レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法
【課題】ドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるだけでなく、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止する。
【解決手段】本発明は、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は、前記反射膜パターンと対応する位置に形成されるマスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は、前記反射膜パターンと対応する位置に形成されるマスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、平板表示素子の有機電界発光素子は、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極とカソード電極との間に介された複数の有機膜層を含む。前記有機膜層は少なくとも発光層を含み、前記発光層の以外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は前記有機膜層、特に、前記発光層をなす物質によって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子において、フルカラー化を実現するためには前記発光層をパターニングしなければならず、前記発光層をパターニングするための方法として、低分子有機電界発光素子の場合、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を使用する方法があり、高分子有機電界発光素子の場合、インクジェットプリンティング（ｉｎｋ-ｊｅｔｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下、ＬＩＴＩという）がある。この中で、前記ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に使用でき、高解像度に有利であるという長所があるだけでなく、前記インクジェットプリンティングが湿式工程である反面、これは乾式工程であるという長所がある。
【０００４】
図１は、ＬＩＴＩを利用した有機膜層パターンの形成方法を説明する断面図である。
【０００５】
図１を参照すれば、有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０を所定の素子が形成された基板１１０上にラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する。前記有機膜層１３０が形成された前記ドナー基板１２０の所定領域にレーザビーム１５０を照射すると、前記レーザビームが前記ドナー基板１２０の光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、前記熱エネルギーによって転写層をなす有機膜層１３０が前記基板１１０上に転写されながら有機膜層パターンが形成される。この時、前記有機膜層１３０は熱エネルギーによって前記ドナー基板１２０から離れ、有機膜層１３０内の結合が切れながら前記基板１１０上に転写される。前記有機膜層１３０内の結合を切るのに必要なエネルギーは、前記有機膜層１３０を前記ドナー基板１２０から分離して転写させるのに必要なエネルギーより高いエネルギーが必要である。点線部分が有機膜層１３０内の結合が切れる部分を示す。
【０００６】
図２Ａは、従来のレーザ照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明する概略図である。
【０００７】
図２Ａを参照すれば、所定の素子が形成された基板１１０上に有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０がラミネーションされている。前記レーザ照射装置２００は、レーザ発生器２４０、パターニングされているマスク２６０、及びプロジェクションレンズ２７０を含む。前記レーザ発生器２４０から前記ドナー基板１２０の所定領域にレーザビーム２５０を照射する。この時、レーザ発生器２４０から照射された前記レーザビーム２５０は、パターニングされているマスク２６０を通過し、前記通過したレーザビーム２５０はプロジェクションレンズ２７０によって屈折して、前記ドナー基板１２０上に照射される。前記マスク２６０にパターニングされていない部分では前記レーザビーム２５０が遮断される。
【０００８】
前記レーザビーム２５０によって、ドナー基板１２０上の前記有機膜層１３０は前記基板１１０上に転写される。前記転写工程の後に、前記形成された有機膜層パターン上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図２Ｂは、従来のレーザ照射装置の問題点を説明するための断面図である。図２Ｂを参照すれば、従来のレーザ照射装置は、上述のように、マスク２６０のパターニングされている部分２６０ａにレーザビームが通過２５０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになるが、マスクのパターニングされていない部分、つまり、レーザビームが遮断される部分では、マスクによって前記レーザビームが反射２５０ｂされてレーザ発生器２４０を損傷させるようになる。
【００１０】
つまり、上述したマスクは金属材質からなっていて、マスクにパターニングされない部分ではレーザビームを完全に遮断し、パターニングされた部分だけでレーザを照射することができるので、ドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるという長所があるが、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させるという問題点がある。
【００１１】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できるレーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されるマスクが提供される。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ドナー基板上に転写層を形成する段階；基板上に第１電極を形成する段階；前記ドナー基板と前記基板をアラインする段階；前記ドナー基板にマスクを使用してレーザを照射する段階；及び前記第１電極上に転写層を転写する段階を含み、前記マスクは、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００１４】
ここで、前記散乱部は前記透明基板の前面に位置するようにしてもよい。
【００１５】
さらに、前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されるようにしてもよい。
【００１６】
さらに、前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されるようにしてもよい。
【００１７】
さらに、前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むようにしてもよい。
【００１８】
さらに、前記反射膜パターンは金属物質からなるようにしてもよい。
【００１９】
さらに、前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であるようにしてもよい。
【００２０】
さらに、前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるだけでなく、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ＬＩＴＩを利用した有機膜層パターンの形成方法を説明する断面図である。
【図２Ａ】従来のレーザ照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明する概略図である。
【図２Ｂ】従来のレーザ照射装置の問題点を説明するための断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【図５】散乱部の有無によるレーザビームの強度を示すグラフである。
【図６】本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図７Ａ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは便宜のために誇張して表現する場合もある。
【００２４】
図３Ａは本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００２５】
図３Ａを参照すれば、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００と、前記透明基板上の反射膜パターン３１０とを含み、また、前記透明基板３００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部３２０を含む。前記透明基板３００は光を透過させる石英のようなガラス基板とすることができ、前記反射膜パターン３１０は金属物質からなり、具体的にはＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物からなる群より選択される少なくともいずれか一つの物質を、蒸発法、ＣＶＤ、またはスパッタリング法を用いて形成することができる。なお、透明基板３００の材料としては、石英の他に、Ｂ２７０（ドイツ国、ＳＣＨＯＴＴ社製）、光学用ガラス等を用いることができる。
【００２６】
また、前記透明基板３００は、レーザビームが通過して前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写できるように透過領域３００ａを含む。図面においては、前記透過領域３３０ａが１つの領域と示されているが、これとは異なり、複数の領域で形成することもでき、この場合、ストライプ型、モザイク型、またはデルタ型の形態に形成することができる。
【００２７】
この時、前記反射膜パターン３１０は、レーザ発生器３４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００２８】
また、前記散乱部３２０は、レーザ発生器３４０が位置する面の透明基板上に形成されており、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。この時、前記散乱部３２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、前記透過領域３００ａより透過率の低い低透過率領域に該当する。このような散乱部３２０は、サンドブラスト（ｓａｎｄ ｂｌａｓｔｉｎｇ）法やウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）法等により形成される。荒い形状や凹凸形状は、いずれも、尖った荒い表面を持つものである。少なくとも、散乱部３２０によってレーザビームが散乱される程度に、荒い形状や凹凸形状が形成される。これにより、レーザ発生器３４０（ｍｅｔａｌ ｌａｙｅｒ、ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）への損傷が低減される。荒い形状は、凹凸に一定のパターンがなく、サンドブラスト法等により形成される。凹凸形状は、凹凸に一定のパターンを有するものであり、例えば、ピラミッド形状の凹凸パターンがアレイ状に形成されたものである。
【００２９】
以下、本発明において、レーザ発生器が位置する面の透明基板側を「透明基板の前面」、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側を「透明基板の後面」と定義する。
【００３０】
つまり、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００上にレーザビームが通過する透過領域３００ａと、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の前面に位置する散乱部３２０と、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０とを含んで形成されている。
【００３１】
図３Ｂは、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【００３２】
図３Ｂを参照すれば、上述のように、第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００上にレーザビームが通過する透過領域３００ａと、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の前面に位置する散乱部３２０と、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０とを含んで形成されている。
【００３３】
この時、レーザ発生器３４０からレーザビームが照射されると、前記透過領域３００ａにレーザビームが通過３３０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになる。
【００３４】
一方、透過領域を除いた領域においては、まず、前記透過領域３００ａより透過率が低い低透過率領域である散乱部３２０を通過したレーザビームは、レーザビームの強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が弱まり、以降、前記レーザビームは透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０によってさらに散乱部３２０側に反射される。
【００３５】
この時、前記散乱部３２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、レーザビームが不規則的な方向に前記散乱部３２０を通過するようになり、前記レーザビームは、一部はレーザ発生器がない領域に照射３２０ｂされ、一部はレーザ発生器がある領域に照射３２０ｃされる。
【００３６】
つまり、反射膜パターンによって反射されたレーザビームは、レーザ発生器が位置する方向に不規則的に照射されるようになり、一部はレーザ発生器がない領域に照射され、このためにレーザ発生器がレーザビームによって損傷せず、また、一部はレーザ発生器がある領域に照射されるが、散乱部３２０を通過したレーザビームは強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００３７】
図５は、散乱部の有無によるレーザビームの強度を示すグラフである。
【００３８】
図５を参照すれば、第１マスク５００は透過領域５５０ａと散乱部５５０ｂとを含んで構成されており、第２マスク６００は散乱部６００ｂを含んで構成されている。
【００３９】
この時、前記第２マスクの散乱部６００ｂは、第１マスクの散乱部５５０ｂと重畳している。
【００４０】
つまり、Ａは第１マスクの散乱部５５０ｂを通過したレーザビーム領域を示し、Ｂは第１マスクの透過領域５５０ａを通過したレーザビーム領域を示し、Ｃは第１マスクの散乱部５５０ｂと第２マスクの散乱部６００ｂとを通過したレーザビーム領域を示す。
【００４１】
図５から分かるように、散乱部を通過せずに透過領域だけを通過したレーザビームの強度は、約９０％に相当した。しかし、第１マスクの散乱部５５０ｂを通過したレーザビームの強度は、約３０％程度に弱まっており、また、第１マスクの散乱部５５０ｂと第２マスクの散乱部６００ｂとを通過したレーザビームの強度は、約１０％程度に弱まった。
【００４２】
つまり、散乱部を通過したレーザビームの場合、強度が弱まったことが分かり、したがって、本発明のように、散乱部３２０を通過した一部のレーザビームが、レーザ発生器がある領域に照射されても、強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えなくなる。
【００４３】
図４Ａは、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００４４】
本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、後述することを除いては第１実施形態と同一である。
【００４５】
図４Ａを参照すれば、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００と、前記透明基板上の反射膜パターン４１０とを含み、また、前記透明基板４００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部４２０を含む。
【００４６】
また、前記透明基板４００は、レーザビームが通過して、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写できるように透過領域４００ａを含んでいる。
【００４７】
この時、前記反射膜パターン４１０は、レーザ発生器４４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００４８】
また、本発明の第２実施形態においては、第１実施形態とは異なり、前記散乱部４２０がレーザ発生器４４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。この時、前記散乱部４２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、前記透過領域４００ａより透過率の低い低透過率領域に該当する。
【００４９】
以下、本発明において、レーザ発生器が位置する面の透明基板側を「透明基板の前面」、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側を「透明基板の後面」と定義する。
【００５０】
つまり、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００上にレーザビームが通過する透過領域４００ａと、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の後面に位置する散乱部４２０と、前記散乱部４２０上に位置する反射膜パターン４１０とを含んで形成されている。
【００５１】
図４Ｂは、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【００５２】
図４Ｂを参照すれば、上述のように、第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００上にレーザビームが通過する透過領域４００ａと、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の後面に位置する散乱部４２０と、前記散乱部４２０上に位置する反射膜パターン４１０とを含んで形成されている。
【００５３】
この時、レーザ発生器４４０からレーザビームが照射されると、前記透過領域４００ａにレーザビームが通過４３０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになる。
【００５４】
一方、透過領域を除いた領域においては、まず、前記透過領域４００ａより透過率が低い低透過率領域である散乱部４２０を通過したレーザビームは、レーザビームの強度が弱まり、以降、前記レーザビームは透明基板の後面に位置する反射膜パターン４１０によってさらに散乱部４２０側に反射されるようになる。
【００５５】
この時、前記散乱部４２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、レーザビームが不規則的な方向に前記散乱部４２０を通過するようになり、前記レーザビームは、一部はレーザ発生器がない領域に照射４２０ｂされ、一部はレーザ発生器がある領域に照射４２０ｃされる。
【００５６】
つまり、反射膜パターンによって反射されたレーザビームは、レーザ発生器が位置する方向に不規則的に照射されるようになり、一部はレーザ発生器がない領域に照射されるようになるので、レーザ発生器がレーザビームによって損傷せず、また、一部はレーザ発生器がある領域に照射されるようになるが、散乱部４２０を通過したレーザビームは強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００５７】
図６は、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００５８】
本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、後述することを除いては第１実施形態及び第２実施形態と同一である。
【００５９】
図６を参照すれば、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板６００と、前記透明基板上の反射膜パターン６１０とを含み、また、前記透明基板６００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部６２０を含む。
【００６０】
また、前記反射膜パターン６１０は、レーザ発生器６４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００６１】
この時、本発明の第１実施形態においては、前記散乱部が透明基板の前面にだけ形成されており、第２実施形態においては、前記散乱部が透明基板の後面にだけ形成されているが、第３実施形態において、前記散乱部は、透明基板の前面に第１散乱部６２０ａが、透明基板の後面に第２散乱部６２０ｂが形成されている。
【００６２】
つまり、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板６００上にレーザビームが通過する透過領域６００ａと、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の前面に位置する第１散乱部６２０ａと、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の後面に位置する第２散乱部６２０ｂと、前記第２散乱部６２０ｂ上に位置する反射膜パターン６１０とを含んで形成されている。
【００６３】
したがって、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、散乱部が前面、後面のいずれにも位置していて、散乱部を通過したレーザビームは、強度がさらに弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００６４】
以上のように、本発明によるレーザ熱転写用マスクは、透明基板の後面に反射膜パターンを含むことによって、反射膜パターンが位置する領域ではレーザビームを完全に遮断すし、これによって従来の金属材質のマスクと同様にドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるだけでなく、前記反射膜パターンと対応する領域の透明基板の前面または後面に散乱部を形成することによって、従来の金属材質のマスクの問題点である、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できる。
【００６５】
図７Ａ乃至図７Ｃは、本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【００６６】
図７Ａに示したように、絶縁基板８１０が提供され、前記絶縁基板上に第１電極８２０をパターニングして形成する。
【００６７】
ここで、前記第１電極８２０は、アノード電極であるか、またはカソード電極であり得る。前記第１電極８２０がアノードの場合、仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明電極とするか、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、及びこれらの合金からなる群より選択された反射電極とすることができる。また、前記第１電極８２０がカソードの場合、仕事関数が低い金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａ、及びこれらの合金からなる群より選択され、薄い厚さを有する透明電極とするか、または厚い反射電極とすることができる。
【００６８】
次に、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域を定義する画素定義膜８３０を形成して、基板８００を製造する。
【００６９】
但し、図７Ａは、有機電界発光素子の一つの副画素を示したものであるが、このような副画素が複数個に整列されてもよく、ここで、図示していないが、前記基板８００は多数の薄膜トランジスタと絶縁膜を含むことができる。
【００７０】
一方、基材層７１０上に光−熱変換層７２０及び転写層７３０を順次に積層してドナー基板７００を製造する。ここで、前記転写層は有機物質を利用して、通常の湿式工程によって形成することができる。
【００７１】
以降、前記基板８００の画素領域とドナー基板の転写層とを互いに対向するようにアライン（ａｌｉｇｎ）した後、前記ドナー基板の基材層面の転写しようとする領域にレーザを照射する。
【００７２】
前記レーザ照射はレーザ照射装置を用い、前記レーザ照射装置について図２Ａを参照して説明すると、レーザ照射装置は、レーザ発生器、マスク、及びプロジェクションレンズを含んでいる。前記レーザ発生器から前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射する。この時、レーザ発生器から照射された前記レーザビームは、パターニングされているマスクを通過し、前記通過したレーザビームはプロジェクションレンズによって屈折して、前記ドナー基板上に照射される。
【００７３】
この時、上述のような本発明の第１実施形態乃至第３実施形態のマスクを使用し、ドナー基板上に照射されたレーザビームは、本発明に係るマスクの透過領域を通過したレーザビームに該当する。これに関しては上述したことを参照すればよく、よって具体的な説明は省略する。
【００７４】
次に、図７Ｂを参照すれば、前記レーザビームが照射されたドナー基板７００上の有機膜層７３０’が前記基板７００上に転写され、以降、前記ドナー基板７００を除去することによって有機膜パターン７３０’を形成することができる。
【００７５】
以降、図７Ｃに示したように、前記有機膜パターンを含む基板上に第２電極８４０を形成する。ここで、第２電極はアノード電極であるが、またはカソード電極であり得る。
前記第２電極８４０がアノードである場合は、仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明電極とするか、またはＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、及びこれらの合金からなる反射電極とすることができる。
【００７６】
前記第２電極８４０がカソードである場合は、仕事関数が低い導電性の金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、及びこれらの合金からなる群より選択された一つの物質で、薄い厚さを有する透明電極、または厚い厚さを有する反射電極に形成される。
【００７７】
その後、上部メタルカンのような封止材で密封することによって、有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００７８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７９】
３００、４００ 透明基板
３１０、４１０ 反射膜パターン
３２０、４２０、５５０ｂ、６００ｂ 散乱部
３００ａ、４００ａ、５５０ａ 透過領域
７００ ドナー基板
７１０ 基材層
７２０ 光−熱変換層
７３０ 転写層
７３０’有機膜層
８１０ 絶縁基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、平板表示素子の有機電界発光素子は、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極とカソード電極との間に介された複数の有機膜層を含む。前記有機膜層は少なくとも発光層を含み、前記発光層の以外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は前記有機膜層、特に、前記発光層をなす物質によって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子において、フルカラー化を実現するためには前記発光層をパターニングしなければならず、前記発光層をパターニングするための方法として、低分子有機電界発光素子の場合、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を使用する方法があり、高分子有機電界発光素子の場合、インクジェットプリンティング（ｉｎｋ-ｊｅｔｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下、ＬＩＴＩという）がある。この中で、前記ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に使用でき、高解像度に有利であるという長所があるだけでなく、前記インクジェットプリンティングが湿式工程である反面、これは乾式工程であるという長所がある。
【０００４】
図１は、ＬＩＴＩを利用した有機膜層パターンの形成方法を説明する断面図である。
【０００５】
図１を参照すれば、有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０を所定の素子が形成された基板１１０上にラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する。前記有機膜層１３０が形成された前記ドナー基板１２０の所定領域にレーザビーム１５０を照射すると、前記レーザビームが前記ドナー基板１２０の光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、前記熱エネルギーによって転写層をなす有機膜層１３０が前記基板１１０上に転写されながら有機膜層パターンが形成される。この時、前記有機膜層１３０は熱エネルギーによって前記ドナー基板１２０から離れ、有機膜層１３０内の結合が切れながら前記基板１１０上に転写される。前記有機膜層１３０内の結合を切るのに必要なエネルギーは、前記有機膜層１３０を前記ドナー基板１２０から分離して転写させるのに必要なエネルギーより高いエネルギーが必要である。点線部分が有機膜層１３０内の結合が切れる部分を示す。
【０００６】
図２Ａは、従来のレーザ照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明する概略図である。
【０００７】
図２Ａを参照すれば、所定の素子が形成された基板１１０上に有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０がラミネーションされている。前記レーザ照射装置２００は、レーザ発生器２４０、パターニングされているマスク２６０、及びプロジェクションレンズ２７０を含む。前記レーザ発生器２４０から前記ドナー基板１２０の所定領域にレーザビーム２５０を照射する。この時、レーザ発生器２４０から照射された前記レーザビーム２５０は、パターニングされているマスク２６０を通過し、前記通過したレーザビーム２５０はプロジェクションレンズ２７０によって屈折して、前記ドナー基板１２０上に照射される。前記マスク２６０にパターニングされていない部分では前記レーザビーム２５０が遮断される。
【０００８】
前記レーザビーム２５０によって、ドナー基板１２０上の前記有機膜層１３０は前記基板１１０上に転写される。前記転写工程の後に、前記形成された有機膜層パターン上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図２Ｂは、従来のレーザ照射装置の問題点を説明するための断面図である。図２Ｂを参照すれば、従来のレーザ照射装置は、上述のように、マスク２６０のパターニングされている部分２６０ａにレーザビームが通過２５０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになるが、マスクのパターニングされていない部分、つまり、レーザビームが遮断される部分では、マスクによって前記レーザビームが反射２５０ｂされてレーザ発生器２４０を損傷させるようになる。
【００１０】
つまり、上述したマスクは金属材質からなっていて、マスクにパターニングされない部分ではレーザビームを完全に遮断し、パターニングされた部分だけでレーザを照射することができるので、ドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるという長所があるが、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させるという問題点がある。
【００１１】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できるレーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されるマスクが提供される。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ドナー基板上に転写層を形成する段階；基板上に第１電極を形成する段階；前記ドナー基板と前記基板をアラインする段階；前記ドナー基板にマスクを使用してレーザを照射する段階；及び前記第１電極上に転写層を転写する段階を含み、前記マスクは、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００１４】
ここで、前記散乱部は前記透明基板の前面に位置するようにしてもよい。
【００１５】
さらに、前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されるようにしてもよい。
【００１６】
さらに、前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されるようにしてもよい。
【００１７】
さらに、前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むようにしてもよい。
【００１８】
さらに、前記反射膜パターンは金属物質からなるようにしてもよい。
【００１９】
さらに、前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であるようにしてもよい。
【００２０】
さらに、前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるだけでなく、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ＬＩＴＩを利用した有機膜層パターンの形成方法を説明する断面図である。
【図２Ａ】従来のレーザ照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明する概略図である。
【図２Ｂ】従来のレーザ照射装置の問題点を説明するための断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【図５】散乱部の有無によるレーザビームの強度を示すグラフである。
【図６】本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【図７Ａ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは便宜のために誇張して表現する場合もある。
【００２４】
図３Ａは本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００２５】
図３Ａを参照すれば、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００と、前記透明基板上の反射膜パターン３１０とを含み、また、前記透明基板３００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部３２０を含む。前記透明基板３００は光を透過させる石英のようなガラス基板とすることができ、前記反射膜パターン３１０は金属物質からなり、具体的にはＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物からなる群より選択される少なくともいずれか一つの物質を、蒸発法、ＣＶＤ、またはスパッタリング法を用いて形成することができる。なお、透明基板３００の材料としては、石英の他に、Ｂ２７０（ドイツ国、ＳＣＨＯＴＴ社製）、光学用ガラス等を用いることができる。
【００２６】
また、前記透明基板３００は、レーザビームが通過して前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写できるように透過領域３００ａを含む。図面においては、前記透過領域３３０ａが１つの領域と示されているが、これとは異なり、複数の領域で形成することもでき、この場合、ストライプ型、モザイク型、またはデルタ型の形態に形成することができる。
【００２７】
この時、前記反射膜パターン３１０は、レーザ発生器３４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００２８】
また、前記散乱部３２０は、レーザ発生器３４０が位置する面の透明基板上に形成されており、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。この時、前記散乱部３２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、前記透過領域３００ａより透過率の低い低透過率領域に該当する。このような散乱部３２０は、サンドブラスト（ｓａｎｄ ｂｌａｓｔｉｎｇ）法やウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）法等により形成される。荒い形状や凹凸形状は、いずれも、尖った荒い表面を持つものである。少なくとも、散乱部３２０によってレーザビームが散乱される程度に、荒い形状や凹凸形状が形成される。これにより、レーザ発生器３４０（ｍｅｔａｌ ｌａｙｅｒ、ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）への損傷が低減される。荒い形状は、凹凸に一定のパターンがなく、サンドブラスト法等により形成される。凹凸形状は、凹凸に一定のパターンを有するものであり、例えば、ピラミッド形状の凹凸パターンがアレイ状に形成されたものである。
【００２９】
以下、本発明において、レーザ発生器が位置する面の透明基板側を「透明基板の前面」、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側を「透明基板の後面」と定義する。
【００３０】
つまり、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００上にレーザビームが通過する透過領域３００ａと、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の前面に位置する散乱部３２０と、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０とを含んで形成されている。
【００３１】
図３Ｂは、本発明の第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【００３２】
図３Ｂを参照すれば、上述のように、第１実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板３００上にレーザビームが通過する透過領域３００ａと、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の前面に位置する散乱部３２０と、前記透過領域３００ａを除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０とを含んで形成されている。
【００３３】
この時、レーザ発生器３４０からレーザビームが照射されると、前記透過領域３００ａにレーザビームが通過３３０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになる。
【００３４】
一方、透過領域を除いた領域においては、まず、前記透過領域３００ａより透過率が低い低透過率領域である散乱部３２０を通過したレーザビームは、レーザビームの強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が弱まり、以降、前記レーザビームは透明基板の後面に位置する反射膜パターン３１０によってさらに散乱部３２０側に反射される。
【００３５】
この時、前記散乱部３２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、レーザビームが不規則的な方向に前記散乱部３２０を通過するようになり、前記レーザビームは、一部はレーザ発生器がない領域に照射３２０ｂされ、一部はレーザ発生器がある領域に照射３２０ｃされる。
【００３６】
つまり、反射膜パターンによって反射されたレーザビームは、レーザ発生器が位置する方向に不規則的に照射されるようになり、一部はレーザ発生器がない領域に照射され、このためにレーザ発生器がレーザビームによって損傷せず、また、一部はレーザ発生器がある領域に照射されるが、散乱部３２０を通過したレーザビームは強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００３７】
図５は、散乱部の有無によるレーザビームの強度を示すグラフである。
【００３８】
図５を参照すれば、第１マスク５００は透過領域５５０ａと散乱部５５０ｂとを含んで構成されており、第２マスク６００は散乱部６００ｂを含んで構成されている。
【００３９】
この時、前記第２マスクの散乱部６００ｂは、第１マスクの散乱部５５０ｂと重畳している。
【００４０】
つまり、Ａは第１マスクの散乱部５５０ｂを通過したレーザビーム領域を示し、Ｂは第１マスクの透過領域５５０ａを通過したレーザビーム領域を示し、Ｃは第１マスクの散乱部５５０ｂと第２マスクの散乱部６００ｂとを通過したレーザビーム領域を示す。
【００４１】
図５から分かるように、散乱部を通過せずに透過領域だけを通過したレーザビームの強度は、約９０％に相当した。しかし、第１マスクの散乱部５５０ｂを通過したレーザビームの強度は、約３０％程度に弱まっており、また、第１マスクの散乱部５５０ｂと第２マスクの散乱部６００ｂとを通過したレーザビームの強度は、約１０％程度に弱まった。
【００４２】
つまり、散乱部を通過したレーザビームの場合、強度が弱まったことが分かり、したがって、本発明のように、散乱部３２０を通過した一部のレーザビームが、レーザ発生器がある領域に照射されても、強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えなくなる。
【００４３】
図４Ａは、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００４４】
本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、後述することを除いては第１実施形態と同一である。
【００４５】
図４Ａを参照すれば、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００と、前記透明基板上の反射膜パターン４１０とを含み、また、前記透明基板４００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部４２０を含む。
【００４６】
また、前記透明基板４００は、レーザビームが通過して、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写できるように透過領域４００ａを含んでいる。
【００４７】
この時、前記反射膜パターン４１０は、レーザ発生器４４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００４８】
また、本発明の第２実施形態においては、第１実施形態とは異なり、前記散乱部４２０がレーザ発生器４４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。この時、前記散乱部４２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、前記透過領域４００ａより透過率の低い低透過率領域に該当する。
【００４９】
以下、本発明において、レーザ発生器が位置する面の透明基板側を「透明基板の前面」、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側を「透明基板の後面」と定義する。
【００５０】
つまり、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００上にレーザビームが通過する透過領域４００ａと、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の後面に位置する散乱部４２０と、前記散乱部４２０上に位置する反射膜パターン４１０とを含んで形成されている。
【００５１】
図４Ｂは、本発明の第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを利用したレーザビームの経路を説明するための断面図である。
【００５２】
図４Ｂを参照すれば、上述のように、第２実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板４００上にレーザビームが通過する透過領域４００ａと、前記透過領域４００ａを除いた透明基板の後面に位置する散乱部４２０と、前記散乱部４２０上に位置する反射膜パターン４１０とを含んで形成されている。
【００５３】
この時、レーザ発生器４４０からレーザビームが照射されると、前記透過領域４００ａにレーザビームが通過４３０ａして、前記レーザビームによってドナー基板上の有機膜層が基板に転写されるようになる。
【００５４】
一方、透過領域を除いた領域においては、まず、前記透過領域４００ａより透過率が低い低透過率領域である散乱部４２０を通過したレーザビームは、レーザビームの強度が弱まり、以降、前記レーザビームは透明基板の後面に位置する反射膜パターン４１０によってさらに散乱部４２０側に反射されるようになる。
【００５５】
この時、前記散乱部４２０は粗い形状または凹凸形状を含んでいて、レーザビームが不規則的な方向に前記散乱部４２０を通過するようになり、前記レーザビームは、一部はレーザ発生器がない領域に照射４２０ｂされ、一部はレーザ発生器がある領域に照射４２０ｃされる。
【００５６】
つまり、反射膜パターンによって反射されたレーザビームは、レーザ発生器が位置する方向に不規則的に照射されるようになり、一部はレーザ発生器がない領域に照射されるようになるので、レーザ発生器がレーザビームによって損傷せず、また、一部はレーザ発生器がある領域に照射されるようになるが、散乱部４２０を通過したレーザビームは強度が弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００５７】
図６は、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクを示す断面図である。
【００５８】
本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、後述することを除いては第１実施形態及び第２実施形態と同一である。
【００５９】
図６を参照すれば、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板６００と、前記透明基板上の反射膜パターン６１０とを含み、また、前記透明基板６００は粗い形状または凹凸形状を有する散乱部６２０を含む。
【００６０】
また、前記反射膜パターン６１０は、レーザ発生器６４０が位置する面と反対面の透明基板上に形成されており、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の全面に形成されている。
【００６１】
この時、本発明の第１実施形態においては、前記散乱部が透明基板の前面にだけ形成されており、第２実施形態においては、前記散乱部が透明基板の後面にだけ形成されているが、第３実施形態において、前記散乱部は、透明基板の前面に第１散乱部６２０ａが、透明基板の後面に第２散乱部６２０ｂが形成されている。
【００６２】
つまり、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、透明基板６００上にレーザビームが通過する透過領域６００ａと、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の前面に位置する第１散乱部６２０ａと、前記透過領域６００ａを除いた透明基板の後面に位置する第２散乱部６２０ｂと、前記第２散乱部６２０ｂ上に位置する反射膜パターン６１０とを含んで形成されている。
【００６３】
したがって、本発明の第３実施形態に係るレーザ熱転写用マスクは、散乱部が前面、後面のいずれにも位置していて、散乱部を通過したレーザビームは、強度がさらに弱まったため、レーザ発生器に損傷を与えない。
【００６４】
以上のように、本発明によるレーザ熱転写用マスクは、透明基板の後面に反射膜パターンを含むことによって、反射膜パターンが位置する領域ではレーザビームを完全に遮断すし、これによって従来の金属材質のマスクと同様にドナー基板への正確なレーザ照射が可能であるだけでなく、前記反射膜パターンと対応する領域の透明基板の前面または後面に散乱部を形成することによって、従来の金属材質のマスクの問題点である、マスクによってレーザビームが反射されてレーザ発生器を損傷させることを防止できる。
【００６５】
図７Ａ乃至図７Ｃは、本発明に係る有機電界発光表示装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【００６６】
図７Ａに示したように、絶縁基板８１０が提供され、前記絶縁基板上に第１電極８２０をパターニングして形成する。
【００６７】
ここで、前記第１電極８２０は、アノード電極であるか、またはカソード電極であり得る。前記第１電極８２０がアノードの場合、仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明電極とするか、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、及びこれらの合金からなる群より選択された反射電極とすることができる。また、前記第１電極８２０がカソードの場合、仕事関数が低い金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａ、及びこれらの合金からなる群より選択され、薄い厚さを有する透明電極とするか、または厚い反射電極とすることができる。
【００６８】
次に、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域を定義する画素定義膜８３０を形成して、基板８００を製造する。
【００６９】
但し、図７Ａは、有機電界発光素子の一つの副画素を示したものであるが、このような副画素が複数個に整列されてもよく、ここで、図示していないが、前記基板８００は多数の薄膜トランジスタと絶縁膜を含むことができる。
【００７０】
一方、基材層７１０上に光−熱変換層７２０及び転写層７３０を順次に積層してドナー基板７００を製造する。ここで、前記転写層は有機物質を利用して、通常の湿式工程によって形成することができる。
【００７１】
以降、前記基板８００の画素領域とドナー基板の転写層とを互いに対向するようにアライン（ａｌｉｇｎ）した後、前記ドナー基板の基材層面の転写しようとする領域にレーザを照射する。
【００７２】
前記レーザ照射はレーザ照射装置を用い、前記レーザ照射装置について図２Ａを参照して説明すると、レーザ照射装置は、レーザ発生器、マスク、及びプロジェクションレンズを含んでいる。前記レーザ発生器から前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射する。この時、レーザ発生器から照射された前記レーザビームは、パターニングされているマスクを通過し、前記通過したレーザビームはプロジェクションレンズによって屈折して、前記ドナー基板上に照射される。
【００７３】
この時、上述のような本発明の第１実施形態乃至第３実施形態のマスクを使用し、ドナー基板上に照射されたレーザビームは、本発明に係るマスクの透過領域を通過したレーザビームに該当する。これに関しては上述したことを参照すればよく、よって具体的な説明は省略する。
【００７４】
次に、図７Ｂを参照すれば、前記レーザビームが照射されたドナー基板７００上の有機膜層７３０’が前記基板７００上に転写され、以降、前記ドナー基板７００を除去することによって有機膜パターン７３０’を形成することができる。
【００７５】
以降、図７Ｃに示したように、前記有機膜パターンを含む基板上に第２電極８４０を形成する。ここで、第２電極はアノード電極であるが、またはカソード電極であり得る。
前記第２電極８４０がアノードである場合は、仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明電極とするか、またはＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、及びこれらの合金からなる反射電極とすることができる。
【００７６】
前記第２電極８４０がカソードである場合は、仕事関数が低い導電性の金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、及びこれらの合金からなる群より選択された一つの物質で、薄い厚さを有する透明電極、または厚い厚さを有する反射電極に形成される。
【００７７】
その後、上部メタルカンのような封止材で密封することによって、有機電界発光表示装置を製造することができる。
【００７８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７９】
３００、４００ 透明基板
３１０、４１０ 反射膜パターン
３２０、４２０、５５０ｂ、６００ｂ 散乱部
３００ａ、４００ａ、５５０ａ 透過領域
７００ ドナー基板
７１０ 基材層
７２０ 光−熱変換層
７３０ 転写層
７３０’有機膜層
８１０ 絶縁基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域を含む透明基板；
前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び
前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ)部を含み、
前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成することを特徴とする、マスク。
【請求項２】
前記散乱部は前記透明基板の前面に位置することを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、
前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び
前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、
前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項５】
前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むことを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項６】
前記反射膜パターンは金属物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項７】
前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項８】
前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項９】
ドナー基板上に転写層を形成する段階；
基板上に第１電極を形成する段階；
前記ドナー基板と前記基板をアラインする段階；
前記ドナー基板にマスクを使用してレーザを照射する段階；及び
前記第１電極上に転写層を転写する段階を含み、
前記マスクは、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記散乱部は前記透明基板の前面に位置することを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、
前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、
前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記反射膜パターンは金属物質からなることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
透過領域を含む透明基板；
前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び
前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ)部を含み、
前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成することを特徴とする、マスク。
【請求項２】
前記散乱部は前記透明基板の前面に位置することを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、
前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び
前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、
前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項５】
前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むことを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項６】
前記反射膜パターンは金属物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項７】
前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項８】
前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であることを特徴とする、請求項１に記載のマスク。
【請求項９】
ドナー基板上に転写層を形成する段階；
基板上に第１電極を形成する段階；
前記ドナー基板と前記基板をアラインする段階；
前記ドナー基板にマスクを使用してレーザを照射する段階；及び
前記第１電極上に転写層を転写する段階を含み、
前記マスクは、透過領域を含む透明基板；前記透過領域を除いた透明基板の後面に位置する反射膜パターン；及び前記透明基板の前面及び後面のうちの少なくともいずれか一つの面に位置する散乱部を含み、前記散乱部は前記反射膜パターンと対応する位置に形成されることを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記散乱部は前記透明基板の前面に位置することを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記散乱部は前記透明基板の後面に位置し、
前記反射膜パターンは前記散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記散乱部は、前記透明基板の前面に位置する第１散乱部；及び前記透明基板の後面に位置する第２散乱部を含み、
前記反射膜パターンは前記第２散乱部上に形成されることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記散乱部は粗い形状または凹凸形状を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記反射膜パターンは金属物質からなることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記散乱部は、前記透過領域より透過率が低い低透過率領域であることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記透明基板の前面は、レーザ発生器が位置する面の透明基板側であり、前記透明基板の後面は、レーザ発生器が位置する面と反対面の透明基板側であることを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【公開番号】特開２０１１−１６５６４７（Ｐ２０１１−１６５６４７Ａ）
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２７７７７（Ｐ２０１０−２２７７７７）
【出願日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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