多列リード型リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法
【課題】本発明は、半導体パッケージ用多列リード型リードフレームに関するものである。
【解決手段】本発明は、リードフレーム材（１１０）にめっきパターン（１４０）を形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターン（１６０）を形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップを含むことを特徴とする。本発明によれば、めっき層をエッチングマスクとして用いる従来の問題を解決するために、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターンの形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができるリードフレームを提供する効果がある。
【解決手段】本発明は、リードフレーム材（１１０）にめっきパターン（１４０）を形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターン（１６０）を形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップを含むことを特徴とする。本発明によれば、めっき層をエッチングマスクとして用いる従来の問題を解決するために、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターンの形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができるリードフレームを提供する効果がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用多列型リードフレームの製造及びその方法に関するものであって、具体的には、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができ、従来の製造工程におけるめっきバリ（ｐｌａｔｉｎｇ ｂｕｒｒ）の除去工程をなくして製造工程の短縮及び材料費損失を減らすことができる技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージは、半導体チップ自体だけでは、外部から電気供給を受けて電気信号を伝達したりまたは電気信号伝達を受けることができないため、半導体チップが各種電気的信号を外部と取り交わすために、チップをパッケージングすることが必要である。近頃、チップサイズの縮小、熱放出能力及び電気的遂行能力の向上、信頼性の向上、製造コストなどを考慮して、リードフレーム、印刷回路基板、回路フィルムなどの各種部材を用いて多様な構造に製造されている。
【０００３】
最近は、半導体チップの高集積化の傾向にしたがって、半導体チップと外部回路基板との間の電気的連結線（Ｌｅａｄ）である入出力端子の数を増加させる必要がある。このために、互いに別々にチップと外部回路とを連結する２列以上の配列を有するリードを備えた多列（ｍｕｌｔｉ−ｒｏｗ）リードフレームの半導体パッケージが注目されている。図１は、従来の「半導体装置の製造方法」に関する韓国特許公開番号第１０−２００８−００３８７１２１号に開示された内容を参照したものである。
【０００４】
従来の半導体パッケージ工程による手順を説明すると、Ｃｕ、Ｃｕ合金、または鉄ニッケル合金（例えば、４２アロイ）材から構成されたリードフレーム材１０の表面と裏面にレジスト膜１１を全面塗布した後、そのレジスト膜１１を所定のリードパターンで露光し、現像して、めっきマスクのエッチングパターン１２を形成する。そして、リードフレーム材１０を全面めっきし、レジスト膜１１を除去すると、表面側と裏面側にめっきマスク１３、１４が形成される（図１の（ａ）〜（ｄ）参照）。
【０００５】
引き継いて、下面（すなわち、裏面側）の全面を別のレジスト膜１５でコーティングした後、めっきマスク１３をレジストマスクとして用いて上面側（すなわち、表面側）をハーフエッチング（ｈａｌｆ ｅｔｃｈｉｎｇ）する。この場合、リードフレーム材１０の表面のめっきマスク１３で覆われた部分はエッチングされないため、結局は、レジスト膜で予め形成された素子搭載部１６とワイヤボンディング部１７が突出することになる。注目すべき点は、この素子搭載部１６とワイヤボンディング部１７の表面は、めっきマスク１３で覆われているということである（図１の（ｅ）及び（ｆ）参照）。
【０００６】
また、下面側上にレジスト膜１５を除去した後、素子搭載部１６に半導体素子１８を搭載し、半導体素子１８の各電極パッド部とワイヤボンディング部１７とをワイヤボンディングした後、半導体素子１８、ボンディングワイヤ２０及びワイヤボンディング部１７を樹脂封止する。図面符号２１は、封止樹脂を示す（図１の（ｇ）及び（ｈ）参照）。
【０００７】
その後、裏面側をハーフエッチングする。この際、リードフレーム材１０にめっきマスク１４が形成された部分は、めっきマスク１４がレジストマスクとして機能してエッチングされずに残ることになる。その結果、外部接続端子部２２と素子搭載部１６の裏面が突出する。外部接続端子部２２とワイヤボンディング部１７とは互いに連通するため、各々の外部接続端子部２２（及び、これに連通するワイヤボンディング部１７）が独立して半導体素子１８の各電極パッド部に電気的に接続される。これら半導体装置２３は、一般に格子状に配置されて同時に製造されるため、ダイシング及び分離（固片化）して、個々の半導体装置２３が製造される（図１の（ｉ）及び（ｊ）参照）。
【０００８】
しかしながら、上述した製造工程の（ｅ）工程をみると、上面のめっき層１３をエッチングマスクとして用いてリードフレーム材１０に対するエッチングを行う場合、エッチング工程中にリードフレーム材の上面めっき層はアタック（ａｔｔａｃｋ）による損傷を受けることができ、このような損傷は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）及び製品の信頼性低下に非常に大きな影響を及ぼす問題が発生する。
【０００９】
また、上述した製造工程の（ｇ）工程によるめっきパターン部分（Ａ部分）の拡大図である図２を参照すると、図２の（Ａ１）は、図１に示されためっき層１７の一般構造を示したものである。すなわち、従来のめっきマスクに活用されるめっき層１７は、示されたように、リードフレーム材１０の上部にアンダーコート（Ｎｉ）層２４、その上部に貴金属めっき２５で形成されることが一般的である。しかしながら、このようなめっきパターンをめっきマスクとしてエッチングを行う場合には、Ａｕなどの貴金属材質のめっき２５はエッチング中に侵食されることはないが、銅または銅合金から形成されたリードフレーム材１０及びＮｉアンダーコート２４は、図２の（Ａ２）及び（Ａ３）に示すようにエッチング液によって腐食が進められる。よって、貴金属めっき２５の周囲部は箔状となって、ワイヤボンディング部１７、素子搭載部１６、外部接続端子部２２、各々の周囲に付着し、めっきバリ（めっき箔片）２６を形成することになる。問題は、このようなめっきバリ２６が存在すると、後に半導体パッケージを形成するためのワイヤボンディング工程、樹脂封止工程等でめっきバリが剥離され、ワイヤボンディング不良、端子間ショート等のような半導体装置自体の不良の原因となることである。
【００１０】
したがって、従来の工程では、めっきバリが必然的に発生することになり、製品の信頼性を高めるためにはこれを除去する工程及び洗浄のための追加工程が必要となる。具体的には、ブラシや超音波振動子を有する水槽にこの中間製品を浸漬してめっきバリを剥離した後水洗する工程をさらに進めなければならないため、経済的でない。ひいては、このようなめっきバリによる材料費損失が増加する問題もまた発生する。
【００１１】
同時に、上述した従来の製造工程の場合、貴金属を用いるめっき層がエッチングマスクとして用いられるため、ストリップの外郭部もめっきされなければならない。このような点は、不要なストリップの外郭部まで貴金属めっきを行うことによって、材料費の上昇を引き起こすことになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができ、従来の製造工程で要求される、めっきバリを除去する工程をなくして製造工程の短縮及び材料費損失を減らすことができるリードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造工程とその結果物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述した課題を解決するために、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターン（ｎａｎｏ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成する３ステップを含むことを特徴とする、多列リード型リードフレームの製造方法を提供する。これにより、従来の多列リード型リードフレーム工程において求められていた、めっきバリを除去するための追加工程をなくして製造工程を簡素化し、生産コストを節減することができる。
【００１４】
また、上述した製造工程における前記１ステップは、前記リードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布し、露光／現像して、リードフレームパターンを形成する（ａ）ステップと、前記リードフレームパターンにめっきを行う（ｂ）ステップとからなることを特徴とする。これにより、エッチング時においてリードフレーム材の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これによって製品の信頼度を向上することができる。
【００１５】
同時に、本発明における前記１ステップのめっきパターンを形成する工程に適用される材料として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれた単一の金属または二元もしくは三元合金層を用い、前記めっきパターンを単層または多層とすることができる。
【００１６】
もちろん、本発明の上記工程において、前記１ステップでは、前記めっきパターンを形成した後、前記感光性物質を剥離する（ｃ）ステップをさらに含むことを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法を提供することがさらに好ましい。
【００１７】
また、めっきパターンの上部面に保護パターンを形成する前記２ステップは、前記めっきパターンが形成されたリードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布してフォトリソグラフィー法を用いるステップであることを特徴とする。
【００１８】
具体的に、本発明において、好ましい実施例の構成として、上述した工程ステップでの前記２ステップは、リードフレーム材の両面に感光性物質を塗布し、前記リードフレーム材の上面にパターンの露光／現象を行って上部保護パターンを形成し、下面に全面露光を施して下部保護パターンを形成する。
【００１９】
上述した本発明での保護パターンを形成するにおいては、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１は、めっきパターンの幅Ｔ２以上の長さであることを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法を提供し、従来の工程で発生できるめっきバリやアンダーカット現象を除去することができる。
【００２０】
特に、このような保護パターンの好ましい形成例としては、前記保護パターンを前記めっきパターンの上面と側面とを覆う構造で形成することが好ましい。
【００２１】
また、リードフレーム原素材に微細パターンを形成するために、前記３ステップは、前記上部保護パターン部分以外の露出した前記リードフレームの上面をエッチングするステップであることを特徴とする。
【００２２】
同時に、本発明によるリードフレーム製造工程では、前記３ステップの後に、前記保護パターンを剥離するステップをさらに含んで形成することができる。
【００２３】
上述した本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程は、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、によってリードフレームを形成し、さらに、前記保護パターンを剥離し、半導体チップを実装し、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを行い、バックエッチングを通じて半導体パッケージを完成する４ステップ、を含んで構成される。
【００２４】
勿論、上述した半導体パッケージの製造工程では、本発明によるリードフレーム形成工程で保護パターンを形成する際、前記２ステップにおいて、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１をめっきパターンの幅Ｔ２より大きいことが好ましい。
【００２５】
特に、本発明では、上述したリードフレームの製造工程によるリードフレームとして、リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、前記めっきパターンの上部面に感光性保護パターンが形成されることを特徴とする多列リード型リードフレームの構造を提供することができる。特に、前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３がめっきパターンの幅Ｔ２以上に形成されることを特徴とする。もちろん、前記半導体パッケージを形成する場合には、前記保護パターンを剥離して用いることが好ましい。
【００２６】
以上のような本発明によるリードフレームを製造する工程によると、前記リードフレームストリップの外郭部にはめっきパターンを形成せずに露出した構造のリードフレームを具現することができ、材料費の節減を具現することができる。
【００２７】
また、本発明における前記めっきパターンは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏの中からいずれか一つ、またはこれらの二元もしくは三元合金を用い、単層または多層に形成することができることは上述した通りである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、めっき層をエッチングマスクとして用いる従来の問題を解決するために、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができるリードフレームを提供する効果がある。
【００２９】
特に、めっき層をエッチングマスクとして用いる場合、必然的に行われるめっきバリの除去工程をなくして製造工程の短縮及び材料費の損失を減らすことができる効果もある。
【００３０】
また、従来のめっき層をエッチングマスクとして用いることによるリードフレーム製造用ストリップの外郭部までめっきが行われて、不要な材料費の上昇の原因を除去することができ、製造原価の節減を具現することができる長所もある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来技術による半導体パッケージの製造工程と問題点を説明するための工程図及び概念図である。
【図２】従来技術による半導体パッケージの製造工程と問題点を説明するための工程図及び概念図である。
【図３】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程の工程手順を示した図である。
【図４】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程の工程手順を示した図である。
【図５】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための概念図である。
【図６】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための概念図である。
【図７】従来技術との比較を通じて本発明による製造工程上の長所を説明するための比較図である。
【図８】従来技術との比較を通じて本発明による製造工程上の長所を説明するための比較図である。
【図９】本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程手順図及び概念図である。
【図１０】本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程手順図及び概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の要旨は、多列リード型リードフレームの製造工程において、リードフレームパターンを形成するためのレジスト塗布の際に上面と下面を同時に塗布し、フォトレジストをめっきパターンの保護パターンとして用いることで、エッチング時の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これによって、製品信頼も高める工程を提供することである。
【００３３】
以下では添付した図面を参照しながら、本発明の具体的な構成及び作用について説明する。
〔実施例〕
図３及び図４は、本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための工程手順図である。
【００３４】
本発明による多列リード型リードフレームの製造は、図３に示すように、大きく、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ（Ｓ１）、めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ（Ｓ２）、及び保護パターンをマスクとして微細パターン（ナノパターン：ｎａｎｏ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成する３ステップ（Ｓ３）を含んで構成されることを基本とする。もちろん、この後の半導体パッケージングのためには、保護パターンを剥離する工程（Ｓ４）を行うこともできる。
【００３５】
図４に示すように、リードフレーム材にめっきパターンを形成するＳ１工程は、まず、リードフレーム材を用意し（Ｓ１１）、リードフレーム材にフォトレジスト塗布（Ｓ１２）、露光／現象工程（Ｓ１３）を経って、めっきパターンは残し、フォトレジストを除去して完成する（Ｓ１４）。
【００３６】
保護パターンの形成工程（Ｓ２）は、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の上面に２次フォトレジストを塗布し（Ｓ２１）、リードフレームの上面と下面に、それぞれ、パターン形成のための露光と全面露光を施して（Ｓ２２）、完成する。この後、リードフレームの上部面を、保護パターンをマスクとしてハーフエッチングを行って、多列リード型リードフレームを完成する。上述した保護パターンは、その後除去することが好ましい。
【００３７】
図５を参照しながら、上述した工程についてより具体的に説明する。
まず、めっきパターンを形成するためのリードフレーム原素材１１０を用意する（Ｒ１）。リードフレーム材の一例としては、ＣｕまたはＣｕアロイ合金、または鉄／ニッケル合金材で構成されたものを用いることができる。
【００３８】
次に、リードフレーム材１１０の上面及び下面に感光性物質１２０を塗布する（Ｒ２）。感光性物質は、フォトレジスト（ＰＲ）またはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）あるいはフォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）などを用いることができる。ＰＲ、ＤＦＲ、ＰＳＲなどの感光性物質をコーティングする際に、リードフレーム１１０の両面または片面をコーティングすることができる。ここでは、リードフレーム材１１０の両面をコーティングした場合を実施例として説明する。
【００３９】
この後、コーティングされた感光性物質に対して所定のリードパターンでマスク１３０を用いて露光し、現像する（Ｒ３、Ｒ４）。この場合、Ｒ４に示すように、めっきマスクパターン１２０はリードフレーム材１１０の上面に形成される。
【００４０】
次に、めっきマスクパターン１２０をマスクとして多列リード型リードフレームを形成するための単層または多層のめっき工程を行う（Ｒ５）。めっきした後、めっきマスクパターン１２０を除去すると、めっきパターン１４０が形成される（Ｒ６）。このようなめっきに用いられる材料としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれる一元または二元もしくは三元合金層を用いることができ、積層構造としては、単層または多層に形成することが可能である。
【００４１】
この後、Ｒ７ステップでは、リードパターンを形成するための微細パターン形成工程のために、上述したＲ６ステップを行った後、リードフレームの上部面及び下部面に感光性物質を塗布する。
【００４２】
そして、リードフレームの上部面にはエッチングマスク形成のための保護パターンを形成するために露光／現象を行い、下部面には全面露光を施す。本工程ステップの最大の要旨は、後のエッチング工程でのめっき層のアタックを防止して、めっきパターンを保護するための保護パターンを形成することにある。
【００４３】
Ｒ８ステップの図面をみると、リードフレーム材１１０の上部面のめっきパターン１４０上に保護パターン１６０が形成され、下部面は全面露光によって全体的に保護することができる。
【００４４】
その後、Ｒ９ステップで、保護パターンをマスクとして、微細パターン（Ｐ１）を形成するエッチングを行う。
【００４５】
それから、保護パターンを除去し、本発明による多列リード型リードフレームを完成する（Ｒ１０）。
【００４６】
図６を参照しながら、本発明において従来の発明に比べて改善された工程及びそれによる効果について詳細に説明する。
【００４７】
基本的に、リードフレーム材にめっきパターンを形成する工程は、本発明の図５及び図６に示されたＲ１〜Ｒ６までの工程と共通する。
【００４８】
この後、比較工程をみると、示された（Ａ）工程は、従来の‘パターンを形成する工程であり、（Ｂ）工程は、本発明による微細パターンを形成する工程である。
【００４９】
（Ａ）工程では、リードフレーム材１１０の下部に感光物質１６０を塗布し（Ｒ７’）、上部に形成されためっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成する（Ｒ８’）。この後、下部の感光物質を剥離すると、示されたＲ９’工程のようにリードフレームを形成することになる。しかし、従来の工程において、めっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成する場合には、めっきバリが発生して、めっきパターンの幅がめっきパターンが形成されたリードフレーム面の幅よりも広くなる問題が発生する。
【００５０】
これに比べて、本発明による（Ｂ）工程をみると、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の上下部面に感光性物質を塗布し（Ｒ７）、露光、現象工程を通じて保護パターン１６０を形成する（Ｒ８）。図６の工程図のＲ８工程に示された上部保護パターンの形状は、図７のＲ８に示された保護パターン１６０（リードフレームの上部保護パターン）とは少し相違する構造を示している。すなわち、保護パターンを形成するにおいて、めっきパターンの上部面に形成できることはもちろん、図７のＲ８の場合のように、めっきパターン１４０の上部面と側面とを覆う構造で形成可能なことを一例として示しているのである。
【００５１】
（Ａ）及び（Ｂ）工程の下図は、めっきパターンの一部を拡大した要部拡大図である。これを参照すると、保護パターン１６０の幅Ｔ１は、めっきパターンの幅Ｔ２よりも広く形成することができる。その後、エッチングを行う場合、保護パターンの下部までエッチングによって蝕刻が行われても、全体的には、めっきパターンの幅Ｔ２よりもめっきパターンが形成されたリードフレームパターン面の幅Ｔ３が広いかまたは同一の長さでエッチングが行われ、めっきバリ現象やアンダーカットが発生できない長所がある（すなわち、Ｔ３≧Ｔ２）。
【００５２】
なお、図８を参照しながら本発明の他の長所について説明する。図８は、本発明によるリードフレームを形成する工程において、ストリップ単位で形成する工程を示したものである。（基本的に、リードフレーム材にめっきパターンを形成する工程は、本発明の図５及び図６に示したＲ１〜Ｒ６工程と共通する。）示された図面において、（Ｃ）は従来の工程図であり、その下段は要部拡大図（Ｑ’）である。（Ｄ）は本発明による工程図であり、その下段はＱ部分の要部拡大図である。
【００５３】
従来の工程（Ｃ）で、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の下面に感光性物質を塗布し（Ｒ７’）、めっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成し（Ｒ８’）、その後、下部感光物質を剥離すると、リードフレームが完成される（Ｒ９’）。しかし、このような工程では、必然的にストリップの外郭部（Ｑ）にもめっきを行わなければならない。具体的に、示したリードフレームの上面のめっき層をエッチングマスクとして用いる従来の工程の場合、エッチング工程中に上面のめっき層の損傷の危険がある。このような損傷は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）及び製品の信頼性低下をもたらす可能性がある。また、貴金属を用いるめっき層がエッチングマスクとして用いられる既存の製造工程では、リードとダイパッド部分のみめっきされる場合、微細パターン形成のためのハーフエッチングの際にストリップの外郭部が全部エッチングされて、ストリップ形状を維持することができなくなるため、ストリップの外郭部のめっきは必ず含まれなければならない領域（Ｑ’）であり、このような不要な部分の貴金属めっきは、材料費の上昇を引き起こすことになる。
【００５４】
しかし（Ｄ）工程をみると、リードフレーム材に保護パターンを形成するための感光性物質を塗布（Ｒ７、Ｒ８）して保護パターンを形成した後、微細パターンを形成するためのエッチングを行うと、ストリップの外郭部（Ｑ）にはめっきを行う必要がなくなる。それによって、示したリードフレームストリップの外郭部（Ｑ）には、めっきパターンが形成されずに露出した構造を有する。
【００５５】
つまり、本発明では、従来の工程を用いる際に発生したストリップの外郭部のエッチングを防止するために、リードとダイパッド以外のストリップの外郭部まで貴金属めっきを行わなければならなかった問題点を除去することで、材料費の節減効果を得ることができる。
【００５６】
同時に、本発明において、２次レジスト塗布時に上面及び下面を同時に塗布することによって、エッチング時の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これにより、製品信頼も向上させることができる。
【００５７】
また、従来の多列リード型リードフレーム工程におけるめっきバリを除去するための追加工程を除去することで、工程単価を低める効果を得られる。
【００５８】
図９及び図１０を参照しながら、上述した本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明すると、次の通りである。図９に示すように、半導体パッケージング工程は、リードフレームにチップ実装（Ｓ５）、ワイヤボンディング（Ｓ６）、エポキシモールディング（Ｓ７）、下部面エッチング（Ｓ８）の順に行われる。
【００５９】
図１０を参照しながらより具体的に説明すると、リードフレームのダイパッド領域に半導体チップ１７０が実装され（Ｒ１１）、半導体チップ１７０とめっき部分１４０とをワイヤ１８０で連結するワイヤボンディングが行われ（Ｒ１２）、この後、エポキシなどの材料を用いてモールディングして、半導体パッケージを形成する（Ｒ１３）。
【００６０】
また、半導体パッケージの下部に対してバックエッチングを行って下部を所定のパターン（Ｐ２）でエッチングすることによって、独立する入出力端子を形成するための下部エッチング工程を行って半導体パッケージを完成することができる（Ｒ１４）。
【００６１】
上述したような本発明の詳細な説明では、具体的な実施例について説明した。しかし、本発明の範疇から脱しない限り、様々な変形が可能である。本発明の技術的思想は、本発明において記述した実施例に限って定められてはならず、特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定められなければならない。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用多列型リードフレームの製造及びその方法に関するものであって、具体的には、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができ、従来の製造工程におけるめっきバリ（ｐｌａｔｉｎｇ ｂｕｒｒ）の除去工程をなくして製造工程の短縮及び材料費損失を減らすことができる技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージは、半導体チップ自体だけでは、外部から電気供給を受けて電気信号を伝達したりまたは電気信号伝達を受けることができないため、半導体チップが各種電気的信号を外部と取り交わすために、チップをパッケージングすることが必要である。近頃、チップサイズの縮小、熱放出能力及び電気的遂行能力の向上、信頼性の向上、製造コストなどを考慮して、リードフレーム、印刷回路基板、回路フィルムなどの各種部材を用いて多様な構造に製造されている。
【０００３】
最近は、半導体チップの高集積化の傾向にしたがって、半導体チップと外部回路基板との間の電気的連結線（Ｌｅａｄ）である入出力端子の数を増加させる必要がある。このために、互いに別々にチップと外部回路とを連結する２列以上の配列を有するリードを備えた多列（ｍｕｌｔｉ−ｒｏｗ）リードフレームの半導体パッケージが注目されている。図１は、従来の「半導体装置の製造方法」に関する韓国特許公開番号第１０−２００８−００３８７１２１号に開示された内容を参照したものである。
【０００４】
従来の半導体パッケージ工程による手順を説明すると、Ｃｕ、Ｃｕ合金、または鉄ニッケル合金（例えば、４２アロイ）材から構成されたリードフレーム材１０の表面と裏面にレジスト膜１１を全面塗布した後、そのレジスト膜１１を所定のリードパターンで露光し、現像して、めっきマスクのエッチングパターン１２を形成する。そして、リードフレーム材１０を全面めっきし、レジスト膜１１を除去すると、表面側と裏面側にめっきマスク１３、１４が形成される（図１の（ａ）〜（ｄ）参照）。
【０００５】
引き継いて、下面（すなわち、裏面側）の全面を別のレジスト膜１５でコーティングした後、めっきマスク１３をレジストマスクとして用いて上面側（すなわち、表面側）をハーフエッチング（ｈａｌｆ ｅｔｃｈｉｎｇ）する。この場合、リードフレーム材１０の表面のめっきマスク１３で覆われた部分はエッチングされないため、結局は、レジスト膜で予め形成された素子搭載部１６とワイヤボンディング部１７が突出することになる。注目すべき点は、この素子搭載部１６とワイヤボンディング部１７の表面は、めっきマスク１３で覆われているということである（図１の（ｅ）及び（ｆ）参照）。
【０００６】
また、下面側上にレジスト膜１５を除去した後、素子搭載部１６に半導体素子１８を搭載し、半導体素子１８の各電極パッド部とワイヤボンディング部１７とをワイヤボンディングした後、半導体素子１８、ボンディングワイヤ２０及びワイヤボンディング部１７を樹脂封止する。図面符号２１は、封止樹脂を示す（図１の（ｇ）及び（ｈ）参照）。
【０００７】
その後、裏面側をハーフエッチングする。この際、リードフレーム材１０にめっきマスク１４が形成された部分は、めっきマスク１４がレジストマスクとして機能してエッチングされずに残ることになる。その結果、外部接続端子部２２と素子搭載部１６の裏面が突出する。外部接続端子部２２とワイヤボンディング部１７とは互いに連通するため、各々の外部接続端子部２２（及び、これに連通するワイヤボンディング部１７）が独立して半導体素子１８の各電極パッド部に電気的に接続される。これら半導体装置２３は、一般に格子状に配置されて同時に製造されるため、ダイシング及び分離（固片化）して、個々の半導体装置２３が製造される（図１の（ｉ）及び（ｊ）参照）。
【０００８】
しかしながら、上述した製造工程の（ｅ）工程をみると、上面のめっき層１３をエッチングマスクとして用いてリードフレーム材１０に対するエッチングを行う場合、エッチング工程中にリードフレーム材の上面めっき層はアタック（ａｔｔａｃｋ）による損傷を受けることができ、このような損傷は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）及び製品の信頼性低下に非常に大きな影響を及ぼす問題が発生する。
【０００９】
また、上述した製造工程の（ｇ）工程によるめっきパターン部分（Ａ部分）の拡大図である図２を参照すると、図２の（Ａ１）は、図１に示されためっき層１７の一般構造を示したものである。すなわち、従来のめっきマスクに活用されるめっき層１７は、示されたように、リードフレーム材１０の上部にアンダーコート（Ｎｉ）層２４、その上部に貴金属めっき２５で形成されることが一般的である。しかしながら、このようなめっきパターンをめっきマスクとしてエッチングを行う場合には、Ａｕなどの貴金属材質のめっき２５はエッチング中に侵食されることはないが、銅または銅合金から形成されたリードフレーム材１０及びＮｉアンダーコート２４は、図２の（Ａ２）及び（Ａ３）に示すようにエッチング液によって腐食が進められる。よって、貴金属めっき２５の周囲部は箔状となって、ワイヤボンディング部１７、素子搭載部１６、外部接続端子部２２、各々の周囲に付着し、めっきバリ（めっき箔片）２６を形成することになる。問題は、このようなめっきバリ２６が存在すると、後に半導体パッケージを形成するためのワイヤボンディング工程、樹脂封止工程等でめっきバリが剥離され、ワイヤボンディング不良、端子間ショート等のような半導体装置自体の不良の原因となることである。
【００１０】
したがって、従来の工程では、めっきバリが必然的に発生することになり、製品の信頼性を高めるためにはこれを除去する工程及び洗浄のための追加工程が必要となる。具体的には、ブラシや超音波振動子を有する水槽にこの中間製品を浸漬してめっきバリを剥離した後水洗する工程をさらに進めなければならないため、経済的でない。ひいては、このようなめっきバリによる材料費損失が増加する問題もまた発生する。
【００１１】
同時に、上述した従来の製造工程の場合、貴金属を用いるめっき層がエッチングマスクとして用いられるため、ストリップの外郭部もめっきされなければならない。このような点は、不要なストリップの外郭部まで貴金属めっきを行うことによって、材料費の上昇を引き起こすことになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができ、従来の製造工程で要求される、めっきバリを除去する工程をなくして製造工程の短縮及び材料費損失を減らすことができるリードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造工程とその結果物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述した課題を解決するために、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターン（ｎａｎｏ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成する３ステップを含むことを特徴とする、多列リード型リードフレームの製造方法を提供する。これにより、従来の多列リード型リードフレーム工程において求められていた、めっきバリを除去するための追加工程をなくして製造工程を簡素化し、生産コストを節減することができる。
【００１４】
また、上述した製造工程における前記１ステップは、前記リードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布し、露光／現像して、リードフレームパターンを形成する（ａ）ステップと、前記リードフレームパターンにめっきを行う（ｂ）ステップとからなることを特徴とする。これにより、エッチング時においてリードフレーム材の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これによって製品の信頼度を向上することができる。
【００１５】
同時に、本発明における前記１ステップのめっきパターンを形成する工程に適用される材料として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれた単一の金属または二元もしくは三元合金層を用い、前記めっきパターンを単層または多層とすることができる。
【００１６】
もちろん、本発明の上記工程において、前記１ステップでは、前記めっきパターンを形成した後、前記感光性物質を剥離する（ｃ）ステップをさらに含むことを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法を提供することがさらに好ましい。
【００１７】
また、めっきパターンの上部面に保護パターンを形成する前記２ステップは、前記めっきパターンが形成されたリードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布してフォトリソグラフィー法を用いるステップであることを特徴とする。
【００１８】
具体的に、本発明において、好ましい実施例の構成として、上述した工程ステップでの前記２ステップは、リードフレーム材の両面に感光性物質を塗布し、前記リードフレーム材の上面にパターンの露光／現象を行って上部保護パターンを形成し、下面に全面露光を施して下部保護パターンを形成する。
【００１９】
上述した本発明での保護パターンを形成するにおいては、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１は、めっきパターンの幅Ｔ２以上の長さであることを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法を提供し、従来の工程で発生できるめっきバリやアンダーカット現象を除去することができる。
【００２０】
特に、このような保護パターンの好ましい形成例としては、前記保護パターンを前記めっきパターンの上面と側面とを覆う構造で形成することが好ましい。
【００２１】
また、リードフレーム原素材に微細パターンを形成するために、前記３ステップは、前記上部保護パターン部分以外の露出した前記リードフレームの上面をエッチングするステップであることを特徴とする。
【００２２】
同時に、本発明によるリードフレーム製造工程では、前記３ステップの後に、前記保護パターンを剥離するステップをさらに含んで形成することができる。
【００２３】
上述した本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程は、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、によってリードフレームを形成し、さらに、前記保護パターンを剥離し、半導体チップを実装し、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを行い、バックエッチングを通じて半導体パッケージを完成する４ステップ、を含んで構成される。
【００２４】
勿論、上述した半導体パッケージの製造工程では、本発明によるリードフレーム形成工程で保護パターンを形成する際、前記２ステップにおいて、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１をめっきパターンの幅Ｔ２より大きいことが好ましい。
【００２５】
特に、本発明では、上述したリードフレームの製造工程によるリードフレームとして、リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、前記めっきパターンの上部面に感光性保護パターンが形成されることを特徴とする多列リード型リードフレームの構造を提供することができる。特に、前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３がめっきパターンの幅Ｔ２以上に形成されることを特徴とする。もちろん、前記半導体パッケージを形成する場合には、前記保護パターンを剥離して用いることが好ましい。
【００２６】
以上のような本発明によるリードフレームを製造する工程によると、前記リードフレームストリップの外郭部にはめっきパターンを形成せずに露出した構造のリードフレームを具現することができ、材料費の節減を具現することができる。
【００２７】
また、本発明における前記めっきパターンは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏの中からいずれか一つ、またはこれらの二元もしくは三元合金を用い、単層または多層に形成することができることは上述した通りである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、めっき層をエッチングマスクとして用いる従来の問題を解決するために、めっきパターンの上部に保護パターンを形成して、リードフレームのパターン形成時においてエッチング液によるめっき層の損傷を防止して製品の信頼性を高めることができるリードフレームを提供する効果がある。
【００２９】
特に、めっき層をエッチングマスクとして用いる場合、必然的に行われるめっきバリの除去工程をなくして製造工程の短縮及び材料費の損失を減らすことができる効果もある。
【００３０】
また、従来のめっき層をエッチングマスクとして用いることによるリードフレーム製造用ストリップの外郭部までめっきが行われて、不要な材料費の上昇の原因を除去することができ、製造原価の節減を具現することができる長所もある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来技術による半導体パッケージの製造工程と問題点を説明するための工程図及び概念図である。
【図２】従来技術による半導体パッケージの製造工程と問題点を説明するための工程図及び概念図である。
【図３】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程の工程手順を示した図である。
【図４】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程の工程手順を示した図である。
【図５】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための概念図である。
【図６】本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための概念図である。
【図７】従来技術との比較を通じて本発明による製造工程上の長所を説明するための比較図である。
【図８】従来技術との比較を通じて本発明による製造工程上の長所を説明するための比較図である。
【図９】本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程手順図及び概念図である。
【図１０】本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程手順図及び概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の要旨は、多列リード型リードフレームの製造工程において、リードフレームパターンを形成するためのレジスト塗布の際に上面と下面を同時に塗布し、フォトレジストをめっきパターンの保護パターンとして用いることで、エッチング時の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これによって、製品信頼も高める工程を提供することである。
【００３３】
以下では添付した図面を参照しながら、本発明の具体的な構成及び作用について説明する。
〔実施例〕
図３及び図４は、本発明による多列リード型リードフレームの製造工程を説明するための工程手順図である。
【００３４】
本発明による多列リード型リードフレームの製造は、図３に示すように、大きく、リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ（Ｓ１）、めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ（Ｓ２）、及び保護パターンをマスクとして微細パターン（ナノパターン：ｎａｎｏ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成する３ステップ（Ｓ３）を含んで構成されることを基本とする。もちろん、この後の半導体パッケージングのためには、保護パターンを剥離する工程（Ｓ４）を行うこともできる。
【００３５】
図４に示すように、リードフレーム材にめっきパターンを形成するＳ１工程は、まず、リードフレーム材を用意し（Ｓ１１）、リードフレーム材にフォトレジスト塗布（Ｓ１２）、露光／現象工程（Ｓ１３）を経って、めっきパターンは残し、フォトレジストを除去して完成する（Ｓ１４）。
【００３６】
保護パターンの形成工程（Ｓ２）は、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の上面に２次フォトレジストを塗布し（Ｓ２１）、リードフレームの上面と下面に、それぞれ、パターン形成のための露光と全面露光を施して（Ｓ２２）、完成する。この後、リードフレームの上部面を、保護パターンをマスクとしてハーフエッチングを行って、多列リード型リードフレームを完成する。上述した保護パターンは、その後除去することが好ましい。
【００３７】
図５を参照しながら、上述した工程についてより具体的に説明する。
まず、めっきパターンを形成するためのリードフレーム原素材１１０を用意する（Ｒ１）。リードフレーム材の一例としては、ＣｕまたはＣｕアロイ合金、または鉄／ニッケル合金材で構成されたものを用いることができる。
【００３８】
次に、リードフレーム材１１０の上面及び下面に感光性物質１２０を塗布する（Ｒ２）。感光性物質は、フォトレジスト（ＰＲ）またはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）あるいはフォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）などを用いることができる。ＰＲ、ＤＦＲ、ＰＳＲなどの感光性物質をコーティングする際に、リードフレーム１１０の両面または片面をコーティングすることができる。ここでは、リードフレーム材１１０の両面をコーティングした場合を実施例として説明する。
【００３９】
この後、コーティングされた感光性物質に対して所定のリードパターンでマスク１３０を用いて露光し、現像する（Ｒ３、Ｒ４）。この場合、Ｒ４に示すように、めっきマスクパターン１２０はリードフレーム材１１０の上面に形成される。
【００４０】
次に、めっきマスクパターン１２０をマスクとして多列リード型リードフレームを形成するための単層または多層のめっき工程を行う（Ｒ５）。めっきした後、めっきマスクパターン１２０を除去すると、めっきパターン１４０が形成される（Ｒ６）。このようなめっきに用いられる材料としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれる一元または二元もしくは三元合金層を用いることができ、積層構造としては、単層または多層に形成することが可能である。
【００４１】
この後、Ｒ７ステップでは、リードパターンを形成するための微細パターン形成工程のために、上述したＲ６ステップを行った後、リードフレームの上部面及び下部面に感光性物質を塗布する。
【００４２】
そして、リードフレームの上部面にはエッチングマスク形成のための保護パターンを形成するために露光／現象を行い、下部面には全面露光を施す。本工程ステップの最大の要旨は、後のエッチング工程でのめっき層のアタックを防止して、めっきパターンを保護するための保護パターンを形成することにある。
【００４３】
Ｒ８ステップの図面をみると、リードフレーム材１１０の上部面のめっきパターン１４０上に保護パターン１６０が形成され、下部面は全面露光によって全体的に保護することができる。
【００４４】
その後、Ｒ９ステップで、保護パターンをマスクとして、微細パターン（Ｐ１）を形成するエッチングを行う。
【００４５】
それから、保護パターンを除去し、本発明による多列リード型リードフレームを完成する（Ｒ１０）。
【００４６】
図６を参照しながら、本発明において従来の発明に比べて改善された工程及びそれによる効果について詳細に説明する。
【００４７】
基本的に、リードフレーム材にめっきパターンを形成する工程は、本発明の図５及び図６に示されたＲ１〜Ｒ６までの工程と共通する。
【００４８】
この後、比較工程をみると、示された（Ａ）工程は、従来の‘パターンを形成する工程であり、（Ｂ）工程は、本発明による微細パターンを形成する工程である。
【００４９】
（Ａ）工程では、リードフレーム材１１０の下部に感光物質１６０を塗布し（Ｒ７’）、上部に形成されためっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成する（Ｒ８’）。この後、下部の感光物質を剥離すると、示されたＲ９’工程のようにリードフレームを形成することになる。しかし、従来の工程において、めっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成する場合には、めっきバリが発生して、めっきパターンの幅がめっきパターンが形成されたリードフレーム面の幅よりも広くなる問題が発生する。
【００５０】
これに比べて、本発明による（Ｂ）工程をみると、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の上下部面に感光性物質を塗布し（Ｒ７）、露光、現象工程を通じて保護パターン１６０を形成する（Ｒ８）。図６の工程図のＲ８工程に示された上部保護パターンの形状は、図７のＲ８に示された保護パターン１６０（リードフレームの上部保護パターン）とは少し相違する構造を示している。すなわち、保護パターンを形成するにおいて、めっきパターンの上部面に形成できることはもちろん、図７のＲ８の場合のように、めっきパターン１４０の上部面と側面とを覆う構造で形成可能なことを一例として示しているのである。
【００５１】
（Ａ）及び（Ｂ）工程の下図は、めっきパターンの一部を拡大した要部拡大図である。これを参照すると、保護パターン１６０の幅Ｔ１は、めっきパターンの幅Ｔ２よりも広く形成することができる。その後、エッチングを行う場合、保護パターンの下部までエッチングによって蝕刻が行われても、全体的には、めっきパターンの幅Ｔ２よりもめっきパターンが形成されたリードフレームパターン面の幅Ｔ３が広いかまたは同一の長さでエッチングが行われ、めっきバリ現象やアンダーカットが発生できない長所がある（すなわち、Ｔ３≧Ｔ２）。
【００５２】
なお、図８を参照しながら本発明の他の長所について説明する。図８は、本発明によるリードフレームを形成する工程において、ストリップ単位で形成する工程を示したものである。（基本的に、リードフレーム材にめっきパターンを形成する工程は、本発明の図５及び図６に示したＲ１〜Ｒ６工程と共通する。）示された図面において、（Ｃ）は従来の工程図であり、その下段は要部拡大図（Ｑ’）である。（Ｄ）は本発明による工程図であり、その下段はＱ部分の要部拡大図である。
【００５３】
従来の工程（Ｃ）で、めっきパターンが形成されたリードフレーム材の下面に感光性物質を塗布し（Ｒ７’）、めっきパターンをエッチングマスクとして微細パターンを形成し（Ｒ８’）、その後、下部感光物質を剥離すると、リードフレームが完成される（Ｒ９’）。しかし、このような工程では、必然的にストリップの外郭部（Ｑ）にもめっきを行わなければならない。具体的に、示したリードフレームの上面のめっき層をエッチングマスクとして用いる従来の工程の場合、エッチング工程中に上面のめっき層の損傷の危険がある。このような損傷は、ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）及び製品の信頼性低下をもたらす可能性がある。また、貴金属を用いるめっき層がエッチングマスクとして用いられる既存の製造工程では、リードとダイパッド部分のみめっきされる場合、微細パターン形成のためのハーフエッチングの際にストリップの外郭部が全部エッチングされて、ストリップ形状を維持することができなくなるため、ストリップの外郭部のめっきは必ず含まれなければならない領域（Ｑ’）であり、このような不要な部分の貴金属めっきは、材料費の上昇を引き起こすことになる。
【００５４】
しかし（Ｄ）工程をみると、リードフレーム材に保護パターンを形成するための感光性物質を塗布（Ｒ７、Ｒ８）して保護パターンを形成した後、微細パターンを形成するためのエッチングを行うと、ストリップの外郭部（Ｑ）にはめっきを行う必要がなくなる。それによって、示したリードフレームストリップの外郭部（Ｑ）には、めっきパターンが形成されずに露出した構造を有する。
【００５５】
つまり、本発明では、従来の工程を用いる際に発生したストリップの外郭部のエッチングを防止するために、リードとダイパッド以外のストリップの外郭部まで貴金属めっきを行わなければならなかった問題点を除去することで、材料費の節減効果を得ることができる。
【００５６】
同時に、本発明において、２次レジスト塗布時に上面及び下面を同時に塗布することによって、エッチング時の上面のめっき層の損傷を予防することができ、これにより、製品信頼も向上させることができる。
【００５７】
また、従来の多列リード型リードフレーム工程におけるめっきバリを除去するための追加工程を除去することで、工程単価を低める効果を得られる。
【００５８】
図９及び図１０を参照しながら、上述した本発明による多列リード型リードフレームを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明すると、次の通りである。図９に示すように、半導体パッケージング工程は、リードフレームにチップ実装（Ｓ５）、ワイヤボンディング（Ｓ６）、エポキシモールディング（Ｓ７）、下部面エッチング（Ｓ８）の順に行われる。
【００５９】
図１０を参照しながらより具体的に説明すると、リードフレームのダイパッド領域に半導体チップ１７０が実装され（Ｒ１１）、半導体チップ１７０とめっき部分１４０とをワイヤ１８０で連結するワイヤボンディングが行われ（Ｒ１２）、この後、エポキシなどの材料を用いてモールディングして、半導体パッケージを形成する（Ｒ１３）。
【００６０】
また、半導体パッケージの下部に対してバックエッチングを行って下部を所定のパターン（Ｐ２）でエッチングすることによって、独立する入出力端子を形成するための下部エッチング工程を行って半導体パッケージを完成することができる（Ｒ１４）。
【００６１】
上述したような本発明の詳細な説明では、具体的な実施例について説明した。しかし、本発明の範疇から脱しない限り、様々な変形が可能である。本発明の技術的思想は、本発明において記述した実施例に限って定められてはならず、特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定められなければならない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、
前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、
前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、
を含むことを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記リードフレーム素材にめっきパターンを形成する前記１ステップは、
前記リードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布し、露光／現像して、リードフレームパターンを形成する（ａ）ステップ、
前記リードフレームパターンにめっきを行う（ｂ）ステップ、からなることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記１ステップで前記めっきパターンを形成する工程に適用される材料として、
Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれた単一金属または二元もしくは三元合金層を用い、単層または多層であることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記１ステップは、
前記めっきパターンを形成した後、前記感光性物質を剥離する（ｃ）ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記２ステップは、
前記めっきパターンが形成された前記リードフレーム材の両面または片面に前記感光性物質を塗布してフォトリソグラフィ法を用いることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記２ステップは、
前記リードフレーム材の両面に前記感光性物質を塗布し、
前記リードフレーム材の上面に、パターンの露光／現象を行って上部保護パターンを形成し、
下面に、全面露光を施して下部保護パターンを形成することを特徴とする請求項５に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記リードフレーム材の上面に形成される前記上部保護パターンの幅Ｔ１は、前記めっきパターンの幅Ｔ２以上であることを特徴とする請求項１または６に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記保護パターンを、前記めっきパターンの上面と側面とを覆う構造に形成することを特徴とする請求項７に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記３ステップは、
前記上部保護パターン部分以外の露出した前記リードフレームの上面をエッチングするステップであることを特徴とする請求項１または６に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記３ステップの後に、前記保護パターンを剥離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項１１】
リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、
前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、
前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、
前記保護パターンを剥離し、半導体チップの実装、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを行い、バックエッチングを通じて半導体パッケージを完成する、
ことを特徴とする多列リード型半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記２ステップは、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１を前記めっきパターンの幅Ｔ２より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３が、めっきパターンの幅Ｔ２より大きいことを特徴とするリードフレーム製造方法用多列リード型リードフレーム。
【請求項１４】
前記リードフレームストリップの外郭部は、露出した構造を有することを特徴とする請求項１３に記載の多列リード型リードフレーム。
【請求項１５】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの外郭部は露出したことを特徴とするリードフレーム製造方法用多列リード型リードフレーム。
【請求項１６】
前記めっきパターンは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕのいずれか一つ、またはこれらの二元もしくは三元合金を用い、単層または多層であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の多列リード型リードフレーム。
【請求項１７】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３がめっきパターンの幅Ｔ２より大きい多列リード型リードフレームに、半導体チップ、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１８】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含んでリードフレームを構成し、
前記リードフレームの外郭部は、露出した、多列リード型リードフレームに、半導体チップ、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１】
リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、
前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、
前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、
を含むことを特徴とする多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記リードフレーム素材にめっきパターンを形成する前記１ステップは、
前記リードフレーム材の両面または片面に感光性物質を塗布し、露光／現像して、リードフレームパターンを形成する（ａ）ステップ、
前記リードフレームパターンにめっきを行う（ｂ）ステップ、からなることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記１ステップで前記めっきパターンを形成する工程に適用される材料として、
Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選ばれた単一金属または二元もしくは三元合金層を用い、単層または多層であることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記１ステップは、
前記めっきパターンを形成した後、前記感光性物質を剥離する（ｃ）ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記２ステップは、
前記めっきパターンが形成された前記リードフレーム材の両面または片面に前記感光性物質を塗布してフォトリソグラフィ法を用いることを特徴とする請求項１に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記２ステップは、
前記リードフレーム材の両面に前記感光性物質を塗布し、
前記リードフレーム材の上面に、パターンの露光／現象を行って上部保護パターンを形成し、
下面に、全面露光を施して下部保護パターンを形成することを特徴とする請求項５に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記リードフレーム材の上面に形成される前記上部保護パターンの幅Ｔ１は、前記めっきパターンの幅Ｔ２以上であることを特徴とする請求項１または６に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記保護パターンを、前記めっきパターンの上面と側面とを覆う構造に形成することを特徴とする請求項７に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記３ステップは、
前記上部保護パターン部分以外の露出した前記リードフレームの上面をエッチングするステップであることを特徴とする請求項１または６に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記３ステップの後に、前記保護パターンを剥離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の多列リード型リードフレームの製造方法。
【請求項１１】
リードフレーム材にめっきパターンを形成する１ステップ、
前記めっきパターン上に保護パターンを形成する２ステップ、
前記保護パターンをマスクとして微細パターンを形成する３ステップ、
前記保護パターンを剥離し、半導体チップの実装、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを行い、バックエッチングを通じて半導体パッケージを完成する、
ことを特徴とする多列リード型半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記２ステップは、前記リードフレーム材の上面に形成される上部保護パターンの幅Ｔ１を前記めっきパターンの幅Ｔ２より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３が、めっきパターンの幅Ｔ２より大きいことを特徴とするリードフレーム製造方法用多列リード型リードフレーム。
【請求項１４】
前記リードフレームストリップの外郭部は、露出した構造を有することを特徴とする請求項１３に記載の多列リード型リードフレーム。
【請求項１５】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの外郭部は露出したことを特徴とするリードフレーム製造方法用多列リード型リードフレーム。
【請求項１６】
前記めっきパターンは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕのいずれか一つ、またはこれらの二元もしくは三元合金を用い、単層または多層であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の多列リード型リードフレーム。
【請求項１７】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含むリードフレームを構成し、
前記リードフレームの上部パターン面の幅Ｔ３がめっきパターンの幅Ｔ２より大きい多列リード型リードフレームに、半導体チップ、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１８】
リードフレーム材の上面または下面に少なくとも１以上の微細パターンが形成され、前記微細パターンが形成されないいずれか一つ以上の部分にめっきパターンを含んでリードフレームを構成し、
前記リードフレームの外郭部は、露出した、多列リード型リードフレームに、半導体チップ、ワイヤボンディング及びエポキシモールディングを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公表番号】特表２０１２−５１４３２６（Ｐ２０１２−５１４３２６Ａ）
【公表日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５４３４２４（Ｐ２０１１−５４３４２４）
【出願日】平成２１年１２月２３日（２００９．１２．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００９／００７７２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０７４５１０
【国際公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【出願人】（５１００３９４２６）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２３日（２００９．１２．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００９／００７７２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０７４５１０
【国際公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【出願人】（５１００３９４２６）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]