同調回路
【課題】広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供すること。
【解決手段】第１インダクタ（Ｌ１）と、第２インダクタ（Ｌ２）と、第３インダクタ（Ｌ３）と、一端が第３インダクタ（Ｌ３）の他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）と、一端が入力端に接続され、他端が第３インダクタ（Ｌ３）の他端に接続された第１キャパシタ（Ｃ１）と、第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタ（Ｃ２）と、第２インダクタ（Ｌ２）を２つのインダクタ（Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ）に分割する中点（Ａ）と、第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）及び第２キャパシタ（Ｃ２）の接続点との間に接続された第３キャパシタ（Ｃ３）と、を具備したことを特徴とする。
【解決手段】第１インダクタ（Ｌ１）と、第２インダクタ（Ｌ２）と、第３インダクタ（Ｌ３）と、一端が第３インダクタ（Ｌ３）の他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）と、一端が入力端に接続され、他端が第３インダクタ（Ｌ３）の他端に接続された第１キャパシタ（Ｃ１）と、第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタ（Ｃ２）と、第２インダクタ（Ｌ２）を２つのインダクタ（Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ）に分割する中点（Ａ）と、第１可変容量素子（Ｃｄｉ１）及び第２キャパシタ（Ｃ２）の接続点との間に接続された第３キャパシタ（Ｃ３）と、を具備したことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希望チャンネルのイメージ周波数成分を抑圧可能なイメージトラップ回路を含む同調回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、スーパーヘテロダイン方式の受信機においては、局部発振周波数より中間周波数分高い位置の周波数（この周波数をイメージ周波数と呼ぶ）の信号は、周波数混合回路によって受信周波数と同じ中間周波数に変換されるので、受信妨害の原因になる。したがって、ＴＶチューナの入力同調回路にトラップ回路を設けて、イメージ周波数の信号を除去するイメージ妨害対策が必要となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図９にイメージ周波数成分を減衰させるイメージトラップ回路が形成配置されたＴＶチューナ用の同調回路の構成例を示す。図９に示される同調回路１１は、同調用のバラクタダイオード１１ａと、バラクタダイオード１１ａに対して高周波的に並列接続されると共にそれぞれが直列接続されたコイル１１ｂ〜１１ｅと、コイル１１ｃ、１１ｄに並列接続されたダイオード１１ｆとを有する。
【０００４】
コイル１１ｅは、コンデンサ１１ｇによって高周波的に接地されている。コイル１１ｃ、１１ｄの接続点にはテレビジョン信号が入力され、バラクタダイオード１１ａのカソードとコイル１１ｂとの接続点が同調回路１１の出力端となる。コイル１１ｅとコンデンサ１１ｇとの接続点は抵抗１１ｈによって接地され、抵抗１１ｉによって電源端子Ｂに接続されている。電源端子Ｂには所定電圧が印加され、抵抗１１ｈ、１１ｉによって分圧されたバイアス電圧がコイル１１ｅ、１１ｄ、１１ｃを介してダイオード１１ｆのアノードに印加される。ダイオード１１ｆのカソードはバンド切替端子Ｓｗに接続されている。バンド切替端子Ｓｗにはハイレベル又はローレベルの切替電圧が印加される。バラクタダイオード１１ａのカソードはコイル１１ｂを介して同調電圧端子Ｔｕに接続されている。同調電圧端子Ｔｕには同調電圧が印加される。
【０００５】
同調回路１１と後段のＲＦ増幅回路とは、結合用のバラクタダイオード１２によって結合される。バラクタダイオード１２のカソードはバラクタダイオード１１ａのカソードに接続され、バラクタダイオード１２のアノードは抵抗１３を介してコイル１１ｃ、１１ｄの接続点に接続されている。つまり、バラクタダイオード１２のアノードにもバイアス電圧が印加される。コイル１１ｃ、１１ｄの接続点とバラクタダイオード１２のアノードとの間にはコンデンサ１４が接続され、スイッチダイオード１１ｆのカソードとバラクタダイオード１２のアノードとの間にはコンデンサ１５が接続されている。これにより、コンデンサ１５はコイル１１ｄ、１１ｅの接続点に高周波的に接続される。
【０００６】
ＶＨＦ帯のハイバンドのテレビジョン信号を受信する場合、バンド切替端子Ｓｗにローレベルの切替電圧を印加するとダイオード１１ｆがオンになって、同調回路１１は図１０の等価回路で示される状態となる。コイル１１ｊは、図９におけるコイル１１ｃ、１１ｄが並列接続された構成を示す。一方、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信する場合、バンド切替端子Ｓｗにハイレベルの切替電圧を印加するとダイオード１１ｆがオフとなって、同調回路１１は図１１の等価回路で示される状態となる。この同調回路１１において、コンデンサ１４やコンデンサ１５を含んで構成される共振回路がイメージトラップ回路として機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１３３９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した同調回路１１は、受信するテレビジョン信号の周波数帯域がＶＨＦ帯のハイバンドであるかＶＨＦ帯のローバンドであるかに応じて２種類の回路構成を切り替え、イメージトラップ回路の共振周波数を変えることでそれぞれの受信周波数帯域に対応するイメージ周波数成分の減衰を可能にしている。しかしながら、ＶＨＦ帯のハイバンドを受信する場合とＶＨＦ帯のローバンドを受信する場合とでイメージトラップ回路の減衰特性は概ね固定されているため、広い周波数帯域の全体においてイメージ周波数成分の適切な減衰を実現できない。
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の同調回路は、一端が入力端に接続された第１インダクタと、一端が前記第１インダクタの他端に接続され、他端がグランドに接続された第２インダクタと、一端が前記第１インダクタの他端に接続された第３インダクタと、一端が前記第３インダクタの他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子と、一端が前記入力端に接続され、他端が前記第３インダクタの他端に接続された第１キャパシタと、前記第１可変容量素子の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタと、前記第２インダクタを２つのインダクタに分割する中点と、前記第１可変容量素子及び前記第２キャパシタの接続点との間に接続された第３キャパシタと、を具備したことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第３キャパシタが第１可変容量素子の他端に接続されているため、第１可変容量素子のインピーダンス値に応じて第３キャパシタの他の回路要素との結合の疎密を変化させることができる。これにより、イメージトラップ回路のトラップ周波数を受信周波数帯域に応じて変化させることが可能になり、イメージ周波数成分の良好な減衰特性を実現できる。また、第２インダクタと第２キャパシタとによる直並列型の共振回路によって、高域側受信時におけるトラップ周波数の減衰量を増大させることが可能になる。このため、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【００１２】
本発明の同調回路において、前記第１可変容量素子の一端と前記第３インダクタの他端との接続点と、前記第１キャパシタの他端との間に接続された第２可変容量素子を備えても良い。
【００１３】
本発明の同調回路において、ＵＨＦ帯域のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナの入力同調回路であっても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態に係る同調回路を示す回路図である。
【図２】同調回路の同調周波数とバラクタダイオードの容量値との関係、及び同調回路の同調周波数とキャパシタの容量値との関係を示す特性図である。
【図３】同調回路の同調周波数とバラクタダイオードのインピーダンスとの関係、及び同調回路の同調周波数とキャパシタのインピーダンスとの関係を示す特性図である。
【図４】ＵＨＦ帯域の低域側受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図５】ＵＨＦ帯域の中間域受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図６】ＵＨＦ帯域の高域側受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図７】本実施の形態に係る同調回路、第１比較例、第２比較例のトラップ位置の周波数特性を示す特性図である。
【図８】本実施の形態に係る同調回路、第１比較例、第２比較例のイメージ周波数の減衰特性を示す特性図である。
【図９】イメージトラップ回路が形成配置された同調回路の構成例を示す回路図である。
【図１０】ＶＨＦ帯ハイバンドのテレビジョン信号を受信する場合の同調回路の等価回路図である。
【図１１】ＶＨＦ帯ローバンドのテレビジョン信号を受信する場合の同調回路の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は一実施の形態に係るテレビジョンチューナの同調回路を示す回路図である。本実施の形態に係る同調回路１は、複数のインダクタ、キャパシタなどを含み、希望チャンネルの信号周波数に同調可能に構成されている。本実施の形態において、同調回路１は、テレビジョン信号を受信するアンテナ２から出力されるテレビジョン信号（ＲＦ信号）を増幅するＲＦ増幅回路３の前段に配置されている。ここでは、ＵＨＦ帯域（３００ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚ、代表的には４７０ＭＨｚ〜７７０ＭＨｚ）のテレビジョン信号に同調可能な同調回路１を示すが、同調回路１の対象となる信号はテレビジョン信号に限られず、同調回路１の対象となる周波数帯域はＵＨＦ帯域に限られない。
【００１８】
同調回路１は、一端がアンテナ２の給電ポイント側となる入力端Ｐ１にキャパシタＣ４を介して接続されたインダクタＬ１と、一端がインダクタＬ１の他端に接続され、他端が接地（グランドに接続）されたインダクタＬ２と、一端がインダクタＬ１の他端に接続されたインダクタＬ３と、インダクタＬ３の他端を接地するインダクタＬ４と、アノードがインダクタＬ３の他端に接続され、カソードがキャパシタＣ２を介して高周波的に接地された可変容量素子であるバラクタダイオードＣｄｉ１とを有する。インダクタＬ３の他端とバラクタダイオードＣｄｉ１のアノードとの接続点には可変容量素子であるバラクタダイオードＣｄｉ２のアノードが接続されている。バラクタダイオードＣｄｉ２のカソードはキャパシタＣ５を介して出力端Ｐ２に接続されている。
【００１９】
バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードは抵抗Ｒ１を介して端子Ｔ１と接続され、もう一方のバラクタダイオードＣｄｉ２のカソードは抵抗Ｒ２を介して端子Ｔ１と接続されている。バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値が端子Ｔ１に印加される同調電圧Ｖｔｕに応じて変化することで同調周波数を選択可能になっている。
【００２０】
同調回路１は、インダクタＬ１の一端とキャパシタＣ５の他端との間を接続するキャパシタＣ１を有する。キャパシタＣ１は、他の構成要素（Ｌ１，Ｌ３，Ｃｄｉ２，Ｃ５等）と共にトラップ回路を構成する。
【００２１】
同調回路１は、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードと、インダクタＬ２の中点とをキャパシタＣ３を介して結合している。より具体的には、キャパシタＣ３は、インダクタＬ２を２つのインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂに分割する中点（ノードＡ）、及び、バラクタダイオードＣｄｉ１とキャパシタＣ２との接続点（ノードＢ）に接続されている。キャパシタＣ３は、同調回路１においてイメージトラップ回路を構成するＣ１と並列に接続されており、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスに応じて、信号ライン側／ＧＮＤ側との結合度が変化する。高域側では、キャパシタＣ３の信号ライン側への結合度が疎結合となり、低域側ではキャパシタＣ３の信号ライン側への結合度が密結合となる。なお、インダクタＬ２の中点は、単にインダクタＬ２を２つに分ける分割点を意味するにすぎない。つまり、中点は、インダクタンスを２等分する点でなくとも良い。また、２つのインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂは、それぞれ独立した別体のインダクタであっても良い。
【００２２】
このような同調回路１をＵＨＦ帯域の高域側に同調させる場合、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードには端子Ｔ１を通じて高電圧を印加する。その結果、バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値は小さくなり同調回路１の共振周波数（同調周波数）が大きくなるため、同調回路１はＵＨＦ帯域の高域側に同調される。同調回路１をＵＨＦ帯域の低域側に同調させる場合、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードには端子Ｔ１を通じて低電圧を印加する。その結果、バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値は大きくなり同調回路１の共振周波数（同調周波数）が小さくなるため、同調回路１はＵＨＦ帯域の低域側に同調される。
【００２３】
ここで、ＵＨＦ帯（受信帯域）におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２の容量変化について説明する。図２は、同調回路１におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２の容量変化を示す図である。横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸は容量値（ｐＦ）を示している。図２に示されるように、キャパシタＣ２は、ＵＨＦ帯の全域において固定容量であるが、バラクタダイオードＣｄｉ１は低域受信時には容量値が大きく、高域受信時には容量値が小さくなるように制御される。
【００２４】
また、ＵＨＦ帯（受信帯域）におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性について説明する。図３は、同調回路１におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性図である。図３において、横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はインピーダンス値（Ω）を示している。図３に示されるように、バラクタダイオードＣｄｉ１は、ＵＨＦ帯の高域側においてインピーダンスが大きく、低域側においてインピーダンスは小さくなる特性がある。一方、キャパシタＣ２は、ＵＨＦ帯の低域側から高域側に向けて僅かにインピーダンスが小さくなる傾向がみられる。
【００２５】
主にインダクタＬ１、Ｌ３、バラクタダイオードＣｄｉ２、キャパシタＣ１等によって形成されるイメージトラップ回路に対して、キャパシタＣ３はバラクタダイオードＣｄｉ１を介して並列に接続される付加容量となる。上記したバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性から、キャパシタＣ３とイメージトラップ回路(信号ライン)との結合状態は受信周波数に応じて変化する。
【００２６】
すなわち、バラクタダイオードＣｄｉ１の端子間容量が大きい低域側では、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスは小さくなるため、イメージトラップ回路の信号ラインに対するキャパシタＣ３の結合状態は密結合状態になる。その結果、イメージトラップ回路に対する付加容量としてのキャパシタＣ３の影響は大きくなり、トラップ周波数を低域側へシフトするように作用する。
【００２７】
一方、バラクタダイオードＣｄｉ１の端子間容量が小さい高域側では、低域側に同調させる場合と比較してバラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスが大きくなるため、イメージトラップ回路の信号ラインに対するキャパシタＣ３の結合状態は疎結合状態になる。その結果、イメージトラップ回路へのキャパシタＣ３の影響は小さくなり、トラップ周波数を高域側へシフトするように作用する。
【００２８】
また、高域側では、低域側に同調させる場合と比較してキャパシタＣ２のインピーダンスが小さくなるため（図３）、キャパシタＣ２を介した接地作用が強くなる。これにより、キャパシタＣ２とインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂとによる直並列型の共振回路が形成されるため、その直列共振特性による減衰作用によってトラップ周波数における減衰量が増大する。
【００２９】
このように、本実施の形態によれば、インダクタＬ２の中点とバラクタダイオードＣｄｉ１のカソードとの間にキャパシタＣ３を接続することで、高域側ではバラクタダイオードＣｄｉ１を介したキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を低下させて疎結合状態にしてトラップ周波数を高域側へシフトでき、かつ、ＧＮＤ側に配置されるキャパシタＣ２のインピーダンスが小さくなるため、トラップ周波数の減衰量を増大させることが可能になる。また、低域側ではバラクタダイオードＣｄｉ１を介したキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を高くして密結合状態にしてトラップ周波数を低域側へシフトできる。
【００３０】
図４は、ＵＨＦ帯域の低域側受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。図４において、横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸は減衰量（ｄＢ）を示している。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、３６７．２５ＭＨｚのチャンネル受信時の周波数特性をシミュレーションしている。トラップ位置が低域側にシフトしたことにより、低域側受信周波数３６７．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、近接位置にトラップが形成されている。
【００３１】
図５は、ＵＨＦ帯域の中間域受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、５９９．２５ＭＨｚのチャンネル受信時をシミュレーションしている。受信周波数５９９．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、同一位置にトラップが形成されている。
【００３２】
図６は、ＵＨＦ帯域の高域側受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、８５５．２５ＭＨｚのチャンネル受信時の周波数特性をシミュレーションしている。トラップ位置が高域側にシフトしたことにより、高域側受信周波数８５５．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、同一位置にトラップが形成されている。また、トラップ位置から高域側へ僅かにずれた位置で直列共振特性による減衰極が表れている。
【００３３】
図４〜６に示されるように、本実施の形態に係る同調回路１は、受信チャンネルから７９ＭＨｚ離れたイメージ周波数における減衰量を十分に確保可能である。これは、上述した原理によってイメージトラップ回路のトラップ周波数が受信周波数帯域に応じて可変であると共に、直並列型の共振回路によってトラップ周波数における減衰量を十分に大きくできるためである。
【００３４】
次に、本実施の形態に係る同調回路１のトラップ位置の周波数特性と、イメージ周波数の減衰特性について、第１及び第２比較例との対比で説明する。第１比較例は、本実施の形態に係る同調回路１の回路構成からインダクタＬ１及びキャパシタＣ３を削除した構成である。第２比較例は、本実施の形態に係る同調回路１の回路構成からキャパシタＣ３を削除した構成である。なお、インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとした。
【００３５】
図７は、本実施の形態に係る同調回路１、第１比較例、第２比較例のトラップ位置の周波数特性を示す特性図である。図７において、横軸は受信周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はトラップ周波数（受信周波数からの位置）を示している。図７において、縦軸７９ＭＨｚ付近における点線は、イメージ周波数位置を示している。図８は、本実施の形態に係る同調回路１、第１比較例、第２比較例のイメージ周波数の減衰特性を示す特性図である。図８において、横軸は受信周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はイメージ周波数における減衰量（ｄＢ）を示している。
【００３６】
図７に示されるように、ＵＨＦ帯域の低域側においては、第１比較例はトラップ周波数がイメージ周波数から高域側へ大きくずれている。また、第２比較例は第１比較例よりもトラップ周波数がイメージ周波数方向へシフトしているが、本実施の形態に係る同調回路１は第２比較例よりもさらにトラップ周波数が低域側へシフトしてイメージ周波数に近接している。また、ＵＨＦ帯域の高域側においては、第１及び第２比較例はトラップ周波数がイメージ周波数から低域側へ大きくずれているが、本実施の形態に係る同調回路１はトラップ周波数がイメージ周波数に一致している。
【００３７】
本実施の形態に係る同調回路１は、図７に示されるようにＵＨＦ帯域の全域において、イメージトラップ回路のトラップ周波数がイメージ周波数から大きくずれていない。これは、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンス値に応じてキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を変化させたことによるものである。
【００３８】
また、図８に示されるように、ＵＨＦ帯域の高域側において、本実施の形態に係る同調回路１は、−４３ｄＢ程度の極めて優れた減衰特性を実現している。これは、同調回路１のキャパシタＣ２とインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂとによる直並列型の共振回路を形成することで、トラップ周波数における減衰量を十分に大きくできるためである。
【００３９】
以上のように、本発明に係る同調回路は、第３キャパシタが第１可変容量素子のカソードに接続されることで、第１可変容量素子のインピーダンス値に応じて第３キャパシタの信号ラインとの結合度を疎結合又は密結合に変化させることができるようになっている。これにより、イメージトラップ回路のトラップ周波数を受信周波数帯域に応じて変化させることができる。また、第２キャパシタと第２インダクタとによる直並列型の共振回路によって、特に高域側受信時のトラップ周波数における減衰量を増大させることができる。このように、本発明により、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【００４０】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。例えば、同調回路を構成する各回路要素間には、同調回路の機能を阻害しない範囲において他の回路要素を設けることができる。また、同調回路を構成する各回路要素は、同調回路が機能を発揮できる範囲において省略可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の同調回路は、例えば、テレビジョンチューナの同調回路などに有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 同調回路
２ アンテナ
３ ＲＦ増幅回路
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ３、Ｌ４ インダクタ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５ キャパシタ
Ｃｄｉ１、Ｃｄｉ２ バラクタダイオード
Ｒ１、Ｒ２ 抵抗
Ｔ１ 端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希望チャンネルのイメージ周波数成分を抑圧可能なイメージトラップ回路を含む同調回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、スーパーヘテロダイン方式の受信機においては、局部発振周波数より中間周波数分高い位置の周波数（この周波数をイメージ周波数と呼ぶ）の信号は、周波数混合回路によって受信周波数と同じ中間周波数に変換されるので、受信妨害の原因になる。したがって、ＴＶチューナの入力同調回路にトラップ回路を設けて、イメージ周波数の信号を除去するイメージ妨害対策が必要となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図９にイメージ周波数成分を減衰させるイメージトラップ回路が形成配置されたＴＶチューナ用の同調回路の構成例を示す。図９に示される同調回路１１は、同調用のバラクタダイオード１１ａと、バラクタダイオード１１ａに対して高周波的に並列接続されると共にそれぞれが直列接続されたコイル１１ｂ〜１１ｅと、コイル１１ｃ、１１ｄに並列接続されたダイオード１１ｆとを有する。
【０００４】
コイル１１ｅは、コンデンサ１１ｇによって高周波的に接地されている。コイル１１ｃ、１１ｄの接続点にはテレビジョン信号が入力され、バラクタダイオード１１ａのカソードとコイル１１ｂとの接続点が同調回路１１の出力端となる。コイル１１ｅとコンデンサ１１ｇとの接続点は抵抗１１ｈによって接地され、抵抗１１ｉによって電源端子Ｂに接続されている。電源端子Ｂには所定電圧が印加され、抵抗１１ｈ、１１ｉによって分圧されたバイアス電圧がコイル１１ｅ、１１ｄ、１１ｃを介してダイオード１１ｆのアノードに印加される。ダイオード１１ｆのカソードはバンド切替端子Ｓｗに接続されている。バンド切替端子Ｓｗにはハイレベル又はローレベルの切替電圧が印加される。バラクタダイオード１１ａのカソードはコイル１１ｂを介して同調電圧端子Ｔｕに接続されている。同調電圧端子Ｔｕには同調電圧が印加される。
【０００５】
同調回路１１と後段のＲＦ増幅回路とは、結合用のバラクタダイオード１２によって結合される。バラクタダイオード１２のカソードはバラクタダイオード１１ａのカソードに接続され、バラクタダイオード１２のアノードは抵抗１３を介してコイル１１ｃ、１１ｄの接続点に接続されている。つまり、バラクタダイオード１２のアノードにもバイアス電圧が印加される。コイル１１ｃ、１１ｄの接続点とバラクタダイオード１２のアノードとの間にはコンデンサ１４が接続され、スイッチダイオード１１ｆのカソードとバラクタダイオード１２のアノードとの間にはコンデンサ１５が接続されている。これにより、コンデンサ１５はコイル１１ｄ、１１ｅの接続点に高周波的に接続される。
【０００６】
ＶＨＦ帯のハイバンドのテレビジョン信号を受信する場合、バンド切替端子Ｓｗにローレベルの切替電圧を印加するとダイオード１１ｆがオンになって、同調回路１１は図１０の等価回路で示される状態となる。コイル１１ｊは、図９におけるコイル１１ｃ、１１ｄが並列接続された構成を示す。一方、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信する場合、バンド切替端子Ｓｗにハイレベルの切替電圧を印加するとダイオード１１ｆがオフとなって、同調回路１１は図１１の等価回路で示される状態となる。この同調回路１１において、コンデンサ１４やコンデンサ１５を含んで構成される共振回路がイメージトラップ回路として機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１３３９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した同調回路１１は、受信するテレビジョン信号の周波数帯域がＶＨＦ帯のハイバンドであるかＶＨＦ帯のローバンドであるかに応じて２種類の回路構成を切り替え、イメージトラップ回路の共振周波数を変えることでそれぞれの受信周波数帯域に対応するイメージ周波数成分の減衰を可能にしている。しかしながら、ＶＨＦ帯のハイバンドを受信する場合とＶＨＦ帯のローバンドを受信する場合とでイメージトラップ回路の減衰特性は概ね固定されているため、広い周波数帯域の全体においてイメージ周波数成分の適切な減衰を実現できない。
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の同調回路は、一端が入力端に接続された第１インダクタと、一端が前記第１インダクタの他端に接続され、他端がグランドに接続された第２インダクタと、一端が前記第１インダクタの他端に接続された第３インダクタと、一端が前記第３インダクタの他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子と、一端が前記入力端に接続され、他端が前記第３インダクタの他端に接続された第１キャパシタと、前記第１可変容量素子の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタと、前記第２インダクタを２つのインダクタに分割する中点と、前記第１可変容量素子及び前記第２キャパシタの接続点との間に接続された第３キャパシタと、を具備したことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第３キャパシタが第１可変容量素子の他端に接続されているため、第１可変容量素子のインピーダンス値に応じて第３キャパシタの他の回路要素との結合の疎密を変化させることができる。これにより、イメージトラップ回路のトラップ周波数を受信周波数帯域に応じて変化させることが可能になり、イメージ周波数成分の良好な減衰特性を実現できる。また、第２インダクタと第２キャパシタとによる直並列型の共振回路によって、高域側受信時におけるトラップ周波数の減衰量を増大させることが可能になる。このため、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【００１２】
本発明の同調回路において、前記第１可変容量素子の一端と前記第３インダクタの他端との接続点と、前記第１キャパシタの他端との間に接続された第２可変容量素子を備えても良い。
【００１３】
本発明の同調回路において、ＵＨＦ帯域のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナの入力同調回路であっても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態に係る同調回路を示す回路図である。
【図２】同調回路の同調周波数とバラクタダイオードの容量値との関係、及び同調回路の同調周波数とキャパシタの容量値との関係を示す特性図である。
【図３】同調回路の同調周波数とバラクタダイオードのインピーダンスとの関係、及び同調回路の同調周波数とキャパシタのインピーダンスとの関係を示す特性図である。
【図４】ＵＨＦ帯域の低域側受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図５】ＵＨＦ帯域の中間域受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図６】ＵＨＦ帯域の高域側受信時における同調回路の特性シミュレーション結果を示す特性図である。
【図７】本実施の形態に係る同調回路、第１比較例、第２比較例のトラップ位置の周波数特性を示す特性図である。
【図８】本実施の形態に係る同調回路、第１比較例、第２比較例のイメージ周波数の減衰特性を示す特性図である。
【図９】イメージトラップ回路が形成配置された同調回路の構成例を示す回路図である。
【図１０】ＶＨＦ帯ハイバンドのテレビジョン信号を受信する場合の同調回路の等価回路図である。
【図１１】ＶＨＦ帯ローバンドのテレビジョン信号を受信する場合の同調回路の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は一実施の形態に係るテレビジョンチューナの同調回路を示す回路図である。本実施の形態に係る同調回路１は、複数のインダクタ、キャパシタなどを含み、希望チャンネルの信号周波数に同調可能に構成されている。本実施の形態において、同調回路１は、テレビジョン信号を受信するアンテナ２から出力されるテレビジョン信号（ＲＦ信号）を増幅するＲＦ増幅回路３の前段に配置されている。ここでは、ＵＨＦ帯域（３００ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚ、代表的には４７０ＭＨｚ〜７７０ＭＨｚ）のテレビジョン信号に同調可能な同調回路１を示すが、同調回路１の対象となる信号はテレビジョン信号に限られず、同調回路１の対象となる周波数帯域はＵＨＦ帯域に限られない。
【００１８】
同調回路１は、一端がアンテナ２の給電ポイント側となる入力端Ｐ１にキャパシタＣ４を介して接続されたインダクタＬ１と、一端がインダクタＬ１の他端に接続され、他端が接地（グランドに接続）されたインダクタＬ２と、一端がインダクタＬ１の他端に接続されたインダクタＬ３と、インダクタＬ３の他端を接地するインダクタＬ４と、アノードがインダクタＬ３の他端に接続され、カソードがキャパシタＣ２を介して高周波的に接地された可変容量素子であるバラクタダイオードＣｄｉ１とを有する。インダクタＬ３の他端とバラクタダイオードＣｄｉ１のアノードとの接続点には可変容量素子であるバラクタダイオードＣｄｉ２のアノードが接続されている。バラクタダイオードＣｄｉ２のカソードはキャパシタＣ５を介して出力端Ｐ２に接続されている。
【００１９】
バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードは抵抗Ｒ１を介して端子Ｔ１と接続され、もう一方のバラクタダイオードＣｄｉ２のカソードは抵抗Ｒ２を介して端子Ｔ１と接続されている。バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値が端子Ｔ１に印加される同調電圧Ｖｔｕに応じて変化することで同調周波数を選択可能になっている。
【００２０】
同調回路１は、インダクタＬ１の一端とキャパシタＣ５の他端との間を接続するキャパシタＣ１を有する。キャパシタＣ１は、他の構成要素（Ｌ１，Ｌ３，Ｃｄｉ２，Ｃ５等）と共にトラップ回路を構成する。
【００２１】
同調回路１は、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードと、インダクタＬ２の中点とをキャパシタＣ３を介して結合している。より具体的には、キャパシタＣ３は、インダクタＬ２を２つのインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂに分割する中点（ノードＡ）、及び、バラクタダイオードＣｄｉ１とキャパシタＣ２との接続点（ノードＢ）に接続されている。キャパシタＣ３は、同調回路１においてイメージトラップ回路を構成するＣ１と並列に接続されており、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスに応じて、信号ライン側／ＧＮＤ側との結合度が変化する。高域側では、キャパシタＣ３の信号ライン側への結合度が疎結合となり、低域側ではキャパシタＣ３の信号ライン側への結合度が密結合となる。なお、インダクタＬ２の中点は、単にインダクタＬ２を２つに分ける分割点を意味するにすぎない。つまり、中点は、インダクタンスを２等分する点でなくとも良い。また、２つのインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂは、それぞれ独立した別体のインダクタであっても良い。
【００２２】
このような同調回路１をＵＨＦ帯域の高域側に同調させる場合、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードには端子Ｔ１を通じて高電圧を印加する。その結果、バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値は小さくなり同調回路１の共振周波数（同調周波数）が大きくなるため、同調回路１はＵＨＦ帯域の高域側に同調される。同調回路１をＵＨＦ帯域の低域側に同調させる場合、バラクタダイオードＣｄｉ１のカソードには端子Ｔ１を通じて低電圧を印加する。その結果、バラクタダイオードＣｄｉ１の容量値は大きくなり同調回路１の共振周波数（同調周波数）が小さくなるため、同調回路１はＵＨＦ帯域の低域側に同調される。
【００２３】
ここで、ＵＨＦ帯（受信帯域）におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２の容量変化について説明する。図２は、同調回路１におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２の容量変化を示す図である。横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸は容量値（ｐＦ）を示している。図２に示されるように、キャパシタＣ２は、ＵＨＦ帯の全域において固定容量であるが、バラクタダイオードＣｄｉ１は低域受信時には容量値が大きく、高域受信時には容量値が小さくなるように制御される。
【００２４】
また、ＵＨＦ帯（受信帯域）におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性について説明する。図３は、同調回路１におけるバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性図である。図３において、横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はインピーダンス値（Ω）を示している。図３に示されるように、バラクタダイオードＣｄｉ１は、ＵＨＦ帯の高域側においてインピーダンスが大きく、低域側においてインピーダンスは小さくなる特性がある。一方、キャパシタＣ２は、ＵＨＦ帯の低域側から高域側に向けて僅かにインピーダンスが小さくなる傾向がみられる。
【００２５】
主にインダクタＬ１、Ｌ３、バラクタダイオードＣｄｉ２、キャパシタＣ１等によって形成されるイメージトラップ回路に対して、キャパシタＣ３はバラクタダイオードＣｄｉ１を介して並列に接続される付加容量となる。上記したバラクタダイオードＣｄｉ１及びキャパシタＣ２のインピーダンスの周波数特性から、キャパシタＣ３とイメージトラップ回路(信号ライン)との結合状態は受信周波数に応じて変化する。
【００２６】
すなわち、バラクタダイオードＣｄｉ１の端子間容量が大きい低域側では、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスは小さくなるため、イメージトラップ回路の信号ラインに対するキャパシタＣ３の結合状態は密結合状態になる。その結果、イメージトラップ回路に対する付加容量としてのキャパシタＣ３の影響は大きくなり、トラップ周波数を低域側へシフトするように作用する。
【００２７】
一方、バラクタダイオードＣｄｉ１の端子間容量が小さい高域側では、低域側に同調させる場合と比較してバラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンスが大きくなるため、イメージトラップ回路の信号ラインに対するキャパシタＣ３の結合状態は疎結合状態になる。その結果、イメージトラップ回路へのキャパシタＣ３の影響は小さくなり、トラップ周波数を高域側へシフトするように作用する。
【００２８】
また、高域側では、低域側に同調させる場合と比較してキャパシタＣ２のインピーダンスが小さくなるため（図３）、キャパシタＣ２を介した接地作用が強くなる。これにより、キャパシタＣ２とインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂとによる直並列型の共振回路が形成されるため、その直列共振特性による減衰作用によってトラップ周波数における減衰量が増大する。
【００２９】
このように、本実施の形態によれば、インダクタＬ２の中点とバラクタダイオードＣｄｉ１のカソードとの間にキャパシタＣ３を接続することで、高域側ではバラクタダイオードＣｄｉ１を介したキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を低下させて疎結合状態にしてトラップ周波数を高域側へシフトでき、かつ、ＧＮＤ側に配置されるキャパシタＣ２のインピーダンスが小さくなるため、トラップ周波数の減衰量を増大させることが可能になる。また、低域側ではバラクタダイオードＣｄｉ１を介したキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を高くして密結合状態にしてトラップ周波数を低域側へシフトできる。
【００３０】
図４は、ＵＨＦ帯域の低域側受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。図４において、横軸は同調周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸は減衰量（ｄＢ）を示している。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、３６７．２５ＭＨｚのチャンネル受信時の周波数特性をシミュレーションしている。トラップ位置が低域側にシフトしたことにより、低域側受信周波数３６７．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、近接位置にトラップが形成されている。
【００３１】
図５は、ＵＨＦ帯域の中間域受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、５９９．２５ＭＨｚのチャンネル受信時をシミュレーションしている。受信周波数５９９．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、同一位置にトラップが形成されている。
【００３２】
図６は、ＵＨＦ帯域の高域側受信時における同調回路１の特性シミュレーション結果を示す特性図である。インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとして、８５５．２５ＭＨｚのチャンネル受信時の周波数特性をシミュレーションしている。トラップ位置が高域側にシフトしたことにより、高域側受信周波数８５５．２５ＭＨｚから７９ＭＨｚだけ高域側に現れるイメージ周波数に対して、同一位置にトラップが形成されている。また、トラップ位置から高域側へ僅かにずれた位置で直列共振特性による減衰極が表れている。
【００３３】
図４〜６に示されるように、本実施の形態に係る同調回路１は、受信チャンネルから７９ＭＨｚ離れたイメージ周波数における減衰量を十分に確保可能である。これは、上述した原理によってイメージトラップ回路のトラップ周波数が受信周波数帯域に応じて可変であると共に、直並列型の共振回路によってトラップ周波数における減衰量を十分に大きくできるためである。
【００３４】
次に、本実施の形態に係る同調回路１のトラップ位置の周波数特性と、イメージ周波数の減衰特性について、第１及び第２比較例との対比で説明する。第１比較例は、本実施の形態に係る同調回路１の回路構成からインダクタＬ１及びキャパシタＣ３を削除した構成である。第２比較例は、本実施の形態に係る同調回路１の回路構成からキャパシタＣ３を削除した構成である。なお、インダクタＬ１のインダクタンスは５．１ｎＨ、キャパシタＣ１の容量値は０．８ｐＦ、キャパシタＣ３の容量値は２．４ｐＦとした。
【００３５】
図７は、本実施の形態に係る同調回路１、第１比較例、第２比較例のトラップ位置の周波数特性を示す特性図である。図７において、横軸は受信周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はトラップ周波数（受信周波数からの位置）を示している。図７において、縦軸７９ＭＨｚ付近における点線は、イメージ周波数位置を示している。図８は、本実施の形態に係る同調回路１、第１比較例、第２比較例のイメージ周波数の減衰特性を示す特性図である。図８において、横軸は受信周波数（ＭＨｚ）を示しており、縦軸はイメージ周波数における減衰量（ｄＢ）を示している。
【００３６】
図７に示されるように、ＵＨＦ帯域の低域側においては、第１比較例はトラップ周波数がイメージ周波数から高域側へ大きくずれている。また、第２比較例は第１比較例よりもトラップ周波数がイメージ周波数方向へシフトしているが、本実施の形態に係る同調回路１は第２比較例よりもさらにトラップ周波数が低域側へシフトしてイメージ周波数に近接している。また、ＵＨＦ帯域の高域側においては、第１及び第２比較例はトラップ周波数がイメージ周波数から低域側へ大きくずれているが、本実施の形態に係る同調回路１はトラップ周波数がイメージ周波数に一致している。
【００３７】
本実施の形態に係る同調回路１は、図７に示されるようにＵＨＦ帯域の全域において、イメージトラップ回路のトラップ周波数がイメージ周波数から大きくずれていない。これは、バラクタダイオードＣｄｉ１のインピーダンス値に応じてキャパシタＣ３の信号ラインへの結合度を変化させたことによるものである。
【００３８】
また、図８に示されるように、ＵＨＦ帯域の高域側において、本実施の形態に係る同調回路１は、−４３ｄＢ程度の極めて優れた減衰特性を実現している。これは、同調回路１のキャパシタＣ２とインダクタＬ２ａ、Ｌ２ｂとによる直並列型の共振回路を形成することで、トラップ周波数における減衰量を十分に大きくできるためである。
【００３９】
以上のように、本発明に係る同調回路は、第３キャパシタが第１可変容量素子のカソードに接続されることで、第１可変容量素子のインピーダンス値に応じて第３キャパシタの信号ラインとの結合度を疎結合又は密結合に変化させることができるようになっている。これにより、イメージトラップ回路のトラップ周波数を受信周波数帯域に応じて変化させることができる。また、第２キャパシタと第２インダクタとによる直並列型の共振回路によって、特に高域側受信時のトラップ周波数における減衰量を増大させることができる。このように、本発明により、広い周波数帯域において良好な減衰特性を示すイメージトラップ回路を備えた同調回路を提供することができる。
【００４０】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。例えば、同調回路を構成する各回路要素間には、同調回路の機能を阻害しない範囲において他の回路要素を設けることができる。また、同調回路を構成する各回路要素は、同調回路が機能を発揮できる範囲において省略可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の同調回路は、例えば、テレビジョンチューナの同調回路などに有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 同調回路
２ アンテナ
３ ＲＦ増幅回路
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ３、Ｌ４ インダクタ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５ キャパシタ
Ｃｄｉ１、Ｃｄｉ２ バラクタダイオード
Ｒ１、Ｒ２ 抵抗
Ｔ１ 端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が入力端に接続された第１インダクタと、
一端が前記第１インダクタの他端に接続され、他端がグランドに接続された第２インダクタと、
一端が前記第１インダクタの他端に接続された第３インダクタと、
一端が前記第３インダクタの他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子と、
一端が前記入力端に接続され、他端が前記第３インダクタの他端に接続された第１キャパシタと、
前記第１可変容量素子の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタと、
前記第２インダクタを２つのインダクタに分割する中点と、前記第１可変容量素子及び前記第２キャパシタの接続点との間に接続された第３キャパシタと、
を具備したことを特徴とする同調回路。
【請求項２】
前記第１可変容量素子の一端と前記第３インダクタの他端との接続点と、前記第１キャパシタの他端との間に接続された第２可変容量素子を備えたことを特徴とする請求項１に記載の同調回路。
【請求項３】
ＵＨＦ帯域のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナの入力同調回路であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の同調回路。
【請求項１】
一端が入力端に接続された第１インダクタと、
一端が前記第１インダクタの他端に接続され、他端がグランドに接続された第２インダクタと、
一端が前記第１インダクタの他端に接続された第３インダクタと、
一端が前記第３インダクタの他端に接続され、希望同調周波数に応じて容量が切り替えられる第１可変容量素子と、
一端が前記入力端に接続され、他端が前記第３インダクタの他端に接続された第１キャパシタと、
前記第１可変容量素子の他端とグランドとの間に接続された第２キャパシタと、
前記第２インダクタを２つのインダクタに分割する中点と、前記第１可変容量素子及び前記第２キャパシタの接続点との間に接続された第３キャパシタと、
を具備したことを特徴とする同調回路。
【請求項２】
前記第１可変容量素子の一端と前記第３インダクタの他端との接続点と、前記第１キャパシタの他端との間に接続された第２可変容量素子を備えたことを特徴とする請求項１に記載の同調回路。
【請求項３】
ＵＨＦ帯域のテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナの入力同調回路であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の同調回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２４４２１６（Ｐ２０１２−２４４２１６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０９１８１（Ｐ２０１１−１０９１８１）
【出願日】平成２３年５月１６日（２０１１．５．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１６日（２０１１．５．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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