半導体装置の実装構造、半導体装置の実装方法及び基板
【課題】実装信頼性が向上し、高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを備えてなる半導体装置をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをフェースダウンボンディングする実装方法として、従来、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や異方性導電フィルム（ＡＣＦ））からなる異方性導電膜を用いたもの（例えば、特許文献１参照）、また、非導電性ペースト（ＮＣＰ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）からなる接着用絶縁性樹脂を用いたもの（例えば、特許文献２参照）が知られている。このような樹脂を接着剤として用いる実装方法では、半導体チップを基板に実装する際、予め基板側に前記樹脂、すなわち熱硬化性または光硬化性の樹脂を設けておく。そして、半導体チップを基板に載せ、さらに加熱加圧処理などを行うことにより、実装を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−３２１７１号公報
【特許文献２】特開平０４−８２２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このように基板側に樹脂を設け、これを接着剤として用いる方法では、例えばペースト状の樹脂の場合に専用の塗布装置が、またフィルム状の樹脂の場合に専用の塗布装置がそれぞれ必要となり、したがってこのような専用装置が必要になることにより、実装コストが高くなるといった課題がある。
また、基板側に樹脂を設け、その上に半導体チップをフェースダウンボンディングする方式では、半導体チップのバンプが実装時に樹脂を掻き分け、側方に排出しながら基板上のランド（導電部）に接続するため、このランドと前記バンプとの間に必ず樹脂（接着剤）が残留してしまう。すると、ランドやバンプと残留した樹脂との間の熱膨張係数の差などから、ランドとバンプとの間が剥離するおそれが生じ、このため実装信頼性が低いといった課題がある。また、樹脂が残留することにより、ランドとバンプとの間の接続抵抗が大きくなるといった課題もある。
さらに、半導体チップをフェースダウンボンディングすると、基板上の樹脂（接着剤）が半導体チップに押されて側方にはみ出てしまうことから、半導体チップに隣接する他の部品をこの半導体チップの直近には配置することができず、結果として基板上にデッドスペースが生じてしまい、これが高密度実装を損なう一因となっている。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に専用の装置を必要とすることなくフェースダウンボンディングが可能になり、またランドとバンプとの間の導通が確実になって実装信頼性が向上し、さらに基板上のデッドスペースが無くなって高密度実装が可能となった、半導体装置の実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため本発明の半導体装置の実装方法は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、
前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、
前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、
前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、
前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にすることを特徴としている。
【０００７】
この半導体装置の実装方法によれば、半導体チップ側に、接着剤として機能する樹脂膜を形成しておくので、この樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化が可能になる。
また、半導体チップのバンプの上面を露出させた状態で、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させるので、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがなく、したがって導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。
さらに、接着性を有する樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度固化させ、あるいは熱硬化させることで、半導体チップをフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどなく、したがって基板上にデッドスペースがほとんど生じないことから、高密度実装が可能になる。
【０００８】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂は感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂であり、前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程、を備えているのが好ましい。
このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。
【０００９】
なお、この半導体装置の実装方法においては、前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。
このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。
【００１０】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂層を、感光性熱硬化樹脂接着シートによって形成するようにしてもよい。
このようにすれば、例えばこの感光性熱硬化樹脂接着シートからなる樹脂層がそのまま接着性を有する樹脂膜となることなどにより、工程が簡略化して生産性が向上する。
【００１１】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させるのが好ましい。
樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。
【００１２】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させるのが好ましい。
半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。
【００１３】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させるようにしてもよい。
このようにすれば、基板の導電部と半導体チップのバンプとが、樹脂膜の接着力、すなわち樹脂膜が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、接続しているのに対し、ろう材を介して接合することで、より強固な接合が得られる。また、樹脂膜を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜を再度硬化させるときの冷却（自然冷却）によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷の増加がほとんどない。
【００１４】
本発明の半導体装置は、バンプを有した半導体チップを備えてなる半導体装置であって、
前記バンプの形成面に、前記バンプの上面を露出した状態で、接着性樹脂からなる樹脂膜が設けられていることを特徴としている。
この半導体装置によれば、接着性樹脂からなる樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップを基板上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置を用いることで高密度実装が可能になる。
また、前記樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化が可能になる。
また、半導体チップのバンプの上面が露出しているので、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させることで、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、導電部とバンプとの間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくすることができる。
【００１５】
また、前記半導体装置においては、前記接着性樹脂は熱可塑性樹脂であるのが好ましい。
このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。
【００１６】
なお、この半導体装置においては、前記熱可塑性樹脂には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。
このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。
【００１７】
また、前記半導体装置においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にあり、前記樹脂膜が、前記ウエハのダイシングラインを露出させた状態で設けられていてもよい。
樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。
【００１８】
また、前記半導体装置においては、前記半導体チップにマークが形成されており、前記樹脂膜が、前記マークを露出させた状態で設けられていてもよい。
半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。
【００１９】
本発明の半導体装置の実装構造は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップがフェースダウンボンディングされてなる半導体装置の実装構造において、
前記基板の導電部とチップのバンプとが、樹脂を介在することなく直接あるいは導電材料を介して間接的に接続していることを特徴としている。
この半導体装置の実装構造によれば、導電部とバンプとの間に樹脂が介在していないので、導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。
【００２０】
また、前記半導体装置の実装構造においては、前記基板の導電部とチップのバンプ以外の前記半導体チップと前記基板の間には、樹脂が存在するのが好ましい。
このようにすれば、前記基板と半導体チップとが前記樹脂によって接着されているので、半導体チップが剥離してしまうなどのおそれのない、信頼性の高い実装構造となる。
【００２１】
本発明の別の半導体装置の実装構造は、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことを特徴としている。
この半導体装置の実装構造によれば、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことにより、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがないことから実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなり、さらに、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体装置の実装方法の工程説明図である。
【図２】本発明における半導体装置の実装構造の概略構成図である。
【図３】本発明における半導体装置の概略構成図である。
【図４】本発明における半導体装置の概略構成図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実装方法の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を詳しく説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の実装方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、まず、図１（ａ）に示すようにシリコン製のウエハ１を用意する。このウエハ１は、各種素子を形成してなる半導体チップ２を多数形成したもので、各半導体チップ２には、それぞれの能動面側にバンプ３が複数形成されている。バンプ３は、例えば電界メッキ法による金で形成され、あるいは無電界メッキ法によるニッケルと金との積層構造で形成されたもので、高さが、例えば５〜３０μｍ程度に形成された円柱状または角柱状のものである。この他に金ワイヤーをボール状に加工するワイヤーバンプや、ハンダで形成されたハンダバンプなど、公知の他のバンプを適用することができる。
【００２４】
ここで、このウエハ１は、もちろん各半導体チップ２を個片化する前のもので、各半導体チップ２間には、各半導体チップ２を個片化するために半導体チップの機能に関係する半導体素子の形成されていない領域であるダイシングライン４が形成されている。また、このウエハ１には、各半導体チップ２やその他の領域において、図示しないものの、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている。これらのマークは、半導体チップの回路形成に用いられているアルミや銅であることが多いが、これに限らず、視認できるものであればよい。
【００２５】
このようなウエハ１を用意したら、図１（ｂ）に示すようにこのウエハ１のバンプ３を形成した側の面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料、もしくは感光性熱硬化樹脂接着シートを設けて樹脂層５を形成する。本実施形態では、感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層５を形成するものとする。この感光性でかつ熱可塑性の樹脂としては、例えばポリイミド樹脂を挙げることができる。このポリイミド樹脂を用いる場合、その使用形態としては、例えばこれを適宜な溶媒に溶解した状態で用いることができる。また、その前駆体としては、ポリアミック酸やアミドイミド等を挙げることができる。これらについても、その使用形態としては、適宜な溶媒に溶解した状態で使用することができる。ただし、このような樹脂材料については、その使用形態を液状でなくフィルム状としてもよく、その場合に、必要に応じて適宜な添加材を加えて前記樹脂材料を予めフィルム状またはシート状に成形しておくことで、使用に供することができる。
【００２６】
さらに、使用する樹脂層５の種類はフォトパターニングでき、その後接着性を有する樹脂であれば何でもよく、例えば、熱可塑性を有するエポキシ系樹脂、熱可塑性を有するＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、熱可塑性を有するアクリル系樹脂など他の公知の樹脂でもよい。また、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていても良い。
【００２７】
また、本発明において、前記樹脂材料についての感光性とは、露光処理と現像処理とによるフォトリソグラフィー技術により、パターニングが可能であることを意味しており、ポジ型である場合とネガ型である場合との両方を含んで表現している。
【００２８】
前記樹脂材料の使用形態を液状とした場合には、このような樹脂あるいはその前駆体からなる樹脂材料を、スピンコート法、ロールコータ法、ディスペンス法等の公知の手法によってウエハ１（半導体チップ）のバンプ３を形成した側の面に塗布し、樹脂層５を形成する。また、フィルム状またはシート状とした場合には、単に貼着することによって樹脂層５を形成することができる。ここで、この樹脂層５の形成については、後述するように硬化後の樹脂膜の厚さが、バンプ３の厚さとほぼ同じになるようにする。したがって、このようにして樹脂層５を形成することにより、バンプ３は樹脂層５に覆われることになる。
【００２９】
なお、この樹脂層５は、特に樹脂材料が液状の形態であった場合にはその液分が自然乾燥により一部蒸発するものの、完全に３次元架橋し硬化した状態には至っておらず、樹脂材料がフィルム状またはシート状であった場合にも、単に貼着されただけなので硬化した状態には至っていない。
このような状態のもとで、マスク（図示せず）を用いてこの樹脂層５を適宜な光源（露光源）により、選択的に露光する。このとき、前述したように樹脂層５を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性は、ポジ型であってもネガ型であってもよい。
【００３０】
ポジ型である場合には、バンプ３の直上部のみを選択的に光照射し、露光する。また、このとき、前記ダイシングライン４の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても同時に光照射し、露光する。そして、続いて現像処理を行うことにより、露光した部分の樹脂を選択的に除去し、図１（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および前記の各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、このようにポジ型の樹脂を用いた場合、現像後除去されずに残った部分は、基本的には露光前の樹脂層５と同じ状態である。したがって、特に現像時にこの樹脂層５が液状であると支障がある場合などでは、予め乾燥等の仮硬化処理を行っておき、その後、前記の露光処理を行うようにしてもよい。
【００３１】
また、樹脂層５を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性が、ネガ型である場合には、バンプ３の直上部以外を選択的に光照射して露光する。また、このとき、前記ダイシングライン４の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても、光照射を行うことなく、他の部分のみを選択的に光照射して露光する。そして、ポジ型である場合と同様に現像処理を行うことにより、非露光部分の樹脂を選択的に除去し、図１（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および前記の各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、このようにネガ型の樹脂を用いた場合、この樹脂が露光によって露光部分が仮硬化するようなものであるときには、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行う必要はない。ただし、露光による仮硬化が起こるか否かにかかわらず、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行ってもよいのはもちろんである。
【００３２】
次いで、現像によって所望部分を除去した樹脂層５を加熱処理し完全に３次元架橋させ、該樹脂層５を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする。すなわち、樹脂層５が感光性でかつ熱可塑性の樹脂からなっている場合には、加熱処理を行うことで、これを溶解している溶剤を蒸発させて除去し、主成分であった熱可塑性樹脂、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜６を形成する。一方、樹脂層５が例えばポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸やアミドイミド等からなっている場合には、ここでの加熱処理により、脱水縮合等の重合反応をなさせることで、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜６を形成する。したがって、この加熱処理での温度や時間等の条件については、樹脂層５の種類や形態等により、予め実験等を行うことで適宜に決定される。
【００３３】
このようにして形成された樹脂膜６は、熱可塑性であることから室温では硬化体となっており、その組成等によって決まる溶融開始温度を越えると、軟化し、溶融するようになっている。溶融することで、後述する被着体である基板表面に濡れ広がり、接着能が発現する。溶融開始温度については、前述したように選択した熱可塑性樹脂の成分組成やその重合度、添加剤等によって変わるが、例えば５０℃〜４００℃程度となるように材料を選択し、あるいは調整しておくのが好ましい。溶融開始温度が５０℃未満であると、後述するように半導体チップ２を基板に実装した後、この実装体が使用状態において過酷な高温下に晒されると、部分的に溶融して接着力が低下してバンプ３と基板の導電部との間で導通不良を生じるおそれがあるからである。また、４００℃を越えると、後述するように半導体チップ２を基板に実装する際、樹脂膜６を溶融させる加熱処理によって半導体チップ２の素子部分にダメージを与えてしまうおそれがあるからである。
【００３４】
このようにして、樹脂層５を熱可塑性樹脂の硬化体である樹脂膜６としたら、前記の露出させたダイシングライン４に沿ってダイシングを行い、図１（ｄ）に示すように各半導体チップ２を個片化する。このとき、樹脂とシリコン（ウエハ１）とを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、前述したように樹脂が除去されてダイシングライン４が露出していることにより、既存のダイシングソーなどによってウエハ１を従来通り容易にダイシングすることができる。また、ダイシングライン４が露出していて視認可能となっていることから、ダイシングに際しての位置合わせ等も従来通り容易になる。また、このとき、前述した各種マークのうちの、ダイシング用のマークを基準として用いることにより、ダイシングを容易にしかも精度良く行うことができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。
【００３５】
次いで、個片化された半導体チップ２を、図１（ｅ）に示すように予め用意しておいた基板７の上に配置し、位置あわせを行う。基板７は、ガラスやセラミックス、さらには樹脂製の硬質基板やフレキシブル基板など、種々のものが使用可能であるが、特に表面が平坦であるのが好ましく、したがってガラスやセラミックスなどが好適とされる。このような基板７には、予め実装する半導体チップ２のバンプ３の位置に対応してランド（導電部）８が形成されており、ランド８は配線８ａに接続した状態で形成されている。
【００３６】
したがって、半導体チップ２を基板７上に位置合わせする際には、半導体チップ２のバンプ３を、前記ランド８に当接するようにして行う。その際、前述したように露出させた各種マークのうちのボンディング用のマークを用いることにより、位置合わせを容易にかつ精度よく行うことができる。このようにして位置合わせを行い、基板７上に半導体チップ２を載置したら、これら基板７と半導体チップ２とをボンディングツールによって加熱加圧する。なお、ボンディングツールは、基板７等を載置するステージ（図示せず）と、図１（ｆ）に示す加圧加熱体９とからなっている。
【００３７】
このようなボンディングツールを用いてフェースダウンボンディングを行うには、位置合わせした基板７と半導体チップ２とをステージ上に載置し、その状態で半導体チップ２側を加圧加熱体９で押圧することで行う。なお、基板７に対する半導体チップ２の位置合わせを、前記ステージ上で行うようにしてもよい。ここで、前記ステージにヒータ等の加熱手段を設けておき、基板７側からも熱伝導により前記の樹脂膜６を加熱するようにしてもよい。また、加圧加熱体９は、その内部、または表面部にヒータ等の加熱手段を備えたもので、エアーシリンダや油圧シリンダ等に接続されて昇降可能とされ、これにより下降することで加圧力を発揮するようになっている。
【００３８】
このような構成のもとに加圧加熱体９は、ステージ（図示せず）上に載置された基板７および半導体チップ２をステージとともに挟持し、その状態で半導体チップ２側を予め設定された適宜な圧力で加圧する。また、このとき、ステージおよび加圧加熱体９の加熱手段については、樹脂膜６が溶融し軟化する温度に加熱できる状態としておく。すなわち、前述したように樹脂膜６は予め溶融開始温度が決まっていることから、この溶融開始温度より高い温度となるように加熱手段を設定しておく。ただし、加圧加熱体９による加圧を開始した後、前記加熱手段による加熱を開始するようにしてもよいのはもちろんである。この時、ステージ表面、加圧加熱体の平行度、及び平坦度を厳密に管理することが重要である。
【００３９】
このようにして加熱加圧を行うと、半導体チップ２のバンプ３形成面に形成された樹脂膜６は、前記の各加熱手段からの熱伝導によって加熱され、溶融軟化する。その間、半導体チップ２は加圧加熱体９によって加圧されていることから、バンプ３は基板７のランド８に当接してこれを押圧する状態に保持されている。そして、予め設定した時間加熱加圧処理を行ったら、加圧加熱体９による加圧はそのままに保持した状態で、この加圧加熱体９による加熱、さらにステージからの加熱を停止し、半導体チップ２を自然冷却させる。なお、加圧加熱体９やステージに冷却手段を設けておき、加熱停止後、この冷却手段による冷却を行うことで、半導体チップ２に対する冷却を速めるようにしてもよい。
【００４０】
このようにして半導体チップ２への加熱を停止し、冷却を行うと、前記樹脂膜６は溶融した状態から再度固化する。このとき、樹脂膜６は溶融した状態から固化する際に基板表面に濡れ広がり接着力を発現し、半導体チップ２に対しての接着はもちろん、基板７に対して接着し、結果として基板７に対して半導体チップ２を接着させる、すなわち固着するようになる。すると、樹脂膜６は溶融した後、再度固化した際に収縮することから、この収縮力によって基板７と半導体チップ２とを互いに引き寄せるように作用する。したがって、基板７のランド８と半導体チップ２のバンプ３とは、前記の収縮力によって密着した状態に接合し、電気的導通が良好に確保されたものとなる。この際、バンプ３とランド８の間には、絶縁膜である樹脂膜６が存在しないので、バンプ３とランド８は弱く押し付けられるだけで容易に電気的な接続が得られ、かつ実装後においても良好な電気的接続が維持されつづける。この点が従来の樹脂を用いた接合と大きく異なる本発明の特徴となっている。
【００４１】
その後、加圧加熱体９を上昇させ、ステージ上から基板７を移動させ、図２に示すように基板７上に半導体チップ２を実装してなる半導体装置の実装体（実装構造）１０を得る。
【００４２】
このような基板７への半導体チップ２の実装方法、すなわち半導体装置の実装方法にあっては、半導体チップ２側に、接着剤として機能する樹脂膜６を形成しておくので、この樹脂膜６を形成するための樹脂層５については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化を図ることができる。
【００４３】
また、半導体チップ２のバンプ３の上面を露出させた状態で、基板７に直接フェースダウンボンディングして基板７のランド８に前記バンプ３を導通させるので、ランド８とバンプ３との間に樹脂が入り込むことがなく、したがってランド８とバンプ３との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗も小さくなる。半導体チップと基板間で接着に寄与している樹脂は、いわゆるアンダーフィルとして機能しつづけ、半導体チップと基板の熱膨張差を吸収し、装置全体の信頼性向上に寄与する。このように、電気的な接続と同時にアンダーフィル工程も同時に達成することができる。この点も従来のハンダ接続工法によるフリップ実装に比較すると、工程の簡略化が達成された本発明の特徴のある工程になる。
【００４４】
さらに、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６を接着剤として機能させることにより、半導体チップ２をフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどなく（もともと、樹脂膜６は半導体チップサイズ以下であるし、熱可塑性膜のためにＴｇ点以上でも軟化流動量が少なく、側方にはみ出る接着剤体積も接着剤の厚さと面積をフォトリソプロセスで十分にコントロールできるので）、したがって基板７上にデッドスペースがほとんど生じないことから、隣接する部品との距離を縮めることができるので、高密度実装を可能にすることができる。
【００４５】
また、実装工程中、従来のように異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、または非導電性ペースト（ＮＣＰ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いないので、これら接着剤が不要になるとともに、これら接着剤の配置工程も不要になり、したがって実装工程についてのコストダウンを可能にすることができる。また、ＡＣＦ等の接着剤に起因する不良をなくすことができるとともに、ＡＣＦ等を用いた場合に比べ、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗を低く抑えることができる。すなわち、ＡＣＦ等を用いた場合、ランド８とバンプ３とが導電性微粒子を介して接続することにより、導電性微粒子の抵抗分、接続抵抗が大きくなってしまうものの、このような導電性微粒子が介在しないことにより、抵抗上昇を抑えることができる。
【００４６】
また、このようにして形成された樹脂膜６が付いた半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングする工程では、特に新規な実装装置や実装プロセスを必要とせず、従来の実装装置や実装プロセスをそのまま用いることができることから、新規投資が不要となり、したがってコストアップを回避することができる。
また、バンプ３を形成するプロセスを従来通りそのまま採用することができ、さらに、ウエハ１のダイシングや半導体チップ２の検査も従来通りに行うことができる。
【００４７】
また、このようにして得られた実装体（実装構造）１０にあっては、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。さらに、ランド８とバンプ３との間に樹脂が介在していないので、ランド８とバンプ３との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド８とバンプとの間の接続抵抗、例えば初期的抵抗値なども小さくなる。
【００４８】
なお、前記の樹脂膜６については、基板７の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有しているのが好ましく、このような熱膨張係数であることにより、熱膨張係数の差に起因する基板７からの半導体チップ２の剥離を防止し、実装信頼性を高めることができる。
また、前記実施形態では、基板７への半導体チップ２の実装、およびランド８とバンプ３との接続（電気的導通）を樹脂膜６によって行ったが、本発明はこれに限定されることなく、例えば鉛フリーハンダなどのろう材（軟ろう材）を用い、これをランド８とバンプ３との介在させるようにしてもよい。
すなわち、前記樹脂膜６を形成した半導体チップ２を前記基板７にフェースダウンボンディングし、半導体チップ２のバンプ３と基板７のランド８とを電気的に導通させる際、鉛フリーハンダなどのろう材を予めランド８およびバンプ３の少なくとも一方に設けておくことにより、ろう材を介してバンプ３とランド８とを電気的に導通させるようにしてもよい。
【００４９】
図１（ａ）〜（ｆ）に示した実施形態では、基板７のランド８と半導体チップ２のバンプ３とが、樹脂膜６の接着力、すなわち樹脂膜６が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、圧接状態で接続しているのに対し、ろう材を介して接合する本例では、より強固な接合（金属接合）が得られる。また、樹脂膜６を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜６を再度硬化させるときの冷却（自然冷却）によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷がほとんど増加せず、したがって生産性の低下やコストアップを回避して前記効果を得ることができる。
【００５０】
なお、前記ろう材としては、樹脂膜６の溶融温度以下で溶融するような金属、例えばビスマス系のものやインジウム系のものなど、比較的その融点が低いものを用いるのが好ましく、特に融点が樹脂膜６の溶融開始温度に近いものを用いるのが、前記の加熱による溶融、および再硬化処理をより簡略化させることができ、好ましい。また、前記ろう材としては、バンプに金、基板のランドに錫メッキしたものを用いたり、バンプに金、基板のランドにも金メッキしたもの（金−金接合）を用いたり、金−ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）接合を使用する形態のものであってもよい。樹脂膜６の溶融温度以下で溶融するような金属が用いられない上述のような場合は、プラズマによる表面活性化接合技術や、超音波接合技術を併用しても良い。これは、バンプと基板のランドの接合に留まらず、樹脂膜と基板表面の接着性を向上させる手段としても有効である。
【００５１】
また、特に図１（ｃ）に示したウエハ１、すなわち図３に示すように本発明における半導体装置１１にあっては、前述したように樹脂膜６が、前記ウエハ１のダイシングラインを露出させた状態で設けられているので、既存のダイシングソーなどによってウエハ１を従来通り容易にダイシングすることができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。
【００５２】
また、図１（ｄ）に示した個片化後の半導体チップ２、すなわち図４に示すように本発明における半導体装置１２にあっては、前述したように熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜６を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップ２を基板７上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板７上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置１２を用いることで高密度実装を可能にすることができる。
【００５３】
また、前記樹脂膜６を形成するための樹脂層５については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置１２を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化を図ることができる。
また、半導体チップ２のバンプ３の上面が露出しているので、基板７に直接フェースダウンボンディングして基板７のランド８に前記バンプ３を導通させることで、ランド８とバンプ３との間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、ランド８とバンプ３との間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗も小さくすることができる。
【００５４】
なお、この半導体装置１２においては、特に半導体チップ２にマークが形成されている場合に、前記樹脂膜６が、前記マークを露出させた状態で設けられているのが好ましい。
半導体チップ２に、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップ２と同様にハンドリングを行うことができ、したがってその取り扱いを容易にすることができる。
【００５５】
また、この半導体装置１２において、前記樹脂膜６の厚さ（高さ）については、前述したようにバンプ３の高さとほぼ同じとされる。バンプ３より僅かに厚い（高い）場合には、この半導体装置１２（半導体チップ２）を基板７上に実装した際、樹脂膜６の接着面に存在していた気泡が確実に排出されるようになり、したがって基板７と樹脂膜６との間がより良好に接着し、実装の信頼性が向上する。
【００５６】
また、バンプ３より僅かに薄い（低い）場合には、バンプ３が樹脂膜６から十分に露出するようになり、したがって実装時に、バンプ３の周囲の樹脂膜６がバンプ３とランド８との間に入り込んでしまうといった不都合が確実に防止され、これによりバンプ３とランド８との間の電気的導通がより確かになるとともに、これらの間の電気抵抗の上昇も確実に抑えられる。なお、特に基板７として樹脂等によるフレキシブル基板を採用した場合には、加圧加熱時に基板７がある程度撓んでしまうことから、このようにバンプ３を十分に露出させておくことで、バンプ３とランド８との間の電気的導通をより確かにしておくのが好ましい。
また、前記樹脂膜６の厚さ（高さ）を、バンプ３の高さに一致させた場合には、前記の僅かに高くした場合の効果と、僅かに低くした場合の効果とを、共に期待することができる。どちらを選択するかは、どの特性を重視するかで決定すればよい。
【００５７】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層５を形成したが、これに代えて、感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層５を形成するようにしてもよい。この感光性熱硬化樹脂接着シートは、チップに対し低温（例えば５０〜１００℃の範囲内）で貼着が可能であり、また感光性であることからフォトリソグラフィー技術によってパターニングが可能であり、さらにパターニング後、接着性を有するとともに熱硬化性も有するものである。
【００５８】
このような感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層５を形成するには、図５（ａ）に示すようにシリコン製のウエハ１を用意し、続いてこのウエハ１のバンプ３を形成した側の面に、図５（ｂ）に示すように感光性熱硬化樹脂接着シート２０を、熱ロールラミネータ等を用いて貼着する。ここで、この感光性熱硬化樹脂接着シート２０は、一方の面が剥離シート（図示せず）によって覆われたもので、他方の面がウエハ１に貼着された後、剥離シートが除去されることで樹脂層５とされる。ここで、この樹脂層５は、単に貼着されただけであるので硬化した状態には至っていない。
【００５９】
このようにして感光性熱硬化樹脂接着シート２０によって樹脂層５を形成したら、図１に示した場合と同様して、マスク（図示せず）を用いて適宜な光源（露光源）により選択的に露光する。このようにして露光を行ったら、必要に応じて予備加熱を行い、仮硬化させた後、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）などによって現像を行い、図５（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、この感光性熱硬化樹脂接着シート２０を用いた例では、現像後に得られたパターニング後の樹脂層５が、本発明における接着性を有する樹脂膜６となる。
【００６０】
以下、図１に示した場合と同様にして、前記樹脂膜６を用い、これを接着剤として機能させることにより、個片化後の半導体チップ２を基板７上にフェースダウンボンディングする。具体的には、前述したボンディングツールによって例えば１５０℃で１時間程度加熱加圧することにより、前記樹脂膜（感光性熱硬化樹脂接着シート２０）６を熱硬化させる。
このように、感光性熱硬化樹脂接着シート２０を用いて樹脂層５を形成すれば、これがそのまま接着性を有する樹脂膜６となることなどにより、図１に示した例に比べ工程を簡略化することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…ウエハ、２…半導体チップ、３…バンプ、４…ダイシングライン、５…樹脂層、６…樹脂膜、７…基板、８…ランド（導電部）、９…加圧加熱体、１０…実装体（実装構造）、１１…半導体装置、１２…半導体装置、２０…感光性熱硬化樹脂接着シート。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを備えてなる半導体装置をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをフェースダウンボンディングする実装方法として、従来、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や異方性導電フィルム（ＡＣＦ））からなる異方性導電膜を用いたもの（例えば、特許文献１参照）、また、非導電性ペースト（ＮＣＰ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）からなる接着用絶縁性樹脂を用いたもの（例えば、特許文献２参照）が知られている。このような樹脂を接着剤として用いる実装方法では、半導体チップを基板に実装する際、予め基板側に前記樹脂、すなわち熱硬化性または光硬化性の樹脂を設けておく。そして、半導体チップを基板に載せ、さらに加熱加圧処理などを行うことにより、実装を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−３２１７１号公報
【特許文献２】特開平０４−８２２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このように基板側に樹脂を設け、これを接着剤として用いる方法では、例えばペースト状の樹脂の場合に専用の塗布装置が、またフィルム状の樹脂の場合に専用の塗布装置がそれぞれ必要となり、したがってこのような専用装置が必要になることにより、実装コストが高くなるといった課題がある。
また、基板側に樹脂を設け、その上に半導体チップをフェースダウンボンディングする方式では、半導体チップのバンプが実装時に樹脂を掻き分け、側方に排出しながら基板上のランド（導電部）に接続するため、このランドと前記バンプとの間に必ず樹脂（接着剤）が残留してしまう。すると、ランドやバンプと残留した樹脂との間の熱膨張係数の差などから、ランドとバンプとの間が剥離するおそれが生じ、このため実装信頼性が低いといった課題がある。また、樹脂が残留することにより、ランドとバンプとの間の接続抵抗が大きくなるといった課題もある。
さらに、半導体チップをフェースダウンボンディングすると、基板上の樹脂（接着剤）が半導体チップに押されて側方にはみ出てしまうことから、半導体チップに隣接する他の部品をこの半導体チップの直近には配置することができず、結果として基板上にデッドスペースが生じてしまい、これが高密度実装を損なう一因となっている。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に専用の装置を必要とすることなくフェースダウンボンディングが可能になり、またランドとバンプとの間の導通が確実になって実装信頼性が向上し、さらに基板上のデッドスペースが無くなって高密度実装が可能となった、半導体装置の実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため本発明の半導体装置の実装方法は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、
前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、
前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、
前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、
前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にすることを特徴としている。
【０００７】
この半導体装置の実装方法によれば、半導体チップ側に、接着剤として機能する樹脂膜を形成しておくので、この樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化が可能になる。
また、半導体チップのバンプの上面を露出させた状態で、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させるので、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがなく、したがって導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。
さらに、接着性を有する樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度固化させ、あるいは熱硬化させることで、半導体チップをフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどなく、したがって基板上にデッドスペースがほとんど生じないことから、高密度実装が可能になる。
【０００８】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂は感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂であり、前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程、を備えているのが好ましい。
このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。
【０００９】
なお、この半導体装置の実装方法においては、前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。
このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。
【００１０】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂層を、感光性熱硬化樹脂接着シートによって形成するようにしてもよい。
このようにすれば、例えばこの感光性熱硬化樹脂接着シートからなる樹脂層がそのまま接着性を有する樹脂膜となることなどにより、工程が簡略化して生産性が向上する。
【００１１】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させるのが好ましい。
樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。
【００１２】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させるのが好ましい。
半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。
【００１３】
また、前記半導体装置の実装方法においては、前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させるようにしてもよい。
このようにすれば、基板の導電部と半導体チップのバンプとが、樹脂膜の接着力、すなわち樹脂膜が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、接続しているのに対し、ろう材を介して接合することで、より強固な接合が得られる。また、樹脂膜を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜を再度硬化させるときの冷却（自然冷却）によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷の増加がほとんどない。
【００１４】
本発明の半導体装置は、バンプを有した半導体チップを備えてなる半導体装置であって、
前記バンプの形成面に、前記バンプの上面を露出した状態で、接着性樹脂からなる樹脂膜が設けられていることを特徴としている。
この半導体装置によれば、接着性樹脂からなる樹脂膜を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップを基板上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置を用いることで高密度実装が可能になる。
また、前記樹脂膜を形成するための樹脂層については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化が可能になる。
また、半導体チップのバンプの上面が露出しているので、基板に直接フェースダウンボンディングして基板の導電部に前記バンプを導通させることで、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、導電部とバンプとの間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくすることができる。
【００１５】
また、前記半導体装置においては、前記接着性樹脂は熱可塑性樹脂であるのが好ましい。
このようにすれば、樹脂膜が良好に接着性を発現し、接着剤として良好に機能するようになる。
【００１６】
なお、この半導体装置においては、前記熱可塑性樹脂には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれているのが好ましい。
このようにすれば、絶縁膜の耐熱性が高まり、信頼性が向上する。
【００１７】
また、前記半導体装置においては、前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にあり、前記樹脂膜が、前記ウエハのダイシングラインを露出させた状態で設けられていてもよい。
樹脂とシリコンからなるウエハとを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、このようにダイシングラインを露出させておけば、既存のダイシングソーなどによってウエハを従来通り容易にダイシングすることができる。
【００１８】
また、前記半導体装置においては、前記半導体チップにマークが形成されており、前記樹脂膜が、前記マークを露出させた状態で設けられていてもよい。
半導体チップに、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップと同様のハンドリングが可能になる。
【００１９】
本発明の半導体装置の実装構造は、導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップがフェースダウンボンディングされてなる半導体装置の実装構造において、
前記基板の導電部とチップのバンプとが、樹脂を介在することなく直接あるいは導電材料を介して間接的に接続していることを特徴としている。
この半導体装置の実装構造によれば、導電部とバンプとの間に樹脂が介在していないので、導電部とバンプとの間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなる。
【００２０】
また、前記半導体装置の実装構造においては、前記基板の導電部とチップのバンプ以外の前記半導体チップと前記基板の間には、樹脂が存在するのが好ましい。
このようにすれば、前記基板と半導体チップとが前記樹脂によって接着されているので、半導体チップが剥離してしまうなどのおそれのない、信頼性の高い実装構造となる。
【００２１】
本発明の別の半導体装置の実装構造は、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことを特徴としている。
この半導体装置の実装構造によれば、前記半導体装置の実装方法によって形成されたことにより、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、導電部とバンプとの間に樹脂が入り込むことがないことから実装信頼性が向上するとともに、導電部とバンプとの間の接続抵抗も小さくなり、さらに、樹脂膜を構成する樹脂が半導体チップの側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体装置の実装方法の工程説明図である。
【図２】本発明における半導体装置の実装構造の概略構成図である。
【図３】本発明における半導体装置の概略構成図である。
【図４】本発明における半導体装置の概略構成図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実装方法の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を詳しく説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の実装方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、まず、図１（ａ）に示すようにシリコン製のウエハ１を用意する。このウエハ１は、各種素子を形成してなる半導体チップ２を多数形成したもので、各半導体チップ２には、それぞれの能動面側にバンプ３が複数形成されている。バンプ３は、例えば電界メッキ法による金で形成され、あるいは無電界メッキ法によるニッケルと金との積層構造で形成されたもので、高さが、例えば５〜３０μｍ程度に形成された円柱状または角柱状のものである。この他に金ワイヤーをボール状に加工するワイヤーバンプや、ハンダで形成されたハンダバンプなど、公知の他のバンプを適用することができる。
【００２４】
ここで、このウエハ１は、もちろん各半導体チップ２を個片化する前のもので、各半導体チップ２間には、各半導体チップ２を個片化するために半導体チップの機能に関係する半導体素子の形成されていない領域であるダイシングライン４が形成されている。また、このウエハ１には、各半導体チップ２やその他の領域において、図示しないものの、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている。これらのマークは、半導体チップの回路形成に用いられているアルミや銅であることが多いが、これに限らず、視認できるものであればよい。
【００２５】
このようなウエハ１を用意したら、図１（ｂ）に示すようにこのウエハ１のバンプ３を形成した側の面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料、もしくは感光性熱硬化樹脂接着シートを設けて樹脂層５を形成する。本実施形態では、感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層５を形成するものとする。この感光性でかつ熱可塑性の樹脂としては、例えばポリイミド樹脂を挙げることができる。このポリイミド樹脂を用いる場合、その使用形態としては、例えばこれを適宜な溶媒に溶解した状態で用いることができる。また、その前駆体としては、ポリアミック酸やアミドイミド等を挙げることができる。これらについても、その使用形態としては、適宜な溶媒に溶解した状態で使用することができる。ただし、このような樹脂材料については、その使用形態を液状でなくフィルム状としてもよく、その場合に、必要に応じて適宜な添加材を加えて前記樹脂材料を予めフィルム状またはシート状に成形しておくことで、使用に供することができる。
【００２６】
さらに、使用する樹脂層５の種類はフォトパターニングでき、その後接着性を有する樹脂であれば何でもよく、例えば、熱可塑性を有するエポキシ系樹脂、熱可塑性を有するＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、熱可塑性を有するアクリル系樹脂など他の公知の樹脂でもよい。また、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていても良い。
【００２７】
また、本発明において、前記樹脂材料についての感光性とは、露光処理と現像処理とによるフォトリソグラフィー技術により、パターニングが可能であることを意味しており、ポジ型である場合とネガ型である場合との両方を含んで表現している。
【００２８】
前記樹脂材料の使用形態を液状とした場合には、このような樹脂あるいはその前駆体からなる樹脂材料を、スピンコート法、ロールコータ法、ディスペンス法等の公知の手法によってウエハ１（半導体チップ）のバンプ３を形成した側の面に塗布し、樹脂層５を形成する。また、フィルム状またはシート状とした場合には、単に貼着することによって樹脂層５を形成することができる。ここで、この樹脂層５の形成については、後述するように硬化後の樹脂膜の厚さが、バンプ３の厚さとほぼ同じになるようにする。したがって、このようにして樹脂層５を形成することにより、バンプ３は樹脂層５に覆われることになる。
【００２９】
なお、この樹脂層５は、特に樹脂材料が液状の形態であった場合にはその液分が自然乾燥により一部蒸発するものの、完全に３次元架橋し硬化した状態には至っておらず、樹脂材料がフィルム状またはシート状であった場合にも、単に貼着されただけなので硬化した状態には至っていない。
このような状態のもとで、マスク（図示せず）を用いてこの樹脂層５を適宜な光源（露光源）により、選択的に露光する。このとき、前述したように樹脂層５を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性は、ポジ型であってもネガ型であってもよい。
【００３０】
ポジ型である場合には、バンプ３の直上部のみを選択的に光照射し、露光する。また、このとき、前記ダイシングライン４の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても同時に光照射し、露光する。そして、続いて現像処理を行うことにより、露光した部分の樹脂を選択的に除去し、図１（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および前記の各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、このようにポジ型の樹脂を用いた場合、現像後除去されずに残った部分は、基本的には露光前の樹脂層５と同じ状態である。したがって、特に現像時にこの樹脂層５が液状であると支障がある場合などでは、予め乾燥等の仮硬化処理を行っておき、その後、前記の露光処理を行うようにしてもよい。
【００３１】
また、樹脂層５を構成する樹脂材料の樹脂分の感光性が、ネガ型である場合には、バンプ３の直上部以外を選択的に光照射して露光する。また、このとき、前記ダイシングライン４の直上部、さらにはダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークの直上部についても、光照射を行うことなく、他の部分のみを選択的に光照射して露光する。そして、ポジ型である場合と同様に現像処理を行うことにより、非露光部分の樹脂を選択的に除去し、図１（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および前記の各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、このようにネガ型の樹脂を用いた場合、この樹脂が露光によって露光部分が仮硬化するようなものであるときには、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行う必要はない。ただし、露光による仮硬化が起こるか否かにかかわらず、ポジ型の場合で示したような仮硬化処理を行ってもよいのはもちろんである。
【００３２】
次いで、現像によって所望部分を除去した樹脂層５を加熱処理し完全に３次元架橋させ、該樹脂層５を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする。すなわち、樹脂層５が感光性でかつ熱可塑性の樹脂からなっている場合には、加熱処理を行うことで、これを溶解している溶剤を蒸発させて除去し、主成分であった熱可塑性樹脂、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜６を形成する。一方、樹脂層５が例えばポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸やアミドイミド等からなっている場合には、ここでの加熱処理により、脱水縮合等の重合反応をなさせることで、例えばポリイミド樹脂の硬化体からなる樹脂膜６を形成する。したがって、この加熱処理での温度や時間等の条件については、樹脂層５の種類や形態等により、予め実験等を行うことで適宜に決定される。
【００３３】
このようにして形成された樹脂膜６は、熱可塑性であることから室温では硬化体となっており、その組成等によって決まる溶融開始温度を越えると、軟化し、溶融するようになっている。溶融することで、後述する被着体である基板表面に濡れ広がり、接着能が発現する。溶融開始温度については、前述したように選択した熱可塑性樹脂の成分組成やその重合度、添加剤等によって変わるが、例えば５０℃〜４００℃程度となるように材料を選択し、あるいは調整しておくのが好ましい。溶融開始温度が５０℃未満であると、後述するように半導体チップ２を基板に実装した後、この実装体が使用状態において過酷な高温下に晒されると、部分的に溶融して接着力が低下してバンプ３と基板の導電部との間で導通不良を生じるおそれがあるからである。また、４００℃を越えると、後述するように半導体チップ２を基板に実装する際、樹脂膜６を溶融させる加熱処理によって半導体チップ２の素子部分にダメージを与えてしまうおそれがあるからである。
【００３４】
このようにして、樹脂層５を熱可塑性樹脂の硬化体である樹脂膜６としたら、前記の露出させたダイシングライン４に沿ってダイシングを行い、図１（ｄ）に示すように各半導体チップ２を個片化する。このとき、樹脂とシリコン（ウエハ１）とを一緒にダイシングするのは非常に難しいものの、前述したように樹脂が除去されてダイシングライン４が露出していることにより、既存のダイシングソーなどによってウエハ１を従来通り容易にダイシングすることができる。また、ダイシングライン４が露出していて視認可能となっていることから、ダイシングに際しての位置合わせ等も従来通り容易になる。また、このとき、前述した各種マークのうちの、ダイシング用のマークを基準として用いることにより、ダイシングを容易にしかも精度良く行うことができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。
【００３５】
次いで、個片化された半導体チップ２を、図１（ｅ）に示すように予め用意しておいた基板７の上に配置し、位置あわせを行う。基板７は、ガラスやセラミックス、さらには樹脂製の硬質基板やフレキシブル基板など、種々のものが使用可能であるが、特に表面が平坦であるのが好ましく、したがってガラスやセラミックスなどが好適とされる。このような基板７には、予め実装する半導体チップ２のバンプ３の位置に対応してランド（導電部）８が形成されており、ランド８は配線８ａに接続した状態で形成されている。
【００３６】
したがって、半導体チップ２を基板７上に位置合わせする際には、半導体チップ２のバンプ３を、前記ランド８に当接するようにして行う。その際、前述したように露出させた各種マークのうちのボンディング用のマークを用いることにより、位置合わせを容易にかつ精度よく行うことができる。このようにして位置合わせを行い、基板７上に半導体チップ２を載置したら、これら基板７と半導体チップ２とをボンディングツールによって加熱加圧する。なお、ボンディングツールは、基板７等を載置するステージ（図示せず）と、図１（ｆ）に示す加圧加熱体９とからなっている。
【００３７】
このようなボンディングツールを用いてフェースダウンボンディングを行うには、位置合わせした基板７と半導体チップ２とをステージ上に載置し、その状態で半導体チップ２側を加圧加熱体９で押圧することで行う。なお、基板７に対する半導体チップ２の位置合わせを、前記ステージ上で行うようにしてもよい。ここで、前記ステージにヒータ等の加熱手段を設けておき、基板７側からも熱伝導により前記の樹脂膜６を加熱するようにしてもよい。また、加圧加熱体９は、その内部、または表面部にヒータ等の加熱手段を備えたもので、エアーシリンダや油圧シリンダ等に接続されて昇降可能とされ、これにより下降することで加圧力を発揮するようになっている。
【００３８】
このような構成のもとに加圧加熱体９は、ステージ（図示せず）上に載置された基板７および半導体チップ２をステージとともに挟持し、その状態で半導体チップ２側を予め設定された適宜な圧力で加圧する。また、このとき、ステージおよび加圧加熱体９の加熱手段については、樹脂膜６が溶融し軟化する温度に加熱できる状態としておく。すなわち、前述したように樹脂膜６は予め溶融開始温度が決まっていることから、この溶融開始温度より高い温度となるように加熱手段を設定しておく。ただし、加圧加熱体９による加圧を開始した後、前記加熱手段による加熱を開始するようにしてもよいのはもちろんである。この時、ステージ表面、加圧加熱体の平行度、及び平坦度を厳密に管理することが重要である。
【００３９】
このようにして加熱加圧を行うと、半導体チップ２のバンプ３形成面に形成された樹脂膜６は、前記の各加熱手段からの熱伝導によって加熱され、溶融軟化する。その間、半導体チップ２は加圧加熱体９によって加圧されていることから、バンプ３は基板７のランド８に当接してこれを押圧する状態に保持されている。そして、予め設定した時間加熱加圧処理を行ったら、加圧加熱体９による加圧はそのままに保持した状態で、この加圧加熱体９による加熱、さらにステージからの加熱を停止し、半導体チップ２を自然冷却させる。なお、加圧加熱体９やステージに冷却手段を設けておき、加熱停止後、この冷却手段による冷却を行うことで、半導体チップ２に対する冷却を速めるようにしてもよい。
【００４０】
このようにして半導体チップ２への加熱を停止し、冷却を行うと、前記樹脂膜６は溶融した状態から再度固化する。このとき、樹脂膜６は溶融した状態から固化する際に基板表面に濡れ広がり接着力を発現し、半導体チップ２に対しての接着はもちろん、基板７に対して接着し、結果として基板７に対して半導体チップ２を接着させる、すなわち固着するようになる。すると、樹脂膜６は溶融した後、再度固化した際に収縮することから、この収縮力によって基板７と半導体チップ２とを互いに引き寄せるように作用する。したがって、基板７のランド８と半導体チップ２のバンプ３とは、前記の収縮力によって密着した状態に接合し、電気的導通が良好に確保されたものとなる。この際、バンプ３とランド８の間には、絶縁膜である樹脂膜６が存在しないので、バンプ３とランド８は弱く押し付けられるだけで容易に電気的な接続が得られ、かつ実装後においても良好な電気的接続が維持されつづける。この点が従来の樹脂を用いた接合と大きく異なる本発明の特徴となっている。
【００４１】
その後、加圧加熱体９を上昇させ、ステージ上から基板７を移動させ、図２に示すように基板７上に半導体チップ２を実装してなる半導体装置の実装体（実装構造）１０を得る。
【００４２】
このような基板７への半導体チップ２の実装方法、すなわち半導体装置の実装方法にあっては、半導体チップ２側に、接着剤として機能する樹脂膜６を形成しておくので、この樹脂膜６を形成するための樹脂層５については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがって専用の装置が不要となることにより、実装コストの低減化を図ることができる。
【００４３】
また、半導体チップ２のバンプ３の上面を露出させた状態で、基板７に直接フェースダウンボンディングして基板７のランド８に前記バンプ３を導通させるので、ランド８とバンプ３との間に樹脂が入り込むことがなく、したがってランド８とバンプ３との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗も小さくなる。半導体チップと基板間で接着に寄与している樹脂は、いわゆるアンダーフィルとして機能しつづけ、半導体チップと基板の熱膨張差を吸収し、装置全体の信頼性向上に寄与する。このように、電気的な接続と同時にアンダーフィル工程も同時に達成することができる。この点も従来のハンダ接続工法によるフリップ実装に比較すると、工程の簡略化が達成された本発明の特徴のある工程になる。
【００４４】
さらに、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６を接着剤として機能させることにより、半導体チップ２をフェースダウンボンディングするので、フェースダウンボンディング時に、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどなく（もともと、樹脂膜６は半導体チップサイズ以下であるし、熱可塑性膜のためにＴｇ点以上でも軟化流動量が少なく、側方にはみ出る接着剤体積も接着剤の厚さと面積をフォトリソプロセスで十分にコントロールできるので）、したがって基板７上にデッドスペースがほとんど生じないことから、隣接する部品との距離を縮めることができるので、高密度実装を可能にすることができる。
【００４５】
また、実装工程中、従来のように異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、または非導電性ペースト（ＮＣＰ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いないので、これら接着剤が不要になるとともに、これら接着剤の配置工程も不要になり、したがって実装工程についてのコストダウンを可能にすることができる。また、ＡＣＦ等の接着剤に起因する不良をなくすことができるとともに、ＡＣＦ等を用いた場合に比べ、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗を低く抑えることができる。すなわち、ＡＣＦ等を用いた場合、ランド８とバンプ３とが導電性微粒子を介して接続することにより、導電性微粒子の抵抗分、接続抵抗が大きくなってしまうものの、このような導電性微粒子が介在しないことにより、抵抗上昇を抑えることができる。
【００４６】
また、このようにして形成された樹脂膜６が付いた半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングする工程では、特に新規な実装装置や実装プロセスを必要とせず、従来の実装装置や実装プロセスをそのまま用いることができることから、新規投資が不要となり、したがってコストアップを回避することができる。
また、バンプ３を形成するプロセスを従来通りそのまま採用することができ、さらに、ウエハ１のダイシングや半導体チップ２の検査も従来通りに行うことができる。
【００４７】
また、このようにして得られた実装体（実装構造）１０にあっては、前述したように専用の装置が不要となることで実装コストが低減化され、また、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどないことから、高密度実装が可能なものとなる。さらに、ランド８とバンプ３との間に樹脂が介在していないので、ランド８とバンプ３との間の剥離のおそれがなくなり、実装信頼性が向上するとともに、ランド８とバンプとの間の接続抵抗、例えば初期的抵抗値なども小さくなる。
【００４８】
なお、前記の樹脂膜６については、基板７の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有しているのが好ましく、このような熱膨張係数であることにより、熱膨張係数の差に起因する基板７からの半導体チップ２の剥離を防止し、実装信頼性を高めることができる。
また、前記実施形態では、基板７への半導体チップ２の実装、およびランド８とバンプ３との接続（電気的導通）を樹脂膜６によって行ったが、本発明はこれに限定されることなく、例えば鉛フリーハンダなどのろう材（軟ろう材）を用い、これをランド８とバンプ３との介在させるようにしてもよい。
すなわち、前記樹脂膜６を形成した半導体チップ２を前記基板７にフェースダウンボンディングし、半導体チップ２のバンプ３と基板７のランド８とを電気的に導通させる際、鉛フリーハンダなどのろう材を予めランド８およびバンプ３の少なくとも一方に設けておくことにより、ろう材を介してバンプ３とランド８とを電気的に導通させるようにしてもよい。
【００４９】
図１（ａ）〜（ｆ）に示した実施形態では、基板７のランド８と半導体チップ２のバンプ３とが、樹脂膜６の接着力、すなわち樹脂膜６が溶融し硬化する際の収縮力によって互いに引き寄せられ、圧接状態で接続しているのに対し、ろう材を介して接合する本例では、より強固な接合（金属接合）が得られる。また、樹脂膜６を溶融させる際の加熱によってろう材を溶融させ、その後樹脂膜６を再度硬化させるときの冷却（自然冷却）によってそのままろう材を硬化させることができるので、工程上、ろう材を加えることによる処理上の負荷がほとんど増加せず、したがって生産性の低下やコストアップを回避して前記効果を得ることができる。
【００５０】
なお、前記ろう材としては、樹脂膜６の溶融温度以下で溶融するような金属、例えばビスマス系のものやインジウム系のものなど、比較的その融点が低いものを用いるのが好ましく、特に融点が樹脂膜６の溶融開始温度に近いものを用いるのが、前記の加熱による溶融、および再硬化処理をより簡略化させることができ、好ましい。また、前記ろう材としては、バンプに金、基板のランドに錫メッキしたものを用いたり、バンプに金、基板のランドにも金メッキしたもの（金−金接合）を用いたり、金−ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）接合を使用する形態のものであってもよい。樹脂膜６の溶融温度以下で溶融するような金属が用いられない上述のような場合は、プラズマによる表面活性化接合技術や、超音波接合技術を併用しても良い。これは、バンプと基板のランドの接合に留まらず、樹脂膜と基板表面の接着性を向上させる手段としても有効である。
【００５１】
また、特に図１（ｃ）に示したウエハ１、すなわち図３に示すように本発明における半導体装置１１にあっては、前述したように樹脂膜６が、前記ウエハ１のダイシングラインを露出させた状態で設けられているので、既存のダイシングソーなどによってウエハ１を従来通り容易にダイシングすることができる。前述したように、これらの認識に必要なマークは、樹脂膜を開口し除去しておくことができるため、これらは直接視認でき、それらを位置合わせの基準マークとすれば高精度な位置合わせすることができる。これらは、次の実装工程でも使用できる。
【００５２】
また、図１（ｄ）に示した個片化後の半導体チップ２、すなわち図４に示すように本発明における半導体装置１２にあっては、前述したように熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６を接着剤として機能させ、すなわち、樹脂膜６を加熱溶融した後冷却して再度硬化させることで、半導体チップ２を基板７上にフェースダウンボンディングすることができる。また、このとき、樹脂膜６を構成する樹脂が半導体チップ２の側方にはみ出ることがほとんどないことから、基板７上にデッドスペースがほとんど生じることがなく、したがってこの半導体装置１２を用いることで高密度実装を可能にすることができる。
【００５３】
また、前記樹脂膜６を形成するための樹脂層５については、例えばスピンコートなどの汎用装置による方法で形成することができ、したがってこの半導体装置１２を用いることで実装に専用の装置が不要となり、よって実装コストの低減化を図ることができる。
また、半導体チップ２のバンプ３の上面が露出しているので、基板７に直接フェースダウンボンディングして基板７のランド８に前記バンプ３を導通させることで、ランド８とバンプ３との間に樹脂が入り込むのを抑えることができる。その結果、ランド８とバンプ３との間の剥離を防止することができ、実装信頼性を向上することができるとともに、ランド８とバンプ３との間の接続抵抗も小さくすることができる。
【００５４】
なお、この半導体装置１２においては、特に半導体チップ２にマークが形成されている場合に、前記樹脂膜６が、前記マークを露出させた状態で設けられているのが好ましい。
半導体チップ２に、ダイシング用のマークやボンディング用のマークなど各種のマークが形成されている場合に、これらマークを露出させておくことで、通常の半導体チップ２と同様にハンドリングを行うことができ、したがってその取り扱いを容易にすることができる。
【００５５】
また、この半導体装置１２において、前記樹脂膜６の厚さ（高さ）については、前述したようにバンプ３の高さとほぼ同じとされる。バンプ３より僅かに厚い（高い）場合には、この半導体装置１２（半導体チップ２）を基板７上に実装した際、樹脂膜６の接着面に存在していた気泡が確実に排出されるようになり、したがって基板７と樹脂膜６との間がより良好に接着し、実装の信頼性が向上する。
【００５６】
また、バンプ３より僅かに薄い（低い）場合には、バンプ３が樹脂膜６から十分に露出するようになり、したがって実装時に、バンプ３の周囲の樹脂膜６がバンプ３とランド８との間に入り込んでしまうといった不都合が確実に防止され、これによりバンプ３とランド８との間の電気的導通がより確かになるとともに、これらの間の電気抵抗の上昇も確実に抑えられる。なお、特に基板７として樹脂等によるフレキシブル基板を採用した場合には、加圧加熱時に基板７がある程度撓んでしまうことから、このようにバンプ３を十分に露出させておくことで、バンプ３とランド８との間の電気的導通をより確かにしておくのが好ましい。
また、前記樹脂膜６の厚さ（高さ）を、バンプ３の高さに一致させた場合には、前記の僅かに高くした場合の効果と、僅かに低くした場合の効果とを、共に期待することができる。どちらを選択するかは、どの特性を重視するかで決定すればよい。
【００５７】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では感光性でかつ熱可塑性の樹脂材料を用いて樹脂層５を形成したが、これに代えて、感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層５を形成するようにしてもよい。この感光性熱硬化樹脂接着シートは、チップに対し低温（例えば５０〜１００℃の範囲内）で貼着が可能であり、また感光性であることからフォトリソグラフィー技術によってパターニングが可能であり、さらにパターニング後、接着性を有するとともに熱硬化性も有するものである。
【００５８】
このような感光性熱硬化樹脂接着シートを用いて樹脂層５を形成するには、図５（ａ）に示すようにシリコン製のウエハ１を用意し、続いてこのウエハ１のバンプ３を形成した側の面に、図５（ｂ）に示すように感光性熱硬化樹脂接着シート２０を、熱ロールラミネータ等を用いて貼着する。ここで、この感光性熱硬化樹脂接着シート２０は、一方の面が剥離シート（図示せず）によって覆われたもので、他方の面がウエハ１に貼着された後、剥離シートが除去されることで樹脂層５とされる。ここで、この樹脂層５は、単に貼着されただけであるので硬化した状態には至っていない。
【００５９】
このようにして感光性熱硬化樹脂接着シート２０によって樹脂層５を形成したら、図１に示した場合と同様して、マスク（図示せず）を用いて適宜な光源（露光源）により選択的に露光する。このようにして露光を行ったら、必要に応じて予備加熱を行い、仮硬化させた後、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）などによって現像を行い、図５（ｃ）に示すようにバンプ３の上面を露出させ、さらにはダイシングライン４および各種マーク（図示せず）を露出させる。なお、この感光性熱硬化樹脂接着シート２０を用いた例では、現像後に得られたパターニング後の樹脂層５が、本発明における接着性を有する樹脂膜６となる。
【００６０】
以下、図１に示した場合と同様にして、前記樹脂膜６を用い、これを接着剤として機能させることにより、個片化後の半導体チップ２を基板７上にフェースダウンボンディングする。具体的には、前述したボンディングツールによって例えば１５０℃で１時間程度加熱加圧することにより、前記樹脂膜（感光性熱硬化樹脂接着シート２０）６を熱硬化させる。
このように、感光性熱硬化樹脂接着シート２０を用いて樹脂層５を形成すれば、これがそのまま接着性を有する樹脂膜６となることなどにより、図１に示した例に比べ工程を簡略化することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…ウエハ、２…半導体チップ、３…バンプ、４…ダイシングライン、５…樹脂層、６…樹脂膜、７…基板、８…ランド（導電部）、９…加圧加熱体、１０…実装体（実装構造）、１１…半導体装置、１２…半導体装置、２０…感光性熱硬化樹脂接着シート。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、
前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、
前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、
前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、
前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にすることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項５】
前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１】
導電部を有した基板上に、バンプを有した半導体チップをフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法において、
前記半導体チップのバンプ形成面に、感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性でかつ接着性を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を露光し、さらに現像することで、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程と、
前記樹脂層を加熱処理することにより、該樹脂層を構成する樹脂を、熱可塑性樹脂からなる樹脂膜とする工程と、
前記樹脂層からなる樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記樹脂膜を接着剤として機能させることで前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程と、を備え、
前記樹脂膜を接着剤として機能させる際に、該樹脂膜の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にすることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記感光性でかつ熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂材料には、熱硬化性樹脂もしくはその一部成分が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記半導体チップがウエハに形成されていて個片化される前の状態にある場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記ウエハのダイシングラインの直上部の樹脂も同時に除去し、前記ダイシングラインを露出させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記半導体チップにマークが形成されている場合に、前記バンプの直上部の樹脂を除去し、バンプの上面を露出させる工程においては、前記半導体チップのマークの直上部の樹脂も同時に除去し、前記マークを露出させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項５】
前記樹脂膜を形成した半導体チップを前記基板にフェースダウンボンディングし、前記半導体チップのバンプと前記基板の導電部とを電気的に導通させる工程においては、ろう材を介して前記バンプと前記導電部とを電気的に導通させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−４６０３（Ｐ２０１２−４６０３Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２０５２３（Ｐ２０１１−２２０５２３）
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【分割の表示】特願２００８−１７９２２２（Ｐ２００８−１７９２２２）の分割
【原出願日】平成１７年７月２０日（２００５．７．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【分割の表示】特願２００８−１７９２２２（Ｐ２００８−１７９２２２）の分割
【原出願日】平成１７年７月２０日（２００５．７．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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