回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】回路基板１は、第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。（Ｂ）および（Ｃ）が（Ａ）よりも大きく、（Ａ）と、（Ｂ）との差、（Ａ）と（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
【解決手段】回路基板１は、第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。（Ｂ）および（Ｃ）が（Ａ）よりも大きく、（Ａ）と、（Ｂ）との差、（Ａ）と（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップ等を搭載する基板としては、様々なものが提案されている。たとえば、インターポーザ基板等が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３２１９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、大きな回路基板を形成した後、複数の半導体チップをのせ、その後回路基板をダイシングして、個々の半導体装置を得るという製造方法が実施されている。このような製造方法において、回路基板の反りの発生が大きな課題となっている。特に、回路基板上に半導体チップを搭載する際には、回路基板および半導体チップを加熱し、回路基板に設けられた半田層と、半導体チップの金属層とを半田接合する。その後冷却する。このとき、回路基板に反りが生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
導電体が貫通する第一絶縁層と、
前記第一絶縁層の一方の側に設けられ、前記導電体に接続された第一回路層と、
前記第一回路層を被覆するとともに、前記第一回路層の一部上に開口が形成された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の他方側に設けられ、前記導電体に接続された第二回路層と、
第二回路層を被覆する第三絶縁層と、
前記第二絶縁層の開口内に設けられ、前記第一回路層上に設けられた半田層と、
を備え、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板、が提供される。
【０００６】
この発明によれば、第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）を３０ｐｐｍ／℃以下とすることで、第一絶縁層に発生する反りを抑制することができる。
さらに、第一絶縁層を挟むように、第一絶縁層よりも所定量だけ平均線膨張係数が大きく、かつ、互いに平均線膨張係数が等しい第二絶縁層および第三絶縁層を設けることで、回路基板の反りの発生を確実に抑制できる。
また、本発明によれば、上述した回路基板を分割して得られた回路基板部と、
この回路基板部上に積層され、前記回路基板部の基板面側からみて前記回路基板部と略同じサイズである半導体チップとを有し、
前記回路基板部の側面と、前記半導体チップの側面とがつらいちである半導体装置も提供できる。
さらに、本発明によれば、
内部に導電体が貫通するとともに、一方の面側に前記導電体に接続された第一回路層が設けられ、他方の面側に前記導電体に接続された第二回路層が設けられた第一絶縁層を用意する工程と、
前記第一回路層を被覆する第二絶縁層を設ける工程と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層を設ける工程と、
前記第二絶縁層に前記第一回路層の一部が露出する開口を形成する工程と、
前記開口内に、半田層を設ける工程と、
を含み、
第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板の製造方法も提供できる。
また、本発明によれば、上述した回路基板の製造方法において、
前記第二絶縁層を被覆するとともに、前記半田層上にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を設ける工程を含む回路基板の製造方法も提供できる。
さらには、上述した回路基板の製造方法を含み、
前記フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、
前記回路基板を分割して、前記半導体チップと、分割した前記回路基板とを備える複数の半導体装置を得る工程とを含む半導体装置の製造方法も提供できる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、反りの発生を抑制できる回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第一の実施形態にかかる回路基板の断面図である。
【図２】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】回路基板上に半導体チップを搭載する工程を示す図である。
【図７】半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第一の実施形態）
以下、本発明の第一の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の回路基板１の概要について説明する。
回路基板１は、導電体２０が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体２０に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部上に開口が形成された第二絶縁層２３と、第一絶縁層２１の他方側に設けられ、導電体２０に接続された第二回路層２４と、第二回路層２４を被覆する第三絶縁層２５と、第二絶縁層２３の開口内に設けられた半田層２６とを備える。
第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。
第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層２１の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
ここで、平均線膨張係数は、以下のようにして測定できる。
各絶縁層から５ｍｍ角のサンプルを切り出し、ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント（株）製）を用いて２５℃から５℃／分でサンプルを加熱しながら、サンプルの面内方向の変位量を計測する。そして、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数を算出する。
【００１０】
ここでいう回路基板１とは、図１のような第二絶縁層２３、第三絶縁層２５までを形成した形態の他、図５のように、後述するフラックス機能を有する樹脂層３を備える形態も含む。どちらの形態においても、半導体素子を搭載するアッセンブリーメーカーなどへの取引形態として供給することが出来る。以下、回路基板１とは、特に断りのない限り、どちらの形態も含むこととする。
【００１１】
次に、本実施形態の回路基板１について詳細に説明する。
（第一絶縁層２１）
第一絶縁層２１は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。
平均線膨張係数（Ａ）を３０ｐｐｍ／℃以下とすることで、回路基板１の反りの発生を抑制できる。
また、平均線膨張係数（Ａ）を３ｐｐｍ／℃以上とすることで、搭載される半導体チップ（半導体素子）５（図６参照）との線膨張係数差を小さくすることができ、半導体チップ５に力が加わってしまうことを抑制できる。
なお、５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）は、２０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることがより好ましい。
また、第一絶縁層２１は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向と直交する方向（厚み方向）の平均線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。このようにすることで、反りが抑制できるとともに、半導体装置６の温度サイクル試験に対する信頼性を向上させることができる。
【００１２】
絶縁層２１を構成する樹脂組成物としては、たとえば、（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）無機充填材を含むものがあげられる。
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でもビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂等のようなメチレン結合を有するノボラック型エポキシ樹脂が、耐熱性、難燃性の点で優れ、その中でもビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂が好ましい。
【００１３】
前記ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のビフェニルアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（III）で示すことができる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
前記式（III）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。
【００１６】
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜６５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
【００１７】
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５．０×１０2〜２．０×１０4が好ましく、特に８．０×１０2〜１．５×１０4が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると、タック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
【００１８】
また、前記樹脂組成物は、（ｃ）無機充填材を含むことが好ましい。これにより、回路基板１を薄く（厚さ０．４ｍｍ以下）しても十分な強度を得ることができる。さらに、回路基板１全体の低熱膨張化を向上することもできる。
【００１９】
（ｂ）硬化剤は、（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基と反応する化合物（たとえば、フェノール樹脂）、もしくはエポキシ基同士の反応を促進する硬化促進剤（たとえば、イミダゾール）を用いることができる。
【００２０】
前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。
【００２１】
前記硬化促進剤は、特に限定されないが、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ（１，２−ａ）ベンズイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。
【００２２】
（ｃ）無機充填材は、特に限定されないが、例えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。（ｃ）無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、溶融シリカ、タルク、焼成タルク、アルミナが好ましく、特に溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
（ｃ）無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜８０重量％が好ましく、特に３０〜７５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００２３】
第一絶縁層２１を構成する樹脂組成物は、さらにノボラック型エポキシ樹脂以外に熱硬化性樹脂（実質的にハロゲンを含まない）を併用することが好ましい。前記熱硬化性樹脂は、例えばユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
また、これらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、第一絶縁層２１の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに第一絶縁層２１の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等にも優れる。
【００２４】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加により耐熱性が向上し、また樹脂組成物の難燃性が向上する。特にノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することから、ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。
【００２５】
前記ノボラック型シアネート樹脂は、例えば、式（I）で示されるものを使用することができる。
【００２６】
【化２】
【００２７】
前記式（I）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低分子量成分が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、第一絶縁層２１の成形性が低下する場合がある。
【００２８】
前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜４２重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると熱膨張率が高くなってしまう場合があり、前記上限値を超えると耐湿性が低下する場合がある。
以上のような前記樹脂組成物を基材に含浸させたプリプレグで第一絶縁層２１を構成してもよい。
【００２９】
前記基材は、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度、吸水率を向上することができる。また、プリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。
なお、第一絶縁層２１として、以下のような樹脂フィルムを使用してよい。樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これら中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上することができる。
【００３０】
以上のような第一絶縁層２１の厚みは、たとえば、４０μｍ程度である。
また、第一絶縁層２１内部を、導電体２０が貫通している。導電体２０は、金属、たとえば、銅のビアであり、第一絶縁層２１の表裏面にそれぞれ設けられた第一回路層２２、第二回路層２４に接続されている。第一回路層２２、第二回路層２４は、ぞれぞれ、金属製の回路、たとえば、銅の回路である。
【００３１】
（第二絶縁層２３，第三絶縁層２５）
第二絶縁層２３は、第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部の上方に位置する部分に開口が形成されている。さらにこの開口内には、第一回路層２２に接続された金属層２７と、この金属層２７上に設けられた半田層２６とが配置されている。
金属層２７は、たとえば銅層２７１、ニッケル層２７２等の積層構造である。
第三絶縁層２５は、第二回路層２４を被覆するとともに、第二回路層２４の一部の上方に位置する部分に開口が形成されている。さらにこの開口内には、第二回路層２４に接続された金属層２８が形成されている。金属層２８は、たとえば、金めっき層である。
第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とは等しい。
このようにすることで、第一絶縁層２１を挟んで、平均線膨張係数が等しい、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５が対称に配置され、回路基板１の反りの発生が抑制されることとなる。
【００３２】
具体的には、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）がそれぞれ２０ｐｐｍ／℃以上、４０ｐｐｍ／℃以下、特に、２５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
４０ｐｐｍ／℃以下とすることで、回路基板１の反りの発生が抑制されることとなる。
一方、３０ｐｐｍ／℃以上とすることで、後述のように、フラックス活性樹脂層３が半田層上に第二絶縁層２３を被覆するように形成されている場合において、第１絶縁層２１とフラックス活性樹脂層３の層間でのひずみを抑制するという効果がある。
また、第二絶縁層２３，第三絶縁層２５は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向と直交する方向（厚み方向）の平均線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。このようにすることで、反りが抑制できるとともに、半導体装置６の温度サイクル試験に対する信頼性を向上させることができる。
【００３３】
さらに、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差を５ｐｐｍ／℃以上とすることで、第一絶縁層２１と、後述する半導体素子５と接合するための樹脂層３との層間でのひずみを抑制するという効果がある。半導体素子５と接合するための樹脂層３は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の線膨張係数が第一絶縁層２１よりも大きいため、前記差を５ｐｐｍ／℃以上とすることで、第一絶縁層２１と樹脂層３との層間でのひずみを抑制できる。
一方で、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差を３５ｐｐｍ／℃以下とすることで、反り抑制という効果がある。
なかでも、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が１０ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
【００３４】
また、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であり、第三絶縁層２５の厚み（Ｔ２）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
ここで、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）は同じであってもよいが、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）とが異なることが好ましい。第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）の比であるＴ１／Ｔ２は、１以上であることが好ましい。
Ｔ１／Ｔ２を１以上とすることで反り抑制という効果がある。
また、第一絶縁層２１の表裏上に設けられた第一回路層２２、第二回路層２４のパターンの違いや、第二絶縁層２３に形成された開口の割合、第三絶縁層２５に形成された開口の割合の違いにより、回路基板１に反りが生じることがある。
この反りの発生を抑制するために、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の厚みを異なるもの、特に、Ｔ１／Ｔ２を１以上、特に、異なる厚みとすることで、より、フラットな回路基板１を得ることができる。
また、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の厚みは、第一絶縁層２１よりも薄く、第一絶縁層２１の厚みの１／１０以上であることが好ましい。このようにすることで、反り抑制という効果がある。
【００３５】
以上のような第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、プリプレグではなく、樹脂組成物からなるものであることが好ましい。第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、同じ材料で構成することができ、たとえば、（ｄ）多官能シアネート樹脂、（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、（ｆ）下記一般式（１）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂、（ｇ）無機充填材を必須成分とする樹脂組成物で構成することができる。
【００３６】
【化３】
【００３７】
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｍは０〜５の整数である。）
このような樹脂組成物を使用することで、絶縁信頼性を高めることができる。また、樹脂層３との密着性も良好なものとすることができる。
【００３８】
前記（ｄ）多官能シアネート樹脂は、分子内に２個以上のシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂である。例えば、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、１,１'−ビス（４−シアナトフェニル）エタン、ビス（４−シアナト-３,５−ジメチルフェニル）メタン、１,３−ビス（４−シアナトフェニル−１−（１−メチルエチリデン））ベンゼン、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル、フェノールノボラック型シアネートエステル、ビス(４−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(４−シアナトフェニル)エーテル、１,１,１−トリス（４−シアナトフェニル）エタン、トリス(４−シアナトフェニル)ホスファイト、ビス(４−シアナトフェニル)スルホン、２,２-ビス(４−シアナトフェニル)プロパン、１,３-、１,４-、１,６-、１,８-、２,６-又は２,７-ジシアナトナフタレン、１,３,６-トリシアナトナフタレン、４,４'−ジシアナトビフェニル、およびフェノールのノボラック型、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネートエステル樹脂等が挙げられる。これらの中で、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂が難燃性、および低熱膨張性に優れ、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、およびジシクロペンタジエン型シアネートエステルが架橋密度の制御、および耐湿信頼性に優れている。本実施形態では、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂が低熱膨張のため好ましい。また、更に他のシアネートエステル樹脂を１種類あるいは２種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。
【００３９】
さらに前記（ｄ）多官能シアネート樹脂は、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、前記多官能シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なる多官能シアネート樹脂を併用したり、前記多官能シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
前記プレポリマーは、通常、前記多官能シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば３量化率が２０〜５０重量％のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。
【００４０】
前記（ｄ）多官能シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物の１０〜６０重量％が好ましく、特に２０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると低熱膨張性が低下したり、耐熱性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると絶縁樹脂層の強度が低下したり、機械強度が低下する場合がある。
【００４１】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、およびテトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシに比べ難燃性に優れ、シアネート樹脂との組合わせることでシアネート樹脂の弱点の脆弱性を改善することができる。従って、前記（ｄ）多官能シアネート樹脂と併用して用いることで、更にガラス転移温度が高くなるため鉛フリー対応の実装信頼性に優れる。
【００４２】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とホルムアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。
【００４３】
前記フェノール類化合物は、特に限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノール等のトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等のナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシン等の多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。
【００４４】
前記アルデヒド類化合物は、特に限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ-ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ-トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒド等が挙げられる。
【００４５】
前記縮合環芳香族炭化水素化合物は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレン等のナフタレン誘導体、メトキシアントラセン等のアントラセン誘導体、メトキシフェナントレン等のフェナントレン誘導体、その他テトラセン誘導体、クリセン誘導体、ピレン誘導体、誘導体トリフェニレン、およびテトラフェン誘導体などが挙げられる。
【００４６】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ、ブトキシナフタレ変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシなどが挙げられる。これらの中でも、下記式（２）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【化４】
【００４７】
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を、Ｒ４は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）
Ａｒは、以下の（３）に示す（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造のいずれかであることが好ましい。
【００４８】
【化５】
【００４９】
（式中Ｒ５は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）
なかでも、他の樹脂の相溶性の観点からＲ４がメチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基であり、ｐが１〜２であり、ｑが１〜２であり、Ａｒがナフタレンであるものが好ましい。
【００５０】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物の２０〜８０重量％が好ましく、特に３０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層の密着性が低下したり、機械強度が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下したり、得られる製品の信頼性が低下したりする場合がある。
【００５１】
上述した（ｆ）一般式（1）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂は、嵩高い構造を持っているため、溶剤溶解性や、配合する熱硬化性樹脂成分との相溶性に優れる。また、低粗度で均一な粗面を形成することができる。
式（１）において、相溶性、耐熱性の観点から、Ｒ１は水素または、メチル基であり、Ｒ２は、水素または、メチル基であり、Ｒ３は水素または、メチル基であり、ｍは１〜２であることが好ましい。
【００５２】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を触媒で高分子量化させる方法などの公知の方法で合成することができる。
【００５３】
前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
【００５４】
前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上の前述した樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
【００５５】
前記触媒は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の反応、または、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応により生成するアルコール性水酸基やカルボキシル基との反応を進めるような触媒能を持つ化合物であれば、特に限定限定されない。例えば、アルカリ金属化合物、有機リン化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩、環状アミン類、イミダゾール類等があげられる。アルカリ金属化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム、等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム、等のアルカリ金属塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、等のアルカリ金属アルコキシド、アルカリ金属フェノキシド、水素化ナトリウム、水素化リチウム、等、酢酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、等の有機酸のアルカリ金属塩が挙げられる。
【００５６】
これらの触媒は併用することができる。通常、触媒の使用量は反応固形分に対して０．００１〜１重量％である。触媒としてアルカリ金属化合物を使用する場合、フェノキシ樹脂中にアルカリ金属分が残留し、それを使用したプリント配線板の絶縁特性を悪化させる為、フェノキシ樹脂中のＬｉ，Ｎａ及びＫの含有量の合計は好ましくは５ｐｐｍ以下であり、より好ましくは４ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは３ｐｐｍ以下である。５ｐｐｍ以上では絶縁特性が悪くなり、好ましくない。また、有機リン化合物を触媒として使用した場合も、フェノキシ樹脂中に触媒残渣として残留し、プリント配線板の絶縁特性を悪化させるので、フェノキシ樹脂中のリンの含有量は好ましくは１５０ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１４０ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。１５０ｐｐｍを超えた場合には、絶縁特性が悪くなり、好ましくない。
【００５７】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂には、一般式（１）のビスフェノールアセトフェノン構造以外の構造が含まれていても良く、その構造は特に限定されないが、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の構造などが挙げられる。中でも、ビフェニル型の構造を含むものが、ガラス転移温度が高く好適である。
【００５８】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂中の一般式（１）のビスフェノールアセトフェノン構造の含有量は特に限定されないが、５モル％以上、９５モル％以下が好ましく、より好ましくは１０モル％以上、モル８５％以下であり、更に好ましくは１５モル％以上、７５モル％以下である。含有量が下限値に満たないと、耐熱性、耐湿信頼性を向上させる効果が得られない可能性がある。また、含有量が上限値を超えると、溶剤溶解性が悪くなるため、好ましくない。
【００５９】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０３〜１．０×１０５が好ましく、１．０×１０４〜７．０×１０４がさらに好ましく、２．０×１０４〜５．０×１０４が最も好ましい。重量平均分子量が上限値以上であると、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性が極めて悪くなるため好ましくなく、下限値以下であると、製膜性が悪くなることがある。
【００６０】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、（ｇ）充填材を除く樹脂組成物の５〜４０重量％が好ましく、特に１０〜２０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層の機械強度が低下する可能性があり、前記上限値を超えると絶縁樹脂層の熱膨張率が高くなり、耐熱性が低下したりする場合がある。
【００６１】
前記（ｇ）無機充填材は、特に限定されないが、前述した（ｃ）無機充填材と同様のものを使用できる。
前記（ｇ）無機充填材の含有量は、特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物１００重量部に対し、２０〜２５０重量部含有することが好ましい。さらに好ましくは５０〜１５０重量部とすることで、低熱膨張性、成形性、および低吸水性を付与する効果が発現できる。
【００６２】
また、前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、得られる絶縁樹脂層の機械強度の向上、耐湿信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
前記熱可塑性樹脂として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等の熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、およびメタクリル変性ポリブタジエン等のジエン系エラストマーを挙げることがきるが、本発明は何らこれらに限定さない。単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ樹脂が好ましい。これにより、メッキ密着性および機械強度が向上する。
前記樹脂組成物は、必要に応じて硬化剤、または硬化促進剤を含んでいてもよい。
【００６４】
（フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３）
図５のように、半田層２６上には、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３が、第二絶縁層２３を被覆するように形成されていても良い。
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、硬化後の室温における弾性率が０．５ＧＰａ以上、１５ＧＰａ以下であることが好ましい。なお、弾性率は、以下の方法で測定したものである。
幅４ｍｍ×長さ４５ｍｍ×厚み０．１ｍｍのフィルム状の試験片を１８０℃、１時間で硬化させて作製した後、周波数１０Ｈｚ、３℃／分の昇温速度で０℃〜３００℃の温度範囲で、動的粘弾性測定機（ＤＭＡ）にて引っ張りモードで計測し、２５℃における弾性率を算出した。
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、たとえば、１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂（ｈ）と、２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）と、フラックス機能を有する化合物（ｊ）と、成膜性樹脂（ｋ）と、を含むものであることが好ましい。
【００６５】
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられるが、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる、フェノールノボラッック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が好ましい。
前記フェノール系ノボラック樹脂の含有量は、特に限定されるわけではないが、樹脂層３中に３〜３０重量％含まれることが好ましく、５〜２５重量％含まれることが特に好ましい。前記フェノール系ノボラック樹脂の含有量を上記範囲とすることで、樹脂層３の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めること、さらに、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を効果的に低減することを両立することができる。
前記１核体から３核体の合計の含有量が３０％より小さい（４核体以上の合計の含有量が７０％以上）場合、２５℃で液状であるエポキシ樹脂との反応性が低下し、樹脂層３の硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、樹脂層３が脆くなり作業性が低下してしまうといった問題が生じる。また、前記１核体から３核体の合計の含有量が７０％より大きい（４核体以上の合計の含有量が３０％未満）場合、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量が増大する可能性がある。さらに、樹脂層３のタック性が大きくなり過ぎる可能性もある。
前記フェノール系ノボラック樹脂中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されるわけではないが、３０〜７０％であることが好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量が増大してしまうことを抑制できる。また。上記上限値以下とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）中の１核体の含有量は、特に限定されるわけではないが、樹脂層３中に１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、樹脂層３を硬化する際のアウトガス量を低減することができる。
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、３００〜１，５００であることが好ましく、４００〜１４００であることが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量を抑制できる。また。上記上限値以下とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００６６】
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）を含むことが好ましい。これにより、樹脂層３に柔軟性および屈曲性を付与することができる。
２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着フィルムの支持体および被着体に対する密着性、さらに、接着フィルム硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６７】
また、前記２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）としては、より好ましくは、２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで樹脂層３のタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。
【００６８】
また、前記２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）の含有量は、特に限定されるものではないが、１０〜８０重量％が好ましく、１５〜７５重量％が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、上記上限値以下とすることで、樹脂層３のタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
【００６９】
フラックス機能を有する化合物（ｊ）としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００７０】
フラックス機能を有する化合物（ｊ）の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。フラックス機能を有する化合物の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層３を硬化した際に、未反応の化合物が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００７１】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、好適に用いることができる。
【００７２】
なお、カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００７３】
これらのうち、カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００７４】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００７５】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００７６】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００７７】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ （ＩＩ）
（式（ＩＩ）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
【００７８】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００７９】
これらの前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物のうち、フラックス機能を有する化合物が有する活性度、樹脂層３の硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の樹脂層３の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（ＩＩ）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（ＩＩ）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の樹脂層３における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００８０】
前記一般式（ＩＩ）で示される化合物のうち、式（ＩＩ）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
【００８１】
前記フェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
【００８２】
上述したようなカルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
【００８３】
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、フラックス機能を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンが好ましい。
【００８４】
また、樹脂層３中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。樹脂層３中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層３のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層３中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。
【００８５】
樹脂層３は、成膜性を向上するために成膜性樹脂（ｋ）を含むことが好ましい。これにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、機械的特性にも優れる。
【００８６】
前記成膜性樹脂（ｋ）としては、特に限定されるわけではないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００８７】
前記成膜性樹脂（ｋ）の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂層３中の１０〜５０重量％が好ましく、１５〜４０重量％がより好ましく、特に２０〜３５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、樹脂層３の流動性を抑制することができ、樹脂層３の取り扱いが容易になる。
【００８８】
また、前記樹脂層３は、硬化促進剤やシランカップリング剤を更に含んでもよい。
【００８９】
以上のような回路基板１は、次のようにして製造する。
図２（Ａ）に示すように、はじめに、表裏面に、金属膜４１（たとえば、銅膜）が形成された第一絶縁層２１を用意する。次に、図２（Ｂ）に示すように、一方の金属膜４１および第一絶縁層２１を貫通する孔２１１を形成する。一方の金属膜４１を貫通する孔は、エッチングにより形成し、その後、第一絶縁層２１を貫通する孔をレーザで形成してもよい。
なお、図２（Ｃ）に示すように、他方の金属膜４１をも貫通する貫通孔２１１を形成してもよい。
次に、金属膜４１上および、第一絶縁層２１の孔２１１内部に化学めっきを施す。その後、図３（Ａ）に示すように、マスクＭを配置し、孔２１１内部を充填するとともに、金属膜４１上にめっきを施す。これにより、ビアとなる導電体２０を形成するとともに、金属膜４２を形成する（金属膜４２は、金属膜４１と金属膜４１上のめっき膜を示す）。
次に、マスクＭが形成されていた部分の金属膜４２をフラッシュエッチングにより除去し、図３（Ｂ）に示すように、第一回路層２２、第二回路層２４を形成する。
その後、図４（Ａ）に示すように、第一回路層２２上に、シート状の第二絶縁層２３を貼り付ける。また、第二回路層２４上に、シート状の第三絶縁層２５を貼り付ける。このとき、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５を同時に貼り付けても良い。
その後、シート状の第二絶縁層２３、シート状の第三絶縁層２５を加熱して、硬化させる。
次に、図４（Ｂ）に示すように、第二絶縁層２３，第三絶縁層２５それぞれに開口を形成する。第二絶縁層２３にたとえば、ＵＶレーザを照射し、第三絶縁層２５に炭酸レーザを照射して開口を形成することができる。
その後、図１に示すように、第二絶縁層２３の開口内に金属層２７および半田層２６、第三絶縁層２５の開口内に金属層２８を形成する。前述のように、図１の状態でも取引形態となりうる。
また、図５に示すように、第二絶縁層２３上に、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を圧着させても良い。
以上の工程により、回路基板１が完成する。
【００９０】
次に、図５の回路基板１を使用した半導体装置の製造方法について説明する。
（位置決め仮接着）
図６に示すように、回路基板１上に複数の半導体素子（半導体チップ）５を設置する。複数の半導体素子５は、回路基板１の面方向に沿って並べられる。半導体素子５の電極５１は、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を貫通し、半田層２６と接触する。条件は特に限定されないが、２５〜１７５℃、半導体素子５の１つ当たり０．５〜５ｋｇｆで電極５１と半田層２６の位置を合わせて仮接着する。
（接合）
その後、回路基板１および複数の半導体素子５からなる積層体を加熱して、電極５１と半田層２６とを半田接合させる。条件は特に限定されないが、２００〜３００℃×１〜６０秒間、半導体素子５の１つ当たり０．１〜１５ｋｇｆが好ましい。特に２００〜２３０℃×５〜１８０秒間が好ましい。接合温度は半田層２６の半田種の融点に依存し、荷重は接合する端子数に依存する。ここで、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を介して、電極５１と半田層２６を接合するので、半田層２６の表面が酸化されるのを抑制しながら（表面酸化膜を除去しながら）半田を接続することができるようになる。
（硬化）
この積層体をさらに加熱することによりフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を構成する樹脂を硬化させることが好ましい。
この際の加熱条件は特に限定されないが、１２０〜２００℃×３０〜１８０分間が好ましく、これにより、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３が硬化することにより、電極５１と半田層２６の間を封止し、接続信頼性を向上することができる。
なお、本実施の形態では、積層体を得た後、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を硬化させたが、これに限らず、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を硬化させた後に積層体を得る方法でも良い。
（樹脂封止）
得られた積層体に半導体素子５側から、エポキシ樹脂組成物を金型を用いて圧縮成形する。その後、取り出して乾燥機で硬化乾燥させる。この際の加熱条件は特に限定されないが、圧縮成形は厚み３０〜３００μｍ、１２０〜２００℃×１〜５分間、硬化は１２０〜２００℃×３〜５時間が好ましく、これにより、積層体を封止し、信頼性を確保することができる。
（半田ボール搭載）
さらに、回路基板１の金属層２８上に半田ボールを形成する。これにより、他の基板等への２次実装が容易となる。
半田ボールを付与する方法としては、例えばメッキ法、ペースト印刷法、ボール搭載法が挙げられる。
（ダイシング）
次に、図７（Ａ）に示すように、回路基板１を分割し、一つの半導体素子５と、分割された一つの回路基板１（以下回路基板部１０ということもある）とで構成される複数の半導体装置６を得る。
分割する際には、半田ボールが付与されているのと反対側の面にダイシングシートを付与してダイシングを行う。
この半導体装置は、図７（Ｂ）に示すように、回路基板部１０の側面と、半導体素子５の側面とがつらいちとなる。
なお、ダイシングする前に、積層体の半田ボールが付与されている側の面にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を配置しておくことが好ましい。これにより、２次実装での半田接続が容易となると共に、フラックス処理を省略することができ、生産性や温度サイクル性、落下試験等の２次実装後の信頼性を向上させることができる。
ここで、使用するダイシングシートは市販されているものをそのまま用いることができる。
【００９１】
（第二の実施形態）
第二の実施形態は、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５において感光性樹脂を用いる点を除いて、第１の実施形態と同様である。
【００９２】
第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、たとえば、（ｌ）感光性樹脂を必須成分とする樹脂組成物で構成することができる。
【００９３】
このような樹脂組成物を使用することで、露光及び現像により、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の開口を容易にパターニングすることが出来る。
【００９４】
前記（ｌ）感光性樹脂は、特に限定されるものではなく、公知の感光性樹脂組成物を用いて形成することができる。前記（ｌ）感光性樹脂は、ネガ型、ポジ型のどちらであっても良い。
前記（ｌ）感光性樹脂は、たとえば、アクリル樹脂などを含み、エポキシ変性アクリル樹脂などを用いることができる。また、アクリル樹脂などの光硬化性樹脂の他に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを加えても良い。
【００９５】
前記（ｌ）感光性樹脂は、重合開始剤、増感剤、レベリング剤などを含んでも良い。また、シリカなどの充填剤を含んでいても良い。この充填材は、特に限定されないが、前述した（ｃ）（ｇ）の無機充填材と同様のものを使用できる。このとき、粒径サイズは、露光時の光の波長よりも小さいものが好ましい。
【００９６】
また、前記（ｌ）感光性樹脂としては、液状タイプ、または、フィルムタイプなどの形態を用いることができる。第一回路層２２、第二回路層２４への被覆性を考慮した場合、フィルムタイプを用いることが好ましい。
液状タイプの場合は、スクリーン印刷法、コータ法など形成することができる。また、本実施形態の回路基板１を液状レジスト中に浸漬することにより、両面同時に第二絶縁層２３および第三絶縁層２５を形成することも可能である。
フィルムタイプの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る。フィルムタイプの場合も、両面同時に第二絶縁層２３および第三絶縁層２５を形成することが可能である。
【００９７】
第二の実施形態における回路基板１は、次のようにして製造する。
ここで、第一の実施形態と同様にして、図３（Ｂ）に示すように、第一回路層２２、第二回路層２４が、形成されている。
その後、図４（Ａ）に示すように、真空ラミネータを用い、第一回路層２２上にフィルムタイプの感光性樹脂である第二絶縁層２３を、また、第二回路層２４上に同材料の第三絶縁層２５を、同時に貼り付ける。
次いで、所定の開口を得るようにフォトマスクを位置調整し、露光する。
次いで、アルカリ水溶液などの現像液に浸漬し、現像する。これにより、図４（Ｂ）に示すように、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５に開口を形成する。
次いで、用いた感光性樹脂に応じて、適宜、加熱、さらにはＵＶ露光して、硬化させる。
また、所望する開口の径が感光性樹脂の解像度よりも小さくなる場合においては、加熱して、硬化させた後に第１の実施形態と同じく、第二絶縁層２３にたとえば、ＵＶレーザを照射し、第三絶縁層２５に炭酸レーザーを照射して開口を形成することができる。
以下、第一の実施形態と同様の方法により、半導体装置６を得る。
【００９８】
なお、本発明は前述の二つの実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、第二絶縁層、第三絶縁層は、単層であったが、これに限らず、第二絶縁層や第三絶縁層が複数の層で構成されていてもよい。平均線膨張係数（Ｂ）は、第二絶縁層全体の平均線膨張係数となる。平均線膨張係数（Ｃ）は、第三絶縁層全体の平均線膨張係数となる。
【実施例】
【００９９】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
前記実施形態と同様の方法で回路基板を製造した。
（第一絶縁層）
以下のようにして第一絶縁層を作製した。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社工業社製、商品名ＮＣ３０００ＦＨ）１１重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２０重量部、硬化剤としてフェノール樹脂（明和化成社工業製社製、商品名ＭＥＨ７８５１−４Ｈ）９．０重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６０重量部と、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上述の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ０．１ｍ、日東紡社製、商品名ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグ（第一絶縁層）を得た。
【０１００】
（積層板）
次に、上述のプリプレグの表裏面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ０．１３６ｍｍの両面が銅張りの積層板を得た。
その後、ＣＯ２レーザーにより銅張りの積層板に貫通孔を形成し、電気銅めっきにて銅張りの積層板の貫通孔内を銅めっきで充填させるとともに、回路パターン形成を行い、第一回路層および第二回路層を形成した。
【０１０１】
（第二絶縁層および第三絶縁層）
はじめに、第二絶縁層、第三絶縁層で使用したフェノキシ樹脂の合成について説明する。
［ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａの合成］
容量１Ｌの反応容器に、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製「ＹＸ−４０００」、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ）１００ｇ、ビスフェノールアセトフェノン８０ｇ、およびシクロヘキサノン７０ｇを入れ攪拌して溶解させた。次に、５０ｗｔ％テトラメチルアンモニウムクロライド溶液０．４ｇを滴下し、窒素雰囲気下、１８０℃で５時間反応させた。反応終了後、析出物をろ過し、真空乾燥機にて、９５℃で８時間真空乾燥し、構造式（Ａ）で表される重量平均分子量３８０００、ガラス転移温度１３０℃のビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａを得た。
【０１０２】
【化６】
【０１０３】
次に、多官能シアネート樹脂としてシアネートＡ（ノボラック型（ロンザジャパン株式会社製「プリマセットＰＴ-３０」））を１８重量部、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂としてエポキシＡ（ナフタレン構造を有するノボラック型（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰ−５０００」、エポキシ当量２５０ｇ／ｅｑ））を３０重量部、ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａを２０重量部、無機充填材Ａ（球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ））を４０重量部、硬化促進剤（イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ」））０．３重量部、カップリング剤（エポキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３Ｅ」））を１重量部とを、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンに混合溶解させた。次いで、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分重量６０％の樹脂ワニスを調整した。尚、樹脂組成物中の無機充填材の割合は、約４１重量％であった。
【０１０４】
上記で得られた樹脂ワニスを、コンマコーター装置を用いて、ポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴという）フィルム上に乾燥後の絶縁樹脂層の厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、樹脂シート（第二絶縁層および第三絶縁層）を製造した。
（フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層）
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部と、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部と、フラックス活性化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部と、硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（東レ株式会社製、ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍのフラックス活性を有する接着フィルムを得た。
【０１０５】
（回路基板）
第二絶縁層を第一回路層側に、第三絶縁層を第二回路層側に真空ラミネータにてラミネートし、硬化させた後、ＵＶレーザーにて第二絶縁層に開口部を形成し、銅、ニッケル、はんだめっきを施し、また、ＣＯ２レーザーにて第三絶縁層に開口部を形成し、ニッケル、金めっきを施した。
その後、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を真空ラミネータにてラミネートした。
【０１０６】
（実施例２）
実施例１と同様の第一絶縁層を使用し、積層板を得た。
【０１０７】
（第二絶縁層および第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層で使用したフェノキシ樹脂の合成について説明する。
［ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｂの合成］
容量１Ｌの反応容器に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製「ｊＥＲ８２８」、エポキシ当量１８６ｇ／ｅｑ）１００ｇ、ビスフェノールアセトフェノン７０ｇ、およびシクロヘキサノン７０ｇを入れ攪拌して溶解させた。次に、５０ｗｔ％テトラメチルアンモニウムクロライド溶液０．４ｇを滴下し、窒素雰囲気下、１８０℃で５時間反応させた。反応終了後、析出物をろ過し、真空乾燥機にて、９５℃で８時間真空乾燥し、構造式（Ｂ）で表される重量平均分子量４６０００、ガラス転移温度１１０℃のビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｂを得た。
【０１０８】
【化７】
【０１０９】
多官能シアネート樹脂としてシアネートＢ（ビスＡ型プレポリマー（ロンザジャパン株式会社製「プリマセットＢＡ２３０」））を２６重量部、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂としてエポキシＢ（ナフタレン構造を有するノボラック型（ＤＩＣ株式会社製「ＥＸＡ−９９００」、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ））を２６重量部、ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｃを８重量部、無機充填材Ａ（球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ））を４０重量部、硬化促進剤（イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ」））０．３重量部、カップリング剤（エポキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３Ｅ」））を１重量部とを、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンに混合溶解させた。次いで、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分重量６０％の樹脂ワニスを調整した。尚、樹脂組成物中の無機充填材の割合は、約４１重量％であった。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、第二絶縁層、第三絶縁層を作製した。
その後、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１０】
（実施例３）
以下のようにして第一絶縁層を作製した。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬工業社製、商品名ＮＣ３０００ＦＨ）１７重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）３０重量部、硬化剤としてフェノール樹脂（明和化成工業社製、商品名ＭＥＨ７８５１−４Ｈ）１３重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量部を添加して高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上述の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ０．１ｍ、日東紡社製、商品名ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグ（第一絶縁層）を得た。
（積層板）
次に、上述のプリプレグの表裏面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ０．１ｍｍの両面が銅張りの積層板を得た。
その後、ＣＯ２レーザーにより銅張りの積層板に貫通孔を形成し、電気銅めっきにて銅張りの積層板の貫通孔内を銅めっきで充填させるとともに、回路パターン形成を行い、第一回路層および第二回路層を形成した。
【０１１１】
（第二絶縁層、第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層としては、実施例１と同様のものを使用した。
そして、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１２】
（実施例４）
第一絶縁層、積層板は実施例３と同様のものを使用した。
第二絶縁層、第三絶縁層としては、実施例２と同様のものを使用した。
そして、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１３】
（実施例５）
前記第二の実施形態と同様の方法で回路基板を製造した。第二絶縁層、第三絶縁層を除いて、実施例３と同様のものを使用した。
（第二絶縁層および第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層には、市販されている感光性のエポキシ変性アクリル樹脂を使用した。
この樹脂ワニスを用い、前記第二の実施形態と同様の方法で、第二絶縁層、第三絶縁層を作製した。
その後、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１４】
（線膨張係数）
第一絶縁層、第二絶縁層、第三絶縁層の線膨張係数を以下のようにして測定した。
熱機械測定装置（ＴＡインスツルメント社製）を用い、窒素雰囲気下、引っ張りモードで昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度２５〜３００℃、荷重５ｇ、２サイクル測定を行った。平均線膨張率は、２サイクル目の温度２５℃〜ガラス転移点における平均線熱膨張係数とした。
なお、ガラス転移点は、ｔａｎδのピーク位置とした。また、評価サンプルは、前記で得られた絶縁層を２枚ラミネートし、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により２００℃で１時間、加熱硬化した樹脂板を用いて測定を行った。
結果を表１に示す。
【０１１５】
【表１】
【０１１６】
（反りの評価）
半導体素子を得られた回路基板のフラックス機能を有する化合物を含む樹脂の所定の位置に位置合わせして配置し、２３０℃ピークのリフロー処理にて接合処理、硬化を行い、その後エポキシ樹脂組成物で封止し、半田ボールを搭載後ダイシングし分割した半導体装置の反り量を測定し４０μｍ以下（測定範囲１５ｍｍ×２０ｍｍ）であれば、良好と判断した。
実施例１〜５で得られた回路基板を用いた半導体装置は、いずれも反り量が４０μｍ以下であり、良好であった。
【符号の説明】
【０１１７】
１ 回路基板
３ 樹脂層
５ 半導体素子
６ 半導体装置
１０ 回路基板部
２０ 導電体
２１ 第一絶縁層
２２ 第一回路層
２３ 第二絶縁層
２４ 第二回路層
２５ 第三絶縁層
２６ 半田層
２７ 金属層
２８ 金属層
４１ 金属膜
４２ 金属膜
５１ 電極
２１１ 孔
２７１ 銅層
２７２ ニッケル層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップ等を搭載する基板としては、様々なものが提案されている。たとえば、インターポーザ基板等が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３２１９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、大きな回路基板を形成した後、複数の半導体チップをのせ、その後回路基板をダイシングして、個々の半導体装置を得るという製造方法が実施されている。このような製造方法において、回路基板の反りの発生が大きな課題となっている。特に、回路基板上に半導体チップを搭載する際には、回路基板および半導体チップを加熱し、回路基板に設けられた半田層と、半導体チップの金属層とを半田接合する。その後冷却する。このとき、回路基板に反りが生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
導電体が貫通する第一絶縁層と、
前記第一絶縁層の一方の側に設けられ、前記導電体に接続された第一回路層と、
前記第一回路層を被覆するとともに、前記第一回路層の一部上に開口が形成された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の他方側に設けられ、前記導電体に接続された第二回路層と、
第二回路層を被覆する第三絶縁層と、
前記第二絶縁層の開口内に設けられ、前記第一回路層上に設けられた半田層と、
を備え、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板、が提供される。
【０００６】
この発明によれば、第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）を３０ｐｐｍ／℃以下とすることで、第一絶縁層に発生する反りを抑制することができる。
さらに、第一絶縁層を挟むように、第一絶縁層よりも所定量だけ平均線膨張係数が大きく、かつ、互いに平均線膨張係数が等しい第二絶縁層および第三絶縁層を設けることで、回路基板の反りの発生を確実に抑制できる。
また、本発明によれば、上述した回路基板を分割して得られた回路基板部と、
この回路基板部上に積層され、前記回路基板部の基板面側からみて前記回路基板部と略同じサイズである半導体チップとを有し、
前記回路基板部の側面と、前記半導体チップの側面とがつらいちである半導体装置も提供できる。
さらに、本発明によれば、
内部に導電体が貫通するとともに、一方の面側に前記導電体に接続された第一回路層が設けられ、他方の面側に前記導電体に接続された第二回路層が設けられた第一絶縁層を用意する工程と、
前記第一回路層を被覆する第二絶縁層を設ける工程と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層を設ける工程と、
前記第二絶縁層に前記第一回路層の一部が露出する開口を形成する工程と、
前記開口内に、半田層を設ける工程と、
を含み、
第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板の製造方法も提供できる。
また、本発明によれば、上述した回路基板の製造方法において、
前記第二絶縁層を被覆するとともに、前記半田層上にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を設ける工程を含む回路基板の製造方法も提供できる。
さらには、上述した回路基板の製造方法を含み、
前記フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、
前記回路基板を分割して、前記半導体チップと、分割した前記回路基板とを備える複数の半導体装置を得る工程とを含む半導体装置の製造方法も提供できる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、反りの発生を抑制できる回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第一の実施形態にかかる回路基板の断面図である。
【図２】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】回路基板上に半導体チップを搭載する工程を示す図である。
【図７】半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第一の実施形態）
以下、本発明の第一の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の回路基板１の概要について説明する。
回路基板１は、導電体２０が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体２０に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部上に開口が形成された第二絶縁層２３と、第一絶縁層２１の他方側に設けられ、導電体２０に接続された第二回路層２４と、第二回路層２４を被覆する第三絶縁層２５と、第二絶縁層２３の開口内に設けられた半田層２６とを備える。
第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。
第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層２１の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
ここで、平均線膨張係数は、以下のようにして測定できる。
各絶縁層から５ｍｍ角のサンプルを切り出し、ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント（株）製）を用いて２５℃から５℃／分でサンプルを加熱しながら、サンプルの面内方向の変位量を計測する。そして、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数を算出する。
【００１０】
ここでいう回路基板１とは、図１のような第二絶縁層２３、第三絶縁層２５までを形成した形態の他、図５のように、後述するフラックス機能を有する樹脂層３を備える形態も含む。どちらの形態においても、半導体素子を搭載するアッセンブリーメーカーなどへの取引形態として供給することが出来る。以下、回路基板１とは、特に断りのない限り、どちらの形態も含むこととする。
【００１１】
次に、本実施形態の回路基板１について詳細に説明する。
（第一絶縁層２１）
第一絶縁層２１は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。
平均線膨張係数（Ａ）を３０ｐｐｍ／℃以下とすることで、回路基板１の反りの発生を抑制できる。
また、平均線膨張係数（Ａ）を３ｐｐｍ／℃以上とすることで、搭載される半導体チップ（半導体素子）５（図６参照）との線膨張係数差を小さくすることができ、半導体チップ５に力が加わってしまうことを抑制できる。
なお、５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）は、２０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることがより好ましい。
また、第一絶縁層２１は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向と直交する方向（厚み方向）の平均線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。このようにすることで、反りが抑制できるとともに、半導体装置６の温度サイクル試験に対する信頼性を向上させることができる。
【００１２】
絶縁層２１を構成する樹脂組成物としては、たとえば、（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）無機充填材を含むものがあげられる。
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でもビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂等のようなメチレン結合を有するノボラック型エポキシ樹脂が、耐熱性、難燃性の点で優れ、その中でもビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂が好ましい。
【００１３】
前記ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のビフェニルアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（III）で示すことができる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
前記式（III）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。
【００１６】
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜６５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
【００１７】
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５．０×１０2〜２．０×１０4が好ましく、特に８．０×１０2〜１．５×１０4が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると、タック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
【００１８】
また、前記樹脂組成物は、（ｃ）無機充填材を含むことが好ましい。これにより、回路基板１を薄く（厚さ０．４ｍｍ以下）しても十分な強度を得ることができる。さらに、回路基板１全体の低熱膨張化を向上することもできる。
【００１９】
（ｂ）硬化剤は、（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基と反応する化合物（たとえば、フェノール樹脂）、もしくはエポキシ基同士の反応を促進する硬化促進剤（たとえば、イミダゾール）を用いることができる。
【００２０】
前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。
【００２１】
前記硬化促進剤は、特に限定されないが、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ（１，２−ａ）ベンズイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。
【００２２】
（ｃ）無機充填材は、特に限定されないが、例えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。（ｃ）無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、溶融シリカ、タルク、焼成タルク、アルミナが好ましく、特に溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
（ｃ）無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜８０重量％が好ましく、特に３０〜７５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００２３】
第一絶縁層２１を構成する樹脂組成物は、さらにノボラック型エポキシ樹脂以外に熱硬化性樹脂（実質的にハロゲンを含まない）を併用することが好ましい。前記熱硬化性樹脂は、例えばユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
また、これらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、第一絶縁層２１の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに第一絶縁層２１の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等にも優れる。
【００２４】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加により耐熱性が向上し、また樹脂組成物の難燃性が向上する。特にノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することから、ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。
【００２５】
前記ノボラック型シアネート樹脂は、例えば、式（I）で示されるものを使用することができる。
【００２６】
【化２】
【００２７】
前記式（I）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低分子量成分が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、第一絶縁層２１の成形性が低下する場合がある。
【００２８】
前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜４２重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると熱膨張率が高くなってしまう場合があり、前記上限値を超えると耐湿性が低下する場合がある。
以上のような前記樹脂組成物を基材に含浸させたプリプレグで第一絶縁層２１を構成してもよい。
【００２９】
前記基材は、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度、吸水率を向上することができる。また、プリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。
なお、第一絶縁層２１として、以下のような樹脂フィルムを使用してよい。樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これら中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上することができる。
【００３０】
以上のような第一絶縁層２１の厚みは、たとえば、４０μｍ程度である。
また、第一絶縁層２１内部を、導電体２０が貫通している。導電体２０は、金属、たとえば、銅のビアであり、第一絶縁層２１の表裏面にそれぞれ設けられた第一回路層２２、第二回路層２４に接続されている。第一回路層２２、第二回路層２４は、ぞれぞれ、金属製の回路、たとえば、銅の回路である。
【００３１】
（第二絶縁層２３，第三絶縁層２５）
第二絶縁層２３は、第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部の上方に位置する部分に開口が形成されている。さらにこの開口内には、第一回路層２２に接続された金属層２７と、この金属層２７上に設けられた半田層２６とが配置されている。
金属層２７は、たとえば銅層２７１、ニッケル層２７２等の積層構造である。
第三絶縁層２５は、第二回路層２４を被覆するとともに、第二回路層２４の一部の上方に位置する部分に開口が形成されている。さらにこの開口内には、第二回路層２４に接続された金属層２８が形成されている。金属層２８は、たとえば、金めっき層である。
第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とは等しい。
このようにすることで、第一絶縁層２１を挟んで、平均線膨張係数が等しい、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５が対称に配置され、回路基板１の反りの発生が抑制されることとなる。
【００３２】
具体的には、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）および第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）がそれぞれ２０ｐｐｍ／℃以上、４０ｐｐｍ／℃以下、特に、２５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
４０ｐｐｍ／℃以下とすることで、回路基板１の反りの発生が抑制されることとなる。
一方、３０ｐｐｍ／℃以上とすることで、後述のように、フラックス活性樹脂層３が半田層上に第二絶縁層２３を被覆するように形成されている場合において、第１絶縁層２１とフラックス活性樹脂層３の層間でのひずみを抑制するという効果がある。
また、第二絶縁層２３，第三絶縁層２５は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向と直交する方向（厚み方向）の平均線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。このようにすることで、反りが抑制できるとともに、半導体装置６の温度サイクル試験に対する信頼性を向上させることができる。
【００３３】
さらに、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。
第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差を５ｐｐｍ／℃以上とすることで、第一絶縁層２１と、後述する半導体素子５と接合するための樹脂層３との層間でのひずみを抑制するという効果がある。半導体素子５と接合するための樹脂層３は、２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の線膨張係数が第一絶縁層２１よりも大きいため、前記差を５ｐｐｍ／℃以上とすることで、第一絶縁層２１と樹脂層３との層間でのひずみを抑制できる。
一方で、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の前記平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差を３５ｐｐｍ／℃以下とすることで、反り抑制という効果がある。
なかでも、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第二絶縁層２３の平均線膨張係数（Ｂ）との差、第一絶縁層２１の平均線膨張係数（Ａ）と、第三絶縁層２５の平均線膨張係数（Ｃ）との差が１０ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
【００３４】
また、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であり、第三絶縁層２５の厚み（Ｔ２）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
ここで、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）は同じであってもよいが、第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）とが異なることが好ましい。第二絶縁層２３の厚み（Ｔ１）と、第三絶縁層２５との厚み（Ｔ２）の比であるＴ１／Ｔ２は、１以上であることが好ましい。
Ｔ１／Ｔ２を１以上とすることで反り抑制という効果がある。
また、第一絶縁層２１の表裏上に設けられた第一回路層２２、第二回路層２４のパターンの違いや、第二絶縁層２３に形成された開口の割合、第三絶縁層２５に形成された開口の割合の違いにより、回路基板１に反りが生じることがある。
この反りの発生を抑制するために、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の厚みを異なるもの、特に、Ｔ１／Ｔ２を１以上、特に、異なる厚みとすることで、より、フラットな回路基板１を得ることができる。
また、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の厚みは、第一絶縁層２１よりも薄く、第一絶縁層２１の厚みの１／１０以上であることが好ましい。このようにすることで、反り抑制という効果がある。
【００３５】
以上のような第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、プリプレグではなく、樹脂組成物からなるものであることが好ましい。第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、同じ材料で構成することができ、たとえば、（ｄ）多官能シアネート樹脂、（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、（ｆ）下記一般式（１）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂、（ｇ）無機充填材を必須成分とする樹脂組成物で構成することができる。
【００３６】
【化３】
【００３７】
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｍは０〜５の整数である。）
このような樹脂組成物を使用することで、絶縁信頼性を高めることができる。また、樹脂層３との密着性も良好なものとすることができる。
【００３８】
前記（ｄ）多官能シアネート樹脂は、分子内に２個以上のシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂である。例えば、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、１,１'−ビス（４−シアナトフェニル）エタン、ビス（４−シアナト-３,５−ジメチルフェニル）メタン、１,３−ビス（４−シアナトフェニル−１−（１−メチルエチリデン））ベンゼン、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル、フェノールノボラック型シアネートエステル、ビス(４−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(４−シアナトフェニル)エーテル、１,１,１−トリス（４−シアナトフェニル）エタン、トリス(４−シアナトフェニル)ホスファイト、ビス(４−シアナトフェニル)スルホン、２,２-ビス(４−シアナトフェニル)プロパン、１,３-、１,４-、１,６-、１,８-、２,６-又は２,７-ジシアナトナフタレン、１,３,６-トリシアナトナフタレン、４,４'−ジシアナトビフェニル、およびフェノールのノボラック型、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネートエステル樹脂等が挙げられる。これらの中で、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂が難燃性、および低熱膨張性に優れ、２,２'−ビス（４−シアナトフェニル）イソプロピリデン、およびジシクロペンタジエン型シアネートエステルが架橋密度の制御、および耐湿信頼性に優れている。本実施形態では、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂が低熱膨張のため好ましい。また、更に他のシアネートエステル樹脂を１種類あるいは２種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。
【００３９】
さらに前記（ｄ）多官能シアネート樹脂は、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、前記多官能シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なる多官能シアネート樹脂を併用したり、前記多官能シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
前記プレポリマーは、通常、前記多官能シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば３量化率が２０〜５０重量％のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。
【００４０】
前記（ｄ）多官能シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物の１０〜６０重量％が好ましく、特に２０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると低熱膨張性が低下したり、耐熱性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると絶縁樹脂層の強度が低下したり、機械強度が低下する場合がある。
【００４１】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、およびテトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシに比べ難燃性に優れ、シアネート樹脂との組合わせることでシアネート樹脂の弱点の脆弱性を改善することができる。従って、前記（ｄ）多官能シアネート樹脂と併用して用いることで、更にガラス転移温度が高くなるため鉛フリー対応の実装信頼性に優れる。
【００４２】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とホルムアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。
【００４３】
前記フェノール類化合物は、特に限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノール等のトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等のナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシン等の多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。
【００４４】
前記アルデヒド類化合物は、特に限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ-ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ-トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒド等が挙げられる。
【００４５】
前記縮合環芳香族炭化水素化合物は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレン等のナフタレン誘導体、メトキシアントラセン等のアントラセン誘導体、メトキシフェナントレン等のフェナントレン誘導体、その他テトラセン誘導体、クリセン誘導体、ピレン誘導体、誘導体トリフェニレン、およびテトラフェン誘導体などが挙げられる。
【００４６】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ、ブトキシナフタレ変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシなどが挙げられる。これらの中でも、下記式（２）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【化４】
【００４７】
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を、Ｒ４は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）
Ａｒは、以下の（３）に示す（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造のいずれかであることが好ましい。
【００４８】
【化５】
【００４９】
（式中Ｒ５は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）
なかでも、他の樹脂の相溶性の観点からＲ４がメチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基であり、ｐが１〜２であり、ｑが１〜２であり、Ａｒがナフタレンであるものが好ましい。
【００５０】
前記（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物の２０〜８０重量％が好ましく、特に３０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層の密着性が低下したり、機械強度が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下したり、得られる製品の信頼性が低下したりする場合がある。
【００５１】
上述した（ｆ）一般式（1）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂は、嵩高い構造を持っているため、溶剤溶解性や、配合する熱硬化性樹脂成分との相溶性に優れる。また、低粗度で均一な粗面を形成することができる。
式（１）において、相溶性、耐熱性の観点から、Ｒ１は水素または、メチル基であり、Ｒ２は、水素または、メチル基であり、Ｒ３は水素または、メチル基であり、ｍは１〜２であることが好ましい。
【００５２】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を触媒で高分子量化させる方法などの公知の方法で合成することができる。
【００５３】
前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
【００５４】
前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上の前述した樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
【００５５】
前記触媒は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の反応、または、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応により生成するアルコール性水酸基やカルボキシル基との反応を進めるような触媒能を持つ化合物であれば、特に限定限定されない。例えば、アルカリ金属化合物、有機リン化合物、第３級アミン、第４級アンモニウム塩、環状アミン類、イミダゾール類等があげられる。アルカリ金属化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム、等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、塩化ナトリウム、塩化リチウム、塩化カリウム、等のアルカリ金属塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、等のアルカリ金属アルコキシド、アルカリ金属フェノキシド、水素化ナトリウム、水素化リチウム、等、酢酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、等の有機酸のアルカリ金属塩が挙げられる。
【００５６】
これらの触媒は併用することができる。通常、触媒の使用量は反応固形分に対して０．００１〜１重量％である。触媒としてアルカリ金属化合物を使用する場合、フェノキシ樹脂中にアルカリ金属分が残留し、それを使用したプリント配線板の絶縁特性を悪化させる為、フェノキシ樹脂中のＬｉ，Ｎａ及びＫの含有量の合計は好ましくは５ｐｐｍ以下であり、より好ましくは４ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは３ｐｐｍ以下である。５ｐｐｍ以上では絶縁特性が悪くなり、好ましくない。また、有機リン化合物を触媒として使用した場合も、フェノキシ樹脂中に触媒残渣として残留し、プリント配線板の絶縁特性を悪化させるので、フェノキシ樹脂中のリンの含有量は好ましくは１５０ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１４０ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。１５０ｐｐｍを超えた場合には、絶縁特性が悪くなり、好ましくない。
【００５７】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂には、一般式（１）のビスフェノールアセトフェノン構造以外の構造が含まれていても良く、その構造は特に限定されないが、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の構造などが挙げられる。中でも、ビフェニル型の構造を含むものが、ガラス転移温度が高く好適である。
【００５８】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂中の一般式（１）のビスフェノールアセトフェノン構造の含有量は特に限定されないが、５モル％以上、９５モル％以下が好ましく、より好ましくは１０モル％以上、モル８５％以下であり、更に好ましくは１５モル％以上、７５モル％以下である。含有量が下限値に満たないと、耐熱性、耐湿信頼性を向上させる効果が得られない可能性がある。また、含有量が上限値を超えると、溶剤溶解性が悪くなるため、好ましくない。
【００５９】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０３〜１．０×１０５が好ましく、１．０×１０４〜７．０×１０４がさらに好ましく、２．０×１０４〜５．０×１０４が最も好ましい。重量平均分子量が上限値以上であると、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性が極めて悪くなるため好ましくなく、下限値以下であると、製膜性が悪くなることがある。
【００６０】
前記（ｆ）フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、（ｇ）充填材を除く樹脂組成物の５〜４０重量％が好ましく、特に１０〜２０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層の機械強度が低下する可能性があり、前記上限値を超えると絶縁樹脂層の熱膨張率が高くなり、耐熱性が低下したりする場合がある。
【００６１】
前記（ｇ）無機充填材は、特に限定されないが、前述した（ｃ）無機充填材と同様のものを使用できる。
前記（ｇ）無機充填材の含有量は、特に限定されないが、（ｇ）無機充填材を除く樹脂組成物１００重量部に対し、２０〜２５０重量部含有することが好ましい。さらに好ましくは５０〜１５０重量部とすることで、低熱膨張性、成形性、および低吸水性を付与する効果が発現できる。
【００６２】
また、前記樹脂組成物は、さらに熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、得られる絶縁樹脂層の機械強度の向上、耐湿信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
前記熱可塑性樹脂として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等の熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、およびメタクリル変性ポリブタジエン等のジエン系エラストマーを挙げることがきるが、本発明は何らこれらに限定さない。単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ樹脂が好ましい。これにより、メッキ密着性および機械強度が向上する。
前記樹脂組成物は、必要に応じて硬化剤、または硬化促進剤を含んでいてもよい。
【００６４】
（フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３）
図５のように、半田層２６上には、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３が、第二絶縁層２３を被覆するように形成されていても良い。
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、硬化後の室温における弾性率が０．５ＧＰａ以上、１５ＧＰａ以下であることが好ましい。なお、弾性率は、以下の方法で測定したものである。
幅４ｍｍ×長さ４５ｍｍ×厚み０．１ｍｍのフィルム状の試験片を１８０℃、１時間で硬化させて作製した後、周波数１０Ｈｚ、３℃／分の昇温速度で０℃〜３００℃の温度範囲で、動的粘弾性測定機（ＤＭＡ）にて引っ張りモードで計測し、２５℃における弾性率を算出した。
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、たとえば、１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂（ｈ）と、２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）と、フラックス機能を有する化合物（ｊ）と、成膜性樹脂（ｋ）と、を含むものであることが好ましい。
【００６５】
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられるが、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる、フェノールノボラッック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が好ましい。
前記フェノール系ノボラック樹脂の含有量は、特に限定されるわけではないが、樹脂層３中に３〜３０重量％含まれることが好ましく、５〜２５重量％含まれることが特に好ましい。前記フェノール系ノボラック樹脂の含有量を上記範囲とすることで、樹脂層３の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めること、さらに、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を効果的に低減することを両立することができる。
前記１核体から３核体の合計の含有量が３０％より小さい（４核体以上の合計の含有量が７０％以上）場合、２５℃で液状であるエポキシ樹脂との反応性が低下し、樹脂層３の硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、樹脂層３が脆くなり作業性が低下してしまうといった問題が生じる。また、前記１核体から３核体の合計の含有量が７０％より大きい（４核体以上の合計の含有量が３０％未満）場合、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量が増大する可能性がある。さらに、樹脂層３のタック性が大きくなり過ぎる可能性もある。
前記フェノール系ノボラック樹脂中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されるわけではないが、３０〜７０％であることが好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量が増大してしまうことを抑制できる。また。上記上限値以下とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）中の１核体の含有量は、特に限定されるわけではないが、樹脂層３中に１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、樹脂層３を硬化する際のアウトガス量を低減することができる。
前記フェノール系ノボラック樹脂（ｈ）の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、３００〜１，５００であることが好ましく、４００〜１４００であることが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３を硬化させる際のアウトガス量を抑制できる。また。上記上限値以下とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００６６】
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）を含むことが好ましい。これにより、樹脂層３に柔軟性および屈曲性を付与することができる。
２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着フィルムの支持体および被着体に対する密着性、さらに、接着フィルム硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６７】
また、前記２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）としては、より好ましくは、２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで樹脂層３のタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。
【００６８】
また、前記２５℃で液状であるエポキシ樹脂（ｉ）の含有量は、特に限定されるものではないが、１０〜８０重量％が好ましく、１５〜７５重量％が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、樹脂層３の柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、上記上限値以下とすることで、樹脂層３のタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
【００６９】
フラックス機能を有する化合物（ｊ）としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００７０】
フラックス機能を有する化合物（ｊ）の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。フラックス機能を有する化合物の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層３を硬化した際に、未反応の化合物が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００７１】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、好適に用いることができる。
【００７２】
なお、カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００７３】
これらのうち、カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００７４】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００７５】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００７６】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００７７】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ （ＩＩ）
（式（ＩＩ）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
【００７８】
前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００７９】
これらの前記カルボキシル基を備えるフラックス機能を有する化合物のうち、フラックス機能を有する化合物が有する活性度、樹脂層３の硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の樹脂層３の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（ＩＩ）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（ＩＩ）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の樹脂層３における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００８０】
前記一般式（ＩＩ）で示される化合物のうち、式（ＩＩ）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
【００８１】
前記フェノール性水酸基を備えるフラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
【００８２】
上述したようなカルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
【００８３】
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、フラックス機能を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンが好ましい。
【００８４】
また、樹脂層３中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。樹脂層３中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層３のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層３中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。
【００８５】
樹脂層３は、成膜性を向上するために成膜性樹脂（ｋ）を含むことが好ましい。これにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、機械的特性にも優れる。
【００８６】
前記成膜性樹脂（ｋ）としては、特に限定されるわけではないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００８７】
前記成膜性樹脂（ｋ）の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂層３中の１０〜５０重量％が好ましく、１５〜４０重量％がより好ましく、特に２０〜３５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、樹脂層３の流動性を抑制することができ、樹脂層３の取り扱いが容易になる。
【００８８】
また、前記樹脂層３は、硬化促進剤やシランカップリング剤を更に含んでもよい。
【００８９】
以上のような回路基板１は、次のようにして製造する。
図２（Ａ）に示すように、はじめに、表裏面に、金属膜４１（たとえば、銅膜）が形成された第一絶縁層２１を用意する。次に、図２（Ｂ）に示すように、一方の金属膜４１および第一絶縁層２１を貫通する孔２１１を形成する。一方の金属膜４１を貫通する孔は、エッチングにより形成し、その後、第一絶縁層２１を貫通する孔をレーザで形成してもよい。
なお、図２（Ｃ）に示すように、他方の金属膜４１をも貫通する貫通孔２１１を形成してもよい。
次に、金属膜４１上および、第一絶縁層２１の孔２１１内部に化学めっきを施す。その後、図３（Ａ）に示すように、マスクＭを配置し、孔２１１内部を充填するとともに、金属膜４１上にめっきを施す。これにより、ビアとなる導電体２０を形成するとともに、金属膜４２を形成する（金属膜４２は、金属膜４１と金属膜４１上のめっき膜を示す）。
次に、マスクＭが形成されていた部分の金属膜４２をフラッシュエッチングにより除去し、図３（Ｂ）に示すように、第一回路層２２、第二回路層２４を形成する。
その後、図４（Ａ）に示すように、第一回路層２２上に、シート状の第二絶縁層２３を貼り付ける。また、第二回路層２４上に、シート状の第三絶縁層２５を貼り付ける。このとき、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５を同時に貼り付けても良い。
その後、シート状の第二絶縁層２３、シート状の第三絶縁層２５を加熱して、硬化させる。
次に、図４（Ｂ）に示すように、第二絶縁層２３，第三絶縁層２５それぞれに開口を形成する。第二絶縁層２３にたとえば、ＵＶレーザを照射し、第三絶縁層２５に炭酸レーザを照射して開口を形成することができる。
その後、図１に示すように、第二絶縁層２３の開口内に金属層２７および半田層２６、第三絶縁層２５の開口内に金属層２８を形成する。前述のように、図１の状態でも取引形態となりうる。
また、図５に示すように、第二絶縁層２３上に、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を圧着させても良い。
以上の工程により、回路基板１が完成する。
【００９０】
次に、図５の回路基板１を使用した半導体装置の製造方法について説明する。
（位置決め仮接着）
図６に示すように、回路基板１上に複数の半導体素子（半導体チップ）５を設置する。複数の半導体素子５は、回路基板１の面方向に沿って並べられる。半導体素子５の電極５１は、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を貫通し、半田層２６と接触する。条件は特に限定されないが、２５〜１７５℃、半導体素子５の１つ当たり０．５〜５ｋｇｆで電極５１と半田層２６の位置を合わせて仮接着する。
（接合）
その後、回路基板１および複数の半導体素子５からなる積層体を加熱して、電極５１と半田層２６とを半田接合させる。条件は特に限定されないが、２００〜３００℃×１〜６０秒間、半導体素子５の１つ当たり０．１〜１５ｋｇｆが好ましい。特に２００〜２３０℃×５〜１８０秒間が好ましい。接合温度は半田層２６の半田種の融点に依存し、荷重は接合する端子数に依存する。ここで、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を介して、電極５１と半田層２６を接合するので、半田層２６の表面が酸化されるのを抑制しながら（表面酸化膜を除去しながら）半田を接続することができるようになる。
（硬化）
この積層体をさらに加熱することによりフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を構成する樹脂を硬化させることが好ましい。
この際の加熱条件は特に限定されないが、１２０〜２００℃×３０〜１８０分間が好ましく、これにより、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３が硬化することにより、電極５１と半田層２６の間を封止し、接続信頼性を向上することができる。
なお、本実施の形態では、積層体を得た後、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を硬化させたが、これに限らず、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３を硬化させた後に積層体を得る方法でも良い。
（樹脂封止）
得られた積層体に半導体素子５側から、エポキシ樹脂組成物を金型を用いて圧縮成形する。その後、取り出して乾燥機で硬化乾燥させる。この際の加熱条件は特に限定されないが、圧縮成形は厚み３０〜３００μｍ、１２０〜２００℃×１〜５分間、硬化は１２０〜２００℃×３〜５時間が好ましく、これにより、積層体を封止し、信頼性を確保することができる。
（半田ボール搭載）
さらに、回路基板１の金属層２８上に半田ボールを形成する。これにより、他の基板等への２次実装が容易となる。
半田ボールを付与する方法としては、例えばメッキ法、ペースト印刷法、ボール搭載法が挙げられる。
（ダイシング）
次に、図７（Ａ）に示すように、回路基板１を分割し、一つの半導体素子５と、分割された一つの回路基板１（以下回路基板部１０ということもある）とで構成される複数の半導体装置６を得る。
分割する際には、半田ボールが付与されているのと反対側の面にダイシングシートを付与してダイシングを行う。
この半導体装置は、図７（Ｂ）に示すように、回路基板部１０の側面と、半導体素子５の側面とがつらいちとなる。
なお、ダイシングする前に、積層体の半田ボールが付与されている側の面にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を配置しておくことが好ましい。これにより、２次実装での半田接続が容易となると共に、フラックス処理を省略することができ、生産性や温度サイクル性、落下試験等の２次実装後の信頼性を向上させることができる。
ここで、使用するダイシングシートは市販されているものをそのまま用いることができる。
【００９１】
（第二の実施形態）
第二の実施形態は、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５において感光性樹脂を用いる点を除いて、第１の実施形態と同様である。
【００９２】
第二絶縁層２３、第三絶縁層２５は、たとえば、（ｌ）感光性樹脂を必須成分とする樹脂組成物で構成することができる。
【００９３】
このような樹脂組成物を使用することで、露光及び現像により、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５の開口を容易にパターニングすることが出来る。
【００９４】
前記（ｌ）感光性樹脂は、特に限定されるものではなく、公知の感光性樹脂組成物を用いて形成することができる。前記（ｌ）感光性樹脂は、ネガ型、ポジ型のどちらであっても良い。
前記（ｌ）感光性樹脂は、たとえば、アクリル樹脂などを含み、エポキシ変性アクリル樹脂などを用いることができる。また、アクリル樹脂などの光硬化性樹脂の他に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを加えても良い。
【００９５】
前記（ｌ）感光性樹脂は、重合開始剤、増感剤、レベリング剤などを含んでも良い。また、シリカなどの充填剤を含んでいても良い。この充填材は、特に限定されないが、前述した（ｃ）（ｇ）の無機充填材と同様のものを使用できる。このとき、粒径サイズは、露光時の光の波長よりも小さいものが好ましい。
【００９６】
また、前記（ｌ）感光性樹脂としては、液状タイプ、または、フィルムタイプなどの形態を用いることができる。第一回路層２２、第二回路層２４への被覆性を考慮した場合、フィルムタイプを用いることが好ましい。
液状タイプの場合は、スクリーン印刷法、コータ法など形成することができる。また、本実施形態の回路基板１を液状レジスト中に浸漬することにより、両面同時に第二絶縁層２３および第三絶縁層２５を形成することも可能である。
フィルムタイプの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る。フィルムタイプの場合も、両面同時に第二絶縁層２３および第三絶縁層２５を形成することが可能である。
【００９７】
第二の実施形態における回路基板１は、次のようにして製造する。
ここで、第一の実施形態と同様にして、図３（Ｂ）に示すように、第一回路層２２、第二回路層２４が、形成されている。
その後、図４（Ａ）に示すように、真空ラミネータを用い、第一回路層２２上にフィルムタイプの感光性樹脂である第二絶縁層２３を、また、第二回路層２４上に同材料の第三絶縁層２５を、同時に貼り付ける。
次いで、所定の開口を得るようにフォトマスクを位置調整し、露光する。
次いで、アルカリ水溶液などの現像液に浸漬し、現像する。これにより、図４（Ｂ）に示すように、第二絶縁層２３、第三絶縁層２５に開口を形成する。
次いで、用いた感光性樹脂に応じて、適宜、加熱、さらにはＵＶ露光して、硬化させる。
また、所望する開口の径が感光性樹脂の解像度よりも小さくなる場合においては、加熱して、硬化させた後に第１の実施形態と同じく、第二絶縁層２３にたとえば、ＵＶレーザを照射し、第三絶縁層２５に炭酸レーザーを照射して開口を形成することができる。
以下、第一の実施形態と同様の方法により、半導体装置６を得る。
【００９８】
なお、本発明は前述の二つの実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、第二絶縁層、第三絶縁層は、単層であったが、これに限らず、第二絶縁層や第三絶縁層が複数の層で構成されていてもよい。平均線膨張係数（Ｂ）は、第二絶縁層全体の平均線膨張係数となる。平均線膨張係数（Ｃ）は、第三絶縁層全体の平均線膨張係数となる。
【実施例】
【００９９】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
前記実施形態と同様の方法で回路基板を製造した。
（第一絶縁層）
以下のようにして第一絶縁層を作製した。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社工業社製、商品名ＮＣ３０００ＦＨ）１１重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２０重量部、硬化剤としてフェノール樹脂（明和化成社工業製社製、商品名ＭＥＨ７８５１−４Ｈ）９．０重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６０重量部と、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上述の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ０．１ｍ、日東紡社製、商品名ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグ（第一絶縁層）を得た。
【０１００】
（積層板）
次に、上述のプリプレグの表裏面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ０．１３６ｍｍの両面が銅張りの積層板を得た。
その後、ＣＯ２レーザーにより銅張りの積層板に貫通孔を形成し、電気銅めっきにて銅張りの積層板の貫通孔内を銅めっきで充填させるとともに、回路パターン形成を行い、第一回路層および第二回路層を形成した。
【０１０１】
（第二絶縁層および第三絶縁層）
はじめに、第二絶縁層、第三絶縁層で使用したフェノキシ樹脂の合成について説明する。
［ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａの合成］
容量１Ｌの反応容器に、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製「ＹＸ−４０００」、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ）１００ｇ、ビスフェノールアセトフェノン８０ｇ、およびシクロヘキサノン７０ｇを入れ攪拌して溶解させた。次に、５０ｗｔ％テトラメチルアンモニウムクロライド溶液０．４ｇを滴下し、窒素雰囲気下、１８０℃で５時間反応させた。反応終了後、析出物をろ過し、真空乾燥機にて、９５℃で８時間真空乾燥し、構造式（Ａ）で表される重量平均分子量３８０００、ガラス転移温度１３０℃のビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａを得た。
【０１０２】
【化６】
【０１０３】
次に、多官能シアネート樹脂としてシアネートＡ（ノボラック型（ロンザジャパン株式会社製「プリマセットＰＴ-３０」））を１８重量部、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂としてエポキシＡ（ナフタレン構造を有するノボラック型（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰ−５０００」、エポキシ当量２５０ｇ／ｅｑ））を３０重量部、ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ａを２０重量部、無機充填材Ａ（球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ））を４０重量部、硬化促進剤（イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ」））０．３重量部、カップリング剤（エポキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３Ｅ」））を１重量部とを、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンに混合溶解させた。次いで、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分重量６０％の樹脂ワニスを調整した。尚、樹脂組成物中の無機充填材の割合は、約４１重量％であった。
【０１０４】
上記で得られた樹脂ワニスを、コンマコーター装置を用いて、ポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴという）フィルム上に乾燥後の絶縁樹脂層の厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、樹脂シート（第二絶縁層および第三絶縁層）を製造した。
（フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層）
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部と、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部と、フラックス活性化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部と、硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（東レ株式会社製、ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍのフラックス活性を有する接着フィルムを得た。
【０１０５】
（回路基板）
第二絶縁層を第一回路層側に、第三絶縁層を第二回路層側に真空ラミネータにてラミネートし、硬化させた後、ＵＶレーザーにて第二絶縁層に開口部を形成し、銅、ニッケル、はんだめっきを施し、また、ＣＯ２レーザーにて第三絶縁層に開口部を形成し、ニッケル、金めっきを施した。
その後、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を真空ラミネータにてラミネートした。
【０１０６】
（実施例２）
実施例１と同様の第一絶縁層を使用し、積層板を得た。
【０１０７】
（第二絶縁層および第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層で使用したフェノキシ樹脂の合成について説明する。
［ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｂの合成］
容量１Ｌの反応容器に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製「ｊＥＲ８２８」、エポキシ当量１８６ｇ／ｅｑ）１００ｇ、ビスフェノールアセトフェノン７０ｇ、およびシクロヘキサノン７０ｇを入れ攪拌して溶解させた。次に、５０ｗｔ％テトラメチルアンモニウムクロライド溶液０．４ｇを滴下し、窒素雰囲気下、１８０℃で５時間反応させた。反応終了後、析出物をろ過し、真空乾燥機にて、９５℃で８時間真空乾燥し、構造式（Ｂ）で表される重量平均分子量４６０００、ガラス転移温度１１０℃のビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｂを得た。
【０１０８】
【化７】
【０１０９】
多官能シアネート樹脂としてシアネートＢ（ビスＡ型プレポリマー（ロンザジャパン株式会社製「プリマセットＢＡ２３０」））を２６重量部、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂としてエポキシＢ（ナフタレン構造を有するノボラック型（ＤＩＣ株式会社製「ＥＸＡ−９９００」、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ））を２６重量部、ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂Ｃを８重量部、無機充填材Ａ（球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ））を４０重量部、硬化促進剤（イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ」））０．３重量部、カップリング剤（エポキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３Ｅ」））を１重量部とを、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンに混合溶解させた。次いで、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分重量６０％の樹脂ワニスを調整した。尚、樹脂組成物中の無機充填材の割合は、約４１重量％であった。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、第二絶縁層、第三絶縁層を作製した。
その後、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１０】
（実施例３）
以下のようにして第一絶縁層を作製した。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬工業社製、商品名ＮＣ３０００ＦＨ）１７重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）３０重量部、硬化剤としてフェノール樹脂（明和化成工業社製、商品名ＭＥＨ７８５１−４Ｈ）１３重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量部を添加して高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上述の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ０．１ｍ、日東紡社製、商品名ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグ（第一絶縁層）を得た。
（積層板）
次に、上述のプリプレグの表裏面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ０．１ｍｍの両面が銅張りの積層板を得た。
その後、ＣＯ２レーザーにより銅張りの積層板に貫通孔を形成し、電気銅めっきにて銅張りの積層板の貫通孔内を銅めっきで充填させるとともに、回路パターン形成を行い、第一回路層および第二回路層を形成した。
【０１１１】
（第二絶縁層、第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層としては、実施例１と同様のものを使用した。
そして、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１２】
（実施例４）
第一絶縁層、積層板は実施例３と同様のものを使用した。
第二絶縁層、第三絶縁層としては、実施例２と同様のものを使用した。
そして、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１３】
（実施例５）
前記第二の実施形態と同様の方法で回路基板を製造した。第二絶縁層、第三絶縁層を除いて、実施例３と同様のものを使用した。
（第二絶縁層および第三絶縁層）
第二絶縁層、第三絶縁層には、市販されている感光性のエポキシ変性アクリル樹脂を使用した。
この樹脂ワニスを用い、前記第二の実施形態と同様の方法で、第二絶縁層、第三絶縁層を作製した。
その後、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【０１１４】
（線膨張係数）
第一絶縁層、第二絶縁層、第三絶縁層の線膨張係数を以下のようにして測定した。
熱機械測定装置（ＴＡインスツルメント社製）を用い、窒素雰囲気下、引っ張りモードで昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度２５〜３００℃、荷重５ｇ、２サイクル測定を行った。平均線膨張率は、２サイクル目の温度２５℃〜ガラス転移点における平均線熱膨張係数とした。
なお、ガラス転移点は、ｔａｎδのピーク位置とした。また、評価サンプルは、前記で得られた絶縁層を２枚ラミネートし、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により２００℃で１時間、加熱硬化した樹脂板を用いて測定を行った。
結果を表１に示す。
【０１１５】
【表１】
【０１１６】
（反りの評価）
半導体素子を得られた回路基板のフラックス機能を有する化合物を含む樹脂の所定の位置に位置合わせして配置し、２３０℃ピークのリフロー処理にて接合処理、硬化を行い、その後エポキシ樹脂組成物で封止し、半田ボールを搭載後ダイシングし分割した半導体装置の反り量を測定し４０μｍ以下（測定範囲１５ｍｍ×２０ｍｍ）であれば、良好と判断した。
実施例１〜５で得られた回路基板を用いた半導体装置は、いずれも反り量が４０μｍ以下であり、良好であった。
【符号の説明】
【０１１７】
１ 回路基板
３ 樹脂層
５ 半導体素子
６ 半導体装置
１０ 回路基板部
２０ 導電体
２１ 第一絶縁層
２２ 第一回路層
２３ 第二絶縁層
２４ 第二回路層
２５ 第三絶縁層
２６ 半田層
２７ 金属層
２８ 金属層
４１ 金属膜
４２ 金属膜
５１ 電極
２１１ 孔
２７１ 銅層
２７２ ニッケル層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体が貫通する第一絶縁層と、
前記第一絶縁層の一方の側に設けられ、前記導電体に接続された第一回路層と、
前記第一回路層を被覆するとともに、前記第一回路層の一部上に開口が形成された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の他方側に設けられ、前記導電体に接続された第二回路層と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層と、
前記第二絶縁層の開口内に設けられ、前記第一回路層上に設けられた半田層と、
を備え、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記半田層上には、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層が、前記第二絶縁層を被覆するように形成されている回路基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路基板において、
前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）がそれぞれ２０ｐｐｍ／℃以上、４０ｐｐｍ／℃以下である回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板において、
前記第一絶縁層は、
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂
（ｂ）硬化剤
（ｃ）無機充填材
を含む回路基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層および前記第三絶縁層はそれぞれ
（ｄ）多官能シアネート樹脂
（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂
（ｆ）下記一般式（１）で示されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂
（ｇ）無機充填材を含む回路基板。
【化１】
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３ は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｍは０〜５の整数である。）
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層および前記第三絶縁層はそれぞれ、
感光性樹脂を含む回路基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の回路基板において、
前記第一絶縁層は、無機基材に絶縁性の樹脂を含浸させて得られたものであり、
前記第二絶縁層、第三絶縁層は、無機基材を含まない回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層の厚み（Ｔ１）と、前記第三絶縁層との厚み（Ｔ２）の比であるＴ１／Ｔ２が１以上である回路基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の回路基板を分割して得られた回路基板部と、
この回路基板部上に積層され、前記回路基板部の基板面側からみて前記回路基板部と略同じサイズである半導体チップとを有し、
前記回路基板部の側面と、前記半導体チップの側面とがつらいちである半導体装置。
【請求項１０】
内部に導電体が貫通するとともに、一方の面側に前記導電体に接続された第一回路層が設けられ、他方の面側に前記導電体に接続された第二回路層が設けられた第一絶縁層を用意する工程と、
前記第一回路層を被覆する第二絶縁層を設ける工程と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層を設ける工程と、
前記第二絶縁層に前記第一回路層の一部が露出する開口を形成する工程と、
前記開口内に、半田層を設ける工程と、
を含み、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路基板の製造方法において、
前記第二絶縁層を被覆するとともに、前記半田層上にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を設ける工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路基板の製造方法を含み、
前記フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、
前記回路基板を分割して、前記半導体チップと、分割した前記回路基板とを備える複数の半導体装置を得る工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１】
導電体が貫通する第一絶縁層と、
前記第一絶縁層の一方の側に設けられ、前記導電体に接続された第一回路層と、
前記第一回路層を被覆するとともに、前記第一回路層の一部上に開口が形成された第二絶縁層と、
前記第一絶縁層の他方側に設けられ、前記導電体に接続された第二回路層と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層と、
前記第二絶縁層の開口内に設けられ、前記第一回路層上に設けられた半田層と、
を備え、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記半田層上には、フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層が、前記第二絶縁層を被覆するように形成されている回路基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路基板において、
前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）がそれぞれ２０ｐｐｍ／℃以上、４０ｐｐｍ／℃以下である回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板において、
前記第一絶縁層は、
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂
（ｂ）硬化剤
（ｃ）無機充填材
を含む回路基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層および前記第三絶縁層はそれぞれ
（ｄ）多官能シアネート樹脂
（ｅ）縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂
（ｆ）下記一般式（１）で示されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂
（ｇ）無機充填材を含む回路基板。
【化１】
（式中、Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ３ は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ｍは０〜５の整数である。）
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層および前記第三絶縁層はそれぞれ、
感光性樹脂を含む回路基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の回路基板において、
前記第一絶縁層は、無機基材に絶縁性の樹脂を含浸させて得られたものであり、
前記第二絶縁層、第三絶縁層は、無機基材を含まない回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板において、
前記第二絶縁層の厚み（Ｔ１）と、前記第三絶縁層との厚み（Ｔ２）の比であるＴ１／Ｔ２が１以上である回路基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の回路基板を分割して得られた回路基板部と、
この回路基板部上に積層され、前記回路基板部の基板面側からみて前記回路基板部と略同じサイズである半導体チップとを有し、
前記回路基板部の側面と、前記半導体チップの側面とがつらいちである半導体装置。
【請求項１０】
内部に導電体が貫通するとともに、一方の面側に前記導電体に接続された第一回路層が設けられ、他方の面側に前記導電体に接続された第二回路層が設けられた第一絶縁層を用意する工程と、
前記第一回路層を被覆する第二絶縁層を設ける工程と、
前記第二回路層を被覆する第三絶縁層を設ける工程と、
前記第二絶縁層に前記第一回路層の一部が露出する開口を形成する工程と、
前記開口内に、半田層を設ける工程と、
を含み、
前記第一絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上であり、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しく、
前記第二絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）および前記第三絶縁層の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）が前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）よりも大きく、
前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第二絶縁層の平均線膨張係数（Ｂ）との差、前記第一絶縁層の平均線膨張係数（Ａ）と、前記第三絶縁層の平均線膨張係数（Ｃ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路基板の製造方法において、
前記第二絶縁層を被覆するとともに、前記半田層上にフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層を設ける工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路基板の製造方法を含み、
前記フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、
前記回路基板を分割して、前記半導体チップと、分割した前記回路基板とを備える複数の半導体装置を得る工程とを含む半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２２２９４６（Ｐ２０１１−２２２９４６Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４２６２８（Ｐ２０１０−２４２６２８）
【出願日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]