タブ端子の製造方法およびその方法により得られるタブ端子
【課題】線材メーカー等から入手できる、鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を、そのままタブ端子に使用した場合であっても、溶接部分からのスズウィスカが発生しない、電解コンデンサ用タブ端子を製造する方法を提供する。
【解決手段】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、を含んでなることを特徴とする。
【解決手段】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、を含んでなることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミ電解コンデンサ等に使用されるタブ端子の製造方法に関し、特に、鉛フリーのスズメッキが施されたタブ端子の製造方法およびその方法によって得られるタブ端子に関する。
【従来技術】
【０００２】
電解コンデンサは、タンタル、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレータを介して巻回してなるコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に、液状電解質または固体電解質を保持させて外装ケース内に収納して構成されている。このような電解コンデンサにおいて、陽極電極箔と陰極電極箔とには、それぞれの電極を外部に接続するためのタブ端子が、ステッチ、超音波溶接等の公知の手段により接続されている。
【０００３】
当該タブ端子は、扁平部、丸棒部、およびリード線部の三つの部分から構成されている。すなわち、電極箔に接合される部分は、巻回型のコンデンサ素子内に巻き込まれる関係から扁平部とされ、外装ケースを密封する封口体に貫通挿入される部分は、封口体との間のシール性と機械的強度を確保するために丸棒部とされている。また、回路基板に実装される引出し部分は、実装時の取扱性を確保するために柔軟性を持つリード線部とされている。
【０００４】
このような三つの部分から構成されるタブ端子は、２種類の部材を溶接することによって作製されるのが通常である。すなわち、アルミ材等からなる芯線を用いて扁平部と丸棒部とを形成し、当該丸棒部にリード線を溶接することによって作製される。また、電解コンデンサは回路基板にはんだ付けで実装されることから、当該リード線は、はんだ付け特性の向上のため、その表面にスズや鉛を含有するスズでメッキが施されたものが使用されている。
【０００５】
一方、近年、環境問題に配慮して、電子部品の電極端子の無鉛化や電子部品の接合に無鉛はんだを使用する技術の開発がなされ始めている。電子部材として用いるリード線においても、従来の鉛含有スズメッキに替わり、鉛を用いない、いわゆる鉛フリーのスズメッキが使用され始めている。このような鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を用いたタブ端子では、アルミ丸棒部とリード線部との溶接部分にスズのウィスカが発生するという問題がある。該ウィスカは経時的に成長するため、タブ端子製造後にウィスカを除去しても、その後に徐々にウィスカが成長する。従って、電解コンデンサを回路基板に実装した後に、陽極側のリード線から発生したウィスカと陰極側のリード線から発生したウィスカとが互いに接合したり、あるいは、リード線部に発生したウィスカが回路基板の表面またはコンデンサ容器にまで達して、ひいては電解コンデンサの漏れ電流を増大させたり、ショートを発生させ、ウィスカ事故につながる恐れもある。
【０００６】
このような問題に対し、溶接部からのスズウィスカの発生を抑制するため、特開２０００−１２３８６号公報には、０．５〜１０．０ｗｔ％のビスマス等の金属を含有するスズからなる金属層が形成されたリード線を使用することが開示されている。このように、スズにビスマス等の金属を含有させることにより、ウィスカの発生を抑制することができる。
【０００７】
しかしながら、ビスマス等の金属を含有するスズが表面に形成されたリード線を得るためには、当該金属を所定量含有するスズ合金のメッキを施す必要があるため、線材メーカー等から入手できる鉛フリーのスズメッキされたリード線をタブ端子の製造に直接用いることができない。このように線材メーカー等から入手できるリード線をそのまま使用してタブ端子を製造することができれば、製造工程も複雑とならず、製造コストを増大させることもないと考えられる。
【０００８】
ウィスカが発生する部位はアルミ芯線とリード線との溶接部のみであるのに対し、ビスマス／スズ合金メッキはリード線全体に施されているため、ウィスカ発生と関係のない部分のメッキ処理が無駄になりコスト上昇を招く。
【０００９】
さらに、スズに他の金属を含有させすぎると、スズのみからなるメッキと比較して、ハンダ濡れ性等のメッキ特性が変化してしまう。
【００１０】
また、特開２０００−１２４０７３号公報（特許文献２）には、スズのウィスカ発生を抑制するために、アルミ線とリード線とを接合する際に、アルミ線の端部に凹部を設け、その凹部にリード線を挿入して接合することが提案されている。
【００１１】
しかしながら、接合工程の前に、アルミ線の端部に凹部を形成する工程が加わるため、製造工程が複雑となり、コストの上昇を招く。また、凹部を形成するためにはアルミ線の線径を太くする必要があるが、アルミ線が太いと溶接の際にエネルギーを過剰に消費するため、生産実用上限界がある。
【００１２】
さらに、鉛フリーのスズメッキされたリード線を用いたタブ端子は、溶接部分のみにウィスカが発生するだけでなく、端子部分（リード線）を折り曲げるたりすると、その折り曲げ部分からもウィスカが発生することも、最近報告されている。
【特許文献１】特開２０００−１２３８６号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明者らは、今般、鉛フリーのタブ端子において、スズメッキさたリード線の表面にリン（Ｐ）を含む層を形成することにより、ウィスカの発生が抑制できるとの知見を得た。本発明はかかる知見によるものである。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、線材メーカー等から入手できる、鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を、そのままタブ端子に使用した場合であっても、溶接部分からのスズウィスカが発生しない、タブ端子を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によるタブ端子の製造方法は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および
前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、
を含んでなることを特徴とするものである。
【００１６】
このように、溶接後にタブ端子をリン系溶剤で洗浄することにより、溶接部分の表面にリン化合物膜が形成され、当該溶接部分からスズウィスカの発生を抑制することができる。また、端子部分を折り曲げた際にも、その折り曲げ部分からのウィスカの発生を抑制することができる。
【００１７】
また、本発明においては、上記のリン系溶剤として、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含んでなる洗浄剤を用いることが好ましい。このようなリン系溶剤を使用することにより、より確実に溶接部分にリン化合物の皮膜を形成することができる。リン系溶剤による洗浄は、溶剤（洗浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このような温度で洗浄を行うことにより、タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効果的に形成することができる。
【００１８】
また、上記のリン系溶剤による洗浄は、溶剤の曇点以上の温度で行うことが好ましい。この範囲で洗浄を行うことにより、十分なリン化合物の皮膜形成を行うことができる。
【００１９】
また、本発明の好ましい態様としては、タブ端子の溶接部分に、イオン注入を行う。上記イオン注入のイオン源はリンであることが好ましい。このように、リンイオンをタブ端子の溶接部分に注入することにより、より一層、スズウィスカの発生を抑制することができる。
【００２０】
上記イオン注入は、リン系溶剤による洗浄工程の後に行うことが好ましい。
【００２１】
また、タブ端子の溶接部分に注入するイオン量としては、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２であることが好ましい。
【００２２】
このようにして製造されるタブ端子は、アルミ電解コンデンサ等に好適に使用される。
【００２３】
本発明の別の態様としてのタブ端子は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって、
前記溶接部分の少なくとも一部に、ＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とするものである。
【００２４】
また、好ましい態様として、スズが存在する部分において、スズ表面にＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなるものである。
【００２５】
また、好ましい態様として、ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である。
【００２６】
さらに、本発明によるタブ端子は、針状のウィスカが実質的に存在せず、タブ端子表面に発生したウィスカの形状は螺旋状または帯状である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態の一例によるタブ端子の製造方法について説明する。
本発明のタブ端子の製造方法は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および前記タブ端子をリン系溶剤で洗浄する工程、を含んでなる。
【００２８】
タブ端子の準備工程は、通常の溶接加工および圧扁加工により行うことができる。溶接工程において、銅、鉄等からなる芯線にスズメッキされたリード線とアルミ芯線とを溶接によって接合する。例えば、火花放電等によって高温状態を形成し、アルミ芯線とリード線との両端を溶解して接合する方法等により両者を接合することができる。
【００２９】
その後、リード線に接合されたアルミ芯線の一端部を扁平状に圧扁することにより、アルミ圧扁部を形成する。かかる圧扁部は従来技術により形成することができる。例えば、アルミ芯線をプレス加工し所定形状に切断することにより、所定形状の圧扁部を有するアルミ芯線を作製することができる。圧扁部を所定形状に切断する工程は、プレス加工と同時に行うこともできる。
【００３０】
本発明に使用されるリード線は、市販の鉛フリーのスズメッキが施されたＣＰ線（引き込み線）や、鉛フリーのスズメッキが施された銅線等を使用することができる。また、リード線の太さや長さも特に限定されるものではなく、使用する電解コンデンサ等の要求特性に応じて種々のＣＰ線や銅線等を使用することができる。例えば、リード線の外径は、概ね０．３〜１．２ｍｍのものを好適に使用できる。なお、ＣＰ線は、導電特性の観点から、鉄の周囲に銅が形成されたものが通常用いられる。
【００３１】
スズメッキの厚さは、概ね８〜１４μｍ程度である。なお、スズメッキが厚くなるほどウィスカが発生し易い傾向にある。
【００３２】
本発明のタブ端子を構成するアルミ芯線も、従来のタブ端子に使用されているものを使用することができる。当該アルミ芯線も市販のものを用いることができる。また、アルミ芯線は電解コンデンサの電極として機能するものである。
【００３３】
アルミ芯線は、外形が概ね０．５〜２．５ｍｍのものを使用できるが、リード線よりも外径の大きいものを使用することが好ましい。なお、アルミ芯線の外径とリード線の外径との差が大きいほどウィスカが発生し易い傾向にある。
【００３４】
次いで、このようにして得られたタブ端子を、リン系溶剤にて洗浄する。リン系溶剤によって洗浄することによりスズウィスカの発生が抑制されるのは、以下のように考えられる。
【００３５】
本発明者らは、タブ端子の溶接部分付近から発生するウィスカが、スズ金属単体からなるものであることを確認し、溶接部分にリン酸化合物の皮膜を形成することにより、この金属スズ結晶であるウィスカを抑制できるとの知見を得た。すなわち、本願発明は、ウィスカ発生原因に着目し、タブ端子の処理方法とウィスカ発生との関係について鋭意検討をした結果、導き出されたものである。
【００３６】
本発明者らの知見によれば、当該ウィスカはスズからなる単体金属で構成されており、リード線表面に設けられたスズメッキに由来するものと推定されるが、リード線全体にウィスカが発生することはなく、リード線とアルミ芯線との溶接部分に集中してウィスカは発生する。その理由は以下のように考えられる。すなわち、アルミ芯線とリード線との接合部分では、溶接時の残留応力が残されたままアルミ、銅およびスズ等の金属が固化する。しかしながら、アルミや銅と異なり、スズは融点が低く（２３２℃）、また、低温（数十℃）において結晶変態をし得る。このような残留応力（ひずみ）が残されている状態においては、常温においてもスズの結晶変態が進み、針状のウィスカとなって溶接部分から現れるものと推定される。この針状ウィスカは、溶接部分の表面を突き破るように内部から成長する。当該ウィスカの成長は、数ヶ月のオーダーで徐々に進行するため、タブ端子製造直後にウィスカ除去を行っても、根本的な解決にはならないことに留意されるべきである。すなわち、本発明者らの知見によれば、ウィスカの成長自体を抑制する必要があるということである。特に、タブ端子を使用する際に応力が加わる場合、例えば、タブ端子を折り曲げて使用するような場合、応力によってウィスカの成長が助長される傾向にあるが、本発明においては、タブ端子に応力が加わる状況下であっても、ウィスカの発生および成長が有効に抑制できる。
【００３７】
本発明においては、スズの結晶成長を抑制するために、ウィスカ発生場所である溶接部分の表面に、リン酸系化合物の皮膜を形成し、その皮膜によってウィスカの発生を抑制するものである。溶接部分に形成されたリン系化合物は、溶接部分に存在するスズおよび周囲雰囲気に存在する酸素と反応し、リン酸化合物を形成する。本発明者らがＡＥＳスペクトル分析等によって分析したところ、溶接部分の表面にはＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４）のリン酸化合物が形成されていることを確認した。このように、溶接部分の表面にリン酸系化合物の皮膜を形成することで、溶接部分の合金中に存在するスズがディスロケーションによって結晶成長し、ウィスカとして成長するのを効果的に抑制できることは予想外のことであった。形成されたＳｎＰＯｘは、ｘが２．５〜３であることが好ましく、この範囲であればよりウィスカ発生を抑制できる。
【００３８】
また、本発明による方法によれば、タブ端子の少なくとも一部分に、リン系化合物としてＳｎＰＯｘが形成されるだけでなく、ＳｎＰＯｘが形成されていない部分、すなわちＳｎが存在している部分においても、そのＳｎ表面状にＰＯｘからなるリン系化合物の皮膜が形成される。
【００３９】
本発明においては、リン酸系化合物の皮膜を溶接部分に形成するために、タブ端子をリン系溶剤によって洗浄する。この洗浄によって、リン系化合物がタブ端子表面に付着する。空気雰囲気中でタブ端子が置かれることにより、このリン系化合物が酸化してリン酸系化合物を形成する。
【００４０】
リン系溶剤としては、リン酸ナトリウムまたはリン酸カリウム、もしくはポリリン酸ナトリウムまたはポリリン酸カリウム等を含んでなる洗浄剤を好適に使用できるが、これらの中でも、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含むことが好ましい。ポリリン酸ナトリウムとしては、トリポリリン酸ナトリウム、テトラポリリン酸ナトリウム、ペンタポリリン酸ナトリウム等を挙げることができるが、これらの中でも、特にトリポリリン酸ナトリウムが好ましい。このようなリン系溶剤を使用することにより、より確実に溶接部分にリン化合物の皮膜を形成することができる。リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムは、溶剤中に、１〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、特に２５〜３０重量％含まれてなることが好ましい。このような洗浄剤としては、具体的には、ニュークリーナー、ライオミックスシリーズ、サンウォッシュシリーズ（いずれもライオン株式会社製）等を挙げることができる。
【００４１】
リン酸系化合物の酸化を促進するため、洗浄工程は、溶剤（洗浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このような温度で洗浄を行うことにより、タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効果的に形成することができる。洗浄温度は７０〜１００℃、より好ましくは９０〜９８℃の温度で行う。
【００４２】
また、上記のリン系溶剤による洗浄は、５〜３０分間が好ましく、より好ましくは８〜１６分間、さらに好ましくは９〜１２分間行う。この範囲で洗浄を行うことにより、十分なリン化合物の皮膜形成を行うことができる。５分未満の洗浄では、リン化合物の皮膜形成が十分ではなく、一方、３０分以上洗浄を行うと、タブ端子の表面、特にアルミ表面が過剰にエッチングされるため好ましくない。
【００４３】
スズウィスカは、溶接直後から成長を始めるため、タブ端子を準備した後洗浄工程に付すまでに長時間を要する場合、ある程度ウィスカが成長してしまう。しかしながら本発明による方法にあっては、例えウィスカが既に成長している場合であっても、洗浄工程に付すことで、発生したウィスカの大部分を除去できる。
【００４４】
本発明の好ましい態様においては、上記の洗浄工程の後、タブ端子の溶接部分にイオン注入を行う。イオン注入により、より一層ウィスカの成長を抑制することができる。イオン注入源としてはリンイオンが好ましい。このようなイオン注入によってスズウィスカの成長が抑制される理由は定かではないが、以下のように考えられる。すなわち、溶接部分にイオン注入を行うことにより、アルミ／リン、または銅／リン等の固溶体が形成される。その結果、溶接部分の表面自由エネルギーが低下する。そのため、空気雰囲気中の酸素とリンとが結合し易くなり、溶接部分の表面にリン酸塩等のリン酸化合物が形成される。このリン酸化合物によって、スズの結晶成長を抑制することができると考えられる。
【００４５】
また、イオン注入した場合、例えウィスカが成長したとしても、針状のスズ結晶が成長することはなく、螺旋状または帯状に成長する。すなわち、本発明によるタブ端子は、実質的に針状のウィスカが形成されない。このように針状のウィスカではなく、螺旋状または帯状のウィスカが形成されることは驚くべきことであった。針状にウィスカが成長すると、隣接するタブ端子やコンデンサ容器に接触してショート等のトラブルを発生するが、螺旋状または帯状に成長することにより隣接したタブ端子ややコンデンサ容器に接触することが無くなり、ショートを有効に防止できる。
【００４６】
このようにイオン注入によって、ウィスカが発生した場合でも螺旋状または帯状に成長する理由は定かではないが、イオン注入方向によっては、溶接部分のリン酸化合物皮膜の形成に斑が生じるため、ウィスカの成長が早い部分と成長の遅い部分が混在して不均一となり、螺旋状または帯状にウィスカが成長していくものと考えられる。
【００４７】
イオン注入されたリン原子は、雰囲気中の水または酸素と反応してリン酸化合物を形成する。このリン酸化合物の形成によって、ウィスカ自体もより発生し難くなると考えられる。
【００４８】
イオン注入においては、通常のイオンビーム成膜等に使用されるプラズマフィラメントイオン源やＥＣＲバケット型イオン源等を好適に使用できる。また、イオンビーム成膜装置としては、シングルイオン源型であってもデュアルイオン源型であってもよい。例えば、ＵＬＶＡＣ社製のＩＭＸ−３５００やＩＨ−８００ＵＰ等のイオン注入装置を使用できる。イオン注入時のエネルギーは、１０ｋｅＶ程度である。イオン注入量は、注入時間や印可エネルギー等によって調整できるが、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２程度が好ましい範囲である。この程度のイオン注入量とすることにより、溶接部分の表面に形成されたＳｎＰＯｘのリン系化合物皮膜またはＳｎ表面状に形成されたＰＯｘ皮膜の厚みを、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることができ、このような厚みのリン系化合物皮膜が形成されることにより、タブ端子の溶接部分でのウィスカ発生を抑制することができる。
【実施例】
【００４９】
実施例１
リード線としてスズ１００％のメッキを施した（メッキ厚１２μｍ）、鉄／銅からなる引き込み線（ＣＰ線）とアルミ芯線とを、それぞれ所定の長さに切断し、切断されたリード線とアルミ芯線とをアーク放電にて溶接した後、アルミ芯線部分をプレス加工により圧扁することによりタブ端子を準備した。このタブ端子をパラフィン系溶剤により脱脂洗浄処理を行い、８０℃×１２分、熱風乾燥を行った。
【００５０】
次に、上記のタブ端子を、３０重量％のトリポリリン酸ナトリウムを含む溶剤（商品名：サンウォッシュＬＨ−１、ライオン株式会社製）中に８５℃で１０分間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５１】
得られたタブ端子について、６０℃×９０％ＲＨの条件において２０００時間の加速試験を行った。加速試験後、タブ端子の溶接部分に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は、タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて、２４０μｍ×１９０μｍ（４５６００μｍ２）中に存在するウィスカの数を数えることによって評価した。また、ウィスカの長さについても、電子顕微鏡写真を用いて測定した。また、比較として、洗浄しなかったタブ端子についても、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数およびその長さを測定した。
【００５２】
結果は、表１に示される通りであった。
【００５３】
実施例２
上記でられたタブ端子を用い、ＩＭＸ−３５００（ＵＬＶＡＣ社製）を用いてイオン注入を行った。イオン注入源としてリンを用いた。１０ｋｅＶの条件下でリンのイオン注入を行い、注入量は１×１０１６ｃｍ−２とした。
【００５４】
得られたタブ端子について、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り、針状のウィスカは全く発生せず、螺旋状に丸まったウィスカのみが確認された。
【００５５】
実施例３
上記で得られたタブ端子のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲げた。その後、３０重量％のトリポリリン酸ナトリウムを含む溶剤（商品名：サンウォッシュＬＨ−１、ライオン株式会社製）中に８５℃で１０分間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５６】
得られたタブ端子について、６０℃×９０％ＲＨの条件において２０００時間の加速試験を行った。加速試験後、タブ端子の溶接部分に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は、タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて、２４０μｍ×１９０μｍ（４５６００μｍ２）中に存在するウィスカの数を数えることによって評価した。また、ウィスカの長さについても、電子顕微鏡写真を用いて測定した。また、比較として、洗浄しなかったタブ端子についても、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数およびその長さを測定した。
【００５７】
結果は、表１に示される通りであった。
【００５８】
実施例４
実施例３と同様のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲げたタブ端子について、リード線部分にＩＭＸ−３５００（ＵＬＶＡＣ社製）を用いてイオン注入を行った。イオン注入源としてリンを用いた。１０ｋｅＶの条件下でリンのイオン注入を行い、注入量は１×１０１６ｃｍ−２とした。
【００５９】
得られたタブ端子について、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り、針状のウィスカ発生は１本のみであり、それ以外は螺旋状に丸まったウィスカが確認された。
【表１】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミ電解コンデンサ等に使用されるタブ端子の製造方法に関し、特に、鉛フリーのスズメッキが施されたタブ端子の製造方法およびその方法によって得られるタブ端子に関する。
【従来技術】
【０００２】
電解コンデンサは、タンタル、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレータを介して巻回してなるコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に、液状電解質または固体電解質を保持させて外装ケース内に収納して構成されている。このような電解コンデンサにおいて、陽極電極箔と陰極電極箔とには、それぞれの電極を外部に接続するためのタブ端子が、ステッチ、超音波溶接等の公知の手段により接続されている。
【０００３】
当該タブ端子は、扁平部、丸棒部、およびリード線部の三つの部分から構成されている。すなわち、電極箔に接合される部分は、巻回型のコンデンサ素子内に巻き込まれる関係から扁平部とされ、外装ケースを密封する封口体に貫通挿入される部分は、封口体との間のシール性と機械的強度を確保するために丸棒部とされている。また、回路基板に実装される引出し部分は、実装時の取扱性を確保するために柔軟性を持つリード線部とされている。
【０００４】
このような三つの部分から構成されるタブ端子は、２種類の部材を溶接することによって作製されるのが通常である。すなわち、アルミ材等からなる芯線を用いて扁平部と丸棒部とを形成し、当該丸棒部にリード線を溶接することによって作製される。また、電解コンデンサは回路基板にはんだ付けで実装されることから、当該リード線は、はんだ付け特性の向上のため、その表面にスズや鉛を含有するスズでメッキが施されたものが使用されている。
【０００５】
一方、近年、環境問題に配慮して、電子部品の電極端子の無鉛化や電子部品の接合に無鉛はんだを使用する技術の開発がなされ始めている。電子部材として用いるリード線においても、従来の鉛含有スズメッキに替わり、鉛を用いない、いわゆる鉛フリーのスズメッキが使用され始めている。このような鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を用いたタブ端子では、アルミ丸棒部とリード線部との溶接部分にスズのウィスカが発生するという問題がある。該ウィスカは経時的に成長するため、タブ端子製造後にウィスカを除去しても、その後に徐々にウィスカが成長する。従って、電解コンデンサを回路基板に実装した後に、陽極側のリード線から発生したウィスカと陰極側のリード線から発生したウィスカとが互いに接合したり、あるいは、リード線部に発生したウィスカが回路基板の表面またはコンデンサ容器にまで達して、ひいては電解コンデンサの漏れ電流を増大させたり、ショートを発生させ、ウィスカ事故につながる恐れもある。
【０００６】
このような問題に対し、溶接部からのスズウィスカの発生を抑制するため、特開２０００−１２３８６号公報には、０．５〜１０．０ｗｔ％のビスマス等の金属を含有するスズからなる金属層が形成されたリード線を使用することが開示されている。このように、スズにビスマス等の金属を含有させることにより、ウィスカの発生を抑制することができる。
【０００７】
しかしながら、ビスマス等の金属を含有するスズが表面に形成されたリード線を得るためには、当該金属を所定量含有するスズ合金のメッキを施す必要があるため、線材メーカー等から入手できる鉛フリーのスズメッキされたリード線をタブ端子の製造に直接用いることができない。このように線材メーカー等から入手できるリード線をそのまま使用してタブ端子を製造することができれば、製造工程も複雑とならず、製造コストを増大させることもないと考えられる。
【０００８】
ウィスカが発生する部位はアルミ芯線とリード線との溶接部のみであるのに対し、ビスマス／スズ合金メッキはリード線全体に施されているため、ウィスカ発生と関係のない部分のメッキ処理が無駄になりコスト上昇を招く。
【０００９】
さらに、スズに他の金属を含有させすぎると、スズのみからなるメッキと比較して、ハンダ濡れ性等のメッキ特性が変化してしまう。
【００１０】
また、特開２０００−１２４０７３号公報（特許文献２）には、スズのウィスカ発生を抑制するために、アルミ線とリード線とを接合する際に、アルミ線の端部に凹部を設け、その凹部にリード線を挿入して接合することが提案されている。
【００１１】
しかしながら、接合工程の前に、アルミ線の端部に凹部を形成する工程が加わるため、製造工程が複雑となり、コストの上昇を招く。また、凹部を形成するためにはアルミ線の線径を太くする必要があるが、アルミ線が太いと溶接の際にエネルギーを過剰に消費するため、生産実用上限界がある。
【００１２】
さらに、鉛フリーのスズメッキされたリード線を用いたタブ端子は、溶接部分のみにウィスカが発生するだけでなく、端子部分（リード線）を折り曲げるたりすると、その折り曲げ部分からもウィスカが発生することも、最近報告されている。
【特許文献１】特開２０００−１２３８６号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明者らは、今般、鉛フリーのタブ端子において、スズメッキさたリード線の表面にリン（Ｐ）を含む層を形成することにより、ウィスカの発生が抑制できるとの知見を得た。本発明はかかる知見によるものである。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、線材メーカー等から入手できる、鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を、そのままタブ端子に使用した場合であっても、溶接部分からのスズウィスカが発生しない、タブ端子を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によるタブ端子の製造方法は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および
前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、
を含んでなることを特徴とするものである。
【００１６】
このように、溶接後にタブ端子をリン系溶剤で洗浄することにより、溶接部分の表面にリン化合物膜が形成され、当該溶接部分からスズウィスカの発生を抑制することができる。また、端子部分を折り曲げた際にも、その折り曲げ部分からのウィスカの発生を抑制することができる。
【００１７】
また、本発明においては、上記のリン系溶剤として、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含んでなる洗浄剤を用いることが好ましい。このようなリン系溶剤を使用することにより、より確実に溶接部分にリン化合物の皮膜を形成することができる。リン系溶剤による洗浄は、溶剤（洗浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このような温度で洗浄を行うことにより、タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効果的に形成することができる。
【００１８】
また、上記のリン系溶剤による洗浄は、溶剤の曇点以上の温度で行うことが好ましい。この範囲で洗浄を行うことにより、十分なリン化合物の皮膜形成を行うことができる。
【００１９】
また、本発明の好ましい態様としては、タブ端子の溶接部分に、イオン注入を行う。上記イオン注入のイオン源はリンであることが好ましい。このように、リンイオンをタブ端子の溶接部分に注入することにより、より一層、スズウィスカの発生を抑制することができる。
【００２０】
上記イオン注入は、リン系溶剤による洗浄工程の後に行うことが好ましい。
【００２１】
また、タブ端子の溶接部分に注入するイオン量としては、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２であることが好ましい。
【００２２】
このようにして製造されるタブ端子は、アルミ電解コンデンサ等に好適に使用される。
【００２３】
本発明の別の態様としてのタブ端子は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって、
前記溶接部分の少なくとも一部に、ＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とするものである。
【００２４】
また、好ましい態様として、スズが存在する部分において、スズ表面にＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなるものである。
【００２５】
また、好ましい態様として、ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である。
【００２６】
さらに、本発明によるタブ端子は、針状のウィスカが実質的に存在せず、タブ端子表面に発生したウィスカの形状は螺旋状または帯状である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態の一例によるタブ端子の製造方法について説明する。
本発明のタブ端子の製造方法は、芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および前記タブ端子をリン系溶剤で洗浄する工程、を含んでなる。
【００２８】
タブ端子の準備工程は、通常の溶接加工および圧扁加工により行うことができる。溶接工程において、銅、鉄等からなる芯線にスズメッキされたリード線とアルミ芯線とを溶接によって接合する。例えば、火花放電等によって高温状態を形成し、アルミ芯線とリード線との両端を溶解して接合する方法等により両者を接合することができる。
【００２９】
その後、リード線に接合されたアルミ芯線の一端部を扁平状に圧扁することにより、アルミ圧扁部を形成する。かかる圧扁部は従来技術により形成することができる。例えば、アルミ芯線をプレス加工し所定形状に切断することにより、所定形状の圧扁部を有するアルミ芯線を作製することができる。圧扁部を所定形状に切断する工程は、プレス加工と同時に行うこともできる。
【００３０】
本発明に使用されるリード線は、市販の鉛フリーのスズメッキが施されたＣＰ線（引き込み線）や、鉛フリーのスズメッキが施された銅線等を使用することができる。また、リード線の太さや長さも特に限定されるものではなく、使用する電解コンデンサ等の要求特性に応じて種々のＣＰ線や銅線等を使用することができる。例えば、リード線の外径は、概ね０．３〜１．２ｍｍのものを好適に使用できる。なお、ＣＰ線は、導電特性の観点から、鉄の周囲に銅が形成されたものが通常用いられる。
【００３１】
スズメッキの厚さは、概ね８〜１４μｍ程度である。なお、スズメッキが厚くなるほどウィスカが発生し易い傾向にある。
【００３２】
本発明のタブ端子を構成するアルミ芯線も、従来のタブ端子に使用されているものを使用することができる。当該アルミ芯線も市販のものを用いることができる。また、アルミ芯線は電解コンデンサの電極として機能するものである。
【００３３】
アルミ芯線は、外形が概ね０．５〜２．５ｍｍのものを使用できるが、リード線よりも外径の大きいものを使用することが好ましい。なお、アルミ芯線の外径とリード線の外径との差が大きいほどウィスカが発生し易い傾向にある。
【００３４】
次いで、このようにして得られたタブ端子を、リン系溶剤にて洗浄する。リン系溶剤によって洗浄することによりスズウィスカの発生が抑制されるのは、以下のように考えられる。
【００３５】
本発明者らは、タブ端子の溶接部分付近から発生するウィスカが、スズ金属単体からなるものであることを確認し、溶接部分にリン酸化合物の皮膜を形成することにより、この金属スズ結晶であるウィスカを抑制できるとの知見を得た。すなわち、本願発明は、ウィスカ発生原因に着目し、タブ端子の処理方法とウィスカ発生との関係について鋭意検討をした結果、導き出されたものである。
【００３６】
本発明者らの知見によれば、当該ウィスカはスズからなる単体金属で構成されており、リード線表面に設けられたスズメッキに由来するものと推定されるが、リード線全体にウィスカが発生することはなく、リード線とアルミ芯線との溶接部分に集中してウィスカは発生する。その理由は以下のように考えられる。すなわち、アルミ芯線とリード線との接合部分では、溶接時の残留応力が残されたままアルミ、銅およびスズ等の金属が固化する。しかしながら、アルミや銅と異なり、スズは融点が低く（２３２℃）、また、低温（数十℃）において結晶変態をし得る。このような残留応力（ひずみ）が残されている状態においては、常温においてもスズの結晶変態が進み、針状のウィスカとなって溶接部分から現れるものと推定される。この針状ウィスカは、溶接部分の表面を突き破るように内部から成長する。当該ウィスカの成長は、数ヶ月のオーダーで徐々に進行するため、タブ端子製造直後にウィスカ除去を行っても、根本的な解決にはならないことに留意されるべきである。すなわち、本発明者らの知見によれば、ウィスカの成長自体を抑制する必要があるということである。特に、タブ端子を使用する際に応力が加わる場合、例えば、タブ端子を折り曲げて使用するような場合、応力によってウィスカの成長が助長される傾向にあるが、本発明においては、タブ端子に応力が加わる状況下であっても、ウィスカの発生および成長が有効に抑制できる。
【００３７】
本発明においては、スズの結晶成長を抑制するために、ウィスカ発生場所である溶接部分の表面に、リン酸系化合物の皮膜を形成し、その皮膜によってウィスカの発生を抑制するものである。溶接部分に形成されたリン系化合物は、溶接部分に存在するスズおよび周囲雰囲気に存在する酸素と反応し、リン酸化合物を形成する。本発明者らがＡＥＳスペクトル分析等によって分析したところ、溶接部分の表面にはＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４）のリン酸化合物が形成されていることを確認した。このように、溶接部分の表面にリン酸系化合物の皮膜を形成することで、溶接部分の合金中に存在するスズがディスロケーションによって結晶成長し、ウィスカとして成長するのを効果的に抑制できることは予想外のことであった。形成されたＳｎＰＯｘは、ｘが２．５〜３であることが好ましく、この範囲であればよりウィスカ発生を抑制できる。
【００３８】
また、本発明による方法によれば、タブ端子の少なくとも一部分に、リン系化合物としてＳｎＰＯｘが形成されるだけでなく、ＳｎＰＯｘが形成されていない部分、すなわちＳｎが存在している部分においても、そのＳｎ表面状にＰＯｘからなるリン系化合物の皮膜が形成される。
【００３９】
本発明においては、リン酸系化合物の皮膜を溶接部分に形成するために、タブ端子をリン系溶剤によって洗浄する。この洗浄によって、リン系化合物がタブ端子表面に付着する。空気雰囲気中でタブ端子が置かれることにより、このリン系化合物が酸化してリン酸系化合物を形成する。
【００４０】
リン系溶剤としては、リン酸ナトリウムまたはリン酸カリウム、もしくはポリリン酸ナトリウムまたはポリリン酸カリウム等を含んでなる洗浄剤を好適に使用できるが、これらの中でも、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含むことが好ましい。ポリリン酸ナトリウムとしては、トリポリリン酸ナトリウム、テトラポリリン酸ナトリウム、ペンタポリリン酸ナトリウム等を挙げることができるが、これらの中でも、特にトリポリリン酸ナトリウムが好ましい。このようなリン系溶剤を使用することにより、より確実に溶接部分にリン化合物の皮膜を形成することができる。リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムは、溶剤中に、１〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、特に２５〜３０重量％含まれてなることが好ましい。このような洗浄剤としては、具体的には、ニュークリーナー、ライオミックスシリーズ、サンウォッシュシリーズ（いずれもライオン株式会社製）等を挙げることができる。
【００４１】
リン酸系化合物の酸化を促進するため、洗浄工程は、溶剤（洗浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このような温度で洗浄を行うことにより、タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効果的に形成することができる。洗浄温度は７０〜１００℃、より好ましくは９０〜９８℃の温度で行う。
【００４２】
また、上記のリン系溶剤による洗浄は、５〜３０分間が好ましく、より好ましくは８〜１６分間、さらに好ましくは９〜１２分間行う。この範囲で洗浄を行うことにより、十分なリン化合物の皮膜形成を行うことができる。５分未満の洗浄では、リン化合物の皮膜形成が十分ではなく、一方、３０分以上洗浄を行うと、タブ端子の表面、特にアルミ表面が過剰にエッチングされるため好ましくない。
【００４３】
スズウィスカは、溶接直後から成長を始めるため、タブ端子を準備した後洗浄工程に付すまでに長時間を要する場合、ある程度ウィスカが成長してしまう。しかしながら本発明による方法にあっては、例えウィスカが既に成長している場合であっても、洗浄工程に付すことで、発生したウィスカの大部分を除去できる。
【００４４】
本発明の好ましい態様においては、上記の洗浄工程の後、タブ端子の溶接部分にイオン注入を行う。イオン注入により、より一層ウィスカの成長を抑制することができる。イオン注入源としてはリンイオンが好ましい。このようなイオン注入によってスズウィスカの成長が抑制される理由は定かではないが、以下のように考えられる。すなわち、溶接部分にイオン注入を行うことにより、アルミ／リン、または銅／リン等の固溶体が形成される。その結果、溶接部分の表面自由エネルギーが低下する。そのため、空気雰囲気中の酸素とリンとが結合し易くなり、溶接部分の表面にリン酸塩等のリン酸化合物が形成される。このリン酸化合物によって、スズの結晶成長を抑制することができると考えられる。
【００４５】
また、イオン注入した場合、例えウィスカが成長したとしても、針状のスズ結晶が成長することはなく、螺旋状または帯状に成長する。すなわち、本発明によるタブ端子は、実質的に針状のウィスカが形成されない。このように針状のウィスカではなく、螺旋状または帯状のウィスカが形成されることは驚くべきことであった。針状にウィスカが成長すると、隣接するタブ端子やコンデンサ容器に接触してショート等のトラブルを発生するが、螺旋状または帯状に成長することにより隣接したタブ端子ややコンデンサ容器に接触することが無くなり、ショートを有効に防止できる。
【００４６】
このようにイオン注入によって、ウィスカが発生した場合でも螺旋状または帯状に成長する理由は定かではないが、イオン注入方向によっては、溶接部分のリン酸化合物皮膜の形成に斑が生じるため、ウィスカの成長が早い部分と成長の遅い部分が混在して不均一となり、螺旋状または帯状にウィスカが成長していくものと考えられる。
【００４７】
イオン注入されたリン原子は、雰囲気中の水または酸素と反応してリン酸化合物を形成する。このリン酸化合物の形成によって、ウィスカ自体もより発生し難くなると考えられる。
【００４８】
イオン注入においては、通常のイオンビーム成膜等に使用されるプラズマフィラメントイオン源やＥＣＲバケット型イオン源等を好適に使用できる。また、イオンビーム成膜装置としては、シングルイオン源型であってもデュアルイオン源型であってもよい。例えば、ＵＬＶＡＣ社製のＩＭＸ−３５００やＩＨ−８００ＵＰ等のイオン注入装置を使用できる。イオン注入時のエネルギーは、１０ｋｅＶ程度である。イオン注入量は、注入時間や印可エネルギー等によって調整できるが、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２程度が好ましい範囲である。この程度のイオン注入量とすることにより、溶接部分の表面に形成されたＳｎＰＯｘのリン系化合物皮膜またはＳｎ表面状に形成されたＰＯｘ皮膜の厚みを、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることができ、このような厚みのリン系化合物皮膜が形成されることにより、タブ端子の溶接部分でのウィスカ発生を抑制することができる。
【実施例】
【００４９】
実施例１
リード線としてスズ１００％のメッキを施した（メッキ厚１２μｍ）、鉄／銅からなる引き込み線（ＣＰ線）とアルミ芯線とを、それぞれ所定の長さに切断し、切断されたリード線とアルミ芯線とをアーク放電にて溶接した後、アルミ芯線部分をプレス加工により圧扁することによりタブ端子を準備した。このタブ端子をパラフィン系溶剤により脱脂洗浄処理を行い、８０℃×１２分、熱風乾燥を行った。
【００５０】
次に、上記のタブ端子を、３０重量％のトリポリリン酸ナトリウムを含む溶剤（商品名：サンウォッシュＬＨ−１、ライオン株式会社製）中に８５℃で１０分間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５１】
得られたタブ端子について、６０℃×９０％ＲＨの条件において２０００時間の加速試験を行った。加速試験後、タブ端子の溶接部分に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は、タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて、２４０μｍ×１９０μｍ（４５６００μｍ２）中に存在するウィスカの数を数えることによって評価した。また、ウィスカの長さについても、電子顕微鏡写真を用いて測定した。また、比較として、洗浄しなかったタブ端子についても、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数およびその長さを測定した。
【００５２】
結果は、表１に示される通りであった。
【００５３】
実施例２
上記でられたタブ端子を用い、ＩＭＸ−３５００（ＵＬＶＡＣ社製）を用いてイオン注入を行った。イオン注入源としてリンを用いた。１０ｋｅＶの条件下でリンのイオン注入を行い、注入量は１×１０１６ｃｍ−２とした。
【００５４】
得られたタブ端子について、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り、針状のウィスカは全く発生せず、螺旋状に丸まったウィスカのみが確認された。
【００５５】
実施例３
上記で得られたタブ端子のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲げた。その後、３０重量％のトリポリリン酸ナトリウムを含む溶剤（商品名：サンウォッシュＬＨ−１、ライオン株式会社製）中に８５℃で１０分間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５６】
得られたタブ端子について、６０℃×９０％ＲＨの条件において２０００時間の加速試験を行った。加速試験後、タブ端子の溶接部分に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は、タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて、２４０μｍ×１９０μｍ（４５６００μｍ２）中に存在するウィスカの数を数えることによって評価した。また、ウィスカの長さについても、電子顕微鏡写真を用いて測定した。また、比較として、洗浄しなかったタブ端子についても、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数およびその長さを測定した。
【００５７】
結果は、表１に示される通りであった。
【００５８】
実施例４
実施例３と同様のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲げたタブ端子について、リード線部分にＩＭＸ−３５００（ＵＬＶＡＣ社製）を用いてイオン注入を行った。イオン注入源としてリンを用いた。１０ｋｅＶの条件下でリンのイオン注入を行い、注入量は１×１０１６ｃｍ−２とした。
【００５９】
得られたタブ端子について、上記と同様に加速試験を行い、発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り、針状のウィスカ発生は１本のみであり、それ以外は螺旋状に丸まったウィスカが確認された。
【表１】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および
前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、
を含んでなることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記リン系溶剤が、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含んでなる洗浄剤である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記洗浄工程を、前記洗浄剤の曇点以上の温度で行う、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記洗浄工程を、７０〜１００℃の温度で行う、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記洗浄工程を、５〜３０分間行う、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記タブ端子の溶接部分に、イオン注入を行う工程をさらに含んでなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記イオン注入のイオン源がリンである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記イオン注入工程を、前記洗浄工程の後に行う、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
イオン注入量が、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記タブ端子が、アルミ電解コンデンサに使用されるものである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって、
前記溶接部分の少なくとも一部に、ＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とする、タブ端子。
【請求項１２】
スズが存在する部分において、スズ表面にＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなる、請求項１１に記載のタブ端子。
【請求項１３】
前記ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面のＰＯｘ皮膜の厚みが、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である、請求項１１に記載のタブ端子。
【請求項１４】
針状のウィスカが実質的に存在しない、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のタブ端子。
【請求項１５】
タブ端子表面に発生したウィスカの形状が、螺旋状または帯状である、請求項１４に記載のタブ端子。
【請求項１】
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって、
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、アルミ芯線を溶接し、該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程、および
前記タブ端子を、リン系溶剤で洗浄する工程、
を含んでなることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記リン系溶剤が、リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含んでなる洗浄剤である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記洗浄工程を、前記洗浄剤の曇点以上の温度で行う、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記洗浄工程を、７０〜１００℃の温度で行う、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記洗浄工程を、５〜３０分間行う、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記タブ端子の溶接部分に、イオン注入を行う工程をさらに含んでなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記イオン注入のイオン源がリンである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記イオン注入工程を、前記洗浄工程の後に行う、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
イオン注入量が、１．０×１０５〜１．０×１０２０ｃｍ−２である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記タブ端子が、アルミ電解コンデンサに使用されるものである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に、圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって、
前記溶接部分の少なくとも一部に、ＳｎＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とする、タブ端子。
【請求項１２】
スズが存在する部分において、スズ表面にＰＯｘ（ｘは２〜４を表す）からなる皮膜が形成されてなる、請求項１１に記載のタブ端子。
【請求項１３】
前記ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面のＰＯｘ皮膜の厚みが、ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である、請求項１１に記載のタブ端子。
【請求項１４】
針状のウィスカが実質的に存在しない、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のタブ端子。
【請求項１５】
タブ端子表面に発生したウィスカの形状が、螺旋状または帯状である、請求項１４に記載のタブ端子。
【公開番号】特開２００７−２２０８０４（Ｐ２００７−２２０８０４Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３８２１２（Ｐ２００６−３８２１２）
【出願日】平成１８年２月１５日（２００６．２．１５）
【出願人】（３９２０１７００４）湖北工業株式会社 (16)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月１５日（２００６．２．１５）
【出願人】（３９２０１７００４）湖北工業株式会社 (16)
【Ｆターム（参考）】
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