トリアリールアミン系化合物とその製造方法および有機発光表示素子
【課題】トリアリールアミン系化合物、その製造方法及びそれを利用した有機発光表示素子を提供する。
【解決手段】下記化学式で表示されるトリアリールアミン系化合物。
Ａｒ１〜Ａｒ４は、アリール基、またはヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【解決手段】下記化学式で表示されるトリアリールアミン系化合物。
Ａｒ１〜Ａｒ４は、アリール基、またはヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリアリールアミン系化合物とその製造方法および有機発光表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示素子は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答時間が速いという長所を有するために注目されている。
【０００３】
有機発光表示素子は、一般的にアノード／発光層／カソードの積層構造を有し、前記アノードと発光層との間または発光層とカソードとの間に正孔注入層、正孔輸送層及び電子注入層をさらに積層して、アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード及びアノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／カソードなどの積層構造を有する。
【０００４】
上記正孔輸送層の形成材料として、トリフェニルアミン誘導体またはアントラセン誘導体が知られている（特許文献１及び２）。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，６４６，１６４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これまで知られた正孔輸送層の形成材料からなる正孔輸送層を備えた有機発光表示素子は、寿命、効率、消費電力などの特性が満足すべきレベルに達せずに改善の余地が多いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、電気的な安定性及び高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料の開発に係り、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光素子に適した正孔輸送及び／または正孔注入材料となることが可能な、新規かつ改良されたトリアリールアミン系化合物とその製造方法を提供するところにある。
【０００８】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、前述したトリアリールアミン系化合物からなる有機膜を採用して、効率、駆動電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物が提供される。
【００１０】
【化１】
【００１１】
ここで、上記化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００１２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたカルバゾリル基、ビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基が置換されたビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、またはピリジル基であってもよい。
【００１３】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にＣ１〜Ｃ５アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択された１〜３個の置換基を有するアリール基であり、上記アリール基は、フェニル基及びナフチル基の中から選択された１〜３環の芳香族環であってもよい。ここで、上記のアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などであってもよい。
【００１４】
上記の化合物は、下記化学式２で表示される化合物であってもよい。
【００１５】
【化２】
【００１６】
上記の化学式２において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００１７】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００１８】
また、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、互いに同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００１９】
上記の化合物は、下記化学式３で表示される化合物であってもよい。
【００２０】
【化３】
【００２１】
上記の化学式３において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００２２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２３】
上記のＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２４】
上記の化合物は、下記化学式４で表示される化合物であってもよい。
【００２５】
【化４】
【００２６】
上記の化学式４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００２７】
上記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２８】
上記のＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２９】
上記の化合物は、下記化学式で表示される化合物であってもよい。
【００３０】
【化５】
【００３１】
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点によれば、下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の製造方法であって、化学式１の化合物は、下記化学式５〜７で表示される化合物を反応させて得られることを特徴とするトリアリールアミン系化合物の製造方法が提供される。
【００３２】
【化６】
【００３３】
【化７】
【００３４】
【化８】
【００３５】
【化９】
【００３６】
上記の化学式において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００３７】
上記の化学反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ：ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、この反応の反応温度は、５０〜１５０℃であってもよい。
【００３８】
上記の化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応させた後、反応後の化合物を塩化銅と反応させて得るものであってもよい。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
上記の化学式９において、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００４１】
上記の反応温度は、−７８〜０℃であってもよい。
【００４２】
上記課題を解決するために、本発明の第３の観点によれば、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置する有機膜と、を備える有機発光表示素子において、上記の有機膜は、上記に記載のトリアリールアミン系化合物を含むことを特徴とする、有機発光表示素子が提供される。
【００４３】
上記の有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層として機能しても良い。
【００４４】
上記の有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、上記有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有してもよい。
【００４５】
上記のように、本願発明は、電気的な安定性及び高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であるトリアリールアミン系化合物とその製造方法、及び、トリアリールアミン系化合物を含んだ有機膜を採用して、効率、電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子に関する。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、上記化学式１によるトリアリールアミン系化合物は、優秀な電気的特性及び高い電荷輸送能力を有し、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光素子に適した正孔注入及び正孔輸送材料として有効である。かかるトリアリールアミン系化合物からなる有機膜を採用すれば、効率、電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子を製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４８】
本発明の第１の実施形態においては、下記化学式１で表示される分子内に少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のトリアリールアミン誘導体及び少なくとも二つ以上のハロゲン原子またはアルキル基を側鎖として有する有機発光化合物及びその製造方法、それらの化合物を正孔注入層、正孔輸送層、発光層などの有機膜形成材料として使用した有機発光表示素子を提供する。
【００４９】
【化１１】
【００５０】
上記の化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、例えば、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、例えば１〜３の整数であり、ｍは、例えば１〜３の整数である。
【００５１】
上記の化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、例えば、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、チオフェニル基、インドリル基またはピリジル基である。上記の低級アルキルとしては、例えばＣ１〜Ｃ５のアルキルが望ましく、低級アルコキシとしては、例えばＣ１〜Ｃ５のアルコキシが望ましい。
【００５２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、さらに望ましくは、Ｃ１〜Ｃ５の低級アルキル、Ｃ１〜Ｃ５の低級アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基またはハロゲン原子が１〜３個が置換されたアリール基であり、このアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル基の中から選択され、全体として芳香族環を１〜３個有するものである。
【００５３】
本実施形態に係る化学式１において、Ｒは、例えば、メチル、エチル、ブチルのようなＣ１〜Ｃ１０アルキル基であることが望ましい。
【００５４】
本実施形態に係る化学式で用いられる置換基の定義について、以下に説明する。
【００５５】
本実施形態に係る化学式で用いられるアリール基は、単独または組み合わせて用いられ、一つ以上の環を含むＣ６〜Ｃ３０のカーボンシクロ芳香族基を意味し、この環は、ペンダント方法で共に付着または融合されうる。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチルのような芳香族基を含む。このアリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基の中から選択された置換基を有しうる。
【００５６】
本実施形態において使用されるヘテロ環基は、ヘテロアリール基とヘテロ原子とを含有する炭素環基をいずれも通称する用語である。また、ヘテロ環基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアリール基の場合と同様な置換基に置換可能である。
【００５７】
上記のヘテロアリール基は、例えば、Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳの中から選択された１〜３個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである芳香族環を意味し、その例としてピリジル基などがある。
【００５８】
上記のヘテロ原子を含有する炭素環は、例えば、Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳの中から選択された１〜３個のヘテロ原子を含むシクロアルキル基を意味し、その例としてテトラヒドロフラニル基などがある。
【００５９】
本実施形態において定義されたＣ１〜Ｃ３０のアルキル基の具体的な例としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシルなどが挙げられ、このアルキル基のうち一つ以上の水素原子は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基の中から選択された置換基に置換されてもよい。
【００６０】
前述した基以外の基は、当業者に通用された意味として解釈される。
【００６１】
本実施形態に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物は、立体効果の高い少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のトリアリールアミン基及び少なくとも二つ以上のアルキル基またはハロゲン原子をその構造中に有するため、それらの影響によりガラス転移点や融点が高くなる。したがって、発光時に有機膜内、有機膜間または有機膜と金属電極との間で発生する熱に対する耐熱性、及び、高温環境下での耐性が向上するので、それらの化合物を有機発光表示素子の正孔注入層、正孔輸送層または発光材料、特に発光層のホスト材料として使用した場合、高い発光輝度を表し、長時間発光させるときにも有利である。特に、基本分子であるビフェニル内に少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のバルキなトリアリールアミン構造及び少なくとも二つ以上のアルキル基またはハロゲン原子を有するため、立体効果による結晶化防止により前記効果をさらに向上させることが可能である。
【００６２】
本実施形態に係る有機発光表示素子は、有機膜形成材料として少なくとも二つ以上のトリアリールアミン誘導体を有することによって、ガラス転移温度が高い化合物を使用するので、保存時及び駆動時の耐久性が高い。
【００６３】
上記の化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物は、特に下記化学式２〜４で表示される化合物であってもよい。
【００６４】
【化１２】
【００６５】
上記の化学式２において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００６６】
【化１３】
【００６７】
上記の化学式３において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００６８】
【化１４】
【００６９】
上記の化学式４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００７０】
望ましくは、上記の化学式２〜４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基である。
【００７１】
また、上記の化学式２〜４において、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、上記のＡｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であることが望ましい。
【００７２】
以下、化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物のさらに具体的な例を説明するが、本発明がそれらの化合物に限定されることを意味するものではない。
【００７３】
【化１５】
【００７４】
【表１】
【００７５】
【化１６】
【００７６】
【表２】
【００７７】
【化１７】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【化１８】
【００８０】
【表４】
【００８１】
【化１９】
【００８２】
【表５】
【００８３】
【化２０】
【００８４】
【表６】
【００８５】
上記の化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の合成方法を説明すれば、次の通りである。
【００８６】
まず、化学式５の化合物、化学式６の化合物及び化学式７の化合物の反応を通じて、前述した化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を合成できる。
【００８７】
【化２１】
【００８８】
【化２２】
【００８９】
【化２３】
【００９０】
上記の化学式において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００９１】
かかる反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ＝ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎ−ａｃｅｔｏｎｅ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、反応温度は、５０〜１５０℃で行われる。
【００９２】
上記の化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応した後、それを塩化銅と反応して得る。かかるカップリング反応において、反応温度は、−７８〜０℃であることが望ましい。
【００９３】
【化２４】
【００９４】
上記の化学式９において、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００９５】
本実施形態に係る有機発光表示素子について説明すれば、化学式１のトリアリールアミン系化合物を含有する有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、正孔注入及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜であってもよい。
【００９６】
また、上記の有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有する。
【００９７】
上記の発光層は、燐光または蛍光材料からなる。
【００９８】
また、本実施形態に係る有機発光表示素子において、化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を発光層の形成用蛍光または燐光ホストとして使用できる。
【００９９】
以下、本実施形態に係る有機発光表示素子の製造方法を説明する。
【０１００】
図１Ａ〜図１Ｃは、本実施形態に係る有機発光表示素子の構造を示す断面図である。
【０１０１】
図１Ａに示すように、有機発光表示素子は、第１電極の上部に正孔輸送層と発光層とが順次に積層されており、発光層の上部に第２電極が積層された構造を有する。
【０１０２】
図１Ｂの有機発光表示素子は、図１Ａの有機発光表示素子において、第１電極と正孔輸送層との間に正孔注入層がさらに形成され、発光層と第２電極との間に電子輸送層がさらに形成された積層構造を有する。
【０１０３】
図１Ｃの有機発光表示素子は、図１Ｂの有機発光表示素子において、電子輸送層と第２電極との間に電子注入層がさらに形成された積層構造を有する。
【０１０４】
以下、前述した積層構造を有する有機発光表示素子の製造方法を説明する。
【０１０５】
まず、基板の上部に高い仕事関数を有するアノード電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法により形成し、第１電極であるアノードとして使用する。ここで、基板としては、通常的な有機発光表示素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれた有機基板または透明プラスチック基板が望ましい。そして、アノード電極用物質としては、透明かつ伝導性にすぐれた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用する。
【０１０６】
次いで、上記アノード電極の上部に、正孔注入層を選択的に形成する。
【０１０７】
上記正孔注入層の形成時に、正孔注入層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。
【０１０８】
真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に蒸着温度５０〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍ範囲で適切に選択することが望ましい。
【０１０９】
上記の正孔注入層の物質としては、特別に制限されず、本発明に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を使用でき、正孔注入層に使われている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバスト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどを使用できる。
【０１１０】
次いで、上記正孔注入層の上部に、正孔輸送層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲の中から選択される。
【０１１１】
上記の正孔輸送層物質は、特別に制限されず、本発明に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を使用するか、または正孔輸送層に使われている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する通常的なアミン誘導体などが使われる。
【０１１２】
次いで、上記の正孔輸送層の上部に、発光層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲の中から選択される。
【０１１３】
発光層材料は、特別に制限されず、蛍光または燐光ホストとして化学式１のトリアリールアミン系化合物を使用してもよく、その他に蛍光ホストとしては、公知の物質であるトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）などを使用してもよい。そして、ドーパントの場合、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５及び林原社から購入可能なＣ５４５Ｔなどを使用でき、燐光ドーパントとしては、緑色燐光ドーパントであるＩｒ（ＰＰｙ）３（ＰＰｙ＝２−フェニルピリジン）、青色燐光ドーパントであるＦ２ＩｒｐｉｃまたはＵＤＣ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）社の赤色燐光ドーパントであるＲＤ６１が使われる。
【０１１４】
【化２５】
【０１１５】
【化２６】
【０１１６】
ドーピング濃度は、特別に制限されず、通常的にホストとドーパントの総質量１００質量部を基準として、ドーパントの含量は０．０１〜１５質量部である。
【０１１７】
発光層の形成時に燐光ドーパントを使用する場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散される現象を防止するために、発光層の上部に正孔ブロッキング層物質を真空蒸着法またはスピンコーティング法によって積層させて正孔ブロッキング層を形成することが望ましい。このとき、使用可能な正孔ブロッキング層物質は、特別に制限されず、正孔ブロッキング層材料として使われている公知のものから任意のものを選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または特開平１１−３２９７３４（Ａ１）号公報に記載されている正孔阻止材料などが挙げられ、代表的にＢａｌｑ、ＢＣＰなどが使われる。
【０１１８】
次いで、電子輸送層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、またはキャスト法などの方法によって積層して、電子輸送層を形成するが、真空蒸着法により形成することが望ましい。この電子輸送層物質は、カソードから注入された電子を安定に輸送する機能を行うものであって、特別に制限されず、キノリン誘導体、特にＡｌｑ３を使用できる。また、電子輸送層の上部にカソードから電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層が積層されうる。
【０１１９】
電子注入層の形成時、ＬｉＦ，ＮａＣｌ，ＣｓＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＢａＯなどの物質を利用できる。前記正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうち選択される。
【０１２０】
最後に、電子注入層の上部にカソード形成用金属を真空蒸着法やスパッタリング法などの方法により第２電極であるカソードを形成する。ここで、カソード形成用金属としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性の化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などが挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ，ＩＺＯを使用した透過型カソードを使用することもできる。
【０１２１】
以下、本発明を、下記の実施例を挙げて説明するが、本発明が下記実施例にのみ限定されるものではない。
【０１２２】
（合成例１．化合物２の製造）
下記反応式１の反応経路を経て、化合物２を合成した。
【０１２３】
【化２７】
【０１２４】
（中間体ＡとＢとの合成）
２，４，６−トリブロモトルエン３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル３０ｍＬに溶かし、−７８℃に冷却した後、ノマルブチルリチウム４．４ｍＬ（１１ｍｍｏｌ，２．５Ｍ ｉｎ Ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。−７８℃で１時間ほど攪拌した後、塩化銅（ＩＩ）１．４８ｇ（１１ｍｍｏｌ）を同じ温度で添加した。
【０１２５】
反応混合物を５時間攪拌した後、常温で蒸溜水とエチルアセテートで洗浄した。洗浄されたエチルアセテート層をＭｇＳＯ４に乾燥させた後、減圧乾燥して粗生性物を得、シリカゲル管クロマトグラフィで分離精製し、得られた生成物をジクロロメタンとヘキサンで再結晶して、白色固体としてそれぞれ中間体Ａ ６２２ｍｇ（収率２５％）及び中間体Ｂ ７４６ｍｇ（収率３０％）を得た。
【０１２６】
中間体Ａ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．７４（ｄ，４Ｈ），７．１８（ｄ，４Ｈ），２．０６（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４２．８，１３４．９，１３４．５，１３１．１，１２６．４，１１９．４，１９．９
【０１２７】
中間体Ｂ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．６０（ｓ，４Ｈ），２．６１（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１３８．３，１３７．２，１２９．９，１２５．８，２３．５
【０１２８】
（化合物２の合成）
中間体Ａ ３８０ｍｇ（０．７６ｍｍｏｌ）、ジ−パラトリルアミン９０３ｍｇ（４．６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ ９００ｍｇ（９．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ ５６ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３ １３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）をトルエン５ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。
【０１２９】
常温に冷却した後、蒸溜水とエチルアセテートとで３回抽出した後、集められた有機層を硫酸マグネシウムに乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲル管クロマトグラフィで分離精製して、化合物２を白色固体として６７０ｍｇ（収率９１％）を得た。
【０１３０】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）６．９５−６．８０（ｍ，２４Ｈ），６．７６（ｄ，８Ｈ），６．６４（ｓ，４Ｈ），２．２６（ｓ，２４Ｈ），２．２４（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４７．４，１４７．２，１４６．１，１４６．０，１４５．０，１３２．６，１３１．１，１３０．０，１３０．３，１２８．６，１２４．８，１２３．８，１２２．３，１２１．０，２１．６，２１．５，１５．８
【０１３１】
上記の過程によって得た化合物２をＣＨＣｌ３に０．２ｍＭ濃度で希釈してＵＶスペクトルを得、最大吸収波長２２８ｎｍ，３０２ｎｍを観察した（図２）。
【０１３２】
また、化合物２に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、Ｐａｎ Ｔｙｐｅ：Ｐｔ Ｐａｎ ｉｎ 使い捨てのＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌ ｐａｎ（ＤＳＣ））を通じて、Ｔｄ ３６４℃、Ｔｇ １１４℃、Ｔｃ １７１℃、Ｔｍ ２７２℃を得た（図３及び図４）。
【０１３３】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を通じて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．３５ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．１１ｅＶを得た。
【０１３４】
（合成例２．化合物５９の製造）
中間体Ａの代わりに中間体Ｂを使用した点を除いては、合成例１と同じ方法によって実施して化合物５９を合成した（収率９５％）。
【０１３５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）６．９６−６．８５（ｍ，２２Ｈ），６．７８（ｄ，１４Ｈ），２．２５（ｓ，３０Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４８．７，１４５．９，１４０．６，１３４．４，１３１．４，１３０．３，１２５．１，１２２．３，２０．７，１４．４
【０１３６】
上記の過程によって得た化合物５９をＣＨＣｌ３に０．２ｍＭ濃度で希釈してＵＶスペクトルを得、最大吸収波長２２８．５ｎｍ，２９７ｎｍを観察した（図５）。
【０１３７】
また、化合物５９に対するＴＧＡ及びＤＳＣを利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、Ｐａｎ Ｔｙｐｅ：Ｐｔ Ｐａｎ ｉｎ 使い捨てのＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌ ｐａｎ（ＤＳＣ））を通じて、Ｔｄ ３８７℃、Ｔｇ １２２℃、Ｔｃ ２０４℃、Ｔｍ ２５５℃を得た（図６及び図７）。
【０１３８】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を通じて、ＨＯＭＯエネルギー準位５．３５ｅＶ及びＬＵＭＯエネルギー準位２．２４ｅＶを得た。
【０１３９】
（実施例１）
アノードとしてＩＴＯ電極が形成されたガラス基板（コーニング社製の表面抵抗が１５Ω／ｃｍ２であり、厚さが１２００Å）を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズにカットして、イソプロピルアルコール及び純水内で各５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置した。
【０１４０】
まず、上記基板の上部に正孔注入層としてＩＤＥ４０６を真空蒸着して、６００Åの厚さに形成した。次いで、正孔輸送層物質として化合物２を３００Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。
【０１４１】
上記の正孔輸送層の上部に、緑色蛍光ホストであるＡｌｑ３と緑色蛍光ドーパントであるＣ５４５Ｔとを質量比９８：２に同時蒸着して、２００Åの厚さに発光層を形成した。次いで、Ａｌｑ３を３００Åの厚さに蒸着して電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層の上部に電子注入層としてＬｉＦを１０Åの厚さに蒸着し、Ａｌを３０００Å（負極）の厚さに真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成して、有機発光表示素子を製造した。
【０１４２】
（比較例１）
正孔輸送層の形成時、上記の化合物２の代わりにＮＰＢを使用して蒸着した点を除いては、実施例１と同じ方法によって実施して有機発光表示素子を製作した。
【０１４３】
上記実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、駆動電圧、電流密度、発光輝度、発光効率特性を評価した。
【０１４４】
評価結果、実施例１の有機発光表示素子は、駆動電圧２．５Ｖ、駆動電圧６．０Ｖで電流密度３２．７７ｍＡ／ｃｍ２、発光輝度４２４７ｃｄ／ｍ２を表し、色座標は（０．３１，０．６４）であり、発光効率は１２．９６ｃｄ／Ａであった。そして、比較例１の有機発光表示素子は、駆動電圧３．０Ｖ、駆動電圧６．０Ｖで電流密度７．７６ｍＡ／ｃｍ２、発光輝度９０５．５ｃｄ／ｍ２を表し、色座標は（０．３０，０．６４）であり、発光効率は１１．５６ｃｄ／Ａであった。
【０１４５】
前記したように、本発明による化合物２を正孔輸送層として使用した結果、正孔の注入及び輸送能力の向上により駆動電圧が０．５Ｖ低くなり、同じ電流値での印加電圧が大幅低くなり、電流密度値の増加による輝度値の増加を確認できた。同じ印加電圧下での電流密度値及び輝度値の比較結果を図８及び図９に示し、これを参照すれば、実施例１の有機発光表示素子が、比較例１の場合と比較して電流密度及び輝度特性が改善されるということを確認できた。
【０１４６】
また、図１０及び図１１に示したように、実施例１の有機発光表示素子は、正孔輸送物質であるＮＰＢを使用した比較例１の場合と比較して電流効率及び電力効率も向上するということが分かった。
【０１４７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、有機発光表示素子関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１Ａ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図１Ｂ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図１Ｃ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図２】本発明の実施例によって得た化合物２のＵＶスペクトルを示す図面である。
【図３】本発明の実施例によって得た化合物２のＴＧＡ分析結果を示す図面である。
【図４】本発明の実施例によって得た化合物２のＤＳＣ分析結果を示す図面である。
【図５】本発明の実施例によって得た化合物５９のＵＶスペクトルを示す図面である。
【図６】本発明の実施例によって得た化合物５９のＴＧＡ分析結果を示す図面である。
【図７】本発明の実施例によって得た化合物５９のＤＳＣ分析結果を示す図面である。
【図８】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、電圧による電流密度変化を示すグラフ図である。
【図９】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、電圧による輝度変化を示すグラフ図である。
【図１０】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、輝度による発光効率変化を示すグラフ図である。
【図１１】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、輝度による電力効率変化を示すグラフ図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリアリールアミン系化合物とその製造方法および有機発光表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示素子は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答時間が速いという長所を有するために注目されている。
【０００３】
有機発光表示素子は、一般的にアノード／発光層／カソードの積層構造を有し、前記アノードと発光層との間または発光層とカソードとの間に正孔注入層、正孔輸送層及び電子注入層をさらに積層して、アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード及びアノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／カソードなどの積層構造を有する。
【０００４】
上記正孔輸送層の形成材料として、トリフェニルアミン誘導体またはアントラセン誘導体が知られている（特許文献１及び２）。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，６４６，１６４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これまで知られた正孔輸送層の形成材料からなる正孔輸送層を備えた有機発光表示素子は、寿命、効率、消費電力などの特性が満足すべきレベルに達せずに改善の余地が多いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、電気的な安定性及び高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料の開発に係り、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光素子に適した正孔輸送及び／または正孔注入材料となることが可能な、新規かつ改良されたトリアリールアミン系化合物とその製造方法を提供するところにある。
【０００８】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、前述したトリアリールアミン系化合物からなる有機膜を採用して、効率、駆動電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物が提供される。
【００１０】
【化１】
【００１１】
ここで、上記化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００１２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたカルバゾリル基、ビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基が置換されたビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、またはピリジル基であってもよい。
【００１３】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にＣ１〜Ｃ５アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択された１〜３個の置換基を有するアリール基であり、上記アリール基は、フェニル基及びナフチル基の中から選択された１〜３環の芳香族環であってもよい。ここで、上記のアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などであってもよい。
【００１４】
上記の化合物は、下記化学式２で表示される化合物であってもよい。
【００１５】
【化２】
【００１６】
上記の化学式２において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００１７】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００１８】
また、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、互いに同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００１９】
上記の化合物は、下記化学式３で表示される化合物であってもよい。
【００２０】
【化３】
【００２１】
上記の化学式３において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００２２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２３】
上記のＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２４】
上記の化合物は、下記化学式４で表示される化合物であってもよい。
【００２５】
【化４】
【００２６】
上記の化学式４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００２７】
上記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２８】
上記のＡｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であってもよい。
【００２９】
上記の化合物は、下記化学式で表示される化合物であってもよい。
【００３０】
【化５】
【００３１】
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点によれば、下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の製造方法であって、化学式１の化合物は、下記化学式５〜７で表示される化合物を反応させて得られることを特徴とするトリアリールアミン系化合物の製造方法が提供される。
【００３２】
【化６】
【００３３】
【化７】
【００３４】
【化８】
【００３５】
【化９】
【００３６】
上記の化学式において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００３７】
上記の化学反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ：ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、この反応の反応温度は、５０〜１５０℃であってもよい。
【００３８】
上記の化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応させた後、反応後の化合物を塩化銅と反応させて得るものであってもよい。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
上記の化学式９において、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００４１】
上記の反応温度は、−７８〜０℃であってもよい。
【００４２】
上記課題を解決するために、本発明の第３の観点によれば、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置する有機膜と、を備える有機発光表示素子において、上記の有機膜は、上記に記載のトリアリールアミン系化合物を含むことを特徴とする、有機発光表示素子が提供される。
【００４３】
上記の有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層として機能しても良い。
【００４４】
上記の有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、上記有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有してもよい。
【００４５】
上記のように、本願発明は、電気的な安定性及び高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であるトリアリールアミン系化合物とその製造方法、及び、トリアリールアミン系化合物を含んだ有機膜を採用して、効率、電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子に関する。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、上記化学式１によるトリアリールアミン系化合物は、優秀な電気的特性及び高い電荷輸送能力を有し、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光素子に適した正孔注入及び正孔輸送材料として有効である。かかるトリアリールアミン系化合物からなる有機膜を採用すれば、効率、電圧、輝度及び寿命特性が向上した有機発光表示素子を製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４８】
本発明の第１の実施形態においては、下記化学式１で表示される分子内に少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のトリアリールアミン誘導体及び少なくとも二つ以上のハロゲン原子またはアルキル基を側鎖として有する有機発光化合物及びその製造方法、それらの化合物を正孔注入層、正孔輸送層、発光層などの有機膜形成材料として使用した有機発光表示素子を提供する。
【００４９】
【化１１】
【００５０】
上記の化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、例えば、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、例えば１〜３の整数であり、ｍは、例えば１〜３の整数である。
【００５１】
上記の化学式１において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、例えば、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、チオフェニル基、インドリル基またはピリジル基である。上記の低級アルキルとしては、例えばＣ１〜Ｃ５のアルキルが望ましく、低級アルコキシとしては、例えばＣ１〜Ｃ５のアルコキシが望ましい。
【００５２】
上記のＡｒ１〜Ａｒ４は、さらに望ましくは、Ｃ１〜Ｃ５の低級アルキル、Ｃ１〜Ｃ５の低級アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基またはハロゲン原子が１〜３個が置換されたアリール基であり、このアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル基の中から選択され、全体として芳香族環を１〜３個有するものである。
【００５３】
本実施形態に係る化学式１において、Ｒは、例えば、メチル、エチル、ブチルのようなＣ１〜Ｃ１０アルキル基であることが望ましい。
【００５４】
本実施形態に係る化学式で用いられる置換基の定義について、以下に説明する。
【００５５】
本実施形態に係る化学式で用いられるアリール基は、単独または組み合わせて用いられ、一つ以上の環を含むＣ６〜Ｃ３０のカーボンシクロ芳香族基を意味し、この環は、ペンダント方法で共に付着または融合されうる。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチルのような芳香族基を含む。このアリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基の中から選択された置換基を有しうる。
【００５６】
本実施形態において使用されるヘテロ環基は、ヘテロアリール基とヘテロ原子とを含有する炭素環基をいずれも通称する用語である。また、ヘテロ環基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアリール基の場合と同様な置換基に置換可能である。
【００５７】
上記のヘテロアリール基は、例えば、Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳの中から選択された１〜３個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がＣである芳香族環を意味し、その例としてピリジル基などがある。
【００５８】
上記のヘテロ原子を含有する炭素環は、例えば、Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳの中から選択された１〜３個のヘテロ原子を含むシクロアルキル基を意味し、その例としてテトラヒドロフラニル基などがある。
【００５９】
本実施形態において定義されたＣ１〜Ｃ３０のアルキル基の具体的な例としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシルなどが挙げられ、このアルキル基のうち一つ以上の水素原子は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基の中から選択された置換基に置換されてもよい。
【００６０】
前述した基以外の基は、当業者に通用された意味として解釈される。
【００６１】
本実施形態に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物は、立体効果の高い少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のトリアリールアミン基及び少なくとも二つ以上のアルキル基またはハロゲン原子をその構造中に有するため、それらの影響によりガラス転移点や融点が高くなる。したがって、発光時に有機膜内、有機膜間または有機膜と金属電極との間で発生する熱に対する耐熱性、及び、高温環境下での耐性が向上するので、それらの化合物を有機発光表示素子の正孔注入層、正孔輸送層または発光材料、特に発光層のホスト材料として使用した場合、高い発光輝度を表し、長時間発光させるときにも有利である。特に、基本分子であるビフェニル内に少なくとも二つ以上、さらに望ましくは、四つ以上のバルキなトリアリールアミン構造及び少なくとも二つ以上のアルキル基またはハロゲン原子を有するため、立体効果による結晶化防止により前記効果をさらに向上させることが可能である。
【００６２】
本実施形態に係る有機発光表示素子は、有機膜形成材料として少なくとも二つ以上のトリアリールアミン誘導体を有することによって、ガラス転移温度が高い化合物を使用するので、保存時及び駆動時の耐久性が高い。
【００６３】
上記の化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物は、特に下記化学式２〜４で表示される化合物であってもよい。
【００６４】
【化１２】
【００６５】
上記の化学式２において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００６６】
【化１３】
【００６７】
上記の化学式３において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００６８】
【化１４】
【００６９】
上記の化学式４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【００７０】
望ましくは、上記の化学式２〜４において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基である。
【００７１】
また、上記の化学式２〜４において、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、上記のＡｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、Ｒは、メチル基であることが望ましい。
【００７２】
以下、化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物のさらに具体的な例を説明するが、本発明がそれらの化合物に限定されることを意味するものではない。
【００７３】
【化１５】
【００７４】
【表１】
【００７５】
【化１６】
【００７６】
【表２】
【００７７】
【化１７】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【化１８】
【００８０】
【表４】
【００８１】
【化１９】
【００８２】
【表５】
【００８３】
【化２０】
【００８４】
【表６】
【００８５】
上記の化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の合成方法を説明すれば、次の通りである。
【００８６】
まず、化学式５の化合物、化学式６の化合物及び化学式７の化合物の反応を通じて、前述した化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を合成できる。
【００８７】
【化２１】
【００８８】
【化２２】
【００８９】
【化２３】
【００９０】
上記の化学式において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００９１】
かかる反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ＝ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎ−ａｃｅｔｏｎｅ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、反応温度は、５０〜１５０℃で行われる。
【００９２】
上記の化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応した後、それを塩化銅と反応して得る。かかるカップリング反応において、反応温度は、−７８〜０℃であることが望ましい。
【００９３】
【化２４】
【００９４】
上記の化学式９において、Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数である。
【００９５】
本実施形態に係る有機発光表示素子について説明すれば、化学式１のトリアリールアミン系化合物を含有する有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、正孔注入及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜であってもよい。
【００９６】
また、上記の有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有する。
【００９７】
上記の発光層は、燐光または蛍光材料からなる。
【００９８】
また、本実施形態に係る有機発光表示素子において、化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を発光層の形成用蛍光または燐光ホストとして使用できる。
【００９９】
以下、本実施形態に係る有機発光表示素子の製造方法を説明する。
【０１００】
図１Ａ〜図１Ｃは、本実施形態に係る有機発光表示素子の構造を示す断面図である。
【０１０１】
図１Ａに示すように、有機発光表示素子は、第１電極の上部に正孔輸送層と発光層とが順次に積層されており、発光層の上部に第２電極が積層された構造を有する。
【０１０２】
図１Ｂの有機発光表示素子は、図１Ａの有機発光表示素子において、第１電極と正孔輸送層との間に正孔注入層がさらに形成され、発光層と第２電極との間に電子輸送層がさらに形成された積層構造を有する。
【０１０３】
図１Ｃの有機発光表示素子は、図１Ｂの有機発光表示素子において、電子輸送層と第２電極との間に電子注入層がさらに形成された積層構造を有する。
【０１０４】
以下、前述した積層構造を有する有機発光表示素子の製造方法を説明する。
【０１０５】
まず、基板の上部に高い仕事関数を有するアノード電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法により形成し、第１電極であるアノードとして使用する。ここで、基板としては、通常的な有機発光表示素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれた有機基板または透明プラスチック基板が望ましい。そして、アノード電極用物質としては、透明かつ伝導性にすぐれた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用する。
【０１０６】
次いで、上記アノード電極の上部に、正孔注入層を選択的に形成する。
【０１０７】
上記正孔注入層の形成時に、正孔注入層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。
【０１０８】
真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に蒸着温度５０〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍ範囲で適切に選択することが望ましい。
【０１０９】
上記の正孔注入層の物質としては、特別に制限されず、本発明に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を使用でき、正孔注入層に使われている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバスト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどを使用できる。
【０１１０】
次いで、上記正孔注入層の上部に、正孔輸送層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲の中から選択される。
【０１１１】
上記の正孔輸送層物質は、特別に制限されず、本発明に係る化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物を使用するか、または正孔輸送層に使われている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する通常的なアミン誘導体などが使われる。
【０１１２】
次いで、上記の正孔輸送層の上部に、発光層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、かつピンホールが発生し難いというなどの点で真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲の中から選択される。
【０１１３】
発光層材料は、特別に制限されず、蛍光または燐光ホストとして化学式１のトリアリールアミン系化合物を使用してもよく、その他に蛍光ホストとしては、公知の物質であるトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）などを使用してもよい。そして、ドーパントの場合、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５及び林原社から購入可能なＣ５４５Ｔなどを使用でき、燐光ドーパントとしては、緑色燐光ドーパントであるＩｒ（ＰＰｙ）３（ＰＰｙ＝２−フェニルピリジン）、青色燐光ドーパントであるＦ２ＩｒｐｉｃまたはＵＤＣ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）社の赤色燐光ドーパントであるＲＤ６１が使われる。
【０１１４】
【化２５】
【０１１５】
【化２６】
【０１１６】
ドーピング濃度は、特別に制限されず、通常的にホストとドーパントの総質量１００質量部を基準として、ドーパントの含量は０．０１〜１５質量部である。
【０１１７】
発光層の形成時に燐光ドーパントを使用する場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散される現象を防止するために、発光層の上部に正孔ブロッキング層物質を真空蒸着法またはスピンコーティング法によって積層させて正孔ブロッキング層を形成することが望ましい。このとき、使用可能な正孔ブロッキング層物質は、特別に制限されず、正孔ブロッキング層材料として使われている公知のものから任意のものを選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または特開平１１−３２９７３４（Ａ１）号公報に記載されている正孔阻止材料などが挙げられ、代表的にＢａｌｑ、ＢＣＰなどが使われる。
【０１１８】
次いで、電子輸送層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、またはキャスト法などの方法によって積層して、電子輸送層を形成するが、真空蒸着法により形成することが望ましい。この電子輸送層物質は、カソードから注入された電子を安定に輸送する機能を行うものであって、特別に制限されず、キノリン誘導体、特にＡｌｑ３を使用できる。また、電子輸送層の上部にカソードから電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層が積層されうる。
【０１１９】
電子注入層の形成時、ＬｉＦ，ＮａＣｌ，ＣｓＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＢａＯなどの物質を利用できる。前記正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲のうち選択される。
【０１２０】
最後に、電子注入層の上部にカソード形成用金属を真空蒸着法やスパッタリング法などの方法により第２電極であるカソードを形成する。ここで、カソード形成用金属としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性の化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などが挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ，ＩＺＯを使用した透過型カソードを使用することもできる。
【０１２１】
以下、本発明を、下記の実施例を挙げて説明するが、本発明が下記実施例にのみ限定されるものではない。
【０１２２】
（合成例１．化合物２の製造）
下記反応式１の反応経路を経て、化合物２を合成した。
【０１２３】
【化２７】
【０１２４】
（中間体ＡとＢとの合成）
２，４，６−トリブロモトルエン３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル３０ｍＬに溶かし、−７８℃に冷却した後、ノマルブチルリチウム４．４ｍＬ（１１ｍｍｏｌ，２．５Ｍ ｉｎ Ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。−７８℃で１時間ほど攪拌した後、塩化銅（ＩＩ）１．４８ｇ（１１ｍｍｏｌ）を同じ温度で添加した。
【０１２５】
反応混合物を５時間攪拌した後、常温で蒸溜水とエチルアセテートで洗浄した。洗浄されたエチルアセテート層をＭｇＳＯ４に乾燥させた後、減圧乾燥して粗生性物を得、シリカゲル管クロマトグラフィで分離精製し、得られた生成物をジクロロメタンとヘキサンで再結晶して、白色固体としてそれぞれ中間体Ａ ６２２ｍｇ（収率２５％）及び中間体Ｂ ７４６ｍｇ（収率３０％）を得た。
【０１２６】
中間体Ａ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．７４（ｄ，４Ｈ），７．１８（ｄ，４Ｈ），２．０６（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４２．８，１３４．９，１３４．５，１３１．１，１２６．４，１１９．４，１９．９
【０１２７】
中間体Ｂ：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．６０（ｓ，４Ｈ），２．６１（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１３８．３，１３７．２，１２９．９，１２５．８，２３．５
【０１２８】
（化合物２の合成）
中間体Ａ ３８０ｍｇ（０．７６ｍｍｏｌ）、ジ−パラトリルアミン９０３ｍｇ（４．６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ ９００ｍｇ（９．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３ ５６ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３ １３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）をトルエン５ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。
【０１２９】
常温に冷却した後、蒸溜水とエチルアセテートとで３回抽出した後、集められた有機層を硫酸マグネシウムに乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲル管クロマトグラフィで分離精製して、化合物２を白色固体として６７０ｍｇ（収率９１％）を得た。
【０１３０】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）６．９５−６．８０（ｍ，２４Ｈ），６．７６（ｄ，８Ｈ），６．６４（ｓ，４Ｈ），２．２６（ｓ，２４Ｈ），２．２４（ｓ，６Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４７．４，１４７．２，１４６．１，１４６．０，１４５．０，１３２．６，１３１．１，１３０．０，１３０．３，１２８．６，１２４．８，１２３．８，１２２．３，１２１．０，２１．６，２１．５，１５．８
【０１３１】
上記の過程によって得た化合物２をＣＨＣｌ３に０．２ｍＭ濃度で希釈してＵＶスペクトルを得、最大吸収波長２２８ｎｍ，３０２ｎｍを観察した（図２）。
【０１３２】
また、化合物２に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、Ｐａｎ Ｔｙｐｅ：Ｐｔ Ｐａｎ ｉｎ 使い捨てのＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌ ｐａｎ（ＤＳＣ））を通じて、Ｔｄ ３６４℃、Ｔｇ １１４℃、Ｔｃ １７１℃、Ｔｍ ２７２℃を得た（図３及び図４）。
【０１３３】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を通じて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．３５ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．１１ｅＶを得た。
【０１３４】
（合成例２．化合物５９の製造）
中間体Ａの代わりに中間体Ｂを使用した点を除いては、合成例１と同じ方法によって実施して化合物５９を合成した（収率９５％）。
【０１３５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）６．９６−６．８５（ｍ，２２Ｈ），６．７８（ｄ，１４Ｈ），２．２５（ｓ，３０Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４８．７，１４５．９，１４０．６，１３４．４，１３１．４，１３０．３，１２５．１，１２２．３，２０．７，１４．４
【０１３６】
上記の過程によって得た化合物５９をＣＨＣｌ３に０．２ｍＭ濃度で希釈してＵＶスペクトルを得、最大吸収波長２２８．５ｎｍ，２９７ｎｍを観察した（図５）。
【０１３７】
また、化合物５９に対するＴＧＡ及びＤＳＣを利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、Ｐａｎ Ｔｙｐｅ：Ｐｔ Ｐａｎ ｉｎ 使い捨てのＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌ ｐａｎ（ＤＳＣ））を通じて、Ｔｄ ３８７℃、Ｔｇ １２２℃、Ｔｃ ２０４℃、Ｔｍ ２５５℃を得た（図６及び図７）。
【０１３８】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を通じて、ＨＯＭＯエネルギー準位５．３５ｅＶ及びＬＵＭＯエネルギー準位２．２４ｅＶを得た。
【０１３９】
（実施例１）
アノードとしてＩＴＯ電極が形成されたガラス基板（コーニング社製の表面抵抗が１５Ω／ｃｍ２であり、厚さが１２００Å）を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズにカットして、イソプロピルアルコール及び純水内で各５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置した。
【０１４０】
まず、上記基板の上部に正孔注入層としてＩＤＥ４０６を真空蒸着して、６００Åの厚さに形成した。次いで、正孔輸送層物質として化合物２を３００Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。
【０１４１】
上記の正孔輸送層の上部に、緑色蛍光ホストであるＡｌｑ３と緑色蛍光ドーパントであるＣ５４５Ｔとを質量比９８：２に同時蒸着して、２００Åの厚さに発光層を形成した。次いで、Ａｌｑ３を３００Åの厚さに蒸着して電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層の上部に電子注入層としてＬｉＦを１０Åの厚さに蒸着し、Ａｌを３０００Å（負極）の厚さに真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成して、有機発光表示素子を製造した。
【０１４２】
（比較例１）
正孔輸送層の形成時、上記の化合物２の代わりにＮＰＢを使用して蒸着した点を除いては、実施例１と同じ方法によって実施して有機発光表示素子を製作した。
【０１４３】
上記実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、駆動電圧、電流密度、発光輝度、発光効率特性を評価した。
【０１４４】
評価結果、実施例１の有機発光表示素子は、駆動電圧２．５Ｖ、駆動電圧６．０Ｖで電流密度３２．７７ｍＡ／ｃｍ２、発光輝度４２４７ｃｄ／ｍ２を表し、色座標は（０．３１，０．６４）であり、発光効率は１２．９６ｃｄ／Ａであった。そして、比較例１の有機発光表示素子は、駆動電圧３．０Ｖ、駆動電圧６．０Ｖで電流密度７．７６ｍＡ／ｃｍ２、発光輝度９０５．５ｃｄ／ｍ２を表し、色座標は（０．３０，０．６４）であり、発光効率は１１．５６ｃｄ／Ａであった。
【０１４５】
前記したように、本発明による化合物２を正孔輸送層として使用した結果、正孔の注入及び輸送能力の向上により駆動電圧が０．５Ｖ低くなり、同じ電流値での印加電圧が大幅低くなり、電流密度値の増加による輝度値の増加を確認できた。同じ印加電圧下での電流密度値及び輝度値の比較結果を図８及び図９に示し、これを参照すれば、実施例１の有機発光表示素子が、比較例１の場合と比較して電流密度及び輝度特性が改善されるということを確認できた。
【０１４６】
また、図１０及び図１１に示したように、実施例１の有機発光表示素子は、正孔輸送物質であるＮＰＢを使用した比較例１の場合と比較して電流効率及び電力効率も向上するということが分かった。
【０１４７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、有機発光表示素子関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１Ａ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図１Ｂ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図１Ｃ】本発明に係る有機発光表示素子の構造を示す図面である。
【図２】本発明の実施例によって得た化合物２のＵＶスペクトルを示す図面である。
【図３】本発明の実施例によって得た化合物２のＴＧＡ分析結果を示す図面である。
【図４】本発明の実施例によって得た化合物２のＤＳＣ分析結果を示す図面である。
【図５】本発明の実施例によって得た化合物５９のＵＶスペクトルを示す図面である。
【図６】本発明の実施例によって得た化合物５９のＴＧＡ分析結果を示す図面である。
【図７】本発明の実施例によって得た化合物５９のＤＳＣ分析結果を示す図面である。
【図８】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、電圧による電流密度変化を示すグラフ図である。
【図９】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、電圧による輝度変化を示すグラフ図である。
【図１０】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、輝度による発光効率変化を示すグラフ図である。
【図１１】本発明の実施例１及び比較例１によって製作された有機発光表示素子において、輝度による電力効率変化を示すグラフ図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表示されることを特徴とする、トリアリールアミン系化合物。
【化１】
前記化学式１において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項２】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたカルバゾリル基、ビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基が置換されたビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、またはピリジル基であることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項３】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にＣ１〜Ｃ５アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択された１〜３個の置換基を有するアリール基であり、
前記アリール基は、フェニル基及びナフチル基の中から選択された１〜３環の芳香族環であることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項４】
前記化合物は、下記化学式２で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物
【化２】
前記化学式２において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項５】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項４に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項６】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、互いに同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項４に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項７】
前記化合物は、下記化学式３で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化３】
前記化学式３において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項８】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項７に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項９】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする請求項７に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１０】
前記化合物は、下記化学式４で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化４】
前記化学式４において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項１１】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項１０に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１２】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項１０に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１３】
前記化合物は、下記化学式で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化５】
【請求項１４】
下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の製造方法であって、
前記化学式１の化合物は、下記化学式５〜７で表示される化合物を反応させて得られることを特徴とする、トリアリールアミン系化合物の製造方法。
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
前記化学式において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項１５】
前記反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ：ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、
前記反応の反応温度は、５０〜１５０℃であることを特徴とする、請求項１４に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【請求項１６】
前記化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応させた後、反応後の化合物を塩化銅と反応させて得ることを特徴とする、請求項１４に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【化１０】
前記化学式９において、前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項１７】
前記反応温度は、−７８〜０℃であることを特徴とする、請求項１６に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【請求項１８】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機膜と、を備える有機発光表示素子において、
前記有機膜は、請求項１〜１３のうちいずれか一項に記載のトリアリールアミン系化合物を含むことを特徴とする、有機発光表示素子。
【請求項１９】
前記有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であることを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示素子。
【請求項２０】
前記有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、
前記有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有することを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示素子。
【請求項１】
下記化学式１で表示されることを特徴とする、トリアリールアミン系化合物。
【化１】
前記化学式１において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項２】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にフェニル基、メチルフェニル基、ジメチル基、トリメチル基、エチルフェニル基、エチルビフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−もしくはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビーセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたカルバゾリル基、ビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基が置換されたビフェニル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基が置換されたビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、またはピリジル基であることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項３】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的にＣ１〜Ｃ５アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択された１〜３個の置換基を有するアリール基であり、
前記アリール基は、フェニル基及びナフチル基の中から選択された１〜３環の芳香族環であることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項４】
前記化合物は、下記化学式２で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物
【化２】
前記化学式２において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項５】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項４に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項６】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、互いに同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項４に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項７】
前記化合物は、下記化学式３で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化３】
前記化学式３において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項８】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項７に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項９】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする請求項７に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１０】
前記化合物は、下記化学式４で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化４】
前記化学式４において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基である。
【請求項１１】
前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに同一にフェニル基、Ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−オクチルフェニル基、３−オクチルフェニル基、２−オクチルフェニル基、２，４−ジオクチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，４−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項１０に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１２】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一にフェニル基、４−ブチルフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基及び２，４，６−トリメチルフェニル基からなる群より選択され、
前記Ａｒ３及びＡｒ４は、いずれも同一にフェニル基、４−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基及び２−アントラセニル基からなる群より選択され、
前記Ｒは、メチル基であることを特徴とする、請求項１０に記載のトリアリールアミン系化合物。
【請求項１３】
前記化合物は、下記化学式で表示されることを特徴とする、請求項１に記載のトリアリールアミン系化合物。
【化５】
【請求項１４】
下記化学式１で表示されるトリアリールアミン系化合物の製造方法であって、
前記化学式１の化合物は、下記化学式５〜７で表示される化合物を反応させて得られることを特徴とする、トリアリールアミン系化合物の製造方法。
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
前記化学式において、前記Ａｒ１〜Ａｒ４は、互いに独立的に置換もしくは非置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換されたＣ２〜Ｃ３０ヘテロ環基であり、
前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項１５】
前記反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ：ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、
前記反応の反応温度は、５０〜１５０℃であることを特徴とする、請求項１４に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【請求項１６】
前記化学式５で表示される化合物は、下記化学式９で表示される化合物をブチルリチウムと反応させた後、反応後の化合物を塩化銅と反応させて得ることを特徴とする、請求項１４に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【化１０】
前記化学式９において、前記Ｒは、ハロゲン原子、シアノ基、または置換もしくは非置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキル基であり、
前記ｎは、１〜３の整数であり、
前記ｍは、１〜３の整数である。
【請求項１７】
前記反応温度は、−７８〜０℃であることを特徴とする、請求項１６に記載のトリアリールアミン系化合物の製造方法。
【請求項１８】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機膜と、を備える有機発光表示素子において、
前記有機膜は、請求項１〜１３のうちいずれか一項に記載のトリアリールアミン系化合物を含むことを特徴とする、有機発光表示素子。
【請求項１９】
前記有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であることを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示素子。
【請求項２０】
前記有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であり、
前記有機発光表示素子は、第１電極／正孔輸送層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の積層構造を有することを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示素子。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−３１４３５（Ｐ２００７−３１４３５Ａ）
【公開日】平成１９年２月８日（２００７．２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２０１２３９（Ｐ２００６−２０１２３９）
【出願日】平成１８年７月２４日（２００６．７．２４）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月８日（２００７．２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月２４日（２００６．７．２４）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]