メタルマスク及び半導体装置の製造方法
【課題】接合基板をダイシングする際のブレードの損傷を確実に防止することができるようにする。
【解決手段】接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスク１において、開口部７と開口部８とを形成する。開口部７は、半導体基板の上記一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布することができるように形成されている。一方、開口部８は、半導体基板の上記一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布することができるように形成されている。
【解決手段】接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスク１において、開口部７と開口部８とを形成する。開口部７は、半導体基板の上記一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布することができるように形成されている。一方、開口部８は、半導体基板の上記一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布することができるように形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板の一面に接着剤を塗布するためのメタルマスクと、メタルマスクを用いた半導体装置の製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ、ＭＥＭＳデバイス等の数多くの半導体素子が表面に形成された半導体基板は、例えば、円盤状のブレードを用いてダイシングされることにより、個々の半導体装置に分割される（例えば、特許文献１参照）。
また、半導体装置の製造に関する他の従来技術として、２枚の半導体基板を接着剤で接合した後、接合された２枚の半導体基板をスクライビング及びブレーキングすることによって、半導体装置を個々に分割するものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２００９−６６６９１号公報
【特許文献２】特表２００５−５３４０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２に記載の半導体装置のように、その製造過程において、複数の基板（シリコンウエハ等の半導体基板同士、或いは、半導体基板と封止用のガラス基板等）が接合されたもの（以下、「接合基板」ともいう）を分割する場合、特許文献１に記載のダイシング装置のようなものを使用すると、ダイシングの際に上側の基板の一部が剥がれ、チップやブレードが損傷してしまう恐れがあった。
【０００５】
例えば、特許文献２に記載のものでは、半導体基板の周囲と基板上の各半導体素子の周囲との双方に、接着剤を塗布することが推奨されている（特許文献２の００４６欄）。しかし、このような接着方法によって２枚の半導体基板を接合すると、ダイシングによるチップ化を行う際に、上側の半導体基板の一部が、接着剤が全く塗布されていない小片に分割されてしまうことがある。即ち、剥がれた上記小片によって、チップやブレードが損傷を受けてしまう恐れがあった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、接合基板をダイシングする際のチップやブレードの損傷を確実に防止することができるように、半導体基板に対して接着剤を塗布することができるメタルマスクと、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができる半導体装置の製造方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るメタルマスクは、複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成しない領域の全体に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備えたものである。
【０００８】
また、この発明に係るメタルマスクは、所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備えたものである。
【０００９】
また、この発明に係るメタルマスクは、複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、所定の縁部を除いた半導体素子を形成しない領域の全体に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備え、半導体基板の一面の縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないものである。
【００１０】
また、この発明に係るメタルマスクは、所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、所定の縁部を除いた半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備え、半導体基板の一面の縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないものである。
【００１１】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成された半導体基板を固定する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成しない領域の全体に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、接着剤が塗布された半導体基板の一面に、所定の接合用基板を接合する工程と、接合された半導体基板及び接合用基板をダイシングすることによって半導体素子毎に分割する工程と、を備えたものである。
【００１２】
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と接合用基板とが共にダイシングされることによって、個々の半導体装置に分割される半導体装置の製造方法であって、半導体基板を固定する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、接着剤が塗布された半導体基板の一面に、接合用基板を接合する工程と、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るメタルマスクによれば、接合基板をダイシングする際のチップやブレードの損傷を確実に防止することができるように、半導体基板に対して接着剤を塗布することができるようになる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法によれば、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１におけるメタルマスクを示す平面図である。
【図２】図１に示すメタルマスクのＡ部詳細図である。
【図３】図２に示すメタルマスクのＢ部詳細図である。
【図４】図１に示すメタルマスクによって接着剤が塗布される半導体基板を示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体基板に接合用基板が接合された状態を示す側面図である。
【図６】図５に示す接合基板の要部拡大図である。
【図７】この発明の実施の形態２におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図８】図７に示すメタルマスクのＤ部詳細図である。
【図９】この発明の実施の形態３における第１開口部の開口パターンを示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態４におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図１１】この発明の実施の形態５におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図１２】図１１に示すメタルマスクのＥ部詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
この発明をより詳細に説明するため、添付の図面に従ってこれを説明する。なお、各図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【００１６】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１におけるメタルマスクを示す平面図、図２は図１に示すメタルマスクのＡ部詳細図、図３は図２に示すメタルマスクのＢ部詳細図である。また、図４は図１に示すメタルマスクによって接着剤が塗布される半導体基板を示す平面図、図５は図４に示す半導体基板に接合用基板が接合された状態を示す側面図、図６は図５に示す接合基板の要部拡大図である。
【００１７】
図１乃至図３に示すメタルマスク１は、図４に示す半導体基板２の表面に、基板接合用の所定の接着剤３を塗布するためのものである。
【００１８】
半導体基板２は、シリコンウエハ等の半導体ウエハからなり、その表面に、ＩＣやＬＳＩ、ＭＥＭＳデバイス等からなる数多くの半導体素子４が形成されている。半導体基板２は、その表面に接着剤３が塗布されることにより、その接着剤３を介して表面側に所定の接合用基板５が接合されるものである。なお、接合用基板５は、シリコンウエハ等の半導体基板、或いは、封止用のガラス基板等によって構成される。図５は、半導体基板２と接合用基板５とが、半導体基板２の表面に塗布された接着剤３によって接合された状態を示している。そして、この状態の（半導体基板２及び接合用基板５により構成される）接合基板が円盤状のブレード等を用いて半導体素子４毎の領域に切断（ダイシング）されることにより、上記接合基板が個々の半導体装置に分割される。即ち、上記半導体基板２は、半導体素子４が形成された各部分が、上記半導体装置の一部を構成する。
【００１９】
なお、半導体基板２には、半導体素子４が形成されていない部分も存在する。以下においては、図４に示すように、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成された（後に半導体装置の一部を構成する）領域をパターン領域６ａとも表記し、半導体素子４が形成されていない（半導体装置を構成しない）領域をパターン領域外６ｂとも表記する。
【００２０】
一方、半導体基板２に接着剤３を塗布するための上記メタルマスク１には、上記パターン領域６ａに対応する開口部７（第１開口部）と、上記パターン領域外６ｂに対応する開口部８（第２開口部）とが形成されている。なお、９は位置合わせ用としてメタルマスク１に形成された認識マークである。
【００２１】
上記開口部７は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されたそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。具体的に、開口部７は、パターン領域６ａの外形を示す一点鎖線Ｃ（図１参照）の内側に形成された多数の開口から構成され、例えば、各半導体素子４の周囲を囲むように上記開口が形成されている。なお、図１の一点鎖線Ｃは、説明用として示したものであって、メタルマスク１の表面に実在するものではない。
【００２２】
また、開口部８は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記接合基板のダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。この開口部８は、図１に示す一点鎖線Ｃの外側に形成された多数の開口から構成される。
【００２３】
具体的に、開口部８は、上記開口部７の開口パターンと同じ開口パターンを有しており、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされることにより、半導体基板２のパターン領域外６ｂの対向位置に配置される。なお、この開口部８は、メタルマスク１が半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の外形に極接近する位置まで形成されている（図３参照）。即ち、開口部８は、半導体基板２の表面の周縁部に対しても、適量の接着剤３を塗布することができるように形成されている。
このため、上記構成のメタルマスク１を使用することにより、半導体基板２の表面の全体に、一様のパターンで接着剤３を塗布することができる。
【００２４】
次に、上記構成を有するメタルマスク１を使用して接合基板を作製し、個々の半導体装置に分割する具体的な手順について説明する。
半導体装置の製造においては、先ず、シリコンウエハ等からなる半導体基板２の表面に、多数の半導体素子４を既知の方法によって所定のパターンで形成する。次に、半導体素子４が形成された表面（一面）を上向きに配置して半導体基板２を固定し、その表面に、上記構成のメタルマスク１を使用して接着剤３を塗布する。
【００２５】
上記接着剤３の塗布工程においては、先ず、裏面が固定された半導体基板２の上方の所定位置に、認識マーク９を基準としてメタルマスク１を適切に配置する。次に、メタルマスク１の上面側でスキージ（図示せず）を移動させることにより、開口部７及び開口部８の各開口内に接着剤３を充填し、所定量の接着剤３を半導体基板２の表面に付着させる。即ち、かかるスキージ動作により、開口部７を通過した接着剤３が、半導体素子４を形成するそれぞれの領域に対して塗布される。また、同時に（同じスキージ動作により）、開口部８を通過した接着剤３が、半導体素子４を形成しない領域の全体に対しても塗布される。
【００２６】
メタルマスク１を使用することによって半導体基板２の一面全体に一様のパターンで接着剤３を塗布した後、半導体基板２の上記一面に接合用基板５を載置して（図５参照）、接着剤３を硬化させる。そして、接着剤３の硬化によって半導体基板２と接合用基板５とを接合した後、この接合基板を、半導体基板２に形成された半導体素子４毎の領域に切断（ダイシング）し、接合基板を個々の半導体装置に分割する。
【００２７】
上記接合基板を切断するために、例えば円盤状のブレードを用いる場合、接合基板の半導体素子４が形成されていない部分は、半導体素子４が形成されている部分と同じように直線状に切断され、各半導体装置と同様の形状に固片化される。なお、接着剤３の塗布に用いられる上記メタルマスク１は、開口部８が開口部７と同一の開口パターンを有しているため、接着剤３は、半導体基板２の半導体素子４が形成されていない領域に対しても、半導体素子４が形成されている領域と同じように塗布されている。即ち、接着剤３は、ダイシングによって固片化されるそれぞれの部分に付着されて接着力を発揮しており、ダイシング時に接合基板の半導体素子４が設けられていない部分が切断されたとしても、その部分の接合用基板５が半導体基板２から剥がれてしまうようなことはない。
【００２８】
この発明の実施の形態１によれば、上記構成のメタルマスク１を使用して半導体基板２の表面に接着剤３を塗布することにより、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができるようになる。このため、ダイシング時のチップの損傷を防止し、半導体装置を製造する際の歩留りを向上させることができる。また、ブレードの長寿命化及びダイシング精度の向上を図ることも可能となる。
【００２９】
実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２におけるメタルマスクの図２相当図、図８は図７に示すメタルマスクのＤ部詳細図である。
図７及び図８において、１０はメタルマスク１に形成された開口部であり、半導体基板２のパターン領域外６ｂに対応して形成されたものを示している。即ち、開口部１０は、第２開口部を構成する。実施の形態１では、第１開口部と第２開口部とが同じ開口パターンを有する場合について説明した。一方、本実施の形態は、第２開口部の開口パターンが第１開口部の開口パターンと異なる場合を示している。
【００３０】
具体的に、開口部１０は、円形状を呈する多数の開口から構成されている。そして、この円形状の開口は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記接合基板のダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。
なお、第１開口部からなる開口部７を含め、他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３１】
上記構成を有するメタルマスク１であっても、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。なお、第２開口部の開口パターンは、メタルマスク１に要求される特性等に合わせてその形状及び配置を適宜設定すれば良く、図７及び図８に示すものに限定される訳ではない。例えば、本実施の形態における構成であれば、メタルマスク１に対して、比較的容易に所定の強度を付与することが可能となる。
【００３２】
実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３における第１開口部の開口パターンを示す図である。
図９において、１１はメタルマスク１に形成された開口部であり、半導体基板２のパターン領域６ａに対応して形成されたものを示している。即ち、開口部１１は、第１開口部を構成する。なお、第２開口部は図示していないが、その開口パターンは開口部１１の開口パターンと同じであっても良い。
【００３３】
開口部１１は、半導体基板２のパターン領域６ａのうち、半導体素子４間の領域全体にも接着剤３を塗布することができるように形成されている。即ち、上記開口部１１が形成されたメタルマスク１を使用した場合、半導体基板２に対して、ブレードによって切断される部分に対しても接着剤３が塗布される。かかる構成を有するメタルマスク１であっても、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００３４】
その他の構成は、実施の形態１又は２と同様である。
なお、接着剤３を半導体基板２に対して厚塗りすることができるように、上記構成のメタルマスク１を、特願２００９−７９０５２に提案されているようなメタルマスクに適用しても良い。かかる場合、メタルマスク１は、複数の金属メッキ層から構成され、開口部１１を形成するブリッジ部分（図９に示すＦ）が、この複数の金属メッキ層に所望の配置で形成される。
【００３５】
実施の形態４．
図１０はこの発明の実施の形態４におけるメタルマスクの図２相当図である。実施の形態１乃至３においては、半導体基板２の外形に極接近する位置まで第２開口部が形成されている場合について説明した。しかし、メタルマスク１がこのような構成の第２開口部を有していると、例えば、接着剤３の粘度が低い場合に、接着剤３の塗布後に半導体基板２の外周面２ａ（端面）に接着剤３が付着してしまう恐れがある。
【００３６】
本実施の形態におけるメタルマスク１は、上述のような問題を防止するための構成を有している。具体的に、図１０に示すメタルマスク１には、半導体基板２のパターン領域６ａに対応する開口部７（第１開口部）に加え、半導体基板２の表面の縁部に対向する対向部１２と、対向部１２が対向する部分以外のパターン領域外６ｂに対応する開口部１３（第２開口部）とが設けられている。
【００３７】
上記対向部１２は、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の表面の周縁部全体に渡って所定の幅で対向するように設けられている。具体的に、対向部１２は、半導体基板２の表面のうち、ダイシング時に分割（固片化）される最も外側の領域と、その領域の一つ内側に配置された領域の一部とにのみ対向し得るように設けられている。なお、半導体基板２の外周面２ａに対して接着剤３が付着することを防止するため、この対向部１２には開口が形成されていない。
【００３８】
一方、開口部１３は、上記開口部７の開口パターンと同じ開口パターンを有しており、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記周縁部を除く領域の全体（即ち、上記周縁部を除いた、ダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域）に対して、接着剤３を塗布することができるように形成されている。
【００３９】
なお、上記構成のメタルマスク１を使用した場合、半導体基板２の上記周縁部（或いは、接着剤３の粘度等によっては上記周縁部の一部）には、接着剤３が塗布されない。このため、ダイシング時に固片化されるもののうち、その全体が上記周縁部内に配置されるものについては、ダイシングの際に接合用基板５が半導体基板２から剥がれてしまう恐れがある。具体的に、上記構成のメタルマスク１を使用して接着剤３の塗布を行うと、ダイシング時に固片化されるもののうち、最外部に配置されたものの一つ内側のものに対しては、接着剤３が必ず塗布される。このため、ダイシング時に接合用基板５の剥がれが発生する可能性があるものは、ダイシングによって小片化される接合用基板５のうち、最外部に位置するものの一部のみに限られる。
【００４０】
一方、接合用基板５が半導体基板２に接着されていない部分をダイシングする場合、ブレードによる切断方向やその回転速度等を適切に設定することにより、接合用基板５が半導体基板２から剥がれる際に、その小片を所定の方向に飛ばすことができることも経験的に分かっている。
【００４１】
このため、上記構成のメタルマスク１を使用しても、実施の形態１と同様の効果を奏することは可能である。即ち、接合用基板５の剥がれの発生を最外部に位置するもののみに限定し、且つ、ダイシング時の適切な設定によって、剥がれた接合用基板５の小片をチップが存在しない方向に飛ばすことができれば、上記小片によるチップの損傷を確実に防止できる。また、本実施の形態におけるメタルマスク１であれば、外周面２ａに対する接着剤３の付着も防止できる。
その他は、他の何れかの実施の形態と同様の構成を有している。
【００４２】
実施の形態５．
図１１はこの発明の実施の形態５におけるメタルマスクの図２相当図、図１２は図１１に示すメタルマスクのＥ部詳細図である。本実施の形態におけるメタルマスク１は、実施の形態４に示したものに加え、更に、開口部１４を備えている。
【００４３】
上記開口部１４は、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の外形の僅か内側となる部分に、その外形に沿って配置されるように形成されている。なお、図１１及び図１２に示すメタルマスク１では、開口部１４と半導体基板２の外形との間に配置される部分が、上記対向部１２を構成する。
【００４４】
メタルマスク１に上記構成の開口部１４を備えることにより、半導体基板２の外形に沿って均一に接着剤３を塗布することができ、接合用基板５の接着時に、接合用基板５を半導体基板２の表面側に安定して配置することが可能となる。
なお、本実施の形態では、開口部１４によって接着剤３を一本の線状に塗布する場合について示しているが、これは単に一例を示したものであり、開口部１４は、例えば、接着剤３を複数本の線状に塗布するような開口パターンを有していても良い。また、上記開口部１４を実施の形態１乃至３に示すメタルマスク１に適用しても良い。
【符号の説明】
【００４５】
１ メタルマスク
２ 半導体基板
２ａ 外周面
３ 接着剤
４ 半導体素子
５ 接合用基板
６ａ パターン領域
６ｂ パターン領域外
７、１１ 開口部（第１開口部）
８、１０、１３ 開口部（第２開口部）
９ 認識マーク
１２ 対向部
１４ 開口部
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板の一面に接着剤を塗布するためのメタルマスクと、メタルマスクを用いた半導体装置の製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ、ＭＥＭＳデバイス等の数多くの半導体素子が表面に形成された半導体基板は、例えば、円盤状のブレードを用いてダイシングされることにより、個々の半導体装置に分割される（例えば、特許文献１参照）。
また、半導体装置の製造に関する他の従来技術として、２枚の半導体基板を接着剤で接合した後、接合された２枚の半導体基板をスクライビング及びブレーキングすることによって、半導体装置を個々に分割するものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２００９−６６６９１号公報
【特許文献２】特表２００５−５３４０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２に記載の半導体装置のように、その製造過程において、複数の基板（シリコンウエハ等の半導体基板同士、或いは、半導体基板と封止用のガラス基板等）が接合されたもの（以下、「接合基板」ともいう）を分割する場合、特許文献１に記載のダイシング装置のようなものを使用すると、ダイシングの際に上側の基板の一部が剥がれ、チップやブレードが損傷してしまう恐れがあった。
【０００５】
例えば、特許文献２に記載のものでは、半導体基板の周囲と基板上の各半導体素子の周囲との双方に、接着剤を塗布することが推奨されている（特許文献２の００４６欄）。しかし、このような接着方法によって２枚の半導体基板を接合すると、ダイシングによるチップ化を行う際に、上側の半導体基板の一部が、接着剤が全く塗布されていない小片に分割されてしまうことがある。即ち、剥がれた上記小片によって、チップやブレードが損傷を受けてしまう恐れがあった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、接合基板をダイシングする際のチップやブレードの損傷を確実に防止することができるように、半導体基板に対して接着剤を塗布することができるメタルマスクと、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができる半導体装置の製造方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るメタルマスクは、複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成しない領域の全体に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備えたものである。
【０００８】
また、この発明に係るメタルマスクは、所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備えたものである。
【０００９】
また、この発明に係るメタルマスクは、複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、所定の縁部を除いた半導体素子を形成しない領域の全体に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備え、半導体基板の一面の縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないものである。
【００１０】
また、この発明に係るメタルマスクは、所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、半導体基板の一面のうち、所定の縁部を除いた半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、を備え、半導体基板の一面の縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないものである。
【００１１】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成された半導体基板を固定する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体素子を形成しない領域の全体に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、接着剤が塗布された半導体基板の一面に、所定の接合用基板を接合する工程と、接合された半導体基板及び接合用基板をダイシングすることによって半導体素子毎に分割する工程と、を備えたものである。
【００１２】
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と接合用基板とが共にダイシングされることによって、個々の半導体装置に分割される半導体装置の製造方法であって、半導体基板を固定する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、半導体基板を固定した後、半導体基板の一面のうち、半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、接着剤が塗布された半導体基板の一面に、接合用基板を接合する工程と、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るメタルマスクによれば、接合基板をダイシングする際のチップやブレードの損傷を確実に防止することができるように、半導体基板に対して接着剤を塗布することができるようになる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法によれば、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１におけるメタルマスクを示す平面図である。
【図２】図１に示すメタルマスクのＡ部詳細図である。
【図３】図２に示すメタルマスクのＢ部詳細図である。
【図４】図１に示すメタルマスクによって接着剤が塗布される半導体基板を示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体基板に接合用基板が接合された状態を示す側面図である。
【図６】図５に示す接合基板の要部拡大図である。
【図７】この発明の実施の形態２におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図８】図７に示すメタルマスクのＤ部詳細図である。
【図９】この発明の実施の形態３における第１開口部の開口パターンを示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態４におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図１１】この発明の実施の形態５におけるメタルマスクの図２相当図である。
【図１２】図１１に示すメタルマスクのＥ部詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
この発明をより詳細に説明するため、添付の図面に従ってこれを説明する。なお、各図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【００１６】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１におけるメタルマスクを示す平面図、図２は図１に示すメタルマスクのＡ部詳細図、図３は図２に示すメタルマスクのＢ部詳細図である。また、図４は図１に示すメタルマスクによって接着剤が塗布される半導体基板を示す平面図、図５は図４に示す半導体基板に接合用基板が接合された状態を示す側面図、図６は図５に示す接合基板の要部拡大図である。
【００１７】
図１乃至図３に示すメタルマスク１は、図４に示す半導体基板２の表面に、基板接合用の所定の接着剤３を塗布するためのものである。
【００１８】
半導体基板２は、シリコンウエハ等の半導体ウエハからなり、その表面に、ＩＣやＬＳＩ、ＭＥＭＳデバイス等からなる数多くの半導体素子４が形成されている。半導体基板２は、その表面に接着剤３が塗布されることにより、その接着剤３を介して表面側に所定の接合用基板５が接合されるものである。なお、接合用基板５は、シリコンウエハ等の半導体基板、或いは、封止用のガラス基板等によって構成される。図５は、半導体基板２と接合用基板５とが、半導体基板２の表面に塗布された接着剤３によって接合された状態を示している。そして、この状態の（半導体基板２及び接合用基板５により構成される）接合基板が円盤状のブレード等を用いて半導体素子４毎の領域に切断（ダイシング）されることにより、上記接合基板が個々の半導体装置に分割される。即ち、上記半導体基板２は、半導体素子４が形成された各部分が、上記半導体装置の一部を構成する。
【００１９】
なお、半導体基板２には、半導体素子４が形成されていない部分も存在する。以下においては、図４に示すように、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成された（後に半導体装置の一部を構成する）領域をパターン領域６ａとも表記し、半導体素子４が形成されていない（半導体装置を構成しない）領域をパターン領域外６ｂとも表記する。
【００２０】
一方、半導体基板２に接着剤３を塗布するための上記メタルマスク１には、上記パターン領域６ａに対応する開口部７（第１開口部）と、上記パターン領域外６ｂに対応する開口部８（第２開口部）とが形成されている。なお、９は位置合わせ用としてメタルマスク１に形成された認識マークである。
【００２１】
上記開口部７は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されたそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。具体的に、開口部７は、パターン領域６ａの外形を示す一点鎖線Ｃ（図１参照）の内側に形成された多数の開口から構成され、例えば、各半導体素子４の周囲を囲むように上記開口が形成されている。なお、図１の一点鎖線Ｃは、説明用として示したものであって、メタルマスク１の表面に実在するものではない。
【００２２】
また、開口部８は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記接合基板のダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。この開口部８は、図１に示す一点鎖線Ｃの外側に形成された多数の開口から構成される。
【００２３】
具体的に、開口部８は、上記開口部７の開口パターンと同じ開口パターンを有しており、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされることにより、半導体基板２のパターン領域外６ｂの対向位置に配置される。なお、この開口部８は、メタルマスク１が半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の外形に極接近する位置まで形成されている（図３参照）。即ち、開口部８は、半導体基板２の表面の周縁部に対しても、適量の接着剤３を塗布することができるように形成されている。
このため、上記構成のメタルマスク１を使用することにより、半導体基板２の表面の全体に、一様のパターンで接着剤３を塗布することができる。
【００２４】
次に、上記構成を有するメタルマスク１を使用して接合基板を作製し、個々の半導体装置に分割する具体的な手順について説明する。
半導体装置の製造においては、先ず、シリコンウエハ等からなる半導体基板２の表面に、多数の半導体素子４を既知の方法によって所定のパターンで形成する。次に、半導体素子４が形成された表面（一面）を上向きに配置して半導体基板２を固定し、その表面に、上記構成のメタルマスク１を使用して接着剤３を塗布する。
【００２５】
上記接着剤３の塗布工程においては、先ず、裏面が固定された半導体基板２の上方の所定位置に、認識マーク９を基準としてメタルマスク１を適切に配置する。次に、メタルマスク１の上面側でスキージ（図示せず）を移動させることにより、開口部７及び開口部８の各開口内に接着剤３を充填し、所定量の接着剤３を半導体基板２の表面に付着させる。即ち、かかるスキージ動作により、開口部７を通過した接着剤３が、半導体素子４を形成するそれぞれの領域に対して塗布される。また、同時に（同じスキージ動作により）、開口部８を通過した接着剤３が、半導体素子４を形成しない領域の全体に対しても塗布される。
【００２６】
メタルマスク１を使用することによって半導体基板２の一面全体に一様のパターンで接着剤３を塗布した後、半導体基板２の上記一面に接合用基板５を載置して（図５参照）、接着剤３を硬化させる。そして、接着剤３の硬化によって半導体基板２と接合用基板５とを接合した後、この接合基板を、半導体基板２に形成された半導体素子４毎の領域に切断（ダイシング）し、接合基板を個々の半導体装置に分割する。
【００２７】
上記接合基板を切断するために、例えば円盤状のブレードを用いる場合、接合基板の半導体素子４が形成されていない部分は、半導体素子４が形成されている部分と同じように直線状に切断され、各半導体装置と同様の形状に固片化される。なお、接着剤３の塗布に用いられる上記メタルマスク１は、開口部８が開口部７と同一の開口パターンを有しているため、接着剤３は、半導体基板２の半導体素子４が形成されていない領域に対しても、半導体素子４が形成されている領域と同じように塗布されている。即ち、接着剤３は、ダイシングによって固片化されるそれぞれの部分に付着されて接着力を発揮しており、ダイシング時に接合基板の半導体素子４が設けられていない部分が切断されたとしても、その部分の接合用基板５が半導体基板２から剥がれてしまうようなことはない。
【００２８】
この発明の実施の形態１によれば、上記構成のメタルマスク１を使用して半導体基板２の表面に接着剤３を塗布することにより、接合基板をダイシングする際のチップ及びブレードの損傷を確実に防止することができるようになる。このため、ダイシング時のチップの損傷を防止し、半導体装置を製造する際の歩留りを向上させることができる。また、ブレードの長寿命化及びダイシング精度の向上を図ることも可能となる。
【００２９】
実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２におけるメタルマスクの図２相当図、図８は図７に示すメタルマスクのＤ部詳細図である。
図７及び図８において、１０はメタルマスク１に形成された開口部であり、半導体基板２のパターン領域外６ｂに対応して形成されたものを示している。即ち、開口部１０は、第２開口部を構成する。実施の形態１では、第１開口部と第２開口部とが同じ開口パターンを有する場合について説明した。一方、本実施の形態は、第２開口部の開口パターンが第１開口部の開口パターンと異なる場合を示している。
【００３０】
具体的に、開口部１０は、円形状を呈する多数の開口から構成されている。そして、この円形状の開口は、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記接合基板のダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域に対して接着剤３を塗布することができるように形成されている。
なお、第１開口部からなる開口部７を含め、他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３１】
上記構成を有するメタルマスク１であっても、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。なお、第２開口部の開口パターンは、メタルマスク１に要求される特性等に合わせてその形状及び配置を適宜設定すれば良く、図７及び図８に示すものに限定される訳ではない。例えば、本実施の形態における構成であれば、メタルマスク１に対して、比較的容易に所定の強度を付与することが可能となる。
【００３２】
実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３における第１開口部の開口パターンを示す図である。
図９において、１１はメタルマスク１に形成された開口部であり、半導体基板２のパターン領域６ａに対応して形成されたものを示している。即ち、開口部１１は、第１開口部を構成する。なお、第２開口部は図示していないが、その開口パターンは開口部１１の開口パターンと同じであっても良い。
【００３３】
開口部１１は、半導体基板２のパターン領域６ａのうち、半導体素子４間の領域全体にも接着剤３を塗布することができるように形成されている。即ち、上記開口部１１が形成されたメタルマスク１を使用した場合、半導体基板２に対して、ブレードによって切断される部分に対しても接着剤３が塗布される。かかる構成を有するメタルマスク１であっても、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００３４】
その他の構成は、実施の形態１又は２と同様である。
なお、接着剤３を半導体基板２に対して厚塗りすることができるように、上記構成のメタルマスク１を、特願２００９−７９０５２に提案されているようなメタルマスクに適用しても良い。かかる場合、メタルマスク１は、複数の金属メッキ層から構成され、開口部１１を形成するブリッジ部分（図９に示すＦ）が、この複数の金属メッキ層に所望の配置で形成される。
【００３５】
実施の形態４．
図１０はこの発明の実施の形態４におけるメタルマスクの図２相当図である。実施の形態１乃至３においては、半導体基板２の外形に極接近する位置まで第２開口部が形成されている場合について説明した。しかし、メタルマスク１がこのような構成の第２開口部を有していると、例えば、接着剤３の粘度が低い場合に、接着剤３の塗布後に半導体基板２の外周面２ａ（端面）に接着剤３が付着してしまう恐れがある。
【００３６】
本実施の形態におけるメタルマスク１は、上述のような問題を防止するための構成を有している。具体的に、図１０に示すメタルマスク１には、半導体基板２のパターン領域６ａに対応する開口部７（第１開口部）に加え、半導体基板２の表面の縁部に対向する対向部１２と、対向部１２が対向する部分以外のパターン領域外６ｂに対応する開口部１３（第２開口部）とが設けられている。
【００３７】
上記対向部１２は、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の表面の周縁部全体に渡って所定の幅で対向するように設けられている。具体的に、対向部１２は、半導体基板２の表面のうち、ダイシング時に分割（固片化）される最も外側の領域と、その領域の一つ内側に配置された領域の一部とにのみ対向し得るように設けられている。なお、半導体基板２の外周面２ａに対して接着剤３が付着することを防止するため、この対向部１２には開口が形成されていない。
【００３８】
一方、開口部１３は、上記開口部７の開口パターンと同じ開口パターンを有しており、半導体基板２の表面のうち、半導体素子４が形成されていない領域であって、上記周縁部を除く領域の全体（即ち、上記周縁部を除いた、ダイシング時に分割（固片化）されるそれぞれの領域）に対して、接着剤３を塗布することができるように形成されている。
【００３９】
なお、上記構成のメタルマスク１を使用した場合、半導体基板２の上記周縁部（或いは、接着剤３の粘度等によっては上記周縁部の一部）には、接着剤３が塗布されない。このため、ダイシング時に固片化されるもののうち、その全体が上記周縁部内に配置されるものについては、ダイシングの際に接合用基板５が半導体基板２から剥がれてしまう恐れがある。具体的に、上記構成のメタルマスク１を使用して接着剤３の塗布を行うと、ダイシング時に固片化されるもののうち、最外部に配置されたものの一つ内側のものに対しては、接着剤３が必ず塗布される。このため、ダイシング時に接合用基板５の剥がれが発生する可能性があるものは、ダイシングによって小片化される接合用基板５のうち、最外部に位置するものの一部のみに限られる。
【００４０】
一方、接合用基板５が半導体基板２に接着されていない部分をダイシングする場合、ブレードによる切断方向やその回転速度等を適切に設定することにより、接合用基板５が半導体基板２から剥がれる際に、その小片を所定の方向に飛ばすことができることも経験的に分かっている。
【００４１】
このため、上記構成のメタルマスク１を使用しても、実施の形態１と同様の効果を奏することは可能である。即ち、接合用基板５の剥がれの発生を最外部に位置するもののみに限定し、且つ、ダイシング時の適切な設定によって、剥がれた接合用基板５の小片をチップが存在しない方向に飛ばすことができれば、上記小片によるチップの損傷を確実に防止できる。また、本実施の形態におけるメタルマスク１であれば、外周面２ａに対する接着剤３の付着も防止できる。
その他は、他の何れかの実施の形態と同様の構成を有している。
【００４２】
実施の形態５．
図１１はこの発明の実施の形態５におけるメタルマスクの図２相当図、図１２は図１１に示すメタルマスクのＥ部詳細図である。本実施の形態におけるメタルマスク１は、実施の形態４に示したものに加え、更に、開口部１４を備えている。
【００４３】
上記開口部１４は、メタルマスク１が認識マーク９を基準として半導体基板２に対して位置合わせされた際に、半導体基板２の外形の僅か内側となる部分に、その外形に沿って配置されるように形成されている。なお、図１１及び図１２に示すメタルマスク１では、開口部１４と半導体基板２の外形との間に配置される部分が、上記対向部１２を構成する。
【００４４】
メタルマスク１に上記構成の開口部１４を備えることにより、半導体基板２の外形に沿って均一に接着剤３を塗布することができ、接合用基板５の接着時に、接合用基板５を半導体基板２の表面側に安定して配置することが可能となる。
なお、本実施の形態では、開口部１４によって接着剤３を一本の線状に塗布する場合について示しているが、これは単に一例を示したものであり、開口部１４は、例えば、接着剤３を複数本の線状に塗布するような開口パターンを有していても良い。また、上記開口部１４を実施の形態１乃至３に示すメタルマスク１に適用しても良い。
【符号の説明】
【００４５】
１ メタルマスク
２ 半導体基板
２ａ 外周面
３ 接着剤
４ 半導体素子
５ 接合用基板
６ａ パターン領域
６ｂ パターン領域外
７、１１ 開口部（第１開口部）
８、１０、１３ 開口部（第２開口部）
９ 認識マーク
１２ 対向部
１４ 開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成しない領域の全体に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備えたことを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備えたことを特徴とするメタルマスク。
【請求項３】
複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、所定の縁部を除いた前記半導体素子を形成しない領域の全体に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備え、
前記半導体基板の前記一面の前記縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないことを特徴とするメタルマスク。
【請求項４】
所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、所定の縁部を除いた前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備え、
前記半導体基板の前記一面の前記縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないことを特徴とするメタルマスク。
【請求項５】
前記対向部は、前記半導体基板の前記一面のうち、ダイシング時に分割される最も外側の領域と、その領域の一つ内側に配置された領域の一部とにのみ対向し得るように設けられたことを特徴とする請求項４に記載のメタルマスク。
【請求項６】
前記対向部は、前記半導体基板の前記一面の周縁部に渡り、所定の幅で対向することを特徴とする請求項３から請求項５の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項７】
前記第２開口部は、前記第１開口部と異なる開口パターンを有することを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項８】
前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記半導体基板の前記一面に、一様のパターンで前記接着剤を塗布することができるように形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項９】
複数の半導体素子が形成された半導体基板を固定する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成しない領域の全体に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
接着剤が塗布された前記半導体基板の前記一面に、所定の接合用基板を接合する工程と、
接合された前記半導体基板及び前記接合用基板をダイシングすることによって前記半導体素子毎に分割する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体素子を形成する領域に対する接着剤の塗布と、前記半導体素子を形成しない領域に対する接着剤の塗布とは、同一のメタルマスクを使用して同時に行われることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と接合用基板とが共にダイシングされることによって、個々の半導体装置に分割される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を固定する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
接着剤が塗布された前記半導体基板の前記一面に、前記接合用基板を接合する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体装置を構成する領域に対する接着剤の塗布と、前記半導体装置を構成しない領域に対する接着剤の塗布とは、同一のメタルマスクを使用して同時に行われることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
接合された前記半導体基板と前記接合用基板とのダイシングは、ブレードを用いた切断によって行われることを特徴とする請求項９から請求項１２の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成しない領域の全体に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備えたことを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備えたことを特徴とするメタルマスク。
【請求項３】
複数の半導体素子が形成された半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、所定の縁部を除いた前記半導体素子を形成しない領域の全体に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備え、
前記半導体基板の前記一面の前記縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないことを特徴とするメタルマスク。
【請求項４】
所定の接合用基板と共にダイシングされることによって個々の半導体装置に分割される半導体基板の一面に、基板接合用の接着剤を塗布するためのメタルマスクであって、
前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第１開口部と、
前記半導体基板の前記一面のうち、所定の縁部を除いた前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対して、前記接着剤を塗布するために形成された第２開口部と、
を備え、
前記半導体基板の前記一面の前記縁部に対向する対向部に、開口が形成されていないことを特徴とするメタルマスク。
【請求項５】
前記対向部は、前記半導体基板の前記一面のうち、ダイシング時に分割される最も外側の領域と、その領域の一つ内側に配置された領域の一部とにのみ対向し得るように設けられたことを特徴とする請求項４に記載のメタルマスク。
【請求項６】
前記対向部は、前記半導体基板の前記一面の周縁部に渡り、所定の幅で対向することを特徴とする請求項３から請求項５の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項７】
前記第２開口部は、前記第１開口部と異なる開口パターンを有することを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項８】
前記第１開口部及び前記第２開口部は、前記半導体基板の前記一面に、一様のパターンで前記接着剤を塗布することができるように形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のメタルマスク。
【請求項９】
複数の半導体素子が形成された半導体基板を固定する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の一面のうち、前記半導体素子を形成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体素子を形成しない領域の全体に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
接着剤が塗布された前記半導体基板の前記一面に、所定の接合用基板を接合する工程と、
接合された前記半導体基板及び前記接合用基板をダイシングすることによって前記半導体素子毎に分割する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体素子を形成する領域に対する接着剤の塗布と、前記半導体素子を形成しない領域に対する接着剤の塗布とは、同一のメタルマスクを使用して同時に行われることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と接合用基板とが共にダイシングされることによって、個々の半導体装置に分割される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を固定する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成するそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
前記半導体基板を固定した後、前記半導体基板の前記一面のうち、前記半導体装置を構成しない領域であってダイシング時に分割されるそれぞれの領域に対し、メタルマスクを使用して接着剤を塗布する工程と、
接着剤が塗布された前記半導体基板の前記一面に、前記接合用基板を接合する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体装置を構成する領域に対する接着剤の塗布と、前記半導体装置を構成しない領域に対する接着剤の塗布とは、同一のメタルマスクを使用して同時に行われることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
接合された前記半導体基板と前記接合用基板とのダイシングは、ブレードを用いた切断によって行われることを特徴とする請求項９から請求項１２の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−３７０２６（Ｐ２０１１−３７０２６Ａ）
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８３７２６（Ｐ２００９−１８３７２６）
【出願日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【出願人】（３０００７１８２３）株式会社ボンマーク (54)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【出願人】（３０００７１８２３）株式会社ボンマーク (54)
【Ｆターム（参考）】
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