられている
請求項5に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項11】
前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向とは異なる第3の方向に延伸する
請求項10に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項12】
前記第2のスリットおよび前記第3のスリットは、前記第1の方向に延伸し、
前記第3のスリットの幅は、前記第2のスリットの幅よりも太い
請求項10に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項13】
前記第1のスリットは、前記第1の方向における所定数の前記表示要素ごとに設けられた
請求項1に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項14】
前記表示要素は、赤色表示要素、緑色表示要素、および青色表示要素を含む表示画素を構成し、
前記第1のスリットは、前記青色表示要素に対応する位置に配置されている
請求項13に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項15】
前記電極層は、前記第2の領域において、前記第1のスリットおよび前記第2のスリットにより分割された複数のダミー電極を有し、
各ダミー電極は、電気的にフローティング状態である
請求項1に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項16】
前記第2の方向と交差する方向に延在する駆動電極を備え、
前記電極層は、前記第1の領域において、前記第1のスリットにより分割された複数の電極パターンからなる検出電極を有し、
前記検出電極と前記駆動電極との交差部分には静電容量が形成されている
請求項1に記載のタッチ検出器付き表示装置。
【請求項17】
前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層および前記駆動電極の間に形成され、もしくは前記駆動電極を挟んで前記液晶層と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
請求項16に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項18】
前記表示要素は、
液晶層と、
前記液晶層を挟んで前記駆動電極と対向するように配置された画素電極と
を含んで構成される
請求項16に記載のタッチ検出器付き表示パネル。
【請求項19】
第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層を備えた
タッチパネル。
【請求項20】
タッチ検出器付き表示パネルと、
前記タッチ検出器付き表示パネルを利用した動作制御を行う制御部と
を備え、
前記タッチ検出器付き表示パネルは、
並設された複数の表示要素を含む表示層と、
第1の方向に沿って第1の領域と第2の領域とに交互に区分されると共に、第2の方向に延びるように並設された複数の第1のスリットと、前記第2の領域における隣接する第1のスリット間を連通させる複数の第2のスリットとを有する電極層と
を有する
電子機器。




【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【公開番号】特開2012−226687(P2012−226687A)
【公開日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−96021(P2011−96021)
【出願日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【出願人】(598172398)株式会社ジャパンディスプレイウェスト (90)
【Fターム(参考)】