【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｙ^０は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒ^０はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基又は酸素原子（＝Ｏ）を表す。ｐは０又は１である。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
［化１］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｙ^０は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒ^０はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基又は酸素原子（＝Ｏ）を表す。ｐは０又は１である。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］
【請求項２】
前記酸発生剤（Ｂ１）の含有割合が、前記基材成分（Ａ）の１００質量部に対して０．１〜５０質量部の範囲内である請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
支持体上に、請求項１〜４のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項６】
下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。
【化２】

［式中、Ｙ^０は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒ^０はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基又は酸素原子（＝Ｏ）を表す。ｐは０又は１である。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］
【請求項７】
請求項６記載の化合物からなる酸発生剤。

【公開番号】特開２０１２−３７８６４（Ｐ２０１２−３７８６４Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６１５１４（Ｐ２０１１−６１５１４）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】