回路基板
【課題】絶縁層の回路溝内に設けられると共にビアに接続された電気回路の、伝送ロスを低減することができる回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板は、絶縁層１と、この絶縁層１に設けられた電気回路２及びビア３とを備える。前記絶縁層１には回路溝４と、この回路溝４に連通する通孔５とが形成されている。前記電気回路２が前記回路溝４内に設けられていると共に、前記ビア３が前記通孔５内に設けられている。前記回路溝４の内面の表面粗さが、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする。
【解決手段】回路基板は、絶縁層１と、この絶縁層１に設けられた電気回路２及びビア３とを備える。前記絶縁層１には回路溝４と、この回路溝４に連通する通孔５とが形成されている。前記電気回路２が前記回路溝４内に設けられていると共に、前記ビア３が前記通孔５内に設けられている。前記回路溝４の内面の表面粗さが、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層、電気回路及びビアを備える回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の携帯情報端末機器；コンピュータ及びその周辺機器；各種情報家電製品、等の電気機器において、高機能化が急速に進行している。それに伴って、これら電気機器に搭載される回路基板には、電気回路２のさらなる高密度化が要求されている。このような電気回路２の高密度化の要求を満たすために、線幅及び線間隔（隣り合う電気回路２と電気回路２との間の部分の幅）のより狭い電気回路２の電気回路２を正確に形成できる方法が求められている。
【０００３】
このような回路基板を作製するにあたり、近年、半導体装置の製造などに利用されているＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法（特許文献１参照）を利用して、絶縁層１の回路溝４内に電気回路２を形成することが検討されている。
【０００４】
図８に示す例では、まず図８（ａ）に示される裏面側に第一電気回路７が設けられている絶縁層１の表面側にレーザ加工を施すことで、図８（ｂ）に示すように回路溝４を形成する。このとき、更に回路溝４の底部にレーザ加工を施すことで、回路溝４の底部から第一電気回路７の表面に至る通孔５を形成する。この通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０００５】
次に、この絶縁層１の表面側をデスミア処理液で処理することで、図８（ｃ）に示すように前記スミア１１を除去する。このとき同時に絶縁層１の表面側を粗面化してめっき付着性を向上する。
【０００６】
次に、図８（ｄ）に示すように、この絶縁層１の表面側に無電解めっき処理を施して無電解めっき膜１０を形成する。次に、図８（ｅ）に示すように、この無電解めっき膜１０の上面に電解めっき処理を施してめっき層を堆積させる。これにより、通孔５内に堆積しためっき層によってビア３が形成されると共に、回路溝４内に堆積しためっき層によって第二電気回路２が形成される。また、めっき層は更に絶縁層１の表面全体を覆うように堆積する。
【０００７】
次に、図８（ｆ）に示すように、ＣＭＰ法により絶縁層１の表面側のめっき層を研磨して除去する。これにより絶縁層１の表面及び第二電気回路２の表面を外部に露出させる。
【０００８】
しかし、このようにして回路基板を作製すると、絶縁層１に設けられる第二電気回路２における伝送ロスが大きくなるという問題があることが明らかとなった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−４９１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層の回路溝内に設けられると共にビアに接続された電気回路の、伝送ロスを低減することができる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らが、従来技術における電気回路２の伝送ロスの発生の原因について検討したところ、通孔５内のスミア１１をデスミア処理により除去する際に、同時に回路溝４の内面がデスミア処理液によって粗化されてしまうことが判明した。このため図９に示すように、回路基板において電気回路２と絶縁層１との界面が粗化され、その結果、電気回路２に伝送ロスが生じるものと考えられる。当該知見に基づき本発明者らは鋭意研究の結果、本発明の完成に至った。
【００１２】
本発明に係る回路基板は、絶縁層１と、この絶縁層１に設けられた電気回路２及びビア３とを備え、前記絶縁層１には回路溝４と、この回路溝４に連通する通孔５とが形成され、前記電気回路２が前記回路溝４内に設けられていると共に、前記ビア３が前記通孔５内に設けられ、前記回路溝４の内面の表面粗さが、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
本発明においては、前記通孔の内面の表面粗さと、回路溝の内面の表面粗さの比（通孔の内面の表面粗さ／回路溝の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、前記回路溝４の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．０１〜０．５μｍの範囲であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、前記通孔５の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．５〜２μｍの範囲であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁層の回路溝の内面の表面粗さを小さくすることで、回路溝と、この回路溝の内側の電気回路との界面が平滑化し、このため電気回路における伝送ロスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す、回路基板の断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｅ）は同上の回路基板の第一の製造法の工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第一の製造法の、図２に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は同上の回路基板の第二の製造法の工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第二の製造法の、図４に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は同上の回路基板の第三の製造法の工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第三の製造法の、図６に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）乃至（ｆ）は従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図９】従来の回路基板の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１９】
図１に本発明に係る回路基板の構成の一例を示す。この回路基板は第一絶縁層６、第一電気回路７、絶縁層１（第二絶縁層１）、電気回路２（第二電気回路２）が、順次積層した構成を有している。
【００２０】
第一絶縁層６の上面は平坦に形成されており、この第一絶縁層６の上面上に第二電気回路２が積層して設けられている。第二絶縁層１は第一絶縁層６の上面上にこの第一絶縁層６と接するように積層されており、このため第一電気回路７は第二絶縁層１に埋設されている。第二絶縁層１の上面には回路溝４が形成されており、この回路溝４内に第二電気回路２が設けられている。また第二絶縁層１には第一電気回路７と第二電気回路２とを連通する通孔５が形成され、この通孔５内には第一電気回路７と第二電気回路２とを導通するビア３が設けられている。
【００２１】
この回路基板における、前記回路溝４の内面の表面粗さは、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなっている。このため、回路溝４の内面と、この回路溝４内に設けられている第二電気回路２との間の界面の平滑性が高くなり、これにより、第二電気回路２における伝送ロスが小さくなる。
【００２２】
この第二電気回路２における伝送ロスを充分に小さくするためには、回路溝４の内面の表面粗さが０．０１〜０．５μｍの範囲であることが好ましく、０．０５〜０．４μｍの範囲であれば更に好ましい。このように回路溝４の内面の表面粗さが０．５μｍ以下、特に０．４μｍ以下であることで、回路溝４の内面と第二電気回路２との間の界面に平滑性が充分に高くなり、伝送ロスが著しく小さくなる。
【００２３】
また、通孔５の内面の表面粗さは０．５〜２μｍの範囲であることが好ましく、０．５〜１．５μｍの範囲であれば更に好ましい。この場合、通孔５の内面での、ビア３を構成する導体（めっき層）と第二絶縁層１との密着力が向上し、回路基板の信頼性向上につながる。
【００２４】
また、前記通孔５の内面の表面粗さと、回路溝４の内面の表面粗さの比（通孔５の内面の表面粗さ／回路溝４の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることが好ましく、１．２〜５０の範囲であれば更に好ましい。
【００２５】
このような回路基板は、適宜に方法で製造することができる。以下、この回路基板の製造法の例を示す。
【００２６】
［第一の製造法］
図２及び図３に、回路基板の第一の製造法を示す。この回路基板の第一の製造法について説明する。
【００２７】
第一絶縁層６は、回路基板の製造に用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等で形成される。
【００２８】
前記樹脂基材としては、回路基板、例えば、多層回路基板の製造に用いられうる各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、従来から多層回路基板の製造に使用される、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。
【００２９】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３１】
また特に限定されないが、レーザ加工により回路パターンを形成することから、１００〜４００ｎｍ波長領域でのレーザ光の吸収率が良い樹脂等用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００３２】
また、前記第一絶縁層６は、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザ加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるめっきと樹脂との密着性をあげることが可能である。
【００３３】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また特に限定はされないが、第一絶縁層６の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には０．０１〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００３４】
また、前記無機微粒子は、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記第一絶縁層６は、前記無機微粒子の、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
また、前記第一絶縁層６は、前記無機微粒子の、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００３７】
また、前記第一絶縁層６の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。第一絶縁層６の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍ程度であることがより好ましい。また、第一絶縁層６としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。
【００３８】
この第一絶縁層６の表面上に第一電気回路７を形成する。第一電気回路７は、サブトラクティブ法、アディティブ法等の従来から知られた電気回路形成方法により形成され得る。
【００３９】
図２（ａ）に示すように、第一絶縁層６の表面に第二絶縁層１を積層する。これにより、第一電気回路７が第二絶縁層１に埋設される。第二絶縁層１は、例えば第一絶縁層６と同様の各種有機基板で形成される。
【００４０】
また、第二絶縁層１は、第一絶縁層６の表面上に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより形成してもよい。このような方法に用いられる樹脂溶液としては、従来から多層回路基板の製造に用いられているような、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂溶液が特に制限なく用いられ得る。
【００４１】
また、例えば、第一絶縁層６の表面に絶縁基材を重ね合わせ、加熱プレスすることにより第二絶縁層１を形成してもよい。絶縁基材としてプリプレグを用いる場合には、この加熱プレスにより硬化させることが好ましい。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、第二絶縁層１の表面に樹脂被膜８を形成する（被膜形成工程）。
【００４３】
前記樹脂被膜８は、被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜８等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜８が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜８としては、例えば、前記液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。なお、前記膨潤性樹脂被膜８には、前記液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８だけではなく、前記液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８や、前記液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８も含まれる。
【００４４】
前記樹脂被膜８の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記第二絶縁層１の表面に、樹脂被膜８を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜８を第二絶縁層１の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００４５】
前記樹脂被膜８の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜８の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜８の厚みが厚すぎる場合には、前記回路パターン形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝４や貫通孔５等の回路パターン部の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜８の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜８を形成しにくくなる傾向がある。
【００４６】
次に、前記樹脂被膜８として好適な膨潤性樹脂被膜８を例に挙げて説明する。
【００４７】
前記膨潤性樹脂被膜８としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜８が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜８がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜８が剥離しにくくなる傾向がある。
【００４８】
前記膨潤性樹脂被膜８の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜８の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記第二絶縁層１の表面に、膨潤性樹脂被膜８を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜８を第二絶縁層１の表面に転写する方法等が挙げられる。
【００４９】
前記膨潤性樹脂被膜８を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルション等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルションとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜８を容易に形成することができる。
【００５０】
また、前記膨潤性樹脂被膜８としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜８は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜８を剥離させることができる。
【００５１】
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜８は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜８であることが好ましい。
【００５２】
このような膨潤性樹脂被膜８の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント回路基板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【００５３】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルションとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜８を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜８を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜８を剥離する作用をする。また、酸当量とは、１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。
【００５４】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００５５】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００５６】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜８の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。
【００５７】
また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００５８】
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜８の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００５９】
膨潤性樹脂被膜８は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルションを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたＤＦＲを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００６０】
また、前記樹脂被膜８としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜８を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。
【００６１】
前記樹脂被膜８を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜８が形成された絶縁基材を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜８が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜８（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。
【００６２】
めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（ｐＨ１〜２）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。
【００６３】
被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０％程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００６４】
絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造法の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００６５】
保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００６６】
また、前記樹脂被膜８としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。
【００６７】
前記樹脂組成物としては、メイン樹脂として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で１０００〜５０００００程度であり、５０００〜５００００が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザ加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００６８】
メイン樹脂の組成としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、及び特開２００１−２０１８５１号公報に記載のもの等が挙げられる。
【００６９】
（ａ）の一例として、例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を一個有するものが一般的であるが、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることができる。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、（ａ）単量体の組成比率は、５〜７０重量％である。
【００７０】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加する。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００７１】
さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００７２】
その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００７３】
本発明のプリント板加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、レーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料としては、これらの波長に対して、吸収率が５０％以上になることが望ましい。
【００７４】
次に、図２（ｃ）に示すように、樹脂被膜８を部分的に除去すると共にこの除去した部分において更に第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。
【００７５】
この回路溝４の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜８が形成された第二絶縁層１に、前記樹脂被膜８の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝４を形成する方法等が挙げられる。高精度の微細な電気回路２を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。
【００７６】
この工程により、前記回路溝４の形状及び深さ及び位置等の回路パターンの形状が規定される。この回路溝形成工程で形成される回路溝４の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な電気回路２も容易に形成できる。また、回路溝４の深さは、電気回路２と第二絶縁層１とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路２の深さとなる。
【００７７】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さＲａが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【００７８】
次に、図２（ｄ）に示すように，回路溝４及び樹脂被膜８の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。このような触媒被着処理により、回路溝４の内面、及びレーザ加工されていない樹脂被膜８の表面全体にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【００７９】
前記めっき触媒又はその前駆体９は、めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜１０を形成したい部分にのみ無電解めっき膜１０を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜８の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００８０】
めっき触媒又はその前駆体９を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【００８１】
はじめに、回路溝４及び通孔５が形成された第二絶縁層１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して第二絶縁層１の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓）を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【００８２】
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【００８３】
このような触媒被着処理によって、前記回路溝４の内面、前記通孔５の内壁表面、及び前記樹脂被膜８の表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【００８４】
次に、図２（ｅ）に示すように、樹脂被膜８を所定の液体で膨潤又は溶解させることにより除去する（被膜除去工程）。この工程によれば、レーザ加工により形成された回路溝４の内面にめっき触媒又はその前駆体９を残留させ、それ以外の樹脂被膜８の表面に付着されためっき触媒又はその前駆体９を除去することができる。
【００８５】
前記樹脂被膜８を除去する方法は、特に限定されない。具体的な方法としては、例えば、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を膨潤させた後に、前記第二絶縁層１から前記樹脂被膜８を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記第二絶縁層１から前記樹脂被膜８を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜８を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜８で被覆された前記第二絶縁層１を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【００８６】
また、前記樹脂被膜８として、前記膨潤性樹脂被膜８を用いる場合について、説明する。
【００８７】
前記膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる液体（膨潤液）としては、前記第二絶縁層１、及び前記めっき触媒又はその前駆体９を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜８を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜８を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜８の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜８がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーや、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられる。
【００８８】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜８が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマー、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜８は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
【００８９】
膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜８で被覆された第二絶縁層１を所定の時間浸漬する方法が挙げられる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９０】
次に、図３（ａ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が残留している回路溝４の内面に無電解めっき処理を施して、無電解めっき膜１０を形成する（めっき処理工程）。この工程により、回路溝４の内面に無電解めっき膜１０が析出する。
【００９１】
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体９が被着された第二絶縁層１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体９が被着された部分のみに無電解めっき膜１０（めっき層）を析出させるような方法等が用いられうる。
【００９２】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするめっきが導電性に優れている点から好ましい。また、この金属がＮｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【００９３】
無電解めっき膜１０の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００９４】
めっき処理工程により、第二絶縁層１の表面のめっき触媒又はその前駆体９が残留する部分のみに無電解めっき膜１０が析出する。そのために、電気回路２を形成したい部分のみに正確に無電解めっき膜１０を形成することができる。一方、電気回路２を形成していない部分に対する無電解めっき膜１０の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な電気回路２を複数本形成するような場合でも、隣接する電気回路２間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００９５】
次に、図３（ｂ）に示すように、第二絶縁層１に、回路溝４の底面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を、レーザ加工等によって形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【００９６】
次に、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで、図３（ｃ）に示すように前記スミア１１を除去する。前記デスミア処理は、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いておこなうことができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。
【００９７】
このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が粗されて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなるが、回路溝４の内面は無電解めっき膜１０によって覆われているため、回路溝４の内面はデスミア処理液によって荒らされることはない。このため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。
【００９８】
デスミア処理後、図３（ｄ）に示すように、回路溝４の内面及び通孔５の内面に無電解めっき処理を施す。このとき、回路溝４の内面に存在する無電解めっき膜１０、及び通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、回路溝４の内側及び通孔５の内側でめっき層が成長する。これにより、回路溝４の内側に第二電気回路２が形成されると共に、通孔５の内側に第二電気回路２と第一電気回路７とを導通するビア３が形成される。また、第一電気回路７に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してもよい。この場合、通孔５の底部に露出する第一電気回路７の表面からめっき層が堆積して、このめっき層が通孔５内及び回路溝４内に充填され、第二電気回路２及びビア３が形成される。
【００９９】
このような工程を経て、図１に示す回路基板１０が作製される。これにより、ビルドアップ法により、電気回路２幅や電気回路２間隔が狭い第二電気回路２を積層する場合でも、短絡やマイグレーションの発生が抑制された第二電気回路２が形成される。
【０１００】
［第二の製造法］
図４及び図５に、回路基板の第二の製造法を示す。この回路基板の第二の製造法について説明する。尚、第一の製造法と共通する事項については詳細を省略する。
【０１０１】
まず、第一の製造法と同様にして、図４（ａ）に示すように、第一絶縁層６に第一電気回路７を設け、更に第二絶縁層１を設ける。
【０１０２】
次に、図４（ｂ）に示すように、第二絶縁層１にレーザ加工等を施すことで、第二絶縁層１の表面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０１０３】
次に、図４（ｃ）に示すように、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで前記スミア１１を除去する。このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が荒らされて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなる。
【０１０４】
デスミア処理後、図４（ｄ）に示すように、通孔５の内面に無電解めっき処理を施す。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、通孔５の内側でめっき層が成長する。これにより、通孔５の内側にビア３が形成される。また、第一電気回路７に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してもよい。この場合、通孔５の底部に露出する第一電気回路７の表面からめっき層が堆積して、このめっき層が通孔５内に充填され、ビア３が形成される。
【０１０５】
次に、図４（ｅ）に示すように、第二絶縁層１の表面上に樹脂被膜８を形成する（被膜形成工程）。
【０１０６】
次に、図５（ａ）に示すように、樹脂被膜８を部分的に除去すると共にこの除去した部分において更に第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。このように通孔５内にデスミア処理を施した後に回路溝４を形成するため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。このとき回路溝４の一部が、前記通孔５と重なるようにし、通孔５の上部が回路溝４と一体になるようにする。
【０１０７】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さＲａが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【０１０８】
次に、図５（ｂ）に示すように、回路溝４及び樹脂被膜８の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。
【０１０９】
次に、図５（ｃ）に示すように、樹脂被膜８を所定の液体で膨潤又は溶解させることにより除去する（被膜除去工程）。この工程によれば、レーザ加工により形成された回路溝４の内面にめっき触媒又はその前駆体９を残留させ、それ以外の樹脂被膜８の表面に付着されためっき触媒又はその前駆体９を除去することができる。
【０１１０】
次に、図５（ｄ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が残留している回路溝４の内面に無電解めっき処理を施すことで、回路溝４の内側でめっき層を成長させ、第二電気回路２を形成する。
【０１１１】
これにより、回路溝４内に第二電気回路２が設けられると共にこの第二電気回路２と第一電気回路７とがビア３によって導通され、図１に示す回路基板１０が作製される。
【０１１２】
［第三の製造法］
図６及び図７に、回路基板の第三の製造法を示す。この回路基板の第三の製造法について説明する。尚、第一の製造法と共通する事項については詳細を省略する。
【０１１３】
まず第一の製造法と同様にして、図６（ａ）に示すように、第一絶縁層６に第一電気回路７を設け、更に第二絶縁層１を設ける。
【０１１４】
この第二絶縁層１に、図６（ｂ）に示すように、樹脂被膜８を設けることなく、第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。
【０１１５】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【０１１６】
次に、図６（ｃ）に示すように，回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。このような触媒被着処理により、回路溝４の内面、及びレーザ加工されていない第二絶縁層１の表面全体にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【０１１７】
次に、図６（ｄ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が被着している回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面に無電解めっき処理を施して、無電解めっき膜１０を形成する（めっき処理工程）。この工程により、回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面に無電解めっき膜１０が析出する。
【０１１８】
次に、図７（ａ）に示すように、第二絶縁層１に、回路溝４の底面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を、レーザ加工等によって形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０１１９】
次に、図７（ｂ）に示すように、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで前記スミア１１を除去する。このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が荒らされて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなるが、回路溝４の内面は無電解めっき膜１０によって覆われているため、回路溝４の内面はデスミア処理液によって荒らされることはない。このため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。
【０１２０】
デスミア処理後、図７（ｃ）に示すように、第二絶縁層１の外表面側に無電解めっき処理を施す。このとき、無電解めっき膜１０、及び通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、回路溝４の内側及び通孔５の内側、及び第二絶縁層１の表面でめっき層が成長する。これにより、回路溝４の内側に第二電気回路２が形成されると共に、通孔５の内側に第二電気回路２と第一電気回路７とを導通するビア３が形成され、更に第二絶縁層１の表面でめっき層が成長する。また、第一電気回路７及び無電解めっき膜１０に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してめっき層を成長させてもよい。
【０１２１】
次に、図７（ｄ）に示すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法により第二絶縁層１の表面側のめっき層を研磨して除去する。これにより第二絶縁層１の表面及び第二電気回路２の表面を外部に露出させる。このような工程を経て、図１に示すような回路基板１０が作製される。
【実施例】
【０１２２】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
【０１２３】
第一絶縁層６として厚み１００μｍのエポキシ樹脂基材（パナソニック電工株式会社製のＲ１７６６）を用い、この第一絶縁層６の一面上に、サブトラクティブ法により銅からなる厚み２０μｍ、幅５０μｍの第一電気回路７を形成した。
【０１２４】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の「８５０Ｓ」）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製の「ＤＩＣＹ」）と、硬化促進剤としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製の「２Ｅ４ＭＺ」）と、無機フィラーとしての球状の溶融シリカ（電気化学工業株式会社製の「ＦＢ１ＳＤＸ」平均粒径１．７μｍ）、と、シランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製の「Ａ−１８７」）と、溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）とを含む樹脂組成物からなる厚み１００μｍのシートを、前記第一絶縁層６の第一電気回路７が設けられた面上に載置し、さらに、この樹脂組成物からなるシートの外表面にＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の「ＴＮ１００」）を載置し、この積層体を、０．４Ｐａ、１００℃で、１分間、加圧加熱成形し貼り合わせした後、さらに、１７５℃で９０分間加熱硬化した後に、ＰＥＴフィルムを剥離することにより、第二絶縁層１を積層した。
【０１２５】
この第二絶縁層１の表面にスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）で２μｍ厚の樹脂被膜８を形成した。なお、樹脂被膜８の形成は、前記エポキシ樹脂基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン株式会社製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１２６】
そして、樹脂被膜８が設けられた第二絶縁層１に対して、レーザ加工により幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の回路溝４を形成した。なお、レーザ加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。
【０１２７】
このように形成された回路溝４の内面の表面粗さＲａは０．２μｍであった。
【０１２８】
次に、溝形成された第二絶縁層１の外表面をクリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料株式会社製Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト株式会社製、ｐＨ＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で回路溝４の内面及び樹脂被膜８の表面に吸着させた。次に、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。
【０１２９】
次に、第二絶縁層１の外表面を、ｐＨ１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面の樹脂被膜８は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、第二絶縁層１の表面に樹脂被膜８の断片等が残っていなかった。
【０１３０】
次に、第二絶縁層１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、厚み３〜５μｍの無電解銅めっき膜が析出した。無電解銅めっき処理された第二絶縁層１をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、回路溝４の内面のみに、正確に無電解めっき膜１０が形成されていた。
【０１３１】
次に、回路溝４の底部にレーザ加工を施すことで、この回路溝４の底部から第一電気回路７の表面に至る直径５０μｍの通孔５を形成した。
【０１３２】
次にデスミア溶液（スウェリングディップセキュリガントＰ、コンセントレートコンパクトＣＰ アトテック社製）により、膨潤８０℃５分、エッチング８０℃１０分の条件でデスミア処理を施した。
【０１３３】
デスミア処理後の通孔５の内面の表面粗さは１．４μｍであった。
【０１３４】
次に、第二絶縁層１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、通孔５内及び回路溝４内にめっき層が堆積し、ビア３及び第二電気回路２が形成された。
【０１３５】
このようにして得られた回路基板における第二電気回路２の伝送ロスをネットワークアナライザー(アジエント社製８７５３Ｅ）により測定した。また、この実施例１において回路溝４の内面をデスミア処理により粗化して得られた回路基板についても、同様に第二電気回路２の伝送ロスを測定した。その結果、その結果、実施例１では、第二絶縁層１に形成した回路溝４の内面をデスミア処理により粗化した回路基板よりも伝送ロスが低減されることが確認された。
【符号の説明】
【０１３６】
１ 絶縁層（第二絶縁層）
２ 電気回路（第二電気回路）
３ ビア
４ 回路溝
５ 通孔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層、電気回路及びビアを備える回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の携帯情報端末機器；コンピュータ及びその周辺機器；各種情報家電製品、等の電気機器において、高機能化が急速に進行している。それに伴って、これら電気機器に搭載される回路基板には、電気回路２のさらなる高密度化が要求されている。このような電気回路２の高密度化の要求を満たすために、線幅及び線間隔（隣り合う電気回路２と電気回路２との間の部分の幅）のより狭い電気回路２の電気回路２を正確に形成できる方法が求められている。
【０００３】
このような回路基板を作製するにあたり、近年、半導体装置の製造などに利用されているＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法（特許文献１参照）を利用して、絶縁層１の回路溝４内に電気回路２を形成することが検討されている。
【０００４】
図８に示す例では、まず図８（ａ）に示される裏面側に第一電気回路７が設けられている絶縁層１の表面側にレーザ加工を施すことで、図８（ｂ）に示すように回路溝４を形成する。このとき、更に回路溝４の底部にレーザ加工を施すことで、回路溝４の底部から第一電気回路７の表面に至る通孔５を形成する。この通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０００５】
次に、この絶縁層１の表面側をデスミア処理液で処理することで、図８（ｃ）に示すように前記スミア１１を除去する。このとき同時に絶縁層１の表面側を粗面化してめっき付着性を向上する。
【０００６】
次に、図８（ｄ）に示すように、この絶縁層１の表面側に無電解めっき処理を施して無電解めっき膜１０を形成する。次に、図８（ｅ）に示すように、この無電解めっき膜１０の上面に電解めっき処理を施してめっき層を堆積させる。これにより、通孔５内に堆積しためっき層によってビア３が形成されると共に、回路溝４内に堆積しためっき層によって第二電気回路２が形成される。また、めっき層は更に絶縁層１の表面全体を覆うように堆積する。
【０００７】
次に、図８（ｆ）に示すように、ＣＭＰ法により絶縁層１の表面側のめっき層を研磨して除去する。これにより絶縁層１の表面及び第二電気回路２の表面を外部に露出させる。
【０００８】
しかし、このようにして回路基板を作製すると、絶縁層１に設けられる第二電気回路２における伝送ロスが大きくなるという問題があることが明らかとなった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−４９１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層の回路溝内に設けられると共にビアに接続された電気回路の、伝送ロスを低減することができる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らが、従来技術における電気回路２の伝送ロスの発生の原因について検討したところ、通孔５内のスミア１１をデスミア処理により除去する際に、同時に回路溝４の内面がデスミア処理液によって粗化されてしまうことが判明した。このため図９に示すように、回路基板において電気回路２と絶縁層１との界面が粗化され、その結果、電気回路２に伝送ロスが生じるものと考えられる。当該知見に基づき本発明者らは鋭意研究の結果、本発明の完成に至った。
【００１２】
本発明に係る回路基板は、絶縁層１と、この絶縁層１に設けられた電気回路２及びビア３とを備え、前記絶縁層１には回路溝４と、この回路溝４に連通する通孔５とが形成され、前記電気回路２が前記回路溝４内に設けられていると共に、前記ビア３が前記通孔５内に設けられ、前記回路溝４の内面の表面粗さが、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
本発明においては、前記通孔の内面の表面粗さと、回路溝の内面の表面粗さの比（通孔の内面の表面粗さ／回路溝の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、前記回路溝４の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．０１〜０．５μｍの範囲であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、前記通孔５の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが０．５〜２μｍの範囲であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁層の回路溝の内面の表面粗さを小さくすることで、回路溝と、この回路溝の内側の電気回路との界面が平滑化し、このため電気回路における伝送ロスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す、回路基板の断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｅ）は同上の回路基板の第一の製造法の工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第一の製造法の、図２に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は同上の回路基板の第二の製造法の工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第二の製造法の、図４に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は同上の回路基板の第三の製造法の工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｄ）は同上の第三の製造法の、図６に示される工程に続く工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）乃至（ｆ）は従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図９】従来の回路基板の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１９】
図１に本発明に係る回路基板の構成の一例を示す。この回路基板は第一絶縁層６、第一電気回路７、絶縁層１（第二絶縁層１）、電気回路２（第二電気回路２）が、順次積層した構成を有している。
【００２０】
第一絶縁層６の上面は平坦に形成されており、この第一絶縁層６の上面上に第二電気回路２が積層して設けられている。第二絶縁層１は第一絶縁層６の上面上にこの第一絶縁層６と接するように積層されており、このため第一電気回路７は第二絶縁層１に埋設されている。第二絶縁層１の上面には回路溝４が形成されており、この回路溝４内に第二電気回路２が設けられている。また第二絶縁層１には第一電気回路７と第二電気回路２とを連通する通孔５が形成され、この通孔５内には第一電気回路７と第二電気回路２とを導通するビア３が設けられている。
【００２１】
この回路基板における、前記回路溝４の内面の表面粗さは、前記通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなっている。このため、回路溝４の内面と、この回路溝４内に設けられている第二電気回路２との間の界面の平滑性が高くなり、これにより、第二電気回路２における伝送ロスが小さくなる。
【００２２】
この第二電気回路２における伝送ロスを充分に小さくするためには、回路溝４の内面の表面粗さが０．０１〜０．５μｍの範囲であることが好ましく、０．０５〜０．４μｍの範囲であれば更に好ましい。このように回路溝４の内面の表面粗さが０．５μｍ以下、特に０．４μｍ以下であることで、回路溝４の内面と第二電気回路２との間の界面に平滑性が充分に高くなり、伝送ロスが著しく小さくなる。
【００２３】
また、通孔５の内面の表面粗さは０．５〜２μｍの範囲であることが好ましく、０．５〜１．５μｍの範囲であれば更に好ましい。この場合、通孔５の内面での、ビア３を構成する導体（めっき層）と第二絶縁層１との密着力が向上し、回路基板の信頼性向上につながる。
【００２４】
また、前記通孔５の内面の表面粗さと、回路溝４の内面の表面粗さの比（通孔５の内面の表面粗さ／回路溝４の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることが好ましく、１．２〜５０の範囲であれば更に好ましい。
【００２５】
このような回路基板は、適宜に方法で製造することができる。以下、この回路基板の製造法の例を示す。
【００２６】
［第一の製造法］
図２及び図３に、回路基板の第一の製造法を示す。この回路基板の第一の製造法について説明する。
【００２７】
第一絶縁層６は、回路基板の製造に用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等で形成される。
【００２８】
前記樹脂基材としては、回路基板、例えば、多層回路基板の製造に用いられうる各種有機基板が特に限定なく採用可能である。有機基板の具体例としては、従来から多層回路基板の製造に使用される、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。
【００２９】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３１】
また特に限定されないが、レーザ加工により回路パターンを形成することから、１００〜４００ｎｍ波長領域でのレーザ光の吸収率が良い樹脂等用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００３２】
また、前記第一絶縁層６は、フィラーを含有していてもよい。前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザ加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるめっきと樹脂との密着性をあげることが可能である。
【００３３】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また特に限定はされないが、第一絶縁層６の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、更には０．０１〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００３４】
また、前記無機微粒子は、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記第一絶縁層６は、前記無機微粒子の、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
また、前記第一絶縁層６は、前記無機微粒子の、前記第一絶縁層６中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００３７】
また、前記第一絶縁層６の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。第一絶縁層６の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍ程度であることがより好ましい。また、第一絶縁層６としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。
【００３８】
この第一絶縁層６の表面上に第一電気回路７を形成する。第一電気回路７は、サブトラクティブ法、アディティブ法等の従来から知られた電気回路形成方法により形成され得る。
【００３９】
図２（ａ）に示すように、第一絶縁層６の表面に第二絶縁層１を積層する。これにより、第一電気回路７が第二絶縁層１に埋設される。第二絶縁層１は、例えば第一絶縁層６と同様の各種有機基板で形成される。
【００４０】
また、第二絶縁層１は、第一絶縁層６の表面上に樹脂溶液を塗布した後、硬化させることにより形成してもよい。このような方法に用いられる樹脂溶液としては、従来から多層回路基板の製造に用いられているような、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂溶液が特に制限なく用いられ得る。
【００４１】
また、例えば、第一絶縁層６の表面に絶縁基材を重ね合わせ、加熱プレスすることにより第二絶縁層１を形成してもよい。絶縁基材としてプリプレグを用いる場合には、この加熱プレスにより硬化させることが好ましい。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、第二絶縁層１の表面に樹脂被膜８を形成する（被膜形成工程）。
【００４３】
前記樹脂被膜８は、被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜８等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜８が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜８としては、例えば、前記液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。なお、前記膨潤性樹脂被膜８には、前記液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８だけではなく、前記液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８や、前記液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により前記第二絶縁層１表面から容易に剥離するような樹脂被膜８も含まれる。
【００４４】
前記樹脂被膜８の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記第二絶縁層１の表面に、樹脂被膜８を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜８を第二絶縁層１の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００４５】
前記樹脂被膜８の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜８の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜８の厚みが厚すぎる場合には、前記回路パターン形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝４や貫通孔５等の回路パターン部の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜８の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜８を形成しにくくなる傾向がある。
【００４６】
次に、前記樹脂被膜８として好適な膨潤性樹脂被膜８を例に挙げて説明する。
【００４７】
前記膨潤性樹脂被膜８としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜８が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜８がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜８が剥離しにくくなる傾向がある。
【００４８】
前記膨潤性樹脂被膜８の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜８の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記第二絶縁層１の表面に、膨潤性樹脂被膜８を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜８を第二絶縁層１の表面に転写する方法等が挙げられる。
【００４９】
前記膨潤性樹脂被膜８を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルション等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルションとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜８を容易に形成することができる。
【００５０】
また、前記膨潤性樹脂被膜８としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜８は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜８を剥離させることができる。
【００５１】
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜８は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜８であることが好ましい。
【００５２】
このような膨潤性樹脂被膜８の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント回路基板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【００５３】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルションとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜８を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜８を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜８を剥離する作用をする。また、酸当量とは、１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。
【００５４】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００５５】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００５６】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜８の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。
【００５７】
また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００５８】
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜８の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００５９】
膨潤性樹脂被膜８は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルションを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたＤＦＲを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００６０】
また、前記樹脂被膜８としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜８を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。
【００６１】
前記樹脂被膜８を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜８が形成された絶縁基材を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜８が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜８（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。
【００６２】
めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（ｐＨ１〜２）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。
【００６３】
被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０％程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００６４】
絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造法の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００６５】
保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００６６】
また、前記樹脂被膜８としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。
【００６７】
前記樹脂組成物としては、メイン樹脂として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で１０００〜５０００００程度であり、５０００〜５００００が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザ加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００６８】
メイン樹脂の組成としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、及び特開２００１−２０１８５１号公報に記載のもの等が挙げられる。
【００６９】
（ａ）の一例として、例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を一個有するものが一般的であるが、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることができる。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、（ａ）単量体の組成比率は、５〜７０重量％である。
【００７０】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加する。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００７１】
さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００７２】
その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００７３】
本発明のプリント板加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、レーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料としては、これらの波長に対して、吸収率が５０％以上になることが望ましい。
【００７４】
次に、図２（ｃ）に示すように、樹脂被膜８を部分的に除去すると共にこの除去した部分において更に第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。
【００７５】
この回路溝４の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜８が形成された第二絶縁層１に、前記樹脂被膜８の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝４を形成する方法等が挙げられる。高精度の微細な電気回路２を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。
【００７６】
この工程により、前記回路溝４の形状及び深さ及び位置等の回路パターンの形状が規定される。この回路溝形成工程で形成される回路溝４の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な電気回路２も容易に形成できる。また、回路溝４の深さは、電気回路２と第二絶縁層１とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路２の深さとなる。
【００７７】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さＲａが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【００７８】
次に、図２（ｄ）に示すように，回路溝４及び樹脂被膜８の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。このような触媒被着処理により、回路溝４の内面、及びレーザ加工されていない樹脂被膜８の表面全体にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【００７９】
前記めっき触媒又はその前駆体９は、めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜１０を形成したい部分にのみ無電解めっき膜１０を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜８の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００８０】
めっき触媒又はその前駆体９を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【００８１】
はじめに、回路溝４及び通孔５が形成された第二絶縁層１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して第二絶縁層１の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓）を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【００８２】
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【００８３】
このような触媒被着処理によって、前記回路溝４の内面、前記通孔５の内壁表面、及び前記樹脂被膜８の表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【００８４】
次に、図２（ｅ）に示すように、樹脂被膜８を所定の液体で膨潤又は溶解させることにより除去する（被膜除去工程）。この工程によれば、レーザ加工により形成された回路溝４の内面にめっき触媒又はその前駆体９を残留させ、それ以外の樹脂被膜８の表面に付着されためっき触媒又はその前駆体９を除去することができる。
【００８５】
前記樹脂被膜８を除去する方法は、特に限定されない。具体的な方法としては、例えば、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を膨潤させた後に、前記第二絶縁層１から前記樹脂被膜８を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記第二絶縁層１から前記樹脂被膜８を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜８を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜８を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜８で被覆された前記第二絶縁層１を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【００８６】
また、前記樹脂被膜８として、前記膨潤性樹脂被膜８を用いる場合について、説明する。
【００８７】
前記膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる液体（膨潤液）としては、前記第二絶縁層１、及び前記めっき触媒又はその前駆体９を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜８を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜８を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜８の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜８がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーや、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられる。
【００８８】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜８が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマー、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜８は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
【００８９】
膨潤性樹脂被膜８を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜８で被覆された第二絶縁層１を所定の時間浸漬する方法が挙げられる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９０】
次に、図３（ａ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が残留している回路溝４の内面に無電解めっき処理を施して、無電解めっき膜１０を形成する（めっき処理工程）。この工程により、回路溝４の内面に無電解めっき膜１０が析出する。
【００９１】
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体９が被着された第二絶縁層１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体９が被着された部分のみに無電解めっき膜１０（めっき層）を析出させるような方法等が用いられうる。
【００９２】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするめっきが導電性に優れている点から好ましい。また、この金属がＮｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【００９３】
無電解めっき膜１０の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００９４】
めっき処理工程により、第二絶縁層１の表面のめっき触媒又はその前駆体９が残留する部分のみに無電解めっき膜１０が析出する。そのために、電気回路２を形成したい部分のみに正確に無電解めっき膜１０を形成することができる。一方、電気回路２を形成していない部分に対する無電解めっき膜１０の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な電気回路２を複数本形成するような場合でも、隣接する電気回路２間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００９５】
次に、図３（ｂ）に示すように、第二絶縁層１に、回路溝４の底面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を、レーザ加工等によって形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【００９６】
次に、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで、図３（ｃ）に示すように前記スミア１１を除去する。前記デスミア処理は、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いておこなうことができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。
【００９７】
このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が粗されて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなるが、回路溝４の内面は無電解めっき膜１０によって覆われているため、回路溝４の内面はデスミア処理液によって荒らされることはない。このため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。
【００９８】
デスミア処理後、図３（ｄ）に示すように、回路溝４の内面及び通孔５の内面に無電解めっき処理を施す。このとき、回路溝４の内面に存在する無電解めっき膜１０、及び通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、回路溝４の内側及び通孔５の内側でめっき層が成長する。これにより、回路溝４の内側に第二電気回路２が形成されると共に、通孔５の内側に第二電気回路２と第一電気回路７とを導通するビア３が形成される。また、第一電気回路７に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してもよい。この場合、通孔５の底部に露出する第一電気回路７の表面からめっき層が堆積して、このめっき層が通孔５内及び回路溝４内に充填され、第二電気回路２及びビア３が形成される。
【００９９】
このような工程を経て、図１に示す回路基板１０が作製される。これにより、ビルドアップ法により、電気回路２幅や電気回路２間隔が狭い第二電気回路２を積層する場合でも、短絡やマイグレーションの発生が抑制された第二電気回路２が形成される。
【０１００】
［第二の製造法］
図４及び図５に、回路基板の第二の製造法を示す。この回路基板の第二の製造法について説明する。尚、第一の製造法と共通する事項については詳細を省略する。
【０１０１】
まず、第一の製造法と同様にして、図４（ａ）に示すように、第一絶縁層６に第一電気回路７を設け、更に第二絶縁層１を設ける。
【０１０２】
次に、図４（ｂ）に示すように、第二絶縁層１にレーザ加工等を施すことで、第二絶縁層１の表面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０１０３】
次に、図４（ｃ）に示すように、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで前記スミア１１を除去する。このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が荒らされて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなる。
【０１０４】
デスミア処理後、図４（ｄ）に示すように、通孔５の内面に無電解めっき処理を施す。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、通孔５の内側でめっき層が成長する。これにより、通孔５の内側にビア３が形成される。また、第一電気回路７に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してもよい。この場合、通孔５の底部に露出する第一電気回路７の表面からめっき層が堆積して、このめっき層が通孔５内に充填され、ビア３が形成される。
【０１０５】
次に、図４（ｅ）に示すように、第二絶縁層１の表面上に樹脂被膜８を形成する（被膜形成工程）。
【０１０６】
次に、図５（ａ）に示すように、樹脂被膜８を部分的に除去すると共にこの除去した部分において更に第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。このように通孔５内にデスミア処理を施した後に回路溝４を形成するため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。このとき回路溝４の一部が、前記通孔５と重なるようにし、通孔５の上部が回路溝４と一体になるようにする。
【０１０７】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さＲａが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【０１０８】
次に、図５（ｂ）に示すように、回路溝４及び樹脂被膜８の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。
【０１０９】
次に、図５（ｃ）に示すように、樹脂被膜８を所定の液体で膨潤又は溶解させることにより除去する（被膜除去工程）。この工程によれば、レーザ加工により形成された回路溝４の内面にめっき触媒又はその前駆体９を残留させ、それ以外の樹脂被膜８の表面に付着されためっき触媒又はその前駆体９を除去することができる。
【０１１０】
次に、図５（ｄ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が残留している回路溝４の内面に無電解めっき処理を施すことで、回路溝４の内側でめっき層を成長させ、第二電気回路２を形成する。
【０１１１】
これにより、回路溝４内に第二電気回路２が設けられると共にこの第二電気回路２と第一電気回路７とがビア３によって導通され、図１に示す回路基板１０が作製される。
【０１１２】
［第三の製造法］
図６及び図７に、回路基板の第三の製造法を示す。この回路基板の第三の製造法について説明する。尚、第一の製造法と共通する事項については詳細を省略する。
【０１１３】
まず第一の製造法と同様にして、図６（ａ）に示すように、第一絶縁層６に第一電気回路７を設け、更に第二絶縁層１を設ける。
【０１１４】
この第二絶縁層１に、図６（ｂ）に示すように、樹脂被膜８を設けることなく、第二絶縁層１の表面から樹脂を除去することで、第二絶縁層１に回路溝４を形成する（回路溝形成工程）。
【０１１５】
このように回路溝４を形成する際には、この回路溝４の内面の表面粗さが好ましくは０．０１〜０．５μｍの範囲となるように、加工条件を設定する。
【０１１６】
次に、図６（ｃ）に示すように，回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面にめっき触媒又はその前駆体９を被着させる（触媒被着工程）。このような触媒被着処理により、回路溝４の内面、及びレーザ加工されていない第二絶縁層１の表面全体にめっき触媒又はその前駆体９を被着させることができる。
【０１１７】
次に、図６（ｄ）に示すように、めっき触媒又はその前駆体９が被着している回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面に無電解めっき処理を施して、無電解めっき膜１０を形成する（めっき処理工程）。この工程により、回路溝４の内面を含む第二絶縁層１の外表面に無電解めっき膜１０が析出する。
【０１１８】
次に、図７（ａ）に示すように、第二絶縁層１に、回路溝４の底面から第一電気回路７の表面に至る通孔５を、レーザ加工等によって形成する。このとき、通孔５の底部で露出する第一電気回路７の表面には、スミア１１が残る。
【０１１９】
次に、図７（ｂ）に示すように、通孔５の内面にデスミア処理を施すことで前記スミア１１を除去する。このデスミア処理によって、通孔５の内面の樹脂が荒らされて、この通孔５の内面の表面粗さが大きくなるが、回路溝４の内面は無電解めっき膜１０によって覆われているため、回路溝４の内面はデスミア処理液によって荒らされることはない。このため、回路溝４の内面の表面粗さは、通孔５の内面の表面粗さよりも小さくなる。
【０１２０】
デスミア処理後、図７（ｃ）に示すように、第二絶縁層１の外表面側に無電解めっき処理を施す。このとき、無電解めっき膜１０、及び通孔５の底部で露出する第一電気回路７がめっき核として作用して、回路溝４の内側及び通孔５の内側、及び第二絶縁層１の表面でめっき層が成長する。これにより、回路溝４の内側に第二電気回路２が形成されると共に、通孔５の内側に第二電気回路２と第一電気回路７とを導通するビア３が形成され、更に第二絶縁層１の表面でめっき層が成長する。また、第一電気回路７及び無電解めっき膜１０に電圧を印加しながら電解めっき処理を施してめっき層を成長させてもよい。
【０１２１】
次に、図７（ｄ）に示すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）法により第二絶縁層１の表面側のめっき層を研磨して除去する。これにより第二絶縁層１の表面及び第二電気回路２の表面を外部に露出させる。このような工程を経て、図１に示すような回路基板１０が作製される。
【実施例】
【０１２２】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
【０１２３】
第一絶縁層６として厚み１００μｍのエポキシ樹脂基材（パナソニック電工株式会社製のＲ１７６６）を用い、この第一絶縁層６の一面上に、サブトラクティブ法により銅からなる厚み２０μｍ、幅５０μｍの第一電気回路７を形成した。
【０１２４】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の「８５０Ｓ」）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製の「ＤＩＣＹ」）と、硬化促進剤としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製の「２Ｅ４ＭＺ」）と、無機フィラーとしての球状の溶融シリカ（電気化学工業株式会社製の「ＦＢ１ＳＤＸ」平均粒径１．７μｍ）、と、シランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製の「Ａ−１８７」）と、溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）とを含む樹脂組成物からなる厚み１００μｍのシートを、前記第一絶縁層６の第一電気回路７が設けられた面上に載置し、さらに、この樹脂組成物からなるシートの外表面にＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の「ＴＮ１００」）を載置し、この積層体を、０．４Ｐａ、１００℃で、１分間、加圧加熱成形し貼り合わせした後、さらに、１７５℃で９０分間加熱硬化した後に、ＰＥＴフィルムを剥離することにより、第二絶縁層１を積層した。
【０１２５】
この第二絶縁層１の表面にスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）で２μｍ厚の樹脂被膜８を形成した。なお、樹脂被膜８の形成は、前記エポキシ樹脂基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン株式会社製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１２６】
そして、樹脂被膜８が設けられた第二絶縁層１に対して、レーザ加工により幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の回路溝４を形成した。なお、レーザ加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。
【０１２７】
このように形成された回路溝４の内面の表面粗さＲａは０．２μｍであった。
【０１２８】
次に、溝形成された第二絶縁層１の外表面をクリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料株式会社製Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト株式会社製、ｐＨ＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で回路溝４の内面及び樹脂被膜８の表面に吸着させた。次に、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。
【０１２９】
次に、第二絶縁層１の外表面を、ｐＨ１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面の樹脂被膜８は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、第二絶縁層１の表面に樹脂被膜８の断片等が残っていなかった。
【０１３０】
次に、第二絶縁層１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、厚み３〜５μｍの無電解銅めっき膜が析出した。無電解銅めっき処理された第二絶縁層１をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、回路溝４の内面のみに、正確に無電解めっき膜１０が形成されていた。
【０１３１】
次に、回路溝４の底部にレーザ加工を施すことで、この回路溝４の底部から第一電気回路７の表面に至る直径５０μｍの通孔５を形成した。
【０１３２】
次にデスミア溶液（スウェリングディップセキュリガントＰ、コンセントレートコンパクトＣＰ アトテック社製）により、膨潤８０℃５分、エッチング８０℃１０分の条件でデスミア処理を施した。
【０１３３】
デスミア処理後の通孔５の内面の表面粗さは１．４μｍであった。
【０１３４】
次に、第二絶縁層１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。無電解銅めっき処理により、通孔５内及び回路溝４内にめっき層が堆積し、ビア３及び第二電気回路２が形成された。
【０１３５】
このようにして得られた回路基板における第二電気回路２の伝送ロスをネットワークアナライザー(アジエント社製８７５３Ｅ）により測定した。また、この実施例１において回路溝４の内面をデスミア処理により粗化して得られた回路基板についても、同様に第二電気回路２の伝送ロスを測定した。その結果、その結果、実施例１では、第二絶縁層１に形成した回路溝４の内面をデスミア処理により粗化した回路基板よりも伝送ロスが低減されることが確認された。
【符号の説明】
【０１３６】
１ 絶縁層（第二絶縁層）
２ 電気回路（第二電気回路）
３ ビア
４ 回路溝
５ 通孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、この絶縁層に設けられた電気回路及びビアとを備え、前記絶縁層には回路溝と、この回路溝に連通する通孔とが形成され、前記電気回路が前記回路溝内に設けられていると共に、前記ビアが前記通孔内に設けられ、前記回路溝の内面の表面粗さが、前記通孔の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記通孔の内面の表面粗さと、回路溝の内面の表面粗さの比（通孔の内面の表面粗さ／回路溝の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記回路溝の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記通孔の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さＲａが０．５〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１】
絶縁層と、この絶縁層に設けられた電気回路及びビアとを備え、前記絶縁層には回路溝と、この回路溝に連通する通孔とが形成され、前記電気回路が前記回路溝内に設けられていると共に、前記ビアが前記通孔内に設けられ、前記回路溝の内面の表面粗さが、前記通孔の内面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記通孔の内面の表面粗さと、回路溝の内面の表面粗さの比（通孔の内面の表面粗さ／回路溝の内面の表面粗さ）が１．０５〜２００の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記回路溝の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記通孔の内面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面粗さＲａが０．５〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１００７９８（Ｐ２０１１−１００７９８Ａ）
【公開日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５３５０４（Ｐ２００９−２５３５０４）
【出願日】平成２１年１１月４日（２００９．１１．４）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月４日（２００９．１１．４）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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