再構築したメモリ空間の回収方法
【課題】廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供する。
【解決手段】再構築したメモリ空間の回収方法は、廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する。再構築したメモリ空間の回収方法は、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有するダイを準備するステップと、ダイのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの１つを走査し、ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、ダイによりテストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、このテスト結果に基づき、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを標記するステップとを含む。
【解決手段】再構築したメモリ空間の回収方法は、廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する。再構築したメモリ空間の回収方法は、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有するダイを準備するステップと、ダイのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの１つを走査し、ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、ダイによりテストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、このテスト結果に基づき、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを標記するステップとを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は再構築したメモリ空間の回収方法に関し、特に、廃棄されたダイ（ｉｎｋｅｄｄｉｅ）から使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、世界中のネットワークは、クラウドサーバを利用する新時代に入り、個人又は仕事で使用するデータをクラウドサーバ上に保存することが一般的となっている上、光ファイバ、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）及び移動通信の普及により、世界中で消費されるフラッシュメモリが急速に増えてきている。またこのクラウドサーバはハイエンドのＳＳＤを使用しているため性能が高い。利用に対するユーザの高い要求により、ＳＳＤの容量が急速に増大している上、スマートフォン及びタブレットコンピュータの爆発的人気により、それら消費者用電子装置にはフラッシュメモリが大量に使用されている。
【０００３】
しかし、フラッシュメモリの製作過程において、ウェーハ上に複数のダイを形成するが、この際ダイにダイシング工程を行う必要があるため、製造工程の関係上これらのダイの収率が１００％に達することはない。例えば、図１に示すプログラムにより、ウェーハ上のダイをテストした結果、使用可能なダイが６５６個あり、不良のダイが１０６個あったため収率は約８５％であり、不良率は約１５％であった。この不良のダイ（欠陥ダイとも称する）は廃棄されるのが一般的である。実際には、欠陥ダイの全てが使用できないわけではない。例えば、図２は良好なダイを示し、図３は不良ダイ（例えば、黒色部分）を示す。しかし、図３に示すように、セルの多くは損壊しておらず、損壊してない部分はまだ使用することができるため、そのようなダイを廃棄してしまうことは資源の無駄となる。そのため、上述した従来技術の問題を解決する方法が求められていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の第１の目的は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の第２の目的は、ダイの中のブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つに対して読み／書き／比較を行い、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアの密度分布を得て再構成し、メモリを再構築するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の第３の目的は、最終製品を得て、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが正常か否かを判断し、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの１つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布を表示するステップと、前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法が提供される。
【０００８】
また、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことが好ましい。
【０００９】
また、前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することが好ましい。
【００１０】
また、正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを削除することが好ましい。
【００１１】
また、正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築することが好ましい。
【００１２】
また、再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることが好ましい。
【００１３】
また、前記メモリ容量は、２の冪乗により規格化されていないことが好ましい。
【００１４】
また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断することが好ましい。
【００１５】
また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することが好ましい。
【００１６】
また、前記メモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のメモリ容量を有するメモリを回収する方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来技術のウェーハ上の複数のダイをテストする際に用いるプログラムである。
【図２】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法の正常なダイを示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法の欠陥ダイを示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。
【００２０】
図４を参照する。図４に示すように、本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する。この廃棄されたダイには、（ａ）欠陥ダイとは見なされないが、一部の機能しかなく使用可能なセル（ｃｅｌｌ）を含むメモリダイと、（ｂ）開路／短絡の関係により全く反応が無いメモリダイと、（ｃ）一般の欠陥と、全部又は一部が使用可能なメモリセルを含む正常なメモリダイと、（ｄ）メモリダイの機能をテストする過程で、欠陥があると間違って判断されたメモリダイと、が含まれる。ここでメモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭでもよい。
【００２１】
また、規格化のメモリ容量は、例えば、２ＧＢ、４ＧＢ、８ＧＢ、１６ＧＢ、３２ＧＢ、６４ＧＢなど、２の冪乗によりメモリ容量が決められている。非規格化のメモリ容量は、例えば、３．５ＧＢ、８００ＭＢ、４６０ＧＢなど、２の冪乗でない方式によりメモリ容量が決められている。
【００２２】
本実施形態の再構築したメモリ空間の回収方法は、ステップＳ４１から開始する。ステップＳ４１において、ブロック（ｂｌｏｃｋ）エリア、ページ（ｐａｇｅ）エリア及びセル（ｃｅｌｌ）エリアを有するダイ（ｄｉｅ）を準備する。一般にダイは、ウェーハ（ｗａｆｅｒ）上に多数形成され、それらのダイは、所定のメモリエリアに基づき、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアに分けられ、セルエリアはそれぞれのダイのうち最小の記憶単位であり、ビット０と１のデータを記憶するために用いる。また、ページエリアは、多数のセルエリアの組み合わせからなり、ページエリアの組み合わせによりブロックエリアが形成され、最終的に多数のブロックエリアによりダイが形成され、このダイはメモリユニット（ｍｅｍｏｒｙ ｕｎｉｔ）とも称される。
【００２３】
続いて、ステップＳ４２において、ダイのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの１つを走査し、ダイに対応した各エリア中にテストデータを書き入れ、ダイによりテストデータの書き／読み／比較を行ってテスト結果を得る。このテスト結果は、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを標記するために用いる。このステップにおいて、ダイのブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを走査し、最小記憶ビットのセルエリア又は走査して記憶した文字データのブロックエリアでもよい。選択した各エリア中に、テストデータの書き／読み／比較を行い、各エリアが正常な状態か否かをテストする。即ち、各エリアに対して正常なデータの書き／読み／比較を行う。言い換えると、本ステップのテストでは、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアの分布を得ることができる。さらに、正常及び異常な分布状況を標記する。
【００２４】
ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、これはブロックエリア、ページエリア及びセルエリアが、不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表す。
【００２５】
さらに、ダイが対応した各エリアにテストデータを書き入れた後、当該テストデータを各エリア中に書き入れるか否かを判断し、各エリア中から既に書き入れたテストデータを読取り、前後のテストデータの違いを比較し、各エリアが正常か否かを判断する。
【００２６】
続いてステップＳ４３において、テスト結果をスペアエリア（ｓｐａｒｅ ａｒｅａ）に書き入れ、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布（ｄｅｎｓｉｔｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を表示する。本ステップにおいて、標記された正常及び異常なブロックエリア、ページエリア、セルエリアの分布状態がスペアエリア中に記録される。言い換えると、スペアエリア内に記録した内容に基づき、ダイ中の正常及び異常なエリアの分布状況を知ることができる。
【００２７】
続いてステップＳ４４において、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前述のステップを選択的に繰り返して行う。このステップにおいて、ループ（ｌｏｏｐ）式の判断方式により上述のステップＳ４１〜Ｓ４３を繰り返して行い、選択したブロックエリア、ページエリア、セルエリアの全てをダイ中で完全に走査する。
【００２８】
続いて、ステップＳ４５において、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを集め、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築する。言い換えると、前述のステップに基づき、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して走査及びテストを行い、ダイ中のブロックエリア、ページエリア、セルエリア全てがデータにアクセスすることが可能であり、再構成することにより、ユーザは正常にアクセスしたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを使用することができる。さらにブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量は、規格化又は非規格化のメモリ容量でもよい。前述のステップにより、ブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量を有効に回収することができる。
【００２９】
さらに、正常と標記されたダイを構成するステップには、スペアエリアに基づいて取り出した正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを削除し、正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築する。
【００３０】
他の実施形態では、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジン（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ Ｅｎｇｉｎｅ：ＥＣＣ Ｅｎｇｉｎｅ）により、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断するとともに、既に正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを再構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量のメモリを動的に形成する。例えば、元々メモリ容量が９０ＧＢであったメモリを再構成し、損壊したエリアを削除し、メモリのメモリ容量を６４ＧＢに減らす。
【００３１】
また、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法には、再構築した後のメモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップＳ４６が含まれている。メモリのメモリ容量は、正常なブロックエリアが再構成されて形成されている。
【００３２】
上述したことから分かるように、本発明の再構築したメモリ空間の回収方法は、ウェーハ中の欠陥を有する複数のダイを回収することにより、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの何れであってもダイに対して走査及びテストを行い、正常なエリア（即ち、データの読み／書き／比較を行うことができることを表す）を探し出し、走査及びテストを行った後に得た結果に基づき、演算法によりブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して全面的な再構成を行い、正常な各エリアを再び使用し、異常なエリアを削除することにより誤って使用してしまうことを防ぐ。
【００３３】
再構成した各エリアは、２の冪乗で規格化された完全なメモリ容量（例えば、２ＧＢ、４ＧＢ、８ＧＢ、２５６ＧＢなど）ではなく、任意のメモリ容量（例えば、３．５ＧＢ、８００ＭＢ、４６０ＧＢなど）でもよい。言い換えると、本発明は、正常な各エリアのメモリユニット（ｍｅｍｏｒｙ ｕｎｉｔ）を最大限回収して再構成することにより、非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築することができる上、サーバ又は制御ユニットは、従来のメモリと同様にデータの読み／書き／比較／削除などを行うことができる。
【００３４】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨とエリアを逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は再構築したメモリ空間の回収方法に関し、特に、廃棄されたダイ（ｉｎｋｅｄｄｉｅ）から使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、世界中のネットワークは、クラウドサーバを利用する新時代に入り、個人又は仕事で使用するデータをクラウドサーバ上に保存することが一般的となっている上、光ファイバ、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）及び移動通信の普及により、世界中で消費されるフラッシュメモリが急速に増えてきている。またこのクラウドサーバはハイエンドのＳＳＤを使用しているため性能が高い。利用に対するユーザの高い要求により、ＳＳＤの容量が急速に増大している上、スマートフォン及びタブレットコンピュータの爆発的人気により、それら消費者用電子装置にはフラッシュメモリが大量に使用されている。
【０００３】
しかし、フラッシュメモリの製作過程において、ウェーハ上に複数のダイを形成するが、この際ダイにダイシング工程を行う必要があるため、製造工程の関係上これらのダイの収率が１００％に達することはない。例えば、図１に示すプログラムにより、ウェーハ上のダイをテストした結果、使用可能なダイが６５６個あり、不良のダイが１０６個あったため収率は約８５％であり、不良率は約１５％であった。この不良のダイ（欠陥ダイとも称する）は廃棄されるのが一般的である。実際には、欠陥ダイの全てが使用できないわけではない。例えば、図２は良好なダイを示し、図３は不良ダイ（例えば、黒色部分）を示す。しかし、図３に示すように、セルの多くは損壊しておらず、損壊してない部分はまだ使用することができるため、そのようなダイを廃棄してしまうことは資源の無駄となる。そのため、上述した従来技術の問題を解決する方法が求められていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の第１の目的は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の第２の目的は、ダイの中のブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つに対して読み／書き／比較を行い、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアの密度分布を得て再構成し、メモリを再構築するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の第３の目的は、最終製品を得て、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが正常か否かを判断し、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの１つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布を表示するステップと、前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法が提供される。
【０００８】
また、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことが好ましい。
【０００９】
また、前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することが好ましい。
【００１０】
また、正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを削除することが好ましい。
【００１１】
また、正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築することが好ましい。
【００１２】
また、再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることが好ましい。
【００１３】
また、前記メモリ容量は、２の冪乗により規格化されていないことが好ましい。
【００１４】
また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断することが好ましい。
【００１５】
また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することが好ましい。
【００１６】
また、前記メモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のメモリ容量を有するメモリを回収する方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来技術のウェーハ上の複数のダイをテストする際に用いるプログラムである。
【図２】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法の正常なダイを示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法の欠陥ダイを示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。
【００２０】
図４を参照する。図４に示すように、本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する。この廃棄されたダイには、（ａ）欠陥ダイとは見なされないが、一部の機能しかなく使用可能なセル（ｃｅｌｌ）を含むメモリダイと、（ｂ）開路／短絡の関係により全く反応が無いメモリダイと、（ｃ）一般の欠陥と、全部又は一部が使用可能なメモリセルを含む正常なメモリダイと、（ｄ）メモリダイの機能をテストする過程で、欠陥があると間違って判断されたメモリダイと、が含まれる。ここでメモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭでもよい。
【００２１】
また、規格化のメモリ容量は、例えば、２ＧＢ、４ＧＢ、８ＧＢ、１６ＧＢ、３２ＧＢ、６４ＧＢなど、２の冪乗によりメモリ容量が決められている。非規格化のメモリ容量は、例えば、３．５ＧＢ、８００ＭＢ、４６０ＧＢなど、２の冪乗でない方式によりメモリ容量が決められている。
【００２２】
本実施形態の再構築したメモリ空間の回収方法は、ステップＳ４１から開始する。ステップＳ４１において、ブロック（ｂｌｏｃｋ）エリア、ページ（ｐａｇｅ）エリア及びセル（ｃｅｌｌ）エリアを有するダイ（ｄｉｅ）を準備する。一般にダイは、ウェーハ（ｗａｆｅｒ）上に多数形成され、それらのダイは、所定のメモリエリアに基づき、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアに分けられ、セルエリアはそれぞれのダイのうち最小の記憶単位であり、ビット０と１のデータを記憶するために用いる。また、ページエリアは、多数のセルエリアの組み合わせからなり、ページエリアの組み合わせによりブロックエリアが形成され、最終的に多数のブロックエリアによりダイが形成され、このダイはメモリユニット（ｍｅｍｏｒｙ ｕｎｉｔ）とも称される。
【００２３】
続いて、ステップＳ４２において、ダイのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの１つを走査し、ダイに対応した各エリア中にテストデータを書き入れ、ダイによりテストデータの書き／読み／比較を行ってテスト結果を得る。このテスト結果は、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを標記するために用いる。このステップにおいて、ダイのブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを走査し、最小記憶ビットのセルエリア又は走査して記憶した文字データのブロックエリアでもよい。選択した各エリア中に、テストデータの書き／読み／比較を行い、各エリアが正常な状態か否かをテストする。即ち、各エリアに対して正常なデータの書き／読み／比較を行う。言い換えると、本ステップのテストでは、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアの分布を得ることができる。さらに、正常及び異常な分布状況を標記する。
【００２４】
ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、これはブロックエリア、ページエリア及びセルエリアが、不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表す。
【００２５】
さらに、ダイが対応した各エリアにテストデータを書き入れた後、当該テストデータを各エリア中に書き入れるか否かを判断し、各エリア中から既に書き入れたテストデータを読取り、前後のテストデータの違いを比較し、各エリアが正常か否かを判断する。
【００２６】
続いてステップＳ４３において、テスト結果をスペアエリア（ｓｐａｒｅ ａｒｅａ）に書き入れ、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布（ｄｅｎｓｉｔｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を表示する。本ステップにおいて、標記された正常及び異常なブロックエリア、ページエリア、セルエリアの分布状態がスペアエリア中に記録される。言い換えると、スペアエリア内に記録した内容に基づき、ダイ中の正常及び異常なエリアの分布状況を知ることができる。
【００２７】
続いてステップＳ４４において、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前述のステップを選択的に繰り返して行う。このステップにおいて、ループ（ｌｏｏｐ）式の判断方式により上述のステップＳ４１〜Ｓ４３を繰り返して行い、選択したブロックエリア、ページエリア、セルエリアの全てをダイ中で完全に走査する。
【００２８】
続いて、ステップＳ４５において、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを集め、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築する。言い換えると、前述のステップに基づき、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して走査及びテストを行い、ダイ中のブロックエリア、ページエリア、セルエリア全てがデータにアクセスすることが可能であり、再構成することにより、ユーザは正常にアクセスしたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを使用することができる。さらにブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量は、規格化又は非規格化のメモリ容量でもよい。前述のステップにより、ブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量を有効に回収することができる。
【００２９】
さらに、正常と標記されたダイを構成するステップには、スペアエリアに基づいて取り出した正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを削除し、正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築する。
【００３０】
他の実施形態では、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジン（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ Ｅｎｇｉｎｅ：ＥＣＣ Ｅｎｇｉｎｅ）により、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断するとともに、既に正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも１つを再構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量のメモリを動的に形成する。例えば、元々メモリ容量が９０ＧＢであったメモリを再構成し、損壊したエリアを削除し、メモリのメモリ容量を６４ＧＢに減らす。
【００３１】
また、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法には、再構築した後のメモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップＳ４６が含まれている。メモリのメモリ容量は、正常なブロックエリアが再構成されて形成されている。
【００３２】
上述したことから分かるように、本発明の再構築したメモリ空間の回収方法は、ウェーハ中の欠陥を有する複数のダイを回収することにより、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの何れであってもダイに対して走査及びテストを行い、正常なエリア（即ち、データの読み／書き／比較を行うことができることを表す）を探し出し、走査及びテストを行った後に得た結果に基づき、演算法によりブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して全面的な再構成を行い、正常な各エリアを再び使用し、異常なエリアを削除することにより誤って使用してしまうことを防ぐ。
【００３３】
再構成した各エリアは、２の冪乗で規格化された完全なメモリ容量（例えば、２ＧＢ、４ＧＢ、８ＧＢ、２５６ＧＢなど）ではなく、任意のメモリ容量（例えば、３．５ＧＢ、８００ＭＢ、４６０ＧＢなど）でもよい。言い換えると、本発明は、正常な各エリアのメモリユニット（ｍｅｍｏｒｙ ｕｎｉｔ）を最大限回収して再構成することにより、非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築することができる上、サーバ又は制御ユニットは、従来のメモリと同様にデータの読み／書き／比較／削除などを行うことができる。
【００３４】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨とエリアを逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、
ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、
前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの１つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、
前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布を表示するステップと、
前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項２】
前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことを特徴とする請求項１に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項３】
前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することを特徴とする請求項２に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項４】
正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを削除することを特徴とする請求項３に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項５】
正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築することを特徴とする請求項４に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項６】
再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、
前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることを特徴とする請求項５に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項７】
前記メモリ容量は、２の冪乗により規格化されていないことを特徴とする請求項６に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項８】
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断することを特徴とする請求項５に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項９】
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することを特徴とする請求項８に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項１０】
前記メモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭであることを特徴とする請求項１に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項１】
廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、
ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、
前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの１つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、
前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つの密度分布を表示するステップと、
前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項２】
前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことを特徴とする請求項１に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項３】
前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することを特徴とする請求項２に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項４】
正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを削除することを特徴とする請求項３に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項５】
正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを選択して再構成し、メモリを再構築することを特徴とする請求項４に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項６】
再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、
前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることを特徴とする請求項５に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項７】
前記メモリ容量は、２の冪乗により規格化されていないことを特徴とする請求項６に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項８】
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コード・エンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つが正常であるか否かを動的に判断することを特徴とする請求項５に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項９】
正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも１つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することを特徴とする請求項８に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【請求項１０】
前記メモリは、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＤＲＡＭであることを特徴とする請求項１に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−９２４２３（Ｐ２０１３−９２４２３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３３９５９（Ｐ２０１１−２３３９５９）
【出願日】平成２３年１０月２５日（２０１１．１０．２５）
【出願人】（５１１２５８３２９）フルーイディテック アイピー リミテッド (1)
【氏名又は名称原語表記】ＦＬＵＩＤＩＴＥＣＨ ＩＰ ＬＩＭＩＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】Ｏｆｆｓｈｏｒｅ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｓ（Ｓｅｙｃｈｅｌｌｅｓ）Ｌｉｍｉｔｅｄ Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ １２３９，Ｏｆｆｓｈｏｒｅ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｓ Ｃｅｎｔｒｅ，Ｖｉｃｔｏｒｉａ，Ｍａｈｅ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｓｅｙｃｈｅｌｌｅｓ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２５日（２０１１．１０．２５）
【出願人】（５１１２５８３２９）フルーイディテック アイピー リミテッド (1)
【氏名又は名称原語表記】ＦＬＵＩＤＩＴＥＣＨ ＩＰ ＬＩＭＩＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】Ｏｆｆｓｈｏｒｅ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｓ（Ｓｅｙｃｈｅｌｌｅｓ）Ｌｉｍｉｔｅｄ Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ １２３９，Ｏｆｆｓｈｏｒｅ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｓ Ｃｅｎｔｒｅ，Ｖｉｃｔｏｒｉａ，Ｍａｈｅ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｓｅｙｃｈｅｌｌｅｓ
【Ｆターム（参考）】
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