基板処理装置及びその方法
【課題】ワイヤーボンディング工程を効率的に遂行できる基板処理装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、幅が互いに異なる基板を処理する装置において、前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、幅が互いに異なる基板を処理する装置において、前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及びその方法に関し、より詳細には印刷回路基板を処理する基板処理装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは様々な段階のアセンブリ（ａｓｓｅｍｂｌｙ）工程、例えばダイソーイング（ｄｉｅ ｓａｗｉｎｇ）工程、ダイボンディング（ｄｉｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）工程、ワイヤーボンディング工程、モールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）工程、マーキング（ｍａｒｋｉｎｇ）工程等を経て製造される。
【０００３】
これらのアセンブリ工程の中でワイヤーボンディング工程は、半導体チップのパッド（ｐａｄ）とリードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ）のリード（ｌｅａｄ）とをボンディングワイヤーで接続する工程である。
【０００４】
ワイヤーボンディング工程では、様々の半導体装置のパッケージの基板となる印刷回路基板に半導体チップが搭載され、印刷回路基板のリードフレームとの間をボンディングワイヤーで接続する装置で行われるが、多様なサイズの基板が存在し、それぞれの基板に応じて基板搭載部を変更しなければならないといった問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許出願公開第１０−２００２−００３２１８８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の基板処理装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ワイヤーボンディング工程を効率的に遂行できる基板処理装置及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、幅が互いに異なる基板を処理する装置において、前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理方法は、第１基板と、前記第１基板より小さい幅を有する第２基板とを処理する方法において、第１基板処理段階と第２基板処理段階とを有し、前記第１基板処理段階は、フロントレールとリアレールとの間の間隔を前記第１基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第１基板の幅に調節する段階と、前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第１基板を移送させる段階と、ヒーティングブロックを使って前記第１基板を加熱する段階とを含み、前記第２基板処理段階は、前記フロントレールと前記リアレールとの間の間隔を前記第２基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第２基板の幅に調節する段階と、前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第２基板を移送させる段階と、ヒーティングブロックを使って前記第２基板を加熱する段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置及びその方法によれば、１つのヒーティングブロックでサイズが互いに異なる基板を処理できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】図１のフロントレールとヒーティング部とを示す斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿って切断したヒーティング部の断面図である。
【図４】第１基板処理段階を示す平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図６】第２基板処理段階を示す平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
【図８】本発明のその他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
【図１０】図９の基板処理装置を利用して第１基板を処理する工程を示す平面図である。
【図１１】図９の基板処理装置を利用して第２基板を処理する工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明に係る基板処理装置及びその方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
本発明を説明するに際し、関連された公知の構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にし得ると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
図１を参照すると、基板処理装置１０はワイヤーボンディング工程を遂行する。
ワイヤーボンディング工程は、基板Ｂの上に形成されたリードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）のリードＬと半導体チップＣとをボンディングワイヤーで接続する。
【００１３】
基板Ｂは、印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）である。
基板処理装置１０は、レール部１００、ヒーティング部２００、連結部材３００、及びワイヤーボンディング部４００を含む。
【００１４】
レール部１００は、基板Ｂの移動を一方向に案内する。ヒーティング部２００は半導体チップＣとリードＬとが適正温度に予熱されるように基板Ｂを加熱する。連結部材３００はレール部１００とヒーティング部２００とを連結する。ワイヤーボンディング部４００は半導体チップＣとリードＲとをボンディングワイヤーで接続する。
【００１５】
以下、レール部１００に沿って基板Ｂが移動する方向を第１方向Ｘとする。そして、上方から見る時、第１方向Ｘと直交する方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと垂直となる方向を第３方向Ｚとする。
【００１６】
レール部１００は、基板供給源（図示せず）から供給された基板Ｂを第１方向Ｘへ案内する。基板ＢにはリードＬが形成されている。そして、基板Ｂはその上面に半導体チップＣが搭載された状態で供給される。
レール部１００はフロントレール（ｆｒｏｎｔ ｒａｉｌ）１１０、リアレール（ｒｅａｒ ｒａｉｌ）１２０、及びレール駆動部１３０を含む。
【００１７】
フロントレール１１０は、その横方向が第１方向Ｘと並行して配置され、移送される基板Ｂの一側部を支持する。
フロントレール１１０は、第１レール１１１と第１レール支持ブロック１１２とを含む。
第１レール１１１は第１方向Ｘに沿って長さが長い板で提供される。第１レール１１１は基板Ｂの移送経路とほぼ同一の高さに位置し、移送される基板Ｂの一側部を案内する。
第１レール支持ブロック１１２は第１レール１１１の下部に配置され、第１レール１１１を支持する。第１レール支持ブロック１１２は直四角形板で提供され得る。
【００１８】
リアレール１２０は、フロントレール１１０と並行して配置される。
リアレール１２０は第２方向Ｙに沿って所定間隔でフロントレール１１０と離隔される。リアレール１２０は移送される基板Ｂの他側部を支持する。
リアレール１２０は第２レール１２１と第２レール支持ブロック１２２とを含む。
第２レール１２１は第１レール１１１と対応する同様の形状で提供され、第１方向Ｘに沿って配置される。第２レール１２１は基板Ｂの移送経路とほぼ同一の高さに位置し、移送される基板Ｂの他側部を案内する。
【００１９】
第２レール支持ブロック１２２は第２レール１２１の下部に配置され、第２レール１２１を支持する。第２レール支持ブロック１２２は方形板で提供され得る。第２レール支持ブロック１２２には開口１２３が形成される。開口１２３はおおよそ直四角形状を有し、ヒーティングブロック２１０が出入可能である幅を有する。開口１２３は第２レール１２１に隣接して形成される。
【００２０】
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
本実施形態では、レール駆動部１３０は、フロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔は工程処理で提供される基板Ｂの第２方向Ｙ幅に対応する。
【００２１】
例えば、第２方向Ｙに幅が互いに異なる第１基板及び第２基板に対してワイヤーボンディング工程を遂行する場合、フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔は第１間隔と第２間隔との中でいずれか１つに維持され得る。第１間隔は第１基板の幅に対応され、第２間隔は第２基板の幅に対応される。第１間隔は第１基板に対するワイヤーボンディング工程を遂行する場合維持され、第２間隔は第２基板に対するワイヤーボンディング工程を遂行する場合に維持される。
【００２２】
ヒーティング部２００は、基板Ｂを所定温度に加熱する。
ワイヤーボンディング工程は基板Ｂに形成されたリードＬと半導体チップＣとが適正温度に予熱された状態で遂行される。予熱される温度はリードＬと半導体チップＣとの材質にしたがって異なる。一実施形態によれば、リードＬと半導体チップＣとは１５０℃以上２５０℃以下の温度に予熱され得る。
【００２３】
図２は、図１のフロントレールとヒーティング部とを示す斜視図であり、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿って切断したヒーティング部の断面図である。
図２及び図３を参照すると、ヒーティング部２００は、ヒーティングブロック２１０、ヒーティングボディー２２０、クランピング部材２３０、ガイドブロック２４０、及び支持ブロック２５０を含む。
【００２４】
ヒーティングブロック２１０は、直四角形状の板で提供される。
ヒーティングブロック２１０は、第２方向Ｙ幅が図１に示した基板Ｂの幅に対応する。
ヒーティングブロック２１０の上面には複数の真空ホール２１１が形成される。真空ホール２１１は一定の間隔で互いに離隔して均一に形成される。
ヒーティングブロック２１０の底面には第１真空溝２１２が形成される。
【００２５】
本実施形態によれば、第１真空溝２１２は２つ形成され、互いに離隔して配置される。複数の真空ホール２１１は第１真空溝２１２と連結される。
第１真空溝２１２と真空ホール２１１とは同一の圧力で圧力調節される。
ワイヤーボンディング工程で、基板Ｂはヒーティングブロック２１０に置かれる。ヒーティングブロック２１０はヒーティングボディー２２０から伝達された熱を基板Ｂへ提供して基板Ｂを加熱する。
本実施形態によれば、基板Ｂは第１方向Ｘの長さがヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘの長さより長い。基板Ｂはヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘの長さに対応する領域程度に順次的に第１方向Ｘへ移動されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００２６】
ヒーティングボディー２２０は、ヒーティングブロック２１０の下部に配置され、ヒーティングブロック２１０を支持する。
ヒーティングボディー２２０は直六面体形状のブロックで提供され、その横方向が第１方向Ｘと並行して配置される。
ヒーティングボディー２２０はヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘ幅に対応する長さを有する。
【００２７】
ヒーティングボディー２２０の上面一側部には固定突起２２１が形成される。
固定突起２２１は、ヒーティングボディー２２０の上面から上部に突出され、その終端がヒーティングボディー２２０の中心に向かって上向きに傾く。固定突起２２１の終端とヒーティングボディー２２０の上面との間にはヒーティングブロック２１０の一側部が挿入される。固定突起２２１の終端はヒーティングブロック２１０の一側部を押えてヒーティングブロック２１０をヒーティングボディー２２０に結合させる。
【００２８】
ヒーティングボディー２２０の他側にはクランピング部材２３０が固定設置される。
クランピング部材２３０は、ヒーティングボディー２２０に第２方向Ｙへ挿入及び固定されたピン２３１を中心に回転可能するように提供される。
クランピング部材２３０の上端部２３２はヒーティングボディー２２０の上面と並行して形成される。クランピング部材２３０の上端部２３２はヒーティングボディー２２０の上面と所定間隔離隔されてヒーティングボディー２２０の上部に配置される。
【００２９】
クランピング部材２３０の上端部２３２とヒーティングボディー２２０の上面との間の空間には、ヒーティングブロック２１０の他側部が挿入される。
クランピング部材２３０は、ヒーティングブロック２１０の他側部を押さえてヒーティングブロック２１０をヒーティングボディー２２０に結合させる。上述した固定突起２２１及びクランピング部材２３０によってヒーティングブロック２１０はヒーティングボディー２２０に結合される。
【００３０】
ヒーティングボディー２２０の上面には第２真空溝２２２が形成される。
第２真空溝２２２は２つ形成され、第１方向Ｘに沿って互に離隔して配置される。
第２真空溝２２２は、第１真空溝２１２と対応する形状を有し、第１真空溝２１２の位置と対応する位置に形成される。
ヒーティングブロック２１０がヒーティングボディー２２０に固定された状態で、第２真空溝２２２は各々第１真空溝２１２と連結される。第２真空溝２２２は真空ライン２２７に連結される。真空ライン２２６に設置された真空ポンプ（図示せず）の駆動で第１及び第２真空溝２１２、２２２が減圧され、真空ホール２１１が減圧される。真空ホール２１１の減圧によってヒーティングブロック２１０に置かれた基板Ｂはヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着される。
【００３１】
ヒーティングボディー２２０には第１及び第２挿入孔２２３、２２４が形成される。
第１及び第２挿入孔２２３、２２４は、各々ヒーティングボディー２２０の一側面から他側面へ延長される貫通孔である。第１及び第２挿入孔２２３、２２４は第１方向Ｘと並行して形成され、互に離隔して配置される。
【００３２】
第１挿入孔２２３は、第２挿入孔２２４より大きい半径を有する。
第１挿入孔２２３にはヒーター２７１が挿入される。ヒーター２７１は発熱してヒーティングボディー２２０を加熱する。
第２挿入孔２２４にはサーモカップル（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ、図示せず）が挿入される。サーモカップルはヒーティングボディー２２０の温度を測定する。
【００３３】
ヒーティングボディー２２０は、黄銅（ｂｒａｓｓ）材質で提供され得る。
黄銅は他の金属に比べて熱伝導性が優れる。そのため、ヒーター２７１で発生した熱はヒーティングボディー２２０の各領域に均一に伝達されるので、ヒーティングボディー２２０の領域別の温度偏差が補償され得る。
【００３４】
ヒーティングボディー２２０の底面にはガイド溝２２５が形成される。
ガイド溝２２５は第２方向Ｙに沿って形成され、ヒーティングボディー２２０の前方から後方へ延長される。ガイド溝２２５の両側部は上端部から下端部に行くほど、ヒーティングボディー２２０の中心と近づくように傾く。
【００３５】
ガイドブロック２４０はヒーティングボディー２２０の下方に位置する。
ガイドブロック２４０は平面から見る時、方形形状の板で提供される。
ガイドブロック２４０は支持ブロック２５０に固定設置され、第２方向Ｙの移動が制限される。ガイドブロック２４０の上面にはガイド突出部２４１が形成される。
【００３６】
ガイド突出部２４１はガイドブロック２４０の上面中心領域に形成され、ガイドブロック２４０の上面から上方へ突出する。ガイド突出部２４１は第２方向Ｙに沿って形成される。ガイド突出部２４１はガイド溝２２５に対応する形状を有し、ガイド溝２２５へ挿入される。ガイド突出部２４１はヒーティングボディー２２０の第２方向Ｙへの移動を案内する。
【００３７】
連結部材３００は、ヒーティング部２００とフロントレール１１０とを連結する。
連結部材３００は、垂直ガイドレール３１０、垂直移動ブロック３２０、及び連結ロード部３３０を含む。
垂直ガイドレール３１０は、第３方向Ｚに並行して配置され、第１レール支持ブロック１１２の一側面に固定結合される。垂直ガイドレール３１０は一対で提供され、第１方向Ｘに沿って離隔されて並行して配置される。垂直ガイドレール３１０の上端及び下端にはストッパー部３１１が提供される。ストッパー部３１１は垂直移動ブロック３２０が垂直ガイドレール３１０から離脱することを防止する。
【００３８】
垂直移動ブロック３２０は直四角形形状の板で提供され、垂直ガイドレール３１０に連結される。
垂直移動ブロック３２０は一側部が１つの垂直ガイドレール３１０に連結され、他側部が他の１つの垂直ガイドレール３１０に連結される。垂直移動ブロック３２０は垂直ガイドレール３１０に沿って第３方向Ｚへ移動する。
【００３９】
連結ロード部３３０は、垂直移動ブロック３２０とヒーティングボディー２２０とを連結する。
連結ロード部３３０は、その横方向が第２方向Ｙと並行して配置される。連結ロード部３３０は、一端が垂直移動ブロック３２０の側面に固定連結され、他端がヒーティングボディー２２０の一側面に固定連結される一実施形態で、連結ロード部３３０は一対のロードを含むように提供され、第１方向Ｘに沿って離隔して並行して配置される。
【００４０】
上述した連結部材３００の構造によって、フロントレール１１０が第２方向Ｙへ移動する場合、ヒーティングボディー２２０及びヒーティングブロック２１０は、フロントレール１１０と共に第２方向Ｙへ移動する。
この時、ガイドブロック２４０は固定位置され、ヒーティングボディー２２０のみが第２方向Ｙへスライド移動する。そして、垂直移動ブロック３２０が垂直ガイドレール３１０に沿って第３方向Ｚへ移動する場合、ヒーティングブロック２１０、ヒーティングボディー２２０、ガイドブロック２４０、及び支持ブロック２５０は第３方向Ｚへ移動する。
【００４１】
基板Ｂがヒーティング部２００へ移送される過程で、垂直移動ブロック３２０は下降されてヒーティングブロック２１０の上面が基板Ｂの移送経路より低く配置される。これによって、基板Ｂとヒーティングブロック２１０との衝突が予防される。基板Ｂがヒーティングブロック２１０の上部に位置した時、垂直移動ブロック３２０は上昇してヒーティングブロック２１０の上面に基板Ｂが載置かれる。
【００４２】
再び、図１を参照すると、ワイヤーボンディング部４００は，レール部１００の一側に配置される。ワイヤーボンディング部４００は、ヒーティング部２００によって適正温度に予熱されたリードＬと半導体チップＣとをワイヤーで接続する。
【００４３】
以下、上述した基板処理装置を利用して基板を処理する方法を説明する。
ここで述べる基板処理方法は、サイズが互いに異なる第１基板と第２基板とに対するワイヤーボンディング工程を遂行する。
一方向において、第１基板の幅は第２基板の幅より大きい。
基板処理方法は、第１基板を処理する第１基板処理段階と、第２基板を処理する第２基板処理段階とを含む。
第１基板処理段階と第２基板処理段階とは提供される基板のサイズにしたがって選択的に遂行される。
【００４４】
図４は、第１基板処理段階を示す平面図であり、図５は図４のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
図４及び図５を参照すると、ワイヤーボンディング工程で第１基板Ｂ１が提供される。
第１基板Ｂ１は、第２方向Ｙに第１幅Ｗ１を有する。
【００４５】
第１基板Ｂ１が移送される前、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
本実施形態によれば、レール駆動部１３０はフロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
第１間隔Ｇ１は、第１幅Ｗ１に対応する。
【００４６】
第１間隔Ｇ１を有してフロントレール１１０とリアレール１２０とはヒーティングブロック２１０の両側に各々位置する。
フロントレール１１０とリアレール１２０とが第１間隔Ｇ１に維持された状態で、第１基板Ｂ１はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送される。
この時、ヒーティングブロック２１０は、その上面が第１基板Ｂ１移送経路の下方に位置する。第１基板Ｂ１の一部領域がヒーティングブロック２１０の上部に位置した時、ヒーティングブロック２１０を上昇させて基板Ｂ１を支持する。
真空ポンプの駆動によって真空ホール２１１が減圧されて第１基板Ｂ１はヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着される。
【００４７】
ヒーター（図３の符号２７１）で発生した熱によってヒーティングボディー２２０が加熱され、ヒーティングボディー２２０の熱がヒーティングブロック２１０へ伝達されて第１基板Ｂ１が加熱される。
第１基板Ｂ１のリードＬと半導体チップＣとが所定温度に維持されれば、ワイヤーボンディング部４００はリードＬと半導体チップＣとをワイヤーＷで接続する。
ヒーティングブロック２１０に支持された第１基板Ｂ１領域のワイヤーボンディング工程が完了すれば、第１基板Ｂ１は第１方向Ｘへ所定距離移動する。以後、ワイヤーボンディング工程が遂行されない第１基板Ｂ１領域に対する工程が遂行される。
【００４８】
図６は、第２基板処理段階を示す平面図である。
図６を参照すると、ワイヤーボンディング工程に第２基板Ｂ２が提供される。
第２基板Ｂ２は、第２方向Ｙへ第２幅Ｗ２を有する。
第２基板Ｂ２が供給される前、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。
第２間隔Ｇ２は第２幅Ｗ２に対応する。レール駆動部１３０はフロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。
【００４９】
フロントレール１１０の移動によって、ヒーティングボディー２２０とヒーティングブロック２１０とが共に第２方向Ｙへ移動する。ヒーティングボディー２２０はガイドブロック（図５の符号２４０）に沿ってスライド移動する。
第２間隔Ｇ２はヒーティングブロック２１０の第２方向Ｙの幅より小さい。そのため、ヒーティングブロック２１０の一側は第２レール支持ブロック（図１の符号１２２）の開口（図１の符号１２３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。
【００５０】
リアレール１２０は、上方から見る時、ヒーティングブロック２１０の一部領域と重畳する地点に位置する。
第２基板Ｂ２は、フロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送される。第２基板Ｂ２はフロントレール１１０とリアレール１２０との間に位置されるヒーティングブロック２１０の領域にて支持される。第２基板Ｂ２はヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着され、ヒーティングブロック２１０によって加熱される。以後、ワイヤーボンディング工程が遂行されてリードと半導体チップとがワイヤーに接続される。
【００５１】
上述した基板処理工程のように、本発明のヒーティングブロック２１０は、ワイヤーボンディング工程に提供される基板Ｂ１、Ｂ２が、サイズが相違しても基板Ｂ１、Ｂ２を加熱できる。そのため、基板Ｂ１、Ｂ２でのサイズ変更に伴うヒーティングブロック２１０交替が要求されない。
【００５２】
図７は、本発明の他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
図７を参照すると、ガイド溝２２５を形成するヒーティングボディー２２０の底面には第１突起２２０ａ及び第２突起２２０ｂが形成される。
【００５３】
第１突起２２０ａは、ガイド溝２２５の両側の下端からヒーティングボディー２２０の中心方向へ突出され、ヒーティングボディー２２０の上面と並行するよう配置される。
第２突起２２０ｂは、ヒーティングボディー２２０の中心領域で垂直方向に突出され、ガイド溝２２５の内に配置される。第２突起２２０ｂは一対で提供され、互に離隔して並行して配置される。ガイドブロック２４０のガイド突出部２４１はガイド溝２２５に対応する形状で提供される。
【００５４】
図８は、本発明のその他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
図８を参照すると、ガイド溝２２５の一側部は「＜」形状に提供され、他側部は「＞」形状に提供される。
ガイド突出部２４１は、ガイド溝２２５に対応する形状を有する。
ガイド溝２２５を形成するヒーティングボディー２２０の内側面とガイド突出部２４１の外側面との間にはＶレール５００が提供される。Ｖレール５００はヒーティングボディー２２０がなめらかにガイド突出部２４１に沿って移動するようにヒーティングボディー２２０の移動を助ける。
【００５５】
図９は、本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
図９を参照すると、フロントレール１１０には第１開口１１３が形成される。
第１開口１１３は第１レール支持ブロック１１２に形成される。第１開口１１３はほぼ直四角形形状を有し、ヒーティングブロック２１０が出入可能である幅を有する。第１開口１１３は第１レール１１１に隣接して形成される。
リアレール１２０には第２開口１２３が形成される。
第２開口１２３は第２レール支持ブロック１２２に形成される。第２開口１２３は第１開口１１３に対応する形状を有する。第２開口１２３は第１開口１１３と対向して配置される。
【００５６】
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを同時に第２方向Ｙへ移動させ得る。
ヒーティングブロック２１０は、ヒーティングボディー２２０に固定支持され、ヒーティングボディー２２０は支持ブロック２５０に固定支持される。ヒーティングボディー２２０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間の中間領域に位置する。
【００５７】
図１０は、図９の基板処理装置を利用して第１基板を処理する工程を示す平面図である。
図１０を参照すると、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。第１間隔Ｇ１は第１基板Ｂ１の幅Ｗ１に対応する。第１基板Ｂ１はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００５８】
図１１は、図９の基板処理装置を利用して第２基板を処理する工程を示す平面図である。
図１１を参照すると、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。第２間隔Ｇ２は第２基板Ｂ２の幅Ｗ２に対応する。
第２間隔Ｇ２はヒーティングブロック２１０の第２方向Ｙの幅より小さい。
【００５９】
ヒーティングブロック２１０の一側は第１開口（図９の符号１１３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。そして、ヒーティングブロック２１０の他側も第２開口（図９の１２３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。フロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間には第２間隔Ｇ２に対応するヒーティングブロック２１０領域が位置する。第２基板Ｂ２はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００６０】
上述した実施形態で説明したように、フロントレール１１０とリアレール１２０との移動にフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間に位置するヒーティングブロック２１０の幅が調節され得る。
これによって、サイズが互いに異なる基板Ｂ１、Ｂ２は１つのヒーティングブロック２１０で工程処理され得る。
【００６１】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０ 基板処理装置
１００ レール部
１１０ フロントレール
１１１ 第１レール
１１２ 第１レール支持ブロック
１１３ 第１開口
１２０ リアレール
１２１ 第２レール
１２２ 第２レール支持ブロック
１２３ 第２開口
１３０ レール駆動部
２００ ヒーティング部
２１０ ヒーティングブロック
２１１ 真空ホール
２１２ 第１真空溝
２２０ ヒーティングボディー
２２１ 固定突起
２２２ 第２真空溝
２２３ 第１挿入孔
２２４ 第２挿入孔
２２５ ガイド溝
２２６、２２７ 真空ライン
２３０ クランピング部材
２３１ ピン
２４０ ガイドブロック
２４１ ガイド突出部
２５０ 支持ブロック
２７１ ヒーター
３００ 連結部材
３１０ 垂直ガイドレール
３１１ ストッパー部
３２０ 垂直移動ブロック
３３０ 連結ロード部
４００ ワイヤーボンディング部
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及びその方法に関し、より詳細には印刷回路基板を処理する基板処理装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは様々な段階のアセンブリ（ａｓｓｅｍｂｌｙ）工程、例えばダイソーイング（ｄｉｅ ｓａｗｉｎｇ）工程、ダイボンディング（ｄｉｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）工程、ワイヤーボンディング工程、モールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）工程、マーキング（ｍａｒｋｉｎｇ）工程等を経て製造される。
【０００３】
これらのアセンブリ工程の中でワイヤーボンディング工程は、半導体チップのパッド（ｐａｄ）とリードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ）のリード（ｌｅａｄ）とをボンディングワイヤーで接続する工程である。
【０００４】
ワイヤーボンディング工程では、様々の半導体装置のパッケージの基板となる印刷回路基板に半導体チップが搭載され、印刷回路基板のリードフレームとの間をボンディングワイヤーで接続する装置で行われるが、多様なサイズの基板が存在し、それぞれの基板に応じて基板搭載部を変更しなければならないといった問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許出願公開第１０−２００２−００３２１８８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の基板処理装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ワイヤーボンディング工程を効率的に遂行できる基板処理装置及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、幅が互いに異なる基板を処理する装置において、前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理方法は、第１基板と、前記第１基板より小さい幅を有する第２基板とを処理する方法において、第１基板処理段階と第２基板処理段階とを有し、前記第１基板処理段階は、フロントレールとリアレールとの間の間隔を前記第１基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第１基板の幅に調節する段階と、前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第１基板を移送させる段階と、ヒーティングブロックを使って前記第１基板を加熱する段階とを含み、前記第２基板処理段階は、前記フロントレールと前記リアレールとの間の間隔を前記第２基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第２基板の幅に調節する段階と、前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第２基板を移送させる段階と、ヒーティングブロックを使って前記第２基板を加熱する段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置及びその方法によれば、１つのヒーティングブロックでサイズが互いに異なる基板を処理できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】図１のフロントレールとヒーティング部とを示す斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿って切断したヒーティング部の断面図である。
【図４】第１基板処理段階を示す平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図６】第２基板処理段階を示す平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
【図８】本発明のその他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
【図１０】図９の基板処理装置を利用して第１基板を処理する工程を示す平面図である。
【図１１】図９の基板処理装置を利用して第２基板を処理する工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明に係る基板処理装置及びその方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
本発明を説明するに際し、関連された公知の構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にし得ると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
図１を参照すると、基板処理装置１０はワイヤーボンディング工程を遂行する。
ワイヤーボンディング工程は、基板Ｂの上に形成されたリードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）のリードＬと半導体チップＣとをボンディングワイヤーで接続する。
【００１３】
基板Ｂは、印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）である。
基板処理装置１０は、レール部１００、ヒーティング部２００、連結部材３００、及びワイヤーボンディング部４００を含む。
【００１４】
レール部１００は、基板Ｂの移動を一方向に案内する。ヒーティング部２００は半導体チップＣとリードＬとが適正温度に予熱されるように基板Ｂを加熱する。連結部材３００はレール部１００とヒーティング部２００とを連結する。ワイヤーボンディング部４００は半導体チップＣとリードＲとをボンディングワイヤーで接続する。
【００１５】
以下、レール部１００に沿って基板Ｂが移動する方向を第１方向Ｘとする。そして、上方から見る時、第１方向Ｘと直交する方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと垂直となる方向を第３方向Ｚとする。
【００１６】
レール部１００は、基板供給源（図示せず）から供給された基板Ｂを第１方向Ｘへ案内する。基板ＢにはリードＬが形成されている。そして、基板Ｂはその上面に半導体チップＣが搭載された状態で供給される。
レール部１００はフロントレール（ｆｒｏｎｔ ｒａｉｌ）１１０、リアレール（ｒｅａｒ ｒａｉｌ）１２０、及びレール駆動部１３０を含む。
【００１７】
フロントレール１１０は、その横方向が第１方向Ｘと並行して配置され、移送される基板Ｂの一側部を支持する。
フロントレール１１０は、第１レール１１１と第１レール支持ブロック１１２とを含む。
第１レール１１１は第１方向Ｘに沿って長さが長い板で提供される。第１レール１１１は基板Ｂの移送経路とほぼ同一の高さに位置し、移送される基板Ｂの一側部を案内する。
第１レール支持ブロック１１２は第１レール１１１の下部に配置され、第１レール１１１を支持する。第１レール支持ブロック１１２は直四角形板で提供され得る。
【００１８】
リアレール１２０は、フロントレール１１０と並行して配置される。
リアレール１２０は第２方向Ｙに沿って所定間隔でフロントレール１１０と離隔される。リアレール１２０は移送される基板Ｂの他側部を支持する。
リアレール１２０は第２レール１２１と第２レール支持ブロック１２２とを含む。
第２レール１２１は第１レール１１１と対応する同様の形状で提供され、第１方向Ｘに沿って配置される。第２レール１２１は基板Ｂの移送経路とほぼ同一の高さに位置し、移送される基板Ｂの他側部を案内する。
【００１９】
第２レール支持ブロック１２２は第２レール１２１の下部に配置され、第２レール１２１を支持する。第２レール支持ブロック１２２は方形板で提供され得る。第２レール支持ブロック１２２には開口１２３が形成される。開口１２３はおおよそ直四角形状を有し、ヒーティングブロック２１０が出入可能である幅を有する。開口１２３は第２レール１２１に隣接して形成される。
【００２０】
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
本実施形態では、レール駆動部１３０は、フロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。
フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔は工程処理で提供される基板Ｂの第２方向Ｙ幅に対応する。
【００２１】
例えば、第２方向Ｙに幅が互いに異なる第１基板及び第２基板に対してワイヤーボンディング工程を遂行する場合、フロントレール１１０とリアレール１２０との間隔は第１間隔と第２間隔との中でいずれか１つに維持され得る。第１間隔は第１基板の幅に対応され、第２間隔は第２基板の幅に対応される。第１間隔は第１基板に対するワイヤーボンディング工程を遂行する場合維持され、第２間隔は第２基板に対するワイヤーボンディング工程を遂行する場合に維持される。
【００２２】
ヒーティング部２００は、基板Ｂを所定温度に加熱する。
ワイヤーボンディング工程は基板Ｂに形成されたリードＬと半導体チップＣとが適正温度に予熱された状態で遂行される。予熱される温度はリードＬと半導体チップＣとの材質にしたがって異なる。一実施形態によれば、リードＬと半導体チップＣとは１５０℃以上２５０℃以下の温度に予熱され得る。
【００２３】
図２は、図１のフロントレールとヒーティング部とを示す斜視図であり、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿って切断したヒーティング部の断面図である。
図２及び図３を参照すると、ヒーティング部２００は、ヒーティングブロック２１０、ヒーティングボディー２２０、クランピング部材２３０、ガイドブロック２４０、及び支持ブロック２５０を含む。
【００２４】
ヒーティングブロック２１０は、直四角形状の板で提供される。
ヒーティングブロック２１０は、第２方向Ｙ幅が図１に示した基板Ｂの幅に対応する。
ヒーティングブロック２１０の上面には複数の真空ホール２１１が形成される。真空ホール２１１は一定の間隔で互いに離隔して均一に形成される。
ヒーティングブロック２１０の底面には第１真空溝２１２が形成される。
【００２５】
本実施形態によれば、第１真空溝２１２は２つ形成され、互いに離隔して配置される。複数の真空ホール２１１は第１真空溝２１２と連結される。
第１真空溝２１２と真空ホール２１１とは同一の圧力で圧力調節される。
ワイヤーボンディング工程で、基板Ｂはヒーティングブロック２１０に置かれる。ヒーティングブロック２１０はヒーティングボディー２２０から伝達された熱を基板Ｂへ提供して基板Ｂを加熱する。
本実施形態によれば、基板Ｂは第１方向Ｘの長さがヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘの長さより長い。基板Ｂはヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘの長さに対応する領域程度に順次的に第１方向Ｘへ移動されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００２６】
ヒーティングボディー２２０は、ヒーティングブロック２１０の下部に配置され、ヒーティングブロック２１０を支持する。
ヒーティングボディー２２０は直六面体形状のブロックで提供され、その横方向が第１方向Ｘと並行して配置される。
ヒーティングボディー２２０はヒーティングブロック２１０の第１方向Ｘ幅に対応する長さを有する。
【００２７】
ヒーティングボディー２２０の上面一側部には固定突起２２１が形成される。
固定突起２２１は、ヒーティングボディー２２０の上面から上部に突出され、その終端がヒーティングボディー２２０の中心に向かって上向きに傾く。固定突起２２１の終端とヒーティングボディー２２０の上面との間にはヒーティングブロック２１０の一側部が挿入される。固定突起２２１の終端はヒーティングブロック２１０の一側部を押えてヒーティングブロック２１０をヒーティングボディー２２０に結合させる。
【００２８】
ヒーティングボディー２２０の他側にはクランピング部材２３０が固定設置される。
クランピング部材２３０は、ヒーティングボディー２２０に第２方向Ｙへ挿入及び固定されたピン２３１を中心に回転可能するように提供される。
クランピング部材２３０の上端部２３２はヒーティングボディー２２０の上面と並行して形成される。クランピング部材２３０の上端部２３２はヒーティングボディー２２０の上面と所定間隔離隔されてヒーティングボディー２２０の上部に配置される。
【００２９】
クランピング部材２３０の上端部２３２とヒーティングボディー２２０の上面との間の空間には、ヒーティングブロック２１０の他側部が挿入される。
クランピング部材２３０は、ヒーティングブロック２１０の他側部を押さえてヒーティングブロック２１０をヒーティングボディー２２０に結合させる。上述した固定突起２２１及びクランピング部材２３０によってヒーティングブロック２１０はヒーティングボディー２２０に結合される。
【００３０】
ヒーティングボディー２２０の上面には第２真空溝２２２が形成される。
第２真空溝２２２は２つ形成され、第１方向Ｘに沿って互に離隔して配置される。
第２真空溝２２２は、第１真空溝２１２と対応する形状を有し、第１真空溝２１２の位置と対応する位置に形成される。
ヒーティングブロック２１０がヒーティングボディー２２０に固定された状態で、第２真空溝２２２は各々第１真空溝２１２と連結される。第２真空溝２２２は真空ライン２２７に連結される。真空ライン２２６に設置された真空ポンプ（図示せず）の駆動で第１及び第２真空溝２１２、２２２が減圧され、真空ホール２１１が減圧される。真空ホール２１１の減圧によってヒーティングブロック２１０に置かれた基板Ｂはヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着される。
【００３１】
ヒーティングボディー２２０には第１及び第２挿入孔２２３、２２４が形成される。
第１及び第２挿入孔２２３、２２４は、各々ヒーティングボディー２２０の一側面から他側面へ延長される貫通孔である。第１及び第２挿入孔２２３、２２４は第１方向Ｘと並行して形成され、互に離隔して配置される。
【００３２】
第１挿入孔２２３は、第２挿入孔２２４より大きい半径を有する。
第１挿入孔２２３にはヒーター２７１が挿入される。ヒーター２７１は発熱してヒーティングボディー２２０を加熱する。
第２挿入孔２２４にはサーモカップル（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ、図示せず）が挿入される。サーモカップルはヒーティングボディー２２０の温度を測定する。
【００３３】
ヒーティングボディー２２０は、黄銅（ｂｒａｓｓ）材質で提供され得る。
黄銅は他の金属に比べて熱伝導性が優れる。そのため、ヒーター２７１で発生した熱はヒーティングボディー２２０の各領域に均一に伝達されるので、ヒーティングボディー２２０の領域別の温度偏差が補償され得る。
【００３４】
ヒーティングボディー２２０の底面にはガイド溝２２５が形成される。
ガイド溝２２５は第２方向Ｙに沿って形成され、ヒーティングボディー２２０の前方から後方へ延長される。ガイド溝２２５の両側部は上端部から下端部に行くほど、ヒーティングボディー２２０の中心と近づくように傾く。
【００３５】
ガイドブロック２４０はヒーティングボディー２２０の下方に位置する。
ガイドブロック２４０は平面から見る時、方形形状の板で提供される。
ガイドブロック２４０は支持ブロック２５０に固定設置され、第２方向Ｙの移動が制限される。ガイドブロック２４０の上面にはガイド突出部２４１が形成される。
【００３６】
ガイド突出部２４１はガイドブロック２４０の上面中心領域に形成され、ガイドブロック２４０の上面から上方へ突出する。ガイド突出部２４１は第２方向Ｙに沿って形成される。ガイド突出部２４１はガイド溝２２５に対応する形状を有し、ガイド溝２２５へ挿入される。ガイド突出部２４１はヒーティングボディー２２０の第２方向Ｙへの移動を案内する。
【００３７】
連結部材３００は、ヒーティング部２００とフロントレール１１０とを連結する。
連結部材３００は、垂直ガイドレール３１０、垂直移動ブロック３２０、及び連結ロード部３３０を含む。
垂直ガイドレール３１０は、第３方向Ｚに並行して配置され、第１レール支持ブロック１１２の一側面に固定結合される。垂直ガイドレール３１０は一対で提供され、第１方向Ｘに沿って離隔されて並行して配置される。垂直ガイドレール３１０の上端及び下端にはストッパー部３１１が提供される。ストッパー部３１１は垂直移動ブロック３２０が垂直ガイドレール３１０から離脱することを防止する。
【００３８】
垂直移動ブロック３２０は直四角形形状の板で提供され、垂直ガイドレール３１０に連結される。
垂直移動ブロック３２０は一側部が１つの垂直ガイドレール３１０に連結され、他側部が他の１つの垂直ガイドレール３１０に連結される。垂直移動ブロック３２０は垂直ガイドレール３１０に沿って第３方向Ｚへ移動する。
【００３９】
連結ロード部３３０は、垂直移動ブロック３２０とヒーティングボディー２２０とを連結する。
連結ロード部３３０は、その横方向が第２方向Ｙと並行して配置される。連結ロード部３３０は、一端が垂直移動ブロック３２０の側面に固定連結され、他端がヒーティングボディー２２０の一側面に固定連結される一実施形態で、連結ロード部３３０は一対のロードを含むように提供され、第１方向Ｘに沿って離隔して並行して配置される。
【００４０】
上述した連結部材３００の構造によって、フロントレール１１０が第２方向Ｙへ移動する場合、ヒーティングボディー２２０及びヒーティングブロック２１０は、フロントレール１１０と共に第２方向Ｙへ移動する。
この時、ガイドブロック２４０は固定位置され、ヒーティングボディー２２０のみが第２方向Ｙへスライド移動する。そして、垂直移動ブロック３２０が垂直ガイドレール３１０に沿って第３方向Ｚへ移動する場合、ヒーティングブロック２１０、ヒーティングボディー２２０、ガイドブロック２４０、及び支持ブロック２５０は第３方向Ｚへ移動する。
【００４１】
基板Ｂがヒーティング部２００へ移送される過程で、垂直移動ブロック３２０は下降されてヒーティングブロック２１０の上面が基板Ｂの移送経路より低く配置される。これによって、基板Ｂとヒーティングブロック２１０との衝突が予防される。基板Ｂがヒーティングブロック２１０の上部に位置した時、垂直移動ブロック３２０は上昇してヒーティングブロック２１０の上面に基板Ｂが載置かれる。
【００４２】
再び、図１を参照すると、ワイヤーボンディング部４００は，レール部１００の一側に配置される。ワイヤーボンディング部４００は、ヒーティング部２００によって適正温度に予熱されたリードＬと半導体チップＣとをワイヤーで接続する。
【００４３】
以下、上述した基板処理装置を利用して基板を処理する方法を説明する。
ここで述べる基板処理方法は、サイズが互いに異なる第１基板と第２基板とに対するワイヤーボンディング工程を遂行する。
一方向において、第１基板の幅は第２基板の幅より大きい。
基板処理方法は、第１基板を処理する第１基板処理段階と、第２基板を処理する第２基板処理段階とを含む。
第１基板処理段階と第２基板処理段階とは提供される基板のサイズにしたがって選択的に遂行される。
【００４４】
図４は、第１基板処理段階を示す平面図であり、図５は図４のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
図４及び図５を参照すると、ワイヤーボンディング工程で第１基板Ｂ１が提供される。
第１基板Ｂ１は、第２方向Ｙに第１幅Ｗ１を有する。
【００４５】
第１基板Ｂ１が移送される前、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
本実施形態によれば、レール駆動部１３０はフロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。
第１間隔Ｇ１は、第１幅Ｗ１に対応する。
【００４６】
第１間隔Ｇ１を有してフロントレール１１０とリアレール１２０とはヒーティングブロック２１０の両側に各々位置する。
フロントレール１１０とリアレール１２０とが第１間隔Ｇ１に維持された状態で、第１基板Ｂ１はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送される。
この時、ヒーティングブロック２１０は、その上面が第１基板Ｂ１移送経路の下方に位置する。第１基板Ｂ１の一部領域がヒーティングブロック２１０の上部に位置した時、ヒーティングブロック２１０を上昇させて基板Ｂ１を支持する。
真空ポンプの駆動によって真空ホール２１１が減圧されて第１基板Ｂ１はヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着される。
【００４７】
ヒーター（図３の符号２７１）で発生した熱によってヒーティングボディー２２０が加熱され、ヒーティングボディー２２０の熱がヒーティングブロック２１０へ伝達されて第１基板Ｂ１が加熱される。
第１基板Ｂ１のリードＬと半導体チップＣとが所定温度に維持されれば、ワイヤーボンディング部４００はリードＬと半導体チップＣとをワイヤーＷで接続する。
ヒーティングブロック２１０に支持された第１基板Ｂ１領域のワイヤーボンディング工程が完了すれば、第１基板Ｂ１は第１方向Ｘへ所定距離移動する。以後、ワイヤーボンディング工程が遂行されない第１基板Ｂ１領域に対する工程が遂行される。
【００４８】
図６は、第２基板処理段階を示す平面図である。
図６を参照すると、ワイヤーボンディング工程に第２基板Ｂ２が提供される。
第２基板Ｂ２は、第２方向Ｙへ第２幅Ｗ２を有する。
第２基板Ｂ２が供給される前、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。
第２間隔Ｇ２は第２幅Ｗ２に対応する。レール駆動部１３０はフロントレール１１０を第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。
【００４９】
フロントレール１１０の移動によって、ヒーティングボディー２２０とヒーティングブロック２１０とが共に第２方向Ｙへ移動する。ヒーティングボディー２２０はガイドブロック（図５の符号２４０）に沿ってスライド移動する。
第２間隔Ｇ２はヒーティングブロック２１０の第２方向Ｙの幅より小さい。そのため、ヒーティングブロック２１０の一側は第２レール支持ブロック（図１の符号１２２）の開口（図１の符号１２３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。
【００５０】
リアレール１２０は、上方から見る時、ヒーティングブロック２１０の一部領域と重畳する地点に位置する。
第２基板Ｂ２は、フロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送される。第２基板Ｂ２はフロントレール１１０とリアレール１２０との間に位置されるヒーティングブロック２１０の領域にて支持される。第２基板Ｂ２はヒーティングブロック２１０の上面に真空吸着され、ヒーティングブロック２１０によって加熱される。以後、ワイヤーボンディング工程が遂行されてリードと半導体チップとがワイヤーに接続される。
【００５１】
上述した基板処理工程のように、本発明のヒーティングブロック２１０は、ワイヤーボンディング工程に提供される基板Ｂ１、Ｂ２が、サイズが相違しても基板Ｂ１、Ｂ２を加熱できる。そのため、基板Ｂ１、Ｂ２でのサイズ変更に伴うヒーティングブロック２１０交替が要求されない。
【００５２】
図７は、本発明の他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
図７を参照すると、ガイド溝２２５を形成するヒーティングボディー２２０の底面には第１突起２２０ａ及び第２突起２２０ｂが形成される。
【００５３】
第１突起２２０ａは、ガイド溝２２５の両側の下端からヒーティングボディー２２０の中心方向へ突出され、ヒーティングボディー２２０の上面と並行するよう配置される。
第２突起２２０ｂは、ヒーティングボディー２２０の中心領域で垂直方向に突出され、ガイド溝２２５の内に配置される。第２突起２２０ｂは一対で提供され、互に離隔して並行して配置される。ガイドブロック２４０のガイド突出部２４１はガイド溝２２５に対応する形状で提供される。
【００５４】
図８は、本発明のその他の実施形態によるヒーティングボディーとガイドブロックとが結合された形態を示す断面図である。
図８を参照すると、ガイド溝２２５の一側部は「＜」形状に提供され、他側部は「＞」形状に提供される。
ガイド突出部２４１は、ガイド溝２２５に対応する形状を有する。
ガイド溝２２５を形成するヒーティングボディー２２０の内側面とガイド突出部２４１の外側面との間にはＶレール５００が提供される。Ｖレール５００はヒーティングボディー２２０がなめらかにガイド突出部２４１に沿って移動するようにヒーティングボディー２２０の移動を助ける。
【００５５】
図９は、本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す斜視図である。
図９を参照すると、フロントレール１１０には第１開口１１３が形成される。
第１開口１１３は第１レール支持ブロック１１２に形成される。第１開口１１３はほぼ直四角形形状を有し、ヒーティングブロック２１０が出入可能である幅を有する。第１開口１１３は第１レール１１１に隣接して形成される。
リアレール１２０には第２開口１２３が形成される。
第２開口１２３は第２レール支持ブロック１２２に形成される。第２開口１２３は第１開口１１３に対応する形状を有する。第２開口１２３は第１開口１１３と対向して配置される。
【００５６】
レール駆動部１３０は、フロントレール１１０とリアレール１２０との内の少なくともいずれか１つを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を調節する。レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを同時に第２方向Ｙへ移動させ得る。
ヒーティングブロック２１０は、ヒーティングボディー２２０に固定支持され、ヒーティングボディー２２０は支持ブロック２５０に固定支持される。ヒーティングボディー２２０はフロントレール１１０とリアレール１２０との間の中間領域に位置する。
【００５７】
図１０は、図９の基板処理装置を利用して第１基板を処理する工程を示す平面図である。
図１０を参照すると、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第１間隔Ｇ１に調節する。第１間隔Ｇ１は第１基板Ｂ１の幅Ｗ１に対応する。第１基板Ｂ１はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００５８】
図１１は、図９の基板処理装置を利用して第２基板を処理する工程を示す平面図である。
図１１を参照すると、レール駆動部１３０はフロントレール１１０とリアレール１２０とを第２方向Ｙへ移動させてフロントレール１１０とリアレール１２０との間隔を第２間隔Ｇ２に調節する。第２間隔Ｇ２は第２基板Ｂ２の幅Ｗ２に対応する。
第２間隔Ｇ２はヒーティングブロック２１０の第２方向Ｙの幅より小さい。
【００５９】
ヒーティングブロック２１０の一側は第１開口（図９の符号１１３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。そして、ヒーティングブロック２１０の他側も第２開口（図９の１２３）から突き出てフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間の外側に位置する。フロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間には第２間隔Ｇ２に対応するヒーティングブロック２１０領域が位置する。第２基板Ｂ２はフロントレール１１０とリアレール１２０とに沿って第１方向Ｘへ移送されてワイヤーボンディング工程に提供される。
【００６０】
上述した実施形態で説明したように、フロントレール１１０とリアレール１２０との移動にフロントレール１１０とリアレール１２０との間の空間に位置するヒーティングブロック２１０の幅が調節され得る。
これによって、サイズが互いに異なる基板Ｂ１、Ｂ２は１つのヒーティングブロック２１０で工程処理され得る。
【００６１】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０ 基板処理装置
１００ レール部
１１０ フロントレール
１１１ 第１レール
１１２ 第１レール支持ブロック
１１３ 第１開口
１２０ リアレール
１２１ 第２レール
１２２ 第２レール支持ブロック
１２３ 第２開口
１３０ レール駆動部
２００ ヒーティング部
２１０ ヒーティングブロック
２１１ 真空ホール
２１２ 第１真空溝
２２０ ヒーティングボディー
２２１ 固定突起
２２２ 第２真空溝
２２３ 第１挿入孔
２２４ 第２挿入孔
２２５ ガイド溝
２２６、２２７ 真空ライン
２３０ クランピング部材
２３１ ピン
２４０ ガイドブロック
２４１ ガイド突出部
２５０ 支持ブロック
２７１ ヒーター
３００ 連結部材
３１０ 垂直ガイドレール
３１１ ストッパー部
３２０ 垂直移動ブロック
３３０ 連結ロード部
４００ ワイヤーボンディング部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幅が互いに異なる基板を処理する装置において、
前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、
前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、
前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、
前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ヒーティング部と前記フロントレールとを固定連結させる連結部材をさらに有し、
前記ヒーティング部は、前記フロントレールと共に移動することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記レール駆動部は、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を第１間隔又は前記第１間隔より小さい第２間隔に維持させ、
前記リアレールは、前記第１間隔では前記ヒーティングブロックの他側に配置され、前記第２間隔では装置上方から見た場合、前記ヒーティングブロックの一部領域と重畳する地点に配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記リアレールは、前記基板と同一高さに配置されるレールと、
前記レールの下部で前記レールを支持し、開口が形成されたレール支持ブロックとを含み、
前記フロントレールの移動にしたがって前記ヒーティングブロックは前記開口を出入することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ヒーティング部は、前記ヒーティングブロックの下部に配置され、水平方向移動が制限された支持ブロックと、
前記ヒーティングブロックと前記支持ブロックとの間で前記ヒーティングブロックを支持及び加熱し、水平方向移動が可能となるように前記支持ブロックに結合されるヒーティングボディーとをさらに含み、
前記連結部材は、前記ヒーティングボディーと前記フロントレールとを連結することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持ブロックの上面にはガイド突出部が形成され、
前記ヒーティングボディーの底面には前記ガイド突出部が挿入されるガイド溝が形成され、
前記ヒーティングボディーは前記ガイド突出部に沿ってスライド移動することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ヒーティングボディーの材質は、黄銅（ｂｒａｓｓ）であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
第１基板と、前記第１基板より小さい幅を有する第２基板とを処理する方法において、
第１基板処理段階と第２基板処理段階とを有し、
前記第１基板処理段階は、
フロントレールとリアレールとの間の間隔を前記第１基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第１基板の幅に調節する段階と、
前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第１基板を移送させる段階と、
ヒーティングブロックを使って前記第１基板を加熱する段階とを含み、
前記第２基板処理段階は、
前記フロントレールと前記リアレールとの間の間隔を前記第２基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第２基板の幅に調節する段階と、
前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第２基板を移送させる段階と、
ヒーティングブロックを使って前記第２基板を加熱する段階とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記第１基板処理段階で、前記フロントレールと前記リアレールとは前記ヒーティングブロックの両側に各々配置され、
前記第２基板処理段階で、前記フロントレールと前記リアレールの内の少なくともいずれか１つは、上方から見た場合、前記ヒーティングブロックの一部領域と重畳する地点に配置されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記フロントレールと前記リアレールとの間隔は、前記フロントレールの移動によって調節され、
前記ヒーティングブロックは前記フロントレールと共に移動することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１】
幅が互いに異なる基板を処理する装置において、
前記基板が置かれるヒーティングブロックを有し、前記基板を加熱するヒーティング部と、
前記ヒーティングブロックの一側に配置され、前記基板の一側部を支持するフロントレールと、
前記ヒーティングブロックの一側と対向する他側に、前記フロントレールと並行して配置され、前記基板の他側部を支持するリアレールと、
前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を前記基板の幅に対応するように前記フロントレールを移動させるレール駆動部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ヒーティング部と前記フロントレールとを固定連結させる連結部材をさらに有し、
前記ヒーティング部は、前記フロントレールと共に移動することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記レール駆動部は、前記フロントレールと前記リアレールとの間隔を第１間隔又は前記第１間隔より小さい第２間隔に維持させ、
前記リアレールは、前記第１間隔では前記ヒーティングブロックの他側に配置され、前記第２間隔では装置上方から見た場合、前記ヒーティングブロックの一部領域と重畳する地点に配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記リアレールは、前記基板と同一高さに配置されるレールと、
前記レールの下部で前記レールを支持し、開口が形成されたレール支持ブロックとを含み、
前記フロントレールの移動にしたがって前記ヒーティングブロックは前記開口を出入することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ヒーティング部は、前記ヒーティングブロックの下部に配置され、水平方向移動が制限された支持ブロックと、
前記ヒーティングブロックと前記支持ブロックとの間で前記ヒーティングブロックを支持及び加熱し、水平方向移動が可能となるように前記支持ブロックに結合されるヒーティングボディーとをさらに含み、
前記連結部材は、前記ヒーティングボディーと前記フロントレールとを連結することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持ブロックの上面にはガイド突出部が形成され、
前記ヒーティングボディーの底面には前記ガイド突出部が挿入されるガイド溝が形成され、
前記ヒーティングボディーは前記ガイド突出部に沿ってスライド移動することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ヒーティングボディーの材質は、黄銅（ｂｒａｓｓ）であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
第１基板と、前記第１基板より小さい幅を有する第２基板とを処理する方法において、
第１基板処理段階と第２基板処理段階とを有し、
前記第１基板処理段階は、
フロントレールとリアレールとの間の間隔を前記第１基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第１基板の幅に調節する段階と、
前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第１基板を移送させる段階と、
ヒーティングブロックを使って前記第１基板を加熱する段階とを含み、
前記第２基板処理段階は、
前記フロントレールと前記リアレールとの間の間隔を前記第２基板の幅に対応させるためにフロントレールとリアレールの内の少なくともいずれか１つを並行して移動させ前記第２基板の幅に調節する段階と、
前記フロントレールと前記リアレールのとの間の空間に前記第２基板を移送させる段階と、
ヒーティングブロックを使って前記第２基板を加熱する段階とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記第１基板処理段階で、前記フロントレールと前記リアレールとは前記ヒーティングブロックの両側に各々配置され、
前記第２基板処理段階で、前記フロントレールと前記リアレールの内の少なくともいずれか１つは、上方から見た場合、前記ヒーティングブロックの一部領域と重畳する地点に配置されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記フロントレールと前記リアレールとの間隔は、前記フロントレールの移動によって調節され、
前記ヒーティングブロックは前記フロントレールと共に移動することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−４９７７（Ｐ２０１３−４９７７Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１３３８９１（Ｐ２０１２−１３３８９１）
【出願日】平成２４年６月１３日（２０１２．６．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月１３日（２０１２．６．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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