チップオンフィルム
【課題】
高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供する。
【解決手段】
本発明はポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４‘−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものである。
高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供する。
【解決手段】
本発明はポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４‘−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板としてＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープがある。このＴＡＢテープにおいては、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分に予め貫通した開口部が開けられて、配線パターンが片持ち梁状に突き出した状態で配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されるようになっている。
【０００３】
このＴＡＢテープに使用される絶縁テープとしては、ポリイミドフィルムが使用されており、とりわけ高い寸法精度を必要とすることから、低熱膨張性を有するポリイミドフィルムが使用されたＴＡＢテープ（例えば、特許文献１および２参照）が知られていた。
【０００４】
これに対して、ＴＡＢテープと同様に、フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板として、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分へは貫通した開口部を設けず、絶縁テープ表面上に設けられた配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されたチップオンフィルムが知られるようになった。このチップオンフィルムには、その使用目的から自由に折り曲げることが可能な絶縁テープが必要であるが、上記した低熱膨張性を有するポリイミドフィルムは高寸法安定ではあるものの、弾性率が高すぎるために、折り曲げる使用目的には適することができなかった。
【０００５】
更に、ポリイミドフィルムの重要な実用特性としてフィルムの滑り性（易滑性）が挙げられる。すなわち、様々なフィルム加工工程において、フィルム支持体（たとえばロール）とフィルムの易滑性、またフィルム同士の易滑性が確保されることにより、各工程における操作性、取り扱い性を向上させ、更にはフィルム上にシワ等の不良個所の発生を回避することができる効果を奏する。従来のポリイミドフィルムにおける易滑化技術としては、不活性無機化合物（例えばアルカリ土類金属のオルトリン酸塩、第２リン酸カルシウム無水物、ピロリン酸カルシウム、シリカ、タルク等）をポリアミック酸に添加する方法（特許文献３参照）、微細粒子によってフィルム表面に微細な突起を形成後、プラズマ処理を施す方法（特許文献４参照）が知られている。しかしこれらに示される粒子は粒子径が大きく、自動光学検査システムには適応しないという問題がある。またポリイミド表層に平均粒子径が０．０１〜１００μｍである無機質粒子が各粒子の一部をそれぞれ埋設させて保持されていて一部露出した前記無機質粒子からなる多数の突起を該フィルムの表面層に１×１０〜５×１０８個／ｍｍ２存在させる方法（特許文献５参照）が知られている。この方法は、積極的に表面に突起を露出させ、フィルム表面の摩擦係数を低減させることにより、易滑性効果を効果的に得るものであるが、無機質粒子が一部露出しているためフィルム表面へのすり傷が発生し外観不良をきたすといった問題を抱えていたものであった。
【特許文献１】特開平５−１４８４５８号公報
【特許文献２】特開平１０−７０１５７号公報
【特許文献３】特開昭６２−６８８５２号公報
【特許文献４】特開２０００−１９１８１０号公報
【特許文献５】特開平５−２５２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した従来技術における問題点の解決を課題として検討した結果達成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明の目的は、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、かかる課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。
【０００９】
すなわち、本発明のチップオンフィルムは、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものであり、かつ、前記配線が、接着剤を介するかもしくは接着剤を介することなく、該ポリイミドフィルムの少なくとも片面に形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
なお、本発明のチップオンフィルムにおいては、
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３０〜６０モル％の３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４０〜７０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであること、
前記ポリイミドフィルムが、弾性率が３〜８ＧＰａで、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃で、湿度膨張係数が２５ｐｐｍ／％ＲＨ以下で、吸水率が３．５％以下で、かつ、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の突起数が、１個／４０ｃｍ角以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の突起数が５個／４０ｃｍ角以下であること、
前記配線が、主として銅からなるものであること、
前記配線が、金属層をエッチングすることにより形成されたものであること、
前記配線が、鍍金により形成されたものであること、
前記接着剤が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種からなるものであること、
が、いずれも好ましい条件として挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、かつ、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、前記課題、つまり高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有する自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムについて、鋭意検討し、ポリイミド構成成分を特定な「ジアミン成分」で構成してなる特定なポリイミドフィルムに特定な無機微細粒子を特定量分散・含有させてみたところ、特定な表面突起を発生させることができ、かかる課題を一挙に解決することを究明したものである。
【００１３】
以下に、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
図１（Ａ）は、本発明のチップオンフィルムの構造の一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
図１に示したように、本発明のチップオンフィルムは、基材としてポリイミドフィルム１を用い、このポリイミドフィルム１にＩＣチップが搭載可能なようにチップ搭載部３を設けるとともに、ポリイミドフィルム１の片面または両面に配線（例えばインナーリード）２を形成したものである。
【００１５】
ここで、配線２の表面にＡｕ、Ｓｎ等のメッキをした後、複数のＡｕ、Ｓｎ等の金属バンプが設けられたＩＣチップとを接合する。この時、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを３００〜５００℃程度の固相接合及び共晶接合温度に加熱し、ボンディングツールを用い適性総荷重を一括で加えて、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを加熱加圧接合する。これにより固相接合及び共晶接合を行い、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを電気的に接続でき、チップオンフィルムを得ることができるのである。
【００１６】
本発明のチップオンフィルムにおいて、基材として用いるポリイミドフィルムは、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを使用する。この組み合わせにより、パラフェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを使用することなく、寸法安定性の高いポリイミドフィルムを得ることができる。すなわち剛直なジアミンを使用しないので、柔軟性と寸法安定性を兼ね揃えることができ、製膜性にも安定したポリイミドフィルムを得ることができる。酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物とから主としてなる特定なポリイミドフィルムである。すなわち、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４、４’−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物の３種類を必須成分とし、これら３種類のみ、あるいはこれら３種類に加えて少量の別成分を加えることにより得られる特定なポリイミドからなるポリイミドフィルムである。
【００１７】
すなわち、本発明のチップオンフィルムを構成するポリイミドのジアミン成分において、３，４’−ジアミノジフェニルエーテルが多すぎると硬くなり、少なすぎると柔らかすぎるので、３０〜６０モル％が好ましく、更に好ましくは３５〜５５モル％、より好ましくは４０〜５０モル％である。また、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルが多すぎると柔らかくなり、少なすぎると硬くなるので、４０〜７０モル％が好ましく、更に好ましくは４５〜６５モル％、より好ましくは５０〜６０モル％である。
【００１８】
かかるポリイミドで構成されたポリイミドフィルムの中でも、以下の特性を満足するものが、さらに好ましく使用される。
【００１９】
すなわち、ポリイミドフィルムの硬さの指標である弾性率が、３〜６ＧＰａの範囲にあるものが好ましく、６ＧＰａを超えると硬すぎ、３ＧＰａより小さいと柔らかすぎる。
【００２０】
また、本発明のポリイミドフィルムは、線膨張係数は５〜２０ｐｐｍ／℃が好ましく、２０ｐｐｍ／℃を超えると熱による寸法変化が大き過ぎ、５ｐｐｍ／℃より小さくなると、配線に使用される金属との線膨張係数との差が大きくなるため反りが生じてしまう。
【００２１】
また、本発明のポリイミドフィルムは、湿度膨張係数が２５ｐｐｍ／％ＲＨを超えると湿度による寸法変化が大き過ぎるので、湿度膨張係数は２５ｐｐｍ／％ＲＨ以下であるものが好ましい。
【００２２】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいては、吸水率が３％を超えると、吸い込んだ水の影響でフィルムの寸法変化が大きくなるので、吸水率は３％以下であるものが好ましい。
【００２３】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいては、２００℃１時間の加熱収縮率が０．１０％を超えると、やはり熱による寸法変化が大きくなるので、加熱収縮率は０．１０％以下であるものが好ましい。
【００２４】
本発明におけるポリイミドフィルムには、上述の通り、３，４’−ジアミノジフェニルエーテルや４，４’―ジアミノジフェニルエーテル以外に少量のジアミンを添加してもよい。また、ピロメリット酸二無水物以外に少量の酸二無水物を添加してもよい。具体的なジアミン及び酸二無水物としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２５】
（１）酸二無水物
３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３'，３，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンジカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−デカヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，５，６−ヘキサヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，８，９，１０−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等。
【００２６】
（２）ジアミン
３，３'−ジアミノジフェニルエーテル、メタフェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、３，４'−ジアミノジフェニルプロパン、３，３'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジアミノジフェニルメタン、ベンチジン、４，４'−ジアミノジフェニルサルファイド、３，４'−ジアミノジフェニルサルファイド、３，３'−ジアミノジフェニルサルファイド、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，６−ジアミノピリジン、ビス−（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、３，３'−ジクロロベンチジン、ビス−（４−アミノフェニル）エチルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）フェニルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、３，４'−ジメチル−３'，４−ジアミノビフェニル３，３'−ジメトキシベンチジン、２，４−ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル）ベンゼン、ｐ−ビス−（１，１−ジメチル−５−アミノペンチル）ベンゼン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、１，３−ジアミノアダマンタン、３，３'−ジアミノ−１，１'−ジアミノアダマンタン、３，３'−ジアミノメチル１，１'−ジアダマンタン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４'−ジメチルヘプタメチレンジアミン、２，１１−ジアミノドデカン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、３−メトキシヘキサエチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，１２−ジアミノオクタデカン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾール、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、Ｎ−（３−アミノフェニル）−４−アミノベンズアミド、４−アミノフェニル−３−アミノベンゾエート等。
【００２７】
また、本発明において、ポリイミドフィルムの前駆体であるポリアミック酸溶液の形成に使用される有機溶媒の具体例としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を挙げることができ、これらを単独又は混合物として用いるのが望ましいが、さらにはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の使用も可能である。
【００２８】
かかるポリイミドの重合方法は公知の下記(1)〜(5)のいずれの方法を採用することができる。
【００２９】
(1)先に芳香族ジアミン成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族テトラカルボン酸類成分を芳香族ジアミン成分全量と当量になるよう加えて重合する方法。
【００３０】
(2)先に芳香族テトラカルボン酸類成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族ジアミン成分を芳香族テトラカルボン酸類成分と等量になるよう加えて重合する方法。
【００３１】
(3)一方の芳香族ジアミン化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して芳香族テトラカルボン酸類化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、もう一方の芳香族ジアミン化合物を添加し、続いて芳香族テトラカルボン酸類化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
【００３２】
(4)芳香族テトラカルボン酸類化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して一方の芳香族ジアミン化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、芳香族テトラカルボン酸類化合物を添加し、続いてもう一方の芳香族ジアミン化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
【００３３】
(5)溶媒中で一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させてポリアミド酸溶液（Ａ）を調整し、別の溶媒中でもう一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させポリアミド酸溶液（Ｂ）を調整する。こうして得られた各ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混合し、重合を完結する方法。この時ポリアミド酸溶液（Ａ）を調整するに際し芳香族ジアミン成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族テトラカルボン酸成分を過剰に、またポリアミド酸溶液（Ａ）で芳香族テトラカルボン酸成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族ジアミン成分を過剰にし、ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混ぜ合わせこれら反応に使用される全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう調整する。
【００３４】
なお、重合方法はこれらに限定されることはなく、その他公知の方法を用いてもよい。
【００３５】
こうして得られるポリアミック酸溶液は、固形分を５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％を含有しており、またその粘度はブルックフィールド粘度計による測定値で１０〜２０００Ｐａ・ｓ、好ましくは、１００〜１０００Ｐａ・ｓのものが、安定した送液のために好ましく使用される。また、有機溶媒溶液中のポリアミック酸は部分的にイミド化されていてもよい。
【００３６】
次に、本発明のポリイミドフィルムの製造方法について説明する。
【００３７】
ポリイミドフィルムを製膜する方法としては、ポリアミック酸溶液をフィルム状にキャストし熱的に脱環化脱溶媒させてポリイミドフィルムを得る方法、およびポリアミック酸溶液に環化触媒及び脱水剤を混合し化学的に脱環化させてゲルフィルムを作成しこれを加熱脱溶媒することによりポリイミドフィルムを得る方法が挙げられるが、後者の方が得られるポリイミドフィルムの線膨張係数を低く抑えることができるので好ましい。
【００３８】
本発明においては、走行性（易滑性）を良好なものにする為に、特定な無機粒子を添加することが必須である。
【００３９】
すなわち、かかる無機粒子は、粉体粒子径が０．０１〜１．５μｍの範囲内にあること、かつ、平均粒子径が０．０５〜０．７μｍの範囲、より好ましくは０．１〜０．６μｍの範囲、さらにより好ましくは０．３〜０．５μｍの範囲にある場合、該ポリイミドフィルムの自動光学検査システムでの検査が問題なく適応することができる。またフィルムの機械物性等の低下を発生させずに使用可能である。逆にこれらの範囲より平均粒子径が下回ると、フィルムへの充分な易滑性が得られなくなる傾向があり、また、これらの範囲より平均粒子径が上回ると、自動検査システムで該粒子が異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４０】
かかる特定な無機粒子は、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の範囲で分散・含有させることが必須であり、好ましくは０．３〜０．８重量％の範囲で分散・含有させることがより好ましい。かかる無機粒子の含有量が０．１重量％以下であると、フィルム表面の突起数も不足するために、フィルムへの充分な易滑性が得られず、搬送性が悪化し、ロールに巻いた時のフィルム巻姿も悪化するので好ましくない。また無機粒子の含有量が０．９重量％を越えると、フィルムの易滑性は良化するものの、粒子の異常凝集による粗大突起が増加し、これが結果的に自動検査システムで異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４１】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいて、かかる無機粒子の粒度分布においては狭狭い分布であること、つまり粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占めることが必須である。この粒度分布の範囲を下回り、０．１５μｍ以下の粒子の占める割合が高くなると、フィルムの易滑性が低下し好ましくない。また無機粒子送液の際には５μｍカットフィルターや１０μｍカットフィルターにより粗粒を除去することが可能であるが、０．６０μｍ以上の粒子の占める割合が高くなると、フィルターの目詰まりを頻発させてしまい工程安定性を損ねること、ならびに粒子の粗大凝集が生じやすくなるので好ましくない。
【００４２】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいて、無機粒子に起因したフィルム表面突起においては、大きさ２０μｍ以上の突起数が１個／４０ｃｍ角以下であることが好ましい。また高さ２μｍ以上の突起数が５個／４０ｃｍ角以下であること、より好ましくは３個／４０ｃｍ角以下、さらにより好ましくは１個／４０ｃｍ角以下であることである。これよりも多いと配線間にフィラーが跨って導電不通を引き起こすこと、またフォトレジストマスクの膜厚を突き破る等の不具合を引き起こしやすくなること、また自動検査システムで該粒子が異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４３】
かかる無機粒子による表面突起により、フィルム表面積も拡大し、充分に粗面化されアンカー効果が見られ接着性も損なうこともなくなる。
【００４４】
このような無機粒子を、ポリイミドの製造に使用される有機溶媒と同じ極性溶媒に分散させたスラリーをポリイミド製造工程中のポリアミド酸溶液に添加して後、脱環化脱溶媒させてポリイミドフィルムを得ることが好ましいが、ポリアミド酸重合前の有機溶媒中に無機粒子スラリーを添加した後、ポリアミド酸重合、脱環化脱溶媒を経てポリイミドフィルムを得ることなど、脱環化脱溶媒前の工程であればいかなる工程において無機粒子スラリーを添加することが可能である。無機粒子の具体例としては、ＳｉＯ２（シリカ）、ＴｉＯ２、ＣａＨＰＯ４、Ｃａ２Ｐ２Ｏ７等を好適に挙げることができる。中でもゾル・ゲル法の湿式粉砕法で製造したシリカが、ワニス状ポリアミド酸溶液中で安定し、かつ物理的に安定し、ポリイミドの諸物性に影響を与えないので好ましい。
【００４５】
さらに、微細シリカ粉は、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、ｎーメチルピロリドン等の極性溶媒に均一に極性溶媒に分散させたシリカスラリーとして使用することで凝集を防止するため好ましい。このスラリーは、粒子径が非常に小さいため沈降速度が遅く安定している。また、たとえ沈降しても再攪拌する事で容易に再分散可能である。
【００４６】
また、本発明のポリイミドフィルムの厚みについては特に限定されないが、好ましくは１〜２２５μｍ、より好ましくは５〜１７５μｍである。ポリイミドフィルムの厚みが厚すぎると、ロール状にした際に巻きずれが発生しやすくなり、薄すぎるとしわなどが入りやすくなる。
【００４７】
上記のようなポリイミドフィルムの片面あるいは両面に、接着剤を介して、あるいは接着剤を介さないで、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成して、本発明のチップオンフィルムを形成する。
【００４８】
ここで用いる接着剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂からなるものが好ましく使用される。これらの中で、特にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が好ましく使用される。これらの接着剤には、柔軟性を持たせる目的で各種ゴム、可塑剤、硬化剤、リン系等の難燃剤、その他の各種添加物が付与されていてもよい。また、ポリイミド樹脂は主として熱可塑性ポリイミドが用いられることが多いが、熱硬化性ポリイミドでもよい。ポリイミド樹脂の場合、通常は溶媒不要な場合が多いが、適当な有機溶媒に可溶なポリイミドを用いてもよい。
【００４９】
本発明のチップオンフィルムを構成する配線の形成方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等が挙げられる。
【００５０】
まず、セミアディティブ法とは、まずポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤を介してシード層となる金属層を形成し、このシード層の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとしてシード層上に無電解鍍金或いは電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去し、最後に配線以外の部分のシード層をエッチング除去する方法を意味する。ここで、シード層金属としては、ニッケル、クロム、アルミニウム、鉛、銅、錫、亜鉛、鉄、銀、金等が単独或いは合金として使用される。また、フォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金或いは電解鍍金の金属としては鉛、銅、ニッケル、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられ、エッチング液としては、シード層の金属に合わせたエッチング液が用いられる。
【００５１】
フルアディティブ法とは、ポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとして無電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去する方法を意味する。ここでフォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金の金属としては銅、ニッケル、鉛、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられる。
【００５２】
上記のような各種配線形成の方法に用いられる金属としては、主として銅が好ましい。
【００５３】
形成された配線は、電気・電子回路として用いられるが、銅よりも抵抗の高い金属では、電気伝導性が悪なるので好ましくない。また、銅に比べて密度が疎になる金属では、やはり電気伝導性が悪くなるので好ましくない。但し、銅は錆びやすく腐食されやすい欠点も有しているので、銅を保護する目的で、錫や鉛、アルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属を銅の上に形成することは任意である。また、銅はポリイミドフィルム中に拡散しやすいため、銅の拡散を防ぐ目的で、ニッケルやクロム、銀、金、錫等をポリイミドフィルムと銅との間にバリア層としてかませることも任意である。
【００５４】
かくして構成される本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に無機微細粒子を添加し、表面突起を発生させことにより易滑性を有し、並びにチップオンフィルム（ＣＯＦ）の自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なポリイミドフィルムを使用していることから折り曲げ性に極めて優れており、微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例にて本発明をさらに具体的に説明する。
【００５６】
なお、実施例で用いるポリイミドフィルムは合成例１〜６の方法により製膜したものを用いるが、これらに限定されない。また、比較例で用いるポリイミドフィルムは合成例７〜１２により製膜したものを用いる。更に、実施例で用いる接着剤としては合成例１３により調合したものを用いるが、これらに限定されない。
【００５７】
また、合成例で得られたポリイミドフィルムの各特性は次の方法で評価した。
【００５８】
（１）フィルム厚
Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製ライトマチック（Series318 ）厚み計を使用して次のようにして測定した。すなわち、フィルム全面から任意に１５箇所を選び、この１５箇所にについて厚みを測定し、その平均を算出し、厚みとした。
【００５９】
（２）線膨張係数
島津製作所製ＴＭＡ−５０熱機械分析装置を使用し、測定温度範囲：５０〜２００℃、昇温速度：１０℃／分の条件で測定した。荷重を０．２５Ｎとし、まず３５℃から１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。３００℃にて５分間保持し、その後１０℃／分で降温して３５℃まで温度を下げ、３５℃で３０分間保持し、しかる後に１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。２度目の３５℃から３００℃までの昇温の時のデータを読み、５０〜２００℃の部分の平均から線膨張係数を算出した。
【００６０】
（３）弾性率
エー・アンド・デイ製ＲＴＭ−２５０テンシロン万能試験機を使用し、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で測定した。ロードセル１０Ｋｇｆ、測定精度±０．５％フルスケールとし、応力−歪み曲線を測定し、応力−歪み曲線の立ち上がり部分の直線の傾き（２Ｎから１５Ｎの２点間の最小２乗法により算出）、初期試料長さ、試料幅、試料厚さから以下のように算出した。
弾性率＝（直線部分の傾き×初期試料長さ）／（試料幅×試料厚さ）
【００６１】
（４）湿度膨張係数
２５℃にてＵＬＶＡＣ製ＴＭ７０００炉内にフィルムを取り付け、炉内にドライ空気を送り込んで２時間乾燥させた後、ＨＣ−１型水蒸気発生装置からの給気によりＴＭ７０００炉内を９０％ＲＨに加湿させ、その間の寸法変化から湿度膨張係数を求めた。加湿時間は７時間とした。３ＲＨ％から９０ＲＨ％までのデータを読み、３〜９０ＲＨ％の部分の平均から湿度膨張係数を算出した。
【００６２】
（５）吸水率
９８％ＲＨ雰囲気下のデシケーター内に２日間静置し、乾燥時重量に対しての増加重量％で評価した。具体的には６ｃｍ径の円形にフィルムを切り取り、２００℃１時間熱処理した後の重量（Ｗ０）を乾燥時の重量として測定し、その後９８％ＲＨ雰囲気下のデシケーター内に２日間静置させて吸水させたフィルムの重量（Ｗ１）を測定し、下記計算式により吸水率を求めた。
吸水率 ＝ （Ｗ１−Ｗ０）／ＷＯ×１００
【００６３】
（６）加熱収縮率
２０ｃｍ×２０ｃｍのフィルムを用意し、２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後のフィルム寸法（Ｌ１）を測定し、続いて２００℃６０分間加熱した後再び２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後フィルム寸法（Ｌ２）を測定し、下記式計算により評価した。
加熱収縮率 ＝ −（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００
【００６４】
（７）摩擦係数（静摩擦係数）
フィルム同士を重ね合わせ、ＪＩＳ Ｋ−７１２５（１９９９）に基づき測定した。すなわち、スベリ係数測定装置Ｓｌｉｐ Ｔｅｓｔｅｒ（株式会社テクノニーズ製）を使用し、フィルム同士を重ね合わせて、その上に２００ｇのおもりを載せ、フィルムの一方を固定、もう一方を１００ｍｍ／分で引っ張り、摩擦係数を測定した。
【００６５】
（８）自動光学検査（ＡＯＩ）
オルボテック社製のＳＫ−７５を使用してベースフィルムを検査した。異物と微粒子の区別の付く場合を「○」評価、一方異物と微粒子の大きさが類似していて、両者の区別が付かない場合を「×」評価とした。
【００６６】
（９）無機粒子の評価
堀場製作所のレーザー回析／散乱式粒度分布測定装置ＬＡ−９１０を用い、極性溶媒に分散させた試料を測定、解析した結果から粒子径範囲、平均粒子径、粒子径０．１５〜０．６０μｍの全粒子中に対する占有率を読み取った。
【００６７】
（１０）異常突起数
フィルム４０ｃｍ角面積当たりにおいて、大きさ２０μｍ以上の突起数、高さ２μｍ以上の突起数をそれぞれカウントした。大きさ測定、高さ測定はそれぞれ、レーザーテック（株）製走査型レーザー顕微鏡「１ＬＭ１５Ｗ」にて、ニコン製１００倍レンズ（ＣＦ Ｐｌａｎ １００×／０．９５ ∞／０ ＥＰＩ）を用いて、「ＳＵＲＦＡＣＥ１」モードにてフィルム表面を撮影・解析することにより確認した。
【００６８】
（合成例１）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／４５／５５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４０μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８８．０体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００６９】
（合成例２）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／４５／５５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７０】
（合成例３）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５／２／３の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３７μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８７．１体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．５０重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７１】
（合成例４）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５／２／３の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４４μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８７．７体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４２重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７２】
（合成例５）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で２／１／１の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３３μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．９体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４０重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７３】
（合成例６）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／５５／４５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４３μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．５体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７４】
（合成例７）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７５】
（合成例８）
合成例２において、シリカを添加しないこと以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７６】
（合成例９）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．１μｍ以上４．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が１．１μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中２７．３体積％のリン酸水素カルシウムに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．２重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７７】
（合成例１０）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．０８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中３１．４体積％のシリカに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７８】
（合成例１１）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中７２．６体積％のシリカに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７９】
（合成例１２）
３，３’，４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（分子量２９４．２２）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００８０】
（合成例１３）
油化シェル（株）製エポキシ樹脂「エピコート」８３４を５０重量部、東都化成（株）リン含有エポキシ樹脂ＦＸ２７９ＢＥＫ７５を１００重量部、住友化学（株）製硬化剤４，４’−ＤＤＳを６重量部、ＪＳＲ（株）ＮＢＲ（ＰＮＲ−１Ｈ）１００重量部、昭和電工（株）製水酸化アルミニウム３０重量部をメチルイソブチルケトン６００重量部に３０℃で攪拌、混合し、接着剤溶液を得た。
【００８１】
（実施例１）
合成例１で製膜したポリイミドフィルムを用い、真空槽を到達圧力１×１０−３Ｐａにした後、アルゴンガス圧１×１０−１ＰａにてＤＣマグネトロンスパッタによりニッケル／クロム＝９５／５（重量比）のニクロム合金を厚さ５ｎｍになるように片面にスパッタリングし、更に銅を厚さ５０ｎｍになるようにスパッタリングした。次に、硫酸銅浴による電解鍍金で６μｍの厚さの銅層を、２Ａ／ｄｍ２ の電流密度の条件により積層し、片面フレキシブル銅張板を作製した。なお、硫酸銅浴の組成は、硫酸銅五水和物８０ｇ／リットル、硫酸２００ｇ／リットル、塩酸５０ｍｇ／リットルに適宜量の添加剤を加えた溶液を用いた。
【００８２】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚５μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００８３】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用い折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表３に示す。
【００８４】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００８５】
寸法結果を表３に示す。
【００８６】
また、得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分の静摩擦係数、ＡＯＩ、異常突起数を測定した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８７】
（実施例２）
合成例２で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８８】
（実施例３）
合成例３で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８９】
（実施例４）
合成例４で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９０】
（実施例５）
合成例５で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９１】
（実施例６）
合成例６で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９２】
（実施例７）
合成例２で製膜したポリイミドフィルムを用い、この片面に合成例１３の接着剤を塗布し、１５０℃×５分間加熱乾燥し、乾燥膜厚１０μｍの接着剤層を形成した。この片面接着剤付きポリイミドフィルムと１／２オンス銅箔（日鉱グールド・フォイル（株）製、ＪＴＣ箔）とを、熱ロールラミネート機を用いてラミネート温度１６０℃、ラミネート圧力１９６Ｎ／ｃｍ（２０ｋｇｆ／ｃｍ）、ラミネート速度１．５ｍ／分の条件で熱ラミネートを行い、片面銅張板を作製した。
【００９３】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚１０μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００９４】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用い折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表３に示す。
【００９５】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００９６】
寸法結果を表３に示す。
【００９７】
また、得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分の静摩擦係数、ＡＯＩ、異常突起数を測定した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９８】
（比較例１）
合成例７で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、熱膨張係数が高いため３００℃半田浴処理後の寸法変化率が大きく、回路の寸法精度が著しく悪化するので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【００９９】
（比較例２）
合成例８で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、静摩擦係数が高く滑り性が悪いためチップオンフィルムを搬送する上で不具合を生じさせるので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１００】
（比較例３）
合成例９で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、ＡＯＩ検査では異常突起が異物と誤検知されてしまうので異物検査を充分に行うことができず、また発生した異常突起が回路のライン／スペース間を跨いで存在してしまい、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０１】
（比較例４）
合成例１０で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、静摩擦係数が高く滑り性が悪いためチップオンフィルムを搬送する上で不具合を生じさせるので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０２】
（比較例５）
合成例１１で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。この例では、０．９〜１．３μｍの粒子径の占有率が全体の２２．０体積％を占めていたため、これが原因で異常突起数が多くなった。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、ＡＯＩ検査では異常突起が異物と誤検知されてしまうので異物検査を充分に行うことができず、また発生した異常突起が回路のライン／スペース間を跨いで存在してしまい、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０３】
（比較例６）
合成例１２で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。フィルム弾性率が高いため、インナーリード先端部の捲れがリード全体の４０％で発生し、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【表２】
【０１０６】
【表３】
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と、折り曲げ性に極めて優れており、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能で、さらに微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】（Ａ）は本発明のチップオンフィルムの構造の一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１・・・ポリイミドフィルム
２・・・配線（インナーリード）
３・・・ＩＣチップ搭載部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板としてＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープがある。このＴＡＢテープにおいては、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分に予め貫通した開口部が開けられて、配線パターンが片持ち梁状に突き出した状態で配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されるようになっている。
【０００３】
このＴＡＢテープに使用される絶縁テープとしては、ポリイミドフィルムが使用されており、とりわけ高い寸法精度を必要とすることから、低熱膨張性を有するポリイミドフィルムが使用されたＴＡＢテープ（例えば、特許文献１および２参照）が知られていた。
【０００４】
これに対して、ＴＡＢテープと同様に、フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されて形成された基板として、絶縁テープにおける半導体素子が搭載される部分へは貫通した開口部を設けず、絶縁テープ表面上に設けられた配線パターンの先端部分と半導体素子が接合されたチップオンフィルムが知られるようになった。このチップオンフィルムには、その使用目的から自由に折り曲げることが可能な絶縁テープが必要であるが、上記した低熱膨張性を有するポリイミドフィルムは高寸法安定ではあるものの、弾性率が高すぎるために、折り曲げる使用目的には適することができなかった。
【０００５】
更に、ポリイミドフィルムの重要な実用特性としてフィルムの滑り性（易滑性）が挙げられる。すなわち、様々なフィルム加工工程において、フィルム支持体（たとえばロール）とフィルムの易滑性、またフィルム同士の易滑性が確保されることにより、各工程における操作性、取り扱い性を向上させ、更にはフィルム上にシワ等の不良個所の発生を回避することができる効果を奏する。従来のポリイミドフィルムにおける易滑化技術としては、不活性無機化合物（例えばアルカリ土類金属のオルトリン酸塩、第２リン酸カルシウム無水物、ピロリン酸カルシウム、シリカ、タルク等）をポリアミック酸に添加する方法（特許文献３参照）、微細粒子によってフィルム表面に微細な突起を形成後、プラズマ処理を施す方法（特許文献４参照）が知られている。しかしこれらに示される粒子は粒子径が大きく、自動光学検査システムには適応しないという問題がある。またポリイミド表層に平均粒子径が０．０１〜１００μｍである無機質粒子が各粒子の一部をそれぞれ埋設させて保持されていて一部露出した前記無機質粒子からなる多数の突起を該フィルムの表面層に１×１０〜５×１０８個／ｍｍ２存在させる方法（特許文献５参照）が知られている。この方法は、積極的に表面に突起を露出させ、フィルム表面の摩擦係数を低減させることにより、易滑性効果を効果的に得るものであるが、無機質粒子が一部露出しているためフィルム表面へのすり傷が発生し外観不良をきたすといった問題を抱えていたものであった。
【特許文献１】特開平５−１４８４５８号公報
【特許文献２】特開平１０−７０１５７号公報
【特許文献３】特開昭６２−６８８５２号公報
【特許文献４】特開２０００−１９１８１０号公報
【特許文献５】特開平５−２５２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した従来技術における問題点の解決を課題として検討した結果達成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明の目的は、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、かかる課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。
【０００９】
すなわち、本発明のチップオンフィルムは、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものであり、かつ、前記配線が、接着剤を介するかもしくは接着剤を介することなく、該ポリイミドフィルムの少なくとも片面に形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
なお、本発明のチップオンフィルムにおいては、
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３０〜６０モル％の３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４０〜７０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであること、
前記ポリイミドフィルムが、弾性率が３〜８ＧＰａで、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃で、湿度膨張係数が２５ｐｐｍ／％ＲＨ以下で、吸水率が３．５％以下で、かつ、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の突起数が、１個／４０ｃｍ角以下であること、
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の突起数が５個／４０ｃｍ角以下であること、
前記配線が、主として銅からなるものであること、
前記配線が、金属層をエッチングすることにより形成されたものであること、
前記配線が、鍍金により形成されたものであること、
前記接着剤が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種からなるものであること、
が、いずれも好ましい条件として挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有し、かつ、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、前記課題、つまり高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有する自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なチップオンフィルムについて、鋭意検討し、ポリイミド構成成分を特定な「ジアミン成分」で構成してなる特定なポリイミドフィルムに特定な無機微細粒子を特定量分散・含有させてみたところ、特定な表面突起を発生させることができ、かかる課題を一挙に解決することを究明したものである。
【００１３】
以下に、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
図１（Ａ）は、本発明のチップオンフィルムの構造の一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
図１に示したように、本発明のチップオンフィルムは、基材としてポリイミドフィルム１を用い、このポリイミドフィルム１にＩＣチップが搭載可能なようにチップ搭載部３を設けるとともに、ポリイミドフィルム１の片面または両面に配線（例えばインナーリード）２を形成したものである。
【００１５】
ここで、配線２の表面にＡｕ、Ｓｎ等のメッキをした後、複数のＡｕ、Ｓｎ等の金属バンプが設けられたＩＣチップとを接合する。この時、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを３００〜５００℃程度の固相接合及び共晶接合温度に加熱し、ボンディングツールを用い適性総荷重を一括で加えて、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを加熱加圧接合する。これにより固相接合及び共晶接合を行い、配線２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプを電気的に接続でき、チップオンフィルムを得ることができるのである。
【００１６】
本発明のチップオンフィルムにおいて、基材として用いるポリイミドフィルムは、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを使用する。この組み合わせにより、パラフェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを使用することなく、寸法安定性の高いポリイミドフィルムを得ることができる。すなわち剛直なジアミンを使用しないので、柔軟性と寸法安定性を兼ね揃えることができ、製膜性にも安定したポリイミドフィルムを得ることができる。酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物とから主としてなる特定なポリイミドフィルムである。すなわち、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４、４’−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物の３種類を必須成分とし、これら３種類のみ、あるいはこれら３種類に加えて少量の別成分を加えることにより得られる特定なポリイミドからなるポリイミドフィルムである。
【００１７】
すなわち、本発明のチップオンフィルムを構成するポリイミドのジアミン成分において、３，４’−ジアミノジフェニルエーテルが多すぎると硬くなり、少なすぎると柔らかすぎるので、３０〜６０モル％が好ましく、更に好ましくは３５〜５５モル％、より好ましくは４０〜５０モル％である。また、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルが多すぎると柔らかくなり、少なすぎると硬くなるので、４０〜７０モル％が好ましく、更に好ましくは４５〜６５モル％、より好ましくは５０〜６０モル％である。
【００１８】
かかるポリイミドで構成されたポリイミドフィルムの中でも、以下の特性を満足するものが、さらに好ましく使用される。
【００１９】
すなわち、ポリイミドフィルムの硬さの指標である弾性率が、３〜６ＧＰａの範囲にあるものが好ましく、６ＧＰａを超えると硬すぎ、３ＧＰａより小さいと柔らかすぎる。
【００２０】
また、本発明のポリイミドフィルムは、線膨張係数は５〜２０ｐｐｍ／℃が好ましく、２０ｐｐｍ／℃を超えると熱による寸法変化が大き過ぎ、５ｐｐｍ／℃より小さくなると、配線に使用される金属との線膨張係数との差が大きくなるため反りが生じてしまう。
【００２１】
また、本発明のポリイミドフィルムは、湿度膨張係数が２５ｐｐｍ／％ＲＨを超えると湿度による寸法変化が大き過ぎるので、湿度膨張係数は２５ｐｐｍ／％ＲＨ以下であるものが好ましい。
【００２２】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいては、吸水率が３％を超えると、吸い込んだ水の影響でフィルムの寸法変化が大きくなるので、吸水率は３％以下であるものが好ましい。
【００２３】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいては、２００℃１時間の加熱収縮率が０．１０％を超えると、やはり熱による寸法変化が大きくなるので、加熱収縮率は０．１０％以下であるものが好ましい。
【００２４】
本発明におけるポリイミドフィルムには、上述の通り、３，４’−ジアミノジフェニルエーテルや４，４’―ジアミノジフェニルエーテル以外に少量のジアミンを添加してもよい。また、ピロメリット酸二無水物以外に少量の酸二無水物を添加してもよい。具体的なジアミン及び酸二無水物としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２５】
（１）酸二無水物
３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３'，３，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンジカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−デカヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，５，６−ヘキサヒドロナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロ−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，８，９，１０−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等。
【００２６】
（２）ジアミン
３，３'−ジアミノジフェニルエーテル、メタフェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、３，４'−ジアミノジフェニルプロパン、３，３'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジアミノジフェニルメタン、ベンチジン、４，４'−ジアミノジフェニルサルファイド、３，４'−ジアミノジフェニルサルファイド、３，３'−ジアミノジフェニルサルファイド、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，６−ジアミノピリジン、ビス−（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、３，３'−ジクロロベンチジン、ビス−（４−アミノフェニル）エチルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）フェニルホスフィノキサイド、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、ビス−（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、１，５−ジアミノナフタレン、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、３，４'−ジメチル−３'，４−ジアミノビフェニル３，３'−ジメトキシベンチジン、２，４−ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル）ベンゼン、ｐ−ビス−（１，１−ジメチル−５−アミノペンチル）ベンゼン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、１，３−ジアミノアダマンタン、３，３'−ジアミノ−１，１'−ジアミノアダマンタン、３，３'−ジアミノメチル１，１'−ジアダマンタン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４'−ジメチルヘプタメチレンジアミン、２，１１−ジアミノドデカン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、３−メトキシヘキサエチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，１２−ジアミノオクタデカン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾール、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、Ｎ−（３−アミノフェニル）−４−アミノベンズアミド、４−アミノフェニル−３−アミノベンゾエート等。
【００２７】
また、本発明において、ポリイミドフィルムの前駆体であるポリアミック酸溶液の形成に使用される有機溶媒の具体例としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を挙げることができ、これらを単独又は混合物として用いるのが望ましいが、さらにはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の使用も可能である。
【００２８】
かかるポリイミドの重合方法は公知の下記(1)〜(5)のいずれの方法を採用することができる。
【００２９】
(1)先に芳香族ジアミン成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族テトラカルボン酸類成分を芳香族ジアミン成分全量と当量になるよう加えて重合する方法。
【００３０】
(2)先に芳香族テトラカルボン酸類成分全量を溶媒中に入れ、その後芳香族ジアミン成分を芳香族テトラカルボン酸類成分と等量になるよう加えて重合する方法。
【００３１】
(3)一方の芳香族ジアミン化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して芳香族テトラカルボン酸類化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、もう一方の芳香族ジアミン化合物を添加し、続いて芳香族テトラカルボン酸類化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
【００３２】
(4)芳香族テトラカルボン酸類化合物を溶媒中に入れた後、反応成分に対して一方の芳香族ジアミン化合物が９５〜１０５モル％となる比率で反応に必要な時間混合した後、芳香族テトラカルボン酸類化合物を添加し、続いてもう一方の芳香族ジアミン化合物を全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう添加して重合する方法。
【００３３】
(5)溶媒中で一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させてポリアミド酸溶液（Ａ）を調整し、別の溶媒中でもう一方の芳香族ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸類をどちらかが過剰になるよう反応させポリアミド酸溶液（Ｂ）を調整する。こうして得られた各ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混合し、重合を完結する方法。この時ポリアミド酸溶液（Ａ）を調整するに際し芳香族ジアミン成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族テトラカルボン酸成分を過剰に、またポリアミド酸溶液（Ａ）で芳香族テトラカルボン酸成分が過剰の場合、ポリアミド酸溶液（Ｂ）では芳香族ジアミン成分を過剰にし、ポリアミド酸溶液（Ａ）と（Ｂ）を混ぜ合わせこれら反応に使用される全芳香族ジアミン成分と全芳香族テトラカルボン酸類成分とがほぼ等量になるよう調整する。
【００３４】
なお、重合方法はこれらに限定されることはなく、その他公知の方法を用いてもよい。
【００３５】
こうして得られるポリアミック酸溶液は、固形分を５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％を含有しており、またその粘度はブルックフィールド粘度計による測定値で１０〜２０００Ｐａ・ｓ、好ましくは、１００〜１０００Ｐａ・ｓのものが、安定した送液のために好ましく使用される。また、有機溶媒溶液中のポリアミック酸は部分的にイミド化されていてもよい。
【００３６】
次に、本発明のポリイミドフィルムの製造方法について説明する。
【００３７】
ポリイミドフィルムを製膜する方法としては、ポリアミック酸溶液をフィルム状にキャストし熱的に脱環化脱溶媒させてポリイミドフィルムを得る方法、およびポリアミック酸溶液に環化触媒及び脱水剤を混合し化学的に脱環化させてゲルフィルムを作成しこれを加熱脱溶媒することによりポリイミドフィルムを得る方法が挙げられるが、後者の方が得られるポリイミドフィルムの線膨張係数を低く抑えることができるので好ましい。
【００３８】
本発明においては、走行性（易滑性）を良好なものにする為に、特定な無機粒子を添加することが必須である。
【００３９】
すなわち、かかる無機粒子は、粉体粒子径が０．０１〜１．５μｍの範囲内にあること、かつ、平均粒子径が０．０５〜０．７μｍの範囲、より好ましくは０．１〜０．６μｍの範囲、さらにより好ましくは０．３〜０．５μｍの範囲にある場合、該ポリイミドフィルムの自動光学検査システムでの検査が問題なく適応することができる。またフィルムの機械物性等の低下を発生させずに使用可能である。逆にこれらの範囲より平均粒子径が下回ると、フィルムへの充分な易滑性が得られなくなる傾向があり、また、これらの範囲より平均粒子径が上回ると、自動検査システムで該粒子が異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４０】
かかる特定な無機粒子は、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の範囲で分散・含有させることが必須であり、好ましくは０．３〜０．８重量％の範囲で分散・含有させることがより好ましい。かかる無機粒子の含有量が０．１重量％以下であると、フィルム表面の突起数も不足するために、フィルムへの充分な易滑性が得られず、搬送性が悪化し、ロールに巻いた時のフィルム巻姿も悪化するので好ましくない。また無機粒子の含有量が０．９重量％を越えると、フィルムの易滑性は良化するものの、粒子の異常凝集による粗大突起が増加し、これが結果的に自動検査システムで異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４１】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいて、かかる無機粒子の粒度分布においては狭狭い分布であること、つまり粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占めることが必須である。この粒度分布の範囲を下回り、０．１５μｍ以下の粒子の占める割合が高くなると、フィルムの易滑性が低下し好ましくない。また無機粒子送液の際には５μｍカットフィルターや１０μｍカットフィルターにより粗粒を除去することが可能であるが、０．６０μｍ以上の粒子の占める割合が高くなると、フィルターの目詰まりを頻発させてしまい工程安定性を損ねること、ならびに粒子の粗大凝集が生じやすくなるので好ましくない。
【００４２】
また、本発明のポリイミドフィルムにおいて、無機粒子に起因したフィルム表面突起においては、大きさ２０μｍ以上の突起数が１個／４０ｃｍ角以下であることが好ましい。また高さ２μｍ以上の突起数が５個／４０ｃｍ角以下であること、より好ましくは３個／４０ｃｍ角以下、さらにより好ましくは１個／４０ｃｍ角以下であることである。これよりも多いと配線間にフィラーが跨って導電不通を引き起こすこと、またフォトレジストマスクの膜厚を突き破る等の不具合を引き起こしやすくなること、また自動検査システムで該粒子が異物と誤検知され障害を来すので好ましくない。
【００４３】
かかる無機粒子による表面突起により、フィルム表面積も拡大し、充分に粗面化されアンカー効果が見られ接着性も損なうこともなくなる。
【００４４】
このような無機粒子を、ポリイミドの製造に使用される有機溶媒と同じ極性溶媒に分散させたスラリーをポリイミド製造工程中のポリアミド酸溶液に添加して後、脱環化脱溶媒させてポリイミドフィルムを得ることが好ましいが、ポリアミド酸重合前の有機溶媒中に無機粒子スラリーを添加した後、ポリアミド酸重合、脱環化脱溶媒を経てポリイミドフィルムを得ることなど、脱環化脱溶媒前の工程であればいかなる工程において無機粒子スラリーを添加することが可能である。無機粒子の具体例としては、ＳｉＯ２（シリカ）、ＴｉＯ２、ＣａＨＰＯ４、Ｃａ２Ｐ２Ｏ７等を好適に挙げることができる。中でもゾル・ゲル法の湿式粉砕法で製造したシリカが、ワニス状ポリアミド酸溶液中で安定し、かつ物理的に安定し、ポリイミドの諸物性に影響を与えないので好ましい。
【００４５】
さらに、微細シリカ粉は、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、ｎーメチルピロリドン等の極性溶媒に均一に極性溶媒に分散させたシリカスラリーとして使用することで凝集を防止するため好ましい。このスラリーは、粒子径が非常に小さいため沈降速度が遅く安定している。また、たとえ沈降しても再攪拌する事で容易に再分散可能である。
【００４６】
また、本発明のポリイミドフィルムの厚みについては特に限定されないが、好ましくは１〜２２５μｍ、より好ましくは５〜１７５μｍである。ポリイミドフィルムの厚みが厚すぎると、ロール状にした際に巻きずれが発生しやすくなり、薄すぎるとしわなどが入りやすくなる。
【００４７】
上記のようなポリイミドフィルムの片面あるいは両面に、接着剤を介して、あるいは接着剤を介さないで、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成して、本発明のチップオンフィルムを形成する。
【００４８】
ここで用いる接着剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂からなるものが好ましく使用される。これらの中で、特にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が好ましく使用される。これらの接着剤には、柔軟性を持たせる目的で各種ゴム、可塑剤、硬化剤、リン系等の難燃剤、その他の各種添加物が付与されていてもよい。また、ポリイミド樹脂は主として熱可塑性ポリイミドが用いられることが多いが、熱硬化性ポリイミドでもよい。ポリイミド樹脂の場合、通常は溶媒不要な場合が多いが、適当な有機溶媒に可溶なポリイミドを用いてもよい。
【００４９】
本発明のチップオンフィルムを構成する配線の形成方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等が挙げられる。
【００５０】
まず、セミアディティブ法とは、まずポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤を介してシード層となる金属層を形成し、このシード層の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとしてシード層上に無電解鍍金或いは電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去し、最後に配線以外の部分のシード層をエッチング除去する方法を意味する。ここで、シード層金属としては、ニッケル、クロム、アルミニウム、鉛、銅、錫、亜鉛、鉄、銀、金等が単独或いは合金として使用される。また、フォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金或いは電解鍍金の金属としては鉛、銅、ニッケル、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられ、エッチング液としては、シード層の金属に合わせたエッチング液が用いられる。
【００５１】
フルアディティブ法とは、ポリイミドフィルム上に直接、或いは接着剤の上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を選択露光及び現像処理することで配線状にパターニングし、パターニングしたフォトレジスト層を鍍金マスクとして無電解鍍金にて配線を形成し、その後にフォトレジストを完全に除去する方法を意味する。ここでフォトレジストとしては液状あるいはドライフィルムレジストが用いられ、無電解鍍金の金属としては銅、ニッケル、鉛、クロム、錫、亜鉛、銀、金等が用いられる。
【００５２】
上記のような各種配線形成の方法に用いられる金属としては、主として銅が好ましい。
【００５３】
形成された配線は、電気・電子回路として用いられるが、銅よりも抵抗の高い金属では、電気伝導性が悪なるので好ましくない。また、銅に比べて密度が疎になる金属では、やはり電気伝導性が悪くなるので好ましくない。但し、銅は錆びやすく腐食されやすい欠点も有しているので、銅を保護する目的で、錫や鉛、アルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属を銅の上に形成することは任意である。また、銅はポリイミドフィルム中に拡散しやすいため、銅の拡散を防ぐ目的で、ニッケルやクロム、銀、金、錫等をポリイミドフィルムと銅との間にバリア層としてかませることも任意である。
【００５４】
かくして構成される本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に無機微細粒子を添加し、表面突起を発生させことにより易滑性を有し、並びにチップオンフィルム（ＣＯＦ）の自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能なポリイミドフィルムを使用していることから折り曲げ性に極めて優れており、微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例にて本発明をさらに具体的に説明する。
【００５６】
なお、実施例で用いるポリイミドフィルムは合成例１〜６の方法により製膜したものを用いるが、これらに限定されない。また、比較例で用いるポリイミドフィルムは合成例７〜１２により製膜したものを用いる。更に、実施例で用いる接着剤としては合成例１３により調合したものを用いるが、これらに限定されない。
【００５７】
また、合成例で得られたポリイミドフィルムの各特性は次の方法で評価した。
【００５８】
（１）フィルム厚
Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製ライトマチック（Series318 ）厚み計を使用して次のようにして測定した。すなわち、フィルム全面から任意に１５箇所を選び、この１５箇所にについて厚みを測定し、その平均を算出し、厚みとした。
【００５９】
（２）線膨張係数
島津製作所製ＴＭＡ−５０熱機械分析装置を使用し、測定温度範囲：５０〜２００℃、昇温速度：１０℃／分の条件で測定した。荷重を０．２５Ｎとし、まず３５℃から１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。３００℃にて５分間保持し、その後１０℃／分で降温して３５℃まで温度を下げ、３５℃で３０分間保持し、しかる後に１０℃／分で昇温して３００℃まで温度を上げた。２度目の３５℃から３００℃までの昇温の時のデータを読み、５０〜２００℃の部分の平均から線膨張係数を算出した。
【００６０】
（３）弾性率
エー・アンド・デイ製ＲＴＭ−２５０テンシロン万能試験機を使用し、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で測定した。ロードセル１０Ｋｇｆ、測定精度±０．５％フルスケールとし、応力−歪み曲線を測定し、応力−歪み曲線の立ち上がり部分の直線の傾き（２Ｎから１５Ｎの２点間の最小２乗法により算出）、初期試料長さ、試料幅、試料厚さから以下のように算出した。
弾性率＝（直線部分の傾き×初期試料長さ）／（試料幅×試料厚さ）
【００６１】
（４）湿度膨張係数
２５℃にてＵＬＶＡＣ製ＴＭ７０００炉内にフィルムを取り付け、炉内にドライ空気を送り込んで２時間乾燥させた後、ＨＣ−１型水蒸気発生装置からの給気によりＴＭ７０００炉内を９０％ＲＨに加湿させ、その間の寸法変化から湿度膨張係数を求めた。加湿時間は７時間とした。３ＲＨ％から９０ＲＨ％までのデータを読み、３〜９０ＲＨ％の部分の平均から湿度膨張係数を算出した。
【００６２】
（５）吸水率
９８％ＲＨ雰囲気下のデシケーター内に２日間静置し、乾燥時重量に対しての増加重量％で評価した。具体的には６ｃｍ径の円形にフィルムを切り取り、２００℃１時間熱処理した後の重量（Ｗ０）を乾燥時の重量として測定し、その後９８％ＲＨ雰囲気下のデシケーター内に２日間静置させて吸水させたフィルムの重量（Ｗ１）を測定し、下記計算式により吸水率を求めた。
吸水率 ＝ （Ｗ１−Ｗ０）／ＷＯ×１００
【００６３】
（６）加熱収縮率
２０ｃｍ×２０ｃｍのフィルムを用意し、２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後のフィルム寸法（Ｌ１）を測定し、続いて２００℃６０分間加熱した後再び２５℃、６０％ＲＨに調整された部屋に２日間放置した後フィルム寸法（Ｌ２）を測定し、下記式計算により評価した。
加熱収縮率 ＝ −（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１×１００
【００６４】
（７）摩擦係数（静摩擦係数）
フィルム同士を重ね合わせ、ＪＩＳ Ｋ−７１２５（１９９９）に基づき測定した。すなわち、スベリ係数測定装置Ｓｌｉｐ Ｔｅｓｔｅｒ（株式会社テクノニーズ製）を使用し、フィルム同士を重ね合わせて、その上に２００ｇのおもりを載せ、フィルムの一方を固定、もう一方を１００ｍｍ／分で引っ張り、摩擦係数を測定した。
【００６５】
（８）自動光学検査（ＡＯＩ）
オルボテック社製のＳＫ−７５を使用してベースフィルムを検査した。異物と微粒子の区別の付く場合を「○」評価、一方異物と微粒子の大きさが類似していて、両者の区別が付かない場合を「×」評価とした。
【００６６】
（９）無機粒子の評価
堀場製作所のレーザー回析／散乱式粒度分布測定装置ＬＡ−９１０を用い、極性溶媒に分散させた試料を測定、解析した結果から粒子径範囲、平均粒子径、粒子径０．１５〜０．６０μｍの全粒子中に対する占有率を読み取った。
【００６７】
（１０）異常突起数
フィルム４０ｃｍ角面積当たりにおいて、大きさ２０μｍ以上の突起数、高さ２μｍ以上の突起数をそれぞれカウントした。大きさ測定、高さ測定はそれぞれ、レーザーテック（株）製走査型レーザー顕微鏡「１ＬＭ１５Ｗ」にて、ニコン製１００倍レンズ（ＣＦ Ｐｌａｎ １００×／０．９５ ∞／０ ＥＰＩ）を用いて、「ＳＵＲＦＡＣＥ１」モードにてフィルム表面を撮影・解析することにより確認した。
【００６８】
（合成例１）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／４５／５５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４０μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８８．０体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００６９】
（合成例２）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／４５／５５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７０】
（合成例３）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５／２／３の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３７μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８７．１体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．５０重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．２０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７１】
（合成例４）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５／２／３の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４４μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８７．７体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４２重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７２】
（合成例５）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で２／１／１の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３３μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．９体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４０重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７３】
（合成例６）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で１００／５５／４５の割合で用意し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）中１８．５重量％溶液濃度にして重合し、３０００ポイズのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４３μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．５体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．４５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、得られた混合物を、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表１に示す。
【００７４】
（合成例７）
ピロメリット酸二無水物（分子量２１８．１２）／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（分子量２００．２４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７５】
（合成例８）
合成例２において、シリカを添加しないこと以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７６】
（合成例９）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．１μｍ以上４．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が１．１μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中２７．３体積％のリン酸水素カルシウムに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．２重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７７】
（合成例１０）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．０８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中３１．４体積％のシリカに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７８】
（合成例１１）
合成例２において使用したシリカを、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．４μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中７２．６体積％のシリカに変更し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加すること以外は全て合成例２と同様の方法でポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００７９】
（合成例１２）
３，３’，４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（分子量２９４．２２）／パラフェニレンジアミン（分子量１０８．１４）をモル比で５０／５０の割合で混合し、ＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）１８．５重量％溶液にして重合し、３０００ｐｏｉｓｅのポリアミド酸を得た。無水酢酸（分子量１０２．０９）とイソキノリンからなる転化剤をポリアミド酸溶液に対し５０重量％の割合で混合、攪拌した。この時、ポリアミド酸のアミド酸基に対し、無水酢酸及びイソキノリンがそれぞれ２．０及び０．４モル当量になるように調製した。この混合物に、粒径が０．０１μｍ以上１．５μｍ以下に収まっており、平均粒子径が０．３８μｍ、粒子径が０．１５〜０．６０μｍである粒子が全粒子中８６．３体積％のシリカのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドスラリーを前記ワニス状ポリアミド酸溶液に樹脂重量当たり０．３５重量％添加し、充分攪拌、分散させた後、Ｔ型スリットダイより回転する１００℃のステンレス製ドラム上にキャストし、残揮発成分が５５重量％、厚み約０．３０ｍｍの自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをドラムから引き剥がし、その両端を把持し、加熱炉にて２００℃×３０秒、３５０℃×３０秒、５５０℃×３０秒処理し、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムを得た。物性を表２に示す。
【００８０】
（合成例１３）
油化シェル（株）製エポキシ樹脂「エピコート」８３４を５０重量部、東都化成（株）リン含有エポキシ樹脂ＦＸ２７９ＢＥＫ７５を１００重量部、住友化学（株）製硬化剤４，４’−ＤＤＳを６重量部、ＪＳＲ（株）ＮＢＲ（ＰＮＲ−１Ｈ）１００重量部、昭和電工（株）製水酸化アルミニウム３０重量部をメチルイソブチルケトン６００重量部に３０℃で攪拌、混合し、接着剤溶液を得た。
【００８１】
（実施例１）
合成例１で製膜したポリイミドフィルムを用い、真空槽を到達圧力１×１０−３Ｐａにした後、アルゴンガス圧１×１０−１ＰａにてＤＣマグネトロンスパッタによりニッケル／クロム＝９５／５（重量比）のニクロム合金を厚さ５ｎｍになるように片面にスパッタリングし、更に銅を厚さ５０ｎｍになるようにスパッタリングした。次に、硫酸銅浴による電解鍍金で６μｍの厚さの銅層を、２Ａ／ｄｍ２ の電流密度の条件により積層し、片面フレキシブル銅張板を作製した。なお、硫酸銅浴の組成は、硫酸銅五水和物８０ｇ／リットル、硫酸２００ｇ／リットル、塩酸５０ｍｇ／リットルに適宜量の添加剤を加えた溶液を用いた。
【００８２】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚５μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００８３】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用い折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表３に示す。
【００８４】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００８５】
寸法結果を表３に示す。
【００８６】
また、得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分の静摩擦係数、ＡＯＩ、異常突起数を測定した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８７】
（実施例２）
合成例２で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８８】
（実施例３）
合成例３で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００８９】
（実施例４）
合成例４で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９０】
（実施例５）
合成例５で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９１】
（実施例６）
合成例６で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９２】
（実施例７）
合成例２で製膜したポリイミドフィルムを用い、この片面に合成例１３の接着剤を塗布し、１５０℃×５分間加熱乾燥し、乾燥膜厚１０μｍの接着剤層を形成した。この片面接着剤付きポリイミドフィルムと１／２オンス銅箔（日鉱グールド・フォイル（株）製、ＪＴＣ箔）とを、熱ロールラミネート機を用いてラミネート温度１６０℃、ラミネート圧力１９６Ｎ／ｃｍ（２０ｋｇｆ／ｃｍ）、ラミネート速度１．５ｍ／分の条件で熱ラミネートを行い、片面銅張板を作製した。
【００９３】
得られた銅張板を用い、片面の銅箔の上にクラリアントジャパン（株）製フォトレジストＡＺＰ４６２０を１０５℃１０分間の乾燥後膜厚１０μｍで形成し、ライン幅／スペース幅＝１５μｍ／１５μｍのパターンが配置され、なおかつ図１に示すようなＩＣチップを接合するためのインナーリードが配置されているガラスフォトマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ２（全波長）で露光、ＡＺ４００Ｋ／水＝２５／７５（重量比）の現像液で現像し、フォトレジストをパターニングした。その後、塩化鉄３０重量％水溶液を用い、４０℃９０秒間で銅エッチングを行い、フォトレジストが形成されていない部分の銅を除去した。銅エッチング終了後、水酸化ナトリウム２．５重量％水溶液を用い、４０℃１分間でフォトレジストを剥離した。このようにして、片面にライン／スペース＝１５／１５μｍのチップオンフィルム用の回路パターンを形成した。
【００９４】
このようにして得られたチップオンフィルム用にパターニングされた配線板を用い折り曲げ試験を行った。まず配線板を４８ｍｍ幅×１０ｃｍ長にサンプリングした後、ＭＩＴ試験機（ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に記載の試験機）に試料をセットし、荷重９．８Ｎ、曲率半径０．３８ｍｍ、折り曲げ繰り返し数１０で行った。この際折り曲がり部分にインナーリードがくるようにサンプルの取り付けを調整した。折り曲げ試験後のインナーリードの先端部の捲れの有無を観察した。結果を表３に示す。
【００９５】
また、配線板のＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ３）、次に３００℃の半田浴に２０秒浸漬し、浸漬後に再びＴＤ方向の寸法を測定（Ｌ４）した。半田浴による処理前後の寸法変化率を下記式により求めた。
寸法変化率（％）＝（Ｌ４−Ｌ３）／Ｌ３×１００
【００９６】
寸法結果を表３に示す。
【００９７】
また、得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分の静摩擦係数、ＡＯＩ、異常突起数を測定した。結果を表３に示す。静摩擦係数が低いので搬送性が良く、また異常突起も無くＡＯＩ検査での誤検知もなく検査がスムーズに進み、さらに回路のライン／スペース間を跨いだ突起もなくチップオンフィルムとして充分適用できるものであった。
【００９８】
（比較例１）
合成例７で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、熱膨張係数が高いため３００℃半田浴処理後の寸法変化率が大きく、回路の寸法精度が著しく悪化するので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【００９９】
（比較例２）
合成例８で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、静摩擦係数が高く滑り性が悪いためチップオンフィルムを搬送する上で不具合を生じさせるので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１００】
（比較例３）
合成例９で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、ＡＯＩ検査では異常突起が異物と誤検知されてしまうので異物検査を充分に行うことができず、また発生した異常突起が回路のライン／スペース間を跨いで存在してしまい、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０１】
（比較例４）
合成例１０で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、静摩擦係数が高く滑り性が悪いためチップオンフィルムを搬送する上で不具合を生じさせるので、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０２】
（比較例５）
合成例１１で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。この例では、０．９〜１．３μｍの粒子径の占有率が全体の２２．０体積％を占めていたため、これが原因で異常突起数が多くなった。得られた片面配線板のポリイミドフィルム部分は、ＡＯＩ検査では異常突起が異物と誤検知されてしまうので異物検査を充分に行うことができず、また発生した異常突起が回路のライン／スペース間を跨いで存在してしまい、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０３】
（比較例６）
合成例１２で製膜したポリイミドフィルムを用いた他は、実施例１と同様にしてチップオンフィルム用の回路パターンを形成し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表３に示す。フィルム弾性率が高いため、インナーリード先端部の捲れがリード全体の４０％で発生し、チップオンフィルム用としては適用できないものであった。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【表２】
【０１０６】
【表３】
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明のチップオンフィルムは、高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と、折り曲げ性に極めて優れており、自動光学検査システム（ＡＯＩ）に適応可能で、さらに微細な配線を必要とする各種ＩＣチップ搭載用途に好ましく適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】（Ａ）は本発明のチップオンフィルムの構造の一例を示すＩＣチップ搭載部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す（ａ）−（ｂ）線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１・・・ポリイミドフィルム
２・・・配線（インナーリード）
３・・・ＩＣチップ搭載部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものであり、かつ、前記配線が、接着剤を介するかもしくは接着剤を介することなく、該ポリイミドフィルムの少なくとも片面に形成されていることを特徴とするチップオンフィルム。
【請求項２】
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３０〜６０モル％の３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４０〜７０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム。
【請求項３】
前記ポリイミドフィルムが、弾性率が３〜６ＧＰａで、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃で、湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下で、吸水率が３．５％以下で、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のチップオンフィルム。
【請求項４】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の突起数が、１個／４０ｃｍ角以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項５】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の突起数が、５個／４０ｃｍ角以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項６】
前記配線が、主として銅からなるものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項７】
前記配線が、金属層をエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項８】
前記配線が、鍍金により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項９】
前記接着剤が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種からなるものであることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項１】
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を用いて主として構成されてなるものであり、かつ、該ポリイミドフィルム中に、粒子径０．０１〜１．５μｍで平均粒子径０．０５〜０．７μｍであって、かつ、粒子径０．１５〜０．６０μｍの粒子が全粒子中８０体積％以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり０．１〜０．９重量％の割合で分散・含有されているものであり、かつ、前記配線が、接着剤を介するかもしくは接着剤を介することなく、該ポリイミドフィルムの少なくとも片面に形成されていることを特徴とするチップオンフィルム。
【請求項２】
前記ポリイミドフィルムが、ジアミン成分として３０〜６０モル％の３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４０〜７０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム。
【請求項３】
前記ポリイミドフィルムが、弾性率が３〜６ＧＰａで、５０〜２００℃での線膨張係数が５〜２０ｐｐｍ／℃で、湿度膨張係数が３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下で、吸水率が３．５％以下で、２００℃１時間での加熱収縮率が０．１０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のチップオンフィルム。
【請求項４】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する大きさ２０μｍ以上の突起数が、１個／４０ｃｍ角以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項５】
前記ポリイミドフィルムの表面に存在する高さ２μｍ以上の突起数が、５個／４０ｃｍ角以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項６】
前記配線が、主として銅からなるものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項７】
前記配線が、金属層をエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項８】
前記配線が、鍍金により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【請求項９】
前記接着剤が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種からなるものであることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載のチップオンフィルム。
【図１】
【公開番号】特開２００８−２０８２５５（Ｐ２００８−２０８２５５Ａ）
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４７４２９（Ｐ２００７−４７４２９）
【出願日】平成１９年２月２７日（２００７．２．２７）
【出願人】（０００２１９２６６）東レ・デュポン株式会社 (288)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２７日（２００７．２．２７）
【出願人】（０００２１９２６６）東レ・デュポン株式会社 (288)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]