説明

含フッ素オレフィン化合物の製造方法

【課題】 特定の願フッ素化合物の、工業的に入手可能な原料を用い、短工程で、且つ、収率良く温和な条件での製造を可能にする方法を提供する。
【解決手段】 下式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物と亜鉛の接触により得られる反応液に、ハロゲン化銅を接触させて、下式(2)で示されるオレフィン化合物を得る製造方法において、前記反応液の、300nmにおける吸光度が0.2以下であることを特徴とするオレフィン化合物の製造方法。
RfCHXY ・・・式(1)
RfCH=CHRf ・・・式(2)
(式(1)及び式(2)中、Rfは炭素数1〜3であるパーフルオロアルキル基、又は含水素フルオロアルキル基であり、X及びYは塩素、臭素、ヨウ素から選択されるハロゲン原子で、X、Yはそれぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造分野において有用なエッチング、CVD等のプラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーの原料であるモノマー、あるいは、含フッ素医薬中間体、ハイドロフルオロカーボン系溶剤の原料として有用な含フッ素オレフィン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
含フッ素オレフィン化合物、RfCH=CHRfとしては炭素数4の化合物1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンが良く知られており、幾つかの製造方法が開示されている。
特許文献1ではブタン、ブテン、ブタジエンなどの炭素数4の炭化水素を原料に、気相中で塩素、及びフッ化水素を同時に供給しながら触媒存在下に反応させて、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを得ている。また、特許文献2においてはクロロフルオロブタンを非プロトン性極性溶媒中に、アルカリ金属フッ化物と反応させることにより、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを製造する方法が開示されている。さらに、特許文献3においては冷媒、発泡剤用途で専ら使用されている、2,2−ジクロロ−1,1,1−トリフルオロエタン(HCFC−123)を銅粉と高温下に接触させて1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを得ている。
【0003】
【特許文献1】特開平6−228023号公報
【特許文献2】特開平6−256236号公報
【特許文献3】WO94/12454号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は従来技術の問題点に鑑み、特定の含フッ素化合物の、工業的に入手可能な原料を用い、短工程で、且つ、収率良く温和な条件での製造を可能にする方法を提供することにある。前述の特許文献1に記載の方法においては、ブタン、ブテン、ブタジエンと言った工業的に安価な原料を用いることができるという長所を有するものの、目的物である1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの選択率は20%台と非常に低く、それ以外の生成物としてクロロフルオロブテン類が生成する欠点を有している。特許文献2においては、クロロフルオロブタンをフッ化カリウムのような金属フッ化物と接触させて加熱することにより1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを得ることができるものの、出発原料であるクロロフルオロブタン類は毒性の非常に高いポリクロロブタジエンから製造する必要があり、工業的製造方法とは言い難い。特許文献3においては安価なHCFC−123を原料にして一工程で1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンが得られるものの、HCFC−123はオゾン層破壊物質であるためにその使用が制限されてきており、いずれは全廃になる化合物である。また、本反応は沸点の低いHCFC−123を銅粉と接触させて製造する際、高温下で反応させる必要があるために高圧下の反応となり、耐圧性のある反応器を必要とするので工業的には制約がある。
したがって、本発明者らはさまざまな用途で有用であると考えられる含フッ素オレフィン類、RfCH=CHRfを工業的規模で短工程、且つ、収率良く温和な条件下で製造可能な方法を見出す必要に迫られた。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明者らは上記課題を解決するために、化学式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物と亜鉛の接触により得られる反応液に、ハロゲン化銅を接触させて、化学式(2)で示されるオレフィン化合物を得る製造方法を検討した。ところが、化学式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物に亜鉛を接触させて得られる反応液に、そのままハロゲン化銅を接触させると反応液が真っ黒に変色し、目的とする含フッ素オレフィン化合物が殆ど得られない問題のあることを確認した。
かかる知見に基づき、化学式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物に亜鉛を接触させて得られる反応液をろ過精製した後に、これにハロゲン化銅を接触させると、収率良く化学式(3)で示される化合物を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【発明を実施するための最良の形態】
【0006】
かくして本発明によれば、下式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物と亜鉛の接触により得られる反応液に、ハロゲン化銅を接触させて、下式(2)で示されるオレフィン化合物を得る製造方法において、前記反応液の、300nmにおける吸光度が0.2以下であることを特徴とするオレフィン化合物の製造方法が提供される。
RfCHXY ・・・式(1)
RfCH=CHRf ・・・式(2)
(式(1)及び式(2)中、Rfは炭素数1〜3であるパーフルオロアルキル基、又は含水素フルオロアルキル基であり、X及びYは塩素、臭素、ヨウ素から選択されるハロゲン原子で、X、Yはそれぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。)
前記式(1)及び(2)中、Rfがトリフルオロメチル基、X=Br、Y=Clであることが好ましい。
また、前記式(2)で表される化合物がヘキサフルオロ−2−ブテンであることが好ましい。
更に、ハロゲン化銅が臭化銅(I)であることが好ましい。
【0007】
原料として用いる含フッ素ハロゲン化合物は、式1に示すように、Xに塩素、臭素、ヨウ素原子を有する含フッ素炭化水素が使用される。例えば、ジクロロトリフルオロエタン、ブロモクロロトリフルオロエタン、ヨードクロロトリフルオロエタン、ヨードブロモトリフルオロエタンなどの炭素数2の化合物、ジクロロペンタフルオロプロパン、ブロモクロロペンタフルオロプロパン、ヨードクロロペンタフルオロプロパン、ヨードブロモペンタフルオロプロパンなどの炭素数3の化合物;ジクロロヘプタフルオロブタン、ブロモクロロヘプタフルオロブタンなどの炭素数4の化合物;が挙げられる。これらの中でも、ジクロロトリフルオロエタン、ブロモクロロトリフルオロエタン、ヨードクロロトリフルオロエタン、ヨードブロモトリフルオロエタンなどの炭素数2の化合物が好ましく、ジクロロトリフルオロエタン、ブロモクロロトリフルオロエタンがより好ましい。
上記に示した含フッ素ハロゲン化炭化水素化合物として、例えば、ブロモクロロトリフルオロエタンは、麻酔剤として使用、認知されている化合物であり、試薬として入手することが可能である。また、トリクロロエチレンをフッ化水素処理して合成されるトリフルオロクロロエタンを臭素で処理して製造することも可能である。
ジクロロトリフルオロエタンは冷媒、発泡剤として使用されている化合物であり、容易に入手可能であるが、テトラクロロエチレンのフッ化水素によるフッ素化法で製造することも可能である。
【0008】
式(2)で示される含フッ素オレフィン化合物としては、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン、1,1,1,2,2,5,5,6,6,6−デカフルオロ−3−ヘキセン、1,1,1,2,2,3,3,6,6,7,7,8,8,8−テトラデカフルオロ−4−オクテンが挙げられ、これらの中でも1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンがより好ましい。
【0009】
式(2)で示される化合物を調製する際に使用する亜鉛は原料となる、式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物に対し、1〜3当量が好ましく、1.2〜2当量がより好ましい。また、亜鉛は使用する前に希塩酸等で処理しておいたものを使用しても構わない。式(1)で示されるフッ素ハロゲン化合物と亜鉛を接触させる際は、溶媒中に亜鉛を懸濁させておき、そこに原料となる含フッ素ハロゲン化合物を滴下して接触させる。
亜鉛の酸化的付加反応を促進するために、少量のヨウ素や、ジブロモエタン等の活性化剤を添加しても構わない。
【0010】
本反応は発熱反応であるために、接触させる際の温度は−30℃〜30℃が好ましく、−10℃〜20℃がより好ましい。使用する溶媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、t−ブチルエチルエーテルなどのエーテル系溶媒;エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテルなどのグライム系溶媒;を使用することができるが、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテルなどのグライム系溶媒がより好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテルが最も好ましい。また、これらの溶媒は脱水、乾燥させたものを使用する方が好適である。
【0011】
式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物と亜鉛の接触により得られる反応液は、300nmにおける吸光度が通常1以上ある。そこで、反応液をろ過するなどの精製手段を使い、当該吸光度を0.2以下にしてから、ハロゲン化銅を接触させる。
ろ過工程を挟むことによって、未反応の亜鉛や副反応で生成する塩化亜鉛、臭化亜鉛等の不純物を除去でき、300nmにおける吸光度を小さくすることができる。
ここで吸光度は、実施例に記載の方法で測定される値である。
【0012】
ろ過方法に格別な制限はなく、自然ろ過、加圧ろ過、減圧ろ過などいずれを採用することもできるが、生産性の観点から加圧ろ過が好適である。ろ過に用いるフィルタに格別な制限はなく、例えばテフロン製のフィルタが採用される。フィルタの孔径は、ろ過効率の観点から、1μm以下、好ましくは0.1〜0.5μmである。加圧の方法は窒素、アルゴン等の不活性ガスを使用し、0.05〜1MPaの圧力で、より好ましくは0.1〜0.5MPaの圧力で加圧するのが好ましい。
【0013】
ろ過によって得られたろ液は、有機溶媒中にハロゲン化銅を懸濁又は溶解させた懸濁液又は溶液中に送られ、酸化的カップリング反応を行う。ハロゲン化銅としては、塩化銅(I)、塩化銅(II)、臭化銅(I)、臭化銅(II)、ヨウ化銅(I)、ヨウ化銅(II)、CuLiClなどを使用することができる。これらの中でも、塩化銅(II)、臭化銅(I)がより好ましく、臭化銅(I)がより好ましい。使用するハロゲン化銅の量は化学式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物に対し、0.5当量以上使用するのが好ましい。0.5当量以下で反応を行うと、塩素、臭素を含んだカップリング体で反応が停止してしまい、目的とするオレフィン体の収率低下を招く。
【0014】
また、カップリング反応を促進するために、上記ハロゲン化銅に加えて、臭化リチウムや塩化リチウム等のハロゲン化リチウムを更に添加しても構わない。
ハロゲン化銅を懸濁又は溶解させるための有機溶媒やカップリング反応を行う際に使用される溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、t−ブチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒が挙げられ、これらの中でもテトラヒドロフランが最も好ましい。
カップリングさせる際の温度は、−20℃〜50℃が好ましく、−10℃〜20℃がより好ましい。
【0015】
生成物の取り出しは反応器内の内容物を従来の方法に従って、抽出、蒸留精製する方法を採用することができるが、目的物であるオレフィン化合物が低沸点の場合は、反応器から留出するオレフィン化合物を冷媒にて冷却したトラップ内に捕集して回収しても構わない。この際、反応器に上に予め蒸留塔を設置して、反応蒸留を行っても良い。得られたオレフィン化合物はさらに純度を向上させるために再度精留塔の精製を行っても良い。
【0016】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例によってその範囲を限定されるものではない。なお、特に断りがない限り、「部」及び「%」は、それぞれ「重量部」及び「重量%」を表す。
【0017】
以下において採用した分析条件は下記の通りである。
(1)ガスクロマトグラフィー分析(GC分析)
装置:GC−2010(島津製作所社製)
カラム:Neutrabond−1(GLサイエンス社製)
60m×I.D0.25μm、1.5μmdf
カラム温度:40℃(10分)→[40℃/分で昇温]→250℃(14.7分)
インジェクション温度:150℃
キャリヤーガス:窒素ガス
検出器:水素炎イオン化検出器(FID)
【0018】
(2)ガスクロマトグラフ質量分析(GC−MS分析)
GC部分:HP−6890(アジレント社製)
カラム:Neutrabond−1(GLサイエンス社製)
60m×I.D0.25μm、1.5μmdf
カラム温度:40℃(10分)→[20℃/分で昇温]→240℃(10分)
インジェクション温度:200℃
キャリヤーガス:窒素ガス
検出器:水素炎イオン化検出器(FID)
MS部分:5973 NETWORK(アジレント社製)
検出器:EI型
加速電圧70eV
【0019】
(3)NMR分析
装置:19F−NMR JNM−ECA−500(日本電子社製)
(4)IR分析
装置:IR−8700(島津製作所製)
光路長10cmセル(NaCl)
(5)吸光度
ろ液を、スクリューキャップ付きセル(光路長:1mm、光路幅:10mm、高さ:58mm、材質:石英、GLサイセンス社製)に素早く入れ、UVスペクトルは波長190nm〜900nmの範囲で測定した。波長300nmにおける吸光度を以下の表に示す。
尚、同様のろ過操作を行った乾燥ジエチレングリコールジメチルエーテルを対象サンプルとした。
[実施例1]
滴下ロートを備えた底バルブ付きガラス反応器をよく乾燥させ、窒素雰囲気下に置いた。この反応器に粉末状亜鉛74部、乾燥させたジエチレングリコールジメチルエーテル470部を仕込み、攪拌させて懸濁状態にした。反応器を0℃に冷却し、ヨウ素7部を添加した。滴下ロートから2−ブロモ−2−クロロ−1,1,1−トリフルオロエタン197部をゆっくりと5時間かけて滴下した。反応はバス温を0℃に維持しながら継続した。滴下終了後に原料の消失をガスクロマトグラフィーにて確認し、底バルブから反応液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルターを付けたステンレスホルダー(アドバッテック社製、製品名「KST−47型」)に移送した。このステンレスホルダーに乾燥窒素0.4MPaの圧力をかけてろ過を開始した。ろ液はテフロン(登録商標)PFA製チューブを介して、臭化銅73部を乾燥テトラヒドロフランに懸濁させた、別の精留塔を具備したガラス製反応器内に8時間かけて添加した。その際、反応器内は窒素雰囲気下に置き、反応は0℃に保持して行った。尚、ろ液の一部について、300nmの吸光度を測定したところ、吸光度は0.1961であった。
その後、反応器を100℃まで徐々に加温し、精留塔の登頂部が約8℃になった時点で、留分の抜き出しを行った。留分はドライアイス−エタノール浴に浸した受器に捕集した。内容物をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、目的物である、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンが112部(収率68%)得られた。
【0020】
1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンのスペクトルデータ
19F−NMR(CFCl,CDCl)δ−66.47(s,3F×2)
H−NMR(TMS,CDCl)δ6.40(s、CH=)、IR(gas)1323、1266、1175cm−1
13C−NMR(TMS、CDCl)GC−MS(EI−MS):m/z 164、145、93、69
【0021】
[実施例2]
ハロゲン化銅を0.1mol/L CuLiClテトラヒドロフラン溶液500mlに変更した以外は実施例1と同様に反応を行った。その結果、目的物である、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンが87部(収率54%)で得られた。
【0022】
[実施例3]
ハロゲン化銅を塩化銅(II)67部、塩化リチウム21部の混合物に変更した以外は実施例1と同様に反応を行った。その結果、目的物である、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンが68部(収率42%)で得られた。
【0023】
[実施例4]
PTFEメンブレンフィルターとして孔径が0.45μmのものを用いた以外は実施例1と同様にして1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを得た。ろ液の吸光度は0.1965であり、得られた1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの量は97部(収率59%)であった。
【0024】
[比較例1]
亜鉛付加反応後のろ過操作を省略して臭化銅の懸濁液に直接添加して反応を行った以外は実施例1と同様に反応を行ったところ、反応液は真っ黒になり、目的物である、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンは全く得られなかった。
【0025】
[比較例2]
PTFEメンブレンフィルターとして孔径が0.8μmのものを用いた以外は実施例1と同様にして1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを得た。ろ液の吸光度は0.3401であり、得られた1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの量は13部(収率8%)であった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下式(1)で示される含フッ素ハロゲン化合物と亜鉛の接触により得られる反応液に、ハロゲン化銅を接触させて、下式(2)で示されるオレフィン化合物を得る製造方法において、前記反応液の、300nmにおける吸光度が0.2以下であることを特徴とするオレフィン化合物の製造方法。
RfCHXY ・・・式(1)
RfCH=CHRf ・・・式(2)
(式(1)及び式(2)中、Rfは炭素数1〜3であるパーフルオロアルキル基、又は含水素フルオロアルキル基であり、X及びYは塩素、臭素、ヨウ素から選択されるハロゲン原子で、X、Yはそれぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。)
【請求項2】
Rfがトリフルオロメチル基、X=Br、Y=Clである化合物を原料に用いることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項3】
化学式(2)で表される化合物がヘキサフルオロ−2−ブテンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
【請求項4】
ハロゲン化銅が臭化銅(I)であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。

【公開番号】特開2010−1244(P2010−1244A)
【公開日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−161423(P2008−161423)
【出願日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.テフロン
【出願人】(000229117)日本ゼオン株式会社 (1,870)
【Fターム(参考)】