基板減衰回路
【課題】基板上で細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した減衰回路において、減衰レベルが小さい場合でも単位面積当たりの発熱量を抑えることが可能な「基板減衰回路」を提供する。
【解決手段】基板１０上において多数回屈曲させて形成した線状の導体パターン１１に設けたｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃのうち、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（ｍ＜ｎ）の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を、それ以外の部分における導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成することにより、第１段の導体パターン１１Ａの導体面積が大きくなるようにし、低い減衰レベルを得るために第１段の導体パターン１１Ａだけを使用するときでも、単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができるようにする。
【解決手段】基板１０上において多数回屈曲させて形成した線状の導体パターン１１に設けたｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃのうち、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（ｍ＜ｎ）の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を、それ以外の部分における導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成することにより、第１段の導体パターン１１Ａの導体面積が大きくなるようにし、低い減衰レベルを得るために第１段の導体パターン１１Ａだけを使用するときでも、単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができるようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板減衰回路に関し、特に、基板上において細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した減衰回路に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上において細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した抵抗膜により減衰回路を構成したものが提供されている（例えば、特許文献１を参照）。この特許文献１に記載の技術では、細長く連続した導体パターンの一端に入力端子を設け、当該導体パターンの複数箇所から出力端子を引き出すことにより、任意の抵抗値を得ることができるようになされている。
【０００３】
図７は、上記従来技術の構成例を示す図である。図７において、１０１は細くて長い等幅の導体パターンであり、基板１００の上において１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されている。１０２は導体パターン１０１の一端に設けた入力端子、１０３Ａ〜１０３Ｃは導体パターン１０１の複数箇所から引き出された複数の出力端子である。
【０００４】
第１の出力端子１０３Ａから出力される信号は、入力端子１０２から第１の出力端子１０３Ａまでの導体パターン１０１Ａに応じた第１の抵抗値により減衰を受ける。第２の出力端子１０３Ｂから出力される信号は、入力端子１０２から第２の出力端子１０３Ｂまでの導体パターン１０１Ａ，１０１Ｂに応じた第２の抵抗値により減衰を受ける。また、第３の出力端子１０３Ｃから出力される信号は、入力端子１０２から第３の出力端子１０３Ｃまでの導体パターン１０１Ａ〜１０１Ｃに応じた第３の抵抗値により減衰を受ける。これにより、出力端子１０３Ａ〜１０３Ｃの何れかを選択して信号を取り出すことにより、入力端子１０２に入力された信号を所望レベルだけ減衰させて出力することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導体パターンにより形成される全体の導体面積の中で、入力端子と出力端子との間の導体パターンにより得られる抵抗値が小さくなるほど（つまり、減衰レベルが小さくなるほど）、その抵抗値を得るために利用されている導体面積は小さくなる。そのため、減衰レベルが小さくなるほど、単位面積当たりの消費電力が大きくなり、ひいては単位面積当たりの発熱量がより大きくなってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、基板上で細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した減衰回路において、減衰レベルが小さくても単位面積当たりの発熱量が極端に大きくならないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した課題を解決するために、本発明では、基板上において多数回屈曲させて形成した線状の導体パターンの途中に設けたｎ箇所（ｎは２以上の整数）の出力端子のうち、より入力端子に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、それ以外の部分における導体パターンの線幅よりも太く形成している。
【発明の効果】
【０００９】
上記のように構成した本発明によれば、より入力端子に近い側のｍ箇所の出力端子と入力端子との間の部分における導体パターンによって、より低い抵抗値が得られ、信号の減衰レベルはより低くなる。その低い抵抗値を得る部分の導体パターンの線幅が太く形成されているので、その部分の導体面積が増える。したがって、低い減衰レベルを得るときでも、単位面積当たりの消費電力、ひいては単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。
【図２】減衰レベルと単位面積当たりの消費電力との関係を示す図である。
【図３】本実施形態による導体パターンの折り返し部の構成例を示す図である。
【図４】第２の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。
【図５Ａ】第２の実施形態による第１段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｂ】第２の実施形態による第２段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｃ】第２の実施形態による第３段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｄ】第２の実施形態による第４段の導体パターンを示す図である。
【図６】２の実施形態による基板減衰回路の変形例を示す図である。
【図７】従来の基板減衰回路の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、第１の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。図１において、１０は基板、１１は基板１０上に形成された、細くて長い線状の導体パターンである。導体パターン１１は、１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されている。
【００１２】
２０は導体パターン１１の一端に設けた入力端子、２１Ａ〜２１Ｃは導体パターン１１上のｎ箇所（ｎは２以上の整数。図１の例ではｎ＝３）から引き出された出力端子である。本実施形態では、ｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃを入力端子２０に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とする。第ｎの出力端子は、導体パターン１１の末端に設けられている。また、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン１１Ａ、第１段の出力端子２１Ａと第２段の出力端子２１Ｂとの間の部分における導体パターンを第２段の導体パターン１１Ｂ、第２段の出力端子２１Ｂと第３段の出力端子２１Ｃとの間の部分における導体パターンを第３段の導体パターン１１Ｃとする。
【００１３】
第１段の出力端子２１Ａから出力される信号は、入力端子２０から第１段の出力端子２１Ａまでの間に存在する第１段の導体パターン１１Ａに応じた第１の抵抗値により減衰を受ける。第２段の出力端子２１Ｂから出力される信号は、入力端子２０から第２段の出力端子２１Ｂまでの間に存在する第１段の導体パターン１１Ａおよび第２段の導体パターン１１Ｂに応じた第２の抵抗値により減衰を受ける。また、第３段の出力端子２１Ｃから出力される信号は、入力端子２０から第３段の出力端子２１Ｃまでの間に存在する第１段〜第３段の導体パターン１１Ａ〜１１Ｃに応じた第３の抵抗値により減衰を受ける。これにより、出力端子２１Ａ〜２１Ｃの何れかを選択して信号を取り出すことにより、入力端子２０に入力された信号を所望レベルだけ減衰させて出力することが可能である。
【００１４】
本実施形態では、ｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃのうち、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と入力端子２０との間の部分における導体パターン１１の線幅を、それ以外の部分における導体パターン１１の線幅よりも太く形成している。図１の例ではｍ＝１とし、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を、それ以外の部分における第２段および第３段の導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成している。
【００１５】
第１段の導体パターン１１Ａの線幅を太くすることにより、当該第１段の導体パターン１１Ａにおける導体面積が増える。これにより、より入力端子２０に近い側にある第１段の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の第１段の導体パターン１１Ａによって低い抵抗値を得る場合でも、単位面積当たりの消費電力（発熱量）を低く抑えることができる。
【００１６】
図２は、導体パターン１１上にｎ箇所の出力端子を設けることによって得られるｎ個の減衰レベルと単位面積当たりの消費電力との関係を示す図である。なお、図２は、ｎ＝１２とした場合の例を示している。符号５１で示すグラフは、第１段〜第１２段の導体パターンを全て等しい線幅で形成した場合の特性を示している。一方、符号５２で示すグラフは、第２段〜第１２段の導体パターンを全てグラフ５１の場合と同じ線幅で形成し、第１段の導体パターンのみ、第２段〜第１２段の導体パターンよりも線幅を太くした場合の特性を示している。
【００１７】
グラフ５１に示すように、第１段〜第１２段の導体パターンを全て等しい線幅で形成した場合、導体パターンの抵抗値によって得られる減衰レベルが小さくなるほど、単位面積当たりの消費電力は大きくなる。減衰レベルが小さいほどそれに必要な抵抗値は小さくなり、その抵抗値を得るために必要な導体面積が小さくなるからである。
【００１８】
これに対して、第１段の導体パターンの線幅をそれ以外の部分における導体パターンの線幅より太くした場合は、グラフ５２に示すように、減衰レベルが低いときの単位面積当たりの消費電力を低く抑制することができる。線幅を太くしているのは第１段の導体パターンのみであるが、最も低い第１段の減衰レベルだけでなく、第２段〜第５段の減衰レベルの辺りまで、単位面積当たりの消費電力を低く抑制することができる。
【００１９】
これは、第２段〜第５段の減衰レベルを得るときも、線幅を太くした第１段の導体パターンの抵抗値を利用しており、第１段〜第５段の導体パターンによる導体面積の中に占める第１段の導体パターンの導体面積が比較的大きいからである。したがって、第１段の導体パターンのみ線幅を太くすることにより、最小限の基板面積の増加で効率よく発熱量のピークを抑えることができる。
【００２０】
図３は、導体パターン１１の折り返し部の構成例を示す図である。図３に示すように、導体パターン１１の直線状部分の線幅をＸ、折り返し部分の線幅をＹとする。折り返し部分は、パターン成形上のバラツキから太さが安定せず、全体の抵抗値のバラツキをもたらしやすい。そこで、Ｙ＞Ｘ（好ましくはＹ>>Ｘ）とすることにより、折り返し部分の抵抗値をできるだけ小さくし、当該折り返し部分の太さのバラツキによる抵抗値の誤差の影響を小さくすることができる。これにより、全体の抵抗値のバラツキを小さく抑えることができる。
【００２１】
以上詳しく説明したように、第１の実施形態によれば、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間で低い抵抗値（低い減衰レベル）を得るための導体パターン１１Ａの線幅が、それ以外の部分における導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成されているので、低い減衰レベルを得るときでもそのために使用する導体パターン１１Ａの導体面積が増え、単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができる。これにより、信頼性の高い基板減衰回路を提供することができる。
【００２２】
なお、上記第１の実施形態では、入力端子２０に最も近い第１段の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を他より太く形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、入力端子２０と第ｍ段（２≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を他よりも太く形成するようにしても良い。
【００２３】
この場合において、入力端子２０と第ｍ段（２≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を全て等幅としても良いが、第ｋ＋１段の導体パターンよりも第ｋ段の導体パターンの方が太くなるように形成しても良い。例えば、図１に示した基板減衰回路の変形例として、第１段の導体パターン１１Ａの線幅＞第２段の導体パターン１１Ｂの線幅＞第３段の導体パターン１１Ｃの線幅としても良い。
【００２４】
また、入力端子２０と第ｍ段（１≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、入力端子２０に近い部分における導体パターンほど徐々に太くなるように形成しても良い。例えば、図１に示した基板減衰回路の変形例として、第１段の導体パターン１１Ａの中でも入力端子２０に最も近い直線状部分の線幅を最も太くし、折り返すたびに少しずつ線幅を狭くしていき、第２段の導体パターン１１Ｂの中で最も入力端子２０から遠い直線状部分の線幅を第３段の導体パターン１１Ｃの線幅とほぼ等しくなるようにしても良い。
【００２５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図面に基づいて説明する。図４は、第２の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。第２の実施形態では、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（例えばｍ＝１）の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における導体パターンの線幅を他より太く形成することに加え、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしている。
【００２６】
図５Ａ〜図５Ｄは、図４のように形成した導体パターン１１’について、第ｎ段（ｎ＝１，２，３，４）の導体パターン１１Ａ’〜１１Ｄ’の構成を分かりやすく示した図である。図５Ａ〜図５Ｄに示すように、入力端子２０は、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における中央付近に設けられている。また、４つの出力端子２１Ａ〜２１Ｄは、当該矩形領域の一辺（入力端子２０と同じ一辺）からそれぞれ引き出されている。
【００２７】
図５Ａに示すように、第１段の導体パターン１１Ａ’は、中央付近の入力端子２０から矩形領域の最内周を通って１８０度の角度をもって折り返し、そこから先は９０度の角度をもって屈曲しながら、矩形領域の四辺（ただし、入力端子２０や出力端子２１Ａ〜２１Ｄが設けられている一辺だけはその半分）に沿って、矩形領域の最外周を通る。ここまでを往路とする。そして、第１段の導体パターン１１Ａ’は往路の先端で１８０度の角度をもって折り返し、往路に沿って矩形領域の一辺まで戻る。往路の先端で折り返してから矩形領域の一辺に戻るまでの部分を復路とする。第１段の出力端子２１Ａは、当該復路の先端から引き出されている。
【００２８】
図５Ｂに示すように、第２段の導体パターン１１Ｂ’は、第１段の導体パターン１１Ａ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第２段の導体パターン１１Ｂ’は、第１段の導体パターン１１Ａ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第２段の導体パターン１１Ｂ’は、矩形領域の内周側では第１段の導体パターン１１Ａ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第１段の導体パターン１１Ａ’の内側を隣接して通る。第２段の出力端子２１Ｂは、第２段の導体パターン１１Ｂ’における復路の先端から引き出されている。
【００２９】
図５Ｃに示すように、第３段の導体パターン１１Ｃ’は、第２段の導体パターン１１Ｂ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第３段の導体パターン１１Ｃ’は、第２段の導体パターン１１Ｂ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第３段の導体パターン１１Ｃ’は、矩形領域の内周側では第２段の導体パターン１１Ｂ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第２段の導体パターン１１Ｂ’の内側を隣接して通る。第３段の出力端子２１Ｃは、第３段の導体パターン１１Ｃ’における復路の先端から引き出されている。
【００３０】
図５Ｄに示すように、第４段の導体パターン１１Ｄ’は、第３段の導体パターン１１Ｃ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第４段の導体パターン１１Ｄ’は、第３段の導体パターン１１Ｃ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第４段の導体パターン１１Ｄ’は、矩形領域の内周側では第３段の導体パターン１１Ｃ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第３段の導体パターン１１Ｃ’の内側を隣接して通る。なお、第４段の導体パターン１１Ｄ’については、往路および復路を２往復するように形成されている。第４段の出力端子２１Ｄは、第４段の導体パターン１１Ｄ’における復路の先端から引き出されている。
【００３１】
背景技術で説明した特許文献１に記載の技術では、小さい減衰レベルを得る場合には、導体パターンが形成された矩形領域の中の偏った局部領域にある導体パターンだけを使用する。このため、その局部領域に熱源が集中してしまい、耐電力が小さくなってしまうという問題が生じる。これに対して、以上のように構成した第２の実施形態によれば、小さい減衰レベルを得るために導体パターンの一部だけを使用する場合であっても、図５Ａのように矩形領域の中で内周部および外周部の分散した領域にある導体パターンを使用するので、熱源を分散させることができ、耐電力を大きくすることができる。
【００３２】
また、背景技術で説明した特許文献１に記載の技術では、導体パターンが全て１８０度の角度をもって折り返されているので、その折り返し部分に誘導成分が生じてしまう。この場合、基板減衰回路をサウンドシステムに使用すると、再生される音声の品質が誘導成分の影響を受けて悪化してしまう問題を生じる。これに対して、第２の実施形態によれば、１８０度の折り返し箇所が大幅に減少するので、再生音声の音質を向上させることができる。また、第２の実施形態によれば、入力端子２０および複数の出力端子２１Ａ〜２１Ｄの引き出し部を比較的近い領域にまとめることができるというメリットも有する。
【００３３】
なお、上記第２の実施形態では、入力端子２０とｍ箇所（ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を他より太く形成することに加え、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしているが、これに限定されない。例えば、図６に示すように、導体パターン１１”の線幅をすべて等しくし、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしても良い。
【００３４】
すなわち、基板上において線状の導体パターンを多数回屈曲させて形成し、当該導体パターンの一端に入力端子を設けるとともに、当該導体パターンのｎ箇所（ｎは２以上の整数）に出力端子を設けることによりｎ個の抵抗値を得ることができるようになされた基板減衰回路において、
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記導体パターンは、第ｋ段の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置されたパターンにより形成するようにしても良い。
【００３５】
また、上記第２の実施形態では、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における中央付近に入力端子２０を設けている。そして、当該中央付近の入力端子２０から矩形領域の内周側→外周側（以上が往路）→外周側→内周側（以上が復路）の順で第１段の導体パターン１１Ａ’を形成している。さらに、この第１段の導体パターン１１Ａ’に囲まれるように第２段以降の導体パターン１１Ｂ’〜１１Ｄ ’を形成している。ただし、本発明はこの例に限定されない。例えば、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における最も外側に入力端子２０を設け、当該外側の入力端子２０から矩形領域の外周側→内周側（以上が往路）→内周側→外周側（以上が復路）の順で第１段の導体パターン１１Ａ’を形成するようにしても良い。この場合も、第１段の導体パターン１１Ａ’に囲まれるように第２段以降の導体パターン１１Ｂ’〜１１Ｄ ’を形成する。
【００３６】
その他、上記第１および第２の実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１０ 基板
１１，１１’，１１” 導体パターン
２０ 入力端子
２１Ａ〜２１Ｄ 出力端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板減衰回路に関し、特に、基板上において細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した減衰回路に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上において細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した抵抗膜により減衰回路を構成したものが提供されている（例えば、特許文献１を参照）。この特許文献１に記載の技術では、細長く連続した導体パターンの一端に入力端子を設け、当該導体パターンの複数箇所から出力端子を引き出すことにより、任意の抵抗値を得ることができるようになされている。
【０００３】
図７は、上記従来技術の構成例を示す図である。図７において、１０１は細くて長い等幅の導体パターンであり、基板１００の上において１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されている。１０２は導体パターン１０１の一端に設けた入力端子、１０３Ａ〜１０３Ｃは導体パターン１０１の複数箇所から引き出された複数の出力端子である。
【０００４】
第１の出力端子１０３Ａから出力される信号は、入力端子１０２から第１の出力端子１０３Ａまでの導体パターン１０１Ａに応じた第１の抵抗値により減衰を受ける。第２の出力端子１０３Ｂから出力される信号は、入力端子１０２から第２の出力端子１０３Ｂまでの導体パターン１０１Ａ，１０１Ｂに応じた第２の抵抗値により減衰を受ける。また、第３の出力端子１０３Ｃから出力される信号は、入力端子１０２から第３の出力端子１０３Ｃまでの導体パターン１０１Ａ〜１０１Ｃに応じた第３の抵抗値により減衰を受ける。これにより、出力端子１０３Ａ〜１０３Ｃの何れかを選択して信号を取り出すことにより、入力端子１０２に入力された信号を所望レベルだけ減衰させて出力することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導体パターンにより形成される全体の導体面積の中で、入力端子と出力端子との間の導体パターンにより得られる抵抗値が小さくなるほど（つまり、減衰レベルが小さくなるほど）、その抵抗値を得るために利用されている導体面積は小さくなる。そのため、減衰レベルが小さくなるほど、単位面積当たりの消費電力が大きくなり、ひいては単位面積当たりの発熱量がより大きくなってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、基板上で細くて長い導体パターンを多数回屈曲させて形成した減衰回路において、減衰レベルが小さくても単位面積当たりの発熱量が極端に大きくならないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した課題を解決するために、本発明では、基板上において多数回屈曲させて形成した線状の導体パターンの途中に設けたｎ箇所（ｎは２以上の整数）の出力端子のうち、より入力端子に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、それ以外の部分における導体パターンの線幅よりも太く形成している。
【発明の効果】
【０００９】
上記のように構成した本発明によれば、より入力端子に近い側のｍ箇所の出力端子と入力端子との間の部分における導体パターンによって、より低い抵抗値が得られ、信号の減衰レベルはより低くなる。その低い抵抗値を得る部分の導体パターンの線幅が太く形成されているので、その部分の導体面積が増える。したがって、低い減衰レベルを得るときでも、単位面積当たりの消費電力、ひいては単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。
【図２】減衰レベルと単位面積当たりの消費電力との関係を示す図である。
【図３】本実施形態による導体パターンの折り返し部の構成例を示す図である。
【図４】第２の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。
【図５Ａ】第２の実施形態による第１段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｂ】第２の実施形態による第２段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｃ】第２の実施形態による第３段の導体パターンを示す図である。
【図５Ｄ】第２の実施形態による第４段の導体パターンを示す図である。
【図６】２の実施形態による基板減衰回路の変形例を示す図である。
【図７】従来の基板減衰回路の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、第１の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。図１において、１０は基板、１１は基板１０上に形成された、細くて長い線状の導体パターンである。導体パターン１１は、１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されている。
【００１２】
２０は導体パターン１１の一端に設けた入力端子、２１Ａ〜２１Ｃは導体パターン１１上のｎ箇所（ｎは２以上の整数。図１の例ではｎ＝３）から引き出された出力端子である。本実施形態では、ｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃを入力端子２０に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とする。第ｎの出力端子は、導体パターン１１の末端に設けられている。また、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン１１Ａ、第１段の出力端子２１Ａと第２段の出力端子２１Ｂとの間の部分における導体パターンを第２段の導体パターン１１Ｂ、第２段の出力端子２１Ｂと第３段の出力端子２１Ｃとの間の部分における導体パターンを第３段の導体パターン１１Ｃとする。
【００１３】
第１段の出力端子２１Ａから出力される信号は、入力端子２０から第１段の出力端子２１Ａまでの間に存在する第１段の導体パターン１１Ａに応じた第１の抵抗値により減衰を受ける。第２段の出力端子２１Ｂから出力される信号は、入力端子２０から第２段の出力端子２１Ｂまでの間に存在する第１段の導体パターン１１Ａおよび第２段の導体パターン１１Ｂに応じた第２の抵抗値により減衰を受ける。また、第３段の出力端子２１Ｃから出力される信号は、入力端子２０から第３段の出力端子２１Ｃまでの間に存在する第１段〜第３段の導体パターン１１Ａ〜１１Ｃに応じた第３の抵抗値により減衰を受ける。これにより、出力端子２１Ａ〜２１Ｃの何れかを選択して信号を取り出すことにより、入力端子２０に入力された信号を所望レベルだけ減衰させて出力することが可能である。
【００１４】
本実施形態では、ｎ箇所の出力端子２１Ａ〜２１Ｃのうち、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と入力端子２０との間の部分における導体パターン１１の線幅を、それ以外の部分における導体パターン１１の線幅よりも太く形成している。図１の例ではｍ＝１とし、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を、それ以外の部分における第２段および第３段の導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成している。
【００１５】
第１段の導体パターン１１Ａの線幅を太くすることにより、当該第１段の導体パターン１１Ａにおける導体面積が増える。これにより、より入力端子２０に近い側にある第１段の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の第１段の導体パターン１１Ａによって低い抵抗値を得る場合でも、単位面積当たりの消費電力（発熱量）を低く抑えることができる。
【００１６】
図２は、導体パターン１１上にｎ箇所の出力端子を設けることによって得られるｎ個の減衰レベルと単位面積当たりの消費電力との関係を示す図である。なお、図２は、ｎ＝１２とした場合の例を示している。符号５１で示すグラフは、第１段〜第１２段の導体パターンを全て等しい線幅で形成した場合の特性を示している。一方、符号５２で示すグラフは、第２段〜第１２段の導体パターンを全てグラフ５１の場合と同じ線幅で形成し、第１段の導体パターンのみ、第２段〜第１２段の導体パターンよりも線幅を太くした場合の特性を示している。
【００１７】
グラフ５１に示すように、第１段〜第１２段の導体パターンを全て等しい線幅で形成した場合、導体パターンの抵抗値によって得られる減衰レベルが小さくなるほど、単位面積当たりの消費電力は大きくなる。減衰レベルが小さいほどそれに必要な抵抗値は小さくなり、その抵抗値を得るために必要な導体面積が小さくなるからである。
【００１８】
これに対して、第１段の導体パターンの線幅をそれ以外の部分における導体パターンの線幅より太くした場合は、グラフ５２に示すように、減衰レベルが低いときの単位面積当たりの消費電力を低く抑制することができる。線幅を太くしているのは第１段の導体パターンのみであるが、最も低い第１段の減衰レベルだけでなく、第２段〜第５段の減衰レベルの辺りまで、単位面積当たりの消費電力を低く抑制することができる。
【００１９】
これは、第２段〜第５段の減衰レベルを得るときも、線幅を太くした第１段の導体パターンの抵抗値を利用しており、第１段〜第５段の導体パターンによる導体面積の中に占める第１段の導体パターンの導体面積が比較的大きいからである。したがって、第１段の導体パターンのみ線幅を太くすることにより、最小限の基板面積の増加で効率よく発熱量のピークを抑えることができる。
【００２０】
図３は、導体パターン１１の折り返し部の構成例を示す図である。図３に示すように、導体パターン１１の直線状部分の線幅をＸ、折り返し部分の線幅をＹとする。折り返し部分は、パターン成形上のバラツキから太さが安定せず、全体の抵抗値のバラツキをもたらしやすい。そこで、Ｙ＞Ｘ（好ましくはＹ>>Ｘ）とすることにより、折り返し部分の抵抗値をできるだけ小さくし、当該折り返し部分の太さのバラツキによる抵抗値の誤差の影響を小さくすることができる。これにより、全体の抵抗値のバラツキを小さく抑えることができる。
【００２１】
以上詳しく説明したように、第１の実施形態によれば、入力端子２０と第１段の出力端子２１Ａとの間で低い抵抗値（低い減衰レベル）を得るための導体パターン１１Ａの線幅が、それ以外の部分における導体パターン１１Ｂ，１１Ｃの線幅よりも太く形成されているので、低い減衰レベルを得るときでもそのために使用する導体パターン１１Ａの導体面積が増え、単位面積当たりの発熱量を低く抑えることができる。これにより、信頼性の高い基板減衰回路を提供することができる。
【００２２】
なお、上記第１の実施形態では、入力端子２０に最も近い第１段の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における第１段の導体パターン１１Ａの線幅を他より太く形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、入力端子２０と第ｍ段（２≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を他よりも太く形成するようにしても良い。
【００２３】
この場合において、入力端子２０と第ｍ段（２≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を全て等幅としても良いが、第ｋ＋１段の導体パターンよりも第ｋ段の導体パターンの方が太くなるように形成しても良い。例えば、図１に示した基板減衰回路の変形例として、第１段の導体パターン１１Ａの線幅＞第２段の導体パターン１１Ｂの線幅＞第３段の導体パターン１１Ｃの線幅としても良い。
【００２４】
また、入力端子２０と第ｍ段（１≦ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、入力端子２０に近い部分における導体パターンほど徐々に太くなるように形成しても良い。例えば、図１に示した基板減衰回路の変形例として、第１段の導体パターン１１Ａの中でも入力端子２０に最も近い直線状部分の線幅を最も太くし、折り返すたびに少しずつ線幅を狭くしていき、第２段の導体パターン１１Ｂの中で最も入力端子２０から遠い直線状部分の線幅を第３段の導体パターン１１Ｃの線幅とほぼ等しくなるようにしても良い。
【００２５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図面に基づいて説明する。図４は、第２の実施形態による基板減衰回路の構成例を示す図である。第２の実施形態では、より入力端子２０に近い側のｍ箇所（例えばｍ＝１）の出力端子２１Ａと入力端子２０との間の部分における導体パターンの線幅を他より太く形成することに加え、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしている。
【００２６】
図５Ａ〜図５Ｄは、図４のように形成した導体パターン１１’について、第ｎ段（ｎ＝１，２，３，４）の導体パターン１１Ａ’〜１１Ｄ’の構成を分かりやすく示した図である。図５Ａ〜図５Ｄに示すように、入力端子２０は、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における中央付近に設けられている。また、４つの出力端子２１Ａ〜２１Ｄは、当該矩形領域の一辺（入力端子２０と同じ一辺）からそれぞれ引き出されている。
【００２７】
図５Ａに示すように、第１段の導体パターン１１Ａ’は、中央付近の入力端子２０から矩形領域の最内周を通って１８０度の角度をもって折り返し、そこから先は９０度の角度をもって屈曲しながら、矩形領域の四辺（ただし、入力端子２０や出力端子２１Ａ〜２１Ｄが設けられている一辺だけはその半分）に沿って、矩形領域の最外周を通る。ここまでを往路とする。そして、第１段の導体パターン１１Ａ’は往路の先端で１８０度の角度をもって折り返し、往路に沿って矩形領域の一辺まで戻る。往路の先端で折り返してから矩形領域の一辺に戻るまでの部分を復路とする。第１段の出力端子２１Ａは、当該復路の先端から引き出されている。
【００２８】
図５Ｂに示すように、第２段の導体パターン１１Ｂ’は、第１段の導体パターン１１Ａ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第２段の導体パターン１１Ｂ’は、第１段の導体パターン１１Ａ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第２段の導体パターン１１Ｂ’は、矩形領域の内周側では第１段の導体パターン１１Ａ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第１段の導体パターン１１Ａ’の内側を隣接して通る。第２段の出力端子２１Ｂは、第２段の導体パターン１１Ｂ’における復路の先端から引き出されている。
【００２９】
図５Ｃに示すように、第３段の導体パターン１１Ｃ’は、第２段の導体パターン１１Ｂ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第３段の導体パターン１１Ｃ’は、第２段の導体パターン１１Ｂ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第３段の導体パターン１１Ｃ’は、矩形領域の内周側では第２段の導体パターン１１Ｂ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第２段の導体パターン１１Ｂ’の内側を隣接して通る。第３段の出力端子２１Ｃは、第３段の導体パターン１１Ｃ’における復路の先端から引き出されている。
【００３０】
図５Ｄに示すように、第４段の導体パターン１１Ｄ’は、第３段の導体パターン１１Ｃ’における復路の先端で１８０度の角度をもって折り返すことによって開始する。第４段の導体パターン１１Ｄ’は、第３段の導体パターン１１Ｃ’に隣接した往路および復路によって形成される。すなわち、第４段の導体パターン１１Ｄ’は、矩形領域の内周側では第３段の導体パターン１１Ｃ’の外側を隣接して通り、矩形領域の外周側では第３段の導体パターン１１Ｃ’の内側を隣接して通る。なお、第４段の導体パターン１１Ｄ’については、往路および復路を２往復するように形成されている。第４段の出力端子２１Ｄは、第４段の導体パターン１１Ｄ’における復路の先端から引き出されている。
【００３１】
背景技術で説明した特許文献１に記載の技術では、小さい減衰レベルを得る場合には、導体パターンが形成された矩形領域の中の偏った局部領域にある導体パターンだけを使用する。このため、その局部領域に熱源が集中してしまい、耐電力が小さくなってしまうという問題が生じる。これに対して、以上のように構成した第２の実施形態によれば、小さい減衰レベルを得るために導体パターンの一部だけを使用する場合であっても、図５Ａのように矩形領域の中で内周部および外周部の分散した領域にある導体パターンを使用するので、熱源を分散させることができ、耐電力を大きくすることができる。
【００３２】
また、背景技術で説明した特許文献１に記載の技術では、導体パターンが全て１８０度の角度をもって折り返されているので、その折り返し部分に誘導成分が生じてしまう。この場合、基板減衰回路をサウンドシステムに使用すると、再生される音声の品質が誘導成分の影響を受けて悪化してしまう問題を生じる。これに対して、第２の実施形態によれば、１８０度の折り返し箇所が大幅に減少するので、再生音声の音質を向上させることができる。また、第２の実施形態によれば、入力端子２０および複数の出力端子２１Ａ〜２１Ｄの引き出し部を比較的近い領域にまとめることができるというメリットも有する。
【００３３】
なお、上記第２の実施形態では、入力端子２０とｍ箇所（ｍ＜ｎ）の出力端子との間の部分における導体パターンの線幅を他より太く形成することに加え、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしているが、これに限定されない。例えば、図６に示すように、導体パターン１１”の線幅をすべて等しくし、第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ−１）の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置するようにしても良い。
【００３４】
すなわち、基板上において線状の導体パターンを多数回屈曲させて形成し、当該導体パターンの一端に入力端子を設けるとともに、当該導体パターンのｎ箇所（ｎは２以上の整数）に出力端子を設けることによりｎ個の抵抗値を得ることができるようになされた基板減衰回路において、
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記導体パターンは、第ｋ段の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置されたパターンにより形成するようにしても良い。
【００３５】
また、上記第２の実施形態では、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における中央付近に入力端子２０を設けている。そして、当該中央付近の入力端子２０から矩形領域の内周側→外周側（以上が往路）→外周側→内周側（以上が復路）の順で第１段の導体パターン１１Ａ’を形成している。さらに、この第１段の導体パターン１１Ａ’に囲まれるように第２段以降の導体パターン１１Ｂ’〜１１Ｄ ’を形成している。ただし、本発明はこの例に限定されない。例えば、導体パターン１１’が形成された矩形領域の一辺における最も外側に入力端子２０を設け、当該外側の入力端子２０から矩形領域の外周側→内周側（以上が往路）→内周側→外周側（以上が復路）の順で第１段の導体パターン１１Ａ’を形成するようにしても良い。この場合も、第１段の導体パターン１１Ａ’に囲まれるように第２段以降の導体パターン１１Ｂ’〜１１Ｄ ’を形成する。
【００３６】
その他、上記第１および第２の実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１０ 基板
１１，１１’，１１” 導体パターン
２０ 入力端子
２１Ａ〜２１Ｄ 出力端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において線状の導体パターンを多数回屈曲させて形成し、当該導体パターンの一端に入力端子を設けるとともに、当該導体パターンのｎ箇所（ｎは２以上の整数）に出力端子を設けることによりｎ個の抵抗値を得ることができるようになされた基板減衰回路であって、
上記ｎ箇所の出力端子のうち、より上記入力端子に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、それ以外の部分における導体パターンの線幅よりも太く形成したことを特徴とする基板減衰回路。
【請求項２】
ｍ＝１であることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項３】
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記ｍ箇所の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、第ｋ＋１段の導体パターンよりも第ｋ段の導体パターンの方が太くなるように形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項４】
上記ｍ箇所の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、上記入力端子に近い部分における導体パターンほど徐々に太くなるように形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項５】
上記導体パターンは、１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項６】
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記導体パターンは、第ｋ段の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置されたパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項１】
基板上において線状の導体パターンを多数回屈曲させて形成し、当該導体パターンの一端に入力端子を設けるとともに、当該導体パターンのｎ箇所（ｎは２以上の整数）に出力端子を設けることによりｎ個の抵抗値を得ることができるようになされた基板減衰回路であって、
上記ｎ箇所の出力端子のうち、より上記入力端子に近い側のｍ箇所（ｍはｎより小さい正の整数）の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、それ以外の部分における導体パターンの線幅よりも太く形成したことを特徴とする基板減衰回路。
【請求項２】
ｍ＝１であることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項３】
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記ｍ箇所の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、第ｋ＋１段の導体パターンよりも第ｋ段の導体パターンの方が太くなるように形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項４】
上記ｍ箇所の出力端子と上記入力端子との間の部分における導体パターンの線幅を、上記入力端子に近い部分における導体パターンほど徐々に太くなるように形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項５】
上記導体パターンは、１８０度の角度をもって多数回屈曲した折り返しパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【請求項６】
上記ｎ箇所の出力端子を上記入力端子に最も近い側から順番に第ｋ段（ｋ＝１，２，・・・ｎ）の出力端子とし、上記入力端子と第１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第１段の導体パターン、第ｋ段の出力端子と第ｋ＋１段の出力端子との間の部分における導体パターンを第ｋ＋１段の導体パターンとした場合、上記導体パターンは、第ｋ段の導体パターンが第ｋ＋１段の導体パターンを囲むように配置されたパターンにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板減衰回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１４２５１１（Ｐ２０１１−１４２５１１Ａ）
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２０３（Ｐ２０１０−２２０３）
【出願日】平成２２年１月７日（２０１０．１．７）
【出願人】（０００１０１７３２）アルパイン株式会社 (2,424)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月７日（２０１０．１．７）
【出願人】（０００１０１７３２）アルパイン株式会社 (2,424)
【Ｆターム（参考）】
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