圧電型音響変換器及びその製造方法
【課題】圧電型音響変換器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイアフラムの一部に圧電部を形成し、残りの領域に変形膜を形成し、圧電部の圧電変形力が圧電部を直接的に撓ませずに変形膜に曲げる力として作用して、ダイアフラムの振動特性を向上させる圧電型音響変換器である。
【解決手段】ダイアフラムの一部に圧電部を形成し、残りの領域に変形膜を形成し、圧電部の圧電変形力が圧電部を直接的に撓ませずに変形膜に曲げる力として作用して、ダイアフラムの振動特性を向上させる圧電型音響変換器である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電型音響変換器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電型音響変換器は、圧電現象を利用して音響エネルギーと電気的エネルギーとを相互に変換させる装置である。圧電型音響変換器としては、電気的エネルギーを音響エネルギーに変換するマイクロスピーカと、音響エネルギーを電気的に変換するマイクロホンとがある。
【0003】
例えば、従来の圧電型音響変換器は、ダイアフラムに1次電極、圧電膜、2次電極を積層した振動板を有し、第1及び第2電極に電圧を印加することによって圧電膜を膨脹または収縮させて振動板を振動させる。このような圧電型音響変換器は、別途の磁石や駆動コイルなしに振動板を振動させうるので、エレクトロダイナミック型スピーカのような音声コイル方式に比べて、その構造が簡単である。
【0004】
携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)のような小型化された電子機器の発達につれて、これに使われる音響変換器を小型化する技術が開発されている。このような点で、その構造が簡単な圧電型音響変換器は、小型化に有利である。特に、微細加工技術(MEMS:Micro−Electro−Mechanical Systems)を利用して、シリコンウェーハ上で圧電型音響変換器を小型化する技術は、半導体一括工程によって製造が可能であるという点で、製造コストが低減でき、単一チップ内に複数の回路素子を含ませることができるので、音響機器自体を小型化させうる。
【0005】
このような従来の圧電型音響変換器は、製造工程が比較的簡単で小型化させるのに有利であるが、音声コイル方式の音響変換器に比べて、音響出力や感度が低いという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、サイズが小さく、かつ音響出力が高い、圧電型音響変換器及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域が形成された基板と、貫通領域の中央の一部領域に位置し、圧電膜と圧電膜の両面に設けられた第1及び第2電極とを備えた圧電部と、圧電部の外郭と基板とを連結して弾性変形されるものであって、圧電部の平面方向の変形が自身に伝えられるか、または自身の変形が圧電部に伝えられて、圧電部と共に振動する変形膜と、を備える。ここで、第1電極は、圧電膜の下部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、第2電極は、圧電膜の上部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、変形膜は、第2電極の外郭境界領域で貫通領域外郭の基板の上部面にわたって形成される。
【0008】
本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域が形成された基板と、貫通領域の中央の一部領域に位置して弾性変形される変形膜と、変形膜の外郭と基板とを連結し、自身の平面方向の変形が変形膜に伝えられるか、または変形膜の変形が自身に伝えられて、変形膜と共に振動するものであって、圧電膜と圧電膜の両面に設けられた第1及び第2電極とを備えた圧電部と、を備える。ここで、第1電極は、貫通領域の外郭の基板の上部面で圧電膜の下部面に形成され、第2電極は、圧電膜の上部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、圧電部は、変形膜の外郭境界領域で貫通領域の外郭の基板の上部面にわたって形成される。
【0009】
圧電部の中心面は、変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置かれる。
【0010】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、圧電膜と第1電極との間及び圧電膜と第2電極との間のうち少なくともいずれか一側に介在される圧電部絶縁膜をさらに備える。
【0011】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、第1及び第2電極にそれぞれ駆動電圧を印加するためのものであって、基板の上部面に設けられる第1及び第2電極端子と、第1及び第2電極と第1及び第2電極端子とをそれぞれ連結するための第1及び第2リード線と、をさらに備える。
【0012】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域の外郭の基板の上部面と第1及び第2電極端子との間に介在された外郭絶縁膜をさらに備える。
【0013】
変形膜は、パリレン膜またはシリコン窒化膜でありうる。
【0014】
圧電膜は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTから形成されうる。
【0015】
第1及び第2電極は、Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti、Ptからなる群から少なくともいずれか一つの金属から形成されうる。
【0016】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、マイクロスピーカまたはマイクロホンである。
【0017】
本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法は、基板上に第1電極、第1リード線及び第1電極端子を備える第1電極部を形成する工程と、第1電極上に圧電膜を形成する工程と、圧電膜上に第2電極を形成し、基板上に第2リード線及び第2電極端子を含む第2電極部を形成する工程と、基板の圧電膜が形成されていない領域に変形膜を形成する工程と、圧電膜と変形膜とが置かれた基板の下部をエッチングしてダイアフラムを形成する工程と、を含む。
【0018】
圧電膜は、基板の一領域に形成され、変形膜は、基板の圧電膜が形成された領域の外郭領域に形成される。
【0019】
変形膜は、基板の一領域に形成され、圧電膜は、基板の変形膜が形成された領域の外郭領域に形成される。
【0020】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器の製造方法は、第1電極部を形成する前に基板上に絶縁膜を形成する工程をさらに含みうる。
【0021】
圧電部の中心面は、変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に位置される。
【発明の効果】
【0022】
本発明の実施形態によれば、低い残留応力を有するパリレンまたは低応力非化学量論的シリコン窒化膜をダイアフラムの外郭部にのみ使用することによって、構造剛性を小さくする一方で、低電圧駆動でも大きい変形量を期待しうる。
【0023】
本発明の実施形態によれば、サイズも小さく、かつ音響出力も高い圧電型音響変換器を提供しうる。また、低電圧駆動型圧電型音響変換器の具現が可能になり、低周波音声帯域で十分な音圧を提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の概略的な上面図である。
【図2A】図1のA−B線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図2B】図1のC−D線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図2C】図1のC−O−A線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図3A】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図3B】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図4A】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図4B】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図5】図1の圧電型音響変換器の変形例を示す図面である。
【図6】本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器の概略的な側面図である。
【図7A】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7B】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7C】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7D】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、下記に例示される実施形態は、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明を当業者に十分に説明するために提供されるものである。以下の図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表し、図面上で各構成要素のサイズは、説明の明瞭性及び便宜上誇張されている。
【0026】
図1は、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の概略的な上面図であり、図2Aないし図2Cは、図1のA−B線、C−D線、C−O−A線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【0027】
図1及び図2Aないし図2Cを参照すれば、本実施形態の圧電型音響変換器100は、貫通領域110aが形成された基板110と、貫通領域110aの中央側の一部領域に位置する圧電部と、圧電部の外郭と基板110とを連結する変形膜130と、を備える。
【0028】
基板110は、通常使われる材質から形成され、例えば、シリコン、ガラスから形成されうる。基板110は、貫通領域110aを備える。貫通領域110aは、後述するように、圧電部と変形膜130とを上面及び/または下面方向に、空間的に開放して形成することにより、ダイアフラム領域Dを定義する。貫通領域110aは、例えば、円形に形成されうる。図1に示された参照番号100−1は、このようなダイアフラム領域Dの境界を表す。
【0029】
圧電部は、貫通領域110aの中央側の一部領域に位置する。図1の100−3は、圧電部の外郭の境界を示す。
【0030】
圧電部は、圧電膜150と、圧電膜150の両面に設けられた第1及び第2電極171,181とを備える圧電キャパシタンス構造を有する。
【0031】
第1電極171は、第1リード線172及び第1電極端子173と共に第1電極部170を形成する。第1電極端子173は、圧電部の外郭に配設され、第1リード線172は、第1電極171と第1電極端子173とを電気的に連結する。第1電極170は、Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti、Ptからなる群から選択される少なくともいずれか一つの金属により形成されうる。例えば、第1電極170は、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層または多層の金属膜から形成されうる。
【0032】
圧電膜150は、第1電極171を覆うように形成される。すなわち、圧電膜150は、第1電極171の領域より若干広く第1電極171上に形成され、第1電極171と第2電極181とを絶縁する。圧電膜150は、通常の圧電型音響変換器に使われるZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTのような圧電物質から形成されうる。
【0033】
第2電極181は、第2リード線182及び第2電極端子183と共に第2電極部180を形成する。第2電極端子183は、圧電部の外郭に配設され、第2リード線182は、第2電極181と第2電極端子183とを電気的に連結する。第2電極部180は、例えば、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層または多層の金属膜から形成されうる。第2電極181は、圧電膜150の領域より若干小さく形成される。第1及び第2電極171,181は、圧電膜150を介して対向するように形成される。図1に示される圧電部外郭の境界100−3は、圧電膜150の外郭の境界を示し、100−4は、第1及び第2電極171,181の外郭の境界を示す。
【0034】
変形膜130は、圧電部の外郭と基板110とを連結して弾性変形される膜である。変形膜130は、例えば、パリレンや低応力非化学量論的シリコン窒化膜(SixNy)のような物質から形成されうる。変形膜130の材料として、弾性係数が小さく、かつ残留応力が小さな物質を使用することによって、低周波音声帯域における特性を向上させうる。
【0035】
変形膜130は、基板接合部131、変形部132、及び圧電部接合部133を備える。基板接合部131は、基板110の上面に配設される。図1において、ダイアフラムの境界100−1は、基板接合部131の内側境界を示す。基板接合部131の第1及び第2電極端子173,183が位置する領域は、外部との電気的接触用として上面方向に、空間的に開放して形成される。変形部132及び圧電部接合部133は、基板110の貫通領域110aに配設される。圧電部接合部133は、圧電膜150及び第2電極181の外郭に当接し、上面及び下面方向に開放された圧電部を支持する。図1の100−5は、圧電部接合部133の内側の境界を示す。前述したように、第2電極181を圧電膜150の領域より若干小さく形成し、圧電膜150及び第2電極181の外郭を段差状に形成することによって、圧電部接合部133と圧電膜150/第2電極181との結合力を高めうる。変形部132は、基板接合部131と圧電部接合部133とを連結し、自由に弾性変形されうる。圧電部接合部133の内側の境界100−5の内側に変形部132が延設されないので、第2電極181は、外部に露出される。
【0036】
変形膜130は、圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成される。このとき、高低差Hは、変形膜130の幾何学的な中心面P2と、圧電膜150の中心面P1との、平面に垂直な方向の距離に相当する。すなわち、圧電膜150の平面断面図における変形力の作用する方向を示す中心線(図3AのF1または図4AのF3を参照)が、変形膜の幾何学的な中心面P2と異なる平面上に置かれるように構成される。変形膜130において、構造力学的観点から、基板接合部131および圧電部接合部133による作用は無視されうるので、変形部132の幾何学的な中心面を変形膜130の幾何学的な中心面P2と定義できる。一方、圧電膜150には、第1及び第2電極端子173,183以外に他の膜が積層されない。また、第1及び第2電極171,181が圧電膜150を介して対向して保護するように形成されることにより、圧電膜150は膨脹ないし収縮するのみで、曲げられることはない。また、圧電膜150の厚さ方向のサイズに比べて、広さ方向のサイズが非常に大きいので、圧電膜150の圧電変形は、平面方向の膨脹/収縮によって主に引き起こされる。すなわち、第1及び第2電極171,181に電圧が印加されれば、圧電膜150には、膨脹/収縮による平面方向の変形力が発生する。このような圧電膜150の平面方向の変形力の中心線が置かれる平面を、圧電膜150の中心面P1と定義する。前述のように、変形膜130を圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成するために、例えば、第1電極171は、変形膜130の厚さに比べて所定の厚さをもって形成される。
【0037】
第1及び第2電極端子173,183と基板110との間には、基板絶縁膜120が介在されうる。例えば、基板100がシリコンのような導電性のある物質で形成された場合、基板絶縁膜120は、基板110と第1及び第2電極端子173,183とを電気的に絶縁する。図1の100−2は、基板絶縁膜120の内側の境界を示す。一方、基板110に絶縁性を持たせる場合、基板絶縁膜120は省略しうる。
【0038】
次いで、図3Aないし図4Bを参照して、本実施形態の圧電型音響変換器の動作を説明する。
【0039】
図3A及び図3Bは、圧電膜150に所定の電圧が印加されて圧電膜150が膨脹する時、圧電膜150の平面方向の膨脹によるダイアフラムの動きを示す。
【0040】
前述したように、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは一致していないので、圧電膜150で発生する膨脹変形力F1は、変形膜130の反力F2が同一線上にない。このように、膨脹変形力F1は、変形膜130の反力F2が同一線上にないので、膨脹変形力F1は、中心点Cを中心として変形部132を逆時計回り方向R1に曲げるトルクとして作用する。結果的に、圧電部は、図3Bに示されるように、ダイアフラムを下方へ動かす。
【0041】
図4A及び図4Bは、圧電膜150に所定の電圧が印加されて圧電膜150が収縮するとする時、圧電膜150の平面方向の収縮によるダイアフラムの動きを示す。
【0042】
前述したように、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは、一致していないので、圧電膜150で発生する収縮変形力F3は、変形膜130の反力F4が同一面上にない。これにより、収縮変形力F3は、中心点Cを中心として変形部132を時計回り方向R2に曲げるトルクとして作用し、圧電部は、図4Bに示されるように、ダイアフラムを上方へ動かす。
【0043】
前述のように、圧電膜150の膨脹/収縮によって変形部132が撓むことによって、圧電部を備えるダイアフラムは、上下に振動する。このような振動メカニズムは、変形膜130をダイアフラムの外郭にのみ使用することによって、構造剛性を小さでき、したがって、低電圧駆動でも大きい上下振動を期待しうる。すなわち、本実施形態の圧電型音響変換器で、圧電部の圧電変形力は、圧電部を直接的に撓ませず、変形膜に曲げる力として作用し、ダイアフラムの振動特性を向上させる。
【0044】
前述した実施形態では、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは、一致していない場合を例としたが、本発明の実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とが一致しても、圧電膜150の残留応力と変形膜130の残留応力とが同一面上に置かれなければ、撓み軸が一致せずに偏心された圧縮力または引張力が作用するので、変形膜130、特に変形部132の撓みを発生する。
【0045】
前述した実施形態の圧電型音響変換器の動作は、第1及び第2電極171,181に電圧を印加する場合、すなわち、マイクロスピーカの場合を例として説明した。しかし、圧電膜150における電気的エネルギーと圧電変形エネルギーとの変換は、相互切替えされうるので、本実施形態の圧電型音響変換器は、外部の振動を電気的エネルギーに変えるマイクロホンにも適用しうることは、当業者ならば、十分に理解できる。
【0046】
図5は、図1の圧電型音響変換器の変形例を示す。本変形例の圧電型音響変換器は、圧電膜150と第2電極181との間に圧電部絶縁膜185をさらに備える。このように、圧電部絶縁膜185をさらに備えることによって、パワーが大きい圧電型音響変換器において、圧電膜150での絶縁破壊を防止しうる。
【0047】
図6は、本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器を示す。
【0048】
図6を参照すれば、本実施形態の圧電型音響変換器200は、貫通領域210aが形成された基板210と、貫通領域210aの中央の一部領域に位置する変形膜230と、変形膜230の外郭と基板210とを連結する圧電部と、を備える。
【0049】
基板210の貫通領域210aは、ダイアフラムを定義する領域であって、例えば、円形に形成されうる。
【0050】
変形膜230は、貫通領域210aの中央側の一部領域に位置する。変形膜230は、変形部231と圧電部接合部233とを備える。変形部231は、圧電部の膨脹/収縮によって撓みが発生する領域である。圧電部接合部233は、変形部231と圧電部とを結合させる。
【0051】
圧電部は、変形膜230の外郭に貫通領域210aの内側周りに沿って形成される。圧電部は、圧電膜250と圧電膜250の両面に設けられた第1及び第2電極271,281とを備える圧電キャパシタンス構造を有する。変形膜230の幾何学的な中心面P2’と圧電膜250の中心面P1’とは、高低差H’を有する。第1電極271は、第1リード線(図示せず)及び第1電極端子273と共に第1電極部270を形成し、第2電極281は、第2リード線282及び第2電極端子283と共に第2電極部280を形成する。基板210と第1及び第2電極端子273,283との間には、基板絶縁膜220が配設されうる。
【0052】
本実施形態の圧電型音響変換器200の振動メカニズムは、前述した実施形態と実質的に同一である。すなわち、圧電膜250には、前述した実施形態と同様に、電圧が印加されることによって、平面方向に膨脹/収縮する変形力が発生しうる。変形膜230の幾何学的な中心平面P2’と圧電膜250の中心平面P1’との高低差H’によって、圧電膜250で発生する膨脹/収縮する変形力は、変形部231を曲げるトルクとして作用し、これにより、ダイアフラムをなす変形膜230及び圧電部は、上下に振動する。
【0053】
次いで、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する。図7Aないし図7Dは、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造工程を簡略に示す順序図である。
【0054】
図7Aを参照すれば、まず基板110を準備する。基板110の所定の領域に基板絶縁膜120を形成する。基板110としてシリコン基板を使用する場合、基板110の一面全体にシリコン酸化膜(SiO2)を形成した後、これをパターニングして所定領域に絶縁膜120を形成しうる。
【0055】
次いで、図7Bを参照すれば、スパッタリングや真空蒸着のような蒸着工程を利用して、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層ないし多層に金属薄膜を形成し、そして第1電極171、第1リード線172、及び第1電極端子173の形状にパターニングすることにより、第1電極部170を形成する。次いで、圧電膜150を第1電極171上に積層する。圧電膜150は、第1電極171より広く形成して第1電極171を覆うように形成される。圧電膜150は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTでスパッタリングまたはスピン−コーティングなどの方法で蒸着した後、部分エッチングして形成できる。次いで、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層ないし多層の金属薄膜により、第2電極181、第2リード線182(図2B)及び第2電極端子183(図2B)を含む第2電極部180を形成する。第2電極部180は、蒸着及びエッチング工程やリフトオフ方法により形成しうる。第2電極181は、圧電膜150より小さく形成される。
【0056】
次いで、図7Cを参照すれば、圧電膜150及び第1及び第2電極部170,180上にパリレンやシリコン窒化物を積層し、一部領域130a,130bを選択的にエッチングして変形膜130を形成する。例えば、パリレン薄膜の選択的なエッチングは、フォトレジストをエッチングマスクとして使用したO2プラズマエッチング法を利用しうる。変形膜130は、圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成するために、例えば、第1電極171は、変形膜130の厚さに比べて所定の厚さをもって形成される。
【0057】
次いで、図7Dを参照すれば、基板110の背面のダイアフラム領域を変形膜の一部及び圧電部の底面が露出されるまでエッチングして、基板110に貫通領域110aを形成する。基板110の背面のエッチングは、例えば、シリコン基板に対してシリコン・ディープ・エッチング法(Si Deep ICP RIE(Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etching))を利用できる。このように、変形膜及び圧電部を上面及び下面方向に、空間的に開放させることによってダイアフラムを完成する。
【0058】
このような本発明の圧電型音響変換器及びその製造方法は、理解を助けるために図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【0059】
本発明は、音響変換関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【0060】
100 圧電型音響変換器、
100−1 ダイアフラムの境界、
100−2 基板絶縁膜の内側境界、
100−3 圧電部の外郭境界、
100−4 第1及び第2電極の外郭境界、
100−5 圧電部接合部の内側境界、
130 変形膜、
172 第1リード線、
173 第1電極端子、
182 第2リード線、
183 第2電極端子。
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電型音響変換器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電型音響変換器は、圧電現象を利用して音響エネルギーと電気的エネルギーとを相互に変換させる装置である。圧電型音響変換器としては、電気的エネルギーを音響エネルギーに変換するマイクロスピーカと、音響エネルギーを電気的に変換するマイクロホンとがある。
【0003】
例えば、従来の圧電型音響変換器は、ダイアフラムに1次電極、圧電膜、2次電極を積層した振動板を有し、第1及び第2電極に電圧を印加することによって圧電膜を膨脹または収縮させて振動板を振動させる。このような圧電型音響変換器は、別途の磁石や駆動コイルなしに振動板を振動させうるので、エレクトロダイナミック型スピーカのような音声コイル方式に比べて、その構造が簡単である。
【0004】
携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)のような小型化された電子機器の発達につれて、これに使われる音響変換器を小型化する技術が開発されている。このような点で、その構造が簡単な圧電型音響変換器は、小型化に有利である。特に、微細加工技術(MEMS:Micro−Electro−Mechanical Systems)を利用して、シリコンウェーハ上で圧電型音響変換器を小型化する技術は、半導体一括工程によって製造が可能であるという点で、製造コストが低減でき、単一チップ内に複数の回路素子を含ませることができるので、音響機器自体を小型化させうる。
【0005】
このような従来の圧電型音響変換器は、製造工程が比較的簡単で小型化させるのに有利であるが、音声コイル方式の音響変換器に比べて、音響出力や感度が低いという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、サイズが小さく、かつ音響出力が高い、圧電型音響変換器及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域が形成された基板と、貫通領域の中央の一部領域に位置し、圧電膜と圧電膜の両面に設けられた第1及び第2電極とを備えた圧電部と、圧電部の外郭と基板とを連結して弾性変形されるものであって、圧電部の平面方向の変形が自身に伝えられるか、または自身の変形が圧電部に伝えられて、圧電部と共に振動する変形膜と、を備える。ここで、第1電極は、圧電膜の下部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、第2電極は、圧電膜の上部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、変形膜は、第2電極の外郭境界領域で貫通領域外郭の基板の上部面にわたって形成される。
【0008】
本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域が形成された基板と、貫通領域の中央の一部領域に位置して弾性変形される変形膜と、変形膜の外郭と基板とを連結し、自身の平面方向の変形が変形膜に伝えられるか、または変形膜の変形が自身に伝えられて、変形膜と共に振動するものであって、圧電膜と圧電膜の両面に設けられた第1及び第2電極とを備えた圧電部と、を備える。ここで、第1電極は、貫通領域の外郭の基板の上部面で圧電膜の下部面に形成され、第2電極は、圧電膜の上部面に圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、圧電部は、変形膜の外郭境界領域で貫通領域の外郭の基板の上部面にわたって形成される。
【0009】
圧電部の中心面は、変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置かれる。
【0010】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、圧電膜と第1電極との間及び圧電膜と第2電極との間のうち少なくともいずれか一側に介在される圧電部絶縁膜をさらに備える。
【0011】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、第1及び第2電極にそれぞれ駆動電圧を印加するためのものであって、基板の上部面に設けられる第1及び第2電極端子と、第1及び第2電極と第1及び第2電極端子とをそれぞれ連結するための第1及び第2リード線と、をさらに備える。
【0012】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、貫通領域の外郭の基板の上部面と第1及び第2電極端子との間に介在された外郭絶縁膜をさらに備える。
【0013】
変形膜は、パリレン膜またはシリコン窒化膜でありうる。
【0014】
圧電膜は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTから形成されうる。
【0015】
第1及び第2電極は、Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti、Ptからなる群から少なくともいずれか一つの金属から形成されうる。
【0016】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器は、マイクロスピーカまたはマイクロホンである。
【0017】
本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法は、基板上に第1電極、第1リード線及び第1電極端子を備える第1電極部を形成する工程と、第1電極上に圧電膜を形成する工程と、圧電膜上に第2電極を形成し、基板上に第2リード線及び第2電極端子を含む第2電極部を形成する工程と、基板の圧電膜が形成されていない領域に変形膜を形成する工程と、圧電膜と変形膜とが置かれた基板の下部をエッチングしてダイアフラムを形成する工程と、を含む。
【0018】
圧電膜は、基板の一領域に形成され、変形膜は、基板の圧電膜が形成された領域の外郭領域に形成される。
【0019】
変形膜は、基板の一領域に形成され、圧電膜は、基板の変形膜が形成された領域の外郭領域に形成される。
【0020】
本発明の実施形態による圧電型音響変換器の製造方法は、第1電極部を形成する前に基板上に絶縁膜を形成する工程をさらに含みうる。
【0021】
圧電部の中心面は、変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に位置される。
【発明の効果】
【0022】
本発明の実施形態によれば、低い残留応力を有するパリレンまたは低応力非化学量論的シリコン窒化膜をダイアフラムの外郭部にのみ使用することによって、構造剛性を小さくする一方で、低電圧駆動でも大きい変形量を期待しうる。
【0023】
本発明の実施形態によれば、サイズも小さく、かつ音響出力も高い圧電型音響変換器を提供しうる。また、低電圧駆動型圧電型音響変換器の具現が可能になり、低周波音声帯域で十分な音圧を提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の概略的な上面図である。
【図2A】図1のA−B線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図2B】図1のC−D線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図2C】図1のC−O−A線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【図3A】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図3B】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図4A】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図4B】図1の圧電型音響変換器の動作を説明する図面である。
【図5】図1の圧電型音響変換器の変形例を示す図面である。
【図6】本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器の概略的な側面図である。
【図7A】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7B】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7C】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【図7D】本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する順序図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、下記に例示される実施形態は、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明を当業者に十分に説明するために提供されるものである。以下の図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表し、図面上で各構成要素のサイズは、説明の明瞭性及び便宜上誇張されている。
【0026】
図1は、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の概略的な上面図であり、図2Aないし図2Cは、図1のA−B線、C−D線、C−O−A線による圧電型音響変換器の側断面図である。
【0027】
図1及び図2Aないし図2Cを参照すれば、本実施形態の圧電型音響変換器100は、貫通領域110aが形成された基板110と、貫通領域110aの中央側の一部領域に位置する圧電部と、圧電部の外郭と基板110とを連結する変形膜130と、を備える。
【0028】
基板110は、通常使われる材質から形成され、例えば、シリコン、ガラスから形成されうる。基板110は、貫通領域110aを備える。貫通領域110aは、後述するように、圧電部と変形膜130とを上面及び/または下面方向に、空間的に開放して形成することにより、ダイアフラム領域Dを定義する。貫通領域110aは、例えば、円形に形成されうる。図1に示された参照番号100−1は、このようなダイアフラム領域Dの境界を表す。
【0029】
圧電部は、貫通領域110aの中央側の一部領域に位置する。図1の100−3は、圧電部の外郭の境界を示す。
【0030】
圧電部は、圧電膜150と、圧電膜150の両面に設けられた第1及び第2電極171,181とを備える圧電キャパシタンス構造を有する。
【0031】
第1電極171は、第1リード線172及び第1電極端子173と共に第1電極部170を形成する。第1電極端子173は、圧電部の外郭に配設され、第1リード線172は、第1電極171と第1電極端子173とを電気的に連結する。第1電極170は、Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti、Ptからなる群から選択される少なくともいずれか一つの金属により形成されうる。例えば、第1電極170は、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層または多層の金属膜から形成されうる。
【0032】
圧電膜150は、第1電極171を覆うように形成される。すなわち、圧電膜150は、第1電極171の領域より若干広く第1電極171上に形成され、第1電極171と第2電極181とを絶縁する。圧電膜150は、通常の圧電型音響変換器に使われるZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTのような圧電物質から形成されうる。
【0033】
第2電極181は、第2リード線182及び第2電極端子183と共に第2電極部180を形成する。第2電極端子183は、圧電部の外郭に配設され、第2リード線182は、第2電極181と第2電極端子183とを電気的に連結する。第2電極部180は、例えば、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層または多層の金属膜から形成されうる。第2電極181は、圧電膜150の領域より若干小さく形成される。第1及び第2電極171,181は、圧電膜150を介して対向するように形成される。図1に示される圧電部外郭の境界100−3は、圧電膜150の外郭の境界を示し、100−4は、第1及び第2電極171,181の外郭の境界を示す。
【0034】
変形膜130は、圧電部の外郭と基板110とを連結して弾性変形される膜である。変形膜130は、例えば、パリレンや低応力非化学量論的シリコン窒化膜(SixNy)のような物質から形成されうる。変形膜130の材料として、弾性係数が小さく、かつ残留応力が小さな物質を使用することによって、低周波音声帯域における特性を向上させうる。
【0035】
変形膜130は、基板接合部131、変形部132、及び圧電部接合部133を備える。基板接合部131は、基板110の上面に配設される。図1において、ダイアフラムの境界100−1は、基板接合部131の内側境界を示す。基板接合部131の第1及び第2電極端子173,183が位置する領域は、外部との電気的接触用として上面方向に、空間的に開放して形成される。変形部132及び圧電部接合部133は、基板110の貫通領域110aに配設される。圧電部接合部133は、圧電膜150及び第2電極181の外郭に当接し、上面及び下面方向に開放された圧電部を支持する。図1の100−5は、圧電部接合部133の内側の境界を示す。前述したように、第2電極181を圧電膜150の領域より若干小さく形成し、圧電膜150及び第2電極181の外郭を段差状に形成することによって、圧電部接合部133と圧電膜150/第2電極181との結合力を高めうる。変形部132は、基板接合部131と圧電部接合部133とを連結し、自由に弾性変形されうる。圧電部接合部133の内側の境界100−5の内側に変形部132が延設されないので、第2電極181は、外部に露出される。
【0036】
変形膜130は、圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成される。このとき、高低差Hは、変形膜130の幾何学的な中心面P2と、圧電膜150の中心面P1との、平面に垂直な方向の距離に相当する。すなわち、圧電膜150の平面断面図における変形力の作用する方向を示す中心線(図3AのF1または図4AのF3を参照)が、変形膜の幾何学的な中心面P2と異なる平面上に置かれるように構成される。変形膜130において、構造力学的観点から、基板接合部131および圧電部接合部133による作用は無視されうるので、変形部132の幾何学的な中心面を変形膜130の幾何学的な中心面P2と定義できる。一方、圧電膜150には、第1及び第2電極端子173,183以外に他の膜が積層されない。また、第1及び第2電極171,181が圧電膜150を介して対向して保護するように形成されることにより、圧電膜150は膨脹ないし収縮するのみで、曲げられることはない。また、圧電膜150の厚さ方向のサイズに比べて、広さ方向のサイズが非常に大きいので、圧電膜150の圧電変形は、平面方向の膨脹/収縮によって主に引き起こされる。すなわち、第1及び第2電極171,181に電圧が印加されれば、圧電膜150には、膨脹/収縮による平面方向の変形力が発生する。このような圧電膜150の平面方向の変形力の中心線が置かれる平面を、圧電膜150の中心面P1と定義する。前述のように、変形膜130を圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成するために、例えば、第1電極171は、変形膜130の厚さに比べて所定の厚さをもって形成される。
【0037】
第1及び第2電極端子173,183と基板110との間には、基板絶縁膜120が介在されうる。例えば、基板100がシリコンのような導電性のある物質で形成された場合、基板絶縁膜120は、基板110と第1及び第2電極端子173,183とを電気的に絶縁する。図1の100−2は、基板絶縁膜120の内側の境界を示す。一方、基板110に絶縁性を持たせる場合、基板絶縁膜120は省略しうる。
【0038】
次いで、図3Aないし図4Bを参照して、本実施形態の圧電型音響変換器の動作を説明する。
【0039】
図3A及び図3Bは、圧電膜150に所定の電圧が印加されて圧電膜150が膨脹する時、圧電膜150の平面方向の膨脹によるダイアフラムの動きを示す。
【0040】
前述したように、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは一致していないので、圧電膜150で発生する膨脹変形力F1は、変形膜130の反力F2が同一線上にない。このように、膨脹変形力F1は、変形膜130の反力F2が同一線上にないので、膨脹変形力F1は、中心点Cを中心として変形部132を逆時計回り方向R1に曲げるトルクとして作用する。結果的に、圧電部は、図3Bに示されるように、ダイアフラムを下方へ動かす。
【0041】
図4A及び図4Bは、圧電膜150に所定の電圧が印加されて圧電膜150が収縮するとする時、圧電膜150の平面方向の収縮によるダイアフラムの動きを示す。
【0042】
前述したように、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは、一致していないので、圧電膜150で発生する収縮変形力F3は、変形膜130の反力F4が同一面上にない。これにより、収縮変形力F3は、中心点Cを中心として変形部132を時計回り方向R2に曲げるトルクとして作用し、圧電部は、図4Bに示されるように、ダイアフラムを上方へ動かす。
【0043】
前述のように、圧電膜150の膨脹/収縮によって変形部132が撓むことによって、圧電部を備えるダイアフラムは、上下に振動する。このような振動メカニズムは、変形膜130をダイアフラムの外郭にのみ使用することによって、構造剛性を小さでき、したがって、低電圧駆動でも大きい上下振動を期待しうる。すなわち、本実施形態の圧電型音響変換器で、圧電部の圧電変形力は、圧電部を直接的に撓ませず、変形膜に曲げる力として作用し、ダイアフラムの振動特性を向上させる。
【0044】
前述した実施形態では、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とは、一致していない場合を例としたが、本発明の実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、変形膜130の幾何学的な中心面P2と圧電膜150の中心面P1とが一致しても、圧電膜150の残留応力と変形膜130の残留応力とが同一面上に置かれなければ、撓み軸が一致せずに偏心された圧縮力または引張力が作用するので、変形膜130、特に変形部132の撓みを発生する。
【0045】
前述した実施形態の圧電型音響変換器の動作は、第1及び第2電極171,181に電圧を印加する場合、すなわち、マイクロスピーカの場合を例として説明した。しかし、圧電膜150における電気的エネルギーと圧電変形エネルギーとの変換は、相互切替えされうるので、本実施形態の圧電型音響変換器は、外部の振動を電気的エネルギーに変えるマイクロホンにも適用しうることは、当業者ならば、十分に理解できる。
【0046】
図5は、図1の圧電型音響変換器の変形例を示す。本変形例の圧電型音響変換器は、圧電膜150と第2電極181との間に圧電部絶縁膜185をさらに備える。このように、圧電部絶縁膜185をさらに備えることによって、パワーが大きい圧電型音響変換器において、圧電膜150での絶縁破壊を防止しうる。
【0047】
図6は、本発明の他の実施形態による圧電型音響変換器を示す。
【0048】
図6を参照すれば、本実施形態の圧電型音響変換器200は、貫通領域210aが形成された基板210と、貫通領域210aの中央の一部領域に位置する変形膜230と、変形膜230の外郭と基板210とを連結する圧電部と、を備える。
【0049】
基板210の貫通領域210aは、ダイアフラムを定義する領域であって、例えば、円形に形成されうる。
【0050】
変形膜230は、貫通領域210aの中央側の一部領域に位置する。変形膜230は、変形部231と圧電部接合部233とを備える。変形部231は、圧電部の膨脹/収縮によって撓みが発生する領域である。圧電部接合部233は、変形部231と圧電部とを結合させる。
【0051】
圧電部は、変形膜230の外郭に貫通領域210aの内側周りに沿って形成される。圧電部は、圧電膜250と圧電膜250の両面に設けられた第1及び第2電極271,281とを備える圧電キャパシタンス構造を有する。変形膜230の幾何学的な中心面P2’と圧電膜250の中心面P1’とは、高低差H’を有する。第1電極271は、第1リード線(図示せず)及び第1電極端子273と共に第1電極部270を形成し、第2電極281は、第2リード線282及び第2電極端子283と共に第2電極部280を形成する。基板210と第1及び第2電極端子273,283との間には、基板絶縁膜220が配設されうる。
【0052】
本実施形態の圧電型音響変換器200の振動メカニズムは、前述した実施形態と実質的に同一である。すなわち、圧電膜250には、前述した実施形態と同様に、電圧が印加されることによって、平面方向に膨脹/収縮する変形力が発生しうる。変形膜230の幾何学的な中心平面P2’と圧電膜250の中心平面P1’との高低差H’によって、圧電膜250で発生する膨脹/収縮する変形力は、変形部231を曲げるトルクとして作用し、これにより、ダイアフラムをなす変形膜230及び圧電部は、上下に振動する。
【0053】
次いで、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造方法を説明する。図7Aないし図7Dは、本発明の一実施形態による圧電型音響変換器の製造工程を簡略に示す順序図である。
【0054】
図7Aを参照すれば、まず基板110を準備する。基板110の所定の領域に基板絶縁膜120を形成する。基板110としてシリコン基板を使用する場合、基板110の一面全体にシリコン酸化膜(SiO2)を形成した後、これをパターニングして所定領域に絶縁膜120を形成しうる。
【0055】
次いで、図7Bを参照すれば、スパッタリングや真空蒸着のような蒸着工程を利用して、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層ないし多層に金属薄膜を形成し、そして第1電極171、第1リード線172、及び第1電極端子173の形状にパターニングすることにより、第1電極部170を形成する。次いで、圧電膜150を第1電極171上に積層する。圧電膜150は、第1電極171より広く形成して第1電極171を覆うように形成される。圧電膜150は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTでスパッタリングまたはスピン−コーティングなどの方法で蒸着した後、部分エッチングして形成できる。次いで、Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo、Ti/Ptのような単層ないし多層の金属薄膜により、第2電極181、第2リード線182(図2B)及び第2電極端子183(図2B)を含む第2電極部180を形成する。第2電極部180は、蒸着及びエッチング工程やリフトオフ方法により形成しうる。第2電極181は、圧電膜150より小さく形成される。
【0056】
次いで、図7Cを参照すれば、圧電膜150及び第1及び第2電極部170,180上にパリレンやシリコン窒化物を積層し、一部領域130a,130bを選択的にエッチングして変形膜130を形成する。例えば、パリレン薄膜の選択的なエッチングは、フォトレジストをエッチングマスクとして使用したO2プラズマエッチング法を利用しうる。変形膜130は、圧電膜150と所定の高低差Hを有するように形成するために、例えば、第1電極171は、変形膜130の厚さに比べて所定の厚さをもって形成される。
【0057】
次いで、図7Dを参照すれば、基板110の背面のダイアフラム領域を変形膜の一部及び圧電部の底面が露出されるまでエッチングして、基板110に貫通領域110aを形成する。基板110の背面のエッチングは、例えば、シリコン基板に対してシリコン・ディープ・エッチング法(Si Deep ICP RIE(Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etching))を利用できる。このように、変形膜及び圧電部を上面及び下面方向に、空間的に開放させることによってダイアフラムを完成する。
【0058】
このような本発明の圧電型音響変換器及びその製造方法は、理解を助けるために図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【0059】
本発明は、音響変換関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【0060】
100 圧電型音響変換器、
100−1 ダイアフラムの境界、
100−2 基板絶縁膜の内側境界、
100−3 圧電部の外郭境界、
100−4 第1及び第2電極の外郭境界、
100−5 圧電部接合部の内側境界、
130 変形膜、
172 第1リード線、
173 第1電極端子、
182 第2リード線、
183 第2電極端子。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
貫通領域が形成された基板と、
前記貫通領域の中央の一部領域に位置し、圧電膜と前記圧電膜の第1面に設けられた第1電極と前記圧電膜の第2面に設けられた第2電極とを備えた圧電部と、
前記圧電部の外郭と前記基板とを連結して弾性変形されるものであって、前記圧電部の平面方向の変形が自身に伝えられるか、または自身の変形が前記圧電部に伝えられて前記圧電部と共に振動する変形膜と、を備える圧電型音響変換器。
【請求項2】
前記第1電極は、前記圧電膜の下部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記第2電極は、前記圧電膜の上部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記変形膜は、前記第2電極の外郭境界領域で前記貫通領域外郭の基板の上部面にわたって形成されることを特徴とする請求項1に記載の圧電型音響変換器。
【請求項3】
貫通領域が形成された基板と、
前記貫通領域の中央の一部領域に位置して弾性変形される変形膜と、
前記変形膜の外郭と前記基板とを連結し、自身の平面方向の変形が前記変形膜に伝えられるか、または前記変形膜の変形が自身に伝えられて前記変形膜と共に振動するものであって、圧電膜と前記圧電膜の第1面に設けられた第1電極と前記圧電膜の第2面に設けられた第2電極とを備えた圧電部と、を備える圧電型音響変換器。
【請求項4】
前記第1電極は、前記貫通領域の外郭の基板の上部面で前記圧電膜の下部面に形成され、
前記第2電極は、前記圧電膜の上部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記圧電部は、前記変形膜の外郭境界領域で前記貫通領域の外郭の基板の上部面にわたって形成されることを特徴とする請求項3に記載の圧電型音響変換器。
【請求項5】
前記圧電部の中心面が前記変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置かれることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項6】
前記圧電膜と第1電極との間、及び前記圧電膜と第2電極との間のうち少なくともいずれか一側に介在される圧電部絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項7】
前記第1及び第2電極にそれぞれ駆動電圧を印加するために、前記基板の上部面に設けられる第1及び第2電極端子と、
前記第1及び第2電極と第1及び第2電極端子とをそれぞれ連結するための第1及び第2リード線と、をさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項8】
前記貫通領域の外郭の基板の上部面と前記第1及び第2電極端子との間に介在された外郭絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の圧電型音響変換器。
【請求項9】
前記変形膜は、パリレン膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項10】
前記圧電膜は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTのうち少なくともいずれか一つにより形成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項11】
前記第1及び第2電極は、Cr,Au、Au,Cu、Al、Mo、Ti,Ptからなる群のうち少なくともいずれか一つの金属により形成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項12】
前記圧電型音響変換器は、マイクロスピーカまたはマイクロホンであることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項13】
基板上に第1電極、第1リード線及び第1電極端子を含む第1電極部を形成する工程と、
前記第1電極上に圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜上に第2電極を形成し、前記基板上に第2リード線及び第2電極端子を含む第2電極部を形成する工程と、
前記基板の圧電膜が形成されていない領域に変形膜を形成する工程と、
前記圧電膜と前記変形膜とが置かれた前記基板の下部をエッチングしてダイアフラムを形成する工程と、を含む圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項14】
前記圧電膜は、前記基板の一領域に形成し、前記変形膜は、前記基板の前記圧電膜が形成された領域の外郭領域に形成することを特徴とする請求項13に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項15】
前記変形膜は、前記基板の一領域に形成し、前記圧電膜は、前記基板の前記変形膜が形成された領域の外郭領域に形成することを特徴とする請求項13に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項16】
前記第1電極部を形成する前に、前記基板上に絶縁膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項17】
前記圧電膜の中心面を前記変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置くことを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項1】
貫通領域が形成された基板と、
前記貫通領域の中央の一部領域に位置し、圧電膜と前記圧電膜の第1面に設けられた第1電極と前記圧電膜の第2面に設けられた第2電極とを備えた圧電部と、
前記圧電部の外郭と前記基板とを連結して弾性変形されるものであって、前記圧電部の平面方向の変形が自身に伝えられるか、または自身の変形が前記圧電部に伝えられて前記圧電部と共に振動する変形膜と、を備える圧電型音響変換器。
【請求項2】
前記第1電極は、前記圧電膜の下部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記第2電極は、前記圧電膜の上部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記変形膜は、前記第2電極の外郭境界領域で前記貫通領域外郭の基板の上部面にわたって形成されることを特徴とする請求項1に記載の圧電型音響変換器。
【請求項3】
貫通領域が形成された基板と、
前記貫通領域の中央の一部領域に位置して弾性変形される変形膜と、
前記変形膜の外郭と前記基板とを連結し、自身の平面方向の変形が前記変形膜に伝えられるか、または前記変形膜の変形が自身に伝えられて前記変形膜と共に振動するものであって、圧電膜と前記圧電膜の第1面に設けられた第1電極と前記圧電膜の第2面に設けられた第2電極とを備えた圧電部と、を備える圧電型音響変換器。
【請求項4】
前記第1電極は、前記貫通領域の外郭の基板の上部面で前記圧電膜の下部面に形成され、
前記第2電極は、前記圧電膜の上部面に前記圧電膜の領域より小さな領域にわたって形成され、
前記圧電部は、前記変形膜の外郭境界領域で前記貫通領域の外郭の基板の上部面にわたって形成されることを特徴とする請求項3に記載の圧電型音響変換器。
【請求項5】
前記圧電部の中心面が前記変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置かれることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項6】
前記圧電膜と第1電極との間、及び前記圧電膜と第2電極との間のうち少なくともいずれか一側に介在される圧電部絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項7】
前記第1及び第2電極にそれぞれ駆動電圧を印加するために、前記基板の上部面に設けられる第1及び第2電極端子と、
前記第1及び第2電極と第1及び第2電極端子とをそれぞれ連結するための第1及び第2リード線と、をさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項8】
前記貫通領域の外郭の基板の上部面と前記第1及び第2電極端子との間に介在された外郭絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の圧電型音響変換器。
【請求項9】
前記変形膜は、パリレン膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項10】
前記圧電膜は、ZnO、AlN、PZT、PbTiO3、またはPLTのうち少なくともいずれか一つにより形成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項11】
前記第1及び第2電極は、Cr,Au、Au,Cu、Al、Mo、Ti,Ptからなる群のうち少なくともいずれか一つの金属により形成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項12】
前記圧電型音響変換器は、マイクロスピーカまたはマイクロホンであることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器。
【請求項13】
基板上に第1電極、第1リード線及び第1電極端子を含む第1電極部を形成する工程と、
前記第1電極上に圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜上に第2電極を形成し、前記基板上に第2リード線及び第2電極端子を含む第2電極部を形成する工程と、
前記基板の圧電膜が形成されていない領域に変形膜を形成する工程と、
前記圧電膜と前記変形膜とが置かれた前記基板の下部をエッチングしてダイアフラムを形成する工程と、を含む圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項14】
前記圧電膜は、前記基板の一領域に形成し、前記変形膜は、前記基板の前記圧電膜が形成された領域の外郭領域に形成することを特徴とする請求項13に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項15】
前記変形膜は、前記基板の一領域に形成し、前記圧電膜は、前記基板の前記変形膜が形成された領域の外郭領域に形成することを特徴とする請求項13に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項16】
前記第1電極部を形成する前に、前記基板上に絶縁膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【請求項17】
前記圧電膜の中心面を前記変形膜の幾何学的な中心面と異なる面上に置くことを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項に記載の圧電型音響変換器の製造方法。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【公開番号】特開2010−148102(P2010−148102A)
【公開日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−280707(P2009−280707)
【出願日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si,Gyeonggi−do 442−742(KR)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si,Gyeonggi−do 442−742(KR)
【Fターム(参考)】
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