回路基板及びその製造方法
【課題】回路基材の溝内に導電性粒子を含む流動体が配置され、流動体中の導電性粒子が溝内面に固定されて形成された導体パターンのひび割れを防ぐ。
【解決手段】回路基材１１の成形と同時に断面が半円弧状で内面１３が接線連続性を有する溝１２を成形する。導電性粒子を含む流動体を回路基材１１の溝１２内に塗布し、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかになった後、溝１２内の流動体を加熱し、流動体Ｐの導電性粒子を溝１２に固定することで、回路パターン３１を形成された回路基板１０を得る。
【解決手段】回路基材１１の成形と同時に断面が半円弧状で内面１３が接線連続性を有する溝１２を成形する。導電性粒子を含む流動体を回路基材１１の溝１２内に塗布し、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかになった後、溝１２内の流動体を加熱し、流動体Ｐの導電性粒子を溝１２に固定することで、回路パターン３１を形成された回路基板１０を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターンが形成されている回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に回路パターン等の導体パターンが形成されている回路基板は、例えば、以下の特許文献１に記載されている方法で製造される。
【０００３】
この製造方法では、まず、非導電性の回路基材１１上で導体パターンとしての回路パターンを形成する位置に、図１１（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、断面形状が長方形状の溝２５を形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、金属粒子を分散させたインク等、導電性粒子を含む流動体Ｐをこの溝２５内に注入し、同図（ｄ）に示すように、回路パターン３５を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５６２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の技術において、溝２５内に流動体Ｐを注入すると、流動体Ｐは、溝底面２７では溝側周面２６側に向って濡れ広がる。また、流動体Ｐは、溝側周面２６では、流動体Ｐの露出面（回路基材１１に触れていない面）Ｓと溝２５との境界Ｂ、つまり、溝２５内の流動体Ｐで溝２５の開口縁Ｅに最も近い箇所から、溝底面２６に向って厚みが次第に増えるように濡れ広がる。このため、溝２５内の流動体Ｐは、図１１（ｃ）及び図１２に示すように、溝側周面２６と溝底面２７との角部Ｃでの厚さが極端に厚くなってしまう。この状態で、流動体Ｐに導電性を付与するため加熱等を行って、流動体Ｐ中の液体成分を除去すると、液体量が角部Ｃと他の部分とで大きく異なる結果、図１１（ｄ）に示すように、先に液体成分が除去されて固化する他の部分側へ、角部Ｃの流動体Ｐが引っ張られる力Ｆが大きくなる。よって、特許文献１に記載の技術では、溝２５に沿って形成された回路パターン３５の溝２５の角部Ｃに相当する位置にひび割れ３６が生じ、回路パターン３５の抵抗値が増大することがある。さらに最悪の場合には回路パターン３５が断線することがある、という問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は、従来技術の問題点に着目し、導体パターンのひび割れを抑え、導体パターンの抵抗値の増大や導体パターンの断線を防ぐことができる回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するための発明に係る回路基板は、
内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材と、前記溝に導電性粒子を含む流動体を塗布することで形成される導体パターンと、を備え、前記溝の断面形状の少なくとも一部は弧形状を成し、前記導体パターンは該溝の該弧形状の部分にのみ形成されていることを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記溝の前記断面形状は、該溝の深さ方向に凸状の半円弧又は半楕円弧の形状を含んでもよい。この場合、前記溝の深さは、前記円弧の半径、又は前記楕円弧における深さ方向の半径以上であってもよい。
【０００９】
また、前記溝の前記内面は、曲率連続性を有する面であることが好ましい。
【００１０】
また、上記問題点を解決するための発明に係る回路基板の製造方法は、
回路基材上に、内面が非導電性であり、断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す溝を形成する溝形成工程と、導電性粒子含む流動体を前記溝の前記円弧形状の部分にのみ塗布する塗布入工程と、前記溝内の前記流体体中の前記導電性粒子を該溝内に固定して、導体パターンの少なくとも一部を形成する固化工程と、を備えることを特徴とする。
回路基板の製造方法。
【００１１】
また、上記問題点を解決するための発明に係る回路基材は、
導体パターンを形成するために、導電性粒子を含む流動体が塗布され、内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材において、前記溝の前記内面は、接線連続性を有する面であり、該溝の深さ方向における各位置での溝幅は、該溝の開口縁側の溝幅が溝底側の溝幅以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、溝に沿って形成された回路パターンの各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。よって、本発明によれば、導体パターンの抵抗値の増大や導体パターンの断線を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る実施形態における回路基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】図５中のＹ−Ｙ線断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は加工前の回路基材を示し、同図（ｂ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｃ）は塗布工程中の形態を示し、同図（ｄ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｅ）は固化工程中の状態を示す。
【図３】本発明に係る実施形態における回路基材を示し、同図（ａ）は回路基材の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＸ−Ｘ線断面である。
【図４】本発明に係る実施形態における溝の内面上の各位置での流動体の厚さを示すグラフである。
【図５】本発明に係る実施形態における回路基板を示し、同図（ａ）は回路基板の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＹ−Ｙ線断面である。
【図６】実施形態に対する第一変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図７】実施形態に対する第二変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図８】実施形態に対する第三変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図９】実施形態に対する第四変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図１０】実施形態に対する第五変形例の回路基板の断面図である。
【図１１】従来技術の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は加工前の回路基材を示し、同図（ｂ）は溝形成後の状態を示し、同図（ｃ）は流動体注入終了直後の状態を示し、同図（ｄ）は回路パターン形成後の状態を示す。
【図１２】従来の回路基板における溝の内面上の各位置での流動体の厚さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る回路基板及びその製造方法の実施形態、及び回路基板の各変形例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
「実施形態」
まず、本発明に係る回路基板及びその製造方法の実施形態について、図１〜図５を参照して詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態で製造する回路基板１０は、図５に示すように、板状の回路基材１１と、この回路基材１１の一方の面側に導電性材で形成されている回路パターン３１とを有している。この回路パターン３１は、ここでは平面視がコ字型を成している。回路パターン３１は、例えば、回路基板１０上に搭載されている図示されていない電子部品相互間を電気的に接続する。なお、図５（ａ）は回路基板１０の平面図で、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
【００１７】
次に、以上で説明した回路基板１０の製造方法について、図１に示す製造工程のフローチャートに従って説明する。また、図２（ａ）〜同図（ｄ）は、いずれも、図５（ａ）中のＹ−Ｙ線断面における各工程での状態を示している。
【００１８】
まず、図２（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、回路基材１１上で回路パターン３１を形成する位置に溝１２を形成する（溝形成工程（Ｓ１））。回路基材１１は、非導電性であって、後述の固化工程（Ｓ３）で回路基材１１に加える熱負荷に耐える材料であれば如何なる材料で形成されてもよく、例えば、樹脂、セラミックス、さらにこれらの複合材料等で形成されてもよい。また、回路基材１１は、導電性の基材に溝１２を形成した後、この基材の外面、さらに溝１２の内面１３を非導電性の樹脂等でコーティングしたものであってもよい。
【００１９】
溝１２は、その断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す。具体的に、本実施形態の溝１２は、溝深さ方向に凸状の半円弧形状である。よって、この溝１２の内面１３は、接線連続性を有する面である。なお、面の接続連続性とは、面のいずれかの箇所で２つに切断しても、一方の面の切断箇所の位置と他方の面の切断箇所の位置とが同じであり、且つ、一方の面の切断箇所での接線と他方の面の切断箇所での接線とが同一になることを言う。この溝１２は、各種方法で形成することが可能で、例えば、レーザ照射加工法、切削加工法、回路基材成形時に同時に形成する方法等がある。
【００２０】
ここでは、回路基材１１として、ポリカーボネート製の平板を用いる。また、ここでは、溝１２の形状に対応した凸部が形成されている成形金型を用いて、図３（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、回路基材１１の成形と同時に溝１２を成形する。なお、断面が半円弧状の溝１２の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１２の深さＤ及び円弧の半径ｒは、５０μｍである。なお、図３（ａ）は回路基材１１の平面図で、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２１】
次に、図２（ｃ）及び同図（ｄ）に示すように、流動体塗布装置４０を用いて、導電性粒子を含む流動体Ｐを回路基材１１の溝１２内に塗布する（塗布工程（Ｓ２））。
【００２２】
流動体Ｐは、有機溶剤などの溶媒中に導電性粒子を分散させた導電性インクである。流動体Ｐに含まれる導電性粒子としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル、アルミニウム、ハンダ等の合金の金属粉がある。ここでは、導電性粒子として、ナノサイズの銀粒子を用いる。流動体Ｐには、上記導電性粒子の他、導電性粒子を分散させるための溶媒となる有機溶剤、樹脂、界面活性剤や、硬化剤・分散剤のような添加剤を含んでいる。有機溶剤としては、例えば、各種アルコールや各種エーテルを用いる。なお、流動体Ｐには、樹脂が含まれていなくてもよい。
【００２３】
流動体Ｐを回路基材１１の溝１２内に塗布する流動体塗布装置４０としては、例えば、インクジェット装置、ディスペンサ等を用いるとよい。ここでは、溝１２が形成された回路基材１１を、平面内で移動可能な二方向アクチュエータを有するＸＹロボットの基材搭載ステージに置き、このＸＹロボットを駆動して、回路基材１１の溝１２の直上に流動体塗布装置４０のノズル４１が位置するように、移動させる。さらに、流動体Ｐが溝１２内に吐出されるように回路基材１１とノズル４１との距離を制御する。そして、流動体塗布装置４０のノズル４１から流動体Ｐを吐出させると同時に、ＸＹロボットを駆動させて、回路基材１１を流動体塗布装置４０に対して相対移動させ、流動体Ｐを溝１２内に塗布する。
【００２４】
溝１２内に塗布された流動体Ｐは、導内面１３に濡れ広がる。なお、流動体Ｐは、溝１２の円弧形状の部分にのみ接触するように、ＸＹロボットにより濡れ広がりを考慮した量に制御されて塗布される。ところで、溝１２は、前述したように、その断面形状が溝深さ方向に凸状の半円弧形状である。従って、流動体Ｐは、図２（ｄ）及び図４に示すように、流動体Ｐの露出面（回路基材１１に触れていない面）Ｓと溝１２との境界Ｂ、つまり、溝１２内の流動体Ｐで溝１２の開口縁Ｅに最も近い箇所から、その厚さが次第に厚くなり、溝１２の最深部で最も厚くなる。すなわち、流動体Ｐの厚さは、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。
【００２５】
塗布工程（Ｓ２）が終了すると、図２（ｄ）に示すように、加熱装置５０を用いて、溝１２内の流動体Ｐを加熱し、流動体Ｐの導電性粒子を溝１２に固定し、回路パターン３１を形成する（固化工程（Ｓ３））。
【００２６】
固化工程（Ｓ３）では、溝１２内の流動体Ｐが加熱され、流動体Ｐ中の液体成分が蒸発し、流動体Ｐ中の固体成分である多数の導電性粒子同士が接触又は結合して、固化すると共に溝１２の内面１３に固定される。
【００２７】
加熱装置５０としては、例えば、流動体Ｐと共に回路基材１１全体を加熱する装置、溝１２内の流動体Ｐのみに光照射又は電圧印加する装置等がある。ここでは、流動体Ｐと共に回路基材１１全体を加熱する装置としてオーブンを用いる。このオーブンを用いて、流動体Ｐと共に回路基材１１を１４０℃で３０分間加熱する。この加熱により、流動体Ｐ中の溶媒は蒸発し、銀粒子を被覆する有機膜等の分散剤は分解する。この結果、流動体Ｐ中の多数の銀粒子同士は凝集し、金属結合して固化すると共に、溝１２の内面１３に固定され、導電性材料としての銀による回路パターン３１が形成される。この回路パターン１１は、流動体Ｐが溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている関係上、溝１２の円弧形状の部分にのみ形成される。
【００２８】
溝１２内の流動体Ｐの厚さは、前述したように、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。このため、流動体Ｐ中の液体成分が蒸発する過程で、この蒸発による液体成分の除去量は、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、溝１２に沿って形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００２９】
この固化工程（Ｓ３）が終了すると、必要に応じて、回路パターン３１に対して電子部品の接続等を行うことで、回路基板１０が完成する。
【００３０】
以上、本実施形態では、溝１２の断面形状が半円弧形状で、この溝１２内に塗布された流動体Ｐの厚さは、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化するため、溝１２に沿って形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができ、回路パターン３１の抵抗値を目的の範囲内に収めることができる。
【００３１】
「第一変形例」
次に、回路基板の第一変形例について、図６を参照して説明する。
【００３２】
本変形例の回路基板は、上記実施形態に対して、回路基材１１の溝１４の断面形状を変えたものである。なお、以下で説明する第二〜第四変形例の回路基板も、回路基材の溝１４の断面形状を変えたものである。
【００３３】
本変形例の溝１４の断面形状は、図６（ａ）に示すように、上記実施形態と同様、溝深さ方向に凸状の円弧形状である。但し、本変形例では、円弧の長さが、この円弧と同じ半径の円の周長の半分より短い。よって、この溝１４の内面１５も、上記実施形態と同様、接線連続性を有する面である。なお、断面が円弧状の溝１４の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１４の深さＤは３０μｍで、円弧の半径ｒは５４μｍである。
【００３４】
本変形例でも、上記実施形態と同様、溝１４の断面形状が円弧形状であるため、この溝１４内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図６（ｂ）に示すように、溝１４の内面１５に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に極端に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝１４内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１４の内面１５に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図６（ｃ）に示すように、溝１４内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００３５】
「第二変形例」
次に、回路基板の第二変形例について、図７を参照して説明する。
【００３６】
本変形例の溝１６の断面形状は、図７（ａ）に示すように、溝深さ方向に凸状の半円弧形状部１６ａと、この半円弧形状部１６ａの半円弧の両端から溝深さ方向と反対方向に延びる直線形状部１６ｂとを組み合わせた形状である。直線形状部１６ｂの該反対方向の端は、溝１６の開口縁Ｅを形成している。また、半円弧形状部１６ａの端の接線と、直線形状部１６ｂの端の接線とは同じである。よって、この溝１６の内面１７も、上記実施形態及び第一変形例と同様、接線連続性を有する面である。なお、この溝１６の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１６の深さＤは８０μｍ、円弧の半径ｒは５０μｍである。
【００３７】
本変形例でも、上記実施形態及び第一変形例と同様、溝１６の内面１７が接線連続性を有する面であるため、この溝１６内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図７（ｂ）に示すように、溝１６の内面１７に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１６の内面１７に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図７（ｃ）に示すように、溝１６内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。なお、この回路パターン１１は、流動体Ｐが溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている関係上、溝１２の円弧形状の部分にのみ形成される。
【００３８】
「第三変形例」
次に、回路基板の第三変形例について、図８を参照して説明する。
【００３９】
本変形例の溝１８の断面形状は、図８（ａ）に示すように、溝１８の両側を形成する２つの１/４円弧形状部１８ａと、２つの１/４円弧形状部１８ａの端部相互を接続する直線形状部１８ｂとを組み合わせた形状である。１/４円弧形状部１８ａは、１/４円弧の形状で、溝深さ方向に向うに連れて他方の１/４円弧形状部１８ａから遠ざかる方向に凸状を成している。各１/４円弧形状部１８ａの端で、他方の１/４円弧形状部１８ａに対して遠い側の端は、溝１８の開口縁Ｅを形成している。また、１/４円弧形状部１８ａの端で、他方の１/４円弧形状部１８ａに近い側の端の接線と、直線形状部１８ｂの端の接線とは同じである。よって、この溝１８の内面１９も、上記実施形態等と同様、接線連続性を有する面である。なお、この溝１８の開口幅Ｗは、例えば、１３０μｍで、溝１８の深さＤ及び円弧の半径ｒは５０μｍである。
【００４０】
本変形例でも、上記実施形態等と同様、溝１８の内面１９が接線連続性を有する面であるため、この溝１８内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図８（ｂ）に示すように、溝１８の内面１９に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１８の内面１９に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図８（ｃ）に示すように、溝１８内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００４１】
「第四変形例」
次に、回路基板の第四変形例について、図９を参照して説明する。
【００４２】
本変形例の溝２２の断面形状は、図９（ａ）に示すように、溝深さ方向に凸状の半楕円形状である。半楕円の短軸は溝深さ方向を向き、長軸は溝幅方向を向いている。よって、この溝２２の内面２３も、接線連続性を有する面である。また、溝深さ方向における各位置での溝幅は、溝２２の開口縁Ｅ側の溝幅が溝底側の溝幅より大きい。なお、この溝２２の開口幅Ｗは、例えば、１３０μｍで、溝２２の深さＤは５０μｍである。言い換えると、半楕円の長軸の長さ１３０μｍで、短軸の長さが５０μｍである。
【００４３】
本変形例でも、上記実施形態等と同様、溝２２の内面２３が接線連続性を有する面であるため、この溝２２内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図９（ｂ）に示すように、溝２２の内面２３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝２２内で断面形状が楕円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝２２の内面２３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図９（ｃ）に示すように、溝２２内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００４４】
以上のように、溝の内面の少なくとも一部を形成する曲面は、断面が円弧であっても楕円弧であってもよく、曲率連続性を有する面であればよい。
【００４５】
また、本変形例では、溝２２の内面２３の断面が全て楕円弧で形成しているが、上記実施形態に対する第二変形例や第三変形例のように、溝２２の断面形状は楕円円弧形状部と直線形状部とを組み合わせた形状であってもよい。但し、溝の内面に沿った方向での位置変化に対して、溝内に塗布された流動体Ｐの厚さを極めて滑らかに変化させるという観点からは、上記実施形態、第一変形例及び本変形例のように、溝の内面全体が曲率連続性を有していることが好ましい。
【００４６】
「第五変形例」
次に、回路基板の第五変形例について、図１０を参照して説明する。
【００４７】
本変形例の回路基板は、上記実施形態の固化工程後に、メッキ工程を実施して、流動体Ｐ中の導電性粒子で形成された導体パターン（導電層）３１上に、メッキ層３２を形成したものである。
【００４８】
メッキ工程では、まず、固化工程後の回路基板に対してメッキ前処理を施す。このメッキ前処理では、必要に応じて、固化工程後の回路基板の表面全体（導電性粒子で形成された導電層３１の表面を含む）を脱脂する脱脂処理等を行う。
【００４９】
そして、以上のメッキ前処理が施された回路基板に対してメッキ処理を施して、この回路基板の導電層３１の表面にメッキ層３２を形成する。ここでは、メッキ前処理が施された回路基板を無電解メッキ液に浸漬して、銅メッキ層３２を形成する。この際、銀粒子で形成されている導電層３１は、銅メッキ層３２のメッキ触媒層としての役割を果たす。
【００５０】
本変形例の回路基板１０ａでは、導電性粒子で形成された導電層３１とメッキ層３２とを併せて、導体パターン３３を成す。メッキ層３２の厚さは、無電解メッキ液への浸漬時間を調整することで、容易に変えることができる。このため、導体パターン３３の厚さを厚くしたい場合には、無電解メッキ液への浸漬時間を長くすればよい。
【００５１】
以上のように、本変形例では、上記実施形態の回路基板の導電層３１上に、メッキ層３２を形成したものであるため、上記実施形態同様、回路パターン３３のいずれの箇所にもひび割れが生じることがない。さらに、本変形例では、メッキ層３２の厚さを調整することで、回路パターン３３の厚さを自在に変えることができるため、回路パターン３３の抵抗値を調整することができる。
【００５２】
なお、本変形例は、第一実施形態の回路基板の導体層３１上にメッキ層３２を形成したものであるが、第一から第四変形例の各回路基板の導体層３１上にメッキ層３２を形成してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態及び以上の各変形例は、いずれも、導体パターンが回路パターンの例であるが、導体パターンは、導電性材料で形成されたパターンであれば如何なるパターンでもよく、例えば、磁気シールドするための磁気シールドパターンであってもよい。
【００５４】
また、上記実施形態及び以上の各変形例では、平板状の回路基材１１に対して回路パターンを形成したが、立体的な回路基材に対して回路パターン等を形成する場合にも、本発明を適用してもよい。この場合、立体的な回路基材や、この回路基材に形成した立体的な溝の形状に追従可能なステージを用いればよい。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１０ａ…回路基板、１１…回路基材、１２，１４，１６，１８，２２…溝、１３，１５，１７，１９，２２…内面、３１，３３…回路パターン、３２…メッキ層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターンが形成されている回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に回路パターン等の導体パターンが形成されている回路基板は、例えば、以下の特許文献１に記載されている方法で製造される。
【０００３】
この製造方法では、まず、非導電性の回路基材１１上で導体パターンとしての回路パターンを形成する位置に、図１１（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、断面形状が長方形状の溝２５を形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、金属粒子を分散させたインク等、導電性粒子を含む流動体Ｐをこの溝２５内に注入し、同図（ｄ）に示すように、回路パターン３５を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５６２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の技術において、溝２５内に流動体Ｐを注入すると、流動体Ｐは、溝底面２７では溝側周面２６側に向って濡れ広がる。また、流動体Ｐは、溝側周面２６では、流動体Ｐの露出面（回路基材１１に触れていない面）Ｓと溝２５との境界Ｂ、つまり、溝２５内の流動体Ｐで溝２５の開口縁Ｅに最も近い箇所から、溝底面２６に向って厚みが次第に増えるように濡れ広がる。このため、溝２５内の流動体Ｐは、図１１（ｃ）及び図１２に示すように、溝側周面２６と溝底面２７との角部Ｃでの厚さが極端に厚くなってしまう。この状態で、流動体Ｐに導電性を付与するため加熱等を行って、流動体Ｐ中の液体成分を除去すると、液体量が角部Ｃと他の部分とで大きく異なる結果、図１１（ｄ）に示すように、先に液体成分が除去されて固化する他の部分側へ、角部Ｃの流動体Ｐが引っ張られる力Ｆが大きくなる。よって、特許文献１に記載の技術では、溝２５に沿って形成された回路パターン３５の溝２５の角部Ｃに相当する位置にひび割れ３６が生じ、回路パターン３５の抵抗値が増大することがある。さらに最悪の場合には回路パターン３５が断線することがある、という問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は、従来技術の問題点に着目し、導体パターンのひび割れを抑え、導体パターンの抵抗値の増大や導体パターンの断線を防ぐことができる回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するための発明に係る回路基板は、
内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材と、前記溝に導電性粒子を含む流動体を塗布することで形成される導体パターンと、を備え、前記溝の断面形状の少なくとも一部は弧形状を成し、前記導体パターンは該溝の該弧形状の部分にのみ形成されていることを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記溝の前記断面形状は、該溝の深さ方向に凸状の半円弧又は半楕円弧の形状を含んでもよい。この場合、前記溝の深さは、前記円弧の半径、又は前記楕円弧における深さ方向の半径以上であってもよい。
【０００９】
また、前記溝の前記内面は、曲率連続性を有する面であることが好ましい。
【００１０】
また、上記問題点を解決するための発明に係る回路基板の製造方法は、
回路基材上に、内面が非導電性であり、断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す溝を形成する溝形成工程と、導電性粒子含む流動体を前記溝の前記円弧形状の部分にのみ塗布する塗布入工程と、前記溝内の前記流体体中の前記導電性粒子を該溝内に固定して、導体パターンの少なくとも一部を形成する固化工程と、を備えることを特徴とする。
回路基板の製造方法。
【００１１】
また、上記問題点を解決するための発明に係る回路基材は、
導体パターンを形成するために、導電性粒子を含む流動体が塗布され、内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材において、前記溝の前記内面は、接線連続性を有する面であり、該溝の深さ方向における各位置での溝幅は、該溝の開口縁側の溝幅が溝底側の溝幅以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、溝に沿って形成された回路パターンの各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。よって、本発明によれば、導体パターンの抵抗値の増大や導体パターンの断線を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る実施形態における回路基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】図５中のＹ−Ｙ線断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は加工前の回路基材を示し、同図（ｂ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｃ）は塗布工程中の形態を示し、同図（ｄ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｅ）は固化工程中の状態を示す。
【図３】本発明に係る実施形態における回路基材を示し、同図（ａ）は回路基材の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＸ−Ｘ線断面である。
【図４】本発明に係る実施形態における溝の内面上の各位置での流動体の厚さを示すグラフである。
【図５】本発明に係る実施形態における回路基板を示し、同図（ａ）は回路基板の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＹ−Ｙ線断面である。
【図６】実施形態に対する第一変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図７】実施形態に対する第二変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図８】実施形態に対する第三変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図９】実施形態に対する第四変形例の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は溝形成工程後の状態を示し、同図（ｂ）は塗布工程の終了直後の状態を示し、同図（ｃ）は固化工程後の状態を示す。
【図１０】実施形態に対する第五変形例の回路基板の断面図である。
【図１１】従来技術の回路基板における断面での製造過程の変化状態を示す説明図で、同図（ａ）は加工前の回路基材を示し、同図（ｂ）は溝形成後の状態を示し、同図（ｃ）は流動体注入終了直後の状態を示し、同図（ｄ）は回路パターン形成後の状態を示す。
【図１２】従来の回路基板における溝の内面上の各位置での流動体の厚さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る回路基板及びその製造方法の実施形態、及び回路基板の各変形例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
「実施形態」
まず、本発明に係る回路基板及びその製造方法の実施形態について、図１〜図５を参照して詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態で製造する回路基板１０は、図５に示すように、板状の回路基材１１と、この回路基材１１の一方の面側に導電性材で形成されている回路パターン３１とを有している。この回路パターン３１は、ここでは平面視がコ字型を成している。回路パターン３１は、例えば、回路基板１０上に搭載されている図示されていない電子部品相互間を電気的に接続する。なお、図５（ａ）は回路基板１０の平面図で、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
【００１７】
次に、以上で説明した回路基板１０の製造方法について、図１に示す製造工程のフローチャートに従って説明する。また、図２（ａ）〜同図（ｄ）は、いずれも、図５（ａ）中のＹ−Ｙ線断面における各工程での状態を示している。
【００１８】
まず、図２（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、回路基材１１上で回路パターン３１を形成する位置に溝１２を形成する（溝形成工程（Ｓ１））。回路基材１１は、非導電性であって、後述の固化工程（Ｓ３）で回路基材１１に加える熱負荷に耐える材料であれば如何なる材料で形成されてもよく、例えば、樹脂、セラミックス、さらにこれらの複合材料等で形成されてもよい。また、回路基材１１は、導電性の基材に溝１２を形成した後、この基材の外面、さらに溝１２の内面１３を非導電性の樹脂等でコーティングしたものであってもよい。
【００１９】
溝１２は、その断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す。具体的に、本実施形態の溝１２は、溝深さ方向に凸状の半円弧形状である。よって、この溝１２の内面１３は、接線連続性を有する面である。なお、面の接続連続性とは、面のいずれかの箇所で２つに切断しても、一方の面の切断箇所の位置と他方の面の切断箇所の位置とが同じであり、且つ、一方の面の切断箇所での接線と他方の面の切断箇所での接線とが同一になることを言う。この溝１２は、各種方法で形成することが可能で、例えば、レーザ照射加工法、切削加工法、回路基材成形時に同時に形成する方法等がある。
【００２０】
ここでは、回路基材１１として、ポリカーボネート製の平板を用いる。また、ここでは、溝１２の形状に対応した凸部が形成されている成形金型を用いて、図３（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、回路基材１１の成形と同時に溝１２を成形する。なお、断面が半円弧状の溝１２の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１２の深さＤ及び円弧の半径ｒは、５０μｍである。なお、図３（ａ）は回路基材１１の平面図で、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２１】
次に、図２（ｃ）及び同図（ｄ）に示すように、流動体塗布装置４０を用いて、導電性粒子を含む流動体Ｐを回路基材１１の溝１２内に塗布する（塗布工程（Ｓ２））。
【００２２】
流動体Ｐは、有機溶剤などの溶媒中に導電性粒子を分散させた導電性インクである。流動体Ｐに含まれる導電性粒子としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル、アルミニウム、ハンダ等の合金の金属粉がある。ここでは、導電性粒子として、ナノサイズの銀粒子を用いる。流動体Ｐには、上記導電性粒子の他、導電性粒子を分散させるための溶媒となる有機溶剤、樹脂、界面活性剤や、硬化剤・分散剤のような添加剤を含んでいる。有機溶剤としては、例えば、各種アルコールや各種エーテルを用いる。なお、流動体Ｐには、樹脂が含まれていなくてもよい。
【００２３】
流動体Ｐを回路基材１１の溝１２内に塗布する流動体塗布装置４０としては、例えば、インクジェット装置、ディスペンサ等を用いるとよい。ここでは、溝１２が形成された回路基材１１を、平面内で移動可能な二方向アクチュエータを有するＸＹロボットの基材搭載ステージに置き、このＸＹロボットを駆動して、回路基材１１の溝１２の直上に流動体塗布装置４０のノズル４１が位置するように、移動させる。さらに、流動体Ｐが溝１２内に吐出されるように回路基材１１とノズル４１との距離を制御する。そして、流動体塗布装置４０のノズル４１から流動体Ｐを吐出させると同時に、ＸＹロボットを駆動させて、回路基材１１を流動体塗布装置４０に対して相対移動させ、流動体Ｐを溝１２内に塗布する。
【００２４】
溝１２内に塗布された流動体Ｐは、導内面１３に濡れ広がる。なお、流動体Ｐは、溝１２の円弧形状の部分にのみ接触するように、ＸＹロボットにより濡れ広がりを考慮した量に制御されて塗布される。ところで、溝１２は、前述したように、その断面形状が溝深さ方向に凸状の半円弧形状である。従って、流動体Ｐは、図２（ｄ）及び図４に示すように、流動体Ｐの露出面（回路基材１１に触れていない面）Ｓと溝１２との境界Ｂ、つまり、溝１２内の流動体Ｐで溝１２の開口縁Ｅに最も近い箇所から、その厚さが次第に厚くなり、溝１２の最深部で最も厚くなる。すなわち、流動体Ｐの厚さは、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。
【００２５】
塗布工程（Ｓ２）が終了すると、図２（ｄ）に示すように、加熱装置５０を用いて、溝１２内の流動体Ｐを加熱し、流動体Ｐの導電性粒子を溝１２に固定し、回路パターン３１を形成する（固化工程（Ｓ３））。
【００２６】
固化工程（Ｓ３）では、溝１２内の流動体Ｐが加熱され、流動体Ｐ中の液体成分が蒸発し、流動体Ｐ中の固体成分である多数の導電性粒子同士が接触又は結合して、固化すると共に溝１２の内面１３に固定される。
【００２７】
加熱装置５０としては、例えば、流動体Ｐと共に回路基材１１全体を加熱する装置、溝１２内の流動体Ｐのみに光照射又は電圧印加する装置等がある。ここでは、流動体Ｐと共に回路基材１１全体を加熱する装置としてオーブンを用いる。このオーブンを用いて、流動体Ｐと共に回路基材１１を１４０℃で３０分間加熱する。この加熱により、流動体Ｐ中の溶媒は蒸発し、銀粒子を被覆する有機膜等の分散剤は分解する。この結果、流動体Ｐ中の多数の銀粒子同士は凝集し、金属結合して固化すると共に、溝１２の内面１３に固定され、導電性材料としての銀による回路パターン３１が形成される。この回路パターン１１は、流動体Ｐが溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている関係上、溝１２の円弧形状の部分にのみ形成される。
【００２８】
溝１２内の流動体Ｐの厚さは、前述したように、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。このため、流動体Ｐ中の液体成分が蒸発する過程で、この蒸発による液体成分の除去量は、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、溝１２に沿って形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００２９】
この固化工程（Ｓ３）が終了すると、必要に応じて、回路パターン３１に対して電子部品の接続等を行うことで、回路基板１０が完成する。
【００３０】
以上、本実施形態では、溝１２の断面形状が半円弧形状で、この溝１２内に塗布された流動体Ｐの厚さは、溝１２の内面１３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化するため、溝１２に沿って形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができ、回路パターン３１の抵抗値を目的の範囲内に収めることができる。
【００３１】
「第一変形例」
次に、回路基板の第一変形例について、図６を参照して説明する。
【００３２】
本変形例の回路基板は、上記実施形態に対して、回路基材１１の溝１４の断面形状を変えたものである。なお、以下で説明する第二〜第四変形例の回路基板も、回路基材の溝１４の断面形状を変えたものである。
【００３３】
本変形例の溝１４の断面形状は、図６（ａ）に示すように、上記実施形態と同様、溝深さ方向に凸状の円弧形状である。但し、本変形例では、円弧の長さが、この円弧と同じ半径の円の周長の半分より短い。よって、この溝１４の内面１５も、上記実施形態と同様、接線連続性を有する面である。なお、断面が円弧状の溝１４の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１４の深さＤは３０μｍで、円弧の半径ｒは５４μｍである。
【００３４】
本変形例でも、上記実施形態と同様、溝１４の断面形状が円弧形状であるため、この溝１４内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図６（ｂ）に示すように、溝１４の内面１５に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に極端に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝１４内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１４の内面１５に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図６（ｃ）に示すように、溝１４内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００３５】
「第二変形例」
次に、回路基板の第二変形例について、図７を参照して説明する。
【００３６】
本変形例の溝１６の断面形状は、図７（ａ）に示すように、溝深さ方向に凸状の半円弧形状部１６ａと、この半円弧形状部１６ａの半円弧の両端から溝深さ方向と反対方向に延びる直線形状部１６ｂとを組み合わせた形状である。直線形状部１６ｂの該反対方向の端は、溝１６の開口縁Ｅを形成している。また、半円弧形状部１６ａの端の接線と、直線形状部１６ｂの端の接線とは同じである。よって、この溝１６の内面１７も、上記実施形態及び第一変形例と同様、接線連続性を有する面である。なお、この溝１６の開口幅Ｗは、例えば、１００μｍで、溝１６の深さＤは８０μｍ、円弧の半径ｒは５０μｍである。
【００３７】
本変形例でも、上記実施形態及び第一変形例と同様、溝１６の内面１７が接線連続性を有する面であるため、この溝１６内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図７（ｂ）に示すように、溝１６の内面１７に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１６の内面１７に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図７（ｃ）に示すように、溝１６内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。なお、この回路パターン１１は、流動体Ｐが溝１６内で断面形状が円弧形状の部分のみに塗布されている関係上、溝１２の円弧形状の部分にのみ形成される。
【００３８】
「第三変形例」
次に、回路基板の第三変形例について、図８を参照して説明する。
【００３９】
本変形例の溝１８の断面形状は、図８（ａ）に示すように、溝１８の両側を形成する２つの１/４円弧形状部１８ａと、２つの１/４円弧形状部１８ａの端部相互を接続する直線形状部１８ｂとを組み合わせた形状である。１/４円弧形状部１８ａは、１/４円弧の形状で、溝深さ方向に向うに連れて他方の１/４円弧形状部１８ａから遠ざかる方向に凸状を成している。各１/４円弧形状部１８ａの端で、他方の１/４円弧形状部１８ａに対して遠い側の端は、溝１８の開口縁Ｅを形成している。また、１/４円弧形状部１８ａの端で、他方の１/４円弧形状部１８ａに近い側の端の接線と、直線形状部１８ｂの端の接線とは同じである。よって、この溝１８の内面１９も、上記実施形態等と同様、接線連続性を有する面である。なお、この溝１８の開口幅Ｗは、例えば、１３０μｍで、溝１８の深さＤ及び円弧の半径ｒは５０μｍである。
【００４０】
本変形例でも、上記実施形態等と同様、溝１８の内面１９が接線連続性を有する面であるため、この溝１８内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図８（ｂ）に示すように、溝１８の内面１９に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝１８の内面１９に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図８（ｃ）に示すように、溝１８内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００４１】
「第四変形例」
次に、回路基板の第四変形例について、図９を参照して説明する。
【００４２】
本変形例の溝２２の断面形状は、図９（ａ）に示すように、溝深さ方向に凸状の半楕円形状である。半楕円の短軸は溝深さ方向を向き、長軸は溝幅方向を向いている。よって、この溝２２の内面２３も、接線連続性を有する面である。また、溝深さ方向における各位置での溝幅は、溝２２の開口縁Ｅ側の溝幅が溝底側の溝幅より大きい。なお、この溝２２の開口幅Ｗは、例えば、１３０μｍで、溝２２の深さＤは５０μｍである。言い換えると、半楕円の長軸の長さ１３０μｍで、短軸の長さが５０μｍである。
【００４３】
本変形例でも、上記実施形態等と同様、溝２２の内面２３が接線連続性を有する面であるため、この溝２２内に塗布された流動体Ｐの厚さは、図９（ｂ）に示すように、溝２２の内面２３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化し、流動体Ｐの厚さが局所的に厚い部分はない。なお、本変形例においても、流動体Ｐは、溝２２内で断面形状が楕円弧形状の部分のみに塗布されている。このため、固化工程で流動体Ｐを加熱する際、溶媒蒸発による液体成分の除去量も、溝２２の内面２３に沿った方向での位置変化に対して極めて滑らかに変化する。よって、本変形例でも、図９（ｃ）に示すように、溝２２内に形成された回路パターン３１の各箇所におけるひび割れの発生を抑えることができる。
【００４４】
以上のように、溝の内面の少なくとも一部を形成する曲面は、断面が円弧であっても楕円弧であってもよく、曲率連続性を有する面であればよい。
【００４５】
また、本変形例では、溝２２の内面２３の断面が全て楕円弧で形成しているが、上記実施形態に対する第二変形例や第三変形例のように、溝２２の断面形状は楕円円弧形状部と直線形状部とを組み合わせた形状であってもよい。但し、溝の内面に沿った方向での位置変化に対して、溝内に塗布された流動体Ｐの厚さを極めて滑らかに変化させるという観点からは、上記実施形態、第一変形例及び本変形例のように、溝の内面全体が曲率連続性を有していることが好ましい。
【００４６】
「第五変形例」
次に、回路基板の第五変形例について、図１０を参照して説明する。
【００４７】
本変形例の回路基板は、上記実施形態の固化工程後に、メッキ工程を実施して、流動体Ｐ中の導電性粒子で形成された導体パターン（導電層）３１上に、メッキ層３２を形成したものである。
【００４８】
メッキ工程では、まず、固化工程後の回路基板に対してメッキ前処理を施す。このメッキ前処理では、必要に応じて、固化工程後の回路基板の表面全体（導電性粒子で形成された導電層３１の表面を含む）を脱脂する脱脂処理等を行う。
【００４９】
そして、以上のメッキ前処理が施された回路基板に対してメッキ処理を施して、この回路基板の導電層３１の表面にメッキ層３２を形成する。ここでは、メッキ前処理が施された回路基板を無電解メッキ液に浸漬して、銅メッキ層３２を形成する。この際、銀粒子で形成されている導電層３１は、銅メッキ層３２のメッキ触媒層としての役割を果たす。
【００５０】
本変形例の回路基板１０ａでは、導電性粒子で形成された導電層３１とメッキ層３２とを併せて、導体パターン３３を成す。メッキ層３２の厚さは、無電解メッキ液への浸漬時間を調整することで、容易に変えることができる。このため、導体パターン３３の厚さを厚くしたい場合には、無電解メッキ液への浸漬時間を長くすればよい。
【００５１】
以上のように、本変形例では、上記実施形態の回路基板の導電層３１上に、メッキ層３２を形成したものであるため、上記実施形態同様、回路パターン３３のいずれの箇所にもひび割れが生じることがない。さらに、本変形例では、メッキ層３２の厚さを調整することで、回路パターン３３の厚さを自在に変えることができるため、回路パターン３３の抵抗値を調整することができる。
【００５２】
なお、本変形例は、第一実施形態の回路基板の導体層３１上にメッキ層３２を形成したものであるが、第一から第四変形例の各回路基板の導体層３１上にメッキ層３２を形成してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態及び以上の各変形例は、いずれも、導体パターンが回路パターンの例であるが、導体パターンは、導電性材料で形成されたパターンであれば如何なるパターンでもよく、例えば、磁気シールドするための磁気シールドパターンであってもよい。
【００５４】
また、上記実施形態及び以上の各変形例では、平板状の回路基材１１に対して回路パターンを形成したが、立体的な回路基材に対して回路パターン等を形成する場合にも、本発明を適用してもよい。この場合、立体的な回路基材や、この回路基材に形成した立体的な溝の形状に追従可能なステージを用いればよい。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１０ａ…回路基板、１１…回路基材、１２，１４，１６，１８，２２…溝、１３，１５，１７，１９，２２…内面、３１，３３…回路パターン、３２…メッキ層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材と、
前記溝に導電性粒子を含む流動体を塗布することで形成される導体パターンと、を備え、
前記溝の断面形状の少なくとも一部は弧形状を成し、前記導体パターンは該溝の該弧形状の部分にのみ形成されている、
ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記溝の前記断面形状は、該溝の深さ方向に凸状の半円弧又は半楕円弧の形状を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記溝の深さは、前記円弧の半径、又は前記楕円弧における深さ方向の半径以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記溝の前記内面は、曲率連続性を有する面である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項５】
回路基材上に、内面が非導電性であり、断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す溝を形成する溝形成工程と、
導電性粒子含む流動体を前記溝の前記円弧形状の部分にのみ塗布する塗布入工程と、
前記溝内の前記流体体中の前記導電性粒子を該溝内に固定して、導体パターンの少なくとも一部を形成する固化工程と、
を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１】
内面が非導電性を有する溝が形成されている回路基材と、
前記溝に導電性粒子を含む流動体を塗布することで形成される導体パターンと、を備え、
前記溝の断面形状の少なくとも一部は弧形状を成し、前記導体パターンは該溝の該弧形状の部分にのみ形成されている、
ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記溝の前記断面形状は、該溝の深さ方向に凸状の半円弧又は半楕円弧の形状を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記溝の深さは、前記円弧の半径、又は前記楕円弧における深さ方向の半径以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記溝の前記内面は、曲率連続性を有する面である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項５】
回路基材上に、内面が非導電性であり、断面形状の少なくとも一部が弧形状を成す溝を形成する溝形成工程と、
導電性粒子含む流動体を前記溝の前記円弧形状の部分にのみ塗布する塗布入工程と、
前記溝内の前記流体体中の前記導電性粒子を該溝内に固定して、導体パターンの少なくとも一部を形成する固化工程と、
を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−２２７４６７（Ｐ２０１２−２２７４６７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９５９８８（Ｐ２０１１−９５９８８）
【出願日】平成２３年４月２２日（２０１１．４．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２２日（２０１１．４．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
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