免疫測定方法及び免疫測定装置
【課題】ノズルを用いずに検査溶液内の反応複合体を短時間で集合させることのできる免疫測定方法及び免疫測定装置を提供する。
【解決手段】容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、第１磁界発生部を容器が通過し、反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程の後に被分析物質を測定する測定工程と、を備える。
【解決手段】容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、第１磁界発生部を容器が通過し、反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程の後に被分析物質を測定する測定工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、免疫測定方法及び免疫測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から知られている抗原抗体反応を利用した免疫測定方法として、蛍光免疫測定方法がある（特許文献１）。この測定方法では、まず、検査容器内で抗体を結合した蛍光体と抗原（被分析物質）を反応させ、該反応物に抗体を結合した磁気粒子を添加反応して反応複合体を作製する。その後、前記反応複合体に光を照射した時に発する蛍光強度を測定して、被分析物質の量を測定する。被分析物質の測定においては、磁石で集めた反応複合体にレーザ光を照射し、反応複合体の蛍光体から発生する蛍光強度を検出する。蛍光強度は被分析物質の量に比例することを利用し、検出された蛍光強度から被分析物質を定量測定する。
【０００３】
また、磁石で磁気粒子を集合させる時間を短縮する手法が提案されている。特許文献２では、撹拌吸引ノズルから液体または気体を検査容器内に吐出し、検査容器底部に存在していた磁性ビーズを吹き上げることで、磁石によって作られる磁場を通過する反応複合体の数を増加せしめ、検査溶液内の磁気粒子を短時間で磁石で集合させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２４９１１４号公報
【特許文献２】特開２００１−１１６７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の蛍光免疫測定では、反応複合体が磁石による磁力の及ぶ領域に入った場合に、磁石に引き付けられる。この反応複合体が磁石に引き付けられる力は、反応複合体を構成する磁気粒子に含まれる磁性物質の量、つまり磁性物質の体積に比例する。
【０００６】
一方、反応複合体が溶液から受ける粘性抵抗は、反応複合体と溶液の接触面積つまり、反応複合体の表面積に比例する。通常反応複合体は小さく体積も小さいため、磁石の近傍でも、磁石によって引き付けられる力よりも粘性抵抗が大きくなってしまう。
【０００７】
従って、この検査容器内の磁気粒子を磁石で集めるには、非常に時間がかかるという問題がある。
【０００８】
また、特許文献２のような手法では、ノズルを検体に入れているため、連続して検体の測定を行う場合ノズルの洗浄が必要になるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ノズルを用いずに検査溶液内の反応複合体を短時間で集合させることのできる免疫測定方法及び免疫測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る免疫測定方法は、容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、第１磁界発生部を容器が通過し、反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程の後に被分析物質を測定する測定工程と、を備えることを特徴としている。
【００１１】
本発明に係る免疫測定方法において、第１反応複合体捕捉工程は、第１磁界発生部を容器が通過する磁場通過工程と、反応複合体の通過方向に関して磁力線分布が変化する磁界変化工程と、を備えることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る免疫測定方法において、第１反応複合体捕捉工程は、容器が通過方向に沿った方向を中心として回転しながら、第１磁界発生部を通過することが好ましい。
【００１３】
また、本発明に係る免疫測定装置は、発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体の入った検査容器と、第１磁界発生部と、第２磁界発生部と、被分析物質を測定する測定手段と、を備えることを特徴としている。
【００１４】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、検査容器を取り囲むように磁石が周上に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、隣り合う磁石がそれぞれ異なる極となるように配置されていることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、複数の磁石が略等間隔に配置されていることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部で作成された磁力線分布は、反応複合体の通過方向に関して変化していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る免疫測定方法及び免疫測定装置は、ノズルを用いずに検査溶液内の反応複合体を短時間で集めることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る免疫測定装置の構成を示す上面図であって、一部をブロック図で示す図である。
【図２】（ａ）は抗体が結合された発光標識を模式的に示す図、（ｂ）は被分析物質としての抗原を模式的に示す図、（ｃ）は抗体が結合された磁気粒子を模式的に示す図、（ｄ）はこれらから生成される反応複合体１５５を模式的に示す図である。
【図３】第１磁界発生部の構成を示す斜視図である。
【図４】検査容器の通過領域、並びに、第１磁界発生部及び第２磁界発生部の位置関係を示す断面図である。
【図５】第１磁界発生部を構成する磁石の磁極の配置例を示す平面図である。
【図６】（ａ）は第２実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部の構成を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＶＩＤ−ＶＩＤ線における断面図である。
【図７】（ａ）は第３実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部の構成を示す斜視図、（ｂ）は位置ＶＩＩＡで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｃ）は、（ｂ）とは異なる位置ＶＩＩＢで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｄ）は、（ｂ）、（ｃ）とは異なる位置ＶＩＩＣで強い磁場が発生した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明に係る免疫測定方法及び免疫測定装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る免疫測定装置の構成を示す上面図であって、一部をブロック図で示す図である。図１では、第２磁界発生部よりも上方に位置する第１磁界発生部の図示を省略している。
免疫測定装置１００は、検査容器１１０と、第１磁界発生部１２０と、第２磁界発生部１３０と、測定手段と、を備える。
【００２２】
検査容器１１０には、発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体が収容される。検査容器１１０は、マイクロリットルからミリリットル程度の試料を収納できるプラスチック製の容器が好ましく、例えばエッペンドルフチューブやマイクロチューブを用いることができる。検査容器１１０の材質は、磁力を通すものであれば良く、ガラス製等であってもかまわない。
【００２３】
図２は、抗体１５１、発光標識１５２、被分析物質としての抗原１５３、磁性体としての磁気粒子１５４、及び、反応複合体１５５を模式的に示す図であって、（ａ）は抗体１５１が結合された発光標識１５２を示し、（ｂ）は被分析物質としての抗原１５３を示し、（ｃ）は抗体１５１が結合された磁気粒子１５４を示し、（ｄ）はこれらが抗原抗体反応して生成された反応複合体１５５を示している。
【００２４】
図２（ａ）、（ｃ）、（ｄ）における、略Ｙ字形状の物体が抗体１５１であり、抗体１５１は、図２（ｂ）に示す、被分析物質としての抗原１５３と特異的に抗原抗体反応する。
【００２５】
発光標識１５２は、光照射によって蛍光もしくはラマン散乱光等を発する。発光標識１５２としては、例えば、蛍光マイクロビーズ、量子ドット、ＳＥＲＳナノタグを用いる。
【００２６】
蛍光マイクロビーズとしては、例えば、４８８ｎｍの光で励起し、５１５ｎｍから６６０ｎｍの蛍光を発するプローブ（フローサイトメトリーアラインメントビーズ）（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｒｏｂｅｓ社製）を用いることができる。
【００２７】
ＳＥＲＳナノタグとは、光照射によって強いラマン散乱光を発する直径数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの大きさを持つビーズである。例えば、米国特許第７１９２７７８号明細書には、８００〜１８００ｃｍ−１のラマン散乱光の発光が開示されており、波長６３３ｎｍの励起光（レーザ光）を照射すると波長６７０ｎｍ〜７１０ｎｍのラマン散乱光が発生する例がある。ＳＥＲＳナノタグの構造は、例えば、約６０ｎｍのラマン活性レポーター分子を付着させた金ナノ粒子をポリマー、ガラスまたは任意の他の誘電性材料を含む被包シェルでシールドした構造である。ここで、「ＳＥＲＳ」は、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇの略称である。
【００２８】
また、発光標識は、化学的に安定であること、光源部１４１の波長で発光可能な吸収帯を有すること、発光標識と磁気粒子との非特異的な吸着が無い材質であることが望ましい。
【００２９】
磁性体としての磁気粒子１５４は、可磁化物質（Ｆｅ２Ｏ３）が一様に分布したポリスチレン製のコアを親水性ポリマーで被った直径数１００ｎｍ〜数μｍの大きさを持つビーズであり、例えば、ダイナビーズ（商標）（ダイナル社製）を用いることができる。
【００３０】
図３は、第１磁界発生部１２０の構成を示す斜視図である。第１磁界発生部１２０は、検査容器通過領域１２１を取り囲むように配置した４個の磁石１２２からなる。これらの磁石１２２は、強い磁力を有する磁石（例えばネオジウム磁石、電磁石）を用いることが好ましく、検査容器通過領域１２１を円筒形状としたときに、その中心軸の周りの周上に等角度間隔に配置すると良い。なお、第１磁界発生部１２０を構成する磁石の数は任意に設定することができ、１〜３個又は５個以上であってもよい。
【００３１】
図４は、検査容器１１０の通過領域、並びに、第１磁界発生部１２０及び第２磁界発生部１３０の位置関係を示す断面図である。
第１磁界発生部１２０は、検査容器１１０が通過する経路のうち、検査容器１１０と第２磁界発生部１３０とが互いに対向する位置よりも上流側に配置される。したがって、検査容器１１０は、第１磁界発生部１２０の検査容器通過領域１２１内を通過した後に第２磁界発生部１３０に対向する位置に到達する。
磁石の内側には、第１磁界発生部１２０によって磁場が形成されている。
【００３２】
図５は、第１磁界発生部１２０を構成する磁石１２２の磁極の配置例を示す平面図である。
図５に示すように、第１磁界発生部１２０においては、隣り合う磁石において検査容器通過領域１２１の中心軸側に向く磁極が互いに異なるように、４つの磁石１２２が順に配置されている。一般に、磁力線は、Ｎ極から出てＳ極に入り、互いに交差したり、重なることがない。したがって、図５のように、互いに異なる磁極が検査容器通過領域１２１の中心を向いて隣り合うように磁石１２２を並べると、隣り合う磁石の間で磁力線１２３が形成され、検査容器１１０を横切る磁力線１２３の本数が多くなる。このように磁力線１２３を形成すると、反応複合体１５５は磁力線１２３に沿って引き付けられるため、第１磁界発生部１２０で、多くの反応複合体１５５を集めることができる。これにより、反応複合体１５５はさらに凝集して大粒径となり、凝集していない場合に比べて表面抵抗の影響を受けにくくなる。従って、検査容器１１０が第２磁界発生部１３０に至って測定部に配置されると、反応複合体１５５を短時間で第２磁界発生部１３０に集めることが可能となる。
【００３３】
第２磁界発生部１３０は、検査容器１１０内の反応複合体を所定位置に集めるように配置される。この所定位置は、検査容器１１０を検査容器保持部１３１に保持された位置であり、測定手段によって、反応複合体に所定の光を照射するとともに、反応複合体からの光を検出する位置である。また、第２磁界発生部１３０には、例えばネオジウム磁石や電磁石のような、比較的強力な磁力を有する磁石を用いることが好ましい。
【００３４】
測定手段は、検査容器１１０に光を照射するための入射光学系としての光源部１４１と、検査容器１１０内の反応複合体からの光を検出するための検出光学系としての光検出部１４２と、演算部１４３と、を有する。
【００３５】
光源部１４１には、例えばレーザ、レーザダイオード、ＬＥＤを用いることができる。光検出部１４２には、例えば、分光器、光電子増倍管、フォトダイオード、フォトンカウンティングを用いることができる。反応複合体からの光の検出において、励起光の除去が必要ならば、干渉フィルタを光検出部１４２の前に入れて、励起光の影響を除くことが好ましい。
【００３６】
光検出部１４２では、反応複合体１５５の発光標識１５２および磁気粒子１５４からの光信号が測定される。光検出部１４２の出力は、データ処理用コンピュータの演算部１４３に入力され、データの蓄積・解析に利用される。
【００３７】
光源部１４１から発せられた光は、励起光照射用のレンズ１４４によって検査容器１１０の測定領域に励起光を集光される。このレンズ１４４としては、開口数（ＮＡ）の大きいものが好ましい。ＮＡが大きいと、光源スポット径を１０〜１００ｕｍ程度と小さく設定できるからである。すなわち、第２磁界発生部１３０によって、反応複合体を所定の狭い領域に集合させるため、光源部１４１からの光は狭い領域に照射される。
【００３８】
一方、反応していない発光標識１５２からの発光は、バックグラウンドノイズになる。従って、励起光照射用のレンズ１４４のＮＡが大きい場合、反応複合体１５５を構成する発光標識１５２のみ効率よく励起できるとともに、磁気粒子と結合していない未反応の発光標識１５２の励起を抑制することができる。
【００３９】
反応複合体１５５から発せられた蛍光もしくはラマン散乱光等は、信号検出用のレンズ１４５によって集められ、光検出部１４２で集光する。このレンズ１４５としては、開口数（ＮＡ）の大きいものが好ましい。ＮＡが大きいと、反応複合体１５５から発せられた蛍光もしくは、ラマン散乱光等を効率よく集光することができる。励起光の除去が必要ならば、干渉フィルタを検出器の前に入れて、励起光の影響を除くことも可能である。
【００４０】
ここで、第２磁界発生部１３０の先端位置と、励起光照射用のレンズの１４４の焦点位置と、信号検出用のレンズ１４５の焦点位置と、は略一致している。
以上の構成においては、第２磁界発生部１３０の先端には、磁気粒子１５４の磁力と第２磁界発生部１３０が発生する磁界との作用により、検査容器１１０内の反応複合体１５５及び磁気粒子１５４が集められる。
【００４１】
つづいて、第１実施形態に係る免疫測定方法について説明する。
第１実施形態の免疫測定方法は、反応工程と、第１反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程と、測定工程と、を備える。
【００４２】
まず、反応工程においては、検査容器１１０内において発光標識１５２、磁気粒子１５４、および、抗原１５３を反応させて反応複合体１５５を作製する。
【００４３】
反応工程の終了後、反応複合体１５５が入った検査容器１１０は、第１磁界発生部１２０によって検査容器通過領域１２１に形成された磁場勾配を通過した後に、測定部に搬送される（第１反応複合体捕捉工程）。第１反応複合体捕捉工程では、検査容器１１０が第１磁界発生部１２０で作られた磁場内に入ると、この磁場による磁力線に沿って、磁気粒子１５４を含む反応複合体１５５が集まる。さらに、検査容器１１０が第１磁界発生部１２０を通過していくにつれて、反応複合体１５５は磁場で集められ、反応複合体１５５の集合体は徐々に大きくなる。
【００４４】
つづいて、第２反応複合体捕捉工程においては、検査容器１１０が検査容器保持部１３１に保持されて測定のための所定位置の測定部に配置されると、第２磁界発生部１３０によって作られる磁場によって、検査容器１１０内の磁気粒子１５４を含む反応複合体１５５は第２磁界発生部１３０近傍に集合する。このとき、反応複合体１５５は第１反応複合体捕捉工程によって凝集して大粒径となっている。よって、反応複合体１５５が凝集していない場合に比べて、表面抵抗の影響を受けにくくなっている。このため、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０側に集めることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図６（ａ）は第２実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部２２０の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部２２０の構成を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＶＩＤ−ＶＩＤ線における断面図である。
第２実施形態に係る免疫測定装置においては、第１磁界発生部２２０の構成が第１実施形態に係る第１磁界発生部１２０と異なる。その他の構成は第１実施形態に係る免疫測定装置と同様であって、同じ部材については同じ参照符号を使用する。
【００４６】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第１磁界発生部２２０は、略円筒形状の検査容器通過領域２２１の中心軸の周りに螺旋状に配置された複数の磁石２２２を備える。これら複数の磁石２２は、隣り合う磁石において検査容器通過領域２２１の中心軸側に向く磁極が互いに異なるように配置されている。
【００４７】
磁石２２２をこのように螺旋状に配置すると、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１磁界発生部２２０の場所によって検査容器１１０を横切る磁力線分布は変化する。そのため、第１反応複合体捕捉工程において、反応複合体１５５は磁力線に沿って凝集するだけでなく、検査容器１１０が検査容器通過領域２２１内を移動して磁力線分布が変化するのに合わせて動くことにより、検査容器１１０内の別の場所にある反応複合体１５５とも結合することが可能となり、さらに大粒径になる。従って、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０に集めることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第１実施形態と同様である。
【００４８】
（第３実施形態）
図７（ａ）は第３実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部３２０の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって位置ＶＩＩＡで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｃ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって、（ｂ）とは異なる位置ＶＩＩＢで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｄ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって、（ｂ）、（ｃ）とは異なる位置ＶＩＩＣで強い磁場が発生した状態を示す図である。
【００４９】
第３実施形態に係る免疫測定装置においては、第１磁界発生部３２０の構成が第１実施形態に係る第１磁界発生部１２０と異なる。その他の構成は第１実施形態に係る免疫測定装置と同様であって、同じ部材については同じ参照符号を使用する。
【００５０】
図７に示すように、第１磁界発生部３２０は、略円筒形状の検査容器通過領域３２１の中心軸の周りに配置された複数の電磁石３２２を備える。各電磁石３２２には、不図示の制御部により、位相のずれた交流電流を印加する。
【００５１】
第１磁界発生部３２０では、各電磁石３２２に交流電流を流すことにより、第１磁界発生部１２０内で発生する磁化強度は時間的に変化する。例えば、図７（ａ）に示す時点では磁場が強いのはＶＩＩＡの位置であり、図７（ｂ）に示す別の時点では磁場が強いのはＶＩＩＢの位置であり、図７（ｃ）に示す、さらに別の時点では磁場が強いのはＶＩＩＩＣの位置となる。
【００５２】
このように、位相のずれた交流電流を各電磁石３２２に印加して磁場が強い位置を移動させることにより、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができ、さらに大粒径の反応複合体１５５になる。従って、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０に集めることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第１実施形態と同様である。
【００５３】
次に、上述の実施形態の変形例について説明する。
第１実施形態において、検査容器１１０を回転させながら移動させると、シンプルな装置構成でありながら、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができるため、大粒径の反応複合体１５５を生成することが可能となる。
【００５４】
第２実施形態において、検査容器１１０を回転させながら移動させると、シンプルな装置構成でありながら、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができるため、大粒径の反応複合体１５５を生成することが可能となる。さらに、磁石２２２の配置方向（螺旋の方向）と、検査容器１１０の回転方向は反対であることが好ましい。これにより、検査容器１１０内における反応複合体１５５の回転速度を上げることができ、短時間で大粒径の反応複合体１５５を生成することができる。
【００５５】
各実施形態において、検査容器１１０を運搬する部材には磁化しない材料（例えばステンレス）を用いることが好ましい。磁化しない材料を用いるため、第１及び第２反応複合体捕捉工程における検査容器１１０の搬送が容易になる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上のように、本発明に係る免疫測定装置及び免疫測定方法は、検査容器内の反応複合体を短時間で集合させることが必要な免疫測定に有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１００ 免疫測定装置
１１０ 検査容器
１２０ 第１磁界発生部
１２１ 検査容器通過領域
１２２ 磁石
１２３ 磁力線
１３０ 第２磁界発生部
１３１ 検査容器保持部
１４１ 光源部
１４２ 光検出部
１４３ 演算部
１４４、１４５ レンズ
１５１ 抗体
１５２ 発光標識
１５３ 抗原
１５４ 磁気粒子
１５５ 反応複合体
２２０ 第１磁界発生部
２２１ 検査容器通過領域
２２２ 磁石
３２０ 第１磁界発生部
３２１ 検査容器通過領域
３２２ 電磁石
【技術分野】
【０００１】
本発明は、免疫測定方法及び免疫測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から知られている抗原抗体反応を利用した免疫測定方法として、蛍光免疫測定方法がある（特許文献１）。この測定方法では、まず、検査容器内で抗体を結合した蛍光体と抗原（被分析物質）を反応させ、該反応物に抗体を結合した磁気粒子を添加反応して反応複合体を作製する。その後、前記反応複合体に光を照射した時に発する蛍光強度を測定して、被分析物質の量を測定する。被分析物質の測定においては、磁石で集めた反応複合体にレーザ光を照射し、反応複合体の蛍光体から発生する蛍光強度を検出する。蛍光強度は被分析物質の量に比例することを利用し、検出された蛍光強度から被分析物質を定量測定する。
【０００３】
また、磁石で磁気粒子を集合させる時間を短縮する手法が提案されている。特許文献２では、撹拌吸引ノズルから液体または気体を検査容器内に吐出し、検査容器底部に存在していた磁性ビーズを吹き上げることで、磁石によって作られる磁場を通過する反応複合体の数を増加せしめ、検査溶液内の磁気粒子を短時間で磁石で集合させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２４９１１４号公報
【特許文献２】特開２００１−１１６７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の蛍光免疫測定では、反応複合体が磁石による磁力の及ぶ領域に入った場合に、磁石に引き付けられる。この反応複合体が磁石に引き付けられる力は、反応複合体を構成する磁気粒子に含まれる磁性物質の量、つまり磁性物質の体積に比例する。
【０００６】
一方、反応複合体が溶液から受ける粘性抵抗は、反応複合体と溶液の接触面積つまり、反応複合体の表面積に比例する。通常反応複合体は小さく体積も小さいため、磁石の近傍でも、磁石によって引き付けられる力よりも粘性抵抗が大きくなってしまう。
【０００７】
従って、この検査容器内の磁気粒子を磁石で集めるには、非常に時間がかかるという問題がある。
【０００８】
また、特許文献２のような手法では、ノズルを検体に入れているため、連続して検体の測定を行う場合ノズルの洗浄が必要になるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ノズルを用いずに検査溶液内の反応複合体を短時間で集合させることのできる免疫測定方法及び免疫測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る免疫測定方法は、容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、第１磁界発生部を容器が通過し、反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程の後に被分析物質を測定する測定工程と、を備えることを特徴としている。
【００１１】
本発明に係る免疫測定方法において、第１反応複合体捕捉工程は、第１磁界発生部を容器が通過する磁場通過工程と、反応複合体の通過方向に関して磁力線分布が変化する磁界変化工程と、を備えることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る免疫測定方法において、第１反応複合体捕捉工程は、容器が通過方向に沿った方向を中心として回転しながら、第１磁界発生部を通過することが好ましい。
【００１３】
また、本発明に係る免疫測定装置は、発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体の入った検査容器と、第１磁界発生部と、第２磁界発生部と、被分析物質を測定する測定手段と、を備えることを特徴としている。
【００１４】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、検査容器を取り囲むように磁石が周上に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、隣り合う磁石がそれぞれ異なる極となるように配置されていることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部は、複数の磁石が略等間隔に配置されていることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る免疫測定装置において、第１磁界発生部で作成された磁力線分布は、反応複合体の通過方向に関して変化していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る免疫測定方法及び免疫測定装置は、ノズルを用いずに検査溶液内の反応複合体を短時間で集めることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る免疫測定装置の構成を示す上面図であって、一部をブロック図で示す図である。
【図２】（ａ）は抗体が結合された発光標識を模式的に示す図、（ｂ）は被分析物質としての抗原を模式的に示す図、（ｃ）は抗体が結合された磁気粒子を模式的に示す図、（ｄ）はこれらから生成される反応複合体１５５を模式的に示す図である。
【図３】第１磁界発生部の構成を示す斜視図である。
【図４】検査容器の通過領域、並びに、第１磁界発生部及び第２磁界発生部の位置関係を示す断面図である。
【図５】第１磁界発生部を構成する磁石の磁極の配置例を示す平面図である。
【図６】（ａ）は第２実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部の構成を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＶＩＤ−ＶＩＤ線における断面図である。
【図７】（ａ）は第３実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部の構成を示す斜視図、（ｂ）は位置ＶＩＩＡで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｃ）は、（ｂ）とは異なる位置ＶＩＩＢで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｄ）は、（ｂ）、（ｃ）とは異なる位置ＶＩＩＣで強い磁場が発生した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明に係る免疫測定方法及び免疫測定装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る免疫測定装置の構成を示す上面図であって、一部をブロック図で示す図である。図１では、第２磁界発生部よりも上方に位置する第１磁界発生部の図示を省略している。
免疫測定装置１００は、検査容器１１０と、第１磁界発生部１２０と、第２磁界発生部１３０と、測定手段と、を備える。
【００２２】
検査容器１１０には、発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体が収容される。検査容器１１０は、マイクロリットルからミリリットル程度の試料を収納できるプラスチック製の容器が好ましく、例えばエッペンドルフチューブやマイクロチューブを用いることができる。検査容器１１０の材質は、磁力を通すものであれば良く、ガラス製等であってもかまわない。
【００２３】
図２は、抗体１５１、発光標識１５２、被分析物質としての抗原１５３、磁性体としての磁気粒子１５４、及び、反応複合体１５５を模式的に示す図であって、（ａ）は抗体１５１が結合された発光標識１５２を示し、（ｂ）は被分析物質としての抗原１５３を示し、（ｃ）は抗体１５１が結合された磁気粒子１５４を示し、（ｄ）はこれらが抗原抗体反応して生成された反応複合体１５５を示している。
【００２４】
図２（ａ）、（ｃ）、（ｄ）における、略Ｙ字形状の物体が抗体１５１であり、抗体１５１は、図２（ｂ）に示す、被分析物質としての抗原１５３と特異的に抗原抗体反応する。
【００２５】
発光標識１５２は、光照射によって蛍光もしくはラマン散乱光等を発する。発光標識１５２としては、例えば、蛍光マイクロビーズ、量子ドット、ＳＥＲＳナノタグを用いる。
【００２６】
蛍光マイクロビーズとしては、例えば、４８８ｎｍの光で励起し、５１５ｎｍから６６０ｎｍの蛍光を発するプローブ（フローサイトメトリーアラインメントビーズ）（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｒｏｂｅｓ社製）を用いることができる。
【００２７】
ＳＥＲＳナノタグとは、光照射によって強いラマン散乱光を発する直径数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの大きさを持つビーズである。例えば、米国特許第７１９２７７８号明細書には、８００〜１８００ｃｍ−１のラマン散乱光の発光が開示されており、波長６３３ｎｍの励起光（レーザ光）を照射すると波長６７０ｎｍ〜７１０ｎｍのラマン散乱光が発生する例がある。ＳＥＲＳナノタグの構造は、例えば、約６０ｎｍのラマン活性レポーター分子を付着させた金ナノ粒子をポリマー、ガラスまたは任意の他の誘電性材料を含む被包シェルでシールドした構造である。ここで、「ＳＥＲＳ」は、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇの略称である。
【００２８】
また、発光標識は、化学的に安定であること、光源部１４１の波長で発光可能な吸収帯を有すること、発光標識と磁気粒子との非特異的な吸着が無い材質であることが望ましい。
【００２９】
磁性体としての磁気粒子１５４は、可磁化物質（Ｆｅ２Ｏ３）が一様に分布したポリスチレン製のコアを親水性ポリマーで被った直径数１００ｎｍ〜数μｍの大きさを持つビーズであり、例えば、ダイナビーズ（商標）（ダイナル社製）を用いることができる。
【００３０】
図３は、第１磁界発生部１２０の構成を示す斜視図である。第１磁界発生部１２０は、検査容器通過領域１２１を取り囲むように配置した４個の磁石１２２からなる。これらの磁石１２２は、強い磁力を有する磁石（例えばネオジウム磁石、電磁石）を用いることが好ましく、検査容器通過領域１２１を円筒形状としたときに、その中心軸の周りの周上に等角度間隔に配置すると良い。なお、第１磁界発生部１２０を構成する磁石の数は任意に設定することができ、１〜３個又は５個以上であってもよい。
【００３１】
図４は、検査容器１１０の通過領域、並びに、第１磁界発生部１２０及び第２磁界発生部１３０の位置関係を示す断面図である。
第１磁界発生部１２０は、検査容器１１０が通過する経路のうち、検査容器１１０と第２磁界発生部１３０とが互いに対向する位置よりも上流側に配置される。したがって、検査容器１１０は、第１磁界発生部１２０の検査容器通過領域１２１内を通過した後に第２磁界発生部１３０に対向する位置に到達する。
磁石の内側には、第１磁界発生部１２０によって磁場が形成されている。
【００３２】
図５は、第１磁界発生部１２０を構成する磁石１２２の磁極の配置例を示す平面図である。
図５に示すように、第１磁界発生部１２０においては、隣り合う磁石において検査容器通過領域１２１の中心軸側に向く磁極が互いに異なるように、４つの磁石１２２が順に配置されている。一般に、磁力線は、Ｎ極から出てＳ極に入り、互いに交差したり、重なることがない。したがって、図５のように、互いに異なる磁極が検査容器通過領域１２１の中心を向いて隣り合うように磁石１２２を並べると、隣り合う磁石の間で磁力線１２３が形成され、検査容器１１０を横切る磁力線１２３の本数が多くなる。このように磁力線１２３を形成すると、反応複合体１５５は磁力線１２３に沿って引き付けられるため、第１磁界発生部１２０で、多くの反応複合体１５５を集めることができる。これにより、反応複合体１５５はさらに凝集して大粒径となり、凝集していない場合に比べて表面抵抗の影響を受けにくくなる。従って、検査容器１１０が第２磁界発生部１３０に至って測定部に配置されると、反応複合体１５５を短時間で第２磁界発生部１３０に集めることが可能となる。
【００３３】
第２磁界発生部１３０は、検査容器１１０内の反応複合体を所定位置に集めるように配置される。この所定位置は、検査容器１１０を検査容器保持部１３１に保持された位置であり、測定手段によって、反応複合体に所定の光を照射するとともに、反応複合体からの光を検出する位置である。また、第２磁界発生部１３０には、例えばネオジウム磁石や電磁石のような、比較的強力な磁力を有する磁石を用いることが好ましい。
【００３４】
測定手段は、検査容器１１０に光を照射するための入射光学系としての光源部１４１と、検査容器１１０内の反応複合体からの光を検出するための検出光学系としての光検出部１４２と、演算部１４３と、を有する。
【００３５】
光源部１４１には、例えばレーザ、レーザダイオード、ＬＥＤを用いることができる。光検出部１４２には、例えば、分光器、光電子増倍管、フォトダイオード、フォトンカウンティングを用いることができる。反応複合体からの光の検出において、励起光の除去が必要ならば、干渉フィルタを光検出部１４２の前に入れて、励起光の影響を除くことが好ましい。
【００３６】
光検出部１４２では、反応複合体１５５の発光標識１５２および磁気粒子１５４からの光信号が測定される。光検出部１４２の出力は、データ処理用コンピュータの演算部１４３に入力され、データの蓄積・解析に利用される。
【００３７】
光源部１４１から発せられた光は、励起光照射用のレンズ１４４によって検査容器１１０の測定領域に励起光を集光される。このレンズ１４４としては、開口数（ＮＡ）の大きいものが好ましい。ＮＡが大きいと、光源スポット径を１０〜１００ｕｍ程度と小さく設定できるからである。すなわち、第２磁界発生部１３０によって、反応複合体を所定の狭い領域に集合させるため、光源部１４１からの光は狭い領域に照射される。
【００３８】
一方、反応していない発光標識１５２からの発光は、バックグラウンドノイズになる。従って、励起光照射用のレンズ１４４のＮＡが大きい場合、反応複合体１５５を構成する発光標識１５２のみ効率よく励起できるとともに、磁気粒子と結合していない未反応の発光標識１５２の励起を抑制することができる。
【００３９】
反応複合体１５５から発せられた蛍光もしくはラマン散乱光等は、信号検出用のレンズ１４５によって集められ、光検出部１４２で集光する。このレンズ１４５としては、開口数（ＮＡ）の大きいものが好ましい。ＮＡが大きいと、反応複合体１５５から発せられた蛍光もしくは、ラマン散乱光等を効率よく集光することができる。励起光の除去が必要ならば、干渉フィルタを検出器の前に入れて、励起光の影響を除くことも可能である。
【００４０】
ここで、第２磁界発生部１３０の先端位置と、励起光照射用のレンズの１４４の焦点位置と、信号検出用のレンズ１４５の焦点位置と、は略一致している。
以上の構成においては、第２磁界発生部１３０の先端には、磁気粒子１５４の磁力と第２磁界発生部１３０が発生する磁界との作用により、検査容器１１０内の反応複合体１５５及び磁気粒子１５４が集められる。
【００４１】
つづいて、第１実施形態に係る免疫測定方法について説明する。
第１実施形態の免疫測定方法は、反応工程と、第１反応複合体捕捉工程と、第２反応複合体捕捉工程と、測定工程と、を備える。
【００４２】
まず、反応工程においては、検査容器１１０内において発光標識１５２、磁気粒子１５４、および、抗原１５３を反応させて反応複合体１５５を作製する。
【００４３】
反応工程の終了後、反応複合体１５５が入った検査容器１１０は、第１磁界発生部１２０によって検査容器通過領域１２１に形成された磁場勾配を通過した後に、測定部に搬送される（第１反応複合体捕捉工程）。第１反応複合体捕捉工程では、検査容器１１０が第１磁界発生部１２０で作られた磁場内に入ると、この磁場による磁力線に沿って、磁気粒子１５４を含む反応複合体１５５が集まる。さらに、検査容器１１０が第１磁界発生部１２０を通過していくにつれて、反応複合体１５５は磁場で集められ、反応複合体１５５の集合体は徐々に大きくなる。
【００４４】
つづいて、第２反応複合体捕捉工程においては、検査容器１１０が検査容器保持部１３１に保持されて測定のための所定位置の測定部に配置されると、第２磁界発生部１３０によって作られる磁場によって、検査容器１１０内の磁気粒子１５４を含む反応複合体１５５は第２磁界発生部１３０近傍に集合する。このとき、反応複合体１５５は第１反応複合体捕捉工程によって凝集して大粒径となっている。よって、反応複合体１５５が凝集していない場合に比べて、表面抵抗の影響を受けにくくなっている。このため、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０側に集めることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図６（ａ）は第２実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部２２０の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部２２０の構成を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＶＩＤ−ＶＩＤ線における断面図である。
第２実施形態に係る免疫測定装置においては、第１磁界発生部２２０の構成が第１実施形態に係る第１磁界発生部１２０と異なる。その他の構成は第１実施形態に係る免疫測定装置と同様であって、同じ部材については同じ参照符号を使用する。
【００４６】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第１磁界発生部２２０は、略円筒形状の検査容器通過領域２２１の中心軸の周りに螺旋状に配置された複数の磁石２２２を備える。これら複数の磁石２２は、隣り合う磁石において検査容器通過領域２２１の中心軸側に向く磁極が互いに異なるように配置されている。
【００４７】
磁石２２２をこのように螺旋状に配置すると、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１磁界発生部２２０の場所によって検査容器１１０を横切る磁力線分布は変化する。そのため、第１反応複合体捕捉工程において、反応複合体１５５は磁力線に沿って凝集するだけでなく、検査容器１１０が検査容器通過領域２２１内を移動して磁力線分布が変化するのに合わせて動くことにより、検査容器１１０内の別の場所にある反応複合体１５５とも結合することが可能となり、さらに大粒径になる。従って、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０に集めることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第１実施形態と同様である。
【００４８】
（第３実施形態）
図７（ａ）は第３実施形態に係る免疫測定装置の第１磁界発生部３２０の構成を示す斜視図、（ｂ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって位置ＶＩＩＡで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｃ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって、（ｂ）とは異なる位置ＶＩＩＢで強い磁場が発生した状態を示す図、（ｄ）は第１磁界発生部３２０の構成を示す平面図であって、（ｂ）、（ｃ）とは異なる位置ＶＩＩＣで強い磁場が発生した状態を示す図である。
【００４９】
第３実施形態に係る免疫測定装置においては、第１磁界発生部３２０の構成が第１実施形態に係る第１磁界発生部１２０と異なる。その他の構成は第１実施形態に係る免疫測定装置と同様であって、同じ部材については同じ参照符号を使用する。
【００５０】
図７に示すように、第１磁界発生部３２０は、略円筒形状の検査容器通過領域３２１の中心軸の周りに配置された複数の電磁石３２２を備える。各電磁石３２２には、不図示の制御部により、位相のずれた交流電流を印加する。
【００５１】
第１磁界発生部３２０では、各電磁石３２２に交流電流を流すことにより、第１磁界発生部１２０内で発生する磁化強度は時間的に変化する。例えば、図７（ａ）に示す時点では磁場が強いのはＶＩＩＡの位置であり、図７（ｂ）に示す別の時点では磁場が強いのはＶＩＩＢの位置であり、図７（ｃ）に示す、さらに別の時点では磁場が強いのはＶＩＩＩＣの位置となる。
【００５２】
このように、位相のずれた交流電流を各電磁石３２２に印加して磁場が強い位置を移動させることにより、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができ、さらに大粒径の反応複合体１５５になる。従って、検査容器１１０が測定部に配置されると、反応複合体１５５は短時間で第２磁界発生部１３０に集めることができる。
なお、その他の構成、作用、効果については、第１実施形態と同様である。
【００５３】
次に、上述の実施形態の変形例について説明する。
第１実施形態において、検査容器１１０を回転させながら移動させると、シンプルな装置構成でありながら、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができるため、大粒径の反応複合体１５５を生成することが可能となる。
【００５４】
第２実施形態において、検査容器１１０を回転させながら移動させると、シンプルな装置構成でありながら、検査容器１１０内で別の位置にある反応複合体１５５を互いに結合させることができるため、大粒径の反応複合体１５５を生成することが可能となる。さらに、磁石２２２の配置方向（螺旋の方向）と、検査容器１１０の回転方向は反対であることが好ましい。これにより、検査容器１１０内における反応複合体１５５の回転速度を上げることができ、短時間で大粒径の反応複合体１５５を生成することができる。
【００５５】
各実施形態において、検査容器１１０を運搬する部材には磁化しない材料（例えばステンレス）を用いることが好ましい。磁化しない材料を用いるため、第１及び第２反応複合体捕捉工程における検査容器１１０の搬送が容易になる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上のように、本発明に係る免疫測定装置及び免疫測定方法は、検査容器内の反応複合体を短時間で集合させることが必要な免疫測定に有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１００ 免疫測定装置
１１０ 検査容器
１２０ 第１磁界発生部
１２１ 検査容器通過領域
１２２ 磁石
１２３ 磁力線
１３０ 第２磁界発生部
１３１ 検査容器保持部
１４１ 光源部
１４２ 光検出部
１４３ 演算部
１４４、１４５ レンズ
１５１ 抗体
１５２ 発光標識
１５３ 抗原
１５４ 磁気粒子
１５５ 反応複合体
２２０ 第１磁界発生部
２２１ 検査容器通過領域
２２２ 磁石
３２０ 第１磁界発生部
３２１ 検査容器通過領域
３２２ 電磁石
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、
第１磁界発生部を前記容器が通過し、前記反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、
前記第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で前記反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、
前記第２反応複合体捕捉工程の後に前記被分析物質を測定する測定工程と、
を備えることを特徴とする免疫測定方法。
【請求項２】
前記第１反応複合体捕捉工程は、
前記第１磁界発生部を前記容器が通過する磁場通過工程と、
前記反応複合体の通過方向に関して磁力線分布が変化する磁界変化工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の免疫測定方法。
【請求項３】
前記第１反応複合体捕捉工程は、
前記容器が通過方向に沿った方向を中心として回転しながら、前記第１磁界発生部を通過することを特徴とする請求項１に記載の免疫測定方法。
【請求項４】
発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体の入った検査容器と、
第１磁界発生部と、
第２磁界発生部と、
被分析物質を測定する測定手段と、
を備えることを特徴とする免疫測定装置。
【請求項５】
前記第１磁界発生部は、前記検査容器を取り囲むように磁石が周上に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の免疫測定装置。
【請求項６】
前記第１磁界発生部は、隣り合う磁石がそれぞれ異なる極となるように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の免疫測定装置。
【請求項７】
前記第１磁界発生部は、複数の磁石が略等間隔に配置されていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の免疫測定装置。
【請求項８】
前記第１磁界発生部で作成された磁力線分布は、前記反応複合体の通過方向に関して変化していることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の免疫測定装置。
【請求項１】
容器内において発光標識、磁性体、および被分析物質を反応させて反応複合体を作製する反応工程と、
第１磁界発生部を前記容器が通過し、前記反応複合体を捕捉する第１反応複合体捕捉工程と、
前記第１反応複合体捕捉工程の後に第２磁界発生部で前記反応複合体を捕捉する第２反応複合体捕捉工程と、
前記第２反応複合体捕捉工程の後に前記被分析物質を測定する測定工程と、
を備えることを特徴とする免疫測定方法。
【請求項２】
前記第１反応複合体捕捉工程は、
前記第１磁界発生部を前記容器が通過する磁場通過工程と、
前記反応複合体の通過方向に関して磁力線分布が変化する磁界変化工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の免疫測定方法。
【請求項３】
前記第１反応複合体捕捉工程は、
前記容器が通過方向に沿った方向を中心として回転しながら、前記第１磁界発生部を通過することを特徴とする請求項１に記載の免疫測定方法。
【請求項４】
発光標識、磁性体、および被分析物質から生成した反応複合体の入った検査容器と、
第１磁界発生部と、
第２磁界発生部と、
被分析物質を測定する測定手段と、
を備えることを特徴とする免疫測定装置。
【請求項５】
前記第１磁界発生部は、前記検査容器を取り囲むように磁石が周上に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の免疫測定装置。
【請求項６】
前記第１磁界発生部は、隣り合う磁石がそれぞれ異なる極となるように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の免疫測定装置。
【請求項７】
前記第１磁界発生部は、複数の磁石が略等間隔に配置されていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の免疫測定装置。
【請求項８】
前記第１磁界発生部で作成された磁力線分布は、前記反応複合体の通過方向に関して変化していることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の免疫測定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２８６２９７（Ｐ２０１０−２８６２９７Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３９００３（Ｐ２００９−１３９００３）
【出願日】平成２１年６月１０日（２００９．６．１０）
【出願人】（５１０００５８８９）ベックマン コールター， インコーポレイテッド (174)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１０日（２００９．６．１０）
【出願人】（５１０００５８８９）ベックマン コールター， インコーポレイテッド (174)
【Ｆターム（参考）】
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