半導体装置の製造方法
【課題】セラミック回路基板を構成部品とする半導体装置の分離をダイシングで実施すると、セラミック焼成時の不均一な収縮による寸法ズレにより基板側面の外部端子を欠損させる恐れがある。
【解決手段】セラミック回路基板１６の封止樹脂２０表面側から各半導体素子１８ごとの領域のヘヤーライン２４に対して、回転するダイシングブレードでセミフルカットすることにより、残存した基板部分はローラー押圧で分断するので、セラミック回路基板底面の外部端子のダイシングカット時の欠損、フルカットを避けたセミフルカットによるダイシングブレードの摩耗、破損を防止できるものである。
【解決手段】セラミック回路基板１６の封止樹脂２０表面側から各半導体素子１８ごとの領域のヘヤーライン２４に対して、回転するダイシングブレードでセミフルカットすることにより、残存した基板部分はローラー押圧で分断するので、セラミック回路基板底面の外部端子のダイシングカット時の欠損、フルカットを避けたセミフルカットによるダイシングブレードの摩耗、破損を防止できるものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は底面に外部端子を有した回路基板に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、外囲が封止樹脂で封止された半導体装置の効率的な製造方法に関するものであり、特に単一の回路基板に複数個の半導体素子を搭載した後に個々の半導体装置に分離する成形分離に特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１２の斜視図に示すような基板の下面と側面とがつながる外部端子１を有したセラミック回路基板２に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、外囲が封止樹脂３で封止された半導体装置の製造方法においては、単一のセラミック回路基板２に複数の半導体素子を搭載した後、個々の半導体素子単位に回転ブレードにより分割し、半導体装置を製造していた。
【０００３】
また、別の分割方法として、セラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝中の切り欠き溝を利用して手作業や機械処理で分割し、半導体装置を製造していた。
以下、従来の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１３〜図１９は従来の半導体装置の製造方法を示す主要な工程ごとの図である。また図１３〜図１７において、それぞれ（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線箇所の主要な断面図であり、図１８、図１９は断面図である。
【０００４】
まず図１３（ａ），（ｂ）に示すように、その上面に半導体素子が搭載されるボンディング部４と、その半導体素子と金属細線等により電気的に接続するためのパッド部５を有し、その下面にパッド部５と電気的に接続した外部端子１を有した厚さ５００〜１０００［μｍ］のセラミック回路基板２を用意する。なお、ボンディング部４、パッド部５および外部端子１は搭載される半導体素子の数に対して必要とする数量が備えられたセラミック回路基板２を用意する。
【０００５】
この積層回路基板であるセラミック回路基板２において、ボンディング部４、パッド部５、外部端子１は、ガラスセラミックからなる積層基板表層に銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の順に積層した金属膜で形成され、金属膜の平均的な全厚みは１０〜２０［μｍ］を有する構造とする。また、このセラミック回路基板２の下面には、予め半導体素子が搭載される各々の領域を分離するように深さ１００〜２００［μｍ］、幅１２０〜１８０［μｍ］を有したブレーク溝６が縦横に設けられ、さらにそのブレーク溝６の中心線上に下面側からのブレーク性を向上するために幅１０〜３０μｍ、深さ２０〜５０［μｍ］の切り欠き溝７が設けられている。
【０００６】
次に図１４（ａ），（ｂ）に示すように、用意したセラミック回路基板２の上面に形成された各ボンディング部４に銀（Ａｇ）ペーストや半硬化膜の固着材（図示せず）で半導体素子８を各々接着した後、１３０〜１８０［℃］で１［ｈｒ］硬化することで半導体素子８を固着し、その後、セラミック回路基板２を１８０〜２３０［℃］の温度に加熱した状態において、セラミック回路基板２の上面に形成されたパッド部５と各半導体素子８面上の電極パッドとを２５〜３０［μｍ］φ径の金属細線９で各々電気的に接続し、単一のセラミック回路基板２上に複数の半導体素子８を搭載する。
【０００７】
次に図１５（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板２の半導体素子８が搭載された面側の所定の位置にメタルマスクを合わせてマスク開口部からエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３をスキージにより印刷塗布する。この場合の塗布厚みは、金属細線９の最高位より１００［μｍ］以上上部となるように設定する。その後、エポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３中に巻き込まれている空気を除去するために、１５〜５［Ｔｏｒｒ］の脱泡槽内で１０〜１５［ｍｉｎ］、減圧脱泡する。そして大気に戻した後、１００〜１２０［℃］で３０〜６０［ｍｉｎ］、１４０〜１６０［℃］で９０〜１２０［ｍｉｎ］ステップ加熱硬化する。このようにしてエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３でセラミック回路基板２上に複数個の半導体素子８が搭載された面を一体的に全面封止する。
【０００８】
次に図１６（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板上面に搭載された複数の半導体素子全体を覆う封止樹脂表面上の各半導体素子が搭載されている各領域毎にＣＯ2レーザーで品名や製造年月を刻印した後、ダイシング用リング１０に保持された紫外線照射型接着剤が形成されたダイシングシート１１に対して、基板下面が上側になるようにセラミック回路基板２を貼り付ける。
【０００９】
次に図１７（ａ），（ｂ）に示すように、２００００〜４００００［ｒｐｍ］で回転する厚さ５０〜１００［μｍ］のダイシングブレードでセラミック回路基板２の下面のブレーク溝６の中心近傍をダイシングシート１１の表面一部と共にフルカットし、複数の半導体素子８を搭載するセラミック回路基板２の各半導体素子８の領域を個々に分離する。このフルカットの際のカットラインの平行度はセラミック回路基板２の下面に設けられたブレーク溝６の両端の段差を認識パターンとして使用する。なお、図中の太線で示した部分はフルカットした部分を示している。
【００１０】
次に図１８に示すように、各半導体素子８ごとの各領域が分離されたセラミック回路基板２がダイシング用リング１０にダイシングシート１１で貼り付けられた状態で、ダイシングシート１１の裏側から、所定の時間紫外線を照射してダイシングシート１１上の接着剤の粘着強度を１／５〜１／１０に下げる。図中の矢印は照射された紫外線を示している。
【００１１】
最後に図１９に示すように、粘着強度の低下したダイシングシートから個片化になった半導体素子８を搭載するパッケージ体を取り外すことによってガラスセラミック型の半導体装置１２を得て工法は完結する。
【００１２】
また、従来の半導体装置の製造方法において、ダイシングシートの接着剤の粘着強度を低下させる紫外線照射の工程を行わず、セラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝中の切り欠き溝に沿って、手作業や機械処理でセラミック回路基板の下面が凸になるように折り曲げて分割し、半導体装置を製造する場合もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら前記従来の半導体装置の製造方法では以下のような課題がある。すなわち、従来の半導体装置においてはガラスの焼成体からなるセラミック回路基板を用いており、そのセラミック回路が加工対象となる。このセラミック回路基板は焼成前に比べて焼成後で大きく収縮し、そのためにセラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝の中心線は焼成前では直線状であったのに対して、焼成後のブレーク溝の中心線は元の中心線から大きく逸脱して曲がる場合がある。その変形量は一辺が６０［ｍｍ］の正方形の焼成後セラミック回路基板の場合で、７０〜８０［μｍ］にも及ぶ。それに対してセラミック回路基板のブレーク溝の幅は１２０〜１８０［μｍ］であり、仮にブレーク溝の幅が１８０［μｍ］であってもブレーク溝の側壁に隣接して形成されている外部端子が２０［μｍ］の厚みを有する場合、ブレーク溝の曲がりが８０［μｍ］あれば、ダイシング時に７０［μｍ］以上の厚みの回転ダイシングブレードを使用した際、外部端子がそのブレードにより削られ、外部端子が欠損するという課題があった。
【００１４】
また、ダイシングブレードでセラミック回路基板とエポキシ系の樹脂封止とを含む全厚みの半導体装置と、ダイシングシートの表面一部とを切断するために、回転するダイシングブレードの切削負荷が許容限界を超えたり、またダイシングシートの表面の接着剤層を切断することでダイシングブレードの目詰まりを生じたりするために、ダイシングブレードの目立て作業を頻繁に行ったり、またダイシングブレードの破損が著しい場合には、切断速度を低速にして生産性が犠牲になるという課題があった。
【００１５】
さらには、セラミック回路基板の下面には、手作業や機械処理でも分割可能にするためにブレーク溝中に切り欠き溝が形成されているが、半導体素子をセラミック回路基板の上面のボンディング部にＡｇペーストからなる固着剤で固着したり、各半導体素子面上の電極パッドとセラミック回路基板のパッド部とを金属細線で各々電気的に接続する際の熱衝撃により、切り欠き溝からセラミック回路基板の上面までクラックが発生する恐れがある。このクラックはその後の工程でエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂で各半導体素子の外囲を封止する際に封止樹脂の加熱硬化型中にセラミック回路基板の上面に到達しているクラックを介して、切り欠き溝、ブレーク溝、外部端子を覆ってしまうという課題があった。
【００１６】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、セラミック回路基板に対して精度のよい切断を可能にするとともに、切断分離後の半導体装置の外形寸法の精度を高くし、各半導体素子領域のパッド部欠損を防止する半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記従来の課題を解決するために本発明の半導体装置の製造方法は、回路基板に複数の半導体素子を搭載するとともに、前記複数の半導体素子の電極パッドと前記回路基板のパッド部とを各々電気的に接続する第１の工程と、前記回路基板の前記複数の半導体素子が搭載された面を封止樹脂で一括して封止する第２の工程と、前記封止樹脂面側から回転ブレードで前記回路基板の一部を残存させて切断する第３の工程と、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側から押圧して前記回路基板の残存した部分を押圧切断して前記半導体素子ごとに個々の半導体装置に分離する第４の工程とよりなる半導体装置の製造方法である。
【００１８】
そして具体的には、第４の工程は、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側からローラーにより前記回路基板を押圧して前記回路基板の残存した部分を切断し、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側に対して紫外線を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ個々の半導体装置を取り出す工程である半導体装置の製造方法である。
【００１９】
また、第４の工程の後は、シートに貼付された回路基板を槽内に置いた後、前記槽内に窒素を封入する工程を有する半導体装置の製造方法である。
また、第２の工程と第３の工程との間に、回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する第５の工程を備えた半導体装置の製造方法である。
【００２０】
また、第５の工程は、回路基板上の各半導体素子間の封止樹脂表面にレーザーを照射して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する工程を含む半導体装置の製造方法である。
【００２１】
また、第５の工程は、紫外線硬化型の接着剤が形成されたシートに回路基板底面を貼付した状態で行う半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
前記構成の通り、印刷樹脂封止後、セラミック回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して、各半導体素子領域を分離認識する部分を形成し、セラミック回路基板上面の封止樹脂面側からその認識部分上を回転ダイシングブレードでセラミック回路基板下面側の一部を残存させてセミフルカットする工程により、精度のよい切断が可能になる。またローラー押圧分離による切断分離後の外形寸法の精度が高くなり、各半導体素子領域のパッド部の欠損を防止できるものである。またセラミック回路基板をフルカットせずにセミフルカットするため、回転ダイシングブレードへの切削負荷の軽減や、ダイシングシート上の紫外線照射型接着剤層に非接触で切断でき、その結果、回転ダイシングブレード自体の寿命を向上させ、製造効率を向上させることができる。
【００２３】
また、セラミック回路基板を手作業や機械処理で分離せず、封止樹脂で覆われた基板上面からセミフルカットダイシングで分離するために、ブレーク溝中の切り欠き溝の形成を除去することでセラミック回路基板の各工程での耐熱衝撃性が飛躍的に向上し、セラミック回路基板のクラックを皆無とすることができる。その結果、封止樹脂の加熱硬化の際のセラミック回路基板下面および側面の外部端子表面上の封止樹脂の被膜による汚染が防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１〜図１０は本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程ごとの図であり、その中で図１〜図６においては、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線の箇所の主要断面を示す断面図である。
【００２５】
まず図１（ａ），（ｂ）に示すように、その上面に半導体素子が搭載されるボンディング部１３と、半導体素子と金属細線等により電気的に接続するためのパッド部１４とを有し、またその下面および側面にパッド部１４と電気的に接続した外部端子１５を有した厚さ５００〜１０００［μｍ］の積層型のセラミック回路基板１６であって、ボンディング部１３、パッド部１４、外部端子１５はガラスセラミックからなる基板表層にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕの順に積層した金属膜で形成され、金属膜の平均的な全厚みは１０〜２０［μｍ］を有するセラミック回路基板１６を用意する。また、このセラミック回路基板１６の下面は予め複数の半導体素子が搭載される各々の領域を分離するように深さ１００〜２００［μｍ］、幅１２０〜１８０［μｍ］を有したブレーク溝１７が縦横にマトリックス状に設けられている。なお、ボンディング部１３、パッド部１４および外部端子１５は搭載される半導体素子の数に対して必要とする数量が備えられたセラミック回路基板を用意するものである。
【００２６】
次に図２（ａ），（ｂ）に示すように、用意したセラミック回路基板１６の上面に形成された各ボンディング部１３に対して、Ａｇペーストや半硬化膜の固着材で半導体素子１８を各々貼り付けた後、１３０〜１８０［℃］で１［ｈｒ］硬化することで半導体素子１８を固着し、その後、１８０〜２３０［℃］の温度に加熱されたセラミック回路基板１６の上面に形成されたパッド部１４と各半導体素子１８表面上の電極パッドとを２５〜３０［μｍ］φ径の金属細線１９で各々電気的に接続し、単一のセラミック回路基板１６上に複数の半導体素子１８を搭載する。
【００２７】
次に図３（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の半導体素子１８が搭載された上面側の所定の位置にメタルマスクを合わせてマスク開口部からエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂２０をスキージにより印刷塗布する。この場合の塗布厚みは、金属細線１９の最高位より１００［μｍ］以上上部となるように設定する。そして樹脂封止後、封止樹脂２０中に巻き込まれている空気を除去するために、１５〜５［Ｔｏｒｒ］の脱泡槽内で１０〜１５［ｍｉｎ］の間で減圧脱泡する。そして大気に戻した後、１００〜１２０［℃］で３０〜６０［ｍｉｎ］間、１４０〜１６０［℃］で９０〜１２０［ｍｉｎ］間ステップ加熱硬化する。このようにして封止樹脂２０でセラミック回路基板１６上に複数個の半導体素子１８が搭載された上面を一体的に全面封止する。
【００２８】
次に図４（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の上面に搭載された複数の半導体素子１８全体を覆う封止樹脂２０表面に対して、封止樹脂２０表面の各半導体素子１８が搭載されている各領域毎にＣＯ2レーザーで品名および製造年月等のマーク２１を刻印し、さらに、セラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７に、予めレーザー光を走査するラインと一致するように配置されたマーカーステージ２２のエッヂ２３をはめ込み、セラミック回路基板１６の上面の封止樹脂２０表面にレーザー光で各領域分割のためのヘヤーライン２４をけがく。なお図中、太線で示した部分がヘヤーライン２４を示している。
【００２９】
次に図５（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング用リング２５で保持された紫外線照射型接着剤がその表面に形成されたダイシングシート２６に対して、品名等のマーク２１や各領域分割用のヘヤーライン２４が刻印されたセラミック回路基板１６を封止樹脂２０表面が上側になるように貼り付ける。このダイシングシート２６へのセラミック回路基板１６の貼り付けは、ゴム系ローラーでセラミック回路基板１６の端から、セラミック回路基板１６の下面とダイシングシート２６との間に介在する空気を追い出すようにして行う。
【００３０】
次に図６（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の封止樹脂２０表面側から各半導体素子１８ごとの領域のヘヤーライン２４に対して、２００００〜４００００［ｒｐｍ］で回転する厚さ５０〜１００［μｍ］のダイシングブレードでセミフルカットする。切断前のセラミック回路基板１６の切断部の位置認識は封止樹脂２０面上のレーザーで形成したヘヤーライン２４の両端を認識パターンとして使用し、各ライン毎にヘヤーライン２４による平行の認識を行う。またダイシングブレードの高さの設定は、セラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７の上部が０〜２５０［μｍ］の厚みで切り残るように設定する。このようにして封止樹脂２０面側からダイシング切断を行う。
【００３１】
次に図７に示すように、ダイシングカットで切り残されたセラミック回路基板１６は、その下面に貼り付けられたダイシングシート２６の裏側から硬質ゴムやベークライトからなるローラー２７で押圧してローラーブレークし、セラミック回路基板１６のブレーク溝１７上部の切り残し部分を分断し、個々のパッケージに分割する。なお、図中の縦矢印は押圧力を示し、横矢印はローラー２７の移動方向を示している。
【００３２】
次に図８に示すように、ダイシングカット時にセラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７とダイシングシート２６との間に進入した水分の除去と、ダイシングシート２６の剥離の際に、ダイシングシート２６表面の接着剤が十分硬化するように、各領域が分断されたセラミック回路基板１６をダイシングシート上に接着した状態で、常温の減圧槽２８中で５〜６０［ｍｉｎ］間、１００〜１０-1［Ｔｏｒｒ］に保持した後、同一の減圧槽２８内で１〜３０［ｍｉｎ］間１０３〜２．２３［Ｔｏｒｒ］で窒素ガスを封入し、終了後迅速に取り出して窒素保管箱に保管する。
【００３３】
次に図９に示すように、セラミック回路基板１６がダイシングシート２６に貼り付けられた状態で、ダイシングシート２６の裏側から、所定の時間紫外線を照射してダイシングシート２６の表面の接着剤の粘着強度を１／５〜１／１０に下げる。なお、図中の矢印は照射された紫外線を示している。
【００３４】
最後に図１０に示すように、粘着強度の低下したダイシングシートから個片化になった半導体素子１８を搭載するパッケージ体を取り外すことによってガラスセラミック型の半導体装置２９を得る。
【００３５】
図１１には本実施形態の工法で得られた半導体装置を示す。図１１の斜視図に示す半導体装置は、基板の下面と側面とにつながる外部端子１５を有したセラミック回路基板１６に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、基板上部であって搭載した半導体素子の外囲が封止樹脂２０で封止された半導体装置であり、セラミック回路基板１６の側面には基板切断の際のセミフルカットによる切り残し厚から構成された突起部３０を有するものである。
【００３６】
以上、本実施形態の半導体装置の製造方法では、セラミック回路基板上に搭載した半導体素子を封止した封止樹脂に対して、ダイシング切断時の分離用のヘヤーラインを形成し、そのヘヤーラインに対してダイシングブレードでセミフルカットし、残存した基板部分はローラー押圧で分断するので、セラミック回路基板底面の外部端子のダイシングカット時の欠損、高温工程でのセラミック回路基板のクラックによる外部端子表面の封止樹脂による汚染、フルカットを避けたセミフルカットによるダイシングブレードの摩耗、破損を防止できるものである。
【００３７】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法により、セラミック回路基板上に複数の半導体素子を搭載して一括で樹脂封止後に、セラミック回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して、ヘヤーラインを形成して各半導体素子領域を分離認識でき、セラミック回路基板上の封止樹脂面側からそのヘヤーラインに対して、回転ブレードでセラミック回路基板の下面側の一部を残存させてセミフルカットする工程により、外部端子を切削することなくダイシングブレード切断が可能となり、またヘヤーラインを認識することで各半導体素子領域のパッドを欠損するのを防止できる。またセラミック回路基板をフルカットせずセミフルカットするため、回転ブレード自体の寿命を向上させ、製造効率を向上させることができる。
【００３８】
さらに本発明の工法では、ブレーク溝中の切り欠き溝を必要としないため各工程の耐熱衝撃性が改善され、その結果セラミック回路基板の下面に形成されている外部端子面の樹脂漏れによる表面汚染が防止できる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、基板上に複数の半導体素子を搭載して一括で樹脂封止した後に個々の半導体装置に分離する製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す斜視図
【図１２】従来の半導体装置を示す斜視図
【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１４】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１６】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１７】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１８】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００４１】
１ 外部端子
２ セラミック回路基板
３ 封止樹脂
４ ボンディング部
５ パッド部
６ ブレーク溝
７ 切り欠き溝
８ 半導体素子
９ 金属細線
１０ ダイシング用リング
１１ ダイシングシート
１２ 半導体装置
１３ ボンディング部
１４ パッド部
１５ 外部端子
１６ セラミック回路基板
１７ ブレーク溝
１８ 半導体素子
１９ 金属細線
２０ 封止樹脂
２１ マーク
２２ マーカーステージ
２３ エッヂ
２４ ヘヤーライン
２５ ダイシング用リング
２６ ダイシングシート
２７ ローラー
２８ 減圧槽
２９ 半導体装置
３０ 突起部
【技術分野】
【０００１】
本発明は底面に外部端子を有した回路基板に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、外囲が封止樹脂で封止された半導体装置の効率的な製造方法に関するものであり、特に単一の回路基板に複数個の半導体素子を搭載した後に個々の半導体装置に分離する成形分離に特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１２の斜視図に示すような基板の下面と側面とがつながる外部端子１を有したセラミック回路基板２に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、外囲が封止樹脂３で封止された半導体装置の製造方法においては、単一のセラミック回路基板２に複数の半導体素子を搭載した後、個々の半導体素子単位に回転ブレードにより分割し、半導体装置を製造していた。
【０００３】
また、別の分割方法として、セラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝中の切り欠き溝を利用して手作業や機械処理で分割し、半導体装置を製造していた。
以下、従来の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１３〜図１９は従来の半導体装置の製造方法を示す主要な工程ごとの図である。また図１３〜図１７において、それぞれ（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線箇所の主要な断面図であり、図１８、図１９は断面図である。
【０００４】
まず図１３（ａ），（ｂ）に示すように、その上面に半導体素子が搭載されるボンディング部４と、その半導体素子と金属細線等により電気的に接続するためのパッド部５を有し、その下面にパッド部５と電気的に接続した外部端子１を有した厚さ５００〜１０００［μｍ］のセラミック回路基板２を用意する。なお、ボンディング部４、パッド部５および外部端子１は搭載される半導体素子の数に対して必要とする数量が備えられたセラミック回路基板２を用意する。
【０００５】
この積層回路基板であるセラミック回路基板２において、ボンディング部４、パッド部５、外部端子１は、ガラスセラミックからなる積層基板表層に銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の順に積層した金属膜で形成され、金属膜の平均的な全厚みは１０〜２０［μｍ］を有する構造とする。また、このセラミック回路基板２の下面には、予め半導体素子が搭載される各々の領域を分離するように深さ１００〜２００［μｍ］、幅１２０〜１８０［μｍ］を有したブレーク溝６が縦横に設けられ、さらにそのブレーク溝６の中心線上に下面側からのブレーク性を向上するために幅１０〜３０μｍ、深さ２０〜５０［μｍ］の切り欠き溝７が設けられている。
【０００６】
次に図１４（ａ），（ｂ）に示すように、用意したセラミック回路基板２の上面に形成された各ボンディング部４に銀（Ａｇ）ペーストや半硬化膜の固着材（図示せず）で半導体素子８を各々接着した後、１３０〜１８０［℃］で１［ｈｒ］硬化することで半導体素子８を固着し、その後、セラミック回路基板２を１８０〜２３０［℃］の温度に加熱した状態において、セラミック回路基板２の上面に形成されたパッド部５と各半導体素子８面上の電極パッドとを２５〜３０［μｍ］φ径の金属細線９で各々電気的に接続し、単一のセラミック回路基板２上に複数の半導体素子８を搭載する。
【０００７】
次に図１５（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板２の半導体素子８が搭載された面側の所定の位置にメタルマスクを合わせてマスク開口部からエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３をスキージにより印刷塗布する。この場合の塗布厚みは、金属細線９の最高位より１００［μｍ］以上上部となるように設定する。その後、エポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３中に巻き込まれている空気を除去するために、１５〜５［Ｔｏｒｒ］の脱泡槽内で１０〜１５［ｍｉｎ］、減圧脱泡する。そして大気に戻した後、１００〜１２０［℃］で３０〜６０［ｍｉｎ］、１４０〜１６０［℃］で９０〜１２０［ｍｉｎ］ステップ加熱硬化する。このようにしてエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂３でセラミック回路基板２上に複数個の半導体素子８が搭載された面を一体的に全面封止する。
【０００８】
次に図１６（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板上面に搭載された複数の半導体素子全体を覆う封止樹脂表面上の各半導体素子が搭載されている各領域毎にＣＯ2レーザーで品名や製造年月を刻印した後、ダイシング用リング１０に保持された紫外線照射型接着剤が形成されたダイシングシート１１に対して、基板下面が上側になるようにセラミック回路基板２を貼り付ける。
【０００９】
次に図１７（ａ），（ｂ）に示すように、２００００〜４００００［ｒｐｍ］で回転する厚さ５０〜１００［μｍ］のダイシングブレードでセラミック回路基板２の下面のブレーク溝６の中心近傍をダイシングシート１１の表面一部と共にフルカットし、複数の半導体素子８を搭載するセラミック回路基板２の各半導体素子８の領域を個々に分離する。このフルカットの際のカットラインの平行度はセラミック回路基板２の下面に設けられたブレーク溝６の両端の段差を認識パターンとして使用する。なお、図中の太線で示した部分はフルカットした部分を示している。
【００１０】
次に図１８に示すように、各半導体素子８ごとの各領域が分離されたセラミック回路基板２がダイシング用リング１０にダイシングシート１１で貼り付けられた状態で、ダイシングシート１１の裏側から、所定の時間紫外線を照射してダイシングシート１１上の接着剤の粘着強度を１／５〜１／１０に下げる。図中の矢印は照射された紫外線を示している。
【００１１】
最後に図１９に示すように、粘着強度の低下したダイシングシートから個片化になった半導体素子８を搭載するパッケージ体を取り外すことによってガラスセラミック型の半導体装置１２を得て工法は完結する。
【００１２】
また、従来の半導体装置の製造方法において、ダイシングシートの接着剤の粘着強度を低下させる紫外線照射の工程を行わず、セラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝中の切り欠き溝に沿って、手作業や機械処理でセラミック回路基板の下面が凸になるように折り曲げて分割し、半導体装置を製造する場合もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら前記従来の半導体装置の製造方法では以下のような課題がある。すなわち、従来の半導体装置においてはガラスの焼成体からなるセラミック回路基板を用いており、そのセラミック回路が加工対象となる。このセラミック回路基板は焼成前に比べて焼成後で大きく収縮し、そのためにセラミック回路基板の下面に形成されたブレーク溝の中心線は焼成前では直線状であったのに対して、焼成後のブレーク溝の中心線は元の中心線から大きく逸脱して曲がる場合がある。その変形量は一辺が６０［ｍｍ］の正方形の焼成後セラミック回路基板の場合で、７０〜８０［μｍ］にも及ぶ。それに対してセラミック回路基板のブレーク溝の幅は１２０〜１８０［μｍ］であり、仮にブレーク溝の幅が１８０［μｍ］であってもブレーク溝の側壁に隣接して形成されている外部端子が２０［μｍ］の厚みを有する場合、ブレーク溝の曲がりが８０［μｍ］あれば、ダイシング時に７０［μｍ］以上の厚みの回転ダイシングブレードを使用した際、外部端子がそのブレードにより削られ、外部端子が欠損するという課題があった。
【００１４】
また、ダイシングブレードでセラミック回路基板とエポキシ系の樹脂封止とを含む全厚みの半導体装置と、ダイシングシートの表面一部とを切断するために、回転するダイシングブレードの切削負荷が許容限界を超えたり、またダイシングシートの表面の接着剤層を切断することでダイシングブレードの目詰まりを生じたりするために、ダイシングブレードの目立て作業を頻繁に行ったり、またダイシングブレードの破損が著しい場合には、切断速度を低速にして生産性が犠牲になるという課題があった。
【００１５】
さらには、セラミック回路基板の下面には、手作業や機械処理でも分割可能にするためにブレーク溝中に切り欠き溝が形成されているが、半導体素子をセラミック回路基板の上面のボンディング部にＡｇペーストからなる固着剤で固着したり、各半導体素子面上の電極パッドとセラミック回路基板のパッド部とを金属細線で各々電気的に接続する際の熱衝撃により、切り欠き溝からセラミック回路基板の上面までクラックが発生する恐れがある。このクラックはその後の工程でエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂で各半導体素子の外囲を封止する際に封止樹脂の加熱硬化型中にセラミック回路基板の上面に到達しているクラックを介して、切り欠き溝、ブレーク溝、外部端子を覆ってしまうという課題があった。
【００１６】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、セラミック回路基板に対して精度のよい切断を可能にするとともに、切断分離後の半導体装置の外形寸法の精度を高くし、各半導体素子領域のパッド部欠損を防止する半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記従来の課題を解決するために本発明の半導体装置の製造方法は、回路基板に複数の半導体素子を搭載するとともに、前記複数の半導体素子の電極パッドと前記回路基板のパッド部とを各々電気的に接続する第１の工程と、前記回路基板の前記複数の半導体素子が搭載された面を封止樹脂で一括して封止する第２の工程と、前記封止樹脂面側から回転ブレードで前記回路基板の一部を残存させて切断する第３の工程と、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側から押圧して前記回路基板の残存した部分を押圧切断して前記半導体素子ごとに個々の半導体装置に分離する第４の工程とよりなる半導体装置の製造方法である。
【００１８】
そして具体的には、第４の工程は、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側からローラーにより前記回路基板を押圧して前記回路基板の残存した部分を切断し、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側に対して紫外線を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ個々の半導体装置を取り出す工程である半導体装置の製造方法である。
【００１９】
また、第４の工程の後は、シートに貼付された回路基板を槽内に置いた後、前記槽内に窒素を封入する工程を有する半導体装置の製造方法である。
また、第２の工程と第３の工程との間に、回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する第５の工程を備えた半導体装置の製造方法である。
【００２０】
また、第５の工程は、回路基板上の各半導体素子間の封止樹脂表面にレーザーを照射して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する工程を含む半導体装置の製造方法である。
【００２１】
また、第５の工程は、紫外線硬化型の接着剤が形成されたシートに回路基板底面を貼付した状態で行う半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
前記構成の通り、印刷樹脂封止後、セラミック回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して、各半導体素子領域を分離認識する部分を形成し、セラミック回路基板上面の封止樹脂面側からその認識部分上を回転ダイシングブレードでセラミック回路基板下面側の一部を残存させてセミフルカットする工程により、精度のよい切断が可能になる。またローラー押圧分離による切断分離後の外形寸法の精度が高くなり、各半導体素子領域のパッド部の欠損を防止できるものである。またセラミック回路基板をフルカットせずにセミフルカットするため、回転ダイシングブレードへの切削負荷の軽減や、ダイシングシート上の紫外線照射型接着剤層に非接触で切断でき、その結果、回転ダイシングブレード自体の寿命を向上させ、製造効率を向上させることができる。
【００２３】
また、セラミック回路基板を手作業や機械処理で分離せず、封止樹脂で覆われた基板上面からセミフルカットダイシングで分離するために、ブレーク溝中の切り欠き溝の形成を除去することでセラミック回路基板の各工程での耐熱衝撃性が飛躍的に向上し、セラミック回路基板のクラックを皆無とすることができる。その結果、封止樹脂の加熱硬化の際のセラミック回路基板下面および側面の外部端子表面上の封止樹脂の被膜による汚染が防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１〜図１０は本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程ごとの図であり、その中で図１〜図６においては、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の一点鎖線の箇所の主要断面を示す断面図である。
【００２５】
まず図１（ａ），（ｂ）に示すように、その上面に半導体素子が搭載されるボンディング部１３と、半導体素子と金属細線等により電気的に接続するためのパッド部１４とを有し、またその下面および側面にパッド部１４と電気的に接続した外部端子１５を有した厚さ５００〜１０００［μｍ］の積層型のセラミック回路基板１６であって、ボンディング部１３、パッド部１４、外部端子１５はガラスセラミックからなる基板表層にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕの順に積層した金属膜で形成され、金属膜の平均的な全厚みは１０〜２０［μｍ］を有するセラミック回路基板１６を用意する。また、このセラミック回路基板１６の下面は予め複数の半導体素子が搭載される各々の領域を分離するように深さ１００〜２００［μｍ］、幅１２０〜１８０［μｍ］を有したブレーク溝１７が縦横にマトリックス状に設けられている。なお、ボンディング部１３、パッド部１４および外部端子１５は搭載される半導体素子の数に対して必要とする数量が備えられたセラミック回路基板を用意するものである。
【００２６】
次に図２（ａ），（ｂ）に示すように、用意したセラミック回路基板１６の上面に形成された各ボンディング部１３に対して、Ａｇペーストや半硬化膜の固着材で半導体素子１８を各々貼り付けた後、１３０〜１８０［℃］で１［ｈｒ］硬化することで半導体素子１８を固着し、その後、１８０〜２３０［℃］の温度に加熱されたセラミック回路基板１６の上面に形成されたパッド部１４と各半導体素子１８表面上の電極パッドとを２５〜３０［μｍ］φ径の金属細線１９で各々電気的に接続し、単一のセラミック回路基板１６上に複数の半導体素子１８を搭載する。
【００２７】
次に図３（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の半導体素子１８が搭載された上面側の所定の位置にメタルマスクを合わせてマスク開口部からエポキシ系の熱硬化型液状の封止樹脂２０をスキージにより印刷塗布する。この場合の塗布厚みは、金属細線１９の最高位より１００［μｍ］以上上部となるように設定する。そして樹脂封止後、封止樹脂２０中に巻き込まれている空気を除去するために、１５〜５［Ｔｏｒｒ］の脱泡槽内で１０〜１５［ｍｉｎ］の間で減圧脱泡する。そして大気に戻した後、１００〜１２０［℃］で３０〜６０［ｍｉｎ］間、１４０〜１６０［℃］で９０〜１２０［ｍｉｎ］間ステップ加熱硬化する。このようにして封止樹脂２０でセラミック回路基板１６上に複数個の半導体素子１８が搭載された上面を一体的に全面封止する。
【００２８】
次に図４（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の上面に搭載された複数の半導体素子１８全体を覆う封止樹脂２０表面に対して、封止樹脂２０表面の各半導体素子１８が搭載されている各領域毎にＣＯ2レーザーで品名および製造年月等のマーク２１を刻印し、さらに、セラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７に、予めレーザー光を走査するラインと一致するように配置されたマーカーステージ２２のエッヂ２３をはめ込み、セラミック回路基板１６の上面の封止樹脂２０表面にレーザー光で各領域分割のためのヘヤーライン２４をけがく。なお図中、太線で示した部分がヘヤーライン２４を示している。
【００２９】
次に図５（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング用リング２５で保持された紫外線照射型接着剤がその表面に形成されたダイシングシート２６に対して、品名等のマーク２１や各領域分割用のヘヤーライン２４が刻印されたセラミック回路基板１６を封止樹脂２０表面が上側になるように貼り付ける。このダイシングシート２６へのセラミック回路基板１６の貼り付けは、ゴム系ローラーでセラミック回路基板１６の端から、セラミック回路基板１６の下面とダイシングシート２６との間に介在する空気を追い出すようにして行う。
【００３０】
次に図６（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック回路基板１６の封止樹脂２０表面側から各半導体素子１８ごとの領域のヘヤーライン２４に対して、２００００〜４００００［ｒｐｍ］で回転する厚さ５０〜１００［μｍ］のダイシングブレードでセミフルカットする。切断前のセラミック回路基板１６の切断部の位置認識は封止樹脂２０面上のレーザーで形成したヘヤーライン２４の両端を認識パターンとして使用し、各ライン毎にヘヤーライン２４による平行の認識を行う。またダイシングブレードの高さの設定は、セラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７の上部が０〜２５０［μｍ］の厚みで切り残るように設定する。このようにして封止樹脂２０面側からダイシング切断を行う。
【００３１】
次に図７に示すように、ダイシングカットで切り残されたセラミック回路基板１６は、その下面に貼り付けられたダイシングシート２６の裏側から硬質ゴムやベークライトからなるローラー２７で押圧してローラーブレークし、セラミック回路基板１６のブレーク溝１７上部の切り残し部分を分断し、個々のパッケージに分割する。なお、図中の縦矢印は押圧力を示し、横矢印はローラー２７の移動方向を示している。
【００３２】
次に図８に示すように、ダイシングカット時にセラミック回路基板１６の下面のブレーク溝１７とダイシングシート２６との間に進入した水分の除去と、ダイシングシート２６の剥離の際に、ダイシングシート２６表面の接着剤が十分硬化するように、各領域が分断されたセラミック回路基板１６をダイシングシート上に接着した状態で、常温の減圧槽２８中で５〜６０［ｍｉｎ］間、１００〜１０-1［Ｔｏｒｒ］に保持した後、同一の減圧槽２８内で１〜３０［ｍｉｎ］間１０３〜２．２３［Ｔｏｒｒ］で窒素ガスを封入し、終了後迅速に取り出して窒素保管箱に保管する。
【００３３】
次に図９に示すように、セラミック回路基板１６がダイシングシート２６に貼り付けられた状態で、ダイシングシート２６の裏側から、所定の時間紫外線を照射してダイシングシート２６の表面の接着剤の粘着強度を１／５〜１／１０に下げる。なお、図中の矢印は照射された紫外線を示している。
【００３４】
最後に図１０に示すように、粘着強度の低下したダイシングシートから個片化になった半導体素子１８を搭載するパッケージ体を取り外すことによってガラスセラミック型の半導体装置２９を得る。
【００３５】
図１１には本実施形態の工法で得られた半導体装置を示す。図１１の斜視図に示す半導体装置は、基板の下面と側面とにつながる外部端子１５を有したセラミック回路基板１６に対して、その上面に半導体素子が搭載され、電気的接続がなされ、基板上部であって搭載した半導体素子の外囲が封止樹脂２０で封止された半導体装置であり、セラミック回路基板１６の側面には基板切断の際のセミフルカットによる切り残し厚から構成された突起部３０を有するものである。
【００３６】
以上、本実施形態の半導体装置の製造方法では、セラミック回路基板上に搭載した半導体素子を封止した封止樹脂に対して、ダイシング切断時の分離用のヘヤーラインを形成し、そのヘヤーラインに対してダイシングブレードでセミフルカットし、残存した基板部分はローラー押圧で分断するので、セラミック回路基板底面の外部端子のダイシングカット時の欠損、高温工程でのセラミック回路基板のクラックによる外部端子表面の封止樹脂による汚染、フルカットを避けたセミフルカットによるダイシングブレードの摩耗、破損を防止できるものである。
【００３７】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法により、セラミック回路基板上に複数の半導体素子を搭載して一括で樹脂封止後に、セラミック回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して、ヘヤーラインを形成して各半導体素子領域を分離認識でき、セラミック回路基板上の封止樹脂面側からそのヘヤーラインに対して、回転ブレードでセラミック回路基板の下面側の一部を残存させてセミフルカットする工程により、外部端子を切削することなくダイシングブレード切断が可能となり、またヘヤーラインを認識することで各半導体素子領域のパッドを欠損するのを防止できる。またセラミック回路基板をフルカットせずセミフルカットするため、回転ブレード自体の寿命を向上させ、製造効率を向上させることができる。
【００３８】
さらに本発明の工法では、ブレーク溝中の切り欠き溝を必要としないため各工程の耐熱衝撃性が改善され、その結果セラミック回路基板の下面に形成されている外部端子面の樹脂漏れによる表面汚染が防止できる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、基板上に複数の半導体素子を搭載して一括で樹脂封止した後に個々の半導体装置に分離する製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す図
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す斜視図
【図１２】従来の半導体装置を示す斜視図
【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１４】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１６】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１７】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図１８】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００４１】
１ 外部端子
２ セラミック回路基板
３ 封止樹脂
４ ボンディング部
５ パッド部
６ ブレーク溝
７ 切り欠き溝
８ 半導体素子
９ 金属細線
１０ ダイシング用リング
１１ ダイシングシート
１２ 半導体装置
１３ ボンディング部
１４ パッド部
１５ 外部端子
１６ セラミック回路基板
１７ ブレーク溝
１８ 半導体素子
１９ 金属細線
２０ 封止樹脂
２１ マーク
２２ マーカーステージ
２３ エッヂ
２４ ヘヤーライン
２５ ダイシング用リング
２６ ダイシングシート
２７ ローラー
２８ 減圧槽
２９ 半導体装置
３０ 突起部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に複数の半導体素子を搭載するとともに、前記複数の半導体素子の電極パッドと前記回路基板のパッド部とを各々電気的に接続する第１の工程と、
前記回路基板の前記複数の半導体素子が搭載された面を封止樹脂で一括して封止する第２の工程と、
前記封止樹脂面側から回転ブレードで前記回路基板の一部を残存させて切断する第３の工程と、
シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側から押圧して前記回路基板の残存した部分を押圧切断して前記半導体素子ごとに個々の半導体装置に分離する第４の工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第４の工程は、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側からローラーにより前記回路基板を押圧して前記回路基板の残存した部分を切断し、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側に対して紫外線を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ個々の半導体装置を取り出す工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第４の工程の後は、シートに貼付された回路基板を槽内に置いた後、前記槽内に窒素を封入する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２の工程と第３の工程との間に、回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する第５の工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第５の工程は、回路基板上の各半導体素子間の封止樹脂表面にレーザーを照射して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第５の工程は、紫外線硬化型の接着剤が形成されたシートに回路基板底面を貼付した状態で行うことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
回路基板に複数の半導体素子を搭載するとともに、前記複数の半導体素子の電極パッドと前記回路基板のパッド部とを各々電気的に接続する第１の工程と、
前記回路基板の前記複数の半導体素子が搭載された面を封止樹脂で一括して封止する第２の工程と、
前記封止樹脂面側から回転ブレードで前記回路基板の一部を残存させて切断する第３の工程と、
シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側から押圧して前記回路基板の残存した部分を押圧切断して前記半導体素子ごとに個々の半導体装置に分離する第４の工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第４の工程は、シート上の接着剤が形成された面に、回路基板のパッド部が形成された面の反対側の面を貼付した状態で、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側からローラーにより前記回路基板を押圧して前記回路基板の残存した部分を切断し、前記シートの前記回路基板が貼付された側の反対側に対して紫外線を照射して前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させ個々の半導体装置を取り出す工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第４の工程の後は、シートに貼付された回路基板を槽内に置いた後、前記槽内に窒素を封入する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２の工程と第３の工程との間に、回路基板上に搭載された複数の半導体素子の各半導体素子間の封止樹脂表面に対して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する第５の工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第５の工程は、回路基板上の各半導体素子間の封止樹脂表面にレーザーを照射して各半導体素子領域を分離識別する部分を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第５の工程は、紫外線硬化型の接着剤が形成されたシートに回路基板底面を貼付した状態で行うことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−５５０６９（Ｐ２００９−５５０６９Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１３８４１（Ｐ２００８−３１３８４１）
【出願日】平成２０年１２月１０日（２００８．１２．１０）
【分割の表示】特願２０００−１８５８６２（Ｐ２０００−１８５８６２）の分割
【原出願日】平成１２年６月２１日（２０００．６．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１０日（２００８．１２．１０）
【分割の表示】特願２０００−１８５８６２（Ｐ２０００−１８５８６２）の分割
【原出願日】平成１２年６月２１日（２０００．６．２１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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