光トランシーバの制御装置
【課題】 コネクタ側に特別の細工をすることなく、光コネクタの挿脱に応じてレーザ出力を制御し、レーザ光の外部への放出を確実に抑えることを可能にした光トランシーバの制御装置を提供する。
【解決手段】 光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置が、光トランシーバに設けられた磁石と、光トランシーバ内に設けられ、磁石の磁気を検出する磁気センサと、磁気センサの検出信号に応答して、光トランシーバの光出力を制御する制御手段とで構成したことを特徴とする。
【解決手段】 光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置が、光トランシーバに設けられた磁石と、光トランシーバ内に設けられ、磁石の磁気を検出する磁気センサと、磁気センサの検出信号に応答して、光トランシーバの光出力を制御する制御手段とで構成したことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバの制御装置に係わり、特に、光コネクタを光トランシーバに挿脱する際、光トランシーバの出力であるレーザ光が外部に漏れて、人体に照射されないようにした光トランシーバの制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光トランシーバにおいて、ＸＦＰ（１０ Ｇｉｇａｂｉｔ Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ Ｍｏｄｕｌｅ）、ＳＦＰ（Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ Ｍｏｄｕｌｅ）等、装置実装時に光学部品の開口部が前面に露出する製品が多くなってきている。
【０００３】
これらの製品は、電源供給状態での光コネクタの交換が前提となっているため、交換時に前面からレーザ光を放出している状態になってしまい、レーザの強さによっては人体への影響があるため、遮蔽構造が必要となる。
【０００４】
図４は、従来の光トランシーバの遮蔽構造の一例を示す図である。
【０００５】
図４において、１０１は、光トランシーバの筐体の光コネクタ接続口１０２にはめ込まれているシャッターである。シャッター１０１は板バネとなっており、光コネクタ接続時は光コネクタの壁面に沿って倒れこみ、光コネクタ接続口を形成するようになっている。
【０００６】
しかしながら、このようなシャッター構造においては、次のような課題がある。
【０００７】
即ち、シャッター１０１が板バネのため、塑性変形する可能性があり、又、コネクタの挿脱時にシャッター１０１が抜け落ちてしまう可能性もあり、更に、コネクタ接続時には、シャッター１０１が元の位置に戻ろうとする力が働き、コネクタの接続信頼性を損ねるという欠点があった。
【０００８】
又、特許文献１には、コネクタ２４に磁石を設けると共に、送信モジュール１０側にホールセンサ１４を設け、ホールセンサ１４が磁石の磁気を検出したときのみ、送信モジュール１０内のレーザ光源をオン状態に制御するインターロックシステムが開示されている。
【０００９】
しかしながら、上記した特許文献１の場合、コネクタ側に磁石を設けなければならず、このために、高価になってしまい、更に、磁石が設けられていないコネクタを挿入した場合、システムが正常に作動しない等、多くの欠点があった。
【特許文献１】特公平７−１０１２４８号公報（請求項１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上記した点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、コネクタ側に特別の細工をすることなく、光コネクタの挿脱に応じてレーザ出力を制御し、レーザ光の外部への放出を確実に抑えることを可能にした信頼性の高い新規な光トランシーバの制御装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記した目的を達成するために、基本的には、以下に記載されたような技術構成を採用するものである。
【００１２】
即ち、本発明に係わる光トランシーバの制御装置の第１の態様は、
光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置において、
前記光トランシーバ内に設けられた磁石と、
前記光トランシーバ内に設けられ、前記磁石の磁気を検出する磁気センサと、
前記磁気センサの検出信号に応答して、前記光トランシーバの光出力を制御する制御手段と、
で構成したことを特徴とするものであり、
又、第２の態様は、
前記磁石と磁気センサとは、前記光コネクタを挟むように配置されていることを特徴とするものであり、
又、第３の態様は、
前記磁気センサは、ＭＲセンサであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光トランシーバの制御装置は、上記のように構成したので、光コネクタの挿脱によりレーザ光の発光の有無を決める為、光コネクタ未接続時のレーザ光の外部への放出を確実に抑えることができる。
【００１４】
又、光コネクタに対し不要な力をかけない構造であるから、信頼性を損ねることがなく、長寿命になる。
【００１５】
更に、光コネクタに特別の細工を施さない構造であるから、使い勝手が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の光トランシーバの制御装置では、光モジュールの筐体１内に、磁石７とこの磁石７の磁気を検出するＭＲセンサ５ａ、５ｂとが、装着された光コネクタ１１を挟むように配置されている。
【００１７】
そして、光コネクタが、光トランシーバの所定の位置に装着されていないときには、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが、磁石７の磁気を検出することが出来ないように構成されているから、制御手段１０が、ＴＯＳＡ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）４ａ、ＲＯＳＡ（Ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）４ｂへの電源供給を停止する。従って、レーザ光が外部に放出されることはない。
【００１８】
一方、光コネクタ１１が、光トランシーバの所定の位置に装着されると、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが、磁石７の磁気を検出し、ＭＲセンサ５ａ、５ｂの検出信号に基づいて、制御手段が、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂへの電源供給を開始するので、光トランシーバとしての動作を開始する。
【実施例】
【００１９】
次に、本発明の光トランシーバの制御装置について、図を用いて詳細に説明する。
【００２０】
図１を参照すると、光モジュールの筐体１の一方の端部には、光コネクタ１１挿入用の開口部２ａ、２ｂが設けられ、他方の端部には、接続端子３を露出させる開口部が設けられている。
【００２１】
光モジュール内のＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂ、ＭＲセンサ５ａ、５ｂ、接続端子３は、回路基板６上に搭載されており、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、筐体１の内壁に形成した溝に固定され、又、磁石７は、筐体１に形成した凹部に固定されている。
【００２２】
そして、ＭＲセンサ５ａと磁石７とは、挿入された光コネクタ１１を挟むように配置され、又、ＭＲセンサ５ｂと磁石７とは、挿入された光コネクタ（図示していない）を挟むように配置されている。
【００２３】
図３は、本発明の電気的構成を示すブロック図であり、制御手段１０が、ＭＲセンサ５ａ、５ｂの検出信号に基づき、光サブユニットのＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂへの電源供給を制御するように構成している。
【００２４】
このように構成された本発明の光モジュールは、例えば、通信装置のマザーボード等の基板に設けられたケージに対して着脱可能に構成されている。そして、光モジュールは、ケージ内に平行な姿勢で装着された際に、ケージに係止されてロック状態になり、基板側に設けられた電気コネクタに接続される。このとき、光モジュールに電源供給が開始されるが、光コネクタ１１が装着されていないために、磁石７よりの磁界９を通常ＭＲセンサ５ａ、５ｂが検出することが出来ない。このため、回路基板６上に設けられた制御手段１０は、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂからなる光サブユニット４に対しての電源供給を行わない。このために、レーザ光が外部に放出されることはない。
【００２５】
一方、入力側接続口２ｂに、外部から光モジュールに光信号を入力するための入力側の光コネクタ（図示していない）が接続され、出力側接続口２ａに、光モジュールから外部に光信号を出力するための出力側の光コネクタ１１が接続されると、それぞれの光コネクタ１１内部に設けられている磁性体からなるバネ１２を介して、磁石７の磁界９がＭＲセンサ５ａ、５ｂに届くことにより、制御手段１０は、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂからなる光サブユニット４に対し電源供給を開始し、光トランシーバとしての動作を開始する。
【００２６】
また、一方の光コネクタを引き抜いたとき、ＭＲセンサ５ａ又は５ｂに対しての磁石７の磁界９が遮断される為、光サブユニット４に対する電源供給が停止し、レーザ光が外部へ放出がなされることはない。
【００２７】
次に、本発明の他の実施例について図２を参照して詳細に説明する。
【００２８】
図２の実施例では、光コネクタ１１が装着されていないとき、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、磁石７の磁界９を検出することができるように、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが配置され、光サブユニット４に対しての電源供給が停止されるようになっている。
【００２９】
そして、光コネクタ１１が挿入されたとき、光コネクタ内に設けられているフェルール１３により磁石７の磁界９が遮られ、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、磁石７の磁界９を検出できなくなり、その結果、光サブユニット４に対し電源供給され、光トランシーバとしての動作を開始する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
【図３】本発明の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】従来技術の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３１】
１ 筐体
２ａ、２ｂ 接続口
３ 接続端子
４ 光サブユニット
４ａ ＴＯＳＡ
４ｂ ＲＯＳＡ
５ａ ＭＲセンサ
５ｂ ＭＲセンサ
６ 回路基板
７ 磁石
９ 磁界
１０ 制御手段
１１ 光コネクタ
１２ バネ
１３ フェルール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバの制御装置に係わり、特に、光コネクタを光トランシーバに挿脱する際、光トランシーバの出力であるレーザ光が外部に漏れて、人体に照射されないようにした光トランシーバの制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光トランシーバにおいて、ＸＦＰ（１０ Ｇｉｇａｂｉｔ Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ Ｍｏｄｕｌｅ）、ＳＦＰ（Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ Ｍｏｄｕｌｅ）等、装置実装時に光学部品の開口部が前面に露出する製品が多くなってきている。
【０００３】
これらの製品は、電源供給状態での光コネクタの交換が前提となっているため、交換時に前面からレーザ光を放出している状態になってしまい、レーザの強さによっては人体への影響があるため、遮蔽構造が必要となる。
【０００４】
図４は、従来の光トランシーバの遮蔽構造の一例を示す図である。
【０００５】
図４において、１０１は、光トランシーバの筐体の光コネクタ接続口１０２にはめ込まれているシャッターである。シャッター１０１は板バネとなっており、光コネクタ接続時は光コネクタの壁面に沿って倒れこみ、光コネクタ接続口を形成するようになっている。
【０００６】
しかしながら、このようなシャッター構造においては、次のような課題がある。
【０００７】
即ち、シャッター１０１が板バネのため、塑性変形する可能性があり、又、コネクタの挿脱時にシャッター１０１が抜け落ちてしまう可能性もあり、更に、コネクタ接続時には、シャッター１０１が元の位置に戻ろうとする力が働き、コネクタの接続信頼性を損ねるという欠点があった。
【０００８】
又、特許文献１には、コネクタ２４に磁石を設けると共に、送信モジュール１０側にホールセンサ１４を設け、ホールセンサ１４が磁石の磁気を検出したときのみ、送信モジュール１０内のレーザ光源をオン状態に制御するインターロックシステムが開示されている。
【０００９】
しかしながら、上記した特許文献１の場合、コネクタ側に磁石を設けなければならず、このために、高価になってしまい、更に、磁石が設けられていないコネクタを挿入した場合、システムが正常に作動しない等、多くの欠点があった。
【特許文献１】特公平７−１０１２４８号公報（請求項１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上記した点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、コネクタ側に特別の細工をすることなく、光コネクタの挿脱に応じてレーザ出力を制御し、レーザ光の外部への放出を確実に抑えることを可能にした信頼性の高い新規な光トランシーバの制御装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記した目的を達成するために、基本的には、以下に記載されたような技術構成を採用するものである。
【００１２】
即ち、本発明に係わる光トランシーバの制御装置の第１の態様は、
光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置において、
前記光トランシーバ内に設けられた磁石と、
前記光トランシーバ内に設けられ、前記磁石の磁気を検出する磁気センサと、
前記磁気センサの検出信号に応答して、前記光トランシーバの光出力を制御する制御手段と、
で構成したことを特徴とするものであり、
又、第２の態様は、
前記磁石と磁気センサとは、前記光コネクタを挟むように配置されていることを特徴とするものであり、
又、第３の態様は、
前記磁気センサは、ＭＲセンサであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光トランシーバの制御装置は、上記のように構成したので、光コネクタの挿脱によりレーザ光の発光の有無を決める為、光コネクタ未接続時のレーザ光の外部への放出を確実に抑えることができる。
【００１４】
又、光コネクタに対し不要な力をかけない構造であるから、信頼性を損ねることがなく、長寿命になる。
【００１５】
更に、光コネクタに特別の細工を施さない構造であるから、使い勝手が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の光トランシーバの制御装置では、光モジュールの筐体１内に、磁石７とこの磁石７の磁気を検出するＭＲセンサ５ａ、５ｂとが、装着された光コネクタ１１を挟むように配置されている。
【００１７】
そして、光コネクタが、光トランシーバの所定の位置に装着されていないときには、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが、磁石７の磁気を検出することが出来ないように構成されているから、制御手段１０が、ＴＯＳＡ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）４ａ、ＲＯＳＡ（Ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）４ｂへの電源供給を停止する。従って、レーザ光が外部に放出されることはない。
【００１８】
一方、光コネクタ１１が、光トランシーバの所定の位置に装着されると、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが、磁石７の磁気を検出し、ＭＲセンサ５ａ、５ｂの検出信号に基づいて、制御手段が、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂへの電源供給を開始するので、光トランシーバとしての動作を開始する。
【実施例】
【００１９】
次に、本発明の光トランシーバの制御装置について、図を用いて詳細に説明する。
【００２０】
図１を参照すると、光モジュールの筐体１の一方の端部には、光コネクタ１１挿入用の開口部２ａ、２ｂが設けられ、他方の端部には、接続端子３を露出させる開口部が設けられている。
【００２１】
光モジュール内のＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂ、ＭＲセンサ５ａ、５ｂ、接続端子３は、回路基板６上に搭載されており、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、筐体１の内壁に形成した溝に固定され、又、磁石７は、筐体１に形成した凹部に固定されている。
【００２２】
そして、ＭＲセンサ５ａと磁石７とは、挿入された光コネクタ１１を挟むように配置され、又、ＭＲセンサ５ｂと磁石７とは、挿入された光コネクタ（図示していない）を挟むように配置されている。
【００２３】
図３は、本発明の電気的構成を示すブロック図であり、制御手段１０が、ＭＲセンサ５ａ、５ｂの検出信号に基づき、光サブユニットのＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂへの電源供給を制御するように構成している。
【００２４】
このように構成された本発明の光モジュールは、例えば、通信装置のマザーボード等の基板に設けられたケージに対して着脱可能に構成されている。そして、光モジュールは、ケージ内に平行な姿勢で装着された際に、ケージに係止されてロック状態になり、基板側に設けられた電気コネクタに接続される。このとき、光モジュールに電源供給が開始されるが、光コネクタ１１が装着されていないために、磁石７よりの磁界９を通常ＭＲセンサ５ａ、５ｂが検出することが出来ない。このため、回路基板６上に設けられた制御手段１０は、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂからなる光サブユニット４に対しての電源供給を行わない。このために、レーザ光が外部に放出されることはない。
【００２５】
一方、入力側接続口２ｂに、外部から光モジュールに光信号を入力するための入力側の光コネクタ（図示していない）が接続され、出力側接続口２ａに、光モジュールから外部に光信号を出力するための出力側の光コネクタ１１が接続されると、それぞれの光コネクタ１１内部に設けられている磁性体からなるバネ１２を介して、磁石７の磁界９がＭＲセンサ５ａ、５ｂに届くことにより、制御手段１０は、ＴＯＳＡ４ａ、ＲＯＳＡ４ｂからなる光サブユニット４に対し電源供給を開始し、光トランシーバとしての動作を開始する。
【００２６】
また、一方の光コネクタを引き抜いたとき、ＭＲセンサ５ａ又は５ｂに対しての磁石７の磁界９が遮断される為、光サブユニット４に対する電源供給が停止し、レーザ光が外部へ放出がなされることはない。
【００２７】
次に、本発明の他の実施例について図２を参照して詳細に説明する。
【００２８】
図２の実施例では、光コネクタ１１が装着されていないとき、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、磁石７の磁界９を検出することができるように、ＭＲセンサ５ａ、５ｂが配置され、光サブユニット４に対しての電源供給が停止されるようになっている。
【００２９】
そして、光コネクタ１１が挿入されたとき、光コネクタ内に設けられているフェルール１３により磁石７の磁界９が遮られ、ＭＲセンサ５ａ、５ｂは、磁石７の磁界９を検出できなくなり、その結果、光サブユニット４に対し電源供給され、光トランシーバとしての動作を開始する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
【図３】本発明の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】従来技術の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３１】
１ 筐体
２ａ、２ｂ 接続口
３ 接続端子
４ 光サブユニット
４ａ ＴＯＳＡ
４ｂ ＲＯＳＡ
５ａ ＭＲセンサ
５ｂ ＭＲセンサ
６ 回路基板
７ 磁石
９ 磁界
１０ 制御手段
１１ 光コネクタ
１２ バネ
１３ フェルール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置において、
前記光トランシーバ内に設けられた磁石と、
前記光トランシーバ内に設けられ、前記磁石の磁気を検出する磁気センサと、
前記磁気センサの検出信号に応答して、前記光トランシーバの光出力を制御する制御手段と、
で構成したことを特徴とする光トランシーバの制御装置。
【請求項２】
前記磁石と磁気センサとは、前記光コネクタを挟むように配置されていることを特徴とする請求項１記載の光トランシーバの制御装置。
【請求項３】
前記磁気センサは、ＭＲセンサであることを特徴とする請求項１又は２記載の光トランシーバの制御装置。
【請求項１】
光コネクタの挿脱に応じて、光トランシーバから出力される光出力のオン・オフを制御する光トランシーバの制御装置において、
前記光トランシーバ内に設けられた磁石と、
前記光トランシーバ内に設けられ、前記磁石の磁気を検出する磁気センサと、
前記磁気センサの検出信号に応答して、前記光トランシーバの光出力を制御する制御手段と、
で構成したことを特徴とする光トランシーバの制御装置。
【請求項２】
前記磁石と磁気センサとは、前記光コネクタを挟むように配置されていることを特徴とする請求項１記載の光トランシーバの制御装置。
【請求項３】
前記磁気センサは、ＭＲセンサであることを特徴とする請求項１又は２記載の光トランシーバの制御装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−１９２８２３（Ｐ２００９−１９２８２３Ａ）
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３３４４４（Ｐ２００８−３３４４４）
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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