半導体発光装置
【課題】基板の一面に対して複数の発光素子を一方向に沿って各発光素子が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板２の一面２ｆから高さ方向Ｚに沿って起立するよう設けられた、発光素子１３より下層に位置する発光素子１１、１２において、向かい合う少なくとも２つの側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに対向する支持部材５を具備し、支持部材５に、最下層の発光素子１１よりも上層に位置する発光素子１２、１３が載置される発光素子１１に平行な支持部５ａ、５ｂが形成されている。
【解決手段】基板２の一面２ｆから高さ方向Ｚに沿って起立するよう設けられた、発光素子１３より下層に位置する発光素子１１、１２において、向かい合う少なくとも２つの側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに対向する支持部材５を具備し、支持部材５に、最下層の発光素子１１よりも上層に位置する発光素子１２、１３が載置される発光素子１１に平行な支持部５ａ、５ｂが形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置において、複数の発光素子が基板の一面に対し一方向に沿って積層された構成は周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１には、電気基板の一面に１段目の透明な発光素子が実装され、該１段目の発光素子上に透明樹脂を介して１段目の発光素子と同じ大きさの２段目の透明な発光素子が積層され、該２段目の発光素子上に透明樹脂を介して１段目及び２段目の発光素子と同じ大きさの３段目の透明な発光素子が積層され、各発光素子のボンディングパッドが電気基板の電極にボンディングワイヤを介してそれぞれ電気的に接続された構成が開示されている。
【０００４】
尚、このような構成においては、１段目の発光素子から発光された光は、２段目及び３段目の発光素子を透過して被検体に照射され、２段目の発光素子から発光された光は、３段目の発光素子を透過して被検体に照射され、３段目の発光素子から発光された光は、直接被検体に照射されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３０７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に開示された複数の発光素子を一方向に沿って積層する構成においては、各発光素子から発光された光が散乱してしまうのを防ぐため、透明樹脂を介して各発光素子がそれぞれ平行となるよう積層する必要がある。尚、各発光素子から発光された光が散乱してしまうと、輝度が低下してしまう他、色ムラが発生してしまう等の発光特性の低下の原因となる。
【０００７】
しかしながら、各発光素子の電気基板と反対側の面には、ボンディングパッド等が設けられているため、平坦な形状を有していないことから、透明樹脂を用いたとしても各発光素子がそれぞれ平行となるよう積層することが難しい、言い換えれば、各発光素子の平行を維持した状態で透明樹脂を硬化させることが難しいといった問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、基板の一面に対して複数の発光素子を一方向に沿って各発光素子が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明の一態様による半導体発光装置は、基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置であって、前記基板の前記一面から前記一方向に沿って起立するよう設けられた、前記各発光素子の内、少なくとも最上層の前記発光素子より下層に位置する前記各発光素子において、向かい合う少なくとも２つの側面に対向する支持部材を具備し、前記支持部材に、前記各発光素子の内、前記基板に実装された最下層の前記発光素子よりも上層に位置する前記各発光素子が載置される前記最下層の前記発光素子に平行な支持部が形成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の一面に対して複数の発光素子を一方向に沿って各発光素子が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図２】図１中のII-II線に沿う半導体発光装置の断面図
【図３】図１の支持部材の支持部をレール状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図
【図４】図１の支持部材の支持部を発光素子の底面の４隅を支持する形状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図
【図５】第２実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図６】図５中のVI-VI線に沿う半導体発光装置の断面図
【図７】第３実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図８】図７中のVIII-VIII線に沿う半導体発光装置の断面図
【図９】図７中IX-IX線に沿う半導体発光装置の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１３】
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿う半導体発光装置の断面図、図３は、図１の支持部材の支持部をレール状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図、図４は、図１の支持部材の支持部を発光素子の底面の４隅を支持する形状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図である。
【００１４】
図１、図２に示すように、半導体発光装置１は、基板２を具備しており、基板２の一面である面２ｆには、矩形状の複数の同じ大きさに形成された発光素子１１、１２、１３が、一方向である高さ方向Ｚに沿って積層されている。
【００１５】
具体的には、面２ｆには、最下層の発光素子１１が接着等によって実装されており、発光素子１１の高さ方向Ｚの上層には、透明樹脂７を介して発光素子１２が発光素子１１に平行に位置しており、発光素子１２の高さ方向Ｚの上層には、透明樹脂７を介して最上層の発光素子１３が発光素子１１、１２に平行に位置している。
【００１６】
尚、面２ｆに発光素子１１を接着する接着剤としては、銀ペースト（ナノ粒子でも可）等の光の反射効率の良い樹脂が挙げられる。また、透明樹脂７としては、熱硬化型の樹脂や、ＵＶ硬化型の樹脂や、ＵＶ熱併用硬化型の樹脂等が挙げられ、その材質としては、エポキシ系、アクリル系等が挙げられる。さらに、樹脂７が透明なのは、発光素子１１、１２から発光された光を、高さ方向Ｚの上方に照射するため、光を通過させる必要があるためである。
【００１７】
ここで、発光素子１１〜１３が平行となるよう高さ方向Ｚに沿って積層される具体的な構成を説明する。
【００１８】
図２に示すように、基板２の面２ｆに対し、発光素子１１、１２の向かい合う２つの側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに対向する２本の支持部材５が、面２ｆから高さ方向Ｚに沿って起立するよう、接着等によって設けられている。尚、支持部材５を構成する材質としては、樹脂（エポキシ、アクリル、ガラス、プラスチック等）または金属（銅、アルミ、真鍮等）が挙げられる。
【００１９】
また、面２ｆに２本の支持部材５を接着する接着剤としては、ＵＶ硬化型樹脂またはＵＶ熱併用硬化型の樹脂等が挙げられ、その材質としては、エポキシ系、アクリル系等が挙げられる。
【００２０】
尚、図２においては、側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂと２本の支持部材５との間に間隙９が形成されている図となっているが、間隙９は無くても構わない。即ち、２本の支持部材５が側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに接触していても構わない。
【００２１】
２本の支持部材５は、高さ方向Ｚにおける頂部に、方向Ｙにおいて発光素子１１と平行となるよう内側に所定の長さＷだけ突出する支持部５ａを有しているとともに、高さ方向Ｚにおける頂部と面２ｆとの間にも、方向Ｙにおいて発光素子１１と平行となるよう内側に所定の長さＷだけ突出する支持部５ｂを有している。
【００２２】
尚、一方の支持部材５に形成された支持部５ａ、５ｂと他方の支持部材５に形成された支持部５ａ、５ｂとは、面２ｆから高さ方向Ｚにおいて同じ高さに位置していることから、支持部５ａ同士及び支持部５ｂ同士は、方向Ｙにおいて対向している。
【００２３】
支持部５ｂは、発光素子１２の底面１２ｔの一部が載置されるものであり、支持部５ａは、発光素子１３の底面の一部が載置されるものである。
【００２４】
尚、支持部５ａは、図３に示すように、発光素子１３の方向Ｘの幅と同じか小さい幅に方向Ｘに沿ってレール状に形成されている。また、支持部５ａが、発光素子１３の方向Ｘの幅と同じ幅に形成されている場合、支持部５ａ、５ｂは、各発光素子１１〜１３の位置決めに利用される。
【００２５】
また、支持部５ａは、方向Ｘに沿ってレール状に形成されていることにより、発光素子１３の底面１３ｔにおける側面１３ａ、１３ｂの縁部近傍が載置される構成であっても構わないし、図４に示すように、発光素子１３の底面１３ｔにおける４隅が載置される４つに点在する構成であっても構わない。また、このことは、支持部５ｂであっても同様である。さらに、支持部５ａ、５ｂの形状は、図３、図４に示した形状に限定されない。
【００２６】
以上から、面２ｆに発光素子１１が実装され、支持部材５の支持部５ｂに発光素子１２の底面１２ｔが載置され、支持部材５の支持部５ａに発光素子１３の底面１３ｔが載置されることにより、発光素子１１〜１３が平行となるよう高さ方向Ｚに沿って積層されている。
【００２７】
尚、図１に示すように、発光素子１１のｐ側電極（図示されず）は、ワイヤ２１を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ａに電気的に接続され、発光素子１２のｐ側電極（図示されず）も、ワイヤ２２を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ｂに電気的に接続され、発光素子１３のｐ側電極１３ｐも、ワイヤ２３を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ｃに電気的に接続されている。
【００２８】
また、各発光素子１１、１２、１３のｎ側電極１１ｎ、１２ｎ、１３ｎは、ワイヤ２５ａ〜２５ｃを用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された共通電極４に電気的に接続されている。
【００２９】
尚、面２ｆ上において、電極３ａ〜３ｃは、積層された発光素子１１〜１３において、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは９０°異なる側面１１ｃ〜１３ｃ（側面１１ｃ、１２ｃは図示されず）に対向するよう位置しており、共通電極４は、積層された発光素子１１〜１３において、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは９０°異なるとともに、側面１１ｃ〜１３ｃに対向する側面１１ｄ〜１３ｄ（側面１１ｄ、１２ｄは図示されず）に対向するよう位置している。
【００３０】
即ち、電極３ａ〜３ｃ及び共通電極４は、２本の支持部材５とは９０°異なる側に位置している。これは、電極３ａ〜３ｃ及び共通電極４が、２本の支持部材５と同じ側に位置していると、２本の支持部材５がワイヤボンディングの際の妨げになるためである。
【００３１】
次に、このような構成を有する半導体発光装置１の製造工程を簡単に説明する。
先ず、基板２の面２ｆに、発光素子１１を接着固定し、発光素子１１のｐ側電極を、ワイヤ２１を介して電極３ａにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極を、ワイヤ２５ａを介して共通電極４にワイヤボンディングする。
【００３２】
次いで、面２ｆにおける上述した位置に、２本の支持部材５を接着固定する。その後、発光素子１１の上面に透明樹脂７をディスペンサやインクジェット等によって塗布し、発光素子１２を、Ｙ方向における２本の支持部材５間において、高さ方向Ｚにおける支持部５ａと支持部５ｂとの間にＸ方向からスライド嵌入させ、底面１２ｔを支持部５ｂに載置し、透明樹脂７を硬化させる。
【００３３】
また、透明樹脂７の硬化後、発光素子１２のｐ側電極を、ワイヤ２２を介して電極３ｂにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極を、ワイヤ２５ｂを介して共通電極４にワイヤボンディングする。
【００３４】
次いで、発光素子１２上に上述と同様の手法により透明樹脂７を塗布し、発光素子１３を高さ方向Ｚの上方から降下させて、支持部５ｂに載置する。透明樹脂７を硬化させた後、発光素子１３のｐ側電極１３ｐを、ワイヤ２３を介して電極３ｃにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極１３ｎを、ワイヤ２５ｃを介して共通電極４にワイヤボンディングする。このようにして、半導体発光装置１は製造される。
【００３５】
このように、本実施の形態においては、透明樹脂７を介して、発光素子１１〜１３を基板２の面２ｆ上に高さ方向Ｚに沿って積層する半導体発光装置１の構成において、基板２の面２ｆに固定された発光素子１１に平行な２本の支持部材５が用いられて、各発光素子１１〜１３が平行となるように高さ方向Ｚに沿って積層されていると示した。
【００３６】
このことによれば、２本の支持部材５の支持部５ａ、５ｂにより、各発光素子１１〜１３は、確実に平行に位置することから、各発光素子１１〜１３から発光された光が散乱してしまうことがないため、輝度が低下してしまう他、色ムラが発生してしまう等の発光特性の低下してしまうことがない。即ち、各発光素子１１〜１３から光が効率良く出射される。
【００３７】
以上から、基板２の面２ｆに対して複数の発光素子１１〜１３を高さ方向Ｚに沿って各発光素子１１〜１３が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置１を提供することができる。
【００３８】
（第２実施の形態）
図５は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図６は、図５中のVI-VI線に沿う半導体発光装置の断面図である。
【００３９】
この第２実施の形態の半導体発光装置の構成は、上述した図１〜図４に示した第１実施の形態の半導体発光装置と比して、２つの支持部材が、最上層の発光素子の側面に対向する長さに形成されている点と、２本の支持部材と各発光素子の側面との間に、接着剤が注入されている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４０】
図５、図６に示すように、本実施の形態においては、２本の支持部材５は、最上層に位置する発光素子１３の向かい合う側面１３ａ、１３ｂに対向する長さ、具体的には、２本の支持部材５の高さ方向Ｚの頂部が、発光素子１３の上面と同じ高さとなる長さに形成されている。尚、２つの支持部材５は、発光素子１３の上面よりも高さ方向Ｚの上方に突出する長さに形成されていても構わない。
【００４１】
また、本実施の形態においては、支持部材５の方向Ｙにおける厚みＹ２は、第１実施の形態における支持部材５の方向Ｙにおける厚みＹ１よりも厚く形成されている（Ｙ２＞Ｙ１）。これは、支持部材５からの後述する放熱効果を向上させるためである。
【００４２】
さらに、本実施の形態においては、各発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂと２本の支持部材５との間の間隙９に、放熱用の接着剤３０が注入されている。尚、接着剤３０としては、金属フィラー入りのエポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂、プラスチック系樹脂等の高熱伝導性樹脂が挙げられる。
【００４３】
接着剤３０は、発光素子１１〜１３の発光に伴って発光素子１１〜１３から発生した熱を、２本の支持部材５へと伝熱させる機能を有している。よって、２本の支持部材５は、発光素子１１〜１３から伝熱された熱を放熱する放熱性を有する材料、具体的には、アルミ、銅、真鍮等の金属や、高熱伝導性樹脂等から構成されていることが好ましい。
【００４４】
尚、図示しないが、より放熱性を向上させるため、基板２の裏面に、放熱用の金属板が設けられていても構わない。また、放熱用の金属板には、基板２を高さ方向Ｚに貫通した２本の支持部材５が直接接続されていても構わない。また、その他の構成は、第１実施の形態と同じである。
【００４５】
このような構成によれば、２本の支持部材５は、最上層の発光素子１３の側面１３ａ、１３ｂに対向する長さに形成されていることから、発光素子１３をも確実に支持できるため、第１実施の形態よりも発光素子１３が傾き難くなるといった利点がある。
【００４６】
また、発光素子１１〜１３の熱を、発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂから接着剤３０を介して２本の支持部材５より放熱することができるため、発光素子１１〜１３の放熱効率が良くなり、更なる輝度の向上を図ることができるとともに、発光素子１１〜１３の高寿命化を実現することができる。
【００４７】
よって、第１実施の形態の半導体発光装置１の構成においても、間隙９に接着剤３０を注入することにより、２本の支持部材５から放熱を行うようにしても良い。尚、その他の効果は、第１実施の形態と同様である。
【００４８】
（第３実施の形態）
図７は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図８は、図７中のVIII-VIII線に沿う半導体発光装置の断面図、図９は、図７中IX-IX線に沿う半導体発光装置の断面図である。尚、図８、図９は、図面を分かりやすくするため、簡略化して示している。
【００４９】
この第３実施の形態の半導体発光装置の構成は、上述した図１〜図４に示した第１実施の形態の半導体発光装置、図５、図６に示した第２実施の形態の半導体発光装置と比して、複数の発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を基板の電極に対して、複数の発光素子の側面に設けられた側面配線を用いて電気的に接続する点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１、第２実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００５０】
図８、図９に示すように、本実施の形態の半導体発光装置においては、発光素子１１のｐ側電極１１ｐと電極３ａとの電気的な接続、発光素子１２のｐ側電極１２ｐと電極３ｂとの電気的な接続、発光素子１３のｐ側電極１３ｐと電極３ｃとの電気的な接続、発光素子１１〜１３のｎ側電極１１ｎ〜１３ｎと共通電極４との電気的な接続は、ワイヤを用いずに、導体から構成された側面配線５１〜５３、５５を用いて行う構成を有している。
【００５１】
具体的には、図７、図８に示すように、発光素子１１のｐ側電極１１ｐと電極３ａとは、発光素子１１〜１３の２つの支持部材に対向する側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面、具体的には、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５１によって電気的に接続されているとともに、発光素子１２のｐ側電極１２ｐと電極３ｂとは、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５２によって電気的に接続されており、さらに、発光素子１３のｐ側電極１３ｐと電極３ｃとは、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５３によって電気的に接続されている。
【００５２】
また、図７、図９に示すように、発光素子１１〜１３のｎ側電極１１ｎ〜１３ｎと共通電極４とは、発光素子１１〜１３の２つの支持部材に対向する側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面、具体的には、側面１１ｄ〜１３ｄにおいて形成された側面配線５５によって電気的に接続されている。
【００５３】
尚、側面配線５１〜５３、５５は、例えばインクジェットによって、発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに形成されている。また、図示しないが、側面配線５１〜５３、５５は、絶縁体によって覆われている。
【００５４】
また、電極３ａ〜３ｃ、共通電極４に対する側面配線５１〜５３、５５の接続部を機械的、物理的、環境的の保護するため、アンダーフィルが設けられていても構わない。
【００５５】
さらに、図７〜図９に示すように、各発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄ、２つの支持部材５は、放熱板４１によって周状に覆われている。また、放熱板４１と発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄとの間、２つの支持部材５と発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとの間には、放熱用の接着剤３０が注入されている。尚、その他の構成は、上述した第１、第２実施の形態と同様である。
【００５６】
このような構成によれば、各発光素子１１〜１３と電極３ａ〜３ｃ、共通電極４との電気的な接続に、ワイヤを用いる必要が無くなることから、ワイヤボンディングによって、ワイヤに引っ張られて発光素子１１〜１３が傾いてしまうことを防ぐことができる他、発光素子１１〜１３の全周囲に放熱板を配設することができることから、上述した第１〜第３実施の形態よりもさらに放熱性が向上するため、更なる輝度の向上を図ることができるとともに、発光素子１１〜１３の高寿命化を実現することができる。
【００５７】
また、側面配線５１〜５３、５５を用いるため、ワイヤを用いた接続のように、発光素子１１〜１３の上面で接続する必要がなくなることから、半導体発光装置１の実装高さを、上述した第１、第２実施の形態よりも低くすることができる。尚、その他の効果は、上述した第１、第２実施の形態と同様である。
【００５８】
尚、以下、変形例を示す。上述した本実施の形態においては、２つの支持部材５の他、側面配線５１〜５３、５５を形成したが、側面配線５１〜５３、５５自体が支持部材を兼ねていても構わないことは勿論である。
【００５９】
また、側面配線５１〜５３、５５は、２つの支持部材５が対向する発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに設けると示したが、これに限らず、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂに設けても構わないことは云うまでもない。
【００６０】
また、上述した第１〜第３実施の形態においては、基板２の面２ｆ上に、３つの発光素子１１〜１３を高さ方向Ｚに沿って積層する場合を例に挙げて示したが、発光素子の個数は、３つに限定されないことは云うまでもない。
【００６１】
さらに、２つの支持部材５は、発光素子１１〜１３の向かい合う２つの側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂに対向する位置に設けると示したが、これに限らず、例えば図７〜図９に示す構成を用いれば、発光素子１１〜１３の向かい合う２つの側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに対向する位置にさらに設けても構わない。即ち、４つ設けても構わない。
【符号の説明】
【００６２】
１…半導体発光装置
２…基板
２ｆ…基板の一面
５…支持部材
５ａ…支持部
５ｂ…支持部
９…間隙
１１…最下層の発光素子
１１ａ−１１ｄ…側面
１２…発光素子
１２ａ−１２ｄ…側面
１３…最上層の発光素子
１３ａ−１３ｄ…側面
３０…接着剤
５１…側面配線
５２…側面配線
５３…側面配線
５５…側面配線
Ｚ…高さ方向（一方向）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置において、複数の発光素子が基板の一面に対し一方向に沿って積層された構成は周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１には、電気基板の一面に１段目の透明な発光素子が実装され、該１段目の発光素子上に透明樹脂を介して１段目の発光素子と同じ大きさの２段目の透明な発光素子が積層され、該２段目の発光素子上に透明樹脂を介して１段目及び２段目の発光素子と同じ大きさの３段目の透明な発光素子が積層され、各発光素子のボンディングパッドが電気基板の電極にボンディングワイヤを介してそれぞれ電気的に接続された構成が開示されている。
【０００４】
尚、このような構成においては、１段目の発光素子から発光された光は、２段目及び３段目の発光素子を透過して被検体に照射され、２段目の発光素子から発光された光は、３段目の発光素子を透過して被検体に照射され、３段目の発光素子から発光された光は、直接被検体に照射されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３０７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に開示された複数の発光素子を一方向に沿って積層する構成においては、各発光素子から発光された光が散乱してしまうのを防ぐため、透明樹脂を介して各発光素子がそれぞれ平行となるよう積層する必要がある。尚、各発光素子から発光された光が散乱してしまうと、輝度が低下してしまう他、色ムラが発生してしまう等の発光特性の低下の原因となる。
【０００７】
しかしながら、各発光素子の電気基板と反対側の面には、ボンディングパッド等が設けられているため、平坦な形状を有していないことから、透明樹脂を用いたとしても各発光素子がそれぞれ平行となるよう積層することが難しい、言い換えれば、各発光素子の平行を維持した状態で透明樹脂を硬化させることが難しいといった問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、基板の一面に対して複数の発光素子を一方向に沿って各発光素子が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明の一態様による半導体発光装置は、基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置であって、前記基板の前記一面から前記一方向に沿って起立するよう設けられた、前記各発光素子の内、少なくとも最上層の前記発光素子より下層に位置する前記各発光素子において、向かい合う少なくとも２つの側面に対向する支持部材を具備し、前記支持部材に、前記各発光素子の内、前記基板に実装された最下層の前記発光素子よりも上層に位置する前記各発光素子が載置される前記最下層の前記発光素子に平行な支持部が形成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の一面に対して複数の発光素子を一方向に沿って各発光素子が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図２】図１中のII-II線に沿う半導体発光装置の断面図
【図３】図１の支持部材の支持部をレール状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図
【図４】図１の支持部材の支持部を発光素子の底面の４隅を支持する形状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図
【図５】第２実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図６】図５中のVI-VI線に沿う半導体発光装置の断面図
【図７】第３実施の形態の半導体発光装置の平面図
【図８】図７中のVIII-VIII線に沿う半導体発光装置の断面図
【図９】図７中IX-IX線に沿う半導体発光装置の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１３】
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿う半導体発光装置の断面図、図３は、図１の支持部材の支持部をレール状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図、図４は、図１の支持部材の支持部を発光素子の底面の４隅を支持する形状に形成した例を示す半導体発光装置の平面図である。
【００１４】
図１、図２に示すように、半導体発光装置１は、基板２を具備しており、基板２の一面である面２ｆには、矩形状の複数の同じ大きさに形成された発光素子１１、１２、１３が、一方向である高さ方向Ｚに沿って積層されている。
【００１５】
具体的には、面２ｆには、最下層の発光素子１１が接着等によって実装されており、発光素子１１の高さ方向Ｚの上層には、透明樹脂７を介して発光素子１２が発光素子１１に平行に位置しており、発光素子１２の高さ方向Ｚの上層には、透明樹脂７を介して最上層の発光素子１３が発光素子１１、１２に平行に位置している。
【００１６】
尚、面２ｆに発光素子１１を接着する接着剤としては、銀ペースト（ナノ粒子でも可）等の光の反射効率の良い樹脂が挙げられる。また、透明樹脂７としては、熱硬化型の樹脂や、ＵＶ硬化型の樹脂や、ＵＶ熱併用硬化型の樹脂等が挙げられ、その材質としては、エポキシ系、アクリル系等が挙げられる。さらに、樹脂７が透明なのは、発光素子１１、１２から発光された光を、高さ方向Ｚの上方に照射するため、光を通過させる必要があるためである。
【００１７】
ここで、発光素子１１〜１３が平行となるよう高さ方向Ｚに沿って積層される具体的な構成を説明する。
【００１８】
図２に示すように、基板２の面２ｆに対し、発光素子１１、１２の向かい合う２つの側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに対向する２本の支持部材５が、面２ｆから高さ方向Ｚに沿って起立するよう、接着等によって設けられている。尚、支持部材５を構成する材質としては、樹脂（エポキシ、アクリル、ガラス、プラスチック等）または金属（銅、アルミ、真鍮等）が挙げられる。
【００１９】
また、面２ｆに２本の支持部材５を接着する接着剤としては、ＵＶ硬化型樹脂またはＵＶ熱併用硬化型の樹脂等が挙げられ、その材質としては、エポキシ系、アクリル系等が挙げられる。
【００２０】
尚、図２においては、側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂと２本の支持部材５との間に間隙９が形成されている図となっているが、間隙９は無くても構わない。即ち、２本の支持部材５が側面１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂに接触していても構わない。
【００２１】
２本の支持部材５は、高さ方向Ｚにおける頂部に、方向Ｙにおいて発光素子１１と平行となるよう内側に所定の長さＷだけ突出する支持部５ａを有しているとともに、高さ方向Ｚにおける頂部と面２ｆとの間にも、方向Ｙにおいて発光素子１１と平行となるよう内側に所定の長さＷだけ突出する支持部５ｂを有している。
【００２２】
尚、一方の支持部材５に形成された支持部５ａ、５ｂと他方の支持部材５に形成された支持部５ａ、５ｂとは、面２ｆから高さ方向Ｚにおいて同じ高さに位置していることから、支持部５ａ同士及び支持部５ｂ同士は、方向Ｙにおいて対向している。
【００２３】
支持部５ｂは、発光素子１２の底面１２ｔの一部が載置されるものであり、支持部５ａは、発光素子１３の底面の一部が載置されるものである。
【００２４】
尚、支持部５ａは、図３に示すように、発光素子１３の方向Ｘの幅と同じか小さい幅に方向Ｘに沿ってレール状に形成されている。また、支持部５ａが、発光素子１３の方向Ｘの幅と同じ幅に形成されている場合、支持部５ａ、５ｂは、各発光素子１１〜１３の位置決めに利用される。
【００２５】
また、支持部５ａは、方向Ｘに沿ってレール状に形成されていることにより、発光素子１３の底面１３ｔにおける側面１３ａ、１３ｂの縁部近傍が載置される構成であっても構わないし、図４に示すように、発光素子１３の底面１３ｔにおける４隅が載置される４つに点在する構成であっても構わない。また、このことは、支持部５ｂであっても同様である。さらに、支持部５ａ、５ｂの形状は、図３、図４に示した形状に限定されない。
【００２６】
以上から、面２ｆに発光素子１１が実装され、支持部材５の支持部５ｂに発光素子１２の底面１２ｔが載置され、支持部材５の支持部５ａに発光素子１３の底面１３ｔが載置されることにより、発光素子１１〜１３が平行となるよう高さ方向Ｚに沿って積層されている。
【００２７】
尚、図１に示すように、発光素子１１のｐ側電極（図示されず）は、ワイヤ２１を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ａに電気的に接続され、発光素子１２のｐ側電極（図示されず）も、ワイヤ２２を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ｂに電気的に接続され、発光素子１３のｐ側電極１３ｐも、ワイヤ２３を用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された電極３ｃに電気的に接続されている。
【００２８】
また、各発光素子１１、１２、１３のｎ側電極１１ｎ、１２ｎ、１３ｎは、ワイヤ２５ａ〜２５ｃを用いたワイヤボンディングによって、面２ｆに形成された共通電極４に電気的に接続されている。
【００２９】
尚、面２ｆ上において、電極３ａ〜３ｃは、積層された発光素子１１〜１３において、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは９０°異なる側面１１ｃ〜１３ｃ（側面１１ｃ、１２ｃは図示されず）に対向するよう位置しており、共通電極４は、積層された発光素子１１〜１３において、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは９０°異なるとともに、側面１１ｃ〜１３ｃに対向する側面１１ｄ〜１３ｄ（側面１１ｄ、１２ｄは図示されず）に対向するよう位置している。
【００３０】
即ち、電極３ａ〜３ｃ及び共通電極４は、２本の支持部材５とは９０°異なる側に位置している。これは、電極３ａ〜３ｃ及び共通電極４が、２本の支持部材５と同じ側に位置していると、２本の支持部材５がワイヤボンディングの際の妨げになるためである。
【００３１】
次に、このような構成を有する半導体発光装置１の製造工程を簡単に説明する。
先ず、基板２の面２ｆに、発光素子１１を接着固定し、発光素子１１のｐ側電極を、ワイヤ２１を介して電極３ａにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極を、ワイヤ２５ａを介して共通電極４にワイヤボンディングする。
【００３２】
次いで、面２ｆにおける上述した位置に、２本の支持部材５を接着固定する。その後、発光素子１１の上面に透明樹脂７をディスペンサやインクジェット等によって塗布し、発光素子１２を、Ｙ方向における２本の支持部材５間において、高さ方向Ｚにおける支持部５ａと支持部５ｂとの間にＸ方向からスライド嵌入させ、底面１２ｔを支持部５ｂに載置し、透明樹脂７を硬化させる。
【００３３】
また、透明樹脂７の硬化後、発光素子１２のｐ側電極を、ワイヤ２２を介して電極３ｂにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極を、ワイヤ２５ｂを介して共通電極４にワイヤボンディングする。
【００３４】
次いで、発光素子１２上に上述と同様の手法により透明樹脂７を塗布し、発光素子１３を高さ方向Ｚの上方から降下させて、支持部５ｂに載置する。透明樹脂７を硬化させた後、発光素子１３のｐ側電極１３ｐを、ワイヤ２３を介して電極３ｃにワイヤボンディングするとともに、ｎ側電極１３ｎを、ワイヤ２５ｃを介して共通電極４にワイヤボンディングする。このようにして、半導体発光装置１は製造される。
【００３５】
このように、本実施の形態においては、透明樹脂７を介して、発光素子１１〜１３を基板２の面２ｆ上に高さ方向Ｚに沿って積層する半導体発光装置１の構成において、基板２の面２ｆに固定された発光素子１１に平行な２本の支持部材５が用いられて、各発光素子１１〜１３が平行となるように高さ方向Ｚに沿って積層されていると示した。
【００３６】
このことによれば、２本の支持部材５の支持部５ａ、５ｂにより、各発光素子１１〜１３は、確実に平行に位置することから、各発光素子１１〜１３から発光された光が散乱してしまうことがないため、輝度が低下してしまう他、色ムラが発生してしまう等の発光特性の低下してしまうことがない。即ち、各発光素子１１〜１３から光が効率良く出射される。
【００３７】
以上から、基板２の面２ｆに対して複数の発光素子１１〜１３を高さ方向Ｚに沿って各発光素子１１〜１３が平行となるよう積層することができる構成を具備する半導体発光装置１を提供することができる。
【００３８】
（第２実施の形態）
図５は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図６は、図５中のVI-VI線に沿う半導体発光装置の断面図である。
【００３９】
この第２実施の形態の半導体発光装置の構成は、上述した図１〜図４に示した第１実施の形態の半導体発光装置と比して、２つの支持部材が、最上層の発光素子の側面に対向する長さに形成されている点と、２本の支持部材と各発光素子の側面との間に、接着剤が注入されている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４０】
図５、図６に示すように、本実施の形態においては、２本の支持部材５は、最上層に位置する発光素子１３の向かい合う側面１３ａ、１３ｂに対向する長さ、具体的には、２本の支持部材５の高さ方向Ｚの頂部が、発光素子１３の上面と同じ高さとなる長さに形成されている。尚、２つの支持部材５は、発光素子１３の上面よりも高さ方向Ｚの上方に突出する長さに形成されていても構わない。
【００４１】
また、本実施の形態においては、支持部材５の方向Ｙにおける厚みＹ２は、第１実施の形態における支持部材５の方向Ｙにおける厚みＹ１よりも厚く形成されている（Ｙ２＞Ｙ１）。これは、支持部材５からの後述する放熱効果を向上させるためである。
【００４２】
さらに、本実施の形態においては、各発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂと２本の支持部材５との間の間隙９に、放熱用の接着剤３０が注入されている。尚、接着剤３０としては、金属フィラー入りのエポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂、プラスチック系樹脂等の高熱伝導性樹脂が挙げられる。
【００４３】
接着剤３０は、発光素子１１〜１３の発光に伴って発光素子１１〜１３から発生した熱を、２本の支持部材５へと伝熱させる機能を有している。よって、２本の支持部材５は、発光素子１１〜１３から伝熱された熱を放熱する放熱性を有する材料、具体的には、アルミ、銅、真鍮等の金属や、高熱伝導性樹脂等から構成されていることが好ましい。
【００４４】
尚、図示しないが、より放熱性を向上させるため、基板２の裏面に、放熱用の金属板が設けられていても構わない。また、放熱用の金属板には、基板２を高さ方向Ｚに貫通した２本の支持部材５が直接接続されていても構わない。また、その他の構成は、第１実施の形態と同じである。
【００４５】
このような構成によれば、２本の支持部材５は、最上層の発光素子１３の側面１３ａ、１３ｂに対向する長さに形成されていることから、発光素子１３をも確実に支持できるため、第１実施の形態よりも発光素子１３が傾き難くなるといった利点がある。
【００４６】
また、発光素子１１〜１３の熱を、発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂから接着剤３０を介して２本の支持部材５より放熱することができるため、発光素子１１〜１３の放熱効率が良くなり、更なる輝度の向上を図ることができるとともに、発光素子１１〜１３の高寿命化を実現することができる。
【００４７】
よって、第１実施の形態の半導体発光装置１の構成においても、間隙９に接着剤３０を注入することにより、２本の支持部材５から放熱を行うようにしても良い。尚、その他の効果は、第１実施の形態と同様である。
【００４８】
（第３実施の形態）
図７は、本実施の形態の半導体発光装置の平面図、図８は、図７中のVIII-VIII線に沿う半導体発光装置の断面図、図９は、図７中IX-IX線に沿う半導体発光装置の断面図である。尚、図８、図９は、図面を分かりやすくするため、簡略化して示している。
【００４９】
この第３実施の形態の半導体発光装置の構成は、上述した図１〜図４に示した第１実施の形態の半導体発光装置、図５、図６に示した第２実施の形態の半導体発光装置と比して、複数の発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を基板の電極に対して、複数の発光素子の側面に設けられた側面配線を用いて電気的に接続する点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１、第２実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００５０】
図８、図９に示すように、本実施の形態の半導体発光装置においては、発光素子１１のｐ側電極１１ｐと電極３ａとの電気的な接続、発光素子１２のｐ側電極１２ｐと電極３ｂとの電気的な接続、発光素子１３のｐ側電極１３ｐと電極３ｃとの電気的な接続、発光素子１１〜１３のｎ側電極１１ｎ〜１３ｎと共通電極４との電気的な接続は、ワイヤを用いずに、導体から構成された側面配線５１〜５３、５５を用いて行う構成を有している。
【００５１】
具体的には、図７、図８に示すように、発光素子１１のｐ側電極１１ｐと電極３ａとは、発光素子１１〜１３の２つの支持部材に対向する側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面、具体的には、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５１によって電気的に接続されているとともに、発光素子１２のｐ側電極１２ｐと電極３ｂとは、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５２によって電気的に接続されており、さらに、発光素子１３のｐ側電極１３ｐと電極３ｃとは、側面１１ｃ〜１３ｃにおいて形成された側面配線５３によって電気的に接続されている。
【００５２】
また、図７、図９に示すように、発光素子１１〜１３のｎ側電極１１ｎ〜１３ｎと共通電極４とは、発光素子１１〜１３の２つの支持部材に対向する側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面、具体的には、側面１１ｄ〜１３ｄにおいて形成された側面配線５５によって電気的に接続されている。
【００５３】
尚、側面配線５１〜５３、５５は、例えばインクジェットによって、発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに形成されている。また、図示しないが、側面配線５１〜５３、５５は、絶縁体によって覆われている。
【００５４】
また、電極３ａ〜３ｃ、共通電極４に対する側面配線５１〜５３、５５の接続部を機械的、物理的、環境的の保護するため、アンダーフィルが設けられていても構わない。
【００５５】
さらに、図７〜図９に示すように、各発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄ、２つの支持部材５は、放熱板４１によって周状に覆われている。また、放熱板４１と発光素子１１〜１３の側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄとの間、２つの支持部材５と発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとの間には、放熱用の接着剤３０が注入されている。尚、その他の構成は、上述した第１、第２実施の形態と同様である。
【００５６】
このような構成によれば、各発光素子１１〜１３と電極３ａ〜３ｃ、共通電極４との電気的な接続に、ワイヤを用いる必要が無くなることから、ワイヤボンディングによって、ワイヤに引っ張られて発光素子１１〜１３が傾いてしまうことを防ぐことができる他、発光素子１１〜１３の全周囲に放熱板を配設することができることから、上述した第１〜第３実施の形態よりもさらに放熱性が向上するため、更なる輝度の向上を図ることができるとともに、発光素子１１〜１３の高寿命化を実現することができる。
【００５７】
また、側面配線５１〜５３、５５を用いるため、ワイヤを用いた接続のように、発光素子１１〜１３の上面で接続する必要がなくなることから、半導体発光装置１の実装高さを、上述した第１、第２実施の形態よりも低くすることができる。尚、その他の効果は、上述した第１、第２実施の形態と同様である。
【００５８】
尚、以下、変形例を示す。上述した本実施の形態においては、２つの支持部材５の他、側面配線５１〜５３、５５を形成したが、側面配線５１〜５３、５５自体が支持部材を兼ねていても構わないことは勿論である。
【００５９】
また、側面配線５１〜５３、５５は、２つの支持部材５が対向する発光素子１１〜１３の側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂとは異なる側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに設けると示したが、これに限らず、側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂに設けても構わないことは云うまでもない。
【００６０】
また、上述した第１〜第３実施の形態においては、基板２の面２ｆ上に、３つの発光素子１１〜１３を高さ方向Ｚに沿って積層する場合を例に挙げて示したが、発光素子の個数は、３つに限定されないことは云うまでもない。
【００６１】
さらに、２つの支持部材５は、発光素子１１〜１３の向かい合う２つの側面１１ａ〜１３ａ、１１ｂ〜１３ｂに対向する位置に設けると示したが、これに限らず、例えば図７〜図９に示す構成を用いれば、発光素子１１〜１３の向かい合う２つの側面１１ｃ〜１３ｃ、１１ｄ〜１３ｄに対向する位置にさらに設けても構わない。即ち、４つ設けても構わない。
【符号の説明】
【００６２】
１…半導体発光装置
２…基板
２ｆ…基板の一面
５…支持部材
５ａ…支持部
５ｂ…支持部
９…間隙
１１…最下層の発光素子
１１ａ−１１ｄ…側面
１２…発光素子
１２ａ−１２ｄ…側面
１３…最上層の発光素子
１３ａ−１３ｄ…側面
３０…接着剤
５１…側面配線
５２…側面配線
５３…側面配線
５５…側面配線
Ｚ…高さ方向（一方向）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置であって、
前記基板の前記一面から前記一方向に沿って起立するよう設けられた、前記各発光素子の内、少なくとも最上層の前記発光素子より下層に位置する前記各発光素子において、向かい合う少なくとも２つの側面に対向する支持部材を具備し、
前記支持部材に、前記各発光素子の内、前記基板に実装された最下層の前記発光素子よりも上層に位置する前記各発光素子が載置される前記最下層の前記発光素子に平行な支持部が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記支持部材は、さらに最上層の前記発光素子の向かい合う少なくとも２つの側面に対向することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記支持部材と該支持部材が対向する前記発光素子の前記側面との間に間隙が形成されており、
前記間隙に前記発光素子の熱を前記支持部材へと伝熱させる接着剤が注入されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記支持部材は、前記複数の発光素子から伝熱された熱を放熱する放熱性を有する材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記各発光素子は、ワイヤボンディングにより、前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記各発光素子は、該各発光素子の前記支持部材が対向する前記側面または該側面とは異なる側面における側面配線により、前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１】
基板の一面に対し、複数の発光素子が一方向に積層された半導体発光装置であって、
前記基板の前記一面から前記一方向に沿って起立するよう設けられた、前記各発光素子の内、少なくとも最上層の前記発光素子より下層に位置する前記各発光素子において、向かい合う少なくとも２つの側面に対向する支持部材を具備し、
前記支持部材に、前記各発光素子の内、前記基板に実装された最下層の前記発光素子よりも上層に位置する前記各発光素子が載置される前記最下層の前記発光素子に平行な支持部が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記支持部材は、さらに最上層の前記発光素子の向かい合う少なくとも２つの側面に対向することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記支持部材と該支持部材が対向する前記発光素子の前記側面との間に間隙が形成されており、
前記間隙に前記発光素子の熱を前記支持部材へと伝熱させる接着剤が注入されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記支持部材は、前記複数の発光素子から伝熱された熱を放熱する放熱性を有する材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記各発光素子は、ワイヤボンディングにより、前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記各発光素子は、該各発光素子の前記支持部材が対向する前記側面または該側面とは異なる側面における側面配線により、前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−８７４４（Ｐ２０１３−８７４４Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３８７５４（Ｐ２０１１−１３８７５４）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
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