光素子搭載用基板および光素子搭載パッケージ
【課題】気密性の高い光素子パッケージおよびこれを可能とする光素子搭載用基板を実現する。
【解決手段】光素子を接続するはんだ６を有する第１の基板１の上に、はんだ６を囲むように第２の基板２を配置する。第１の基板１と第２の基板２はセラミックで形成され、第１の基板１には、第１の導体層３が形成され、第１の基板１の裏面には第２の導体層５が形成され、第１の導体層３と第２の導体層５とは導通しており、前記はんだ６は第１の導体層３の上に形成されている。ガラス４と接合可能な第３の導体層９が第１の導体層３と積層して形成され、第１の基板１と第２の基板２とは、第３の導体層９を介してガラス４によって接合している。第１の基板１と第２の基板２とはガラス４によって接合されているので、この界面からの水分の浸入は阻止される。
【解決手段】光素子を接続するはんだ６を有する第１の基板１の上に、はんだ６を囲むように第２の基板２を配置する。第１の基板１と第２の基板２はセラミックで形成され、第１の基板１には、第１の導体層３が形成され、第１の基板１の裏面には第２の導体層５が形成され、第１の導体層３と第２の導体層５とは導通しており、前記はんだ６は第１の導体層３の上に形成されている。ガラス４と接合可能な第３の導体層９が第１の導体層３と積層して形成され、第１の基板１と第２の基板２とは、第３の導体層９を介してガラス４によって接合している。第１の基板１と第２の基板２とはガラス４によって接合されているので、この界面からの水分の浸入は阻止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子のパッケージングおよび光素子パッケージに使用される光素子搭載用基板に係り、光素子を搭載する基板とリフレクタ基板等をガラスによって封止したパッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
光素子を搭載する光素子搭載用基板と、光素子から出る光を反射する効果のあるリフレクタ基板が別々に成型され、後で接合する場合、従来技術では、光素子搭載用基板とリフレクタ基板の接合材には樹脂が用いられている。このような構成は、例えば「特許文献１」に記載されている。
【０００３】
一方、「特許文献２」には、リードフレームの積層構造において、リードフレームをガラスを介して積層する構成が記載されている。また、「特許文献３」には、いわゆるＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）において、ガラスで形成されたカソード基板とアノード基板をフリットガラスで接着する構成が記載されている。さらに、「特許文献４」には、半導体が搭載された基板を、封止基板と、樹脂による枠体によって封止する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−００８０７４号公報
【特許文献２】特開平７−２１１８５１号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２７３１号公報
【特許文献４】特開２００９−１８２００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、湾岸地域のように大気中に塩分を含み、湿度の高い環境で使われる光素子パッケージにおいて、光素子搭載用基板とリフレクタの接合部および封止材には樹脂が使われている。この場合の課題は、樹脂は気密性が低いので大気中に塩分を多く含む環境や、高い湿度の環境で使用すると塩分および水分が光素子パッケージ内に入り、光素子に電流を供給する電極あるいは光素子内の電極を腐食するため、光素子パッケージの品質保持期間が短くなること、また、樹脂に光素子から出る光が当たると劣化するため、光素子パッケージの品質保持期間が短くなることである。そこで、樹脂に替わり塩分を多く含む環境および湿度の高い環境下で高信頼な光素子搭載用基板および光素子パッケージが求められている。
【０００６】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、光素子搭載用基板とリフレクタの接合部が大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも塩分および水分の浸入を防ぎ、高信頼な光素子搭載用基板および光素子パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明では、光素子を搭載した第１の部材と光素子を囲み、封止とリフレクタの役割を有する第２の部材とをガラスを用いて接合することによって、第１の基板と第２の基板の間から水分が浸入することを防止する。
【０００８】
また、光素子を搭載した第１の基板とリフレクタとしての役割を有する第２の基板をガラスによって接合し、さらに、第２の基板と、ガラスによる封止部材をはんだによって接合することにより内部を封止することによって、パッケージ内部への水分の浸入を防止する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光素子を搭載する基板とリフレクタの接合にガラスを使い、リフレクタとガラスレンズの接合にはんだを使うため、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも光素子パッケージ内に塩分および水分の浸入を防ぐことができ、耐候性に優れる。
【００１０】
また、本発明の１態様によれば、光素子搭載用基板とリフレクタの接合材がガラスであるため、配線を挟持して接合できるので、ビアを形成せずに光素子へ給電することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１の光素子搭載用基板にリフレクタを接合する前の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図２】実施例１の光素子搭載用基板にリフレクタ接合後の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図３】図２のａ−ａ’の断面図である。
【図４】実施例２の光素子搭載用基板にリフレクタを接合する前の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図５】実施例２の光素子搭載用基板にリフレクタ接合後の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図６】図５のａ−ａ’の断面図である。
【図７】実施例３の平面図である。
【図８】実施例３の断面図である。
【図９】実施例４の平面図である。
【図１０】実施例４の断面図である。
【図１１】実施例１における光素子搭載用基板をレンズによって封止した断面図である。
【図１２】実施例２における光素子搭載用基板をレンズによって封止した断面図である。
【図１３】実施例３における光素子搭載用基板に光素子を搭載した断面図である。
【図１４】実施例４における光素子搭載用基板に光素子を搭載した断面図である。
【図１５】実施例５の平面図である。
【図１６】第１の導体層と第３の導体層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１３】
本発明に係わる第１の実施の形態で、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境で使われる光素子搭載用基板について、図１乃至図３を用いて説明する。
図１は、第２の基板２を第１の基板１に接合する前の状態を第２の基板２を接合する側から見た図である。図２は、第１の基板１に第２の基板２を接合した後の第２の基板２を接合する側から見た図である。図３は、図２のａ−ａ’の断面図である。第１の基板１と第２の基板２がガラス４によって接合されている。第２の基板の内側はリフレクタとしての役割を有している。第１の基板１および第２の基板２は、例えばＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板である。第１の基板および第２の基板の材料はＡｌ２Ｏ３の他に、ＡｌＮ、あるいは、ＳｉＣ等を使用することも出来る。熱膨張を考慮すると、第１の基板と第２の基板は同じ材料であることが好ましい。
【００１４】
第１の基板１の第２の基板２との接合面側の表面に第１の導体層３が形成されており、第１の導体層３の表面の光素子搭載箇所を除く領域に第３の導体層９が形成されており、第１の基板１の側面および第２の基板２との接合面と反対側の表面に第２の導体層５が形成されている。なお、第１の導体層３、第３の導体層９、および第２の導体層５は、光素子へ給電する際、短絡しないように形成されていなければならない。なお、本明細書における光素子の代表的なものはＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。
【００１５】
第１の導体層３は、３層構造となっており、最下層３１、中層３２、最上層３３から構成されている。積層された第１の導体層３と第３の導体層９の断面構造を図１６に示す。第１の導体層３における最下層３１は第１の基板と接触するので、接着力を考慮してＴｉによって形成され、厚さｔ１は１００ｎｍである。中層３２は、電流を流す主力部分であり、Ｃｕによって形成され、厚さｔ２は約３μｍから５μｍである。なお、中層は、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等によって形成される場合もある。第１の導体層３における最上層３３ははんだ接続を可能とするために、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ａｕ、Ａｕ合金等が使用される。最上層３３の厚さｔ３は１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さである。
【００１６】
第３の導体層９は第１の導体層１の上に積層して形成される。第３の導体層９は、第１の導体層３の表面の光素子搭載箇所を除く領域を覆って積層されている。第３の導体層の厚さｔ４は１００ｎｍ程度である。第３の導体層９はＡｌもしくはＡｌ合金で形成されているので、フリットガラスと接着することが出来る。したがって、第１の導体層３が形成された第１の基板１とセラミックで形成された第２の基板２とをフリットガラスによって接合することが出来る。
【００１７】
第１の導体層３の光素子搭載箇所の表面は、最上層３３であるＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金のうち少なくとも１種以上の金属が存在していることになるので、はんだの形成が可能である。したがって、光素子をはんだによって接続することが出来る。
【００１８】
光素子搭載箇所以外の表面は、第２の基板２であるＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板、および、第１の基板１に形成された第１の金属であるＡｌもしくはＡｌ合金とすることで、光素子から出る光を効率よく反射し、外部へ導くことができる。
【００１９】
ガラス４にはＰｂを含まないガラスを用い、はんだにはＰｂを含まないものを用いることで、Ｐｂ等の有害性が懸念される物質を規制しているＲｏＨＳ指令（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）により使用を制限されることはない。
【００２０】
次に、本実施例に係わる光素子搭載用基板の形成プロセスの概略について説明する。まず、第１の基板１に電極となる第１の導体層３および第３の導体層９をフォトリソグラフィー技術を用いた半導体プロセスにより形成する。次に第２の導体層５を第１の基板１の側面および裏面にメッキを用いて形成する。
【００２１】
第１の基板１の厚さは例えば、０．６ｍｍ程度であり、第１の基板の側面および裏面に形成された第２の導体層の厚さは３〜５μｍである。第２の導体層５の材料は、例えば、銅合金で形成されている。第２の導体層５は、積層構造として、第１の基板１と接触する部分には、第１の基板１との接着性を向上させるために、Ｔｉが１００ｎｍ程度形成される場合もある。
【００２２】
次に、ペースト状のガラス４、すなわちフリットガラスをスクリーン印刷、あるいはディスペンス技術を用いて第３の導体層９の上に形成する。次に、１００℃から１５０℃程度の温度の環境に前記ガラス４を印刷した基板を放置してガラス４を乾燥させる。その後、ガラス４の表面に第２の基板２を乗せ、その上から荷重をかけた状態でガラス４で第１の基板１と第２の基板２を接合できる温度に保持し、冷却することで、ガラス４を用いた接合を実現できる。接合した状態におけるガラスの厚さは例えば、１００μｍである。
【００２３】
その後、第１の導体層３において、光素子８を接続する部分の表面にはんだ６を蒸着、スパッタ、めっき、あるいはスクリーン印刷技術を用いて形成する。これによって光素子を第１の基板１に搭載することが可能になる。
【００２４】
本発明によれば、第１の基板１と第２の基板２の接合にガラス４を使うため、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも接合部から塩分および水分の浸入を防ぐことができる。
【００２５】
また、本発明によれば、光素子搭載箇所以外の表面をＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板およびＡｌもしくはＡｌ合金とすることで、光素子から出る光を効率よく外部へ導くことができる。
【００２６】
また、本発明によれば、接合材がガラスであるため、配線を挟持して接合できるため、ビアを形成せずに光素子へ給電することもできる。
【実施例２】
【００２７】
次に本発明に係わる第２の実施の形態について図４乃至図６を用いて説明する。第２の実施の形態において、実施例１と相違する点は、第１の基板１に金属を充填したビア７を形成し、光素子へ給電することである。
【００２８】
図４は第２の基板２を第１の基板１に接合する前の状態を第２の基板２を接合する側から見た図である。図５は、第１の基板１に第２の基板２を接合した後の第２の基板２を接合する側から見た図である。図６は、図５のｂ−ｂ’の断面図である。第１の基板１と第２の基板２がガラス４によって接合されている。
【００２９】
完成した光素子搭載用基板は、図６に示すように、第１の基板１の光素子搭載部から反対側に貫通するビアが形成されており、主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属により充填されている。
【００３０】
本実施例での光素子搭載用基板の製造方法では、まず第１の基板１にブラスト、レーザー、ミリングあるいはエッチング技術を用いたプロセスによりビア７を形成する。次に、めっき技術を用いて主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７を充填する。次に、実施例１と同様に第２の導体層５、第１の導体層３および第３の導体層９を形成し、ガラス４で第１の基板１と第２の基板２を接合し、第１の導体層３表面にはんだ６を形成する。
【００３１】
ビア７の径は３００μｍ程度であり、この程度の径のビア７は放熱の効果がある。したがって、上記のような第２の実施の形態とすることで、信頼性が高く、かつ、放熱性の高い光素子搭載用基板を実現することが出来る。
【実施例３】
【００３２】
次に本発明に係わる第３の実施の形態について図７乃至図８を用いて説明する。第３の実施の形態は、図８に示すように、第１の基板１の表面に、ビア７が形成されている第３の基板１０がガラス４で接合され、第３の基板１０表面の光素子搭載箇所にはんだ６が形成されている。第１の基板には第３の基板とガラス接合するために、第１の導体層３と第３の導体層９が形成されていることは実施例１と同様である。
【００３３】
図７は第１の基板１に第３の基板１０を接合した後の第３の基板１０を接合した側から見た平面図である。図８は、図７のｃ−ｃ’の断面図である。本実施例での光素子搭載用基板の製造方法では、まず第１の基板１に実施例２と同様にビア７を形成し、主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７を充填する。次に、実施例１と同様に第２の導体層５、第１の導体層３および第３の導体層９を形成し、ガラス４で第１の基板１と第３の基板１０を接合する。
【００３４】
このとき、図８で示唆するように第１の基板１のビア７の上はガラス４で覆わないようにしておき、この部分は空隙としておく。その後、第３の導体層３の光素子搭載側から、めっき技術を用いて主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７および空隙を充填し、図８に示すように、第１の基板１に形成されたビア７と第３の基板１０に形成されたビア７との接続層１１とする。その後、第３の基板１０に形成されたビア７の部分にはんだ６を形成する。これによって光素子８を第３の基板に搭載することが出来る。
【００３５】
上記のような第３の実施の形態とすることで、光素子を搭載する面に導体層を露出させず、光素子に給電できるため、導体層が腐食されない光素子搭載用基板を作製できる。また、第１の基板と第３の基板をガラスで接合するので、内部に水分が侵入することを防止することが出来る。
【実施例４】
【００３６】
次に本発明に係わる第４の実施の形態について図９乃至図１０を用いて説明する。第４の実施の形態において、第３の実施の形態と相違する点は、図９に示すように、第１の基板にビア７を形成せず、実施例１と同様に第１の基板１の側面を用いて第１の導体層３と第２の導体層５を接続することである。
【００３７】
図９は第１の基板１に第３の基板１０を接合した後の第３の基板１０を接合した側から見た図である。図１０は、図９のｄ−ｄ’の断面図である。上記のような第４の実施の形態とすることで、ビア７を形成せずに、光素子を搭載する面に導体層を形成せずに光素子に給電できるため、第１の基板におけるビアの形成プロセスを省略することが出来る。また、第１の基板と第２の基板がガラス接合されているので、内部の配線が水分によって腐食されることを防止することが出来る。
【実施例５】
【００３８】
次に本発明に係わる第５の実施の形態について図１５を用いて説明する。第５の実施の形態において、第１の実施の形態と相違する点は、図１５に示すように、光素子搭載箇所が複数あることである。図１５は第１の基板１に第２の基板２を接合する前の第２の基板２を接合する側から見た図である。
【００３９】
図１５における第３の導体層９の上に、実施例１におけると同様に、リフレクタと外囲器を兼ねた第２の基板をガラスによって接合する。図１５におけるはんだの部分に光素子が搭載される。このような構成において、複数の光素子の発光色を必要に応じて異ならせることにより、演色性の優れた光素子パッケージ、あるいは、そのための基板を製造することが出来る。
【実施例６】
【００４０】
実施例１〜５において、光素子が搭載される部分には、はんだが形成されている。本実施例では、このはんだの表面に対して、Ａｇ膜あるいはＡｕ膜を形成するものである。Ａｇ膜を形成する場合は、Ａｇ膜の表面にＡｕ膜を形成すると、はんだの酸化防止効果をさらに上げることが出来る。Ａｇ膜は０．１μｍ程度の厚さで、酸化防止能力を発揮し、特にノンフラックスの接合プロセスに有効な技術である。
【００４１】
このような構成によって、はんだの濡れ性を向上させるはたらきのあるフラックスをはんだ６に塗布することも、フラックスを洗浄することも必要ないため、フラックスによる光素子などの機能素子が特性劣化を起こす懸念も、フラックス残渣によって配線部を腐食させて電子部品が故障することも防止することが可能となる。
【実施例７】
【００４２】
実施例７は、実施例１〜４において説明した光素子搭載用基板に光素子を搭載した状態、あるいは、封止部材によって封止して、光素子パッケージとした状態の構成について開示するものである。
【００４３】
図１１は、実施例１における光素子搭載用基板に光素子８を搭載し、さらにレンズによって封止した構成を示す断面図である。図１１において、第１の基板１にはんだ６で光素子８が搭載され、第２の基板２の第１の基板と接合する面と反対の面の表面に接合材１２でレンズ２０が接合されている。
【００４４】
光素子８を第１の基板１に搭載するために、光素子８の接合面側には、第４の導体層１３をあらかじめ形成しておき、接合は、はんだ６と前記第４の導体層１３が接した状態ではんだ６の融点以上の温度で加熱し、冷却することで行われる。第４の導体層１３には、ＣｕまたはＣｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金、ＮｉまたはＮｉ合金の金属、またはＡｕまたはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上の金属で形成される。
【００４５】
接合材１２は、第１の基板１と光素子８の接合部の融点より低融点の材料であればよい。例えば、接合材１２にはんだ６を使う場合、光素子搭載用基板の第２の基板２とレンズ２０に、第５の導体層１４を形成する必要がある。第５の導体層１４には、ＣｕまたはＣｕ合金、ＡｌまたはＡｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金、ＮｉまたはＮｉ合金の金属、またはＡｕまたはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上の金属で形成され、レンズ２０と第２の基板２の接合は、はんだ６と第５の導体層１４が接した状態ではんだ６の融点以上に加熱することで行われる。なお、図１１において、レンズ２０の代わりにガラス板を用いて封止部材とすることも出来る。
【００４６】
図１５で説明した実施例５における光素子搭載用基板の構成に対するパッケージも基本的には、上記で説明した図１１の構成と同様とすることが出来る。
【００４７】
図１２は、実施例２における光素子搭載用基板に光素子８を搭載し、さらにレンズによって封止した構成を示す断面図である。その他の構成は、図１１と同様であるので、説明を省略する。なお、レンズの代わりに封止部材としてガラスを使用することが出来ることも図１１と同様である。
【００４８】
図１３は実施例３で説明した光素子搭載用基板に光素子８を搭載した状態を示す断面図である。実施例３の図８と異なる点は、はんだ６の部分に第４の金属層１４を介して光素子８が搭載されている点である。第４の導体層１３の材料は上記で説明したとおりである。
【００４９】
図１４は実施例４で説明した光素子搭載用基板に光素子８を搭載した状態を示す断面図である。実施例４の図１０と異なる点は、はんだ６の部分に第４の金属層１４を介して光素子８が搭載されている点である。第４の導体層１３の材料は上記で説明したとおりである。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・第１の基板、２・・・第２の基板、３・・・第１の導体層、４・・・ガラス（第１の基板と第２の基板の接合部）、５・・・第２の導体層、６・・・はんだ、７・・・ビア、８・・・光素子、９・・・第３の導体層、１０・・・第３の基板、１１・・・接続層、１２・・・接合材、１３・・・第４の導体層、１４・・・第５の導体層、２０・・・レンズ、封止部材、３１・・・第１の導体層の最下層、３２・・・第１の導体層の中層、３３・・・第１の導体層の最上層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子のパッケージングおよび光素子パッケージに使用される光素子搭載用基板に係り、光素子を搭載する基板とリフレクタ基板等をガラスによって封止したパッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
光素子を搭載する光素子搭載用基板と、光素子から出る光を反射する効果のあるリフレクタ基板が別々に成型され、後で接合する場合、従来技術では、光素子搭載用基板とリフレクタ基板の接合材には樹脂が用いられている。このような構成は、例えば「特許文献１」に記載されている。
【０００３】
一方、「特許文献２」には、リードフレームの積層構造において、リードフレームをガラスを介して積層する構成が記載されている。また、「特許文献３」には、いわゆるＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）において、ガラスで形成されたカソード基板とアノード基板をフリットガラスで接着する構成が記載されている。さらに、「特許文献４」には、半導体が搭載された基板を、封止基板と、樹脂による枠体によって封止する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−００８０７４号公報
【特許文献２】特開平７−２１１８５１号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２７３１号公報
【特許文献４】特開２００９−１８２００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、湾岸地域のように大気中に塩分を含み、湿度の高い環境で使われる光素子パッケージにおいて、光素子搭載用基板とリフレクタの接合部および封止材には樹脂が使われている。この場合の課題は、樹脂は気密性が低いので大気中に塩分を多く含む環境や、高い湿度の環境で使用すると塩分および水分が光素子パッケージ内に入り、光素子に電流を供給する電極あるいは光素子内の電極を腐食するため、光素子パッケージの品質保持期間が短くなること、また、樹脂に光素子から出る光が当たると劣化するため、光素子パッケージの品質保持期間が短くなることである。そこで、樹脂に替わり塩分を多く含む環境および湿度の高い環境下で高信頼な光素子搭載用基板および光素子パッケージが求められている。
【０００６】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、光素子搭載用基板とリフレクタの接合部が大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも塩分および水分の浸入を防ぎ、高信頼な光素子搭載用基板および光素子パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明では、光素子を搭載した第１の部材と光素子を囲み、封止とリフレクタの役割を有する第２の部材とをガラスを用いて接合することによって、第１の基板と第２の基板の間から水分が浸入することを防止する。
【０００８】
また、光素子を搭載した第１の基板とリフレクタとしての役割を有する第２の基板をガラスによって接合し、さらに、第２の基板と、ガラスによる封止部材をはんだによって接合することにより内部を封止することによって、パッケージ内部への水分の浸入を防止する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光素子を搭載する基板とリフレクタの接合にガラスを使い、リフレクタとガラスレンズの接合にはんだを使うため、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも光素子パッケージ内に塩分および水分の浸入を防ぐことができ、耐候性に優れる。
【００１０】
また、本発明の１態様によれば、光素子搭載用基板とリフレクタの接合材がガラスであるため、配線を挟持して接合できるので、ビアを形成せずに光素子へ給電することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１の光素子搭載用基板にリフレクタを接合する前の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図２】実施例１の光素子搭載用基板にリフレクタ接合後の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図３】図２のａ−ａ’の断面図である。
【図４】実施例２の光素子搭載用基板にリフレクタを接合する前の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図５】実施例２の光素子搭載用基板にリフレクタ接合後の状態での、リフレクタ接合側からの平面図である。
【図６】図５のａ−ａ’の断面図である。
【図７】実施例３の平面図である。
【図８】実施例３の断面図である。
【図９】実施例４の平面図である。
【図１０】実施例４の断面図である。
【図１１】実施例１における光素子搭載用基板をレンズによって封止した断面図である。
【図１２】実施例２における光素子搭載用基板をレンズによって封止した断面図である。
【図１３】実施例３における光素子搭載用基板に光素子を搭載した断面図である。
【図１４】実施例４における光素子搭載用基板に光素子を搭載した断面図である。
【図１５】実施例５の平面図である。
【図１６】第１の導体層と第３の導体層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１３】
本発明に係わる第１の実施の形態で、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境で使われる光素子搭載用基板について、図１乃至図３を用いて説明する。
図１は、第２の基板２を第１の基板１に接合する前の状態を第２の基板２を接合する側から見た図である。図２は、第１の基板１に第２の基板２を接合した後の第２の基板２を接合する側から見た図である。図３は、図２のａ−ａ’の断面図である。第１の基板１と第２の基板２がガラス４によって接合されている。第２の基板の内側はリフレクタとしての役割を有している。第１の基板１および第２の基板２は、例えばＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板である。第１の基板および第２の基板の材料はＡｌ２Ｏ３の他に、ＡｌＮ、あるいは、ＳｉＣ等を使用することも出来る。熱膨張を考慮すると、第１の基板と第２の基板は同じ材料であることが好ましい。
【００１４】
第１の基板１の第２の基板２との接合面側の表面に第１の導体層３が形成されており、第１の導体層３の表面の光素子搭載箇所を除く領域に第３の導体層９が形成されており、第１の基板１の側面および第２の基板２との接合面と反対側の表面に第２の導体層５が形成されている。なお、第１の導体層３、第３の導体層９、および第２の導体層５は、光素子へ給電する際、短絡しないように形成されていなければならない。なお、本明細書における光素子の代表的なものはＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。
【００１５】
第１の導体層３は、３層構造となっており、最下層３１、中層３２、最上層３３から構成されている。積層された第１の導体層３と第３の導体層９の断面構造を図１６に示す。第１の導体層３における最下層３１は第１の基板と接触するので、接着力を考慮してＴｉによって形成され、厚さｔ１は１００ｎｍである。中層３２は、電流を流す主力部分であり、Ｃｕによって形成され、厚さｔ２は約３μｍから５μｍである。なお、中層は、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等によって形成される場合もある。第１の導体層３における最上層３３ははんだ接続を可能とするために、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ａｕ、Ａｕ合金等が使用される。最上層３３の厚さｔ３は１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さである。
【００１６】
第３の導体層９は第１の導体層１の上に積層して形成される。第３の導体層９は、第１の導体層３の表面の光素子搭載箇所を除く領域を覆って積層されている。第３の導体層の厚さｔ４は１００ｎｍ程度である。第３の導体層９はＡｌもしくはＡｌ合金で形成されているので、フリットガラスと接着することが出来る。したがって、第１の導体層３が形成された第１の基板１とセラミックで形成された第２の基板２とをフリットガラスによって接合することが出来る。
【００１７】
第１の導体層３の光素子搭載箇所の表面は、最上層３３であるＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金のうち少なくとも１種以上の金属が存在していることになるので、はんだの形成が可能である。したがって、光素子をはんだによって接続することが出来る。
【００１８】
光素子搭載箇所以外の表面は、第２の基板２であるＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板、および、第１の基板１に形成された第１の金属であるＡｌもしくはＡｌ合金とすることで、光素子から出る光を効率よく反射し、外部へ導くことができる。
【００１９】
ガラス４にはＰｂを含まないガラスを用い、はんだにはＰｂを含まないものを用いることで、Ｐｂ等の有害性が懸念される物質を規制しているＲｏＨＳ指令（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）により使用を制限されることはない。
【００２０】
次に、本実施例に係わる光素子搭載用基板の形成プロセスの概略について説明する。まず、第１の基板１に電極となる第１の導体層３および第３の導体層９をフォトリソグラフィー技術を用いた半導体プロセスにより形成する。次に第２の導体層５を第１の基板１の側面および裏面にメッキを用いて形成する。
【００２１】
第１の基板１の厚さは例えば、０．６ｍｍ程度であり、第１の基板の側面および裏面に形成された第２の導体層の厚さは３〜５μｍである。第２の導体層５の材料は、例えば、銅合金で形成されている。第２の導体層５は、積層構造として、第１の基板１と接触する部分には、第１の基板１との接着性を向上させるために、Ｔｉが１００ｎｍ程度形成される場合もある。
【００２２】
次に、ペースト状のガラス４、すなわちフリットガラスをスクリーン印刷、あるいはディスペンス技術を用いて第３の導体層９の上に形成する。次に、１００℃から１５０℃程度の温度の環境に前記ガラス４を印刷した基板を放置してガラス４を乾燥させる。その後、ガラス４の表面に第２の基板２を乗せ、その上から荷重をかけた状態でガラス４で第１の基板１と第２の基板２を接合できる温度に保持し、冷却することで、ガラス４を用いた接合を実現できる。接合した状態におけるガラスの厚さは例えば、１００μｍである。
【００２３】
その後、第１の導体層３において、光素子８を接続する部分の表面にはんだ６を蒸着、スパッタ、めっき、あるいはスクリーン印刷技術を用いて形成する。これによって光素子を第１の基板１に搭載することが可能になる。
【００２４】
本発明によれば、第１の基板１と第２の基板２の接合にガラス４を使うため、大気中に塩分を多く含む環境や、高湿度環境でも接合部から塩分および水分の浸入を防ぐことができる。
【００２５】
また、本発明によれば、光素子搭載箇所以外の表面をＡｌ２Ｏ３が主成分のセラミック基板およびＡｌもしくはＡｌ合金とすることで、光素子から出る光を効率よく外部へ導くことができる。
【００２６】
また、本発明によれば、接合材がガラスであるため、配線を挟持して接合できるため、ビアを形成せずに光素子へ給電することもできる。
【実施例２】
【００２７】
次に本発明に係わる第２の実施の形態について図４乃至図６を用いて説明する。第２の実施の形態において、実施例１と相違する点は、第１の基板１に金属を充填したビア７を形成し、光素子へ給電することである。
【００２８】
図４は第２の基板２を第１の基板１に接合する前の状態を第２の基板２を接合する側から見た図である。図５は、第１の基板１に第２の基板２を接合した後の第２の基板２を接合する側から見た図である。図６は、図５のｂ−ｂ’の断面図である。第１の基板１と第２の基板２がガラス４によって接合されている。
【００２９】
完成した光素子搭載用基板は、図６に示すように、第１の基板１の光素子搭載部から反対側に貫通するビアが形成されており、主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属により充填されている。
【００３０】
本実施例での光素子搭載用基板の製造方法では、まず第１の基板１にブラスト、レーザー、ミリングあるいはエッチング技術を用いたプロセスによりビア７を形成する。次に、めっき技術を用いて主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７を充填する。次に、実施例１と同様に第２の導体層５、第１の導体層３および第３の導体層９を形成し、ガラス４で第１の基板１と第２の基板２を接合し、第１の導体層３表面にはんだ６を形成する。
【００３１】
ビア７の径は３００μｍ程度であり、この程度の径のビア７は放熱の効果がある。したがって、上記のような第２の実施の形態とすることで、信頼性が高く、かつ、放熱性の高い光素子搭載用基板を実現することが出来る。
【実施例３】
【００３２】
次に本発明に係わる第３の実施の形態について図７乃至図８を用いて説明する。第３の実施の形態は、図８に示すように、第１の基板１の表面に、ビア７が形成されている第３の基板１０がガラス４で接合され、第３の基板１０表面の光素子搭載箇所にはんだ６が形成されている。第１の基板には第３の基板とガラス接合するために、第１の導体層３と第３の導体層９が形成されていることは実施例１と同様である。
【００３３】
図７は第１の基板１に第３の基板１０を接合した後の第３の基板１０を接合した側から見た平面図である。図８は、図７のｃ−ｃ’の断面図である。本実施例での光素子搭載用基板の製造方法では、まず第１の基板１に実施例２と同様にビア７を形成し、主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７を充填する。次に、実施例１と同様に第２の導体層５、第１の導体層３および第３の導体層９を形成し、ガラス４で第１の基板１と第３の基板１０を接合する。
【００３４】
このとき、図８で示唆するように第１の基板１のビア７の上はガラス４で覆わないようにしておき、この部分は空隙としておく。その後、第３の導体層３の光素子搭載側から、めっき技術を用いて主にＣｕもしくはＣｕ合金を主成分とする金属でビア７および空隙を充填し、図８に示すように、第１の基板１に形成されたビア７と第３の基板１０に形成されたビア７との接続層１１とする。その後、第３の基板１０に形成されたビア７の部分にはんだ６を形成する。これによって光素子８を第３の基板に搭載することが出来る。
【００３５】
上記のような第３の実施の形態とすることで、光素子を搭載する面に導体層を露出させず、光素子に給電できるため、導体層が腐食されない光素子搭載用基板を作製できる。また、第１の基板と第３の基板をガラスで接合するので、内部に水分が侵入することを防止することが出来る。
【実施例４】
【００３６】
次に本発明に係わる第４の実施の形態について図９乃至図１０を用いて説明する。第４の実施の形態において、第３の実施の形態と相違する点は、図９に示すように、第１の基板にビア７を形成せず、実施例１と同様に第１の基板１の側面を用いて第１の導体層３と第２の導体層５を接続することである。
【００３７】
図９は第１の基板１に第３の基板１０を接合した後の第３の基板１０を接合した側から見た図である。図１０は、図９のｄ−ｄ’の断面図である。上記のような第４の実施の形態とすることで、ビア７を形成せずに、光素子を搭載する面に導体層を形成せずに光素子に給電できるため、第１の基板におけるビアの形成プロセスを省略することが出来る。また、第１の基板と第２の基板がガラス接合されているので、内部の配線が水分によって腐食されることを防止することが出来る。
【実施例５】
【００３８】
次に本発明に係わる第５の実施の形態について図１５を用いて説明する。第５の実施の形態において、第１の実施の形態と相違する点は、図１５に示すように、光素子搭載箇所が複数あることである。図１５は第１の基板１に第２の基板２を接合する前の第２の基板２を接合する側から見た図である。
【００３９】
図１５における第３の導体層９の上に、実施例１におけると同様に、リフレクタと外囲器を兼ねた第２の基板をガラスによって接合する。図１５におけるはんだの部分に光素子が搭載される。このような構成において、複数の光素子の発光色を必要に応じて異ならせることにより、演色性の優れた光素子パッケージ、あるいは、そのための基板を製造することが出来る。
【実施例６】
【００４０】
実施例１〜５において、光素子が搭載される部分には、はんだが形成されている。本実施例では、このはんだの表面に対して、Ａｇ膜あるいはＡｕ膜を形成するものである。Ａｇ膜を形成する場合は、Ａｇ膜の表面にＡｕ膜を形成すると、はんだの酸化防止効果をさらに上げることが出来る。Ａｇ膜は０．１μｍ程度の厚さで、酸化防止能力を発揮し、特にノンフラックスの接合プロセスに有効な技術である。
【００４１】
このような構成によって、はんだの濡れ性を向上させるはたらきのあるフラックスをはんだ６に塗布することも、フラックスを洗浄することも必要ないため、フラックスによる光素子などの機能素子が特性劣化を起こす懸念も、フラックス残渣によって配線部を腐食させて電子部品が故障することも防止することが可能となる。
【実施例７】
【００４２】
実施例７は、実施例１〜４において説明した光素子搭載用基板に光素子を搭載した状態、あるいは、封止部材によって封止して、光素子パッケージとした状態の構成について開示するものである。
【００４３】
図１１は、実施例１における光素子搭載用基板に光素子８を搭載し、さらにレンズによって封止した構成を示す断面図である。図１１において、第１の基板１にはんだ６で光素子８が搭載され、第２の基板２の第１の基板と接合する面と反対の面の表面に接合材１２でレンズ２０が接合されている。
【００４４】
光素子８を第１の基板１に搭載するために、光素子８の接合面側には、第４の導体層１３をあらかじめ形成しておき、接合は、はんだ６と前記第４の導体層１３が接した状態ではんだ６の融点以上の温度で加熱し、冷却することで行われる。第４の導体層１３には、ＣｕまたはＣｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金、ＮｉまたはＮｉ合金の金属、またはＡｕまたはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上の金属で形成される。
【００４５】
接合材１２は、第１の基板１と光素子８の接合部の融点より低融点の材料であればよい。例えば、接合材１２にはんだ６を使う場合、光素子搭載用基板の第２の基板２とレンズ２０に、第５の導体層１４を形成する必要がある。第５の導体層１４には、ＣｕまたはＣｕ合金、ＡｌまたはＡｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金、ＮｉまたはＮｉ合金の金属、またはＡｕまたはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上の金属で形成され、レンズ２０と第２の基板２の接合は、はんだ６と第５の導体層１４が接した状態ではんだ６の融点以上に加熱することで行われる。なお、図１１において、レンズ２０の代わりにガラス板を用いて封止部材とすることも出来る。
【００４６】
図１５で説明した実施例５における光素子搭載用基板の構成に対するパッケージも基本的には、上記で説明した図１１の構成と同様とすることが出来る。
【００４７】
図１２は、実施例２における光素子搭載用基板に光素子８を搭載し、さらにレンズによって封止した構成を示す断面図である。その他の構成は、図１１と同様であるので、説明を省略する。なお、レンズの代わりに封止部材としてガラスを使用することが出来ることも図１１と同様である。
【００４８】
図１３は実施例３で説明した光素子搭載用基板に光素子８を搭載した状態を示す断面図である。実施例３の図８と異なる点は、はんだ６の部分に第４の金属層１４を介して光素子８が搭載されている点である。第４の導体層１３の材料は上記で説明したとおりである。
【００４９】
図１４は実施例４で説明した光素子搭載用基板に光素子８を搭載した状態を示す断面図である。実施例４の図１０と異なる点は、はんだ６の部分に第４の金属層１４を介して光素子８が搭載されている点である。第４の導体層１３の材料は上記で説明したとおりである。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・第１の基板、２・・・第２の基板、３・・・第１の導体層、４・・・ガラス（第１の基板と第２の基板の接合部）、５・・・第２の導体層、６・・・はんだ、７・・・ビア、８・・・光素子、９・・・第３の導体層、１０・・・第３の基板、１１・・・接続層、１２・・・接合材、１３・・・第４の導体層、１４・・・第５の導体層、２０・・・レンズ、封止部材、３１・・・第１の導体層の最下層、３２・・・第１の導体層の中層、３３・・・第１の導体層の最上層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光素子を接続するはんだを有する第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記第１の面側に、前記はんだを囲むように配置された第２の基板とを有する光素子搭載用基板であって、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記はんだは前記第１の導体層の上に形成されており、第３の導体層が、前記第１の導体層の上で、前記はんだが形成されている範囲以外の部分に前記第１の導体層と積層して形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記第１の導体層は、ＣｕもしくはＣｕ合金、ＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上を含む金属であることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項３】
前記第１の導体層は、３層の導体層で形成されており、前記第１の基板と接触する最下層はＴｉで形成され、最上層はＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内のいずれかの金属で形成され、前記最下層と前記最上層の間にＣｕまたはＣｕ合金による導体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記第３の導体層はＡｌもしくはＡｌ合金であることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記第２の導体層は前記第１の基板の前記側面にも形成され、前記側面に形成された前記第２の導体層は前記第１の導体層と導通していることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項６】
前記第１の基板にはビアが形成され、前記ビアによって前記第１の導体層と前記第２の導体層が導通していることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項７】
第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板の前記第１の面と、表面と裏面を有する第２の基板とが、前記第１の基板の前記第１の面と前記第２の基板の前記裏面とを対向して配置された光素子搭載用基板であって、
前記第２の基板の前記表面には光素子を接続するはんだが形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層と接続層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記接続層と前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記第２の基板にはビアが形成され、前記はんだと前記第１の基板に形成された接続層とは前記第２の基板に形成されたビアによって接続され、
前記第１の基板の前記第１の導体層の上には、第３の導体層が形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子搭載用基板。
【請求項８】
前記第１の導体層は、３層の導体層で形成されており、前記第１の基板と接触する最下層はＴｉで形成され、最上層はＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内のいずれかの金属で形成され、前記最下層と前記最上層の間にＣｕまたはＣｕ合金による導体層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項９】
前記第３の導体層はＡｌもしくはＡｌ合金であることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１０】
前記第２の導体層は前記第１の基板の前記側面にも形成され、前記側面に形成された前記第２の導体層は前記第１の導体層と導通していることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１１】
前記第１の基板にはビアが形成され、前記ビアによって前記第１の導体層と前記第２の導体層が導通していることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１２】
光素子が接続された第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板の前記第１の面と、表面と裏面を有する第２の基板とが、前記第１の基板の前記第１の面と前記第２の基板の前記裏面とを対向して配置され、前記第２の基板の前記表面に封止部材が配置された光素子パッケージであって、
前記第２の基板は前記光素子を囲むように配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記光素子ははんだを介して前記第１の導体層と接続しており、第３の導体層が、前記第１の導体層の上で、前記はんだが形成されている範囲以外の部分に前記第１の導体層と積層して形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２の基板と前記封止部材とははんだを介して接続していることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記封止部材は、ガラスであることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記封止部材はレンズであることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【請求項１】
光素子を接続するはんだを有する第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記第１の面側に、前記はんだを囲むように配置された第２の基板とを有する光素子搭載用基板であって、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記はんだは前記第１の導体層の上に形成されており、第３の導体層が、前記第１の導体層の上で、前記はんだが形成されている範囲以外の部分に前記第１の導体層と積層して形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記第１の導体層は、ＣｕもしくはＣｕ合金、ＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内、少なくとも１種以上を含む金属であることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項３】
前記第１の導体層は、３層の導体層で形成されており、前記第１の基板と接触する最下層はＴｉで形成され、最上層はＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内のいずれかの金属で形成され、前記最下層と前記最上層の間にＣｕまたはＣｕ合金による導体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記第３の導体層はＡｌもしくはＡｌ合金であることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記第２の導体層は前記第１の基板の前記側面にも形成され、前記側面に形成された前記第２の導体層は前記第１の導体層と導通していることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項６】
前記第１の基板にはビアが形成され、前記ビアによって前記第１の導体層と前記第２の導体層が導通していることを特徴とする請求項１に記載の光素子搭載用基板。
【請求項７】
第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板の前記第１の面と、表面と裏面を有する第２の基板とが、前記第１の基板の前記第１の面と前記第２の基板の前記裏面とを対向して配置された光素子搭載用基板であって、
前記第２の基板の前記表面には光素子を接続するはんだが形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層と接続層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記接続層と前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記第２の基板にはビアが形成され、前記はんだと前記第１の基板に形成された接続層とは前記第２の基板に形成されたビアによって接続され、
前記第１の基板の前記第１の導体層の上には、第３の導体層が形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子搭載用基板。
【請求項８】
前記第１の導体層は、３層の導体層で形成されており、前記第１の基板と接触する最下層はＴｉで形成され、最上層はＡｇもしくはＡｇ合金、ＮｉもしくはＮｉ合金の金属、またはＡｕもしくはＡｕ合金の内のいずれかの金属で形成され、前記最下層と前記最上層の間にＣｕまたはＣｕ合金による導体層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項９】
前記第３の導体層はＡｌもしくはＡｌ合金であることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１０】
前記第２の導体層は前記第１の基板の前記側面にも形成され、前記側面に形成された前記第２の導体層は前記第１の導体層と導通していることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１１】
前記第１の基板にはビアが形成され、前記ビアによって前記第１の導体層と前記第２の導体層が導通していることを特徴とする請求項７に記載の光素子搭載用基板。
【請求項１２】
光素子が接続された第１の面と、第２の面と、側面を有する第１の基板の前記第１の面と、表面と裏面を有する第２の基板とが、前記第１の基板の前記第１の面と前記第２の基板の前記裏面とを対向して配置され、前記第２の基板の前記表面に封止部材が配置された光素子パッケージであって、
前記第２の基板は前記光素子を囲むように配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板はセラミックで形成され、
前記第１の基板の前記第１の面には、第１の導体層が形成され、前記第１の基板の前記第２の面には第２の導体層が形成され、
前記第１の導体層と前記第２の導体層とは導通しており、
前記光素子ははんだを介して前記第１の導体層と接続しており、第３の導体層が、前記第１の導体層の上で、前記はんだが形成されている範囲以外の部分に前記第１の導体層と積層して形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第３の導体層を介してガラスによって接合していることを特徴とする光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２の基板と前記封止部材とははんだを介して接続していることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記封止部材は、ガラスであることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記封止部材はレンズであることを特徴とする請求項１２に記載の光素子パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１１−２４９７２９（Ｐ２０１１−２４９７２９Ａ）
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２４２９８（Ｐ２０１０−１２４２９８）
【出願日】平成２２年５月３１日（２０１０．５．３１）
【出願人】（０００２３３２２８）日立協和エンジニアリング株式会社 (35)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月３１日（２０１０．５．３１）
【出願人】（０００２３３２２８）日立協和エンジニアリング株式会社 (35)
【Ｆターム（参考）】
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