半導体発光素子の電極およびその製造方法
【課題】 半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層（２）と、該半導体層（２）に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層（４）と、該下地層（４）の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層（５）と、を備え、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層（４）を腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層（５）により覆い、下地層（４）がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。
【解決手段】 半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層（２）と、該半導体層（２）に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層（４）と、該下地層（４）の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層（５）と、を備え、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層（４）を腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層（５）により覆い、下地層（４）がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体発光素子の電極構造に関し、特に、当該発光素子におけるｎ伝導型半導体層に対する電極構造の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ系半導体発光素子においてｎ伝導型の半導体層に接続されるｎ電極を形成する際に半導体層との密着性を良くする為に主電極層と半導体層の間に下地層を形成している。このような半導体発光素子として特許文献１に記載の技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１１２５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このように半導体発光素子は半導体層の上に下地層と電極層を立体的に層を積んでいくため、下地層の側面がむき出しになっており、この下地層はＮｉやＡｌ等の金属から構成されているため、下地層および下地層と半導体層の界面が腐食を受け易い。
【０００５】
本発明の目的は、上記のような事情を鑑みてなされたものであり、半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層と、を備えてなるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層が腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層により覆われており、下地層がむき出しにならず腐食の発生を防止可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】半導体発光素子の断面図である。
【図２】電極の形成方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１に示すように、半導体発光素子１０はサファイア基板１の上にＧａＮ系半導体からなるｎ伝導型の半導体層２を形成する。そして、発光領域を形成するため、当該ｎ伝導型の半導体層２の上にｐ伝導型の半導体層３を形成する。
【００１０】
このｐ伝導型の半導体層３はｎ伝導型の半導体層と同じＧａＮ系半導体で形成されることが好ましいが、素子を構成できるものであればこれに限定されるものではない。これらのｎ伝導型の半導体層２及びｐ伝導型の半導体層３の形成方法は特に限定されない。
【００１１】
そして、図２の（ａ）に示すように、ｎ伝導型の半導体層２において電極を形成する面を第１マスク６で覆い、Ｎｉ、Ａｌを含む合金からなる下地層４を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。次に、図２の（ｂ）に示すように、下地層４の周囲に間隔が設けられた第２マスク７にてｎ伝導型の半導体層２を覆い、Ａｕからなる電極層５を同様に真空蒸着法やスパッタ法により形成する。
【００１２】
その結果、腐食を受け易いＮｉやＡｌからなる下地層の側面が腐食を受け難いＡｕからなる電極層により覆われ、下地層の腐食の発生が防止される。
【００１３】
以上、本発明の半導体発光素子を実施例に沿って説明したが、本発明はこれらの実施例に限られるものではなく、種々の変更、改良、組み合わせ、利用形態等が考えられることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００１４】
１：基板
２：ｎ伝導型の半導体層
３：ｐ伝導型の半導体層
４：下地層
５：電極層
６：第１マスク
７：第２マスク
１０：半導体発光素子
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体発光素子の電極構造に関し、特に、当該発光素子におけるｎ伝導型半導体層に対する電極構造の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ系半導体発光素子においてｎ伝導型の半導体層に接続されるｎ電極を形成する際に半導体層との密着性を良くする為に主電極層と半導体層の間に下地層を形成している。このような半導体発光素子として特許文献１に記載の技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１１２５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このように半導体発光素子は半導体層の上に下地層と電極層を立体的に層を積んでいくため、下地層の側面がむき出しになっており、この下地層はＮｉやＡｌ等の金属から構成されているため、下地層および下地層と半導体層の界面が腐食を受け易い。
【０００５】
本発明の目的は、上記のような事情を鑑みてなされたものであり、半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層と、を備えてなるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層が腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層により覆われており、下地層がむき出しにならず腐食の発生を防止可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】半導体発光素子の断面図である。
【図２】電極の形成方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１に示すように、半導体発光素子１０はサファイア基板１の上にＧａＮ系半導体からなるｎ伝導型の半導体層２を形成する。そして、発光領域を形成するため、当該ｎ伝導型の半導体層２の上にｐ伝導型の半導体層３を形成する。
【００１０】
このｐ伝導型の半導体層３はｎ伝導型の半導体層と同じＧａＮ系半導体で形成されることが好ましいが、素子を構成できるものであればこれに限定されるものではない。これらのｎ伝導型の半導体層２及びｐ伝導型の半導体層３の形成方法は特に限定されない。
【００１１】
そして、図２の（ａ）に示すように、ｎ伝導型の半導体層２において電極を形成する面を第１マスク６で覆い、Ｎｉ、Ａｌを含む合金からなる下地層４を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。次に、図２の（ｂ）に示すように、下地層４の周囲に間隔が設けられた第２マスク７にてｎ伝導型の半導体層２を覆い、Ａｕからなる電極層５を同様に真空蒸着法やスパッタ法により形成する。
【００１２】
その結果、腐食を受け易いＮｉやＡｌからなる下地層の側面が腐食を受け難いＡｕからなる電極層により覆われ、下地層の腐食の発生が防止される。
【００１３】
以上、本発明の半導体発光素子を実施例に沿って説明したが、本発明はこれらの実施例に限られるものではなく、種々の変更、改良、組み合わせ、利用形態等が考えられることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００１４】
１：基板
２：ｎ伝導型の半導体層
３：ｐ伝導型の半導体層
４：下地層
５：電極層
６：第１マスク
７：第２マスク
１０：半導体発光素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層と、を備えてなる半導体発光素子。
【請求項２】
ｎ伝導型の半導体からなる半導体層を形成するステップと、該半導体層の電極形成部にＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層を形成するステップと、該下地層の上面および側面にＡｕからなる電極層を形成するステップと、を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項１】
ｎ伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層と、を備えてなる半導体発光素子。
【請求項２】
ｎ伝導型の半導体からなる半導体層を形成するステップと、該半導体層の電極形成部にＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層を形成するステップと、該下地層の上面および側面にＡｕからなる電極層を形成するステップと、を含む半導体発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１３−９３４４３（Ｐ２０１３−９３４４３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３４７６３（Ｐ２０１１−２３４７６３）
【出願日】平成２３年１０月２６日（２０１１．１０．２６）
【出願人】（０００００１１３３）株式会社小糸製作所 (1,575)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２６日（２０１１．１０．２６）
【出願人】（０００００１１３３）株式会社小糸製作所 (1,575)
【Ｆターム（参考）】
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