基板処理システム及び基板処理方法
【課題】本発明は、基板処理システム及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システムは、塗布ユニット、露光前後処理ユニット、及び現像ユニットを有する。各々のユニットは、ロードポート及びインデックスモジュールを有する。露光前後処理ユニットは、異なった層に配置された第１モジュールと第２モジュールとを有する。第１モジュールは、露光前にウエハ上に保護膜を塗布する工程を行う。第２モジュールは、露光後にウエハを洗浄する工程及び露光後ベーキング工程を行う。
【解決手段】基板処理システムは、塗布ユニット、露光前後処理ユニット、及び現像ユニットを有する。各々のユニットは、ロードポート及びインデックスモジュールを有する。露光前後処理ユニットは、異なった層に配置された第１モジュールと第２モジュールとを有する。第１モジュールは、露光前にウエハ上に保護膜を塗布する工程を行う。第２モジュールは、露光後にウエハを洗浄する工程及び露光後ベーキング工程を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する装置及び方法に関し、さらに詳細には、ウエハにフォトリソグラフィ工程を行うのに用いられる装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するためには、洗浄、蒸着、フォトリソグラフィ、エッチング、及びイオン注入などのような多様な工程が行われる。パターンを形成するために行われるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子の高集積化をなすのに重要な役割を果たす。
【０００３】
一般に、フォトリソグラフィ工程を行う設備は、ウエハにレジストを塗布する塗布ユニット、露光が完了したウエハに対して現像工程を行う現像ユニット、及び露光装置とのインライン接続のためのインタフェースを有した処理モジュールを有する。しかしながら、最近、半導体素子が高集積化されるにつれて、露光工程にかかる時間が長くなって露光装置においてウエハの滞積が増加されている。これによって、基板処理モジュールに設けられた塗布ユニットと現像ユニットにおいて処理効率が大きく低下している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００1−５４２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、フォトリソグラフィ工程の効率を向上させることのできる基板処理システム及び方法を提供する。
【０００６】
本発明は、露光工程の前後に行われる塗布工程及び現像工程を行うユニットの生産量を増加させることのできる基板処理システム及び方法を提供する。
【０００７】
本発明は、工程を行うチャンバーが効率的に配置されたレイアウトを有した基板処理システムを提供する。
【０００８】
本発明の目的は、ここに制限されず、言及されないさらに他の目的は、以下の記載から当業者にとって明確に理解されるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、フォトリソグラフィ工程を行う基板処理システムを提供する。前記基板処理システムは、基板に対して塗布工程を行う塗布ユニットと、露光工程を行う露光装置と接続されると共に前記塗布ユニットで工程が行われた基板に対して露光前後処理工程を行う露光前後処理ユニットと、前記露光前後処理ユニットで工程が行われた基板に対して現像工程を行う現像ユニットと、を備える。前記塗布ユニット、前記露光前後処理ユニット、及び前記現像ユニットは、それぞれウエハの収納される容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、及び基板上に所定の工程を行う工程モジュールを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、及び前記工程モジュールは、順次配置される。前記露光前後処理ユニットは、前記露光装置と接続するインタフェースモジュールをさらに備え、前記インタフェースモジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対方向に配置される。
【００１０】
一例によると、前記露光前後処理ユニットの工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備える。前記第１モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットとを備える。前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーを備える。前記第２モジュールは、さらに、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットとを備える。
【００１１】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュールをさらに備える。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。また、前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置される。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置され、基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備える。
【００１２】
前記インタフェースモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファと前記露光装置及び前記第２バッファと前記露光装置の間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備える。
【００１３】
前記塗布ユニットは、エッジ露光モジュールをさらに備え、前記エッジ露光モジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対側に配置される。
【００１４】
また、本発明は、フォトレジストの塗布された基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットを提供する。前記露光前後処理ユニットは、基板の収納された容器が置かれるロードポートと、前記容器から基板を取り出す又は入れるインデックスモジュールと、基板に対して工程を行う工程モジュールと、露光装置と接続するインタフェースモジュールとを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、前記工程モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーを備える。前記工程モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーをさらに備える。前記工程モジュールは、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーをさらに備える。前記工程モジュールは、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーをさらに備える。
【００１５】
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、前記保護膜塗布チャンバーは、前記第１モジュールに配置され、前記洗浄チャンバーは、前記第２モジュールに配置される。前記工程モジュールは、前記第１モジュールに配置されると共に基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記第１モジュールに配置されると共に前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、前記第２モジュールに配置されると共に露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記第２モジュールに配置されると共に前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットとを備える。
【００１６】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置される。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置され、基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備える。
【００１７】
前記インタフェースモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファと前記露光装置との間及び前記第２バッファと前記露光装置との間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。
【００１８】
本発明の他の例によると、露光前後処理ユニットは、基板の収納された容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れるか又は取り出すインデックスモジュール、基板に対して工程を行う工程モジュール、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュール、及び露光装置と接続するインタフェースモジュールを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記バッファモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備える。前記第１モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記保護膜塗布チャンバー、前記ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第１ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備える。
【００１９】
前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーと、基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記洗浄チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第２ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備える。
【００２０】
前記保護膜塗布チャンバー、前記第１ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記ベーキングチャンバーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って順次配置され、前記洗浄チャンバー、前記第２ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバーは、前記第２方向に沿って順次配置される。
【００２１】
前記第１モジュールは、前記第２モジュールの上方に配置され、前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーとを備え、前記第１バッファと前記冷却チャンバーとは、上下方向に一列に配置され、前記第１バッファは、上方から眺めると、前記第１モジュールの搬送チャンバーと前記第１方向に沿って一列に配置される。
【００２２】
前記バッファモジュールは、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファ及び前記第２バッファの間で基板を運搬するバッファロボットとをさらに備え、前記第１バッファ及び前記バッファロボットは、上方から眺めると、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って配置される。
【００２３】
また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。基板処理方法は、基板上にフォトレジストを塗布する工程を行うステップと、前記フォトレジストの塗布された基板上に保護膜を塗布する工程を行うステップと、前記保護膜の塗布された基板に対して液浸露光工程を行うステップと、前記液浸露光の行われた基板を洗浄する工程を行うステップと、前記基板に対して現像工程を行うステップとを含む。前記保護膜を塗布する工程を行うステップと前記洗浄する工程を行うステップとは、前記液浸露光工程を行う露光装置とインラインで接続した露光前後処理ユニットで行われ、前記フォトレジストを塗布する工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットで行われ、前記現像工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットにおいて行われる。
【００２４】
前記基板を洗浄する工程と前記基板に対して現像工程とを行うステップの間に、前記基板に対して露光後ベーキング工程を行うステップをさらに含む。前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を基板に供給して行われ、前記基板上に残留する洗浄液は、流体の供給による乾燥無しで基板の加熱により除去される。
【００２５】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を利用して基板を洗浄し、前記基板上に残留する洗浄液を除去する工程は、前記基板を洗浄する工程の直後に行われる前記露光後ベーキング工程により行われる。
【００２６】
前記保護膜は、前記露光前後処理ユニットの外部で除去される。前記保護膜の一部は、前記現像工程において除去され、残りの一部は、アッシング工程において除去される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、フォトリソグラフィ工程を効率的に行うことができる。
【００２８】
本発明によると、塗布ユニット及び現像ユニットにおいて生産量を増加させることができる。
【００２９】
本発明によると、化学増幅型フォトレジストが用いられる場合、露光工程の後に露光後ベーキング工程を速い時間内に処理できる。
【００３０】
本発明によると、洗浄チャンバーに別途、乾燥ノズルを設けずに、露光後ベーキングユニットで酸増幅を行うと共に基板上に残留する洗浄液を除去できるので、工程にかかる時間を減らすことができる。
【００３１】
本発明によると、露光前後処理ユニットに別途、保護膜除去チャンバーを設けずに、後続する現像工程とアッシング工程において保護膜を除去するので、工程にかかる時間を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施の形態による基板処理システムを概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図５Ａ】図２の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】図２の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図９】図６の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図１３Ａ】図１０の現像ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１３Ｂ】図１０の現像ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１４Ａ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｂ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｃ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｄ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｅ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｆ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｇ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態を添付された図１〜図１４Ｇを参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施の形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施の形態により限定されると理解されてはならない。本実施の形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。そのため、図面での要素の形状は、より明確な説明を強調するために誇張されている。
【００３４】
本実施の形態のシステムは、半導体ウエハ又は平板表示パネルのような基板に対してフォトリソグラフィ工程を行うのに用いられる。特に、本実施の形態のシステムは、基板に対して塗布工程、現像工程、及び液浸露光の前後に要求される露光前後処理工程を行うのに用いられる。以下では、基板としてウエハが使用された場合を例に挙げて説明する。
【００３５】
図１は、本発明の一実施の形態の基板処理システム１を概略的に示す図である。図１に示すように、基板処理システム１は、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００を有する。塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００は、それぞれ互いに分離されて配置される。ウエハＷは、自動移送装置１０００や作業者により、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００の間で運搬される。ウエハＷは、容器（図２の２０００）内に収納された状態で移動する。このとき、容器２０００は、外部から密閉されうる構造を有する。例えば、容器２０００には、前方にドアを有する前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が用いられる。以下では、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００が、その長さ方向が互いに平行に配置された場合を説明する。なお、これとは異なり、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００が、その長さ方向が互いに平行でない状態で配置されることもできる。
【００３６】
塗布ユニット３０００は、ウエハＷに対して第１工程を行う。第１工程は、ウエハＷにフォトレジストのような感光液を塗布する工程、及びレジスト塗布工程の前後にウエハＷに対して行われる加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。
【００３７】
現像ユニット５０００は、ウエハＷに対して第２工程を行う。第２工程は、ウエハＷ上にパターンを得るために現像液を供給して、フォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現象の前後にウエハＷに対して行われる加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。
【００３８】
露光前後処理ユニット４０００は、露光装置９０００とインラインで接続するように配置される。露光前後処理ユニット４０００は、第３工程を行う。第３工程は、第１工程と露光工程との間、及び露光工程と第２工程との間に行われる工程であって、露光の前後に要求される工程を含む。例えば、露光装置９０００が液浸露光工程を行う場合、第３工程は、液浸露光時にウエハＷに塗布されたフォトレジスト膜を保護する保護膜を塗布する工程を含む。また、第３工程は、露光後にウエハＷを洗浄する工程を含む。また、化学増幅型レジストを使用して塗布工程が行われ、遠紫外線（ｄｅｅｐ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＤＵＶ）光源を使用して露光工程が行われる場合、第３工程は、露光後ベーキング工程を含む。
【００３９】
以下、各々のユニットについて詳細に説明する。
【００４０】
（塗布ユニット）
図２〜図４は、塗布ユニット３０００の構造を概略的に示す図である。図２は、塗布ユニット３０００の平面図で、図３は、図２の塗布ユニット３０００を「Ａ」方向に沿って切取した正面図であり、図４は、図２の塗布ユニット３０００を「Ｂ」方向に沿って切取した側面図である。
【００４１】
図２〜図４に示すように、塗布ユニット３０００は、ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００を有する。ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００は、一方向に一列に順次配置される。以下、ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００の配置された方向を第１方向１２といい、上方から視て第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といい、第１方向１２及び第２方向１４と垂直な方向を第３方向１６という。
【００４２】
ロードポート３１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台３１２０を有する。載置台３１２０は、複数設けられ、載置台３１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図２では、４個の載置台３１２０が設けられている。
【００４３】
インデックスモジュール３２００は、ロードポート３１００の載置台３１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール３３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール３２００は、フレーム３２１０、インデックスロボット３２２０、及びガイドレール３２３０を有する。フレーム３２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート３１００とバッファモジュール３３００との間に配置される。インデックスモジュール３２００のフレーム３２１０は、後述するバッファモジュール３３００のフレーム３３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット３２２０とガイドレール３２３０とは、フレーム３２１０内に配置される。インデックスロボット３２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド３２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能で、かつ回転できるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット３２２０は、ハンド３２２１、アーム３２２２、支持台３２２３、及びベース３２２４を有する。ハンド３２２１は、アーム３２２２に固定設置される。アーム３２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。支持台３２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置される。アーム３２２２は、支持台３２２３に沿って移動可能なように支持台３２２３に結合される。支持台３２２３は、ベース３２２４に固定結合される。ガイドレール３２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。ベース３２２４は、ガイドレール３２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール３２３０に結合される。また、図示していないが、フレーム３２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナーがさらに設けられている。
【００４４】
図３に示すように、バッファモジュール３３００は、フレーム３３１０、第１バッファ３３２０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、第２冷却チャンバー３３５０、及びバッファロボット３３６０を有する。フレーム３３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール３２００と工程モジュール３４００との間に配置される。第１バッファ３３２０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、第２冷却チャンバー３３５０、及びバッファロボット３３６０は、フレーム３３１０内に位置する。第２冷却チャンバー３３５０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、及び第１バッファ３３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１冷却チャンバー３３４０及び第１バッファ３３２０は、後述する工程モジュール３４００の第１モジュール３４０１と対応する高さに位置し、第２冷却チャンバー３３５０と第２バッファ３３３０とは、後述する工程モジュール３４００の第２モジュール３４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット３３６０は、第２バッファ３３３０、第２冷却チャンバー３３５０、第１バッファ３３２０、及び第１冷却チャンバー３３４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【００４５】
第２バッファ３３３０と第１バッファ３３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ３３３０は、ハウジング３３３１と複数の支持台３３３２を有する。支持台３３３２は、ハウジング３３３１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台３３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング３３３１は、インデックスロボット３２２０、バッファロボット３３６０、及び後述する第２モジュール３４０２の第２ロボット３４８２がハウジング３３３１内の支持台３３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット３２２０が設けられた方向、バッファロボット３３６０が設けられた方向、及び第２ロボット３４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ３３２０は、第２バッファ３３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ３３２０のハウジング３３２１には、バッファロボット３３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール３４０１に位置する第１ロボット３４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ３３２０に設けられた支持台３３２２の数と第２バッファ３３３０に設けられた支持台３３３２の数とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。一例によると、第２バッファ３３３０に設けられた支持台３３３２の数は、第１バッファ３３２０に設けられた支持台３３２２の数より多い。
【００４６】
バッファロボット３３６０は、第１バッファ３３２０と第２バッファ３３３０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット３３６０は、ハンド３３６１、アーム３３６２、及び支持台３３６３を有する。ハンド３３６１は、アーム３３６２に固定設置される。アーム３３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド３３６１が第２方向１４に沿って移動可能となっている。アーム３３６２は、支持台３３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台３３６３に結合される。支持台３３６３は、第２バッファ３３３０に対応する位置から第１バッファ３３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。支持台３３６３は、これより上又は下方向にさらに長く設けられてもよい。バッファロボット３３６０は、単純にハンド３３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみが可能となるように設けられる。
【００４７】
第１冷却チャンバー３３４０と第２冷却チャンバー３３５０とは、それぞれウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー３３５０は、ハウジング３３５１と冷却プレート３３５２とを有する。冷却プレート３３５２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段３３５３を有する。冷却手段３３５３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、第２冷却チャンバー３３５０には、ウエハＷを冷却プレート３３５２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング３３５１は、インデックスロボット３２２０及び後述する第２モジュール３４０２に設けられた第２ロボット３４８２が冷却プレート３３５２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット３２２０が設けられた方向及び第２ロボット３４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。また、第２冷却チャンバー３３５０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。第１冷却チャンバー３３４０と第２冷却チャンバー３３５０とは、互いに同じ構造を有する。
【００４８】
工程モジュール３４００は、ウエハＷが露光前後処理ユニット４０００に運搬される前に必要な工程を行う。工程モジュール３４００は、概して直六面体の形状を有する。工程モジュール３４００は、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とを有する。第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、異なった層に配置される。第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、それぞれ同じ工程を行うように設けられる。一例によると、第１モジュール３４０１は、第２モジュール３４０２の上方に位置する。
【００４９】
第１モジュール３４０１は、レジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０を有する。レジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、レジスト塗布チャンバー３４１０とベーキングチャンバー３４２０とは、搬送チャンバー３４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。レジスト塗布チャンバー３４１０は、複数設けられ、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のレジスト塗布チャンバー３４１０が設けられた例が示されている。ベーキングチャンバー３４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のベーキングチャンバー３４２０が設けられた例が示された。なお、これとは異なり、ベーキングチャンバー３４２０は、より多くの数で設けられてもよい。
【００５０】
搬送チャンバー３４３０は、バッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー３４３０内には、第１ロボット３４３２とガイドレール３４３３とが位置する。搬送チャンバー３４３０は、概して長方形の形状を有する。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０、レジスト塗布チャンバー３４１０、バッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と第１冷却チャンバー３３４０、及び後述するエッジ露光モジュール３５００の第１バッファ３５２０と第１冷却チャンバー３５４０、の間でウエハＷを移送する。ガイドレール３４３３は、その長さ方向が第１方向１２に並んで配置される。ガイドレール３４３３は、第１ロボット３４３２が第１方向１２に直線移動するように案内する。第１ロボット３４３２は、ハンド３４３４、アーム３４３５、支持台３４３６、及びベース３４３７を有する。ハンド３４３４は、アーム３４３５に固定設置される。アーム３４３５は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド３４３４が水平方向へ移動可能となっている。支持台３４３６は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム３４３５は、支持台３４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台３４３６に結合される。支持台３４３６は、ベース３４３７に固定結合され、ベース３４３７は、ガイドレール３４３３に沿って移動可能なようにガイドレール３４３３に結合される。
【００５１】
レジスト塗布チャンバー３４１０は、すべて同じ構造を有する。ただし、各々のレジスト塗布チャンバー３４１０において用いられるフォトレジストの種類は、互いに異なってもよい。一例として、フォトレジストとして、化学増幅型レジスト（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔ）が用いられる。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ハウジング３４１１、支持プレート３４１２、及びノズル３４１３を有する。ハウジング３４１１は、上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート３４１２は、ハウジング３４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート３４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル３４１３は、支持プレート３４１２に置かれたウエハＷ上にフォトレジストを供給する。ノズル３４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心にフォトレジストを供給する。なお、ノズル３４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル３４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。また、追加的にレジスト塗布チャンバー３４１０には、フォトレジストが塗布されるウエハＷの表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル３４１４が設けられる。
【００５２】
ベーキングチャンバー３４２０は、ウエハＷを熱処理する。例えば、ベーキングチャンバー３４２０は、フォトレジストを塗布する前にウエハＷを所定の温度に加熱してウエハＷの表面の有機物や水分を除去するプリベーキング（ｐｒｅｂａｋｅ）工程やフォトレジストをウエハＷ上に塗布した後に行うソフトベーキング（ｓｏｆｔｂａｋｅ）工程などを行い、各々の加熱工程後にウエハＷを冷却する冷却工程などを行う。ベーキングチャンバー３４２０は、冷却プレート３４２１又は加熱プレート３４２２を有する。冷却プレート３４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段３４２３が設けられる。又、加熱プレート３４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段３４２４が設けられる。加熱プレート３４２２と冷却プレート３４２１とは、一つのベーキングチャンバー３４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー３４２０のうちの一部は、加熱プレート３４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート３４２１のみを具備するようにしてもよい。
【００５３】
第２モジュール３４０２は、レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、及び搬送チャンバー３４８０を有する。レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、及び搬送チャンバー３４８０は、第１モジュール３４０１のレジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０と同じ構造及び配置を有する。また、搬送チャンバー３４８０は、第２ロボット３４８２を有し、第２ロボット３４８２は、第１モジュール３４０１に設けられた第１ロボット３４３２と同じ構造を有する。第２ロボット３４８２は、レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、バッファモジュール３３００の第２バッファ３３３０と第２冷却チャンバー３３５０、及び後述するエッジ露光モジュール３５００の第２バッファ３５３０と第２冷却チャンバー３５５０、の間でウエハＷを運搬するように設けられる。
【００５４】
上述したように、工程モジュール３４００において第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、互いに分離されるように設けられる。また、上方から眺めると、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、同じ構造及び配置を有する。
【００５５】
エッジ露光モジュール３５００は、ウエハＷのエッジ領域を露光する工程を行う。エッジ露光モジュール３５００は、フレーム３５１０、第１バッファ３５２０、第２バッファ３５３０、第１冷却チャンバー３５４０、第２冷却チャンバー３５５０、エッジ露光ロボット３５６０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第２エッジ露光チャンバー３５８０（図２にて３５７０の下に配置される）を有する。フレーム３５１０は、直六面体の形状を有する。エッジ露光ロボット３５６０、第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、及び第２冷却チャンバー３５５０は、フレーム３５１０内に位置する。第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０は、第１モジュール３４０１に対応する高さに配置される。第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、第２冷却チャンバー３５５０は、第２モジュール３４０２に対応する高さに配置される。第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０は、上から第３方向１６に沿って一列に順次配置される。上方から眺めると、第１バッファ３５２０は、第１モジュール３４０１の搬送チャンバー３４３０と第１方向１２に沿って一列に配置される。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１バッファ３５２０及び第１冷却チャンバー３５４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して配置される。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２バッファ３５３０及び第２冷却チャンバー３５５０と第２方向１４に一定の距離を離隔して配置される。第２エッジ露光チャンバー３５８０と第１エッジ露光チャンバー３５７０とは、第３方向１６に沿って一列に配置される。
【００５６】
エッジ露光ロボット３５６０は、第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、及び第２冷却チャンバー３５５０、の間でウエハＷを運搬する。エッジ露光ロボット３５６０は、第１エッジ露光チャンバー３５７０と第１バッファ３５２０との間に位置する。エッジ露光ロボット３５６０は、バッファロボット３３６０と類似の構造で設けられる。
【００５７】
第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０、第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１モジュール３４０１において工程が行われたウエハＷに対して後続工程を行う。第１バッファ３５２０と第２バッファ３５３０とは、それぞれバッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と同じ構造を有する。第１冷却チャンバー３５４０は、第１モジュール３４０１において工程が行われたウエハＷを冷却する。第１冷却チャンバー３５４０は、バッファモジュール３３００の第１冷却チャンバー３３４０と類似の構造を有する。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１冷却チャンバー３５４０において冷却工程が行われたウエハＷに対してそのエッジを露光する。第１バッファ３５２０は、第１エッジ露光チャンバー３５７０においてエッジ露光工程が行われたウエハＷが第１モジュール３４０１に再度運搬される前にウエハＷを一時保管する。
【００５８】
第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０、第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２モジュール３４０２において工程が行われたウエハＷに対して後続工程を行う。第２冷却チャンバー３５５０は、第２モジュール３４０２において工程が行われたウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー３５５０は、バッファモジュール３３００の第２冷却チャンバー３３５０と類似の構造を有する。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２冷却チャンバー３５５０において冷却工程が行われたウエハＷに対してそのエッジを露光する。第２バッファ３５３０は、第２エッジ露光チャンバー３５８０においてエッジ露光工程が行われたウエハＷが再度第２モジュール３４０２に運搬される前にウエハＷを一時保管する。
【００５９】
次に、図５Ａと図５Ｂを参照して、図２の塗布ユニット３０００を利用して工程を行う一例を説明する。図５Ａと図５Ｂは、塗布ユニット３０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。
【００６０】
ウエハＷが収納された容器２０００は、ロードポート３１００の載置台３１２０に置かれる（ステップＳ１１２）。ドアオープナーにより容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット３２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出して第２バッファ３３３０に運搬する（ステップＳ１１２）。ウエハＷは、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２の中から選択された所へ移動される。
【００６１】
ウエハＷが第１モジュール３４０１において工程が行われるように選択された場合、バッファロボット３３６０は、第２バッファ３３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ３３２０に運搬する（ステップＳ１２０）。第１ロボット３４３２は、第１バッファ３３２０からウエハＷを取り出してベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１２２）。ベーキングチャンバー３４２０は、プリベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ１２４）。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷを取り出してレジスト塗布チャンバー３４１０に運搬する（ステップＳ１２６）。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する（ステップＳ１２８）。その後、第１ロボット３４３２は、ウエハＷをレジスト塗布チャンバー３４１０からベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１３０）。ベーキングチャンバー３４２０は、ウエハＷに対してソフトベーキング工程を行う（ステップＳ１３２）。
【００６２】
第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷを取り出して、エッジ露光モジュール３５００の第１冷却チャンバー３５４０に運搬する（ステップＳ１３４）。第１冷却チャンバー３５４０においてウエハＷに対して冷却工程が行われる（ステップＳ１３６）。なお、冷却工程は、ベーキングチャンバー３４２０で行われ、ウエハＷは、ベーキングチャンバー３４２０から第１バッファ３５２０へ直接運搬されてもよい。第１冷却チャンバー３５４０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１エッジ露光チャンバー３５７０に運搬される（ステップＳ１３８）。なお、第１冷却チャンバー３５４０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１バッファ３５２０に運搬されて一時保管された後、エッジ露光ロボット３５６０により第１エッジ露光チャンバー３５７０に運搬されてもよい。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、ウエハＷのエッジ領域を露光する工程を行う（ステップＳ１４０）。第１エッジ露光チャンバー３５７０において工程が完了したウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１バッファ３５２０に運搬される（ステップＳ１４２）。
【００６３】
第１ロボット３４３２は、ウエハＷを第１バッファ３５２０からベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１４４）。ベーキングチャンバー３４２０では、ウエハＷを加熱する工程が行われる（ステップＳ１４６）。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷをバッファモジュール３３００の第１冷却チャンバー３３４０に運搬する（ステップＳ１４８）。第１冷却チャンバー３３４０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ１５０）。インデックスロボット３２２０は、第１冷却チャンバー３３４０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ１５２）。
【００６４】
ウエハＷが第２モジュール３４０２で工程が行われるように選択された場合、第２ロボット３４８２は、第２バッファ３３３０からウエハＷを取り出して第２モジュール３４０２のベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１６０）。ベーキングチャンバー３４７０は、プリベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ１６２）。第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷを取り出してレジスト塗布チャンバー３４６０に運搬する（ステップＳ１６４）。レジスト塗布チャンバー３４６０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する（ステップＳ１６６）。その後、第２ロボット３４８２は、ウエハＷをレジスト塗布チャンバー３４６０からベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１６８）。ベーキングチャンバー３４７０は、ウエハＷに対してソフトベーキング工程を行う（ステップＳ１７０）。
【００６５】
第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷを取り出してエッジ露光モジュール３５００の第２冷却チャンバー３５５０に運搬する（ステップＳ１７２）。第２冷却チャンバー３５５０においてウエハＷに対し冷却工程が行われる（ステップＳ１７４）。なお、冷却工程は、ベーキングチャンバー３４７０で行われ、ウエハＷは、ベーキングチャンバー３４７０で第２バッファ３５３０に直接運搬してもよい。第２冷却チャンバー３５５０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２エッジ露光チャンバー３５８０に運搬される（ステップＳ１７６）。なお、第２冷却チャンバー３５５０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２バッファ３５３０に運搬されて一時保管された後、エッジ露光ロボット３５６０により第２エッジ露光チャンバー３５８０に運搬されてもよい。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、ウエハＷのエッジを露光する工程を行う（ステップＳ１７８）。第２エッジ露光チャンバー３５８０において工程が完了したウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２バッファ３５３０に運搬される（ステップＳ１８０）。
【００６６】
第２ロボット３４８２は、ウエハＷを第２バッファ３５３０からベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１８２）。ベーキングチャンバー３４７０は、ウエハＷを加熱する工程を行う（ステップＳ１８４）。第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷをバッファモジュール３３００の第２冷却チャンバー３３５０に運搬する（ステップＳ１８６）。第２冷却チャンバー３３５０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ１８８）。インデックスロボット３２２０は、第２冷却チャンバー３３５０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ１９０）。
【００６７】
次に、上述した塗布ユニット３０００の多様な変形例を例示する。
【００６８】
工程モジュール３４００は、異なった層に配置された第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２との代わりに、一つのモジュールのみを具備してもよい。
【００６９】
また、インデックスモジュール３２００には、第１冷却チャンバー３３４０及び第２冷却チャンバー３３５０のそれぞれが互いに積層されるように複数配置されてもよい。
【００７０】
また、エッジ露光モジュール３５００には、第１冷却チャンバー３５４０及び第１エッジ露光チャンバー３５７０のそれぞれが複数設けられ、第２冷却チャンバー３５５０及び第２エッジ露光チャンバー３５８０のそれぞれが複数設けられてもよい。
【００７１】
また、バッファモジュール３３００には、第１冷却チャンバー３３４０及び第２冷却チャンバー３３５０が設けられなくても良い。この場合、ウエハＷは、第１モジュール３４０１から第１ロボット３４３２により直接第１バッファ３３２０に移送され、インデックスロボット３２２０は、第１バッファ３３２０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。また、ウエハＷは、第２モジュール３４０２から第２ロボット３４８２により直接第２バッファ３３３０に移送され、インデックスロボット３２２０は、第２バッファ３３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【００７２】
また、バッファモジュール３３００において第１バッファ３３２０と第１冷却チャンバー３３４０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２バッファ３３３０と第２冷却チャンバー３３５０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【００７３】
また、バッファモジュール３３００は、その高さが工程モジュール３４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット３２２０は、第１バッファ３３２０に直接ウエハＷを運搬することができる。
【００７４】
また、エッジ露光モジュール３５００には、第１冷却チャンバー３５４０及び第２冷却チャンバー３５５０が設けられなくても良い。この場合、第１モジュール３４０１において工程が完了したウエハＷは、第１ロボット３４３２により直接第１バッファ３５２０に移送される。また、第２モジュール３４０２において工程が完了したウエハＷは、第２ロボット３４８２により直接第２バッファ３５３０に移送される。
【００７５】
また、エッジ露光モジュール３５００で第１冷却チャンバー３５４０と第１バッファ３５２０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２冷却チャンバー３５５０と第２バッファ３５３０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【００７６】
また、エッジ露光モジュール３５００は、一つのエッジ露光ロボット３５６０の代わりに第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０の間でウエハＷを運搬する上部ロボット（図示せず）と、第２エッジ露光チャンバー３５８０、第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０の間でウエハＷを運搬する下部ロボット（図示せず）とをそれぞれ具備してもよい。
【００７７】
また、工程モジュール３４００では、上述した工程の他にさらに他の工程を行うチャンバーが設けられてもよい。
【００７８】
（露光前後処理ユニット）
図６〜図８は、露光前後処理ユニット４０００の構造を概略的に示す図である。図６は、露光前後処理ユニット４０００の平面図であり、図７は、図６のユニットを「Ｃ」方向に沿って切取した正面図であり、図８は、図６のユニットを「Ｄ」方向に沿って切取した側面図である。
【００７９】
図６〜図８に示すように、露光前後処理ユニット４０００は、ロードポート４１００、インデックスモジュール４２００、バッファモジュール４３００、工程モジュール４４００、及びインタフェースモジュール４５００を有する。露光前後処理ユニット４０００は、露光装置９０００とインラインで結合される。露光装置９０００は、第１方向１２に沿ってインタフェースモジュール４５００に結合される。一例によると、露光装置９０００は、液浸露光技術を利用した工程を行う。また、露光装置９０００は、フッ化クリプトンエキシマレーザー（ＫｒＦ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ）又はフッ化アルゴンエキシマレーザー（ＡｒＦ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ）のような遠赤外線光源を利用して露光工程を行う。
【００８０】
ロードポート４１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台４１２０を有する。載置台４１２０は、複数設けられ、載置台４１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図６では、４個の載置台４１２０が設けられている。
【００８１】
インデックスモジュール４２００は、ロードポート４１００の載置台４１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール４３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール４２００は、フレーム４２１０、インデックスロボット４２２０、及びガイドレール４２３０を有する。フレーム４２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート４１００とバッファモジュール４３００との間に配置される。フレーム４２１０は、後述するバッファモジュール４３００のフレーム４３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット４２２０とガイドレール４２３０とは、フレーム４２１０内に配置される。インデックスロボット４２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド４２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能であり、水平面上において回転されうるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット４２２０は、ハンド４２２１、アーム４２２２、支持台４２２３、及びベース４２２４を有する。ハンド４２２１は、アーム４２２２に固定設置される。アーム４２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。支持台４２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム４２２２は、支持台４２２３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４２２３に結合される。ガイドレール４２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。ベース４２２４は、ガイドレール４２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール４２３０に結合される。フレーム４２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナー（図示せず）がさらに設けられる。
【００８２】
バッファモジュール４３００は、フレーム４３１０、第１バッファ４３２０、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及びバッファロボット４３６０を有する。フレーム４３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール４２００と工程モジュール４４００との間に配置される。第１バッファ４３２０、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及びバッファロボット４３６０は、フレーム４３１０内に位置する。第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及び第１バッファ４３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１バッファ４３２０は、後述する工程モジュール４４００の第１モジュール４４０１と対応する高さに位置し、第２バッファ４３３０と冷却チャンバー４３４０とは、後述する工程モジュール４４００の第２モジュール４４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及び第１バッファ４３２０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【００８３】
第２バッファ４３３０と第１バッファ４３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ４３３０は、ハウジング４３３１と複数の支持台４３３２とを有する。支持台４３３２は、ハウジング４３３１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台４３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング４３３１は、インデックスロボット４２２０及びバッファロボット４３６０がハウジング４３３１内の支持台４３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット４２２０が設けられた方向及びバッファロボット４３６０が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ４３２０は、第２バッファ４３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ４３２０のハウジングには、バッファロボット４３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール４４０１に位置する第１ロボット４４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ４３２０に設けられた支持台４３２２の数と第２バッファ４３３０に設けられた支持台４３３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。
【００８４】
バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０と第１バッファ４３２０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット４３６０は、ハンド４３６１、アーム４３６２、及び支持台４３６３を有する。ハンド４３６１は、アーム４３６２に固定設置される。アーム４３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド４３６１が水平方向へ移動可能なようにしている。アーム４３６２は、支持台４３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４３６３に結合される。支持台４３６３は、第２バッファ４３３０に対応する位置から第１バッファ４３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。なお、支持台４３６３は、これより上又は下方向により長く設けられてもよい。バッファロボット４３６０は、単純にハンド４３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみが可能となるように設けられる。
【００８５】
冷却チャンバー４３４０は、ウエハＷを冷却する。冷却チャンバー４３４０は、ハウジング４３４１と冷却プレート４３４２とを有する。冷却プレート４３４２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段４３４３を有する。冷却手段４３４３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、冷却チャンバー４３４０には、ウエハＷを冷却プレート４３４２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング４３４１は、インデックスロボット４２２０及び後述する第２モジュール４４０２に設けられた第２ロボット４４８２が冷却プレート４３４２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット４２２０が設けられた方向及びバッファロボット４３６０が設けられた方向に開口を有する。また、冷却チャンバー４３４０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。
【００８６】
工程モジュール４４００は、第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とを有する。第１モジュール４４０１は、露光工程を行う前にウエハＷを処理する工程を行い、第２モジュール４４０２は、露光工程後にウエハＷを処理する工程を行う。第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、異なった層に配置される。一例によると、第１モジュール４４０１は、第２モジュール４４０２の上方に位置する。第１モジュール４４０１は、保護膜塗布チャンバー４４１０、ベーキングチャンバー４４２０、及び搬送チャンバー４４３０を有する。保護膜塗布チャンバー４４１０、搬送チャンバー４４３０、及びベーキングチャンバー４４２０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、保護膜塗布チャンバー４４１０とベーキングチャンバー４４２０とは、搬送チャンバー４４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。保護膜塗布チャンバー４４１０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、保護膜塗布チャンバー４４１０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。ベーキングチャンバー４４２０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、ベーキングチャンバー４４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。
【００８７】
搬送チャンバー４４３０は、バッファモジュール４３００の第１バッファ４３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー４４３０内には、第１ロボット４４３２が位置する。搬送チャンバー４４３０は、概して正方形又は長方形の形状を有する。第１ロボット４４３２は、ベーキングチャンバー４４２０、保護膜塗布チャンバー４４１０、バッファモジュール４３００の第１バッファ４３２０、及び後述するインタフェースモジュール４５００の第１バッファ４５２０の間でウエハＷを移送する。第１ロボット４４３２は、ハンド４４３３、アーム４４３４、及び支持台４４３５を有する。ハンド４４３３は、アーム４４３４に固定設置される。アーム４４３４は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。アーム４４３４は、支持台４４３５に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４４３５に結合される。
【００８８】
保護膜塗布チャンバー４４１０は、液浸露光時にレジスト膜を保護する保護膜をウエハＷ上に塗布する。保護膜塗布チャンバー４４１０は、ハウジング４４１１、支持プレート４４１２、及びノズル４４１３を有する。ハウジング４４１１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート４４１２は、ハウジング４４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート４４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル４４１３は、支持プレート４４１２に置かれたウエハＷ上に保護膜を形成するための保護液を供給する。ノズル４４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心に保護液を供給できる。なお、ノズル４４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル４４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。この場合、支持プレート４４１２は、固定された状態で設けられる。保護液は、発砲性材料を含む。保護液は、フォトレジスト及び水との親和力の低い材料が用いられる。例えば、保護液は、フッ素系の溶剤を含む。保護膜塗布チャンバー４４１０は、支持プレート４４１２に置かれたウエハＷを回転させながらウエハＷの中心領域に保護液を供給する。
【００８９】
ベーキングチャンバー４４２０は、保護膜が塗布されたウエハＷを熱処理する。ベーキングチャンバー４４２０は、冷却プレート４４２１又は加熱プレート４４２２を有する。冷却プレート４４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段４４２３が設けられる。又、加熱プレート４４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段４４２４が設けられる。加熱プレート４４２２と冷却プレート４４２１とは、一つのベーキングチャンバー４４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー４４２０の一部は、加熱プレート４４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート４４２１のみを具備するようにしてもよい。
【００９０】
第２モジュール４４０２は、洗浄チャンバー４４６０、露光後ベーキングチャンバー４４７０、及び搬送チャンバー４４８０を有する。洗浄チャンバー４４６０、搬送チャンバー４４８０、及び露光後ベーキングチャンバー４４７０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、洗浄チャンバー４４６０と露光後ベーキングチャンバー４４７０は、搬送チャンバー４４８０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。洗浄チャンバー４４６０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、洗浄チャンバー４４６０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、露光後ベーキングチャンバー４４７０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。
【００９１】
搬送チャンバー４４８０は、上方から眺めると、バッファモジュール４３００の第２バッファ４３３０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー４４８０は、概して正方形又は長方形の形状を有する。搬送チャンバー４４８０内には、第２ロボット４４８２が位置する。第２ロボット４４８２は、露光後ベーキングチャンバー４４７０、洗浄チャンバー４４６０、バッファモジュール４３００の冷却チャンバー４３４０、及び後述するインタフェースモジュール４５００の第２バッファ４５３０、の間でウエハＷを運搬する。第２モジュール４４０２に設けられた第２ロボット４４８２は、第１モジュール４４０１に設けられた第１ロボット４４３２と同じ構造で設けられる。
【００９２】
洗浄チャンバー４４６０は、露光工程後にウエハＷを洗浄する。洗浄チャンバー４４６０は、ハウジング４４６１、支持プレート４４６２、及びノズル４４６３を有する。ハウジング４４６１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート４４６２は、ハウジング４４６１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート４４６２は、回転可能なように設けられる。ノズル４４６３は、支持プレート４４６２に置かれたウエハＷ上に洗浄液を供給する。洗浄液としては、脱イオン水のような水が用いられる。洗浄チャンバー４４６０は、支持プレート４４６２に置かれたウエハＷを回転させつつウエハＷの中心領域に洗浄液を供給する。なお、ウエハＷが回転される間にノズル４４６３は、ウエハＷの中心領域からエッジ領域まで直線移動又は回転移動できるようにしてもよい。
【００９３】
露光後ベーキングチャンバー４４７０は、遠紫外線を利用して露光工程が行われたウエハＷを加熱する。露光後ベーキング工程は、ウエハＷを加熱して露光によりフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させて、フォトレジストの性質変化を完了させる。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、加熱プレート４４７２を有する。加熱プレート４４７２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段４４７４が設けられる。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、その内部に冷却プレート４４７１をさらに具備している。冷却プレート４４７１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段４４７３が設けられる。なお、冷却プレート４４７１のみを有したベーキングチャンバーがさらに設けられてもよい。
【００９４】
上述したように、工程モジュール４４００において第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、互いに完全に分離されるように設けられる。また、第１モジュール４４０１の搬送チャンバー４４３０と第２モジュール４４０２の搬送チャンバー４４８０とは、同じ大きさで設けられて、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。また、保護膜塗布チャンバー４４１０と洗浄チャンバー４４６０とは、互いに同じ大きさで設けられて、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。また、ベーキングチャンバー４４２０と露光後ベーキングチャンバー４４７０とは、同じ大きさで設けられ、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。
【００９５】
インタフェースモジュール４５００は、工程モジュール４４００と露光装置９０００との間でウエハＷを移送する。インタフェースモジュール４５００は、フレーム４５１０、インタフェースロボット４５４０、第１バッファ４５２０、及び第２バッファ４５３０を有する。インタフェースロボット４５４０、第１バッファ４５２０、及び第２バッファ４５３０は、フレーム４５１０内に位置する。第１バッファ４５２０と第２バッファ４５３０とは、互いに一定距離を離隔し、互いに積層されるように配置される。第１バッファ４５２０は、第２バッファ４５３０の上方に配置される。第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１と対応する高さに位置し、第２バッファ４５３０は、第２モジュール４４０２に対応する高さに配置される。上方から眺めると、第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１の搬送チャンバー４４３０と第１方向１２に沿って一列に配置され、第２バッファ４５３０は、第２モジュール４４０２の搬送チャンバー４４８０と第１方向１２に沿って一列に配置されるように位置する。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０及び第２バッファ４５３０と第２方向１４に離隔して位置する。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０、第２バッファ４５３０、及び露光装置９０００の間でウエハＷを運搬する。インタフェースロボット４５４０は、バッファロボット４３６０と概して類似の構造を有する。
【００９６】
第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１において工程が行われたウエハＷが露光装置９０００に移動する前に、これらを一時保管する。そして、第２バッファ４５３０は、露光装置９０００において工程が完了したウエハＷが第２モジュール４４０２に移動する前に、これらを一時保管する。第１バッファ４５２０は、ハウジング４５２１と複数の支持台４５２２とを有する。支持台４５２２は、ハウジング４５２１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台４５２２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング４５２１は、インタフェースロボット４５４０及び第１ロボット４４３２がハウジング４５２１内の支持台４５２２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インタフェースロボット４５４０が設けられた方向及び第１ロボット４４３２が設けられた方向に開口を有する。第２バッファ４５３０は、第１バッファ４５２０と概して類似の構造を有する。ただし、第２バッファ４５３０のハウジング４５３１には、インタフェースロボット４５４０が設けられた方向及び第２ロボット４４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ４５２０に設けられた支持台４５２２の数と第２バッファ４５３０に設けられた支持台４５３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。
【００９７】
次に、図９を参照して、図６の露光前後処理ユニット４０００を利用して工程を行う一例を説明する。図９は、露光前後処理ユニット４０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。図９では、ウエハＷ上に化学増幅レジストが塗布され、露光装置９０００が遠紫外線光源を利用した露光及び液浸露光により工程を行う場合を例に挙げて説明する。
【００９８】
塗布ユニット３０００において塗布工程の完了したウエハＷは、容器２０００に収納される。容器２０００は、露光前後処理ユニット４０００の載置台４１２０に置かれる（ステップＳ２１２）。ドアオープナー（図示せず）により容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット４２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出してバッファモジュール４３００の第２バッファ４３３０に運搬する（ステップＳ２１４）。バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ４３２０に運搬する（ステップＳ２１６）。第１ロボット４４３２は、第１バッファ４３２０からウエハＷを取り出して工程モジュール４４００の保護膜塗布チャンバー４４１０に運搬する（ステップＳ２１８）。保護膜塗布チャンバー４４１０は、ウエハＷ上に保護膜を塗布する（ステップＳ２２０）。その後、第１ロボット４４３２は、ウエハＷを保護膜塗布チャンバー４４１０からベーキングチャンバー４４２０に運搬する（ステップＳ２２２）。ベーキングチャンバー４４２０は、ウエハＷに対して加熱及び冷却などのような熱処理を行う（ステップＳ２２４）。
【００９９】
第１ロボット４４３２は、ベーキングチャンバー４４２０からウエハＷを取り出して第１バッファ４５２０に運搬する（ステップＳ２２６）。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０から露光装置９０００にウエハＷを運搬する（ステップＳ２２８）。露光装置９０００においてウエハＷに対し露光工程が行われる（ステップＳ２３０）。その後、インタフェースロボット４５４０は、露光装置９０００からウエハＷを第２バッファ４５３０に運搬する（ステップＳ２３２）。
【０１００】
第２ロボット４４８２は、第２バッファ４５３０の支持台からウエハＷを取り出して工程モジュール４４００の洗浄チャンバー４４６０に運搬する（ステップＳ２３４）。洗浄チャンバー４４６０は、ウエハＷの表面に洗浄液を供給して洗浄工程を行う（ステップＳ２３６）。洗浄液を利用したウエハＷの洗浄が完了すれば、第２ロボット４４８２は、直ちに洗浄チャンバー４４６０からウエハＷを取り出して露光後ベーキングチャンバー４４７０にウエハＷを運搬する（ステップＳ２３８）。露光後ベーキングチャンバー４４７０の加熱プレートからウエハＷの加熱によりウエハＷ上に付着された洗浄液が除去され、これと同時にフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させて、フォトレジストの性質変化が完了される（ステップＳ２４０）。第２ロボット４４８２は、露光後ベーキングチャンバー４４７０からウエハＷをバッファモジュール４３００の冷却チャンバー４３４０に運搬する（ステップＳ２４２）。冷却チャンバー４３４０においてウエハＷの冷却が行われる（ステップＳ２４４）。インデックスロボット４２２０は、冷却チャンバー４３４０からウエハＷを取り出して容器２０００に運搬する（ステップＳ２４６）。
【０１０１】
容器２０００は、現像ユニット５０００に運搬され、現像ユニット５０００で現像工程が行われる。
【０１０２】
ウエハＷ上に残留する保護膜の一部は、現像液により除去され、保護膜の残りの一部は、アッシング工程時にフォトレジストと共に除去される。
【０１０３】
図６の実施の形態によると、露光前後処理ユニット４０００は、別途、保護膜除去チャンバーを具備していない。したがって、露光前後処理ユニット４０００の構造が比較的簡単であり、工程にかかる時間を減らすことができる。
【０１０４】
また、化学増幅型レジストを使用する場合、露光工程が完了した後のベーキング工程が行われる時期は重要である。図６の実施の形態によると、露光前後処理ユニット４０００に露光後ベーキングチャンバー４４７０が設けられている。したがって、ウエハＷが現像ユニット５０００へ移動される前に露光前後処理ユニット４０００内で速く酸増幅を行う。
【０１０５】
また、図６の実施の形態によると、洗浄チャンバー４４６０は、ウエハＷに対して洗浄液を利用した洗浄のみを行い、別途に乾燥ガスのような流体の供給によるウエハＷ乾燥は行わない。ウエハＷ乾燥は、加熱によりなされる。例えば、ウエハ乾燥は、露光後ベーキングチャンバー４４７０で酸増幅と同時に行われる。したがって、洗浄チャンバー４４６０で洗浄液による洗浄及び乾燥ガスによる乾燥をすべて行う場合に比べて、工程にかかる時間を減らすことができる。
【０１０６】
次に、上述した露光前後処理ユニット４０００の多様な変形例を例示する。
【０１０７】
上述した例では、第１モジュール４４０１が前記第２モジュール４４０２の上方に配置されると説明したが、これとは異なり、第２モジュール４４０２が第１モジュール４４０１の上方に配置されてもよい。
【０１０８】
また、工程モジュール４４００は、異なった層に配置された第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２の代わりに一つのモジュールのみを具備してもよい。この場合、一つのモジュール内に、保護膜塗布チャンバー４４１０、ベーキングチャンバー４４２０、洗浄チャンバー４４６０、露光後ベーキングチャンバー４４７０がすべて設けられる。
【０１０９】
また、洗浄チャンバー４４６０には、洗浄液を供給するノズルの他に追加的に乾燥ガスを供給するノズルがさらに設けられてもよい。この場合、露光後ベーキングチャンバー４４７０でウエハＷの加熱がなされる前にウエハＷ上に付着された洗浄液を除去できる。
【０１１０】
また、第２モジュール４４０２には、冷却プレートが設けられなくても良い。ウエハＷの冷却は、バッファモジュール４３００に設けられた冷却チャンバー４３４０だけで行われる。この場合、バッファモジュール４３００には、複数の冷却チャンバー４３４０が互いに積層されるように配置されてもよい。
【０１１１】
また、バッファモジュール４３００には、冷却チャンバー４３４０が設けられなくても良い。この場合、第２モジュール４４０２の冷却プレートで冷却が行われたウエハＷは、第２ロボット４４８２により直接第２バッファ４３３０に移送され、インデックスロボット４２２０は、第２バッファ４３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【０１１２】
また、バッファモジュール４３００において冷却チャンバー４３４０と第２バッファ４３３０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【０１１３】
また、第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、その位置が互いに変更されてもよい。この場合、選択的に、バッファモジュール４３００に設けられた冷却ユニットは、第２モジュール４４０２と対応する高さに設けられてもよい。
【０１１４】
また、バッファモジュール４３００は、その高さが工程モジュール４４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット４２２０は、第１バッファ４３２０に直接ウエハＷを供給することができる。
【０１１５】
また、選択的に第２モジュール４４０２には、露光工程後保護膜を除去するための保護膜除去チャンバーが設けられてもよい。この場合、アッシング工程が行われる前に予めウエハＷ上に設けられた保護膜を除去できる。
【０１１６】
また、露光装置９０００が液浸露光方式以外の方式で工程を行う場合、第１モジュール４４０１には、保護膜塗布ユニット３０００が設けられなくても良い。この場合、選択的にベーキングチャンバー４４２０も設けられなくても良い。この場合、選択的に工程モジュール４４００は、第１モジュール４４０１なしで第２モジュール４４０２のみで設けられる。
【０１１７】
また、露光装置９０００が遠紫外線光源を利用して工程を行わない場合、第２モジュール４４０２に露光後ベーキングチャンバー４４７０が設けられなくても良い。
【０１１８】
（現像ユニット）
図１０〜図１２は、現像ユニット５０００の構造を概略的に示す図である。図１０は、現像ユニット５０００を上方から眺めた図であり、図１１は、図１０の現像ユニット５０００を「Ｅ」方向に沿って眺めた正面図であり、図１２は、図１１のユニットを「Ｆ」方向に沿って眺めた側面図である。
【０１１９】
図１０〜図１２に示すように、現像ユニット５０００は、ロードポート５１００、インデックスモジュール５２００、バッファモジュール５３００、及び工程モジュール５４００を有する。ロードポート５１００、インデックスモジュール５２００、バッファモジュール５３００、及び工程モジュール５４００は、第１方向１２に沿って順次配置される。ロードポート５１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台５１２０を有する。載置台５１２０は、複数設けられ、載置台５１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図１０では、４個の載置台５１２０が設けられている。
【０１２０】
インデックスモジュール５２００は、ロードポート５１００の載置台５１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール５３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール５２００は、フレーム５２１０、インデックスロボット５２２０、及びガイドレール５２３０を有する。フレーム５２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート５１００とバッファモジュール５３００との間に配置される。フレーム５２１０は、後述するバッファモジュール５３００のフレーム５３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット５２２０とガイドレール５２３０とは、フレーム５２１０内に配置される。インデックスロボット５２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド５２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能であり、回転できるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット５２２０は、ハンド５２２１、アーム５２２２、支持台５２２３、及びベース５２２４を有する。アーム５２２２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５２２１が水平方向へ移動可能なようにしている。支持台５２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム５２２２は、支持台５２２３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５２２３に結合される。ガイドレール５２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。支持台５２２３は、ベース５２２４に固定結合される。ベース５２２４は、ガイドレール５２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール５２３０に結合される。また、図示していないが、フレーム５２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナーがさらに設けられている。
【０１２１】
図１１に示すように、バッファモジュール５３００は、フレーム５３１０、第１バッファ５３２０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、第２冷却チャンバー５３５０、及びバッファロボット５３６０を有する。フレーム５３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール５２００と工程モジュール５４００との間に配置される。第１バッファ５３２０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、第２冷却チャンバー５３５０、及びバッファロボット５３６０は、フレーム５３１０内に位置する。第２冷却チャンバー５３５０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、及び第１バッファ５３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１冷却チャンバー５３４０及び第１バッファ５３２０は、後述する工程モジュール５４００の第１モジュール５４０１と対応する高さに位置し、第２冷却チャンバー５３５０と第２バッファ５３３０とは、後述する工程モジュール５４００の第２モジュール５４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０、第２冷却チャンバー５３５０、第１バッファ５３２０、及び第１冷却チャンバー５３４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【０１２２】
第２バッファ５３３０と第１バッファ５３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ５３３０は、ハウジング５３３１と複数の支持台５３３２とを有する。支持台５３３２は、ハウジング５３３１内に配置されて、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台５３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング５３３１は、インデックスロボット５２２０、バッファロボット５３６０、及び後述する第２モジュール５４０２の第２ロボット５８３２がハウジング５３３１内の支持台５３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット５２２０が設けられた方向、バッファロボット５３６０が設けられた方向、及び第２ロボット５８３２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ５３２０は、第２バッファ５３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ５３２０のハウジング５３２１には、バッファロボット５３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール５４０１の第１ロボット５４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ５３２０に設けられた支持台５３２２の数と第２バッファ５３３０に設けられた支持台５３３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。一例によると、第２バッファ５３３０に設けられた支持台５３３２の数は、第１バッファ５３２０に設けられた支持台５３２２の数より多くてもよい。
【０１２３】
バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０と第１バッファ５３２０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット５３６０は、ハンド５３６１、アーム５３６２、及び支持台５３６３を有する。ハンド５３６１は、アーム５３６２に固定設置される。アーム５３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５３６１が第２方向１４に沿って移動可能なようにしている。アーム５３６２は、支持台５３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５３６３に結合される。支持台５３６３は、第２バッファ５３３０に対応する位置から第１バッファ５３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。なお、支持台５３６３は、これより上又は下方向により長く設けられてもよい。バッファロボット５３６０は、単純にハンド５３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみ可能となるように設けられる。
【０１２４】
第２冷却チャンバー５３５０と第１冷却チャンバー５３４０とは、それぞれウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー５３５０と第１冷却チャンバー５３４０とは、互いに同じ構造を有する。第２冷却チャンバー５３５０は、ハウジング５３５１と冷却プレート５３５２とを有する。冷却プレート５３５２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段５３５３を有する。冷却手段５３５３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、冷却チャンバー５３５０には、ウエハＷを冷却プレート５３５２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング５３５１は、インデックスロボット５２２０及び後述する第２モジュール５４０２に設けられた第２ロボット５８３２が冷却プレートにウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット５２２０が設けられた方向及び第２ロボット５８３２が設けられた方向に開口を有する。また、第２冷却チャンバー５３５０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。
【０１２５】
工程モジュール５４００は、ウエハＷが露光前後処理ユニット４０００に運搬される前に必要な工程を行う。工程モジュール５４００は、概して直六面体の形状を有する。工程モジュール５４００は、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とを有する。第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、異なった層に配置される。第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、それぞれ同じ工程を行うように設けられる。一例によると、第１モジュール５４０１は、第２モジュール５４０２の上方に位置する。
【０１２６】
第１モジュール５４０１は、現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０を有する。現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、現像チャンバー５４１０とベーキングチャンバー５４２０とは、搬送チャンバー５４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。現像チャンバー５４１０は、複数設けられ、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個の現像チャンバー５４１０が設けられた例が示された。ベーキングチャンバー５４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のベーキングチャンバー５４２０が設けられた例が示された。なお、これとは異なり、ベーキングチャンバー５４２０は、より多くの数で設けられてもよい。
【０１２７】
搬送チャンバー５４３０は、バッファモジュール５３００の第１バッファ５３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー５４３０内には、第１ロボット５４３２とガイドレール５４３３とが位置する。搬送チャンバー５４３０は、概して長方形の形状を有する。第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０、現像チャンバー５４１０、第１バッファ５３２０、及び第１冷却チャンバー５３４０の間でウエハＷを移送する。ガイドレール５４３３は、その長さ方向が第１方向１２に並んで配置される。ガイドレールは、第１ロボット５４３２が第１方向１２に直線移動するように案内する。第１ロボット５４３２は、ハンド５４３４、アーム５４３５、支持台５４３６、及びベース５４３７を有する。ハンド５４３４は、アーム５４３５に固定設置される。アーム５４３５は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５４３４が水平方向へ移動可能なようにしている。支持台５４３６は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム５４３５は、支持台５４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５４３６に結合される。支持台５４３６は、ベース５４３７に固定結合される。ベース５４３７は、ガイドレール５４３３に沿って移動可能なようにガイドレール５４３３に結合される。
【０１２８】
現像チャンバー５４１０は、すべて同じ構造を有する。ただし、各々の現像チャンバー５４１０において用いられる現像液の種類は、互いに異なっていてもよい。現像チャンバー５４１０は、ウエハＷ上のフォトレジストのうち、光の照射された領域を除去する。このとき、保護膜のうち、光の照射された領域も共に除去される。選択的に用いられるフォトレジストの種類によってはフォトレジスト及び保護膜の領域のうち、光の照射されない領域のみが除去されうる。
【０１２９】
現像チャンバー５４１０は、ハウジング５４１１、支持プレート５４１２、及びノズル５４１３を有する。ハウジング５４１１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート５４１２は、ハウジング５４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート５４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル５４１３は、支持プレート５４１２に置かれたウエハＷ上に現像液を供給する。ノズル５４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心に現像液を供給する。なお、ノズル５４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル５４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。また、現像チャンバー５４１０には、追加的に現像液の供給されたウエハＷの表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル５４１４が設けられる。
【０１３０】
ベーキングチャンバー５４２０は、ウエハＷを熱処理する。例えば、ベーキングチャンバー５４２０は、現像工程が行われる前にウエハＷを加熱するポストベーキング工程及び現像工程が行われた後にウエハＷを加熱するハードベーキング工程、及び各々のベーキング工程後に加熱した基板を冷却する冷却工程などを行う。ベーキングチャンバー５４２０は、冷却プレート５４２１又は加熱プレート５４２２を有する。冷却プレート５４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段５４２３が設けられる。又、加熱プレート５４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段５４２４が設けられる。加熱プレート５４２２と冷却プレート５４２１とは、一つのベーキングチャンバー５４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー５４２０の一部は、加熱プレート５４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート５４２１のみを具備するようにしてもよい。
【０１３１】
第２モジュール５４０２は、現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、及び搬送チャンバー５４８０を有する。現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、及び搬送チャンバー５４８０は、第１モジュール５４０１の現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０と同じ構造及び配置を有する。また、搬送チャンバー５４８０は、第２ロボット５８３２を有し、第２ロボット５８３２は、第１モジュール５４０１に設けられた第１ロボット５４３２と同じ構造を有する。第２ロボット５８３２は、現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、第２バッファ５３３０、及び第２冷却チャンバー５３５０の間でウエハＷを運搬するように設けられる。
【０１３２】
上述したように、工程モジュール５４００において第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、互いに分離されるように設けられる。また、上方から眺めると、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、同じ構造及び配置を有する。
【０１３３】
次に、図１３Ａと図１３Ｂを参照して、図１０の現像ユニット５０００を利用して工程を行う一例を説明する。図１３Ａと図１３Ｂは、現像ユニット５０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。
【０１３４】
ウエハＷの収納された容器２０００は、ロードポート５１００の載置台５１２０に置かれる（ステップＳ３１２）。ドアオープナーにより容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット５２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出して第２バッファ５３３０に運搬する（ステップＳ３１４）。ウエハＷは、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２の中から選択された所へ移動される。
【０１３５】
ウエハＷが第１モジュール５４０１で工程が行われるように選択された場合、バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ５３２０に運搬する（ステップＳ３２０）。第１ロボット５４３２は、第１バッファ５３２０からウエハＷを取り出して第１モジュール５４０１のベーキングチャンバー５４２０に運搬する（ステップＳ３２２）。ベーキングチャンバー５４２０は、ポストベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ３２４）。第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０からウエハＷを取り出して現像チャンバー５４１０に運搬する（ステップＳ３２６）。現像チャンバー５４１０は、ウエハＷ上に現像液を供給して現像工程を行う（ステップＳ３２８）。その後、第１ロボット５４３２は、ウエハＷを現像チャンバー５４１０からベーキングチャンバー５４２０に運搬する（ステップＳ３３０）。ベーキングチャンバー５４２０は、ウエハＷに対してハードベーキング工程を行う（ステップＳ３３２）。
【０１３６】
第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０からウエハＷを取り出して第１冷却チャンバー５３４０に運搬する（ステップＳ３３４）。第１冷却チャンバー５３４０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ３３６）。インデックスロボット５２２０は、第１冷却チャンバー５３４０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ３３８）。
【０１３７】
ウエハＷが第２モジュール５４０２で工程が行われるように選択された場合、第２ロボット５８３２は、第２バッファ５３３０からウエハＷを取り出して第２モジュール５４０２のベーキングチャンバー５４７０に運搬する（ステップＳ３６０）。ベーキングチャンバー５４７０は、ポストベーキング及び冷却工程が順次行う（ステップＳ３６２）。第２ロボット５８３２は、ベーキングチャンバー５４７０からウエハＷを取り出して現像チャンバー５４６０に運搬する（ステップＳ３６４）。現像チャンバー５４６０は、ウエハＷ上に現像液を供給する（ステップＳ３６６）。その後、第２ロボット５８３２は、ウエハＷを現像チャンバー５４６０からベーキングチャンバー５４７０に運搬する（ステップＳ３６８）。ベーキングチャンバー５４７０は、ウエハＷに対してハードベーキング工程を行う（ステップＳ３７０）。
【０１３８】
第２ロボット５８３２は、ベーキングチャンバー５４７０からウエハＷを取り出して第２冷却チャンバー５３５０に運搬する（ステップＳ３７２）。第２冷却チャンバー５３５０は、ウエハＷに対して冷却工程を行う（ステップＳ３７４）。インデックスロボット５２２０は、第２冷却チャンバー５３５０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ３７６）。
【０１３９】
次に、上述した現像ユニット５０００の多様な変形例を例示する。
【０１４０】
工程モジュール５４００は、異なった層に配置された第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２の代わりに一つのモジュールのみを具備してもよい。
【０１４１】
また、インデックスモジュール５２００には、第１冷却チャンバー５３４０と第２冷却チャンバー５３５０とがそれぞれ複数で設けられ、これらは、互いに積層されるように配置される。
【０１４２】
また、バッファモジュール５３００には、第１冷却チャンバー５３４０及び第２冷却チャンバー５３５０が設けられなくても良い。この場合、ウエハＷは、 第１ロボット５４３２により第１モジュール５４０１から直接第１バッファ５３２０に移送され、インデックスロボット５２２０は、第１バッファ５３２０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。また、ウエハＷは、第２ロボット５８３２により第２モジュール５４０２から直接第２バッファ５３３０に移送され、インデックスロボット５２２０は、第２バッファ５３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【０１４３】
また、バッファモジュール５３００において第１バッファ５３２０と第１冷却チャンバー５３４０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２バッファ５３３０と第２冷却チャンバー５３５０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【０１４４】
また、バッファモジュール５３００は、その高さが工程モジュール５４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット５２２０は、第１バッファ５３２０にウエハＷに直接供給できる。
【０１４５】
また、工程モジュール５４００では、上述した工程と異なる、さらに他の工程が追加されてもよい。
【０１４６】
図１の実施の形態によると、基板処理設備は、塗布工程を行うユニット、現像工程を行うユニット、及び露光装置９０００とインラインで接続されて露光前後処理工程を行うユニットが各々独立して設けられている。そのため、塗布及び現像工程を同時に行うモジュールが露光装置９０００とインラインで設けられる設備とは異なり、露光装置９０００における工程時間が長くてウエハＷの滞積がなされても、塗布ユニット３０００と現像ユニット５０００とでは、工程を行い続ける。
【０１４７】
図１４Ａ〜図１４Ｇは、ウエハＷ上の薄膜にパターンが形成される過程を順次示している。
【０１４８】
最初に、蒸着装置（図示せず）においてウエハＷ上に薄膜１０２が蒸着される（図１４Ａ）。ウエハＷは、塗布ユニット３０００に運搬される。塗布ユニット３０００でウエハＷ上にフォトレジスト１０４が塗布される（図１４Ｂ）。上述したように、塗布ユニット３０００では、フォトレジスト１０４の塗布以外にベーキング工程やエッジ露光工程などの工程がさらに行われる。以後、ウエハＷは、露光前後処理ユニット４０００に運搬される。露光前後処理ユニット４０００の第１モジュール４４０１でウエハＷ上に保護膜１０６が塗布される（図１４Ｃ）。上述したように、第１モジュール４４０１では、ベーキング工程などの工程がさらに行われる。ウエハＷは、露光装置９０００に運搬される。露光装置９０００は、保護膜１０６及びフォトレジスト１０４上の選択された領域１０８に光を照射して、その領域に設けられた保護膜１０６及びフォトレジスト１０４の性質を変化させる（図１４Ｄ）。露光前後処理ユニット４０００の第２モジュール４４０２は、洗浄工程及び露光後ベーキング工程などを行う。露光後ベーキング工程を行う時にウエハＷに残留する洗浄液が除去される。その後、ウエハＷは、現像ユニット５０００に運搬される。現像ユニット５０００から保護膜１０６とフォトレジスト１０４のうち、性質の変化した領域１０８が除去される（図１４Ｅ）。上述したように、塗布ユニット３０００では、現像工程の以外にベーキング工程などの工程がさらに行われる。その後、ウエハＷは、エッチング装置（図示せず）に運搬される。エッチング装置から薄膜１０２のうち露出した領域１０３がエッチング液により除去される（図１４Ｆ）。その後、ウエハＷは、アッシング装置（図示せず）に運搬される。アッシング装置から薄膜１０２上に残っているフォトレジスト１０４及び保護膜１０６が除去される（図１４Ｇ）。蒸着装置、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、現像ユニット５０００、エッチング装置、及びアッシング装置の間でウエハＷが移動する間に、必要によってウエハＷを洗浄する工程などのような他の工程が行われる。
【符号の説明】
【０１４９】
２０００ 容器
３０００ 塗布ユニット
４０００ 露光後ベーキングユニット
５０００ 現像ユニット
３１００、４１００、５１００ ロードポート
３２００、４２００、５２００ インデックスモジュール
３３００、４３００、５３００ バッファモジュール
３４００、４４００、５４００ 工程モジュール
３５００ エッジ露光モジュール
４５００ インタフェースモジュール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する装置及び方法に関し、さらに詳細には、ウエハにフォトリソグラフィ工程を行うのに用いられる装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するためには、洗浄、蒸着、フォトリソグラフィ、エッチング、及びイオン注入などのような多様な工程が行われる。パターンを形成するために行われるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子の高集積化をなすのに重要な役割を果たす。
【０００３】
一般に、フォトリソグラフィ工程を行う設備は、ウエハにレジストを塗布する塗布ユニット、露光が完了したウエハに対して現像工程を行う現像ユニット、及び露光装置とのインライン接続のためのインタフェースを有した処理モジュールを有する。しかしながら、最近、半導体素子が高集積化されるにつれて、露光工程にかかる時間が長くなって露光装置においてウエハの滞積が増加されている。これによって、基板処理モジュールに設けられた塗布ユニットと現像ユニットにおいて処理効率が大きく低下している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００1−５４２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、フォトリソグラフィ工程の効率を向上させることのできる基板処理システム及び方法を提供する。
【０００６】
本発明は、露光工程の前後に行われる塗布工程及び現像工程を行うユニットの生産量を増加させることのできる基板処理システム及び方法を提供する。
【０００７】
本発明は、工程を行うチャンバーが効率的に配置されたレイアウトを有した基板処理システムを提供する。
【０００８】
本発明の目的は、ここに制限されず、言及されないさらに他の目的は、以下の記載から当業者にとって明確に理解されるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、フォトリソグラフィ工程を行う基板処理システムを提供する。前記基板処理システムは、基板に対して塗布工程を行う塗布ユニットと、露光工程を行う露光装置と接続されると共に前記塗布ユニットで工程が行われた基板に対して露光前後処理工程を行う露光前後処理ユニットと、前記露光前後処理ユニットで工程が行われた基板に対して現像工程を行う現像ユニットと、を備える。前記塗布ユニット、前記露光前後処理ユニット、及び前記現像ユニットは、それぞれウエハの収納される容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、及び基板上に所定の工程を行う工程モジュールを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、及び前記工程モジュールは、順次配置される。前記露光前後処理ユニットは、前記露光装置と接続するインタフェースモジュールをさらに備え、前記インタフェースモジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対方向に配置される。
【００１０】
一例によると、前記露光前後処理ユニットの工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備える。前記第１モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットとを備える。前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーを備える。前記第２モジュールは、さらに、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットとを備える。
【００１１】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュールをさらに備える。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。また、前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置される。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置され、基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備える。
【００１２】
前記インタフェースモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファと前記露光装置及び前記第２バッファと前記露光装置の間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備える。
【００１３】
前記塗布ユニットは、エッジ露光モジュールをさらに備え、前記エッジ露光モジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対側に配置される。
【００１４】
また、本発明は、フォトレジストの塗布された基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットを提供する。前記露光前後処理ユニットは、基板の収納された容器が置かれるロードポートと、前記容器から基板を取り出す又は入れるインデックスモジュールと、基板に対して工程を行う工程モジュールと、露光装置と接続するインタフェースモジュールとを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、前記工程モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーを備える。前記工程モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーをさらに備える。前記工程モジュールは、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーをさらに備える。前記工程モジュールは、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーをさらに備える。
【００１５】
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、前記保護膜塗布チャンバーは、前記第１モジュールに配置され、前記洗浄チャンバーは、前記第２モジュールに配置される。前記工程モジュールは、前記第１モジュールに配置されると共に基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記第１モジュールに配置されると共に前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、前記第２モジュールに配置されると共に露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記第２モジュールに配置されると共に前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットとを備える。
【００１６】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備える。前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置される。前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置され、基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備える。
【００１７】
前記インタフェースモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファと前記露光装置との間及び前記第２バッファと前記露光装置との間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備える。前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備える。
【００１８】
本発明の他の例によると、露光前後処理ユニットは、基板の収納された容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れるか又は取り出すインデックスモジュール、基板に対して工程を行う工程モジュール、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュール、及び露光装置と接続するインタフェースモジュールを備える。前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記バッファモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備える。前記第１モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、前記保護膜塗布チャンバー、前記ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第１ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備える。
【００１９】
前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーと、基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、前記洗浄チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第２ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備える。
【００２０】
前記保護膜塗布チャンバー、前記第１ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記ベーキングチャンバーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って順次配置され、前記洗浄チャンバー、前記第２ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバーは、前記第２方向に沿って順次配置される。
【００２１】
前記第１モジュールは、前記第２モジュールの上方に配置され、前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーとを備え、前記第１バッファと前記冷却チャンバーとは、上下方向に一列に配置され、前記第１バッファは、上方から眺めると、前記第１モジュールの搬送チャンバーと前記第１方向に沿って一列に配置される。
【００２２】
前記バッファモジュールは、前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、前記第１バッファ及び前記第２バッファの間で基板を運搬するバッファロボットとをさらに備え、前記第１バッファ及び前記バッファロボットは、上方から眺めると、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って配置される。
【００２３】
また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。基板処理方法は、基板上にフォトレジストを塗布する工程を行うステップと、前記フォトレジストの塗布された基板上に保護膜を塗布する工程を行うステップと、前記保護膜の塗布された基板に対して液浸露光工程を行うステップと、前記液浸露光の行われた基板を洗浄する工程を行うステップと、前記基板に対して現像工程を行うステップとを含む。前記保護膜を塗布する工程を行うステップと前記洗浄する工程を行うステップとは、前記液浸露光工程を行う露光装置とインラインで接続した露光前後処理ユニットで行われ、前記フォトレジストを塗布する工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットで行われ、前記現像工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットにおいて行われる。
【００２４】
前記基板を洗浄する工程と前記基板に対して現像工程とを行うステップの間に、前記基板に対して露光後ベーキング工程を行うステップをさらに含む。前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を基板に供給して行われ、前記基板上に残留する洗浄液は、流体の供給による乾燥無しで基板の加熱により除去される。
【００２５】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を利用して基板を洗浄し、前記基板上に残留する洗浄液を除去する工程は、前記基板を洗浄する工程の直後に行われる前記露光後ベーキング工程により行われる。
【００２６】
前記保護膜は、前記露光前後処理ユニットの外部で除去される。前記保護膜の一部は、前記現像工程において除去され、残りの一部は、アッシング工程において除去される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、フォトリソグラフィ工程を効率的に行うことができる。
【００２８】
本発明によると、塗布ユニット及び現像ユニットにおいて生産量を増加させることができる。
【００２９】
本発明によると、化学増幅型フォトレジストが用いられる場合、露光工程の後に露光後ベーキング工程を速い時間内に処理できる。
【００３０】
本発明によると、洗浄チャンバーに別途、乾燥ノズルを設けずに、露光後ベーキングユニットで酸増幅を行うと共に基板上に残留する洗浄液を除去できるので、工程にかかる時間を減らすことができる。
【００３１】
本発明によると、露光前後処理ユニットに別途、保護膜除去チャンバーを設けずに、後続する現像工程とアッシング工程において保護膜を除去するので、工程にかかる時間を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施の形態による基板処理システムを概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による塗布ユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図５Ａ】図２の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】図２の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による露光後ベーキングユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図９】図６の塗布ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す正面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態による現像ユニットの構造を概略的に示す側面図である。
【図１３Ａ】図１０の現像ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１３Ｂ】図１０の現像ユニットにおいて工程が行われる過程を示すフローチャートである。
【図１４Ａ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｂ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｃ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｄ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｅ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｆ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【図１４Ｇ】ウエハ上にパターンが形成される過程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態を添付された図１〜図１４Ｇを参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施の形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施の形態により限定されると理解されてはならない。本実施の形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。そのため、図面での要素の形状は、より明確な説明を強調するために誇張されている。
【００３４】
本実施の形態のシステムは、半導体ウエハ又は平板表示パネルのような基板に対してフォトリソグラフィ工程を行うのに用いられる。特に、本実施の形態のシステムは、基板に対して塗布工程、現像工程、及び液浸露光の前後に要求される露光前後処理工程を行うのに用いられる。以下では、基板としてウエハが使用された場合を例に挙げて説明する。
【００３５】
図１は、本発明の一実施の形態の基板処理システム１を概略的に示す図である。図１に示すように、基板処理システム１は、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００を有する。塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００は、それぞれ互いに分離されて配置される。ウエハＷは、自動移送装置１０００や作業者により、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００の間で運搬される。ウエハＷは、容器（図２の２０００）内に収納された状態で移動する。このとき、容器２０００は、外部から密閉されうる構造を有する。例えば、容器２０００には、前方にドアを有する前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が用いられる。以下では、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００が、その長さ方向が互いに平行に配置された場合を説明する。なお、これとは異なり、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、及び現像ユニット５０００が、その長さ方向が互いに平行でない状態で配置されることもできる。
【００３６】
塗布ユニット３０００は、ウエハＷに対して第１工程を行う。第１工程は、ウエハＷにフォトレジストのような感光液を塗布する工程、及びレジスト塗布工程の前後にウエハＷに対して行われる加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。
【００３７】
現像ユニット５０００は、ウエハＷに対して第２工程を行う。第２工程は、ウエハＷ上にパターンを得るために現像液を供給して、フォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現象の前後にウエハＷに対して行われる加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。
【００３８】
露光前後処理ユニット４０００は、露光装置９０００とインラインで接続するように配置される。露光前後処理ユニット４０００は、第３工程を行う。第３工程は、第１工程と露光工程との間、及び露光工程と第２工程との間に行われる工程であって、露光の前後に要求される工程を含む。例えば、露光装置９０００が液浸露光工程を行う場合、第３工程は、液浸露光時にウエハＷに塗布されたフォトレジスト膜を保護する保護膜を塗布する工程を含む。また、第３工程は、露光後にウエハＷを洗浄する工程を含む。また、化学増幅型レジストを使用して塗布工程が行われ、遠紫外線（ｄｅｅｐ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＤＵＶ）光源を使用して露光工程が行われる場合、第３工程は、露光後ベーキング工程を含む。
【００３９】
以下、各々のユニットについて詳細に説明する。
【００４０】
（塗布ユニット）
図２〜図４は、塗布ユニット３０００の構造を概略的に示す図である。図２は、塗布ユニット３０００の平面図で、図３は、図２の塗布ユニット３０００を「Ａ」方向に沿って切取した正面図であり、図４は、図２の塗布ユニット３０００を「Ｂ」方向に沿って切取した側面図である。
【００４１】
図２〜図４に示すように、塗布ユニット３０００は、ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００を有する。ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００は、一方向に一列に順次配置される。以下、ロードポート３１００、インデックスモジュール３２００、バッファモジュール３３００、工程モジュール３４００、及びエッジ露光モジュール３５００の配置された方向を第１方向１２といい、上方から視て第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といい、第１方向１２及び第２方向１４と垂直な方向を第３方向１６という。
【００４２】
ロードポート３１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台３１２０を有する。載置台３１２０は、複数設けられ、載置台３１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図２では、４個の載置台３１２０が設けられている。
【００４３】
インデックスモジュール３２００は、ロードポート３１００の載置台３１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール３３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール３２００は、フレーム３２１０、インデックスロボット３２２０、及びガイドレール３２３０を有する。フレーム３２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート３１００とバッファモジュール３３００との間に配置される。インデックスモジュール３２００のフレーム３２１０は、後述するバッファモジュール３３００のフレーム３３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット３２２０とガイドレール３２３０とは、フレーム３２１０内に配置される。インデックスロボット３２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド３２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能で、かつ回転できるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット３２２０は、ハンド３２２１、アーム３２２２、支持台３２２３、及びベース３２２４を有する。ハンド３２２１は、アーム３２２２に固定設置される。アーム３２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。支持台３２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置される。アーム３２２２は、支持台３２２３に沿って移動可能なように支持台３２２３に結合される。支持台３２２３は、ベース３２２４に固定結合される。ガイドレール３２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。ベース３２２４は、ガイドレール３２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール３２３０に結合される。また、図示していないが、フレーム３２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナーがさらに設けられている。
【００４４】
図３に示すように、バッファモジュール３３００は、フレーム３３１０、第１バッファ３３２０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、第２冷却チャンバー３３５０、及びバッファロボット３３６０を有する。フレーム３３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール３２００と工程モジュール３４００との間に配置される。第１バッファ３３２０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、第２冷却チャンバー３３５０、及びバッファロボット３３６０は、フレーム３３１０内に位置する。第２冷却チャンバー３３５０、第２バッファ３３３０、第１冷却チャンバー３３４０、及び第１バッファ３３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１冷却チャンバー３３４０及び第１バッファ３３２０は、後述する工程モジュール３４００の第１モジュール３４０１と対応する高さに位置し、第２冷却チャンバー３３５０と第２バッファ３３３０とは、後述する工程モジュール３４００の第２モジュール３４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット３３６０は、第２バッファ３３３０、第２冷却チャンバー３３５０、第１バッファ３３２０、及び第１冷却チャンバー３３４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【００４５】
第２バッファ３３３０と第１バッファ３３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ３３３０は、ハウジング３３３１と複数の支持台３３３２を有する。支持台３３３２は、ハウジング３３３１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台３３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング３３３１は、インデックスロボット３２２０、バッファロボット３３６０、及び後述する第２モジュール３４０２の第２ロボット３４８２がハウジング３３３１内の支持台３３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット３２２０が設けられた方向、バッファロボット３３６０が設けられた方向、及び第２ロボット３４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ３３２０は、第２バッファ３３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ３３２０のハウジング３３２１には、バッファロボット３３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール３４０１に位置する第１ロボット３４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ３３２０に設けられた支持台３３２２の数と第２バッファ３３３０に設けられた支持台３３３２の数とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。一例によると、第２バッファ３３３０に設けられた支持台３３３２の数は、第１バッファ３３２０に設けられた支持台３３２２の数より多い。
【００４６】
バッファロボット３３６０は、第１バッファ３３２０と第２バッファ３３３０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット３３６０は、ハンド３３６１、アーム３３６２、及び支持台３３６３を有する。ハンド３３６１は、アーム３３６２に固定設置される。アーム３３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド３３６１が第２方向１４に沿って移動可能となっている。アーム３３６２は、支持台３３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台３３６３に結合される。支持台３３６３は、第２バッファ３３３０に対応する位置から第１バッファ３３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。支持台３３６３は、これより上又は下方向にさらに長く設けられてもよい。バッファロボット３３６０は、単純にハンド３３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみが可能となるように設けられる。
【００４７】
第１冷却チャンバー３３４０と第２冷却チャンバー３３５０とは、それぞれウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー３３５０は、ハウジング３３５１と冷却プレート３３５２とを有する。冷却プレート３３５２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段３３５３を有する。冷却手段３３５３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、第２冷却チャンバー３３５０には、ウエハＷを冷却プレート３３５２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング３３５１は、インデックスロボット３２２０及び後述する第２モジュール３４０２に設けられた第２ロボット３４８２が冷却プレート３３５２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット３２２０が設けられた方向及び第２ロボット３４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。また、第２冷却チャンバー３３５０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。第１冷却チャンバー３３４０と第２冷却チャンバー３３５０とは、互いに同じ構造を有する。
【００４８】
工程モジュール３４００は、ウエハＷが露光前後処理ユニット４０００に運搬される前に必要な工程を行う。工程モジュール３４００は、概して直六面体の形状を有する。工程モジュール３４００は、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とを有する。第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、異なった層に配置される。第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、それぞれ同じ工程を行うように設けられる。一例によると、第１モジュール３４０１は、第２モジュール３４０２の上方に位置する。
【００４９】
第１モジュール３４０１は、レジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０を有する。レジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、レジスト塗布チャンバー３４１０とベーキングチャンバー３４２０とは、搬送チャンバー３４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。レジスト塗布チャンバー３４１０は、複数設けられ、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のレジスト塗布チャンバー３４１０が設けられた例が示されている。ベーキングチャンバー３４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のベーキングチャンバー３４２０が設けられた例が示された。なお、これとは異なり、ベーキングチャンバー３４２０は、より多くの数で設けられてもよい。
【００５０】
搬送チャンバー３４３０は、バッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー３４３０内には、第１ロボット３４３２とガイドレール３４３３とが位置する。搬送チャンバー３４３０は、概して長方形の形状を有する。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０、レジスト塗布チャンバー３４１０、バッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と第１冷却チャンバー３３４０、及び後述するエッジ露光モジュール３５００の第１バッファ３５２０と第１冷却チャンバー３５４０、の間でウエハＷを移送する。ガイドレール３４３３は、その長さ方向が第１方向１２に並んで配置される。ガイドレール３４３３は、第１ロボット３４３２が第１方向１２に直線移動するように案内する。第１ロボット３４３２は、ハンド３４３４、アーム３４３５、支持台３４３６、及びベース３４３７を有する。ハンド３４３４は、アーム３４３５に固定設置される。アーム３４３５は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド３４３４が水平方向へ移動可能となっている。支持台３４３６は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム３４３５は、支持台３４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台３４３６に結合される。支持台３４３６は、ベース３４３７に固定結合され、ベース３４３７は、ガイドレール３４３３に沿って移動可能なようにガイドレール３４３３に結合される。
【００５１】
レジスト塗布チャンバー３４１０は、すべて同じ構造を有する。ただし、各々のレジスト塗布チャンバー３４１０において用いられるフォトレジストの種類は、互いに異なってもよい。一例として、フォトレジストとして、化学増幅型レジスト（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔ）が用いられる。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ハウジング３４１１、支持プレート３４１２、及びノズル３４１３を有する。ハウジング３４１１は、上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート３４１２は、ハウジング３４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート３４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル３４１３は、支持プレート３４１２に置かれたウエハＷ上にフォトレジストを供給する。ノズル３４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心にフォトレジストを供給する。なお、ノズル３４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル３４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。また、追加的にレジスト塗布チャンバー３４１０には、フォトレジストが塗布されるウエハＷの表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル３４１４が設けられる。
【００５２】
ベーキングチャンバー３４２０は、ウエハＷを熱処理する。例えば、ベーキングチャンバー３４２０は、フォトレジストを塗布する前にウエハＷを所定の温度に加熱してウエハＷの表面の有機物や水分を除去するプリベーキング（ｐｒｅｂａｋｅ）工程やフォトレジストをウエハＷ上に塗布した後に行うソフトベーキング（ｓｏｆｔｂａｋｅ）工程などを行い、各々の加熱工程後にウエハＷを冷却する冷却工程などを行う。ベーキングチャンバー３４２０は、冷却プレート３４２１又は加熱プレート３４２２を有する。冷却プレート３４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段３４２３が設けられる。又、加熱プレート３４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段３４２４が設けられる。加熱プレート３４２２と冷却プレート３４２１とは、一つのベーキングチャンバー３４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー３４２０のうちの一部は、加熱プレート３４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート３４２１のみを具備するようにしてもよい。
【００５３】
第２モジュール３４０２は、レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、及び搬送チャンバー３４８０を有する。レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、及び搬送チャンバー３４８０は、第１モジュール３４０１のレジスト塗布チャンバー３４１０、ベーキングチャンバー３４２０、及び搬送チャンバー３４３０と同じ構造及び配置を有する。また、搬送チャンバー３４８０は、第２ロボット３４８２を有し、第２ロボット３４８２は、第１モジュール３４０１に設けられた第１ロボット３４３２と同じ構造を有する。第２ロボット３４８２は、レジスト塗布チャンバー３４６０、ベーキングチャンバー３４７０、バッファモジュール３３００の第２バッファ３３３０と第２冷却チャンバー３３５０、及び後述するエッジ露光モジュール３５００の第２バッファ３５３０と第２冷却チャンバー３５５０、の間でウエハＷを運搬するように設けられる。
【００５４】
上述したように、工程モジュール３４００において第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、互いに分離されるように設けられる。また、上方から眺めると、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２とは、同じ構造及び配置を有する。
【００５５】
エッジ露光モジュール３５００は、ウエハＷのエッジ領域を露光する工程を行う。エッジ露光モジュール３５００は、フレーム３５１０、第１バッファ３５２０、第２バッファ３５３０、第１冷却チャンバー３５４０、第２冷却チャンバー３５５０、エッジ露光ロボット３５６０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第２エッジ露光チャンバー３５８０（図２にて３５７０の下に配置される）を有する。フレーム３５１０は、直六面体の形状を有する。エッジ露光ロボット３５６０、第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、及び第２冷却チャンバー３５５０は、フレーム３５１０内に位置する。第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０は、第１モジュール３４０１に対応する高さに配置される。第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、第２冷却チャンバー３５５０は、第２モジュール３４０２に対応する高さに配置される。第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０は、上から第３方向１６に沿って一列に順次配置される。上方から眺めると、第１バッファ３５２０は、第１モジュール３４０１の搬送チャンバー３４３０と第１方向１２に沿って一列に配置される。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１バッファ３５２０及び第１冷却チャンバー３５４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して配置される。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２バッファ３５３０及び第２冷却チャンバー３５５０と第２方向１４に一定の距離を離隔して配置される。第２エッジ露光チャンバー３５８０と第１エッジ露光チャンバー３５７０とは、第３方向１６に沿って一列に配置される。
【００５６】
エッジ露光ロボット３５６０は、第１バッファ３５２０、第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１冷却チャンバー３５４０、第２バッファ３５３０、第２エッジ露光チャンバー３５８０、及び第２冷却チャンバー３５５０、の間でウエハＷを運搬する。エッジ露光ロボット３５６０は、第１エッジ露光チャンバー３５７０と第１バッファ３５２０との間に位置する。エッジ露光ロボット３５６０は、バッファロボット３３６０と類似の構造で設けられる。
【００５７】
第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０、第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１モジュール３４０１において工程が行われたウエハＷに対して後続工程を行う。第１バッファ３５２０と第２バッファ３５３０とは、それぞれバッファモジュール３３００の第１バッファ３３２０と同じ構造を有する。第１冷却チャンバー３５４０は、第１モジュール３４０１において工程が行われたウエハＷを冷却する。第１冷却チャンバー３５４０は、バッファモジュール３３００の第１冷却チャンバー３３４０と類似の構造を有する。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、第１冷却チャンバー３５４０において冷却工程が行われたウエハＷに対してそのエッジを露光する。第１バッファ３５２０は、第１エッジ露光チャンバー３５７０においてエッジ露光工程が行われたウエハＷが第１モジュール３４０１に再度運搬される前にウエハＷを一時保管する。
【００５８】
第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０、第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２モジュール３４０２において工程が行われたウエハＷに対して後続工程を行う。第２冷却チャンバー３５５０は、第２モジュール３４０２において工程が行われたウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー３５５０は、バッファモジュール３３００の第２冷却チャンバー３３５０と類似の構造を有する。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、第２冷却チャンバー３５５０において冷却工程が行われたウエハＷに対してそのエッジを露光する。第２バッファ３５３０は、第２エッジ露光チャンバー３５８０においてエッジ露光工程が行われたウエハＷが再度第２モジュール３４０２に運搬される前にウエハＷを一時保管する。
【００５９】
次に、図５Ａと図５Ｂを参照して、図２の塗布ユニット３０００を利用して工程を行う一例を説明する。図５Ａと図５Ｂは、塗布ユニット３０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。
【００６０】
ウエハＷが収納された容器２０００は、ロードポート３１００の載置台３１２０に置かれる（ステップＳ１１２）。ドアオープナーにより容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット３２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出して第２バッファ３３３０に運搬する（ステップＳ１１２）。ウエハＷは、第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２の中から選択された所へ移動される。
【００６１】
ウエハＷが第１モジュール３４０１において工程が行われるように選択された場合、バッファロボット３３６０は、第２バッファ３３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ３３２０に運搬する（ステップＳ１２０）。第１ロボット３４３２は、第１バッファ３３２０からウエハＷを取り出してベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１２２）。ベーキングチャンバー３４２０は、プリベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ１２４）。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷを取り出してレジスト塗布チャンバー３４１０に運搬する（ステップＳ１２６）。レジスト塗布チャンバー３４１０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する（ステップＳ１２８）。その後、第１ロボット３４３２は、ウエハＷをレジスト塗布チャンバー３４１０からベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１３０）。ベーキングチャンバー３４２０は、ウエハＷに対してソフトベーキング工程を行う（ステップＳ１３２）。
【００６２】
第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷを取り出して、エッジ露光モジュール３５００の第１冷却チャンバー３５４０に運搬する（ステップＳ１３４）。第１冷却チャンバー３５４０においてウエハＷに対して冷却工程が行われる（ステップＳ１３６）。なお、冷却工程は、ベーキングチャンバー３４２０で行われ、ウエハＷは、ベーキングチャンバー３４２０から第１バッファ３５２０へ直接運搬されてもよい。第１冷却チャンバー３５４０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１エッジ露光チャンバー３５７０に運搬される（ステップＳ１３８）。なお、第１冷却チャンバー３５４０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１バッファ３５２０に運搬されて一時保管された後、エッジ露光ロボット３５６０により第１エッジ露光チャンバー３５７０に運搬されてもよい。第１エッジ露光チャンバー３５７０は、ウエハＷのエッジ領域を露光する工程を行う（ステップＳ１４０）。第１エッジ露光チャンバー３５７０において工程が完了したウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第１バッファ３５２０に運搬される（ステップＳ１４２）。
【００６３】
第１ロボット３４３２は、ウエハＷを第１バッファ３５２０からベーキングチャンバー３４２０に運搬する（ステップＳ１４４）。ベーキングチャンバー３４２０では、ウエハＷを加熱する工程が行われる（ステップＳ１４６）。第１ロボット３４３２は、ベーキングチャンバー３４２０からウエハＷをバッファモジュール３３００の第１冷却チャンバー３３４０に運搬する（ステップＳ１４８）。第１冷却チャンバー３３４０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ１５０）。インデックスロボット３２２０は、第１冷却チャンバー３３４０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ１５２）。
【００６４】
ウエハＷが第２モジュール３４０２で工程が行われるように選択された場合、第２ロボット３４８２は、第２バッファ３３３０からウエハＷを取り出して第２モジュール３４０２のベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１６０）。ベーキングチャンバー３４７０は、プリベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ１６２）。第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷを取り出してレジスト塗布チャンバー３４６０に運搬する（ステップＳ１６４）。レジスト塗布チャンバー３４６０は、ウエハＷ上にフォトレジストを塗布する（ステップＳ１６６）。その後、第２ロボット３４８２は、ウエハＷをレジスト塗布チャンバー３４６０からベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１６８）。ベーキングチャンバー３４７０は、ウエハＷに対してソフトベーキング工程を行う（ステップＳ１７０）。
【００６５】
第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷを取り出してエッジ露光モジュール３５００の第２冷却チャンバー３５５０に運搬する（ステップＳ１７２）。第２冷却チャンバー３５５０においてウエハＷに対し冷却工程が行われる（ステップＳ１７４）。なお、冷却工程は、ベーキングチャンバー３４７０で行われ、ウエハＷは、ベーキングチャンバー３４７０で第２バッファ３５３０に直接運搬してもよい。第２冷却チャンバー３５５０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２エッジ露光チャンバー３５８０に運搬される（ステップＳ１７６）。なお、第２冷却チャンバー３５５０において工程が行われたウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２バッファ３５３０に運搬されて一時保管された後、エッジ露光ロボット３５６０により第２エッジ露光チャンバー３５８０に運搬されてもよい。第２エッジ露光チャンバー３５８０は、ウエハＷのエッジを露光する工程を行う（ステップＳ１７８）。第２エッジ露光チャンバー３５８０において工程が完了したウエハＷは、エッジ露光ロボット３５６０により第２バッファ３５３０に運搬される（ステップＳ１８０）。
【００６６】
第２ロボット３４８２は、ウエハＷを第２バッファ３５３０からベーキングチャンバー３４７０に運搬する（ステップＳ１８２）。ベーキングチャンバー３４７０は、ウエハＷを加熱する工程を行う（ステップＳ１８４）。第２ロボット３４８２は、ベーキングチャンバー３４７０からウエハＷをバッファモジュール３３００の第２冷却チャンバー３３５０に運搬する（ステップＳ１８６）。第２冷却チャンバー３３５０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ１８８）。インデックスロボット３２２０は、第２冷却チャンバー３３５０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ１９０）。
【００６７】
次に、上述した塗布ユニット３０００の多様な変形例を例示する。
【００６８】
工程モジュール３４００は、異なった層に配置された第１モジュール３４０１と第２モジュール３４０２との代わりに、一つのモジュールのみを具備してもよい。
【００６９】
また、インデックスモジュール３２００には、第１冷却チャンバー３３４０及び第２冷却チャンバー３３５０のそれぞれが互いに積層されるように複数配置されてもよい。
【００７０】
また、エッジ露光モジュール３５００には、第１冷却チャンバー３５４０及び第１エッジ露光チャンバー３５７０のそれぞれが複数設けられ、第２冷却チャンバー３５５０及び第２エッジ露光チャンバー３５８０のそれぞれが複数設けられてもよい。
【００７１】
また、バッファモジュール３３００には、第１冷却チャンバー３３４０及び第２冷却チャンバー３３５０が設けられなくても良い。この場合、ウエハＷは、第１モジュール３４０１から第１ロボット３４３２により直接第１バッファ３３２０に移送され、インデックスロボット３２２０は、第１バッファ３３２０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。また、ウエハＷは、第２モジュール３４０２から第２ロボット３４８２により直接第２バッファ３３３０に移送され、インデックスロボット３２２０は、第２バッファ３３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【００７２】
また、バッファモジュール３３００において第１バッファ３３２０と第１冷却チャンバー３３４０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２バッファ３３３０と第２冷却チャンバー３３５０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【００７３】
また、バッファモジュール３３００は、その高さが工程モジュール３４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット３２２０は、第１バッファ３３２０に直接ウエハＷを運搬することができる。
【００７４】
また、エッジ露光モジュール３５００には、第１冷却チャンバー３５４０及び第２冷却チャンバー３５５０が設けられなくても良い。この場合、第１モジュール３４０１において工程が完了したウエハＷは、第１ロボット３４３２により直接第１バッファ３５２０に移送される。また、第２モジュール３４０２において工程が完了したウエハＷは、第２ロボット３４８２により直接第２バッファ３５３０に移送される。
【００７５】
また、エッジ露光モジュール３５００で第１冷却チャンバー３５４０と第１バッファ３５２０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２冷却チャンバー３５５０と第２バッファ３５３０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【００７６】
また、エッジ露光モジュール３５００は、一つのエッジ露光ロボット３５６０の代わりに第１エッジ露光チャンバー３５７０、第１バッファ３５２０、第１冷却チャンバー３５４０の間でウエハＷを運搬する上部ロボット（図示せず）と、第２エッジ露光チャンバー３５８０、第２バッファ３５３０、第２冷却チャンバー３５５０の間でウエハＷを運搬する下部ロボット（図示せず）とをそれぞれ具備してもよい。
【００７７】
また、工程モジュール３４００では、上述した工程の他にさらに他の工程を行うチャンバーが設けられてもよい。
【００７８】
（露光前後処理ユニット）
図６〜図８は、露光前後処理ユニット４０００の構造を概略的に示す図である。図６は、露光前後処理ユニット４０００の平面図であり、図７は、図６のユニットを「Ｃ」方向に沿って切取した正面図であり、図８は、図６のユニットを「Ｄ」方向に沿って切取した側面図である。
【００７９】
図６〜図８に示すように、露光前後処理ユニット４０００は、ロードポート４１００、インデックスモジュール４２００、バッファモジュール４３００、工程モジュール４４００、及びインタフェースモジュール４５００を有する。露光前後処理ユニット４０００は、露光装置９０００とインラインで結合される。露光装置９０００は、第１方向１２に沿ってインタフェースモジュール４５００に結合される。一例によると、露光装置９０００は、液浸露光技術を利用した工程を行う。また、露光装置９０００は、フッ化クリプトンエキシマレーザー（ＫｒＦ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ）又はフッ化アルゴンエキシマレーザー（ＡｒＦ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ）のような遠赤外線光源を利用して露光工程を行う。
【００８０】
ロードポート４１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台４１２０を有する。載置台４１２０は、複数設けられ、載置台４１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図６では、４個の載置台４１２０が設けられている。
【００８１】
インデックスモジュール４２００は、ロードポート４１００の載置台４１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール４３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール４２００は、フレーム４２１０、インデックスロボット４２２０、及びガイドレール４２３０を有する。フレーム４２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート４１００とバッファモジュール４３００との間に配置される。フレーム４２１０は、後述するバッファモジュール４３００のフレーム４３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット４２２０とガイドレール４２３０とは、フレーム４２１０内に配置される。インデックスロボット４２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド４２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能であり、水平面上において回転されうるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット４２２０は、ハンド４２２１、アーム４２２２、支持台４２２３、及びベース４２２４を有する。ハンド４２２１は、アーム４２２２に固定設置される。アーム４２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。支持台４２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム４２２２は、支持台４２２３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４２２３に結合される。ガイドレール４２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。ベース４２２４は、ガイドレール４２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール４２３０に結合される。フレーム４２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナー（図示せず）がさらに設けられる。
【００８２】
バッファモジュール４３００は、フレーム４３１０、第１バッファ４３２０、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及びバッファロボット４３６０を有する。フレーム４３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール４２００と工程モジュール４４００との間に配置される。第１バッファ４３２０、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及びバッファロボット４３６０は、フレーム４３１０内に位置する。第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及び第１バッファ４３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１バッファ４３２０は、後述する工程モジュール４４００の第１モジュール４４０１と対応する高さに位置し、第２バッファ４３３０と冷却チャンバー４３４０とは、後述する工程モジュール４４００の第２モジュール４４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０、冷却チャンバー４３４０、及び第１バッファ４３２０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【００８３】
第２バッファ４３３０と第１バッファ４３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ４３３０は、ハウジング４３３１と複数の支持台４３３２とを有する。支持台４３３２は、ハウジング４３３１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台４３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング４３３１は、インデックスロボット４２２０及びバッファロボット４３６０がハウジング４３３１内の支持台４３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット４２２０が設けられた方向及びバッファロボット４３６０が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ４３２０は、第２バッファ４３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ４３２０のハウジングには、バッファロボット４３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール４４０１に位置する第１ロボット４４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ４３２０に設けられた支持台４３２２の数と第２バッファ４３３０に設けられた支持台４３３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。
【００８４】
バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０と第１バッファ４３２０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット４３６０は、ハンド４３６１、アーム４３６２、及び支持台４３６３を有する。ハンド４３６１は、アーム４３６２に固定設置される。アーム４３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド４３６１が水平方向へ移動可能なようにしている。アーム４３６２は、支持台４３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４３６３に結合される。支持台４３６３は、第２バッファ４３３０に対応する位置から第１バッファ４３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。なお、支持台４３６３は、これより上又は下方向により長く設けられてもよい。バッファロボット４３６０は、単純にハンド４３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみが可能となるように設けられる。
【００８５】
冷却チャンバー４３４０は、ウエハＷを冷却する。冷却チャンバー４３４０は、ハウジング４３４１と冷却プレート４３４２とを有する。冷却プレート４３４２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段４３４３を有する。冷却手段４３４３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、冷却チャンバー４３４０には、ウエハＷを冷却プレート４３４２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング４３４１は、インデックスロボット４２２０及び後述する第２モジュール４４０２に設けられた第２ロボット４４８２が冷却プレート４３４２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット４２２０が設けられた方向及びバッファロボット４３６０が設けられた方向に開口を有する。また、冷却チャンバー４３４０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。
【００８６】
工程モジュール４４００は、第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とを有する。第１モジュール４４０１は、露光工程を行う前にウエハＷを処理する工程を行い、第２モジュール４４０２は、露光工程後にウエハＷを処理する工程を行う。第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、異なった層に配置される。一例によると、第１モジュール４４０１は、第２モジュール４４０２の上方に位置する。第１モジュール４４０１は、保護膜塗布チャンバー４４１０、ベーキングチャンバー４４２０、及び搬送チャンバー４４３０を有する。保護膜塗布チャンバー４４１０、搬送チャンバー４４３０、及びベーキングチャンバー４４２０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、保護膜塗布チャンバー４４１０とベーキングチャンバー４４２０とは、搬送チャンバー４４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。保護膜塗布チャンバー４４１０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、保護膜塗布チャンバー４４１０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。ベーキングチャンバー４４２０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、ベーキングチャンバー４４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。
【００８７】
搬送チャンバー４４３０は、バッファモジュール４３００の第１バッファ４３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー４４３０内には、第１ロボット４４３２が位置する。搬送チャンバー４４３０は、概して正方形又は長方形の形状を有する。第１ロボット４４３２は、ベーキングチャンバー４４２０、保護膜塗布チャンバー４４１０、バッファモジュール４３００の第１バッファ４３２０、及び後述するインタフェースモジュール４５００の第１バッファ４５２０の間でウエハＷを移送する。第１ロボット４４３２は、ハンド４４３３、アーム４４３４、及び支持台４４３５を有する。ハンド４４３３は、アーム４４３４に固定設置される。アーム４４３４は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で設けられる。アーム４４３４は、支持台４４３５に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台４４３５に結合される。
【００８８】
保護膜塗布チャンバー４４１０は、液浸露光時にレジスト膜を保護する保護膜をウエハＷ上に塗布する。保護膜塗布チャンバー４４１０は、ハウジング４４１１、支持プレート４４１２、及びノズル４４１３を有する。ハウジング４４１１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート４４１２は、ハウジング４４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート４４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル４４１３は、支持プレート４４１２に置かれたウエハＷ上に保護膜を形成するための保護液を供給する。ノズル４４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心に保護液を供給できる。なお、ノズル４４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル４４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。この場合、支持プレート４４１２は、固定された状態で設けられる。保護液は、発砲性材料を含む。保護液は、フォトレジスト及び水との親和力の低い材料が用いられる。例えば、保護液は、フッ素系の溶剤を含む。保護膜塗布チャンバー４４１０は、支持プレート４４１２に置かれたウエハＷを回転させながらウエハＷの中心領域に保護液を供給する。
【００８９】
ベーキングチャンバー４４２０は、保護膜が塗布されたウエハＷを熱処理する。ベーキングチャンバー４４２０は、冷却プレート４４２１又は加熱プレート４４２２を有する。冷却プレート４４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段４４２３が設けられる。又、加熱プレート４４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段４４２４が設けられる。加熱プレート４４２２と冷却プレート４４２１とは、一つのベーキングチャンバー４４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー４４２０の一部は、加熱プレート４４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート４４２１のみを具備するようにしてもよい。
【００９０】
第２モジュール４４０２は、洗浄チャンバー４４６０、露光後ベーキングチャンバー４４７０、及び搬送チャンバー４４８０を有する。洗浄チャンバー４４６０、搬送チャンバー４４８０、及び露光後ベーキングチャンバー４４７０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、洗浄チャンバー４４６０と露光後ベーキングチャンバー４４７０は、搬送チャンバー４４８０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。洗浄チャンバー４４６０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、洗浄チャンバー４４６０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、複数設けられ、第３方向１６に沿って異なった層に配置される。なお、露光後ベーキングチャンバー４４７０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられてもよい。
【００９１】
搬送チャンバー４４８０は、上方から眺めると、バッファモジュール４３００の第２バッファ４３３０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー４４８０は、概して正方形又は長方形の形状を有する。搬送チャンバー４４８０内には、第２ロボット４４８２が位置する。第２ロボット４４８２は、露光後ベーキングチャンバー４４７０、洗浄チャンバー４４６０、バッファモジュール４３００の冷却チャンバー４３４０、及び後述するインタフェースモジュール４５００の第２バッファ４５３０、の間でウエハＷを運搬する。第２モジュール４４０２に設けられた第２ロボット４４８２は、第１モジュール４４０１に設けられた第１ロボット４４３２と同じ構造で設けられる。
【００９２】
洗浄チャンバー４４６０は、露光工程後にウエハＷを洗浄する。洗浄チャンバー４４６０は、ハウジング４４６１、支持プレート４４６２、及びノズル４４６３を有する。ハウジング４４６１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート４４６２は、ハウジング４４６１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート４４６２は、回転可能なように設けられる。ノズル４４６３は、支持プレート４４６２に置かれたウエハＷ上に洗浄液を供給する。洗浄液としては、脱イオン水のような水が用いられる。洗浄チャンバー４４６０は、支持プレート４４６２に置かれたウエハＷを回転させつつウエハＷの中心領域に洗浄液を供給する。なお、ウエハＷが回転される間にノズル４４６３は、ウエハＷの中心領域からエッジ領域まで直線移動又は回転移動できるようにしてもよい。
【００９３】
露光後ベーキングチャンバー４４７０は、遠紫外線を利用して露光工程が行われたウエハＷを加熱する。露光後ベーキング工程は、ウエハＷを加熱して露光によりフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させて、フォトレジストの性質変化を完了させる。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、加熱プレート４４７２を有する。加熱プレート４４７２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段４４７４が設けられる。露光後ベーキングチャンバー４４７０は、その内部に冷却プレート４４７１をさらに具備している。冷却プレート４４７１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段４４７３が設けられる。なお、冷却プレート４４７１のみを有したベーキングチャンバーがさらに設けられてもよい。
【００９４】
上述したように、工程モジュール４４００において第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、互いに完全に分離されるように設けられる。また、第１モジュール４４０１の搬送チャンバー４４３０と第２モジュール４４０２の搬送チャンバー４４８０とは、同じ大きさで設けられて、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。また、保護膜塗布チャンバー４４１０と洗浄チャンバー４４６０とは、互いに同じ大きさで設けられて、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。また、ベーキングチャンバー４４２０と露光後ベーキングチャンバー４４７０とは、同じ大きさで設けられ、上方から眺めると、互いに完全に重なるように設けられる。
【００９５】
インタフェースモジュール４５００は、工程モジュール４４００と露光装置９０００との間でウエハＷを移送する。インタフェースモジュール４５００は、フレーム４５１０、インタフェースロボット４５４０、第１バッファ４５２０、及び第２バッファ４５３０を有する。インタフェースロボット４５４０、第１バッファ４５２０、及び第２バッファ４５３０は、フレーム４５１０内に位置する。第１バッファ４５２０と第２バッファ４５３０とは、互いに一定距離を離隔し、互いに積層されるように配置される。第１バッファ４５２０は、第２バッファ４５３０の上方に配置される。第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１と対応する高さに位置し、第２バッファ４５３０は、第２モジュール４４０２に対応する高さに配置される。上方から眺めると、第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１の搬送チャンバー４４３０と第１方向１２に沿って一列に配置され、第２バッファ４５３０は、第２モジュール４４０２の搬送チャンバー４４８０と第１方向１２に沿って一列に配置されるように位置する。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０及び第２バッファ４５３０と第２方向１４に離隔して位置する。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０、第２バッファ４５３０、及び露光装置９０００の間でウエハＷを運搬する。インタフェースロボット４５４０は、バッファロボット４３６０と概して類似の構造を有する。
【００９６】
第１バッファ４５２０は、第１モジュール４４０１において工程が行われたウエハＷが露光装置９０００に移動する前に、これらを一時保管する。そして、第２バッファ４５３０は、露光装置９０００において工程が完了したウエハＷが第２モジュール４４０２に移動する前に、これらを一時保管する。第１バッファ４５２０は、ハウジング４５２１と複数の支持台４５２２とを有する。支持台４５２２は、ハウジング４５２１内に配置され、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台４５２２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング４５２１は、インタフェースロボット４５４０及び第１ロボット４４３２がハウジング４５２１内の支持台４５２２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インタフェースロボット４５４０が設けられた方向及び第１ロボット４４３２が設けられた方向に開口を有する。第２バッファ４５３０は、第１バッファ４５２０と概して類似の構造を有する。ただし、第２バッファ４５３０のハウジング４５３１には、インタフェースロボット４５４０が設けられた方向及び第２ロボット４４８２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ４５２０に設けられた支持台４５２２の数と第２バッファ４５３０に設けられた支持台４５３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。
【００９７】
次に、図９を参照して、図６の露光前後処理ユニット４０００を利用して工程を行う一例を説明する。図９は、露光前後処理ユニット４０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。図９では、ウエハＷ上に化学増幅レジストが塗布され、露光装置９０００が遠紫外線光源を利用した露光及び液浸露光により工程を行う場合を例に挙げて説明する。
【００９８】
塗布ユニット３０００において塗布工程の完了したウエハＷは、容器２０００に収納される。容器２０００は、露光前後処理ユニット４０００の載置台４１２０に置かれる（ステップＳ２１２）。ドアオープナー（図示せず）により容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット４２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出してバッファモジュール４３００の第２バッファ４３３０に運搬する（ステップＳ２１４）。バッファロボット４３６０は、第２バッファ４３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ４３２０に運搬する（ステップＳ２１６）。第１ロボット４４３２は、第１バッファ４３２０からウエハＷを取り出して工程モジュール４４００の保護膜塗布チャンバー４４１０に運搬する（ステップＳ２１８）。保護膜塗布チャンバー４４１０は、ウエハＷ上に保護膜を塗布する（ステップＳ２２０）。その後、第１ロボット４４３２は、ウエハＷを保護膜塗布チャンバー４４１０からベーキングチャンバー４４２０に運搬する（ステップＳ２２２）。ベーキングチャンバー４４２０は、ウエハＷに対して加熱及び冷却などのような熱処理を行う（ステップＳ２２４）。
【００９９】
第１ロボット４４３２は、ベーキングチャンバー４４２０からウエハＷを取り出して第１バッファ４５２０に運搬する（ステップＳ２２６）。インタフェースロボット４５４０は、第１バッファ４５２０から露光装置９０００にウエハＷを運搬する（ステップＳ２２８）。露光装置９０００においてウエハＷに対し露光工程が行われる（ステップＳ２３０）。その後、インタフェースロボット４５４０は、露光装置９０００からウエハＷを第２バッファ４５３０に運搬する（ステップＳ２３２）。
【０１００】
第２ロボット４４８２は、第２バッファ４５３０の支持台からウエハＷを取り出して工程モジュール４４００の洗浄チャンバー４４６０に運搬する（ステップＳ２３４）。洗浄チャンバー４４６０は、ウエハＷの表面に洗浄液を供給して洗浄工程を行う（ステップＳ２３６）。洗浄液を利用したウエハＷの洗浄が完了すれば、第２ロボット４４８２は、直ちに洗浄チャンバー４４６０からウエハＷを取り出して露光後ベーキングチャンバー４４７０にウエハＷを運搬する（ステップＳ２３８）。露光後ベーキングチャンバー４４７０の加熱プレートからウエハＷの加熱によりウエハＷ上に付着された洗浄液が除去され、これと同時にフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させて、フォトレジストの性質変化が完了される（ステップＳ２４０）。第２ロボット４４８２は、露光後ベーキングチャンバー４４７０からウエハＷをバッファモジュール４３００の冷却チャンバー４３４０に運搬する（ステップＳ２４２）。冷却チャンバー４３４０においてウエハＷの冷却が行われる（ステップＳ２４４）。インデックスロボット４２２０は、冷却チャンバー４３４０からウエハＷを取り出して容器２０００に運搬する（ステップＳ２４６）。
【０１０１】
容器２０００は、現像ユニット５０００に運搬され、現像ユニット５０００で現像工程が行われる。
【０１０２】
ウエハＷ上に残留する保護膜の一部は、現像液により除去され、保護膜の残りの一部は、アッシング工程時にフォトレジストと共に除去される。
【０１０３】
図６の実施の形態によると、露光前後処理ユニット４０００は、別途、保護膜除去チャンバーを具備していない。したがって、露光前後処理ユニット４０００の構造が比較的簡単であり、工程にかかる時間を減らすことができる。
【０１０４】
また、化学増幅型レジストを使用する場合、露光工程が完了した後のベーキング工程が行われる時期は重要である。図６の実施の形態によると、露光前後処理ユニット４０００に露光後ベーキングチャンバー４４７０が設けられている。したがって、ウエハＷが現像ユニット５０００へ移動される前に露光前後処理ユニット４０００内で速く酸増幅を行う。
【０１０５】
また、図６の実施の形態によると、洗浄チャンバー４４６０は、ウエハＷに対して洗浄液を利用した洗浄のみを行い、別途に乾燥ガスのような流体の供給によるウエハＷ乾燥は行わない。ウエハＷ乾燥は、加熱によりなされる。例えば、ウエハ乾燥は、露光後ベーキングチャンバー４４７０で酸増幅と同時に行われる。したがって、洗浄チャンバー４４６０で洗浄液による洗浄及び乾燥ガスによる乾燥をすべて行う場合に比べて、工程にかかる時間を減らすことができる。
【０１０６】
次に、上述した露光前後処理ユニット４０００の多様な変形例を例示する。
【０１０７】
上述した例では、第１モジュール４４０１が前記第２モジュール４４０２の上方に配置されると説明したが、これとは異なり、第２モジュール４４０２が第１モジュール４４０１の上方に配置されてもよい。
【０１０８】
また、工程モジュール４４００は、異なった層に配置された第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２の代わりに一つのモジュールのみを具備してもよい。この場合、一つのモジュール内に、保護膜塗布チャンバー４４１０、ベーキングチャンバー４４２０、洗浄チャンバー４４６０、露光後ベーキングチャンバー４４７０がすべて設けられる。
【０１０９】
また、洗浄チャンバー４４６０には、洗浄液を供給するノズルの他に追加的に乾燥ガスを供給するノズルがさらに設けられてもよい。この場合、露光後ベーキングチャンバー４４７０でウエハＷの加熱がなされる前にウエハＷ上に付着された洗浄液を除去できる。
【０１１０】
また、第２モジュール４４０２には、冷却プレートが設けられなくても良い。ウエハＷの冷却は、バッファモジュール４３００に設けられた冷却チャンバー４３４０だけで行われる。この場合、バッファモジュール４３００には、複数の冷却チャンバー４３４０が互いに積層されるように配置されてもよい。
【０１１１】
また、バッファモジュール４３００には、冷却チャンバー４３４０が設けられなくても良い。この場合、第２モジュール４４０２の冷却プレートで冷却が行われたウエハＷは、第２ロボット４４８２により直接第２バッファ４３３０に移送され、インデックスロボット４２２０は、第２バッファ４３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【０１１２】
また、バッファモジュール４３００において冷却チャンバー４３４０と第２バッファ４３３０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【０１１３】
また、第１モジュール４４０１と第２モジュール４４０２とは、その位置が互いに変更されてもよい。この場合、選択的に、バッファモジュール４３００に設けられた冷却ユニットは、第２モジュール４４０２と対応する高さに設けられてもよい。
【０１１４】
また、バッファモジュール４３００は、その高さが工程モジュール４４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット４２２０は、第１バッファ４３２０に直接ウエハＷを供給することができる。
【０１１５】
また、選択的に第２モジュール４４０２には、露光工程後保護膜を除去するための保護膜除去チャンバーが設けられてもよい。この場合、アッシング工程が行われる前に予めウエハＷ上に設けられた保護膜を除去できる。
【０１１６】
また、露光装置９０００が液浸露光方式以外の方式で工程を行う場合、第１モジュール４４０１には、保護膜塗布ユニット３０００が設けられなくても良い。この場合、選択的にベーキングチャンバー４４２０も設けられなくても良い。この場合、選択的に工程モジュール４４００は、第１モジュール４４０１なしで第２モジュール４４０２のみで設けられる。
【０１１７】
また、露光装置９０００が遠紫外線光源を利用して工程を行わない場合、第２モジュール４４０２に露光後ベーキングチャンバー４４７０が設けられなくても良い。
【０１１８】
（現像ユニット）
図１０〜図１２は、現像ユニット５０００の構造を概略的に示す図である。図１０は、現像ユニット５０００を上方から眺めた図であり、図１１は、図１０の現像ユニット５０００を「Ｅ」方向に沿って眺めた正面図であり、図１２は、図１１のユニットを「Ｆ」方向に沿って眺めた側面図である。
【０１１９】
図１０〜図１２に示すように、現像ユニット５０００は、ロードポート５１００、インデックスモジュール５２００、バッファモジュール５３００、及び工程モジュール５４００を有する。ロードポート５１００、インデックスモジュール５２００、バッファモジュール５３００、及び工程モジュール５４００は、第１方向１２に沿って順次配置される。ロードポート５１００は、ウエハＷの収納された容器２０００が置かれる載置台５１２０を有する。載置台５１２０は、複数設けられ、載置台５１２０は、第２方向１４に沿って一列に配置される。図１０では、４個の載置台５１２０が設けられている。
【０１２０】
インデックスモジュール５２００は、ロードポート５１００の載置台５１２０に置かれた容器２０００とバッファモジュール５３００との間でウエハＷを移送する。インデックスモジュール５２００は、フレーム５２１０、インデックスロボット５２２０、及びガイドレール５２３０を有する。フレーム５２１０は、概して内部の空いた直六面体の形状で設けられ、ロードポート５１００とバッファモジュール５３００との間に配置される。フレーム５２１０は、後述するバッファモジュール５３００のフレーム５３１０より低い高さで設けられる。インデックスロボット５２２０とガイドレール５２３０とは、フレーム５２１０内に配置される。インデックスロボット５２２０は、ウエハＷを直接ハンドリングするハンド５２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６へ移動可能であり、回転できるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット５２２０は、ハンド５２２１、アーム５２２２、支持台５２２３、及びベース５２２４を有する。アーム５２２２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５２２１が水平方向へ移動可能なようにしている。支持台５２２３は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム５２２２は、支持台５２２３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５２２３に結合される。ガイドレール５２３０は、その長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように設けられる。支持台５２２３は、ベース５２２４に固定結合される。ベース５２２４は、ガイドレール５２３０に沿って直線移動可能なようにガイドレール５２３０に結合される。また、図示していないが、フレーム５２１０には、容器２０００のドアを開閉するドアオープナーがさらに設けられている。
【０１２１】
図１１に示すように、バッファモジュール５３００は、フレーム５３１０、第１バッファ５３２０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、第２冷却チャンバー５３５０、及びバッファロボット５３６０を有する。フレーム５３１０は、内部の空いた直六面体の形状で設けられ、インデックスモジュール５２００と工程モジュール５４００との間に配置される。第１バッファ５３２０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、第２冷却チャンバー５３５０、及びバッファロボット５３６０は、フレーム５３１０内に位置する。第２冷却チャンバー５３５０、第２バッファ５３３０、第１冷却チャンバー５３４０、及び第１バッファ５３２０は、下から第３方向１６に沿って順次配置される。第１冷却チャンバー５３４０及び第１バッファ５３２０は、後述する工程モジュール５４００の第１モジュール５４０１と対応する高さに位置し、第２冷却チャンバー５３５０と第２バッファ５３３０とは、後述する工程モジュール５４００の第２モジュール５４０２と対応する高さに位置する。バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０、第２冷却チャンバー５３５０、第１バッファ５３２０、及び第１冷却チャンバー５３４０と第２方向１４に一定の距離を離隔して位置する。
【０１２２】
第２バッファ５３３０と第１バッファ５３２０とは、それぞれ複数のウエハＷを一時保管する。第２バッファ５３３０は、ハウジング５３３１と複数の支持台５３３２とを有する。支持台５３３２は、ハウジング５３３１内に配置されて、互いに第３方向１６に沿って離隔して設けられる。各々の支持台５３３２には、一つのウエハＷが置かれる。ハウジング５３３１は、インデックスロボット５２２０、バッファロボット５３６０、及び後述する第２モジュール５４０２の第２ロボット５８３２がハウジング５３３１内の支持台５３３２にウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット５２２０が設けられた方向、バッファロボット５３６０が設けられた方向、及び第２ロボット５８３２が設けられた方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ５３２０は、第２バッファ５３３０と概して類似の構造を有する。ただし、第１バッファ５３２０のハウジング５３２１には、バッファロボット５３６０が設けられた方向及び後述する第１モジュール５４０１の第１ロボット５４３２が設けられた方向に開口を有する。第１バッファ５３２０に設けられた支持台５３２２の数と第２バッファ５３３０に設けられた支持台５３３２の数とは、同一であってもよいし、又は異なっていてもよい。一例によると、第２バッファ５３３０に設けられた支持台５３３２の数は、第１バッファ５３２０に設けられた支持台５３２２の数より多くてもよい。
【０１２３】
バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０と第１バッファ５３２０との間でウエハＷを移送させる。バッファロボット５３６０は、ハンド５３６１、アーム５３６２、及び支持台５３６３を有する。ハンド５３６１は、アーム５３６２に固定設置される。アーム５３６２は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５３６１が第２方向１４に沿って移動可能なようにしている。アーム５３６２は、支持台５３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５３６３に結合される。支持台５３６３は、第２バッファ５３３０に対応する位置から第１バッファ５３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。なお、支持台５３６３は、これより上又は下方向により長く設けられてもよい。バッファロボット５３６０は、単純にハンド５３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う二軸駆動のみ可能となるように設けられる。
【０１２４】
第２冷却チャンバー５３５０と第１冷却チャンバー５３４０とは、それぞれウエハＷを冷却する。第２冷却チャンバー５３５０と第１冷却チャンバー５３４０とは、互いに同じ構造を有する。第２冷却チャンバー５３５０は、ハウジング５３５１と冷却プレート５３５２とを有する。冷却プレート５３５２は、ウエハＷが置かれる上面及びウエハＷを冷却する冷却手段５３５３を有する。冷却手段５３５３としては、冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が用いられる。また、冷却チャンバー５３５０には、ウエハＷを冷却プレート５３５２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が設けられる。ハウジング５３５１は、インデックスロボット５２２０及び後述する第２モジュール５４０２に設けられた第２ロボット５８３２が冷却プレートにウエハＷを搬入又は搬出できるように、インデックスロボット５２２０が設けられた方向及び第２ロボット５８３２が設けられた方向に開口を有する。また、第２冷却チャンバー５３５０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が設けられる。
【０１２５】
工程モジュール５４００は、ウエハＷが露光前後処理ユニット４０００に運搬される前に必要な工程を行う。工程モジュール５４００は、概して直六面体の形状を有する。工程モジュール５４００は、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とを有する。第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、異なった層に配置される。第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、それぞれ同じ工程を行うように設けられる。一例によると、第１モジュール５４０１は、第２モジュール５４０２の上方に位置する。
【０１２６】
第１モジュール５４０１は、現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０を有する。現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０は、第２方向１４に沿って順次配置される。したがって、現像チャンバー５４１０とベーキングチャンバー５４２０とは、搬送チャンバー５４３０を間に置いて第２方向１４に互いに離隔して位置する。現像チャンバー５４１０は、複数設けられ、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個の現像チャンバー５４１０が設けられた例が示された。ベーキングチャンバー５４２０は、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ設けられる。図面では、９個のベーキングチャンバー５４２０が設けられた例が示された。なお、これとは異なり、ベーキングチャンバー５４２０は、より多くの数で設けられてもよい。
【０１２７】
搬送チャンバー５４３０は、バッファモジュール５３００の第１バッファ５３２０と第１方向１２に並んで位置する。搬送チャンバー５４３０内には、第１ロボット５４３２とガイドレール５４３３とが位置する。搬送チャンバー５４３０は、概して長方形の形状を有する。第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０、現像チャンバー５４１０、第１バッファ５３２０、及び第１冷却チャンバー５３４０の間でウエハＷを移送する。ガイドレール５４３３は、その長さ方向が第１方向１２に並んで配置される。ガイドレールは、第１ロボット５４３２が第１方向１２に直線移動するように案内する。第１ロボット５４３２は、ハンド５４３４、アーム５４３５、支持台５４３６、及びベース５４３７を有する。ハンド５４３４は、アーム５４３５に固定設置される。アーム５４３５は、伸縮可能な構造で設けられて、ハンド５４３４が水平方向へ移動可能なようにしている。支持台５４３６は、その長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように設けられる。アーム５４３５は、支持台５４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能なように支持台５４３６に結合される。支持台５４３６は、ベース５４３７に固定結合される。ベース５４３７は、ガイドレール５４３３に沿って移動可能なようにガイドレール５４３３に結合される。
【０１２８】
現像チャンバー５４１０は、すべて同じ構造を有する。ただし、各々の現像チャンバー５４１０において用いられる現像液の種類は、互いに異なっていてもよい。現像チャンバー５４１０は、ウエハＷ上のフォトレジストのうち、光の照射された領域を除去する。このとき、保護膜のうち、光の照射された領域も共に除去される。選択的に用いられるフォトレジストの種類によってはフォトレジスト及び保護膜の領域のうち、光の照射されない領域のみが除去されうる。
【０１２９】
現像チャンバー５４１０は、ハウジング５４１１、支持プレート５４１２、及びノズル５４１３を有する。ハウジング５４１１は、上部の開放されたコップ形状を有する。支持プレート５４１２は、ハウジング５４１１内に位置し、ウエハＷを支持する。支持プレート５４１２は、回転可能なように設けられる。ノズル５４１３は、支持プレート５４１２に置かれたウエハＷ上に現像液を供給する。ノズル５４１３は、円形の管形状を有し、ウエハＷの中心に現像液を供給する。なお、ノズル５４１３は、ウエハＷの直径に相応する長さを有し、ノズル５４１３の吐出口は、スリットで設けられてもよい。また、現像チャンバー５４１０には、追加的に現像液の供給されたウエハＷの表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル５４１４が設けられる。
【０１３０】
ベーキングチャンバー５４２０は、ウエハＷを熱処理する。例えば、ベーキングチャンバー５４２０は、現像工程が行われる前にウエハＷを加熱するポストベーキング工程及び現像工程が行われた後にウエハＷを加熱するハードベーキング工程、及び各々のベーキング工程後に加熱した基板を冷却する冷却工程などを行う。ベーキングチャンバー５４２０は、冷却プレート５４２１又は加熱プレート５４２２を有する。冷却プレート５４２１には、冷却水又は熱電素子のような冷却手段５４２３が設けられる。又、加熱プレート５４２２には、熱線又は熱電素子のような加熱手段５４２４が設けられる。加熱プレート５４２２と冷却プレート５４２１とは、一つのベーキングチャンバー５４２０内にそれぞれ設けられる。なお、ベーキングチャンバー５４２０の一部は、加熱プレート５４２２のみを具備し、他の一部は、冷却プレート５４２１のみを具備するようにしてもよい。
【０１３１】
第２モジュール５４０２は、現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、及び搬送チャンバー５４８０を有する。現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、及び搬送チャンバー５４８０は、第１モジュール５４０１の現像チャンバー５４１０、ベーキングチャンバー５４２０、及び搬送チャンバー５４３０と同じ構造及び配置を有する。また、搬送チャンバー５４８０は、第２ロボット５８３２を有し、第２ロボット５８３２は、第１モジュール５４０１に設けられた第１ロボット５４３２と同じ構造を有する。第２ロボット５８３２は、現像チャンバー５４６０、ベーキングチャンバー５４７０、第２バッファ５３３０、及び第２冷却チャンバー５３５０の間でウエハＷを運搬するように設けられる。
【０１３２】
上述したように、工程モジュール５４００において第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、互いに分離されるように設けられる。また、上方から眺めると、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２とは、同じ構造及び配置を有する。
【０１３３】
次に、図１３Ａと図１３Ｂを参照して、図１０の現像ユニット５０００を利用して工程を行う一例を説明する。図１３Ａと図１３Ｂは、現像ユニット５０００においてウエハＷに対して工程が行われる一例を示すフローチャートである。
【０１３４】
ウエハＷの収納された容器２０００は、ロードポート５１００の載置台５１２０に置かれる（ステップＳ３１２）。ドアオープナーにより容器２０００のドアが開放される。インデックスロボット５２２０は、容器２０００からウエハＷを取り出して第２バッファ５３３０に運搬する（ステップＳ３１４）。ウエハＷは、第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２の中から選択された所へ移動される。
【０１３５】
ウエハＷが第１モジュール５４０１で工程が行われるように選択された場合、バッファロボット５３６０は、第２バッファ５３３０に保管されたウエハＷを第１バッファ５３２０に運搬する（ステップＳ３２０）。第１ロボット５４３２は、第１バッファ５３２０からウエハＷを取り出して第１モジュール５４０１のベーキングチャンバー５４２０に運搬する（ステップＳ３２２）。ベーキングチャンバー５４２０は、ポストベーキング及び冷却工程を順次行う（ステップＳ３２４）。第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０からウエハＷを取り出して現像チャンバー５４１０に運搬する（ステップＳ３２６）。現像チャンバー５４１０は、ウエハＷ上に現像液を供給して現像工程を行う（ステップＳ３２８）。その後、第１ロボット５４３２は、ウエハＷを現像チャンバー５４１０からベーキングチャンバー５４２０に運搬する（ステップＳ３３０）。ベーキングチャンバー５４２０は、ウエハＷに対してハードベーキング工程を行う（ステップＳ３３２）。
【０１３６】
第１ロボット５４３２は、ベーキングチャンバー５４２０からウエハＷを取り出して第１冷却チャンバー５３４０に運搬する（ステップＳ３３４）。第１冷却チャンバー５３４０は、ウエハＷを冷却する工程を行う（ステップＳ３３６）。インデックスロボット５２２０は、第１冷却チャンバー５３４０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ３３８）。
【０１３７】
ウエハＷが第２モジュール５４０２で工程が行われるように選択された場合、第２ロボット５８３２は、第２バッファ５３３０からウエハＷを取り出して第２モジュール５４０２のベーキングチャンバー５４７０に運搬する（ステップＳ３６０）。ベーキングチャンバー５４７０は、ポストベーキング及び冷却工程が順次行う（ステップＳ３６２）。第２ロボット５８３２は、ベーキングチャンバー５４７０からウエハＷを取り出して現像チャンバー５４６０に運搬する（ステップＳ３６４）。現像チャンバー５４６０は、ウエハＷ上に現像液を供給する（ステップＳ３６６）。その後、第２ロボット５８３２は、ウエハＷを現像チャンバー５４６０からベーキングチャンバー５４７０に運搬する（ステップＳ３６８）。ベーキングチャンバー５４７０は、ウエハＷに対してハードベーキング工程を行う（ステップＳ３７０）。
【０１３８】
第２ロボット５８３２は、ベーキングチャンバー５４７０からウエハＷを取り出して第２冷却チャンバー５３５０に運搬する（ステップＳ３７２）。第２冷却チャンバー５３５０は、ウエハＷに対して冷却工程を行う（ステップＳ３７４）。インデックスロボット５２２０は、第２冷却チャンバー５３５０からウエハＷを容器２０００に運搬する（ステップＳ３７６）。
【０１３９】
次に、上述した現像ユニット５０００の多様な変形例を例示する。
【０１４０】
工程モジュール５４００は、異なった層に配置された第１モジュール５４０１と第２モジュール５４０２の代わりに一つのモジュールのみを具備してもよい。
【０１４１】
また、インデックスモジュール５２００には、第１冷却チャンバー５３４０と第２冷却チャンバー５３５０とがそれぞれ複数で設けられ、これらは、互いに積層されるように配置される。
【０１４２】
また、バッファモジュール５３００には、第１冷却チャンバー５３４０及び第２冷却チャンバー５３５０が設けられなくても良い。この場合、ウエハＷは、 第１ロボット５４３２により第１モジュール５４０１から直接第１バッファ５３２０に移送され、インデックスロボット５２２０は、第１バッファ５３２０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。また、ウエハＷは、第２ロボット５８３２により第２モジュール５４０２から直接第２バッファ５３３０に移送され、インデックスロボット５２２０は、第２バッファ５３３０に保管されたウエハＷを容器２０００に運搬される。
【０１４３】
また、バッファモジュール５３００において第１バッファ５３２０と第１冷却チャンバー５３４０とは、その位置が互いに変更されてもよく、第２バッファ５３３０と第２冷却チャンバー５３５０とは、その位置が互いに変更されてもよい。
【０１４４】
また、バッファモジュール５３００は、その高さが工程モジュール５４００と同一に設けられてもよい。この場合、選択的にインデックスロボット５２２０は、第１バッファ５３２０にウエハＷに直接供給できる。
【０１４５】
また、工程モジュール５４００では、上述した工程と異なる、さらに他の工程が追加されてもよい。
【０１４６】
図１の実施の形態によると、基板処理設備は、塗布工程を行うユニット、現像工程を行うユニット、及び露光装置９０００とインラインで接続されて露光前後処理工程を行うユニットが各々独立して設けられている。そのため、塗布及び現像工程を同時に行うモジュールが露光装置９０００とインラインで設けられる設備とは異なり、露光装置９０００における工程時間が長くてウエハＷの滞積がなされても、塗布ユニット３０００と現像ユニット５０００とでは、工程を行い続ける。
【０１４７】
図１４Ａ〜図１４Ｇは、ウエハＷ上の薄膜にパターンが形成される過程を順次示している。
【０１４８】
最初に、蒸着装置（図示せず）においてウエハＷ上に薄膜１０２が蒸着される（図１４Ａ）。ウエハＷは、塗布ユニット３０００に運搬される。塗布ユニット３０００でウエハＷ上にフォトレジスト１０４が塗布される（図１４Ｂ）。上述したように、塗布ユニット３０００では、フォトレジスト１０４の塗布以外にベーキング工程やエッジ露光工程などの工程がさらに行われる。以後、ウエハＷは、露光前後処理ユニット４０００に運搬される。露光前後処理ユニット４０００の第１モジュール４４０１でウエハＷ上に保護膜１０６が塗布される（図１４Ｃ）。上述したように、第１モジュール４４０１では、ベーキング工程などの工程がさらに行われる。ウエハＷは、露光装置９０００に運搬される。露光装置９０００は、保護膜１０６及びフォトレジスト１０４上の選択された領域１０８に光を照射して、その領域に設けられた保護膜１０６及びフォトレジスト１０４の性質を変化させる（図１４Ｄ）。露光前後処理ユニット４０００の第２モジュール４４０２は、洗浄工程及び露光後ベーキング工程などを行う。露光後ベーキング工程を行う時にウエハＷに残留する洗浄液が除去される。その後、ウエハＷは、現像ユニット５０００に運搬される。現像ユニット５０００から保護膜１０６とフォトレジスト１０４のうち、性質の変化した領域１０８が除去される（図１４Ｅ）。上述したように、塗布ユニット３０００では、現像工程の以外にベーキング工程などの工程がさらに行われる。その後、ウエハＷは、エッチング装置（図示せず）に運搬される。エッチング装置から薄膜１０２のうち露出した領域１０３がエッチング液により除去される（図１４Ｆ）。その後、ウエハＷは、アッシング装置（図示せず）に運搬される。アッシング装置から薄膜１０２上に残っているフォトレジスト１０４及び保護膜１０６が除去される（図１４Ｇ）。蒸着装置、塗布ユニット３０００、露光前後処理ユニット４０００、現像ユニット５０００、エッチング装置、及びアッシング装置の間でウエハＷが移動する間に、必要によってウエハＷを洗浄する工程などのような他の工程が行われる。
【符号の説明】
【０１４９】
２０００ 容器
３０００ 塗布ユニット
４０００ 露光後ベーキングユニット
５０００ 現像ユニット
３１００、４１００、５１００ ロードポート
３２００、４２００、５２００ インデックスモジュール
３３００、４３００、５３００ バッファモジュール
３４００、４４００、５４００ 工程モジュール
３５００ エッジ露光モジュール
４５００ インタフェースモジュール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して塗布工程を行う塗布ユニットと、
露光工程を行う露光装置と接続されると共に前記塗布ユニットで工程が行われた基板に対して露光前後処理工程を行う露光前後処理ユニットと、
前記露光前後処理ユニットで工程が行われた基板に対して現像工程を行う現像ユニットと、を備え、
前記塗布ユニット、前記露光前後処理ユニット、及び前記現像ユニットは、それぞれウエハの収納される容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、及び基板上に所定の工程を行う工程モジュールを備え、前記ロードポート、前記インデックスモジュール、及び前記工程モジュールは、順次配置され、
前記露光前後処理ユニットは、前記露光装置と接続するインタフェースモジュールをさらに備え、前記インタフェースモジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対方向に配置されることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記露光前後処理ユニットの工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記第１モジュールは、
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、
基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーを備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記第２モジュールは、
露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットと、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記インタフェースモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファと前記露光装置、及び前記第２バッファと前記露光装置の間で基板を運搬するインタフェースロボットと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記塗布ユニットは、エッジ露光モジュールをさらに備え、
前記エッジ露光モジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対側に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちの何れかの１項に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
フォトレジストの塗布された基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットであって、
基板の収納された容器が置かれるロードポートと、
前記容器から基板を取り出す又は入れるインデックスモジュールと、
基板に対して工程を行う工程モジュールと、
露光装置と接続するインタフェースモジュールと、を備え、
前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、
前記工程モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーを備えることを特徴とする露光前後処理ユニット。
【請求項１４】
前記工程モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１５】
前記工程モジュールは、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１６】
前記工程モジュールは、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１７】
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、
前記保護膜塗布チャンバーは、前記第１モジュールに配置され、
前記洗浄チャンバーは、前記第２モジュールに配置されることを特徴とする請求項１４に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１８】
前記工程モジュールは、
前記第１モジュールに配置されると共に基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記第１モジュールに配置されると共に前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、
前記第２モジュールに配置されると共に露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記第２モジュールに配置されると共に前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットと、を備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１９】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、を備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２０】
前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項１９に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２１】
前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２２】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項２１に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２３】
前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２４】
前記インタフェースモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファと前記露光装置との間及び前記第２バッファと前記露光装置との間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２５】
前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項２４に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２６】
フォトレジストの塗布される基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットであって、
基板の収納された容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、基板に対して工程を行う工程モジュール、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュール、及び露光装置と接続するインタフェースモジュールを備え、
前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記バッファモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、
前記第１モジュールは、
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、
基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記保護膜塗布チャンバー、前記ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第１ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備え、
前記第２モジュールは、
基板を洗浄する洗浄チャンバーと、
基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記洗浄チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第２ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備えることを特徴とする露光前後処理ユニット。
【請求項２７】
前記保護膜塗布チャンバー、前記第１ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記ベーキングチャンバーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って順次配置され、
前記洗浄チャンバー、前記第２ロボットの設けられた搬送チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバーは、前記第２方向に沿って順次配置されたことを特徴とする請求項２６に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２８】
前記第１モジュールは、前記第２モジュールの上方に配置され、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーと、を備え、
前記第１バッファと前記冷却チャンバーとは、上下方向に一列に配置され、
前記第１バッファは、上方から眺めると、前記第１モジュールの搬送チャンバーと前記第１方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項２７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２９】
前記バッファモジュールは、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファ及び前記第２バッファの間で基板を運搬するバッファロボットと、をさらに備え、
前記第１バッファ及び前記バッファロボットは、上方から眺めると、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って配置されることを特徴とする請求項２８に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項３０】
基板を処理する方法であって、
基板上にフォトレジストを塗布する工程を行うステップと、
前記フォトレジストの塗布された基板上に保護膜を塗布する工程を行うステップと、
前記保護膜の塗布された基板に対して液浸露光工程を行うステップと、
前記液浸露光の行われた基板を洗浄する工程を行うステップと、
前記基板に対して現像工程を行うステップと、を含み、
前記保護膜を塗布する工程を行うステップと前記洗浄する工程を行うステップとは、前記液浸露光工程を行う露光装置とインラインで接続した露光前後処理ユニットで行われ、
前記フォトレジストを塗布する工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットで行われ、
前記現像工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットにおいて行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項３１】
前記基板を洗浄する工程と前記基板に対して現像工程とを行うステップの間に、前記基板に対して露光後ベーキング工程を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【請求項３２】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を基板に供給して行われ、
前記基板上に残留する洗浄液は、流体の供給による乾燥無しで基板の加熱により除去されることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理方法。
【請求項３３】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を利用して基板を洗浄し、
前記基板上に残留する洗浄液を除去する工程は、前記基板を洗浄する工程の直後に行われる前記露光後ベーキング工程により行われることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理方法。
【請求項３４】
前記保護膜は、前記露光前後処理ユニットの外部で除去されることを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【請求項３５】
前記保護膜の一部は、前記現像工程において除去され、残りの一部は、アッシング工程において除去されることを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【請求項１】
基板に対して塗布工程を行う塗布ユニットと、
露光工程を行う露光装置と接続されると共に前記塗布ユニットで工程が行われた基板に対して露光前後処理工程を行う露光前後処理ユニットと、
前記露光前後処理ユニットで工程が行われた基板に対して現像工程を行う現像ユニットと、を備え、
前記塗布ユニット、前記露光前後処理ユニット、及び前記現像ユニットは、それぞれウエハの収納される容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、及び基板上に所定の工程を行う工程モジュールを備え、前記ロードポート、前記インデックスモジュール、及び前記工程モジュールは、順次配置され、
前記露光前後処理ユニットは、前記露光装置と接続するインタフェースモジュールをさらに備え、前記インタフェースモジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対方向に配置されることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記露光前後処理ユニットの工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールとを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記第１モジュールは、
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、
基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記第２モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーを備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記第２モジュールは、
露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットと、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記インタフェースモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファと前記露光装置、及び前記第２バッファと前記露光装置の間で基板を運搬するインタフェースロボットと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記塗布ユニットは、エッジ露光モジュールをさらに備え、
前記エッジ露光モジュールは、前記工程モジュールを基準に前記インデックスモジュールの反対側に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちの何れかの１項に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
フォトレジストの塗布された基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットであって、
基板の収納された容器が置かれるロードポートと、
前記容器から基板を取り出す又は入れるインデックスモジュールと、
基板に対して工程を行う工程モジュールと、
露光装置と接続するインタフェースモジュールと、を備え、
前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、
前記工程モジュールは、基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーを備えることを特徴とする露光前後処理ユニット。
【請求項１４】
前記工程モジュールは、基板を洗浄する洗浄チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１５】
前記工程モジュールは、基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１６】
前記工程モジュールは、露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１７】
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、
前記保護膜塗布チャンバーは、前記第１モジュールに配置され、
前記洗浄チャンバーは、前記第２モジュールに配置されることを特徴とする請求項１４に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１８】
前記工程モジュールは、
前記第１モジュールに配置されると共に基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記第１モジュールに配置されると共に前記保護膜塗布チャンバーと前記ベーキングチャンバーとの間で基板を運搬する第１ロボットと、
前記第２モジュールに配置されると共に露光した基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記第２モジュールに配置されると共に前記洗浄チャンバー及び前記露光後ベーキングチャンバーの間で基板を運搬する第２ロボットと、を備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項１９】
前記露光前後処理ユニットは、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されたバッファモジュールをさらに備え、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、を備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２０】
前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項１９に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２１】
前記露光前後処理ユニットのバッファモジュールは、前記第１バッファと前記第２バッファとの間で基板を運搬するバッファロボットをさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２２】
前記第１バッファと前記第２バッファとは、上下方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項２１に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２３】
前記バッファモジュールは、前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２４】
前記インタフェースモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファと前記露光装置との間及び前記第２バッファと前記露光装置との間で基板を運搬するインタフェースロボットとを備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２５】
前記第１バッファと前記第２バッファは、互いに積層されるように配置され、それぞれ基板が置かれる複数の支持台を備えることを特徴とする請求項２４に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２６】
フォトレジストの塗布される基板に対して露光前及び露光後に要求される工程を行う露光前後処理ユニットであって、
基板の収納された容器が置かれるロードポート、前記容器に基板を入れる又は取り出すインデックスモジュール、基板に対して工程を行う工程モジュール、前記インデックスモジュールと前記工程モジュールとの間に配置されるバッファモジュール、及び露光装置と接続するインタフェースモジュールを備え、
前記ロードポート、前記インデックスモジュール、前記バッファモジュール、前記工程モジュール、及び前記インタフェースモジュールは、第１方向に沿って順次配置され、
前記工程モジュールは、異なった層に配置される第１モジュールと第２モジュールと、を備え、
前記第１モジュールは、
基板上に保護膜を塗布する保護膜塗布チャンバーと、
基板に対して熱処理を行うベーキングチャンバーと、
前記保護膜塗布チャンバー、前記ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第１ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備え、
前記第２モジュールは、
基板を洗浄する洗浄チャンバーと、
基板に対して露光後ベーキング工程を行う露光後ベーキングチャンバーと、
前記洗浄チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバー、前記バッファモジュール、及び前記インタフェースモジュールの間で基板を搬送する第２ロボットが設けられた搬送チャンバーと、を備えることを特徴とする露光前後処理ユニット。
【請求項２７】
前記保護膜塗布チャンバー、前記第１ロボットが設けられた搬送チャンバー、前記ベーキングチャンバーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って順次配置され、
前記洗浄チャンバー、前記第２ロボットの設けられた搬送チャンバー、前記露光後ベーキングチャンバーは、前記第２方向に沿って順次配置されたことを特徴とする請求項２６に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２８】
前記第１モジュールは、前記第２モジュールの上方に配置され、
前記バッファモジュールは、
前記第１モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第１バッファと、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を冷却する冷却チャンバーと、を備え、
前記第１バッファと前記冷却チャンバーとは、上下方向に一列に配置され、
前記第１バッファは、上方から眺めると、前記第１モジュールの搬送チャンバーと前記第１方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項２７に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項２９】
前記バッファモジュールは、
前記第２モジュールと対応する高さに配置されると共に基板を一時保管する第２バッファと、
前記第１バッファ及び前記第２バッファの間で基板を運搬するバッファロボットと、をさらに備え、
前記第１バッファ及び前記バッファロボットは、上方から眺めると、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って配置されることを特徴とする請求項２８に記載の露光前後処理ユニット。
【請求項３０】
基板を処理する方法であって、
基板上にフォトレジストを塗布する工程を行うステップと、
前記フォトレジストの塗布された基板上に保護膜を塗布する工程を行うステップと、
前記保護膜の塗布された基板に対して液浸露光工程を行うステップと、
前記液浸露光の行われた基板を洗浄する工程を行うステップと、
前記基板に対して現像工程を行うステップと、を含み、
前記保護膜を塗布する工程を行うステップと前記洗浄する工程を行うステップとは、前記液浸露光工程を行う露光装置とインラインで接続した露光前後処理ユニットで行われ、
前記フォトレジストを塗布する工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットで行われ、
前記現像工程を行うステップは、前記露光前後処理ユニットと分離されて配置された塗布ユニットにおいて行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項３１】
前記基板を洗浄する工程と前記基板に対して現像工程とを行うステップの間に、前記基板に対して露光後ベーキング工程を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【請求項３２】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を基板に供給して行われ、
前記基板上に残留する洗浄液は、流体の供給による乾燥無しで基板の加熱により除去されることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理方法。
【請求項３３】
前記基板を洗浄する工程は、洗浄液を利用して基板を洗浄し、
前記基板上に残留する洗浄液を除去する工程は、前記基板を洗浄する工程の直後に行われる前記露光後ベーキング工程により行われることを特徴とする請求項３１に記載の基板処理方法。
【請求項３４】
前記保護膜は、前記露光前後処理ユニットの外部で除去されることを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【請求項３５】
前記保護膜の一部は、前記現像工程において除去され、残りの一部は、アッシング工程において除去されることを特徴とする請求項３０に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１４Ｅ】
【図１４Ｆ】
【図１４Ｇ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１４Ｅ】
【図１４Ｆ】
【図１４Ｇ】
【公開番号】特開２０１０−１７７６７２（Ｐ２０１０−１７７６７２Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９５５９（Ｐ２０１０−１９５５９）
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
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