半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一面から他面に貫通して設けられた開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する基板１７と、基板１７の一面に搭載され、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有する半導体チップ１６と、同電位の２以上の電極パッド５を接続するとともに、基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７とを備える半導体装置１０とする。
【解決手段】一面から他面に貫通して設けられた開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する基板１７と、基板１７の一面に搭載され、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有する半導体チップ１６と、同電位の２以上の電極パッド５を接続するとともに、基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７とを備える半導体装置１０とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の一例として、例えば、ＢＧＡ(Ball Grid Array)型やＣＳＰ(Chip Size Package)型などの半導体パッケージがある。このような半導体パッケージは、基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップと基板との間をワイヤーボンディング等で接続した構造を有している。
【０００３】
ＢＧＡ型の半導体装置としては、半導体チップがチップパッドを有し、パッケージ基板がチップパッドを外方に臨ませる開口部を有し、パッケージ基板に配置されたパッケージ配線の一端にボンディングパッドが設けられ、他端に半田ボールが設けられ、チップパッドとボンディングパッドとが、ボンディングワイヤーを介して電気的に接続されているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９８８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置では、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しが困難となったり、遠回りの配線となってしまう場合があり、広い配線スペースを確保しなければならず、半導体装置の小型化に対応しにくかった。
特に、特許文献１に記載の技術では、半田ボール数の制約に加え、パッケージ配線を構成する配線層が１層のみであることにより、半田ボール間に配置されるパッケージ配線数が制約されるため、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しが困難となったり、遠回りの配線となったりしやすく、問題となっていた。
【０００６】
また、特許文献１に記載の技術では、パッケージ基板の開口部から露出された２列のチップパッドをそれぞれ、開口部の隣接する側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続している。特許文献１に記載の技術において、パッケージ基板上でのパッケージ配線の配置の自由度を向上させて、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しを容易にする方法として、チップパッドを開口部の遠い側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続する方法が考えられる。
【０００７】
しかしながら、チップパッドを開口部の遠い側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続した場合、チップパッドとボンディングパッドとを接続するボンディングワイヤーの長さが長くなる。このため、開口部を封止する際の封止樹脂の流動等によって、ボンディングワイヤーが変移して短絡などの不都合が生じる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、基板に設けられた開口部から露出するように配置された半導体チップの複数の電極パッドのうち、同電位の２以上の電極パッドを、接続部材によって基板に配置された１つの配線の一端と接続することで、電極パッドの数に対する基板に配置された配線の数を少なくすることができ、基板上での配線の配置の自由度を向上させることが可能となり、半導体装置の小型化に適した半導体装置が得られることを見出し、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を想到した。
【０００９】
本発明の半導体装置は、一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置は、一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えるものであるので、電極パッドの数に対する基板に配置された配線の数を少なくすることができる。その結果、基板上での配線の配置の自由度を向上させることができ、半導体装置の小型化に適したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置を下面側から見た平面図である。
【図２】図２は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の他の例である第２の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の他の例である第３の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の他の例である第４の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の他の例である第５の実施形態の半導体装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施形態について詳細に説明する。尚、本発明
は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施
形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実
際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１および図２は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図である。図１は、半導体装置を下面側から見た平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【００１４】
図１および図２に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ型の半導体装置であり、図２に示すように、配線基板１７（基板）と半導体チップ１６と接続部材７とを備えている。
配線基板１７は、図１および図２に示すように、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた平面視略矩形の開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有している。開口部１２は、略矩形であり、平面視で配線基板１７の中央部に設けられ、第１側壁１２ａと第１側壁１２ａに対向する第２側壁１２ｂとを有している。
【００１５】
配線基板１７は、例えば、０．２ｍｍ厚のガラスエポキシ基板からなる平面視略矩形の絶縁基板１１を備えている。なお、絶縁基板１１は、ガラスエポキシ基板からなるものに限定されず、例えば、ポリイミド基材からなるフレキシブル配線基板などであってもよい。
絶縁基板１１の半導体チップ１６と反対側の面（図２においては下面）には、Ｃｕ等の導電材料からなる複数の配線１９が所定の形状で形成されている。配線１９は、部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８で覆われている。
【００１６】
また、図１および図２に示すように、配線基板１７の他面１１ｂには、配線１９の一端が露出されてなる複数の接続パッド２１（ボンドフィンガー）を有する接続パッド群２２が設けられている。
接続パッド群２２は、図１に示すように、開口部１２の第１側壁１２ａの縁部に沿って配置された複数の接続パッド２１からなる第１接続パッド列２３と、第２側壁１２ｂの縁部に沿って配置された複数の接続パッド２１からなる第２接続パッド列２４とを含むものである。
【００１７】
また、配線基板１７は、開口部１２により第１側壁１２ａ側と第２側壁１２ｂ側の２つの領域に区画されており、他面１１ｂのそれぞれの領域には、図１に示すように、所定の間隔で、半田ボール２８（外部電極）が格子状に配置されている。半田ボール２８は、図２に示すように、各配線１９の他端が露出されてなるランド（外部接続端子）２９に電気的に接続されている。
【００１８】
また、図２に示すように、配線基板１７の一面１１ａには、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈｅｄ Ｆｉｌｍ）、或いはエラストマ等の接着部材３１を介して、半導体チップ１６が搭載されている。
半導体チップ１６は、略矩形の板状であり、半導体チップ１６の図１および図２における下面１６ｂ（一面）には、例えばメモリ回路（不図示）と、複数の電極パッド５からなる電極パッド群１５とが形成されている。半導体チップ１６の下面１６ｂにおいて、電極パッド群１５を構成する電極パッド５の形成されている領域を除く領域には、図示しないパッシベーション膜が形成されており、メモリ回路の形成された面が保護されている。
【００１９】
図１および図２に示すように、半導体チップ１６は、電極パッド群１５の設けられている側（一面側）を配線基板１７側に向けて配置されている。また、半導体チップ１６は、図１および図２に示すように、配線基板１７の開口部１２から電極パッド群１５が露出するように、配置されている。本実施形態においては、電極パッド群１５は、図１および図２に示すように、半導体チップ１６の中央部に２列に並んで配置された複数の電極パッド５からなるものとされている。
【００２０】
より詳細には、図１に示すように、電極パッド群１５は、開口部１２の第１側壁１２ａに沿って第１側壁１２ａに近接して配置された複数の第１電極パッド５からなる第１電極パッド１３の列と、第２側壁１２ｂに沿って第２側壁１２ｂに近接して配置された複数の第１電極パッド５からなる第２電極パッド１４の列の２列からなるものとされている。
【００２１】
また、図１および図２に示す半導体装置１０では、電極パッド群１５が、同電位の２以上の電極パッド５を含むものとされている。電極パッド群１５に含まれる電極パッド５のうち、同電位である電極パッド５の数は、２以上であればよく、特に限定されない。
本実施形態においては、図１および図２に示すように、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを含む同電位の２つの電極パッド５が、接続部材７によって、配線基板１７に配置された複数の配線１９から選ばれる１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続されている。
しかし、本発明においては、例えば、同電位である３以上の電極パッドを、接続部材によって、配線基板に配置された複数の配線から選ばれる１つの配線の一端に接続してもよい。
【００２２】
本実施形態においては、図１および図２に示すように、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３と、その第１電極パッド１３に隣接して配置された第２電極パッド１４とが、接続部材７によって接続されている。また、図１において下から４つめに配置された第１電極パッド１３と、その第１電極パッド１３に隣接して配置された第２電極パッド１４とが、接続部材７によって接続されている。
【００２３】
図１および図２に示す半導体装置１０において、接続部材７によって接続されている同電位の第１電極パッド１３および第２電極パッド１４は、電源またはグランドとされている。なお、接続部材７によって接続されている電極パッド５は、電源またはグランドとされていることが好ましいが、接続部材７によって接続できるように同電位とされていればよく、電源またはグランドでなくてもよい。
【００２４】
接続部材７は、図１および図２に示すように、開口部１２内において２つの電極パッド５同士を電気的に接続するＡｕ、Ｃｕ等からなる第１ワイヤ７１と、２つの電極パッド５から選ばれる１つの電極パッド５と接続パッド２１とを電気的に接続するＡｕ、Ｃｕ等からなる第２ワイヤ７２とを備えている。
また、図２に示すように、第２ワイヤ７２の端部と電極パッド５とは、バンプ５ａを介して接続されている。バンプ５ａとしては、第１ワイヤ７１と同じ材料からなるものが挙げられる。具体的には、バンプ５ａとして、ＡｕやＣｕ等からなるものが挙げられる。
【００２５】
また、図１に示すように、接続部材７の端部に配置された電極パッド５は、接続部材７に接続された他の電極パッド５と比較して、配線１９の一端との距離が遠いものとなっている。
例えば、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３は、図１において下から３つめに配置された第２電極パッド１４と比較して、配線１９の一端との距離である接続パッド２１との距離が遠いものとなっている。
また、図１において下から４つめに配置された第２電極パッド１４は、図１において下から４つめに配置された第１電極パッド１３と比較して、配線１９の一端に配置された接続パッド２１との距離が遠いものとなっている。
【００２６】
また、本実施形態においては、図１に示すように、接続部材７の端部に配置された電極パッド５と、それに隣接する配線１９の一端との距離が、接続部材７の端部に配置された電極パッド５と接続部材７の第１ワイヤ７１によって接続された他の電極パッドとの間の距離よりも遠いものとなっている。
例えば、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３と、図１において下から２つめや３つめに配置された配線１９の一端との距離は、下から３つめに配置された第１電極パッド１３と第１ワイヤ７１によって接続された第２電極パッド１４との間の距離よりも遠いものとなっている。
【００２７】
したがって、本実施形態においては、例えば、接続部材７の端部に配置された電極パッド５を、それに隣接する配線１９の一端とワイヤによって接続する場合と比較して、長さの長いワイヤを用いることなく、短いワイヤを用いて接続することができる。このため、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成する際の封止樹脂の流動等によって、第１ワイヤ７１が変移して短絡などの不都合が生じることを防止でき、容易に製造できる。
【００２８】
また、図１および図２示す半導体装置１０においては、接続部材７に分岐がなく、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが第１ワイヤ７１および第２ワイヤ７２によって接続パッド２１に直列に接続されている。この場合、接続部材７によって、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを接続しても、接続パッド２１の面積を広くする必要がなく、半導体装置１０の小型化に適したものとなり、好ましい。
これに対し、例えば、２本のワイヤを用いて２つの電極パッドを並列に１つの接続パッドに接続した場合、接続パッドの面積を２本のワイヤを接続可能な大きさとしなければならず、接続パッドの面積を広げる必要が生じる恐れがある。
【００２９】
なお、図１および図２示す半導体装置１０においては、接続部材７によって同電位の２つの電極パッド５が直列に接続されている場合を例に挙げて説明したが、接続部材７は、同電位の２以上の電極パッドを、１つの配線１９の一端に接続できればよく、例えば、１つの配線１９の一端から並列に同電位の２以上の電極パッドを接続するものであってもうよい。この場合であっても、電極パッドの数に対する配線１９の数を少なくすることができ、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができる。
【００３０】
また、図１に示す第１電極パッド１３のうち、接続部材７に接続されていない第１電極パッド１３は、それぞれＡｕ、Ｃｕ等からなるワイヤ７３によって隣接する第１接続パッド列２３に電気的に接続されている。また、第２電極パッド１４のうち、接続部材７に接続されていない第２電極パッド１４は、それぞれワイヤ７３によって隣接する第２接続パッド列２４に電気的に接続されている。
すなわち、接続部材７に接続されていない電極パッド５は、それぞれ、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１とワイヤ７３によって接続されている。
【００３１】
また、図１および図２に示す半導体装置１０では、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２が形成されることにより、第１ワイヤ７１、第２ワイヤ７２、ワイヤ７３が、封止樹脂に封止されている。したがって、図１および図２に示す半導体装置１０では、封止体３２が形成されていることにより、ワイヤを用いた半導体チップ１６と配線基板１７との接続部位が外界から保護されるようになっている。
【００３２】
また、半導体チップ１６の配線基板１７と対向していない領域は、封止樹脂からなる封止体３３によって被覆されている。図１および図２に示す半導体装置１０では、封止体３３が形成されていることにより、半導体チップ１６が外界から保護されるようになっている。
なお、封止体３２、３３に用いられる封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂などを用いることができる。
【００３３】
「製造方法」
図３Ａ〜図３Ｆは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。また、図４Ａ〜図４Ｄは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。なお、図３Ａ〜図３Ｆおよび図４Ａ〜図４Ｄにおいて、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００３４】
図１および図２に示す半導体装置１０を製造するには、まず、配線基板１７となる基板を用意し、図３Ａに示すように、マトリクス状に配置された各製品形成部４３に一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する配線母基板４１（配線基板１７）を形成する。本実施形態において用いられる配線母基板４１は、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ）方式で処理されるものであり、複数の製品形成部４３がマトリクス状に配置されている。
【００３５】
なお、各製品形成部４３は、その後の工程で配線母基板４１を切断分離することにより、図１および図２に示す半導体装置１０の配線基板１７となる部位である。
また、マトリクス状に配置された製品形成部４３の周囲には、枠部（不図示）が設けられている。枠部には所定の間隔で位置決め孔（不図示）が設けられ、位置決め孔によって搬送や位置決めが可能とされている。
【００３６】
また、本実施形態では、配線母基板４１（配線基板１７）を形成する工程において、図３Ａに示すように、配線母基板４１（配線基板１７）の他面１１ｂに、それぞれ１つの半田ボール２８に電気的に接続される配線１９を複数形成し、配線１９を部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８で覆って、配線１９の一端が露出されてなる接続パッド２１と、他端が露出されてなるランド２９とを設ける。
【００３７】
次に、図３Ｂに示すように、配線母基板４１の製品形成部４３のそれぞれ（配線基板１７）の一面１１ａに、同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５（図１参照）を有する半導体チップ１６を搭載し、電極パッド群１５が開口部１２から露出するように配置する。半導体チップ１６は、ＤＡＦなどの接着部材３１を介して、半導体チップ１６の電極パッド群１５を配線基板１７側に向けて接着固定する。
図３Ｂには、複数の第１電極パッド５のうち、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面に配置された第１電極パッド１３と第２電極パッド１４が記載されている。
【００３８】
次に、図３Ｃに示すように、接続部材７によって、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端（接続パッド２１）と接続する接続工程を行う。接続工程においては、同電位の２以上の電極パッド５のうち、配線１９との距離が最も遠い電極パッド（図３Ｃにおいては第１電極パッド１３）が接続部材７の端部に配置されるように接続する。
【００３９】
接続工程は、図３Ｃに示すように、半導体チップ１６の配線基板１７側の面が上側になるように配置して行うことが好ましい。
また、接続工程において、第１電極パッド１３、第２電極パッド１４、接続パッド２１と、第１ワイヤ７１または第２ワイヤ７２とを接続する方法としては、例えば、図４Ａ〜図４Ｄに示すワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、先端に溶融されたボールの形成されたワイヤを超音波熱圧着する方法などを用いることができる。
【００４０】
本実施形態では、まず、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、接続工程において、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを第１ワイヤ７１を介して電気的に接続する第１ボンディング工程とを行う。
また、本実施形態では、図４Ａに示すように、第１ボンディング工程を行う前に、第２ワイヤ７２と接続される電極パッド（図４Ａにおいては第２電極パッド１４）上に凸状のバンプ５ａを形成する（バンプ形成工程）。
【００４１】
凸状のバンプ５ａは、例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、先端に溶融されたボールの形成されたワイヤを第２電極パッド１４上に超音波熱圧着して接続し、その後、ワイヤを引き切る方法などにより形成できる。
この方法によりバンプ５ａを形成する場合、バンプ５ａを形成した後に第１ボンディング工程をスムーズに開始できるため、効率よく半導体装置１０を製造でき好ましい。
なお、バンプ５ａは、メッキ法などにより形成してもよい。
【００４２】
第１ボンディング工程を行う前に、バンプ５ａを設けた場合、第２電極パッド１４の面積を大きくすることなく、第２電極パッド１４と第１ワイヤ７１との電気的な接続における信頼性を向上させることができる。
なお、本実施形態のように、第１ボンディング工程を行う前に、第２電極パッド１４上にバンプ５ａを形成することが好ましいが、第２電極パッド１４上にバンプ５ａを形成せずに、第１ボンディング工程において第２電極パッド１４上に直接、第１ワイヤ７１をボンディング接続してもよい。
【００４３】
また、第１ボンディング工程においては、図４Ａに示すように、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、第２ボンディング工程において第２ワイヤ７２が接続されない第１電極パッド１３に第１ワイヤ７１をボンディング接続してから、図４Ｂに示すように、第１ワイヤ７１が所定のループ形状（曲線形状）を描くように、キャピラリ７０を移動させて、第１ワイヤ７１を第２ワイヤ７２が接続される第２電極パッド１４にバンプ５ａを介してボンディング接続する。
その後、第１ワイヤ７１の後端を切断することで、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを接続する第１ワイヤ７１が張設され、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが第１ワイヤ７１を介して電気的に接続される。
【００４４】
次に、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４のうち、配線１９との距離（図１参照）が近い第２電極パッド１４と接続パッド２１とを第２ワイヤ７２を介して電気的に接続する第２ボンディング工程を行う。
このことにより、本実施形態においては、図１および図４Ｄに示すように、同電位の第１電極パッド１３と第２電極パッド１４のうち、配線１９との距離が遠い電極パッド５である第１電極パッド１３が接続部材７の端部に配置される。
【００４５】
また、第２ボンディング工程においては、図４Ｃに示すように、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、図４Ｄに示すように、第２ワイヤ７２が所定のループ形状を描くように、キャピラリ７０を移動させて、第２ワイヤ７２を第２電極パッド１４の第１ワイヤ７１のボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する。
その後、第２ワイヤ７２の後端を切断することで、接続パッド２１と第２電極パッド１４を接続する第２ワイヤ７２が張設され、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４と接続パッド２１とが第１ワイヤ７１および第２ワイヤ７２を介して電気的に接続される。
【００４６】
続いて、電極パッド５のうち、接続部材７に接続されていない電極パッド５を、ワイヤ７３によってそれぞれ、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続する。
接続部材７に接続されていない電極パッド５と接続パッド２１とを接続する際には、第２ボンディング工程と同様に、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、接続パッド２１にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３が所定のループ形状を描くようにキャピラリ７０を移動させて、ワイヤ７３を電極パッド５にボンディング接続する方法を用いることが好ましい。この方法を用いた場合、電極パッド５にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３を接続パッド２１にボンディング接続する場合と比較して、ワイヤ７３を低ループで形成することができ好ましい。
【００４７】
続いて、図３Ｄに示すように、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成して、第１ワイヤ７１、第２ワイヤ７２、ワイヤ７３を封止する。また、半導体チップ１６の配線基板１７と対向していない領域を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３を形成する。
【００４８】
その後、図３Ｅに示すように、配線１９の他端が露出されてなるランド２９に電気的に接続された半田ボール２８を形成する。半田ボール２８を形成する際には、例えば、ランド２９の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウントツールを用いる方法を用いることが好ましい。具体的には、ボールマウントツールの吸着孔に半田ボール２８を保持し、保持された半田ボール２８にフラックスを転写形成し、ランド２９に一括搭載した後、所定温度でリフローすることにより、半田ボール２８を固着する方法を用いることができる。
【００４９】
その後、配線母基板４１をダイシングブレードにより縦横のダイシングラインで切断し、製品形成部４３毎に切断分離することで、各配線基板１７に分断され、図１及び図２に示す半導体装置１０が得られる。
なお、配線母基板４１を切断する際には、図３Ｆに示すように、半導体チップ１６を覆う封止体３３にダイシングテープ４８を接着し、ダイシングテープ４８によって配線母基板４１を支持させて切断することが好ましい。
【００５０】
本実施形態の半導体装置１０は、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた平面視略矩形の開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する配線基板１７と、配線基板１７の一面１１ａに搭載され、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有する半導体チップ１６と、同電位の２以上の電極パッド５を接続するとともに、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７とを備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができる。その結果、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができ、半導体装置１０の小型化に適したものとなる。
【００５１】
また、本実施形態の半導体装置１０では、接続部材７の端部に接続された電極パッド５が、接続部材７に接続された他の電極パッドと比較して、配線１９の一端との距離が遠いものであるので、接続部材７の端部に接続された電極パッド５が、接続部材７に接続された他の電極パッドと比較して、配線１９の一端との距離が近い場合と比較して、接続部材７の長さを短くすることができる。このため、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成する際の封止樹脂の流動等によって、接続部材７を構成する第１ワイヤ７１および／または第２ワイヤ７２が変移して短絡などの不都合が生じることを防止でき、容易に製造できる。
【００５２】
また、本実施形態の半導体装置１０は、配線基板１７の配線１９が、一層配線であるので、配線１９が多層配線である場合と比較して、容易に製造でき、半導体装置１０の生産性を向上させることができるとともに、コストを低減することができる。
【００５３】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、接続部材７によって、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続するので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができる。
【００５４】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、第１ボンディング工程が、第２ボンディング工程において第２ワイヤ７２が接続されない電極パッド５に第１ワイヤ７１をボンディング接続してから、第１ワイヤ７１を第２ワイヤ７２が接続される電極パッドにボンディング接続する工程とを含み、第２ボンディング工程が、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、第２ワイヤ７２を電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する工程とを含む方法であるので、第１ワイヤ７１と第２ワイヤ７２とを接続するための領域を新たに確保する必要がなく、半導体装置１０の小型化に適したものとなる。
【００５５】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、第２ボンディング工程が、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、第２ワイヤ７２を電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続するので、例えば、電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続する場合と比較して、絶縁基板１７の一面１１ａ側に突出する第２ワイヤ７２の高さを低くでき、好ましい。
【００５６】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の半導体装置の他の例である第２の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図５に示す半導体装置２０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、隣接する２つの第２電極パッド１４ａ、１４ｂである点と、隣接する２つの第２電極パッド１４ａ、１４ｂを、第１ワイヤ７１ａと第２ワイヤ７２ａとからなるＬ字状の接続部材によって配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続している点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。また、図５に示す半導体装置２０は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００５７】
図５に示す半導体装置２０は、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材（第１ワイヤ７１ａおよび第２ワイヤ７２ａ）を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００５８】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の半導体装置の他の例である第３の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図６に示す半導体装置３０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであって、１つの第１電極パッド１４ｅによって離間されている点と、第１電極パッド１４ｅによって離間された２つの第１電極パッド１４ｃ、１４ｄを、第１ワイヤ７１ｂと第２ワイヤ７２ｂとからなるＬ字状の接続部材によって、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続している点のみである。したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５９】
図６に示す半導体装置３０は、以下に示す製造方法により製造できる。すなわち、図１に示す半導体装置１０と同様にして、第１ボンディング工程を開始するまでの工程を行う。第１ボンディング工程においては、例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリを用いて、第２ワイヤ７２ｂが接続されない第２電極パッド１４ｃに第１ワイヤ７１ｂをボンディング接続してから、第１ワイヤ７１ｂが第２電極パッド１４ｅを跨いで所定のループ形状（曲線形状）を描くようにキャピラリを移動させて、図６に示すように、第１ワイヤ７１ｂを、第２ワイヤ７２ｂの接続される第２電極パッド１４ｄにバンプ５ａ（図６には不図示）を介してボンディング接続する。
【００６０】
その後、第１ワイヤ７１ｂの後端を切断することで、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとを接続する第１ワイヤ７１ｂが張設され、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとが第１ワイヤ７１ｂを介して電気的に接続される。
その後、図１に示す半導体装置１０と同様にして、第２ボンディング工程以降の工程を行う。
【００６１】
なお、本実施形態においては、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとを第１ワイヤ７１ｂによって接続する前に、電極パッド５のうち、２つの同電位の電極パッド５（第２電極パッド１４ｃ、１４ｄ）の間に配置された第１電極パッド１４ｅを、ワイヤ７３によって最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続することが好ましい。
【００６２】
また、２つの同電位の電極パッド５の間に配置された第１電極パッド１４ｅを、ワイヤ７３によって、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続する際には、第１の実施形態の第２ボンディング工程と同様に、接続パッド２１にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３を電極パッド５にボンディング接続する方法を用いることが好ましい。
この方法を用いた場合、ワイヤ７３を低ループで形成することができる。したがって、本実施形態の第１ボンディング工程において、第２電極パッド１４ｃに第１ワイヤ７１ｂをボンディング接続してから、容易に第２電極パッド１４ｅを跨ぐ所定のループ形状（曲線形状）で第１ワイヤ７１ｂを第２電極パッド１４ｄにボンディング接続できる。
【００６３】
図６に示す半導体装置３０は、同電位の２以上の電極パッド５が、２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであって、１以上の第１電極パッド１４ｅによって離間されているものであるが、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００６４】
より詳細には、図６に示す半導体装置３０は、同電位の２以上の電極パッド５が、第２電極パッド１４ｅによって離間された２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであり、接続部材の第１ワイヤ７１ｂによって第２電極パッド１４ｅを跨いで２つの第１電極パッド１４ｃ、１４ｄを接続し、接続部材の第２ワイヤ７２ｂによって第１電極パッド１４ｄと配線１９の一端と接続しているものであり、同電位の２以上の電極パッド５が、隣接していなくても、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができる。
【００６５】
このように本発明の半導体装置によれば、第１の実施形態や第２の実施形態のように、同電位の２以上の電極パッド５が隣接しているものであっても、第３の実施形態のように離間されたものであっても、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができるので、電極パッド５の半導体チップ１６上での配置の自由度を向上できる。
なお、第３の実施形態では、同電位の２以上の電極パッドが、１つの電極パッドによって離間された２つの電極パッドであって、１つの電極パッドを接続部材の第１ワイヤ７１ｂによって跨いで２つの電極パッドを接続する場合を例に挙げて説明したが、２つの電極パッドは、２以上の電極パッドによって離間されていてもよい。
【００６６】
（第４の実施形態）
図７は、本発明の半導体装置の他の例である第４の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図７に示す半導体装置４０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、図１に示す半導体装置１０と同様に第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを含むが、第１電極パッド１３が第２電極パッド１４から最も距離の近いものではなく、２番目に距離の近いものであり、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが、開口部１２の第１側壁１２ａおよび第２側壁１２ｂに対して交差する方向に延在する第１ワイヤ７１ｃによって接続されている点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。また、図７に示す半導体装置４０は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００６７】
図７に示す半導体装置４０は、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続する接続部材を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００６８】
（第５の実施形態）
図８は、本発明の半導体装置の他の例である第５の実施形態の半導体装置を説明するための断面図である。
図８に示す半導体装置５０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に第２半導体チップ１６ａが配置され、第２半導体チップ１６ａの半導体チップ１６と反対側の面に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを含む電極パッド群が設けられ、第２半導体チップ１６ａの同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂが、第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄによって配線基板１７ｂの一面に露出された１つの配線１９ｃの一端（接続パッド２１ａ）と電気的に接続されている点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００６９】
図８に示す半導体装置５０に備えられている配線基板１７ｂは、絶縁基板１１の一面に設けられた配線１９ｃと他面に設けられた配線１９の２層配線を有する多層配線基板である。配線基板１７ｂにおいて、一面に設けられた配線１９ｃは、部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８ａで覆われており、配線基板１７ｂを貫通するコンタクト１９ｂによって他面に設けられた配線を介してランド２９と接続されている。また、配線基板１７ｂの縁部において半導体チップ１６および第２半導体チップ１６ａと平面視で重ならない領域には、配線基板１７ｂの一面に設けられた配線１９ｃの一端が露出されてなる接続パッド２１ａ（ボンドフィンガー）が配置されている。
【００７０】
また、図８に示す半導体装置５０に備えられている第２半導体チップ１６ａは、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に、ＤＡＦなどの接着部材３１を介して搭載されている。第２半導体チップ１６ａの半導体チップ１６と反対側の面に設けられ、第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄに接続されている同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂは、電源またはグランドとされている。
【００７１】
また、図８に示すように、第２半導体チップ１６ａの電極パッド５ｃと電極パッド５ｂとが第１ワイヤ７１ｄにより電気的に接続され、配線基板１７ｂの一面に設けられた配線１９ｃの一端に配置された接続パッド２１ａと電極パッド５ｂとが第２ワイヤ７１ｄにより電気的に接続されている。なお、第２ワイヤ７１ｄの端部と電極パッド５ｂとはバンプを介して接続されている。
【００７２】
また、第２半導体チップ１６ａに備えられている第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃは、第２接続部材に接続された他の電極パッド５ｂと比較して、配線１９ｃの一端に配置された接続パッド２１ａとの距離が遠いものとなっている。
また、図８に示すように、第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃと、それに隣接する接続パッド２１ａとの距離が、第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃと第２接続部材の第１ワイヤ７１ｄによって接続された他の電極パッド５ｂとの間の距離よりも遠いものとなっている。
【００７３】
また、図８に示す半導体装置５０は、半導体チップ１６を搭載する工程において、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを含む電極パッド群が設けられた第２半導体チップ１６ａを、接着部材３１を介して接着固定する点と、接続工程において、同電位の２以上の電極パッド５を接続部材７によって配線基板１７ｂに配置された１つの配線１９の一端（接続パッド２１）と接続する前または後に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄによって配線基板１７ｂの一面に露出された１つの配線１９ｃの一端（接続パッド２１ａ）と電気的に接続する点以外は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００７４】
図８に示す半導体装置５０は、半導体チップ１６の同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７ｂの他面に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７を備えているとともに、第２半導体チップ１６ａの同電位の２以上の電極パッド５ｃ、５ｂを、配線基板１７ｂの一面に配置された１つの配線１９ｃの一端と接続する第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄからなる第２接続部材を備えているので、電極パッドの数に対する配線の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００７５】
さらに、図８に示す半導体装置５０は、配線基板１７ｂが、絶縁基板１１の一面に設けられた配線１９ｃと他面に設けられた配線１９の２層配線を有する多層配線基板であり、配線基板１７ｂに半導体チップ１６と第２半導体チップ１６ａの２つを積層して搭載したものであるので、半導体装置の大容量化および高機能化が可能である。
【００７６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７７】
例えば、上述した実施形態では、配線基板１７に一つの半導体チップ１６を搭載した半導体装置を例に挙げて説明したが、本発明は、配線基板１７に複数の半導体チップを搭載した半導体装置に適用しても良い。
また、上述した実施形態では、配線基板１７として絶縁基板１１の他面１１ｂにのみ配線１９を有する１層配線のものを用いた半導体装置について説明したが、本発明は、配線基板として２層配線以上の配線を有する多層配線基板を用いた半導体装置に適用しても良い。
【００７８】
なお、上述した実施形態では、中央部に開口部１２が配置された配線基板を備える半導体装置について説明したが、開口部の位置は中央部でなくてもよいし、配線基板として、開口部により完全に２つに分離されたものを用いてもよい。
また、上述した実施形態では、ＢＧＡ型の半導体装置に適用した場合について説明したが、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置にも適用しても良い。
【符号の説明】
【００７９】
５、５ｂ、５ｃ…電極パッド、５ａ…バンプ、７…接続部材、１０、２０、３０、４０、５０…半導体装置、１１…絶縁基板、１１ａ…一面、１１ｂ…他面、１２…開口部、１２ａ…第１側壁、１２ｂ…第２側壁、１３…第１電極パッド、１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ…第２電極パッド、１５…電極パッド群、１６…半導体チップ、１６ａ…第２半導体チップ、１７、１７ｂ…配線基板（基板）、１８、１８ａ…絶縁膜、１９、１９ｃ…配線、１９ｂ…コンタクト、２１、２１ａ…接続パッド、２２…接続パッド群、２３…第１接続パッド列、２４…第２接続パッド列、２８…半田ボール、２９…ランド、３１…接着部材、３２、３３…封止体、４１…配線母基板、４３…製品形成部、４８…ダイシングテープ、７０…キャピラリ、７１、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ…第１ワイヤ、７２、７２ａ、７２ｂ、７１ｄ…第２ワイヤ、７３…ワイヤ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の一例として、例えば、ＢＧＡ(Ball Grid Array)型やＣＳＰ(Chip Size Package)型などの半導体パッケージがある。このような半導体パッケージは、基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップと基板との間をワイヤーボンディング等で接続した構造を有している。
【０００３】
ＢＧＡ型の半導体装置としては、半導体チップがチップパッドを有し、パッケージ基板がチップパッドを外方に臨ませる開口部を有し、パッケージ基板に配置されたパッケージ配線の一端にボンディングパッドが設けられ、他端に半田ボールが設けられ、チップパッドとボンディングパッドとが、ボンディングワイヤーを介して電気的に接続されているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９８８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置では、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しが困難となったり、遠回りの配線となってしまう場合があり、広い配線スペースを確保しなければならず、半導体装置の小型化に対応しにくかった。
特に、特許文献１に記載の技術では、半田ボール数の制約に加え、パッケージ配線を構成する配線層が１層のみであることにより、半田ボール間に配置されるパッケージ配線数が制約されるため、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しが困難となったり、遠回りの配線となったりしやすく、問題となっていた。
【０００６】
また、特許文献１に記載の技術では、パッケージ基板の開口部から露出された２列のチップパッドをそれぞれ、開口部の隣接する側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続している。特許文献１に記載の技術において、パッケージ基板上でのパッケージ配線の配置の自由度を向上させて、パッケージ基板上でのパッケージ配線の引き回しを容易にする方法として、チップパッドを開口部の遠い側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続する方法が考えられる。
【０００７】
しかしながら、チップパッドを開口部の遠い側の側端近傍に配置されたボンディングパッドに、ボンディングワイヤーを介して接続した場合、チップパッドとボンディングパッドとを接続するボンディングワイヤーの長さが長くなる。このため、開口部を封止する際の封止樹脂の流動等によって、ボンディングワイヤーが変移して短絡などの不都合が生じる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、基板に設けられた開口部から露出するように配置された半導体チップの複数の電極パッドのうち、同電位の２以上の電極パッドを、接続部材によって基板に配置された１つの配線の一端と接続することで、電極パッドの数に対する基板に配置された配線の数を少なくすることができ、基板上での配線の配置の自由度を向上させることが可能となり、半導体装置の小型化に適した半導体装置が得られることを見出し、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を想到した。
【０００９】
本発明の半導体装置は、一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置は、一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えるものであるので、電極パッドの数に対する基板に配置された配線の数を少なくすることができる。その結果、基板上での配線の配置の自由度を向上させることができ、半導体装置の小型化に適したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置を下面側から見た平面図である。
【図２】図２は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の他の例である第２の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の他の例である第３の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の他の例である第４の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の他の例である第５の実施形態の半導体装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施形態について詳細に説明する。尚、本発明
は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施
形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実
際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１および図２は、本発明の半導体装置の一例である第１の実施形態の半導体装置を説明するための図である。図１は、半導体装置を下面側から見た平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【００１４】
図１および図２に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ型の半導体装置であり、図２に示すように、配線基板１７（基板）と半導体チップ１６と接続部材７とを備えている。
配線基板１７は、図１および図２に示すように、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた平面視略矩形の開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有している。開口部１２は、略矩形であり、平面視で配線基板１７の中央部に設けられ、第１側壁１２ａと第１側壁１２ａに対向する第２側壁１２ｂとを有している。
【００１５】
配線基板１７は、例えば、０．２ｍｍ厚のガラスエポキシ基板からなる平面視略矩形の絶縁基板１１を備えている。なお、絶縁基板１１は、ガラスエポキシ基板からなるものに限定されず、例えば、ポリイミド基材からなるフレキシブル配線基板などであってもよい。
絶縁基板１１の半導体チップ１６と反対側の面（図２においては下面）には、Ｃｕ等の導電材料からなる複数の配線１９が所定の形状で形成されている。配線１９は、部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８で覆われている。
【００１６】
また、図１および図２に示すように、配線基板１７の他面１１ｂには、配線１９の一端が露出されてなる複数の接続パッド２１（ボンドフィンガー）を有する接続パッド群２２が設けられている。
接続パッド群２２は、図１に示すように、開口部１２の第１側壁１２ａの縁部に沿って配置された複数の接続パッド２１からなる第１接続パッド列２３と、第２側壁１２ｂの縁部に沿って配置された複数の接続パッド２１からなる第２接続パッド列２４とを含むものである。
【００１７】
また、配線基板１７は、開口部１２により第１側壁１２ａ側と第２側壁１２ｂ側の２つの領域に区画されており、他面１１ｂのそれぞれの領域には、図１に示すように、所定の間隔で、半田ボール２８（外部電極）が格子状に配置されている。半田ボール２８は、図２に示すように、各配線１９の他端が露出されてなるランド（外部接続端子）２９に電気的に接続されている。
【００１８】
また、図２に示すように、配線基板１７の一面１１ａには、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈｅｄ Ｆｉｌｍ）、或いはエラストマ等の接着部材３１を介して、半導体チップ１６が搭載されている。
半導体チップ１６は、略矩形の板状であり、半導体チップ１６の図１および図２における下面１６ｂ（一面）には、例えばメモリ回路（不図示）と、複数の電極パッド５からなる電極パッド群１５とが形成されている。半導体チップ１６の下面１６ｂにおいて、電極パッド群１５を構成する電極パッド５の形成されている領域を除く領域には、図示しないパッシベーション膜が形成されており、メモリ回路の形成された面が保護されている。
【００１９】
図１および図２に示すように、半導体チップ１６は、電極パッド群１５の設けられている側（一面側）を配線基板１７側に向けて配置されている。また、半導体チップ１６は、図１および図２に示すように、配線基板１７の開口部１２から電極パッド群１５が露出するように、配置されている。本実施形態においては、電極パッド群１５は、図１および図２に示すように、半導体チップ１６の中央部に２列に並んで配置された複数の電極パッド５からなるものとされている。
【００２０】
より詳細には、図１に示すように、電極パッド群１５は、開口部１２の第１側壁１２ａに沿って第１側壁１２ａに近接して配置された複数の第１電極パッド５からなる第１電極パッド１３の列と、第２側壁１２ｂに沿って第２側壁１２ｂに近接して配置された複数の第１電極パッド５からなる第２電極パッド１４の列の２列からなるものとされている。
【００２１】
また、図１および図２に示す半導体装置１０では、電極パッド群１５が、同電位の２以上の電極パッド５を含むものとされている。電極パッド群１５に含まれる電極パッド５のうち、同電位である電極パッド５の数は、２以上であればよく、特に限定されない。
本実施形態においては、図１および図２に示すように、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを含む同電位の２つの電極パッド５が、接続部材７によって、配線基板１７に配置された複数の配線１９から選ばれる１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続されている。
しかし、本発明においては、例えば、同電位である３以上の電極パッドを、接続部材によって、配線基板に配置された複数の配線から選ばれる１つの配線の一端に接続してもよい。
【００２２】
本実施形態においては、図１および図２に示すように、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３と、その第１電極パッド１３に隣接して配置された第２電極パッド１４とが、接続部材７によって接続されている。また、図１において下から４つめに配置された第１電極パッド１３と、その第１電極パッド１３に隣接して配置された第２電極パッド１４とが、接続部材７によって接続されている。
【００２３】
図１および図２に示す半導体装置１０において、接続部材７によって接続されている同電位の第１電極パッド１３および第２電極パッド１４は、電源またはグランドとされている。なお、接続部材７によって接続されている電極パッド５は、電源またはグランドとされていることが好ましいが、接続部材７によって接続できるように同電位とされていればよく、電源またはグランドでなくてもよい。
【００２４】
接続部材７は、図１および図２に示すように、開口部１２内において２つの電極パッド５同士を電気的に接続するＡｕ、Ｃｕ等からなる第１ワイヤ７１と、２つの電極パッド５から選ばれる１つの電極パッド５と接続パッド２１とを電気的に接続するＡｕ、Ｃｕ等からなる第２ワイヤ７２とを備えている。
また、図２に示すように、第２ワイヤ７２の端部と電極パッド５とは、バンプ５ａを介して接続されている。バンプ５ａとしては、第１ワイヤ７１と同じ材料からなるものが挙げられる。具体的には、バンプ５ａとして、ＡｕやＣｕ等からなるものが挙げられる。
【００２５】
また、図１に示すように、接続部材７の端部に配置された電極パッド５は、接続部材７に接続された他の電極パッド５と比較して、配線１９の一端との距離が遠いものとなっている。
例えば、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３は、図１において下から３つめに配置された第２電極パッド１４と比較して、配線１９の一端との距離である接続パッド２１との距離が遠いものとなっている。
また、図１において下から４つめに配置された第２電極パッド１４は、図１において下から４つめに配置された第１電極パッド１３と比較して、配線１９の一端に配置された接続パッド２１との距離が遠いものとなっている。
【００２６】
また、本実施形態においては、図１に示すように、接続部材７の端部に配置された電極パッド５と、それに隣接する配線１９の一端との距離が、接続部材７の端部に配置された電極パッド５と接続部材７の第１ワイヤ７１によって接続された他の電極パッドとの間の距離よりも遠いものとなっている。
例えば、図１において下から３つめに配置された第１電極パッド１３と、図１において下から２つめや３つめに配置された配線１９の一端との距離は、下から３つめに配置された第１電極パッド１３と第１ワイヤ７１によって接続された第２電極パッド１４との間の距離よりも遠いものとなっている。
【００２７】
したがって、本実施形態においては、例えば、接続部材７の端部に配置された電極パッド５を、それに隣接する配線１９の一端とワイヤによって接続する場合と比較して、長さの長いワイヤを用いることなく、短いワイヤを用いて接続することができる。このため、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成する際の封止樹脂の流動等によって、第１ワイヤ７１が変移して短絡などの不都合が生じることを防止でき、容易に製造できる。
【００２８】
また、図１および図２示す半導体装置１０においては、接続部材７に分岐がなく、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが第１ワイヤ７１および第２ワイヤ７２によって接続パッド２１に直列に接続されている。この場合、接続部材７によって、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを接続しても、接続パッド２１の面積を広くする必要がなく、半導体装置１０の小型化に適したものとなり、好ましい。
これに対し、例えば、２本のワイヤを用いて２つの電極パッドを並列に１つの接続パッドに接続した場合、接続パッドの面積を２本のワイヤを接続可能な大きさとしなければならず、接続パッドの面積を広げる必要が生じる恐れがある。
【００２９】
なお、図１および図２示す半導体装置１０においては、接続部材７によって同電位の２つの電極パッド５が直列に接続されている場合を例に挙げて説明したが、接続部材７は、同電位の２以上の電極パッドを、１つの配線１９の一端に接続できればよく、例えば、１つの配線１９の一端から並列に同電位の２以上の電極パッドを接続するものであってもうよい。この場合であっても、電極パッドの数に対する配線１９の数を少なくすることができ、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができる。
【００３０】
また、図１に示す第１電極パッド１３のうち、接続部材７に接続されていない第１電極パッド１３は、それぞれＡｕ、Ｃｕ等からなるワイヤ７３によって隣接する第１接続パッド列２３に電気的に接続されている。また、第２電極パッド１４のうち、接続部材７に接続されていない第２電極パッド１４は、それぞれワイヤ７３によって隣接する第２接続パッド列２４に電気的に接続されている。
すなわち、接続部材７に接続されていない電極パッド５は、それぞれ、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１とワイヤ７３によって接続されている。
【００３１】
また、図１および図２に示す半導体装置１０では、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２が形成されることにより、第１ワイヤ７１、第２ワイヤ７２、ワイヤ７３が、封止樹脂に封止されている。したがって、図１および図２に示す半導体装置１０では、封止体３２が形成されていることにより、ワイヤを用いた半導体チップ１６と配線基板１７との接続部位が外界から保護されるようになっている。
【００３２】
また、半導体チップ１６の配線基板１７と対向していない領域は、封止樹脂からなる封止体３３によって被覆されている。図１および図２に示す半導体装置１０では、封止体３３が形成されていることにより、半導体チップ１６が外界から保護されるようになっている。
なお、封止体３２、３３に用いられる封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂などを用いることができる。
【００３３】
「製造方法」
図３Ａ〜図３Ｆは、本発明の半導体装置の製造方法の一例として第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。また、図４Ａ〜図４Ｄは、図３Ｃに示される工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。なお、図３Ａ〜図３Ｆおよび図４Ａ〜図４Ｄにおいて、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００３４】
図１および図２に示す半導体装置１０を製造するには、まず、配線基板１７となる基板を用意し、図３Ａに示すように、マトリクス状に配置された各製品形成部４３に一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する配線母基板４１（配線基板１７）を形成する。本実施形態において用いられる配線母基板４１は、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ）方式で処理されるものであり、複数の製品形成部４３がマトリクス状に配置されている。
【００３５】
なお、各製品形成部４３は、その後の工程で配線母基板４１を切断分離することにより、図１および図２に示す半導体装置１０の配線基板１７となる部位である。
また、マトリクス状に配置された製品形成部４３の周囲には、枠部（不図示）が設けられている。枠部には所定の間隔で位置決め孔（不図示）が設けられ、位置決め孔によって搬送や位置決めが可能とされている。
【００３６】
また、本実施形態では、配線母基板４１（配線基板１７）を形成する工程において、図３Ａに示すように、配線母基板４１（配線基板１７）の他面１１ｂに、それぞれ１つの半田ボール２８に電気的に接続される配線１９を複数形成し、配線１９を部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８で覆って、配線１９の一端が露出されてなる接続パッド２１と、他端が露出されてなるランド２９とを設ける。
【００３７】
次に、図３Ｂに示すように、配線母基板４１の製品形成部４３のそれぞれ（配線基板１７）の一面１１ａに、同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５（図１参照）を有する半導体チップ１６を搭載し、電極パッド群１５が開口部１２から露出するように配置する。半導体チップ１６は、ＤＡＦなどの接着部材３１を介して、半導体チップ１６の電極パッド群１５を配線基板１７側に向けて接着固定する。
図３Ｂには、複数の第１電極パッド５のうち、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面に配置された第１電極パッド１３と第２電極パッド１４が記載されている。
【００３８】
次に、図３Ｃに示すように、接続部材７によって、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端（接続パッド２１）と接続する接続工程を行う。接続工程においては、同電位の２以上の電極パッド５のうち、配線１９との距離が最も遠い電極パッド（図３Ｃにおいては第１電極パッド１３）が接続部材７の端部に配置されるように接続する。
【００３９】
接続工程は、図３Ｃに示すように、半導体チップ１６の配線基板１７側の面が上側になるように配置して行うことが好ましい。
また、接続工程において、第１電極パッド１３、第２電極パッド１４、接続パッド２１と、第１ワイヤ７１または第２ワイヤ７２とを接続する方法としては、例えば、図４Ａ〜図４Ｄに示すワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、先端に溶融されたボールの形成されたワイヤを超音波熱圧着する方法などを用いることができる。
【００４０】
本実施形態では、まず、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、接続工程において、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを第１ワイヤ７１を介して電気的に接続する第１ボンディング工程とを行う。
また、本実施形態では、図４Ａに示すように、第１ボンディング工程を行う前に、第２ワイヤ７２と接続される電極パッド（図４Ａにおいては第２電極パッド１４）上に凸状のバンプ５ａを形成する（バンプ形成工程）。
【００４１】
凸状のバンプ５ａは、例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、先端に溶融されたボールの形成されたワイヤを第２電極パッド１４上に超音波熱圧着して接続し、その後、ワイヤを引き切る方法などにより形成できる。
この方法によりバンプ５ａを形成する場合、バンプ５ａを形成した後に第１ボンディング工程をスムーズに開始できるため、効率よく半導体装置１０を製造でき好ましい。
なお、バンプ５ａは、メッキ法などにより形成してもよい。
【００４２】
第１ボンディング工程を行う前に、バンプ５ａを設けた場合、第２電極パッド１４の面積を大きくすることなく、第２電極パッド１４と第１ワイヤ７１との電気的な接続における信頼性を向上させることができる。
なお、本実施形態のように、第１ボンディング工程を行う前に、第２電極パッド１４上にバンプ５ａを形成することが好ましいが、第２電極パッド１４上にバンプ５ａを形成せずに、第１ボンディング工程において第２電極パッド１４上に直接、第１ワイヤ７１をボンディング接続してもよい。
【００４３】
また、第１ボンディング工程においては、図４Ａに示すように、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、第２ボンディング工程において第２ワイヤ７２が接続されない第１電極パッド１３に第１ワイヤ７１をボンディング接続してから、図４Ｂに示すように、第１ワイヤ７１が所定のループ形状（曲線形状）を描くように、キャピラリ７０を移動させて、第１ワイヤ７１を第２ワイヤ７２が接続される第２電極パッド１４にバンプ５ａを介してボンディング接続する。
その後、第１ワイヤ７１の後端を切断することで、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを接続する第１ワイヤ７１が張設され、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが第１ワイヤ７１を介して電気的に接続される。
【００４４】
次に、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４のうち、配線１９との距離（図１参照）が近い第２電極パッド１４と接続パッド２１とを第２ワイヤ７２を介して電気的に接続する第２ボンディング工程を行う。
このことにより、本実施形態においては、図１および図４Ｄに示すように、同電位の第１電極パッド１３と第２電極パッド１４のうち、配線１９との距離が遠い電極パッド５である第１電極パッド１３が接続部材７の端部に配置される。
【００４５】
また、第２ボンディング工程においては、図４Ｃに示すように、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、図４Ｄに示すように、第２ワイヤ７２が所定のループ形状を描くように、キャピラリ７０を移動させて、第２ワイヤ７２を第２電極パッド１４の第１ワイヤ７１のボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する。
その後、第２ワイヤ７２の後端を切断することで、接続パッド２１と第２電極パッド１４を接続する第２ワイヤ７２が張設され、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４と接続パッド２１とが第１ワイヤ７１および第２ワイヤ７２を介して電気的に接続される。
【００４６】
続いて、電極パッド５のうち、接続部材７に接続されていない電極パッド５を、ワイヤ７３によってそれぞれ、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続する。
接続部材７に接続されていない電極パッド５と接続パッド２１とを接続する際には、第２ボンディング工程と同様に、ワイヤボンディング装置のキャピラリ７０を用いて、接続パッド２１にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３が所定のループ形状を描くようにキャピラリ７０を移動させて、ワイヤ７３を電極パッド５にボンディング接続する方法を用いることが好ましい。この方法を用いた場合、電極パッド５にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３を接続パッド２１にボンディング接続する場合と比較して、ワイヤ７３を低ループで形成することができ好ましい。
【００４７】
続いて、図３Ｄに示すように、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成して、第１ワイヤ７１、第２ワイヤ７２、ワイヤ７３を封止する。また、半導体チップ１６の配線基板１７と対向していない領域を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３を形成する。
【００４８】
その後、図３Ｅに示すように、配線１９の他端が露出されてなるランド２９に電気的に接続された半田ボール２８を形成する。半田ボール２８を形成する際には、例えば、ランド２９の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウントツールを用いる方法を用いることが好ましい。具体的には、ボールマウントツールの吸着孔に半田ボール２８を保持し、保持された半田ボール２８にフラックスを転写形成し、ランド２９に一括搭載した後、所定温度でリフローすることにより、半田ボール２８を固着する方法を用いることができる。
【００４９】
その後、配線母基板４１をダイシングブレードにより縦横のダイシングラインで切断し、製品形成部４３毎に切断分離することで、各配線基板１７に分断され、図１及び図２に示す半導体装置１０が得られる。
なお、配線母基板４１を切断する際には、図３Ｆに示すように、半導体チップ１６を覆う封止体３３にダイシングテープ４８を接着し、ダイシングテープ４８によって配線母基板４１を支持させて切断することが好ましい。
【００５０】
本実施形態の半導体装置１０は、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた平面視略矩形の開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する配線基板１７と、配線基板１７の一面１１ａに搭載され、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有する半導体チップ１６と、同電位の２以上の電極パッド５を接続するとともに、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７とを備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができる。その結果、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができ、半導体装置１０の小型化に適したものとなる。
【００５１】
また、本実施形態の半導体装置１０では、接続部材７の端部に接続された電極パッド５が、接続部材７に接続された他の電極パッドと比較して、配線１９の一端との距離が遠いものであるので、接続部材７の端部に接続された電極パッド５が、接続部材７に接続された他の電極パッドと比較して、配線１９の一端との距離が近い場合と比較して、接続部材７の長さを短くすることができる。このため、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２を形成する際の封止樹脂の流動等によって、接続部材７を構成する第１ワイヤ７１および／または第２ワイヤ７２が変移して短絡などの不都合が生じることを防止でき、容易に製造できる。
【００５２】
また、本実施形態の半導体装置１０は、配線基板１７の配線１９が、一層配線であるので、配線１９が多層配線である場合と比較して、容易に製造でき、半導体装置１０の生産性を向上させることができるとともに、コストを低減することができる。
【００５３】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、接続部材７によって、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続するので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、配線基板１７上での配線１９の配置の自由度を向上させることができる。
【００５４】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、第１ボンディング工程が、第２ボンディング工程において第２ワイヤ７２が接続されない電極パッド５に第１ワイヤ７１をボンディング接続してから、第１ワイヤ７１を第２ワイヤ７２が接続される電極パッドにボンディング接続する工程とを含み、第２ボンディング工程が、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、第２ワイヤ７２を電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する工程とを含む方法であるので、第１ワイヤ７１と第２ワイヤ７２とを接続するための領域を新たに確保する必要がなく、半導体装置１０の小型化に適したものとなる。
【００５５】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、第２ボンディング工程が、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、第２ワイヤ７２を電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続するので、例えば、電極パッド５の第１ワイヤのボンディング接続された位置に第２ワイヤ７２をボンディング接続してから、接続パッド２１に第２ワイヤ７２をボンディング接続する場合と比較して、絶縁基板１７の一面１１ａ側に突出する第２ワイヤ７２の高さを低くでき、好ましい。
【００５６】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の半導体装置の他の例である第２の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図５に示す半導体装置２０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、隣接する２つの第２電極パッド１４ａ、１４ｂである点と、隣接する２つの第２電極パッド１４ａ、１４ｂを、第１ワイヤ７１ａと第２ワイヤ７２ａとからなるＬ字状の接続部材によって配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続している点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。また、図５に示す半導体装置２０は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００５７】
図５に示す半導体装置２０は、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材（第１ワイヤ７１ａおよび第２ワイヤ７２ａ）を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００５８】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の半導体装置の他の例である第３の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図６に示す半導体装置３０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであって、１つの第１電極パッド１４ｅによって離間されている点と、第１電極パッド１４ｅによって離間された２つの第１電極パッド１４ｃ、１４ｄを、第１ワイヤ７１ｂと第２ワイヤ７２ｂとからなるＬ字状の接続部材によって、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続している点のみである。したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５９】
図６に示す半導体装置３０は、以下に示す製造方法により製造できる。すなわち、図１に示す半導体装置１０と同様にして、第１ボンディング工程を開始するまでの工程を行う。第１ボンディング工程においては、例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリを用いて、第２ワイヤ７２ｂが接続されない第２電極パッド１４ｃに第１ワイヤ７１ｂをボンディング接続してから、第１ワイヤ７１ｂが第２電極パッド１４ｅを跨いで所定のループ形状（曲線形状）を描くようにキャピラリを移動させて、図６に示すように、第１ワイヤ７１ｂを、第２ワイヤ７２ｂの接続される第２電極パッド１４ｄにバンプ５ａ（図６には不図示）を介してボンディング接続する。
【００６０】
その後、第１ワイヤ７１ｂの後端を切断することで、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとを接続する第１ワイヤ７１ｂが張設され、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとが第１ワイヤ７１ｂを介して電気的に接続される。
その後、図１に示す半導体装置１０と同様にして、第２ボンディング工程以降の工程を行う。
【００６１】
なお、本実施形態においては、第２電極パッド１４ｃと第２電極パッド１４ｄとを第１ワイヤ７１ｂによって接続する前に、電極パッド５のうち、２つの同電位の電極パッド５（第２電極パッド１４ｃ、１４ｄ）の間に配置された第１電極パッド１４ｅを、ワイヤ７３によって最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続することが好ましい。
【００６２】
また、２つの同電位の電極パッド５の間に配置された第１電極パッド１４ｅを、ワイヤ７３によって、最も距離の近い配線１９の一端に配置された接続パッド２１に接続する際には、第１の実施形態の第２ボンディング工程と同様に、接続パッド２１にワイヤ７３をボンディング接続してから、ワイヤ７３を電極パッド５にボンディング接続する方法を用いることが好ましい。
この方法を用いた場合、ワイヤ７３を低ループで形成することができる。したがって、本実施形態の第１ボンディング工程において、第２電極パッド１４ｃに第１ワイヤ７１ｂをボンディング接続してから、容易に第２電極パッド１４ｅを跨ぐ所定のループ形状（曲線形状）で第１ワイヤ７１ｂを第２電極パッド１４ｄにボンディング接続できる。
【００６３】
図６に示す半導体装置３０は、同電位の２以上の電極パッド５が、２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであって、１以上の第１電極パッド１４ｅによって離間されているものであるが、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００６４】
より詳細には、図６に示す半導体装置３０は、同電位の２以上の電極パッド５が、第２電極パッド１４ｅによって離間された２つの第２電極パッド１４ｃ、１４ｄであり、接続部材の第１ワイヤ７１ｂによって第２電極パッド１４ｅを跨いで２つの第１電極パッド１４ｃ、１４ｄを接続し、接続部材の第２ワイヤ７２ｂによって第１電極パッド１４ｄと配線１９の一端と接続しているものであり、同電位の２以上の電極パッド５が、隣接していなくても、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができる。
【００６５】
このように本発明の半導体装置によれば、第１の実施形態や第２の実施形態のように、同電位の２以上の電極パッド５が隣接しているものであっても、第３の実施形態のように離間されたものであっても、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができるので、電極パッド５の半導体チップ１６上での配置の自由度を向上できる。
なお、第３の実施形態では、同電位の２以上の電極パッドが、１つの電極パッドによって離間された２つの電極パッドであって、１つの電極パッドを接続部材の第１ワイヤ７１ｂによって跨いで２つの電極パッドを接続する場合を例に挙げて説明したが、２つの電極パッドは、２以上の電極パッドによって離間されていてもよい。
【００６６】
（第４の実施形態）
図７は、本発明の半導体装置の他の例である第４の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、半導体装置の一部を下面側から見た拡大平面図である。
図７に示す半導体装置４０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、同電位の２以上の電極パッド５が、図１に示す半導体装置１０と同様に第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを含むが、第１電極パッド１３が第２電極パッド１４から最も距離の近いものではなく、２番目に距離の近いものであり、第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とが、開口部１２の第１側壁１２ａおよび第２側壁１２ｂに対して交差する方向に延在する第１ワイヤ７１ｃによって接続されている点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。また、図７に示す半導体装置４０は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００６７】
図７に示す半導体装置４０は、図１に示す半導体装置１０と同様に、同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７に配置された１つの配線１９の一端に配置された接続パッド２１と接続する接続部材を備えているので、電極パッド５の数に対する配線１９の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００６８】
（第５の実施形態）
図８は、本発明の半導体装置の他の例である第５の実施形態の半導体装置を説明するための断面図である。
図８に示す半導体装置５０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に第２半導体チップ１６ａが配置され、第２半導体チップ１６ａの半導体チップ１６と反対側の面に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを含む電極パッド群が設けられ、第２半導体チップ１６ａの同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂが、第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄによって配線基板１７ｂの一面に露出された１つの配線１９ｃの一端（接続パッド２１ａ）と電気的に接続されている点のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００６９】
図８に示す半導体装置５０に備えられている配線基板１７ｂは、絶縁基板１１の一面に設けられた配線１９ｃと他面に設けられた配線１９の２層配線を有する多層配線基板である。配線基板１７ｂにおいて、一面に設けられた配線１９ｃは、部分的にソルダーレジストなどからなる絶縁膜１８ａで覆われており、配線基板１７ｂを貫通するコンタクト１９ｂによって他面に設けられた配線を介してランド２９と接続されている。また、配線基板１７ｂの縁部において半導体チップ１６および第２半導体チップ１６ａと平面視で重ならない領域には、配線基板１７ｂの一面に設けられた配線１９ｃの一端が露出されてなる接続パッド２１ａ（ボンドフィンガー）が配置されている。
【００７０】
また、図８に示す半導体装置５０に備えられている第２半導体チップ１６ａは、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に、ＤＡＦなどの接着部材３１を介して搭載されている。第２半導体チップ１６ａの半導体チップ１６と反対側の面に設けられ、第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄに接続されている同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂは、電源またはグランドとされている。
【００７１】
また、図８に示すように、第２半導体チップ１６ａの電極パッド５ｃと電極パッド５ｂとが第１ワイヤ７１ｄにより電気的に接続され、配線基板１７ｂの一面に設けられた配線１９ｃの一端に配置された接続パッド２１ａと電極パッド５ｂとが第２ワイヤ７１ｄにより電気的に接続されている。なお、第２ワイヤ７１ｄの端部と電極パッド５ｂとはバンプを介して接続されている。
【００７２】
また、第２半導体チップ１６ａに備えられている第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃは、第２接続部材に接続された他の電極パッド５ｂと比較して、配線１９ｃの一端に配置された接続パッド２１ａとの距離が遠いものとなっている。
また、図８に示すように、第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃと、それに隣接する接続パッド２１ａとの距離が、第２接続部材の端部に配置された電極パッド５ｃと第２接続部材の第１ワイヤ７１ｄによって接続された他の電極パッド５ｂとの間の距離よりも遠いものとなっている。
【００７３】
また、図８に示す半導体装置５０は、半導体チップ１６を搭載する工程において、半導体チップ１６の配線基板１７ｂと反対側の面に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを含む電極パッド群が設けられた第２半導体チップ１６ａを、接着部材３１を介して接着固定する点と、接続工程において、同電位の２以上の電極パッド５を接続部材７によって配線基板１７ｂに配置された１つの配線１９の一端（接続パッド２１）と接続する前または後に、同電位の２つの電極パッド５ｃ、５ｂを第２接続部材である第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄによって配線基板１７ｂの一面に露出された１つの配線１９ｃの一端（接続パッド２１ａ）と電気的に接続する点以外は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。
【００７４】
図８に示す半導体装置５０は、半導体チップ１６の同電位の２以上の電極パッド５を、配線基板１７ｂの他面に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７を備えているとともに、第２半導体チップ１６ａの同電位の２以上の電極パッド５ｃ、５ｂを、配線基板１７ｂの一面に配置された１つの配線１９ｃの一端と接続する第１ワイヤ７１ｄおよび第２ワイヤ７１ｄからなる第２接続部材を備えているので、電極パッドの数に対する配線の数を少なくすることができ、図１に示す半導体装置１０と同様の効果が得られる。
【００７５】
さらに、図８に示す半導体装置５０は、配線基板１７ｂが、絶縁基板１１の一面に設けられた配線１９ｃと他面に設けられた配線１９の２層配線を有する多層配線基板であり、配線基板１７ｂに半導体チップ１６と第２半導体チップ１６ａの２つを積層して搭載したものであるので、半導体装置の大容量化および高機能化が可能である。
【００７６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７７】
例えば、上述した実施形態では、配線基板１７に一つの半導体チップ１６を搭載した半導体装置を例に挙げて説明したが、本発明は、配線基板１７に複数の半導体チップを搭載した半導体装置に適用しても良い。
また、上述した実施形態では、配線基板１７として絶縁基板１１の他面１１ｂにのみ配線１９を有する１層配線のものを用いた半導体装置について説明したが、本発明は、配線基板として２層配線以上の配線を有する多層配線基板を用いた半導体装置に適用しても良い。
【００７８】
なお、上述した実施形態では、中央部に開口部１２が配置された配線基板を備える半導体装置について説明したが、開口部の位置は中央部でなくてもよいし、配線基板として、開口部により完全に２つに分離されたものを用いてもよい。
また、上述した実施形態では、ＢＧＡ型の半導体装置に適用した場合について説明したが、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置にも適用しても良い。
【符号の説明】
【００７９】
５、５ｂ、５ｃ…電極パッド、５ａ…バンプ、７…接続部材、１０、２０、３０、４０、５０…半導体装置、１１…絶縁基板、１１ａ…一面、１１ｂ…他面、１２…開口部、１２ａ…第１側壁、１２ｂ…第２側壁、１３…第１電極パッド、１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ…第２電極パッド、１５…電極パッド群、１６…半導体チップ、１６ａ…第２半導体チップ、１７、１７ｂ…配線基板（基板）、１８、１８ａ…絶縁膜、１９、１９ｃ…配線、１９ｂ…コンタクト、２１、２１ａ…接続パッド、２２…接続パッド群、２３…第１接続パッド列、２４…第２接続パッド列、２８…半田ボール、２９…ランド、３１…接着部材、３２、３３…封止体、４１…配線母基板、４３…製品形成部、４８…ダイシングテープ、７０…キャピラリ、７１、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ…第１ワイヤ、７２、７２ａ、７２ｂ、７１ｄ…第２ワイヤ、７３…ワイヤ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、
前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、
前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接続部材の端部に接続された電極パッドは、前記接続部材に接続された他の電極パッドと比較して、前記配線の一端との距離が遠いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続部材が、前記開口部内において２つの電極パッド同士を電気的に接続する第１ワイヤと、
前記２つの電極パッドから選ばれる１つの電極パッドと前記配線の一端とを電気的に接続する第２ワイヤとを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２ワイヤの端部と電極パッドとがバンプを介して接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１ワイヤおよび前記第２ワイヤが、封止樹脂で封止されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとを含むことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記同電位の２以上の電極パッドが、隣接する前記第１電極パッドと前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、隣接する２つの前記第１電極パッドまたは隣接する２つの前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、１以上の前記第１電極パッドによって離間された２つの前記第１電極パッドまたは１以上の前記第２電極パッドによって離間された２つの前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接続部材の端部に配置された電極パッドと、それに隣接する配線の一端との距離が、前記接続部材の端部に配置された電極パッドと、前記接続部材によって接続された他の電極パッドとの間の距離よりも遠いことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記同電位が、電源またはグランドであることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記接続部材によって前記同電位の２以上の電極パッドが直列に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記配線の一端が、前記基板の他面に露出されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体チップの前記基板と反対側の面に、第２半導体チップが配置され、
前記第２半導体チップの前記半導体チップと反対側の面に、同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群が設けられ、
前記第２半導体チップの前記同電位の２以上の電極パッドが、第２接続部材によって前記基板の一面に露出された１つの配線の一端と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板を形成する工程と、
前記基板の一面に、同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップを搭載し、前記電極パッド群を前記開口部から露出するように配置する工程と、
接続部材によって、前記同電位の２以上の電極パッドを、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記接続工程において、前記同電位の２以上の電極パッドのうち、前記配線との距離が最も遠い電極パッドが前記接続部材の端部に配置されるように接続することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接続工程が、２つの電極パッド同士を第１ワイヤを介して電気的に接続する第１ボンディング工程と、前記２つの電極パッドから選ばれる１つの電極パッドと前記配線の一端とを第２ワイヤを介して電気的に接続する第２ボンディング工程とを含むことを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記接続工程が、前記第１ボンディング工程を行う前に、前記第２ワイヤと接続される電極パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接続工程を行った後に、前記第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを、封止樹脂で封止する工程を含むことを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１ボンディング工程が、前記第２ボンディング工程において前記第２ワイヤが接続されない電極パッドに前記第１ワイヤをボンディング接続してから、前記第１ワイヤを前記第２ワイヤが接続される電極パッドにボンディング接続する工程とを含み、
前記第２ボンディング工程が、前記配線の一端に前記第２ワイヤをボンディング接続してから、前記第２ワイヤを前記電極パッドの前記第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する工程とを含むことを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板と、
前記基板の一面に搭載され、前記開口部から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップと、
前記同電位の２以上の電極パッドを接続するとともに、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続部材とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接続部材の端部に接続された電極パッドは、前記接続部材に接続された他の電極パッドと比較して、前記配線の一端との距離が遠いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続部材が、前記開口部内において２つの電極パッド同士を電気的に接続する第１ワイヤと、
前記２つの電極パッドから選ばれる１つの電極パッドと前記配線の一端とを電気的に接続する第２ワイヤとを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２ワイヤの端部と電極パッドとがバンプを介して接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１ワイヤおよび前記第２ワイヤが、封止樹脂で封止されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとを含むことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記同電位の２以上の電極パッドが、隣接する前記第１電極パッドと前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、隣接する２つの前記第１電極パッドまたは隣接する２つの前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記開口部が、第１側壁と前記第１側壁に対向する第２側壁とを有し、
前記電極パッド群が、前記第１側壁に沿って前記第１側壁に近接して配置された複数の第１電極パッドと、前記第２側壁に沿って前記第２側壁に近接して配置された複数の第２電極パッドとを有し、
前記同電位の２以上の電極パッドが、１以上の前記第１電極パッドによって離間された２つの前記第１電極パッドまたは１以上の前記第２電極パッドによって離間された２つの前記第２電極パッドであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接続部材の端部に配置された電極パッドと、それに隣接する配線の一端との距離が、前記接続部材の端部に配置された電極パッドと、前記接続部材によって接続された他の電極パッドとの間の距離よりも遠いことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記同電位が、電源またはグランドであることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記接続部材によって前記同電位の２以上の電極パッドが直列に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記配線の一端が、前記基板の他面に露出されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体チップの前記基板と反対側の面に、第２半導体チップが配置され、
前記第２半導体チップの前記半導体チップと反対側の面に、同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群が設けられ、
前記第２半導体チップの前記同電位の２以上の電極パッドが、第２接続部材によって前記基板の一面に露出された１つの配線の一端と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
一面から他面に貫通して設けられた開口部と、一端が露出された配線とを有する基板を形成する工程と、
前記基板の一面に、同電位の２以上の電極パッドを含む電極パッド群を有する半導体チップを搭載し、前記電極パッド群を前記開口部から露出するように配置する工程と、
接続部材によって、前記同電位の２以上の電極パッドを、前記基板に配置された１つの配線の一端と接続する接続工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記接続工程において、前記同電位の２以上の電極パッドのうち、前記配線との距離が最も遠い電極パッドが前記接続部材の端部に配置されるように接続することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接続工程が、２つの電極パッド同士を第１ワイヤを介して電気的に接続する第１ボンディング工程と、前記２つの電極パッドから選ばれる１つの電極パッドと前記配線の一端とを第２ワイヤを介して電気的に接続する第２ボンディング工程とを含むことを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記接続工程が、前記第１ボンディング工程を行う前に、前記第２ワイヤと接続される電極パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接続工程を行った後に、前記第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを、封止樹脂で封止する工程を含むことを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１ボンディング工程が、前記第２ボンディング工程において前記第２ワイヤが接続されない電極パッドに前記第１ワイヤをボンディング接続してから、前記第１ワイヤを前記第２ワイヤが接続される電極パッドにボンディング接続する工程とを含み、
前記第２ボンディング工程が、前記配線の一端に前記第２ワイヤをボンディング接続してから、前記第２ワイヤを前記電極パッドの前記第１ワイヤのボンディング接続された位置に重ねてボンディング接続する工程とを含むことを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−３３６１３（Ｐ２０１２−３３６１３Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７０５５７（Ｐ２０１０−１７０５５７）
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
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