少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法
低価値残留ガス、好ましくはＲＯＧから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）へ、任意選択的にエタンの個々の一画分へおよび一重質画分（画分Ｃ）へ分別され；そしてｃ）画分Ａが少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に、特に１，２−ジクロロエタン（ＤＣＥ）のおよび任意選択的にＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日まで、９９．８％純度を超えるエチレンが、エチレン誘導体化合物の、特にＤＣＥの製造のために通常使用されている。非常に高い純度のこのエチレンは、様々な石油製品の分解、引き続く分解の他の生成物からエチレンを単離し、そして非常に高い純度の製品を得るための多数の複雑な、費用のかかる分離操作によって得られる。
【０００３】
かかる高純度のエチレンの生産に関連した高いコストを鑑みて、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する、エチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの様々な製造方法が開発されてきた。これらの方法は、分解から生じた生成物を分離する過程を簡略化することによって、このようにしてエチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの製造にとって何の利益もない複雑な分離を放棄することによってコストを削減するという利点を有する。
【０００４】
例えば、国際公開第００／２６１６４号パンフレットは、エチレンの塩素化と結び付いたエタンの簡略化分解によるＤＣＥの製造方法を記載している。この趣旨で、エチレン塩素化工程は、エタンの分解中に得られた不純物の存在下に行われる。
【０００５】
国際公開第０３／０４８０８８号パンフレットは、エタンの脱水素を用いた塩素との化学反応用の低濃度エチレンの製造を記載している。エタン負荷ガス流れは、水素およびメタンのみならず、多量の未転化エタンをも含有する。この方法の経済的デザインのためには、未転化エタンは、複雑な清浄化工程の後にエタン脱水素にフィードバックしなければならない。この方法は、供給原料としてエタンを使用できるにすぎない。重大な不利点は、水素、プロピレン、ブタジエンなどのガス流れのさらなる成分が非常に特別なプロセスでエチレンを使用するのを可能にするにすぎないという事実だけでなく、エチレンの非常に低い濃度−６０％未満−である。
【０００６】
さらに、国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットは、先ず簡略化分解にかけられる、炭化水素源、特にナフサ、ガスオイル、天然ガス液、エタン、プロパン、ブタン、イソブタンまたはそれらの混合物から出発するＤＣＥの製造方法を記載している。エチレンを含有する２つの異なる画分は、ＤＣＥを生成するために塩素化反応器におよびオキシ塩素化反応器に独立して搬送される前に簡略化分解から発生したガス混合物から後で分離される。それらの方法の目標は、９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し使用することであるが、しかしながらそれらの方法は、生産コストがかかる重大な投資を要する分解の第１工程を必要とし、かつさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。さらに、それらの方法は、エチレンを含有する２つの画分を得るために、複雑でコストのかかる分別のための幾つかの工程を必要とするという不利点を示す。
【０００７】
国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットは、一方で、先ず接触オキシ脱水素にかけられるエタンの流れから出発するＤＣＥの製造方法を記載している。その目標が９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し、使用することである、上述の特許出願に記載されている方法は、しかしながら、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とする接触オキシ脱水素の第１工程を必要とするという、およびさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。
【０００８】
製油所で（製油所の流動接触分解（ＦＣＣ）装置、コーカー装置などで）生成する製油所オフガス（石油化学オフガスとも呼ばれる）などの低価値残留ガスは通常、オレフィン含有率が比較的低く、かつ、かかる回収プロセスと関連したコストが余りにも高いので、それに含有されるオレフィンのいかなる回収もなしに、例えば製油所内で、燃やされ、燃料として使用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目標は、一方で、９９．８％未満の純度のエチレンを使用する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の、特に少なくともＤＣＥの製造方法であって、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する上述の方法の不利点を示さず、かつ、通常燃やされ、燃料として使用されている製油所オフガスなどの低価値残留ガスの付加価値化（ｖａｌｏｒｉｚａｔｉｏｎ）を可能にする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この趣旨で、本発明は、低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；
ｃ）画分Ａが少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
表現「少なくとも１つのエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、１つ以上のエチレン誘導体化合物が本発明による方法によって製造され得ることを意味すると理解される。
【００１２】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから出発して直接製造される任意のエチレン誘導体化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１３】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから直接製造される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１４】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「それから誘導される化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから製造される１つの化合物そのものから製造される任意の化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１５】
エチレンから出発して直接製造されるかかるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコール、プロピオンアルデヒドおよびＤＣＥが挙げられてもよい。
【００１６】
それから誘導されるかかる化合物の例として、とりわけ、
− エチレンオキシドから製造されるグリコールおよびエーテル、
− エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマー、
− ＤＣＥから製造される塩化ビニル（ＶＣ）、
− ＶＣから誘導される塩化ビニリデン、フッ素化炭化水素およびポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）ならびにフッ素化炭化水素から誘導されるフッ素化ポリマー、ならびに
− 塩化ビニリデンから誘導されるポリ塩化ビニリデンおよびフッ素化炭化水素（およびフッ素化ポリマー）
が挙げられてもよい。
【００１７】
本発明による方法は、低価値残留ガスから出発する方法である。
【００１８】
単数形で本明細書で以下用いられる、表現「低価値残留ガス」（ＬＶＲＧ）は、本発明の目的のためには、その目標が少なくとも１つの可燃性液体を製造することである装置で副生物として生成するオフガスである、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物を意味すると理解され；ＬＶＲＧは、１０重量％超の永久ガスから構成される。
【００１９】
表現「ガス」は、本発明の目的のためには、爆発予防システム（Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ）に関するＮＦＰＡ６９標準（ＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ）、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、完全な分子運動性および無制限の拡大で特徴づけられる物質の状態の意味で理解されるべきである。
【００２０】
表現「前駆体」は、本発明の目的のためには、エチレン以外の２個の炭素原子を含有する任意の炭化水素化合物、特にエタン、エタノールおよびアセチレン、より特にエタンおよびアセチレンを意味すると理解される。
【００２１】
表現「可燃性液体」は、本発明の目的のためには、その封入圧力下に２１℃で少なくとも部分的に液体であり、かつ、燃焼を受けることができる、炭素、水素および多分酸素を含有する任意の炭化水素画分を意味すると理解される。
【００２２】
表現「燃焼」は、本発明の目的のためには、Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓに関するＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、白熱か火炎かのどちらかの形態で、熱および通常光を生成するのに十分に速い速度で起こる酸化の化学プロセスの意味で理解されるべきである。
【００２３】
表現「永久ガス」は、本発明の目的のためには、その臨界温度が０℃未満であり、かつ、簡単な圧縮によって液化できない任意のガスを意味すると理解される。永久ガスの例は、水素、酸素、窒素、アルゴン、一酸化炭素およびメタンである。
【００２４】
ＬＶＲＧは、可燃性液体を製造するために炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置で製造することができる。かかる装置は、炭化水素源熱分解、水素化熱分解、接触熱分解、電気アーク熱分解、フィッシャー−トロプシュ（Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ）合成または製油装置であり得る。炭化水素源は、石炭、褐炭および木材のような固体源、油（石油）およびナフサのような液体源、または合成ガスまたは油田および／またはガス田からの残留ガスのようなガス状源であり得る。かかるＬＶＲＧは通常、燃料として燃やされるかまたはフレアにされる。
【００２５】
表現「炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置」は、本発明の目的のためには、ＬＶＲＧが炭化水素源を処理する１種類の装置で、または炭化水素源を処理する数種類の装置で製造できることを意味すると理解される。好ましくは、ＬＶＲＧは、炭化水素源を処理する１種類の装置で製造される。
【００２６】
ＬＶＲＧは有利には、大気圧より上の圧力に、好ましくは大気圧とそれが発生する装置の圧力との間に含まれる圧力にある。
【００２７】
本発明による方法にとって特に好ましいＬＶＲＧは、通常製油所オフガスと呼ばれる（石油化学オフガスとも呼ばれる）、本明細書で以下ＲＯＧと称される、製油所で生成するＬＶＲＧである。
【００２８】
本発明による方法はそれ故好ましくは、ＲＯＧから出発する方法である。
【００２９】
ＲＯＧは、製油所に存在する１つ以上の装置で製造することができる。ＲＯＧは好ましくは、製油所に存在する次の装置：流動接触分解（ＦＣＣ）、コーカー（ディレードコーカー、フルードコーカー、フレキシコーカー）、ガスプラント、改質装置、水素添加分解装置、水素化処理装置および水素化脱硫（ＨＤＳ）の少なくとも１つで製造される。ＲＯＧはより好ましくは、少なくとも１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００３０】
ＲＯＧは、１つの製油所でまたは幾つかの製油所で製造することができる。
【００３１】
最も好ましくは、ＲＯＧは、１つの製油所で、特に好ましくは１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００３２】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは通常、とりわけ：
− 水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋および硫化水素；
− 窒素、アルゴン、二酸化炭素および水；
− 酸素、一酸化炭素および窒素酸化物；
− 塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物および窒素を含有する有機化合物；ならびに
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニル
を含む。
【００３３】
エチレンを除いて上述の成分は全て、望ましくない成分と称することができる。表現「望ましくない成分」は、本発明の目的のためには、それらが本方法の以下の工程の少なくとも１つにとって有害である場合に、少なくとも部分的に除去されるべきである成分全てを意味すると理解される。
【００３４】
これらの望ましくない成分は、とりわけ：
− 水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
− 窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
− 酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；
− 二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
− プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物；ならびに
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物
のように分類することができる。
【００３５】
これらの望ましくない成分はまた、とりわけ：
１．少なくとも工程ｂ）にとって有害であり得る、かつ、有利には工程ａ）中に実質的に除去される望ましくない成分、すなわち、
− 二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物。
２．工程ｂ）内では受け入れることができるが、工程ｂ）に続く本方法の工程の少なくとも１つにとって有害であり得る、かつ、工程ａ）中に少なくとも部分的に多分除去することができる望ましくない成分、すなわち、
− 水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
− 窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
− 酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；ならびに
− プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物
のように分類することができる。
【００３６】
表現「少なくとも部分的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも２５％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５０％が除去されることを意味すると理解される。有利には、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在するかかる各望ましくない成分の量の多くとも９０％が除去される。
【００３７】
表現「実質的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％、より好ましくは少なくとも９９％が除去されることを意味すると理解される。
【００３８】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。上述のように、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物（組み合わせＬＶＲＧ）であることができる。個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するときに本明細書で以下与えられる組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスである場合に相当する。組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するとき、組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物である場合に相当する。
【００３９】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には０．２５〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも０．２５重量％、好ましくは少なくとも２重量％、より好ましくは少なくとも５重量％、最も好ましくは少なくとも８重量％、特に好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００４０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも１８重量％、最も好ましくは少なくとも２０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００４１】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には３〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも３重量％、好ましくは少なくとも５重量％、より好ましくは少なくとも８重量％、最も好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４２】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも２０重量％、最も好ましくは少なくとも２２重量％、さらに最も好ましくは少なくとも２２．５重量％のエチレンと前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４３】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には１０〜９０ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも１０ＭＪ、好ましくは少なくとも１２ＭＪ、より好ましくは少なくとも１５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも９０ＭＪ、好ましくは多くとも８５ＭＪ、より好ましくは多くとも８０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４４】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも２０ＭＪ、好ましくは少なくとも２５ＭＪ、より好ましくは少なくとも３０ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６０ＭＪ、最も好ましくは多くとも５５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４５】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９０体積％、好ましくは多くとも８５体積％、より好ましくは多くとも８０体積％、最も好ましくは多くとも７５体積％の不活性ガスを含む。
【００４６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の不活性ガスを含む。
【００４７】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の窒素を含む。
【００４８】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、ガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより有利には低いまたは高い（だから可燃性領域の外側の）、好ましくは多くとも２１体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００４９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利にはガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより低い、好ましくは多くとも１０体積％、より好ましくは多くとも７体積％、最も好ましくは多くとも５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００５０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９体積％、好ましくは多くとも７体積％、より好ましくは多くとも５体積％の量で酸素を含む。
【００５１】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５０体積％、好ましくは多くとも４０体積％、より好ましくは多くとも３５体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５２】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１５体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５３】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１０体積％、好ましくは多くとも８体積％、より好ましくは多くとも５体積％の個々の量で各腐食性化合物を含む。
【００５４】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも４０体積％、好ましくは多くとも３５体積％、より好ましくは多くとも３３体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５５】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１８体積％、より好ましくは多くとも１５体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１５体積％、好ましくは多くとも１２体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の個々の量で各反応性化合物を含む。
【００５７】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積％、好ましくは多くとも３体積％、より好ましくは多くとも２体積％の量で一酸化炭素を含む。
【００５８】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２００体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも１００体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも５０体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００５９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも２体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも１体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００６０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５００体積ｐｐｂ、好ましくは多くとも３００体積ｐｐｂ、より好ましくは多くとも２００体積ｐｐｂの個々の体積で触媒毒化合物を含む。
【００６１】
本発明による、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧから出発する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法、特にＤＣＥのおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法において、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびに工程ｂ）にかけられるエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るためにＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置で一連の処理工程（工程ａ））にかけられる。
【００６２】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧが数種のガスの混合物であるとき、異なるガスが全て工程ａ）における同じ一連の処理工程にかけられてもよく、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程にかけられてもよいかまたはそれらのそれぞれが、工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられてもよい。好ましくは、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられる。
【００６３】
工程ａ）におけるＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置での一連の処理工程は有利には、それらが列挙される順番に必ずしも行われない、以下の工程：
ａ１）任意選択的に圧縮工程、
ａ１ｂｉｓ）任意選択的に１つまたは幾つかの除塵工程、
ａ２）腐食性化合物除去、
ａ３）触媒毒化合物除去、
ａ４）任意選択的に冷却、
ａ５）任意選択的に可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ６）任意選択的に不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ７）任意選択的に含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去；および
ａ８）任意選択的に反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去
からなる。
【００６４】
圧縮工程（工程ａ１））は任意選択的に行われる。
【００６５】
存在するとき、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧの圧縮工程は有利には、圧力を少なくとも８ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは少なくとも１０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは少なくとも１２ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは少なくとも１４ｋｇ／ｃｍ２・ｇに、そして有利には高くても６０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは高くても５５ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは高くても５０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは高くても４５ｋｇ／ｃｍ２・ｇに上げる。
【００６６】
工程ａ１）は好ましくは、多段ガス圧縮機でか幾つかの圧縮機でかのどちらかで、数段階で行われる。液滴分離は好ましくは圧縮工程ａ１）の前に行われる。
【００６７】
各圧縮段階での圧縮比は、圧縮段階の出口での温度が有利には高くても１５０℃の、好ましくは高くても１２０℃の、より好ましくは高くても１００℃のものであるようなものである。この段階を出るガスは後で有利には、冷却媒体での間接冷却によって冷却される。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００６８】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。
【００６９】
冷却の終わりに、幾らかの凝縮物が生成し得るであろう。幾らかの凝縮物が生成する場合、それらは分離できるかまたは分離できない。それらは好ましくは分離される。凝縮物は有利には、圧力放出、好ましくは上流段階の圧力での圧力放出によって脱ガスされる。分離した液体のストリッピングは、揮発性画分を回収するために行うことができる。生成したガスはより好ましくは、上流段階のガスと共にリサイクルされる。
【００７０】
ガス中に存在するかまたは前処理工程のいずれかによって発生した固体粒子は任意選択的に、好適な操作、すなわち、１つまたは幾つかの除塵工程（除塵工程ａ１ｂｉｓ））によって除去することができる。好適な操作の中に、例えば、重力沈降、衝突、サイクロンの使用、濾過、エレクトロ濾過および／または電気沈殿が挙げられてもよい。サイクロンの使用、濾過およびエレクトロ濾過が好ましい。
【００７１】
腐食性化合物除去（工程ａ２））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【００７２】
第１グループの工程（工程ａ２ａ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００７３】
吸収は有利には、アミン（好ましくはアルカノールアミン）溶液のような再生可能な溶液での吸収、メタノールもしくはジメチルエーテルポリエチレングリコールのような好適な溶媒での物理吸収、またはアルカリ性溶液でガス洗浄することによって行われる化学反応での吸収である。
【００７４】
アルカリは好ましくは水酸化物、酸化物または炭酸塩である。アルカリの例は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムである。
【００７５】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））は好ましくは、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７６】
再生可能な溶液は、再生されてもされなくてもよい。再生が行われる場合、それは有利には、特に二酸化炭素と硫化水素とを分離するために、１つまたは幾つかの段階で起こる。再生可能な溶液は好ましくは再生され、より好ましくは２段階で再生される。
【００７７】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））はより好ましくは、２段階で再生される、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７８】
かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる腐食性化合物は有利には、硫化水素、塩化水素、硫化カルボニル、シアン化水素、二酸化炭素、アンモニアならびにメルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物である。
【００７９】
あるいはまた、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、アンモニアならびに硫黄酸化物は、工程ａ２ａ）中に少なくとも部分的に加水分解することができる。
【００８０】
水はまた、メタノールのような物理吸着剤が使用される場合、かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる。
【００８１】
第２グループの工程（工程ａ２ｂ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００８２】
例えば、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物などの腐食性化合物の水素化は有利には、水素化触媒を使用することによって水素化反応器で行われる。工程ａ２ｂ）後に、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物は有利には、少なくとも部分的に水素化される。
【００８３】
好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。工程ａ７）について明示されるものなどの触媒がまた使用されてもよい。
【００８４】
硫化カルボニルは、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的にメルカプタンへ転化される。
【００８５】
水素化供給物中に存在するニトリルはまた有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中にアミンへ少なくとも部分的に転化される。
【００８６】
シアン化水素は、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的に除去される。
【００８７】
工程ａ２ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【００８８】
第３グループの工程（工程ａ２ｃ））は、１つまたは幾つかの冷却工程を含む。
【００８９】
冷却は有利には、冷却媒体での直接または間接冷却によって行われる。直接冷却とは、冷却媒体とのプロセス流れの物理的接触を意味する。直接接触冷却のための好適な冷却媒体の例は、水、メタノール、炭化水素またはそれらの混合物である。好適な冷却媒体の他の例は、アルカノールアミン、金属炭酸塩もしくは重炭酸塩、硫酸または硝酸のような無機酸の水溶液である。好適な媒体の他の例は、アルカノールアミンまたは金属炭酸塩もしくは重炭酸塩のメタノール溶液である。好ましくは、冷却媒体は、流れ温度より低い温度にある。冷却は好ましくは、冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００９０】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。あるいはまた、凍結乾燥工程を乾燥するために用いることができる。
【００９１】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【００９２】
第４グループの工程（工程ａ２ｄ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００９３】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライト、シリカゲルまたはアルミナのような好適な固体上への吸着である。
【００９４】
水吸着は有利には、モレキュラーシーブ、シリカゲルまたはアルミナ上への吸着工程によって少なくとも部分的に実現される。
【００９５】
好ましくは、水除去は、冷却（工程ａ２ｃ））と吸着（工程ａ２ｄ））との組み合わせによって少なくとも部分的に行われる。
【００９６】
硫化カルボニル、硫化カルボニルならびにスルフィドから誘導されるメルカプタンは有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【００９７】
残留ニトリルだけでなくニトリルから誘導されたアミンは有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。窒化物はまた、工程ａ２ｄ）中に少なくとも部分的に吸着される可能性がある。
【００９８】
アンモニアはまた、既に除去されていない場合、有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【００９９】
二酸化炭素はまた、工程ａ２ａ）中に除去されなかった場合、有利には、好適な吸着剤上での吸着によって少なくとも部分的に除去することができる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【０１００】
触媒毒化合物除去（工程ａ３））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１０１】
第１グループの工程（工程ａ３ａ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１０２】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライトまたは活性化されているもしくは活性化されていないアルミナのような好適な固体上への化学的または物理的吸着である。
【０１０３】
好ましくは、触媒毒化合物は、好ましくは活性化された、アルミナ上への、または活性炭上への化学的または物理的吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【０１０４】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が、吸着のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。
【０１０５】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１０６】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１０７】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１０８】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１０９】
第２グループの工程（工程ａ３ｂ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの段階を含む。
【０１１０】
吸収は有利には、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールもしくはメタノールのような好適な溶媒での、物理吸収、または例えば、工程ａ２ａ）について記載されたようなアルカリ性水溶液での、化学吸収である。
【０１１１】
工程ａ３）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１１２】
工程ａ２ｃ）に加えて、冷却工程（工程ａ４））が任意選択的に冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素、ＣＯ２、ハイドロフルオロカーボン冷媒、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスまたは大気空気の中から選択される。冷却媒体はより好ましくは、冷却塔水またはエチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスである。
【０１１３】
ガスは有利には、０℃より下、好ましくは−１０℃より下、より好ましくは−２０℃より下に、しかし有利には、−１５０℃以上、好ましくは−１２０℃以上、より好ましくは−１００℃以上に冷却される。
【０１１４】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【０１１５】
可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ５））。
【０１１６】
水素および／またはメタンの少なくとも一部が少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ａ））。この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。水素および／またはメタンの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、水素および／またはメタンの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ５ａ））中に行われる。
【０１１７】
水素および／またはメタンのための好適な分離工程は有利には、膜透過および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１１８】
エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素もしくは重質Ｃ６＋の少なくとも一部が、有利には数工程で、少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ｂ））。
【０１１９】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋の少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分別中に行われてもよい。
【０１２０】
工程ａ）中、エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋のための好適な分離工程は、有利には凝縮である。有利には工程ａ５ｂ）は、圧縮工程ａ１）および／または冷却工程ａ２ｃ）および／またはａ４）と組み合わせられる。
【０１２１】
不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ６））。
【０１２２】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。不活性ガスの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分別中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、不活性ガスの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ６））中に行われる。
【０１２３】
工程ａ）中の不活性ガスまたは画分Ａのための好適な分離工程は有利には、膜浸透および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１２４】
含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ７））。
【０１２５】
酸素の少なくとも一部は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる（工程ａ７ａ））。
【０１２６】
好適な化学的工程は有利には、銅または硫化されたニッケル触媒の還元床を使用することによって、好ましくは硫化されたニッケル触媒を使用することによって行われる（工程ａ７ａ１））。
【０１２７】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ａ２））。
【０１２８】
水素化工程は、例えば、アルミナ、シリカ、シリカ／アルミナ、炭素、炭酸カルシウムまたは硫酸バリウムなどの担体上に沈着されたパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、金、銀またはこれらの元素の混合物をベースとする触媒、しかしまたニッケルをベースとする触媒およびコバルト−モリブデン錯体をベースとするものなどの任意の公知の水素化触媒を用いて行われてもよい。好ましくは、水素化工程は、アルミナもしくは炭素上に沈着されたパラジウムもしくは白金をベースとする触媒を用いて、ニッケルをベースとする触媒でまたはコバルト−モリブデン錯体をベースとする触媒で行われる。特に好ましいやり方では、それはニッケルをベースとする触媒を用いて行われる。
【０１２９】
水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１３０】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ａ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ａ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ａ５））によって行われる。
【０１３１】
工程ａ７ａ２）がより特に好ましい。
【０１３２】
工程ａ７ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１３３】
窒素酸化物の少なくとも一部（工程ａ７ｂ））は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる。
【０１３４】
好適な化学的工程は有利には、アンモニアまたは尿素での、好ましくは尿素での窒素酸化物除去によって行われる（工程ａ７ｂ１））。
【０１３５】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ｂ２））。好適な触媒は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒、より好ましくは硫化されたニッケル触媒である。
【０１３６】
水素化工程は、同じ好ましさで、酸素の水素化について明示されるものと同じ触媒を用いて行われてもよい。水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１３７】
水素化は窒素酸化物除去よりも好ましい。
【０１３８】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ｂ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ｂ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ｂ５））によって行われる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【０１３９】
工程ａ７ｂ２）およびａ７ｂ３）がより特に好ましい。
【０１４０】
工程ａ７ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４１】
反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ８））。
【０１４２】
反応性化合物除去（工程ａ８））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１４３】
第１グループの工程（工程ａ８ａ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１４４】
アセチレンの部分水素化は有利には、水素化触媒を使用することによってアセチレン変換器で行われる。工程ａ８ａ）後に、アセチレンは有利には、少なくとも部分的に水素化される。好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。言い換えれば、工程ａ２ｂ）について明示されるものなどの触媒が使用されてもよい。
【０１４５】
水素化供給物中に存在する窒素を含有する有機化合物は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に除去される。
【０１４６】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は、工程ａ８ａ）中に部分的に水素化することができる。
【０１４７】
メチルアセチレン、プロパジエンおよびブタジエンをはじめとする水素化供給物中に存在するより高級のアセチレン化合物は有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に水素化される。
【０１４８】
工程ａ８ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４９】
第２グループの工程（工程ａ８ｂ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１５０】
吸着は有利には、他の望ましくない成分を少なくとも部分的に除去するために化学的に特異な吸着剤で行われる。
【０１５１】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【０１５２】
ホスフィン、メタノールおよび塩素を含有する無機化合物はまた、工程ａ８ｂ）中に少なくとも部分的に吸着されてもよい。
【０１５３】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。実現される場合、工程ａ８ｂ）は工程ａ３）と組み合わせるまたは組み合わせないことができよう。
【０１５４】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１５５】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１５６】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１５７】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１５８】
工程ａ８ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１５９】
第３グループの工程（工程ａ８ｃ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１６０】
吸収は有利には、とりわけ、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物を少なくとも部分的に除去するために、好適な溶媒で、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールで行われる。
【０１６１】
ジエタノールアミンおよびメタノールは有利には、工程ａ８ｃ）中に少なくとも部分的に除去することができる。
【０１６２】
前述の異なる工程は、それらが列挙される順番に必ずしも行われない。それらは、任意の他の順番に実現することができる。
【０１６３】
しかしながら、工程ａ４）は有利には、処理工程の最後の工程である。
【０１６４】
水素化工程ａ２ｂ）、ａ７ａ２）、ａ７ｂ２）およびａ８ａ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸着工程ａ３ａ）、ａ７ａ３）、ａ７ｂ３）およびａ８ｂ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸収工程ａ２ａ）、ａ３ｂ）、ａ７ａ４）、ａ７ｂ４）およびａ８ｃ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。
【０１６５】
処理工程ａ２）およびａ３）が行われる好ましい順番は：
１．工程ａ３ａ）、
２．工程ａ３ｂ）、
３．工程ａ２ｂ）、
４．工程ａ２ａ）、
５．工程ａ２ｃ）、そして
６．工程ａ２ｄ）
である。
【０１６６】
任意選択的な圧縮工程ａ１）が行われるとき、工程ａ３ａ）、ａ３ｂ）、ａ２ｂ）およびａ２ｃ）は好ましくは、最後の圧縮段階の前に挿入される。任意選択的な除塵工程ａ１ｂｉｓ）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｄ）の後である。
【０１６７】
任意選択的な冷却工程ａ４）が行われるとき、それは好ましくは最後の工程である。
【０１６８】
工程ａ５ａ）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１６９】
工程ａ５ｂ）が行われるとき、それは有利には、冷却工程ａ２ｃ）および／または工程ａ４）に置かれた幾つかの工程で行われる。
【０１７０】
工程ａ６）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１７１】
工程ａ５ａ）および工程ａ６）が行われるとき、それらは有利には組み合わせられる。
【０１７２】
工程ａ７ａ２）が行われるとき、それは有利には工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７３】
工程ａ７ｂ２）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７４】
工程ａ７ｂ３）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ３ａ）と組み合わせられる。
【０１７５】
工程ａ８ａ）、ａ８ｂ）およびａ８ｃ）が行われるとき、それらは有利には、それぞれ工程ａ２ｂ）、ａ３ａ）およびａ３ｂ）と組み合わせられる。
【０１７６】
処理工程が行われるより好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）、
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７７】
処理工程が行われる最も好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ａ）、工程ａ６）および工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７８】
有利には、本発明による方法において、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素および重質Ｃ６＋、不活性ガス、含酸素化合物、反応性化合物および実質的に低下した量の腐食性化合物および触媒毒化合物を含む。
【０１７９】
任意選択的に、不活性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８０】
任意選択的に、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８１】
任意選択的に、（エチレン以外の）可燃性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、エチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。有利には、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。より好ましくは、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率、およびエチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８２】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物について本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。
【０１８３】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は有利には、少なくとも１０体積％、好ましくは少なくとも１５体積％、より好ましくは少なくとも２０体積％のエチレンを含む。それは有利には、多くとも６０体積％、好ましくは多くとも５５体積％、より好ましくは多くとも５０体積％のエチレンを含む。
【０１８４】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも３０ＭＪ、好ましくは少なくとも３３ＭＪ、より好ましくは少なくとも３５ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３７ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６５ＭＪ、最も好ましくは多くとも６０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【０１８５】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物中に含まれる水の分圧は、有利には水銀の５５ｍｍより低い、好ましくは２５ｍｍより低い、より好ましくは１５ｍｍより低い、最も好ましくは１０ｍｍより低い。
【０１８６】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の同じ成分の量の多くとも５％、好ましくは多くとも２％、より好ましくは多くとも１％のものである量で、以下の成分、すなわち、二酸化炭素、硫化水素、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アンモニア、窒化物、ニトリル、塩化水素、シアン化水素、水銀、ヒ素（アルシンのような）、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのそれぞれを含む。
【０１８７】
上に定義された工程ａ）の後に、工程ｂ）によって、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）へ、任意選択的にエタンの個々の一画分へおよび一重質画分（画分Ｃ）へ分別される。
【０１８８】
好ましくは、工程ｂ）によって、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、画分Ａへおよび画分Ｃへ分離される。
【０１８９】
表現「一分別工程」は、本発明の目的のためには、１つおよび１つのみの分別工程が考えられることを意味すると理解される。
【０１９０】
表現「エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物が一分別工程で分別される」中の用語「分別される」または「分別」は、本発明の目的のためには、サブ混合物の少なくとも１つが、指定圧力範囲で、泡立ち点でのエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物の組成によって画定される範囲の外側にある組成で、および露点での同じ混合物の組成で特徴づけられるような方法での単一の分離（分別）工程による２つ以上のサブ混合物へのエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物の分割を意味すると理解される。
【０１９１】
表現「分別工程」は、単一機能を有すると考えることができる潜在的に多段階プロセスの任意の部分を意味することを意図される。分別工程は、１つまたは幾つかの相互接続装置で行うことができる。
【０１９２】
表現「泡立ち点」は、本発明の目的のためには、出発温度から一定圧力でエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を加熱中に、この混合物が、蒸気の第１泡が形成される液体状態にあるような点を意味すると理解され；泡立ち点組成は、この第１蒸気泡の組成である。
【０１９３】
表現「露点」は、本発明の目的のためには、出発温度から一定圧力でエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を冷却中に、この混合物が、液体の第１泡が形成される蒸気状態にあるような点を意味すると理解され、露点組成は、この第１液体泡の組成である。
【０１９４】
分別工程は有利には分別操作を含む。
【０１９５】
分別操作の例は、蒸留、抽出蒸留、液−液抽出、パーベーパレーション、気体透過、吸着、圧力スイング吸着（ＰＳＡ）、吸収、クロマトグラフィー、逆浸透および分子濾過である。蒸留、気体透過、パーベーパレーションおよびＰＳＡが好ましい。蒸留がより好ましい。
【０１９６】
この分別工程はそれ故より好ましくは、２つの異なる画分、すなわち塔Ｃのトップを出る画分Ａと、塔Ｃのボトムを出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の主塔（塔Ｃと呼ばれる）内部での分別にある。
【０１９７】
塔Ｃへのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０１９８】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程ｂ）中に塔Ｃへ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０１９９】
主塔Ｃは有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２００】
塔Ｃは有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは塔Ｃは蒸留塔である。
【０２０１】
工程ｂ）はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２０２】
塔Ｃは有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。
【０２０３】
エチレンをほとんど全て含有する画分Ａは有利には塔Ｃのトップを出るが、最小揮発性の化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃのボトムを出る。
【０２０４】
上述の工程ｂ）は有利には、少なくとも８バールの、好ましくは少なくとも１０バールの、より好ましくは少なくとも１２バールの、最も好ましくは少なくとも２０バールの、非常に最も好ましくは少なくとも２７バールの圧力で行われる。工程ｂ）は有利には、高くても５０バールの、好ましくは高くても４５バールの、特に好ましいやり方では高くても４０バールの圧力で行われる。
【０２０５】
工程ｂ）が行われる温度は、塔Ｃ１のトップで有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、より好ましくは少なくとも−１１０℃、最も好ましくは少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ１のトップで有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、より好ましくは高くても−５０℃、最も好ましくは高くても−６５℃、非常に最も好ましくは高くても−８０℃である。
【０２０６】
工程ｂ）が行われる温度は、塔Ｃ１のボトムで有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、より好ましくは少なくとも２０℃である。それは、塔Ｃ１のボトムで有利には高くても１００℃、好ましくは高くても８０℃、より好ましくは高くても７０℃、最も好ましくは高くても６０℃である。
【０２０７】
工程ｂ）が行われる圧力および温度は有利には、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）が工程ｂ）の後に得られるように選択される。
【０２０８】
特に好ましい圧力範囲は２０バール〜５０バールであり、２７バール〜３８バールが好ましい。
【０２０９】
塔Ｃ１のトップでの特に好ましい温度範囲は−１１０℃〜−５０℃であり、−１００℃〜−８０℃が好ましい。
【０２１０】
塔Ｃ１のボトムでの特に好ましい温度範囲は０℃〜１００℃であり、２０℃〜−６０℃が好ましい。
【０２１１】
塔のトップでの画分Ａは有利には部分凝縮して還流を供給し；冷却力は有利には、外部低温サイクル、凝縮物の一部またはそれの混合物の圧力放出による内部低温サイクルによって、好ましくはそれらの混合によって供給される。ガス生成物のターボ膨張によるエネルギー回収が任意選択的に用いられる。
【０２１２】
語句「エチレンをほとんど全て含有する一画分」は、本発明の目的のためには、エチレンをほとんど全て含有する１つおよび１つのみの画分が工程ｂ）の後に得られることを意味すると理解される。
【０２１３】
語句「エチレンをほとんど全て含有する画分」は、本発明の目的のためには、この画分が、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９０％を含有することを意味すると理解される。
【０２１４】
好ましくは、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％を含有する。
【０２１５】
語句「一重質画分」は、本発明の目的のためには、１つおよび１つのみの重質画分が工程ｂ）の後に得られることを意味すると理解される。
【０２１６】
画分Ａおよび画分Ｃを特徴づけるために下に定義される量は、工程ｂ）を出るこれらの画分についてのものである。
【０２１７】
画分Ａは有利には、エチレンより軽質である化合物に富む。これらの化合物は一般に、メタン、窒素、酸素、水素および一酸化炭素である。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％、特に好ましいやり方では少なくとも９５％を含有する。
【０２１８】
画分Ａは有利には、３０％より低い、好ましくは２５％より低い、より好ましくは２０％より低い不活性ガスの体積含有率で特徴づけられる。
【０２１９】
画分Ａは有利には、ガス混合物を可燃性にするために必要なレベルより低い含酸素化合物の総量で、１５％より低い、好ましくは１２％より低い、より好ましくは１０％より低い体積含有率で好ましくは特徴づけられる。
【０２２０】
画分Ａは有利には、９％より低い、好ましくは８％より低い、より好ましくは７％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２１】
画分Ａは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２２】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２３】
画分Ａは有利には、０．００５％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．０００５％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２４】
画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２５】
画分Ａは有利には、０．０２％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．００５％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２６】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。
【０２２７】
画分Ａは、画分Ａの総体積に対して有利には０．１体積％以下、好ましくは０．０５体積％以下、特に好ましいやり方では０．０１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。
【０２２８】
画分Ａは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２９】
画分Ｃは有利には、少なくとも３個の炭素原子を含む化合物を含有する。有利には、少なくとも３個の炭素原子を含むこれらの化合物は、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物に由来するか、または工程ｂ）中の副反応によって発生する。少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の中には、プロパン、プロピレン、ブタンおよびそれらの不飽和誘導体ならびに飽和または不飽和のより重質の化合物全てが挙げられてもよい。
【０２３０】
画分Ｃは有利には、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有される少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％および特に好ましくは少なくとも９９％を含有する。
【０２３１】
画分Ｃは有利には、画分Ｃの総重量に対して多くとも１重量％、好ましくは多くとも０．８重量％、特に好ましくは多くとも０．５重量％のエチレンを含有する。
【０２３２】
画分Ｃは有利にはエチレンより重質の成分に富む。好ましくは、画分Ｃは燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化される。より好ましくは、画分Ｃは化学的に付加価値化される。
【０２３３】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエタンに非常に富む場合には、それを付加価値化するためにエタンを単離することは興味深いことであり得る。これらの状況では、本発明による方法は、エタンが画分Ａに、画分Ｃに導かれるかまたは個々の画分として単離されるように適合させることができる。
【０２３４】
エタンが画分Ｃに導かれる場合には、エタンは、さらなる蒸留塔を用いて画分Ｃ中に存在する重質炭化水素から分別により分離することができる。エタンはまた、画分Ａから（ボトムで抜き取られる）画分Ｃを単離するために使用される蒸留塔の側面からそれを抜き取ることによってか、または画分Ｃを単離するときに従来の蒸留塔の代わりに分割壁塔を使用することによって回収することができる。
【０２３５】
エタンが塩素化に向けられる画分に導かれる場合には、エタンは、好ましくはガス透過、パーベーパレーションまたは圧力スイング吸着の中間工程によって、塩素化のガス流出物から回収することができる。
【０２３６】
エタンが個々の画分として単離される場合には、それは工程ｂ）中に他の画分から分離分別することができる。
【０２３７】
回収された後に、エタンは、燃料として燃やすかまたは化学的に付加価値化することができる。エタンは好ましくは化学的に付加価値化される。エタンはそれ故より好ましくは、後でオキシ塩素化にかけられるエチレンを生成するために国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットに記載されているようにオキシ脱水素化（ＯＤＨ）にかけられる。
【０２３８】
上に定義された工程ｂ）の後に、工程ｃ）によって、画分Ａは少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０２３９】
工程ｃ）の前に、画分Ａは任意選択的に、特にＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられるときに、アセチレン水素化工程、引き続く任意選択的に乾燥工程にかけられる。好ましくは、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられる画分Ａは、アセチレン水素化にかけられる。より好ましくは、直接塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａは、アセチレン水素化工程、引き続く乾燥工程にかけられる。より好ましくは、オキシ塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａは、乾燥工程なしのアセチレン水素化にかけられる。
【０２４０】
アセチレンの水素化は有利には、工程ａ８ａ）について先に記載されたように行われる。
【０２４１】
有利には、画分Ａのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。
【０２４２】
本発明による方法の第１実施形態によれば、画分Ａは有利には、１つのエチレン誘導体化合物の製造に一画分で搬送される。
【０２４３】
この第１実施形態によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１つのエチレン誘導体化合物の製造に、好ましくはＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に一画分で搬送されるようなものである。
【０２４４】
第１実施形態の第１変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣおよび塩化水素を生成し；そして
ｆ）得られたＶＣおよび塩化水素がＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０２４５】
塩素化反応（普通は直接塩素化と呼ばれる）は有利には、ＦｅＣｌ３または別のルイス（Ｌｅｗｉｓ）酸などの溶解触媒を含有する液相（好ましくは主にＤＣＥ）で実施される。この触媒をアルカリ金属塩化物などの共触媒と有利に組み合わせることが可能である。良好な結果を与えたペアは、ＦｅＣｌ３とＬｉＣｌとの錯体（リチウムテトラクロロフェラート−オランダ国特許出願第６９０１３９８号明細書に記載されている）である。
【０２４６】
有利に使用されるＦｅＣｌ３の量は、液体ストックの１ｋｇ当たり約１〜３０ｇのＦｅＣｌ３である。ＦｅＣｌ３対ＬｉＣｌのモル比は有利にはおよそ０．５〜２である。
【０２４７】
加えて、塩素化反応は好ましくは塩素化有機液体媒体中で行われる。より好ましくは、液体ストックとも呼ばれる、この塩素化有機液体媒体は主にＤＣＥからなる。
【０２４８】
本発明による塩素化反応は有利には、３０〜１５０℃の温度で行われる。良好な結果は、沸点より下の温度（サブクールされた条件下での塩素化法）でおよび沸点そのもの（沸点での塩素法）での両方で圧力にかかわらず得られた。
【０２４９】
本発明による塩素化プロセスがサブクール条件下の塩素化プロセスであるとき、それは、有利には５０℃以上、好ましくは６０℃以上、しかし有利には８０℃以下、好ましくは７０℃以下の温度で、そして有利には１バール絶対以上、好ましくは１．１バール絶対以上、しかし有利には２０バール絶対以下、好ましくは１０バール絶対以下、特に好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で操作することによって良好な結果を与えた。
【０２５０】
沸点での塩素化方法が反応熱を役立つように回収するために好ましいかもしれない。この場合、反応は有利には、６０℃以上、好ましくは７０℃以上、特に好ましくは８５℃以上、しかし有利には１５０℃以下、好ましくは１３５℃以下の温度で、そして有利には０．２バール絶対以上、好ましくは０．５バール絶対以上、特に好ましくは１．１バール絶対以上、より特に好ましくは１．３バール絶対以上、しかし有利には１．３バール絶対以下、好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で行われる。
【０２５１】
塩素化プロセスはまた、沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセスであってもよい。表現「沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセス」は、形成されたＤＣＥの少なくともその量を気相に生成しながら、反応媒体の冷却が、例えば反応媒体中に浸漬された交換器を用いてか、または交換器中を循環するループによって実施されるプロセスを意味すると理解される。有利には、反応温度および圧力は、生成したＤＣＥが気相にあるままにし、かつ、反応媒体からの熱の残りが交換表面積によって除去されるように調整される。
【０２５２】
塩素化を受ける画分およびまた分子塩素（それ自体純粋なまたは希釈された）は、一緒にかまたは別々に、任意の公知の装置によって反応媒体へ導入されてもよい。塩素化を受ける画分の別個の導入が、その分圧を高め、そしてプロセスの律速段階を多くの場合に構成するその溶解を容易にするために有利である可能性がある。
【０２５３】
分子塩素がエチレンのほとんどを転化するのに十分な量で、かつ、過剰の未転化塩素の添加を必要とせずに加えられる。用いられる塩素／エチレン比は、好ましくは１．２〜０．８モル／モル、特に好ましくは１．０５〜０．９５モル／モルである。
【０２５４】
得られた塩素化生成物は主にＤＣＥ、そしてまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物または少量のエタンもしくはメタン塩素化生成物を含有する。
【０２５５】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離は、公知のモードに従って実施され、一般に塩素化反応の熱を利用することを可能にする。それは次に好ましくは、凝縮および気／液分離によって実施される。
【０２５６】
未転化生成物（メタン、エタン、一酸化炭素、窒素、酸素および水素）は次に有利には、最初の混合物から出発して純エチレンを分離するために必要であったであろうものより容易な分離にかけられる。
【０２５７】
特に水素は未転化生成物から抜き出し、例えば過酸化水素製造における作業溶液の水素化のためかまたは過酸化水素の直接合成のためのように付加価値化することができる。
【０２５８】
ＤＣＥ分解工程が実施されてもよい条件は、当業者に公知である。ＤＣＥ分解は、その中に触媒を挙げることができる第３化合物の存在下にまたは不存在下に行うことができ；ＤＣＥ分解はこの場合には接触ＤＣＥ分解である。しかしながら、ＤＣＥ分解は好ましくは、第３化合物の不存在下に、熱のみの作用下に行われ；ＤＣＥ分解はこの場合にはしばしば熱分解と呼ばれる。
【０２５９】
この熱分解は有利には、管型炉での気相反応によって得られる。通常の熱分解温度は４００〜６００℃であり、４８０℃〜５４０℃の範囲が好ましい。滞留時間は有利には１〜６０秒であり、５〜２５秒の範囲が好ましい。ＤＣＥの転化率は有利には、副生物の形成および管型炉の管の汚れを制限するために４５〜７５％に制限される。
【０２６０】
熱分解に由来する生成物の流れから得られるＶＣと塩化水素との分離は、精製されたＶＣおよび塩化水素を集めるために、任意の公知の装置を使用して、公知のモードに従って実施される。精製後に、未転化ＤＣＥは有利には熱分解炉に搬送される。
【０２６１】
第１実施形態の第１変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０２６２】
ＰＶＣの製造は、塊状、溶液または水性分散重合法であってもよく、好ましくはそれは水性分散重合法である。
【０２６３】
表現水性分散重合は、水性エマルジョンでのフリーラジカル重合および水性マイクロサスペンジョンでの重合だけでなく水性懸濁液でのフリーラジカル重合を意味すると理解される。
【０２６４】
表現水性懸濁液でのフリーラジカル重合は、分散剤および油溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６５】
表現水性エマルジョンでのフリーラジカル重合は、乳化剤および水溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６６】
均質化水性分散系での重合とも呼ばれる、表現水性マイクロサスペンジョン重合は、油溶性開始剤が使用され、そしてモノマー小滴のエマルジョンが強力な機械撹拌および乳化剤の存在によって調製される任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６７】
分離後に、塩化水素は任意の目的のために使用されてもよい。それは、例えば、塩化カルシウム、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオールまたは１，２，３−プロパントリオール（エピクロロヒドリンの合成につながるグリセリンまたはグリセロール）との反応によるクロロプロパノールなどのクロロアルコール、メタノールとの反応によるクロロメタンなどのクロロアルカン、水性塩酸、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、クロロシラン、塩化チタン、塩化亜鉛、塩化アンモニウムのような他の無機塩化物のような化合物の合成に、しかしまた例えば芳香族化合物のオキシ塩素化法、アルキンの塩化水素化（例えばＶＣへのアセチレンの塩化水素化）もしくはアルケンの塩化水素化に搬送するかまたは分子塩素へ酸化することができる。
【０２６８】
本発明による方法の第１実施形態の第１変形の工程ｆ）による分離の後に、ｇ）塩化水素は好ましくは、後でより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる。
【０２６９】
特に好ましい方法はそれ故、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られたＤＣＥが、塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣと塩化水素とを生成し；
ｆ）得られたＶＣと塩化水素とがＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離され；そして
ｇ）塩化水素が、後で塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる
ようなものである。
【０２７０】
分離された塩化水素の分子塩素への酸化は、任意の公知の方法に従って行うことができる。
【０２７１】
それらの公知の方法の中に、塩酸の電解、Ｋｅｌｌｏｇｇと呼ばれるＫＥＬ塩素法（触媒として濃硫酸およびニトロシル硫酸を使用する）、Ｓｈｅｌｌ−Ｄｅａｃｏｎ法（触媒としてシリケート担体上の塩化銅（ＩＩ）と他の金属塩化物との混合物を使用する）および三井東圧（ＭＴ−塩素）法（触媒としてシリケート担体上の酸化クロム（ＩＩＩ）を使用する）のような修正Ｄｅａｃｏｎ法のような酸素による塩化水素の接触酸化法ならびに硝酸による塩化水素の酸化が挙げられてもよい。
【０２７２】
酸素による塩化水素の接触酸化が本発明による方法にとって好ましい。この酸化は有利には、酸素を含有するガスで行われる。
【０２７３】
酸素を含有するガスとして、分子酸素または空気を使用することができる。酸素は、空気の圧力スイング法または空気の深冷分離などの、通常の工業的方法によって製造されてもよい。
【０２７４】
１モルの塩化水素を酸化するために必要な酸素の理論的モル量は０．２５モルであるが、理論量を超える量の酸素を使用することが好ましく、より好ましくは、塩化水素の１モル当たり０．２５〜２モルの酸素が使用される。
【０２７５】
本発明による酸化反応に使用される触媒は、塩化水素の酸化による塩素の製造に使用される任意の公知の触媒であってもよい。
【０２７６】
触媒の例は、Ｄｅａｃｏｎ法におけるような銅ベースの触媒、酸化クロム、酸化ルテニウムまたは酸化ルテニウムと酸化チタンとの混合物である。Ｄｅａｃｏｎ触媒は、有利には塩化銅、塩化カリウムおよび様々な種類の化合物を第３成分として含む。
【０２７７】
触媒の形状は、球形粒子、円筒形ペレット、押出形態、リング形態、ハニカム形態、または成形材料のミリング引き続く篩い分けによって製造される好適なサイズを有する顆粒などの通常使用される形状のいずれであってもよい。触媒のサイズは好ましくは１０ｍｍ以下である。触媒のサイズの下限は限定されなくてもよいが、触媒のサイズは有利には少なくとも０．１ｍｍである。本明細書では、触媒のサイズは、球形粒子の場合には球の直径、円筒形ペレットの場合には横断面の直径または他の形態の場合には横断面の最大サイズを意味する。
【０２７８】
酸素を含有するガスを部分に分割し、そしてそれを少なくとも２つの反応ゾーンに導入することは興味深いことであり得る。
【０２７９】
酸化反応は有利には、それぞれが、好ましくは直列に配置された、触媒充填層を含む、少なくとも２つの反応ゾーンで実施される。
【０２８０】
反応圧力は有利には０．１〜５ＭＰａである。反応温度は有利には２００〜６５０℃、より好ましくは２００〜５００℃である。
【０２８１】
反応器は有利には管型反応器であり、それらの内径は好ましくは１０〜５０ｍｍ、より好ましくは１０〜４０ｍｍである。
【０２８２】
分子塩素はより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる。このリサイクリングは、任意の公知の方法に従って行うことができる。分子塩素は有利には先ず乾燥され、次に塩素化に入るための必要な圧力にされる。乾燥は有利には、圧縮による出口での凝縮でまたは硫酸のもしくは塩素と相性がよい吸着剤の塔を使ってのどれか、好ましくは硫酸の塔を使って行われる。
【０２８３】
第１実施形態の第２変形によれば、本方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから任意選択的に単離され；
ｅ）ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送され；そして
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる
ようなものである。
【０２８４】
第１実施形態の第２変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０２８５】
本明細書で以下に詳述される塩素のフローを除いて第１実施形態の第２変形の特定の場合には、塩素化反応に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０２８６】
塩素の流量は、エチレンの有利には少なくとも１０％、好ましくは少なくとも２０％、特に好ましくは少なくとも３０％がＤＣＥに転化されるようなものである。塩素の流量は、エチレンの有利には多くとも９０％、好ましくは多くとも８０％、特に好ましくは多くとも７０％がＤＣＥに転化されるようなものである。
【０２８７】
第１実施形態の第２変形の工程ｄ）によれば、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは任意選択的に、塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。場合によっては、塩素化反応器に由来する生成物の流れから塩素化反応器で形成されたＤＣＥを単離しないことが有利であるかもしれない。しかしながら好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。
【０２８８】
それが行われる場合、塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は公知方法に従って実施され、塩素化反応の熱を利用することを一般に可能にする。それはそのとき好ましくは凝縮および気／液分離によって実施される。
【０２８９】
第１実施形態の第２変形の工程ｅ）によれば、ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送される。
【０２９０】
オキシ塩素化反応は有利には、不活性担体上に沈着された銅をはじめとする、活性元素を含む触媒の存在下に実施される。不活性担体は有利には、アルミナ、シリカゲル、混合酸化物、粘土および天然起源の他の担体から選択される。アルミナが好ましい不活性担体である。
【０２９１】
数が有利には少なくとも２つであり、その１つが銅である活性元素を含む触媒が好ましい。銅以外の活性元素のうち、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属ならびにルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金および金からなる群からの金属が挙げられてもよい。以下の活性元素を含有する触媒が特に有利である：銅／マグネシウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム；銅／マグネシウム／リチウム、銅／マグネシウム／セシウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／リチウム、銅／マグネシウム／カリウム／リチウムおよび銅／マグネシウム／セシウム／リチウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／セシウムおよび銅／マグネシウム／カリウム／セシウム。参照により援用される、欧州特許出願公開第２５５ １５６Ａ号明細書、欧州特許出願公開第４９４ ４７４Ａ号明細書、欧州特許出願公開第６５７ ２１２Ａ号明細書および欧州特許出願公開第６５７ ２１３Ａ号明細書に記載されている触媒が最も特に好ましい。
【０２９２】
金属形態で計算される、銅含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり３０〜９０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり４０〜８０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり５０〜７０ｇの触媒である。
【０２９３】
金属形態で計算される、マグネシウム含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり１０〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり１２〜２５ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１５〜２０ｇである。
【０２９４】
金属形態で計算される、アルカリ金属含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり０．１〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり０．５〜２０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１〜１５ｇの触媒である。
【０２９５】
Ｃｕ：Ｍｇ：アルカリ金属原子比は、有利には１：０．１〜２：０．０５〜２、好ましくは１：０．２〜１．５：０．１〜１．５、特に好ましくは１：０．５〜１：０．１５〜１である。
【０２９６】
窒素でＢＥＴ法に従って測定される、有利には２５ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇ、好ましくは５０〜２００ｍ２／ｇ、特に好ましくは７５〜１７５ｍ２／ｇの比表面積を有する触媒が特に有利である。
【０２９７】
触媒は固定床でまたは流動床で使用されてもよい。この第２選択肢が好ましい。オキシ塩素化プロセスは、この反応向けに通常推奨される範囲の条件下に操作される。温度は有利には１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２７５℃、最も好ましくは２１５〜２５５℃である。圧力は有利には大気圧より上である。２〜１０バール絶対の値が良好な結果を与えた。４〜７バール絶対の範囲が好ましい。この圧力は、反応器での最適滞留時間を達成するためにおよび様々な運転速度に対して一定の通過速度を維持するために役立つように調整されてもよい。通常の滞留時間は、１〜６０秒、好ましくは１０〜４０秒の範囲である。
【０２９８】
このオキシ塩素化のための酸素源は、空気、純酸素またはそれらの混合物、好ましくは純酸素であってもよい。未転化反応体の容易なリサイクリングを可能にする後者の解決策が好ましい。
【０２９９】
反応体は、任意の公知デバイスによって床へ導入されてもよい。安全上の理由から酸素を他の反応体とは別々に導入することが一般に有利である。これらの安全性理由はまた、反応器を出るまたはそれにリサイクルされるガス混合物が当該圧力および温度で可燃限界外に保たれることを要求する。いわゆる濃混合気を維持すること、すなわち、燃料に対して余りにも少ない酸素を含有するので点火しないことが好ましい。この関連で、水素の豊富な存在（＞２ｖｏｌ％、好ましくは＞５ｖｏｌ％）は、この化合物の広範囲の可燃性を考えると不利点を構成するであろう。
【０３００】
用いられる塩化水素／酸素比は有利には３〜６モル／モルである。エチレン／塩化水素比は有利には０．４〜０．６モル／モルである。
【０３０１】
得られた塩素化生成物は、主としてＤＣＥおよびまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物を含有する。
【０３０２】
場合によっては、オキシ塩素化反応器に入る前に、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れを、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される吸収／脱着工程ｅ’）にかけることが有利であるかもしれない。
【０３０３】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される工程ｅ’）」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出されてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出される。
【０３０４】
こうして、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れ（本明細書では以下塩素化流れとして知られる）は有利には、吸収工程におよび脱着工程にかけられ、そこで前記流れは溶媒を含有する洗浄剤と好ましくは接触させられる。
【０３０５】
表現「溶媒を含有する洗浄剤」またはより簡単に「洗浄剤」は、溶媒が液体状態で存在する組成物を意味すると理解される。
【０３０６】
本発明に従って使用することができる洗浄剤はそれ故有利には、液体状態での溶媒を含有する。前記洗浄剤中の、他の化合物の存在は、本発明の範囲から決して排除されない。しかしながら、洗浄剤は少なくとも５０体積％、より特に少なくとも６５体積％、最も特に好ましくは少なくとも７０体積％の溶媒を含有することが好ましい。
【０３０７】
溶媒は有利には、アルコール、グリコール、ポリオール、エーテル、グリコールとエーテルとの混合物、鉱油ならびにＤＣＥの中から選択される。溶媒は好ましくは、アルコール、鉱油およびＤＣＥの中から、より好ましくは共沸エタノール（有利には少なくとも７０体積％、好ましくは少なくとも８０体積％、より好ましくは少なくとも８５体積％のエタノールの水性エタノール）およびＤＣＥの中から選択される。溶媒は最も好ましくはＤＣＥである。
【０３０８】
吸収工程のために使用される洗浄剤は、任意の起源の新しい洗浄剤、例えば粗共沸エタノールまたは塩素化装置を出る粗ＤＣＥ、オキシ塩素化装置を出る粗ＤＣＥまたは精製されなかったこれら２つの混合物からなってもよい。それはまた、予め精製された前記ＤＣＥから、場合により新しい洗浄剤を添加した、下に説明されるような、エタンより重質な化合物の、ＤＣＥ中の濃度を下げることを可能にする任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する下に説明される脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなってもよい。
【０３０９】
好ましくは、吸収工程のために使用される洗浄剤は、場合により新しい洗浄剤を添加した、上述の任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。塩素化反応で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、吸収工程のために使用される洗浄剤は、新しい洗浄剤（吸収および脱着工程中の洗浄剤の損失を補填するための）を添加した、前述の任意の処理後の、脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。
【０３１０】
エタンより重質な化合物の、好ましくは少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の洗浄剤中の濃度を下げることを可能にする上述の任意の処理は、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程かまたは洗浄剤を蒸留する工程であってもよい。好ましくは、それは、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程からなる。好ましくは、洗浄剤のこの処理が行われる。
【０３１１】
ＤＣＥが洗浄剤であるときの最も好ましい場合の本質的な利点は、それがオキシ塩素化または塩素化中に主として形成される化合物であるので、このＤＣＥの存在が全く面倒ではないという事実にある。
【０３１２】
洗浄剤および塩素化流れのそれぞれのスループット間の比は決定的に重要であるわけではなく、大幅に変わることができる。それは実際には、洗浄剤の再生コストによって制限されるにすぎない。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れの１トン当たり少なくとも１、好ましくは少なくとも５、特に好ましくは少なくとも１０トンである。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れから抽出されるべきエチレンおよびエタン混合物の１トン当たり１００トン以下、好ましくは５０トン以下、特に好ましくは２５トン以下である。
【０３１３】
吸収工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜吸収器などの吸収器またはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された吸収塔を用いて実施される。吸収工程は好ましくは吸収塔を用いて、特に好ましくはプレート吸収塔を用いて実施される。
【０３１４】
吸収塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置などの関連付属品を備えている。
【０３１５】
上述の吸収工程は有利には、少なくとも１５、好ましくは少なくとも２０、特に好ましくは少なくとも２５バール絶対の圧力で実施される。吸収工程は有利には、４０バール絶対以下、好ましくは３５バール絶対以下、特に好ましくは３０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０３１６】
吸収工程が実施される温度は有利には、吸収器または吸収塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、吸収器または吸収塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０以下℃、特に好ましくは４０℃以下である。
【０３１７】
吸収器または吸収塔の底部での温度は、少なくとも０、好ましくは少なくとも１０、特に好ましくは少なくとも２０℃である。それは有利には、７０℃以下、好ましくは６０℃以下、特に好ましくは５０℃以下である。
【０３１８】
エチレンより軽質で洗浄剤に富む化合物から精製された塩素化流れである、吸収工程から生じた流れは、有利には脱着工程にかけられる。
【０３１９】
塩素化反応器で形成された、その後抽出されるＤＣＥを場合により含有する、脱着工程後に回収された洗浄剤は取り出され、このＤＣＥがオキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥと一緒になるオキシ塩素化部に完全にもしくは部分的に搬送されても、または場合により上述の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にもしくは部分的に搬送されてもよい。好ましくは、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に、またはオキシ塩素化部に再搬送される。塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にまたは部分的に再搬送される。
【０３２０】
脱着工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜脱着器などの脱着器、リボイラーまたはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された脱着塔を用いて実施される。脱着はまた、ＤＣＥを集めるために蒸気の直接注入によって行うことができる。脱着工程は好ましくは、脱着塔を用いて、特に好ましくはプレート脱着塔を用いて実施される。
【０３２１】
脱着塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置および少なくとも１つのリボイラーなどの関連付属品を備えている。
【０３２２】
脱着圧力は有利には、脱着ガス中の少なくとも３個の炭素原子を有する化合物の含有率が１００体積ｐｐｍ未満、好ましくは５０体積ｐｐｍ以下、特に好ましくは２０体積ｐｐｍｍ以下であるように選択される。
【０３２３】
上述の脱着工程は有利には、少なくとも１、好ましくは少なくとも２、特に好ましくは少なくとも３バール絶対の圧力で実施される。脱着工程は有利には、２０バール絶対以下、好ましくは１５バール絶対以下、特に好ましくは１０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０３２４】
脱着工程が実施される温度は有利には、脱着器または脱着塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、脱着器または脱着塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０℃以下、特に好ましくは４５℃以下である。
【０３２５】
脱着器または脱着塔の底部での温度は、少なくとも６０、好ましくは少なくとも８０、特に好ましくは少なくとも１００℃である。それは有利には、２００℃以下、好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。
【０３２６】
吸収工程が吸収塔で、そして脱着工程が脱着塔で実施される場合が最も特に好ましい。
【０３２７】
吸収工程の後に回収される水素は有利には、燃料としてまたは、場合により精製工程後に反応体として展開される。このように、水素は、ＤＣＥ分解工程における燃料として開発されてもよい。それはまた、例えば水素化反応器用の反応剤として開発されてもよい。
【０３２８】
第１実施形態の第２変形の工程ｆ）によれば、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる。
【０３２９】
オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は、公知方法に従って実施される。それは好ましくは先ず凝縮によって実施される。オキシ塩素化反応器の熱は蒸気状態で一般に回収され、それは分離のために、または任意の他の使用のために使用されてもよい。
【０３３０】
オキシ塩素化反応器から出た後、この反応器に由来する生成物の流れはまた有利には、未転化ＨＣｌを回収するために洗浄される。この洗浄操作は有利にはアルカリ性洗浄工程である。それに好ましくは気／液分離工程が続き、それは液体形態で形成されたＤＣＥを回収し、そして最終的にＤＣＥを乾燥させることを可能にする。
【０３３１】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥに場合により加えられる」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥがこの反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、塩素化反応器を出るとすぐに、または工程ｅ’）の後に、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがそれに加えられても加えられなくてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、ＤＣＥはそれに加えられる。一方、この第１ＤＣＥが単離されない場合、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥは有利には、回収されたＤＣＥの唯一の流れである。別の代替策は有利には、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥを塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合することおよびこの後者の他の部分をＤＣＥ分解工程に直接送ることである。
【０３３２】
ＤＣＥ分解工程に関するおよびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関するより詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３３３】
第１実施形態の第２変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３３４】
本発明による方法の第２実施形態によれば、画分Ａは有利には、同じ組成のまたは異なる組成の少なくとも２つの画分へ、好ましくは同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される。
【０３３５】
この第２実施形態によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される前に同じ組成のまたは異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割されるようなものである。
【０３３６】
表現「画分Ａは少なくとも２つの画分へ分割される」における用語「分割される」（または「分割」）は、本発明の目的にためには、サブ混合物が全て、指定圧力範囲で、泡立ち点での画分Ａの組成によっておよび露点での画分Ａの組成によって画定される範囲に含まれる組成で特徴づけられるような方法での２つ以上のサブ混合物への画分Ａの分割を意味すると理解される。
【０３３７】
少なくとも２つの画分への、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分割は有利には、任意の公知の手段を用いて同じ組成のまたは異なる組成の幾つかの、好ましくは２つの画分へ画分Ａを分割することによって操作される。
【０３３８】
分割工程は、１つまたは幾つかの装置で行うことができる。分割工程は有利には分割操作を含む。分割操作の例は、同一組成を有するサブ混合物への混合物の分割、ガス状混合物の部分凝縮、液体混合物の部分気化、液体混合物の部分凝固である。
【０３３９】
画分Ａが、同じ組成の、少なくとも２つへ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、工程ａ）を出るエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物が、好ましくは２つで、簡単に分割できるときに、好ましくは工程ａ）を出る生成物の混合物が水素に乏しいおよび／または水素化工程中に水素と反応する化合物に富むときに、または工程ａ８）が行われるときに特に興味深い。
【０３４０】
画分Ａが、異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、異なる組成の画分が工程ｃ）のために必要とされるときに特に興味深い。画分Ａはそれ故有利には、各画分をエチレン誘導体化合物のそれぞれの製造に搬送できるように、異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される。
【０３４１】
少なくとも２つの画分への、好ましくは異なる組成物画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分割は、任意の公知の手段によって行うことができる。好ましくは、画分Ａは熱交換器での間接冷却によって冷やされ、熱交換器で画分Ａ２は好適な圧力への膨張後に気化し、冷却された熱交換器での好適な冷却媒体との間接接触によってその温度の規定の低下まで過冷却される。液体蒸気は好ましくは、蒸気画分Ａ１と液体画分Ａ２とを生成するために分割される。温度低下は有利には５℃より大きく、好ましくは７℃より大きく、より好ましくは８℃より大きい。温度低下は有利には３０℃より少なく、好ましくは２５℃より少なく、より好ましくは２２℃より少ない。
【０３４２】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の１０％超、好ましくは２０％超、より好ましくは２５％超を含有する。画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の９０％未満、好ましくは８０％未満、より好ましくは７５％未満を含有する。
【０３４３】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有される水素量の８０％超、好ましくは８５％超、より好ましくは９０％超を含有する。
【０３４４】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるメタン量の７０％超、好ましくは７５％超、より好ましくは８０％超を含有する。
【０３４５】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエタン量の４０％未満、好ましくは３０％未満、より好ましくは２５％未満を含有する。
【０３４６】
第２実施形態の第１変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１および画分Ａ２が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３４７】
第２実施形態のこの第１変形による方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｄ）任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ１が塩素化反応器に搬送され、そして画分Ａ２がオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分Ａ１およびＡ２中に存在するエチレンのほとんどがＤＣＥに転化され；そして
ｅ）得られたＤＣＥが、塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０３４８】
第２実施形態の第２変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、その１つが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方が、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３４９】
第２実施形態のこの第２変形による方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、画分Ａ２が、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３５０】
画分ＡからＤＣＥならびに後でＶＣおよびＰＶＣを得るための本発明による方法の第１実施形態について詳述された３つの変形は、画分Ａ１からＤＣＥならびに後でＶＣおよびＰＶＣを得るための本発明による方法の第２実施形態の第２変形にもまた適用される。
【０３５１】
第２実施形態の第２変形によれば、画分Ａ２は有利には、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび場合によりそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される。
【０３５２】
画分Ａから製造することができる、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコールおよびプロピオンアルデヒドが挙げられてもよい。
【０３５３】
それから誘導される任意の化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシドから製造されるグリコール、エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマーが挙げられもよい。
【０３５４】
画分Ａ２は、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つまたは幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に搬送することができる。
【０３５５】
ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に送られるために、画分Ａ２は有利には、同じ組成の必要なだけ多くの画分に分割される。
【０３５６】
好ましくは、画分Ａ２は、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０３５７】
画分Ａ２はより好ましくは、エチルベンゼンの製造に、最も好ましくは、スチレンのポリマーを得るために後で重合されるスチレンの製造に搬送されるエチルベンゼンそれ自体の製造に搬送される。
【０３５８】
第２実施形態によれば、ＤＣＥは、ＶＣを生成するためにより好ましくはさらにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは、ＰＶＣを生成するために後で最も好ましくは重合される。
【０３５９】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥは、ＤＣＥ分解工程の前にオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥと混合することもしないこともできる。両ＤＣＥが混合されるとき、それらは全体的にまたは部分的に混合することができる。好ましい場合は、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合され、そしてこの後者の他の部分がＤＣＥ分解工程に直接送られるときである。
【０３６０】
塩素化反応および塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。ＤＣＥ分解工程およびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関する詳細については同じ第１変形についてまた言及される。オキシ塩素化反応およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３６１】
この第２実施形態によれば、ＶＣは、ＰＶＣを生成するために後で好ましくは重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第１変形に言及されている。
【０３６２】
本発明による方法の利点は、それが本発明までは低い付加価値化で特徴づけられた、かなりの量のエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有するガス流れ（低価値残留ガス）を回収し、転化することである。
【０３６３】
本発明による方法の別の利点は、それが分解工程、引き続く有機および水性急冷工程も、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とし、かつ、高価な炭化水素源の使用を伴う接触オキシ脱水素化工程も含まないことである。
【０３６４】
本発明による方法の利点は、一工程でエチレンおよび他の成分を含有する混合物または生成物を分別することであり、有利には分別の幾つかの工程を含む以前の国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットに記載されている相当する分別工程と比較して、簡略化されている１つの分別工程ｂ）によりそれが可能となっている。本発明による方法はそれ故、より低いエネルギー需要を可能にする。
【０３６５】
本発明による方法の利点はまた、エチレンがほとんど全て一画分中に存在することであり、一方以前の国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットでは、エチレンは有利には、２つの異なる画分、エチレンより軽質の化合物に富むエチレンの一含有部分とエチレンに富み、かつ、低い水素含有率で特徴づけられる他の部分とに分割される。
【０３６６】
本発明による方法の第２実施形態の第２変形の利点は、それがＤＣＥ製造とＤＣＥとは異なる少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造との統合を可能にすることである。
【０３６７】
この統合は、共通工程に関連したコストの共有のおかげで総コストの低減を可能にする。
【０３６８】
本発明による方法の利点は、それが、同じ工業用地で、完全に統合されたプロセスを有することを可能にすることである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に、特に１，２−ジクロロエタン（ＤＣＥ）のおよび任意選択的にＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日まで、９９．８％純度を超えるエチレンが、エチレン誘導体化合物の、特にＤＣＥの製造のために通常使用されている。非常に高い純度のこのエチレンは、様々な石油製品の分解、引き続く分解の他の生成物からエチレンを単離し、そして非常に高い純度の製品を得るための多数の複雑な、費用のかかる分離操作によって得られる。
【０００３】
かかる高純度のエチレンの生産に関連した高いコストを鑑みて、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する、エチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの様々な製造方法が開発されてきた。これらの方法は、分解から生じた生成物を分離する過程を簡略化することによって、このようにしてエチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの製造にとって何の利益もない複雑な分離を放棄することによってコストを削減するという利点を有する。
【０００４】
例えば、国際公開第００／２６１６４号パンフレットは、エチレンの塩素化と結び付いたエタンの簡略化分解によるＤＣＥの製造方法を記載している。この趣旨で、エチレン塩素化工程は、エタンの分解中に得られた不純物の存在下に行われる。
【０００５】
国際公開第０３／０４８０８８号パンフレットは、エタンの脱水素を用いた塩素との化学反応用の低濃度エチレンの製造を記載している。エタン負荷ガス流れは、水素およびメタンのみならず、多量の未転化エタンをも含有する。この方法の経済的デザインのためには、未転化エタンは、複雑な清浄化工程の後にエタン脱水素にフィードバックしなければならない。この方法は、供給原料としてエタンを使用できるにすぎない。重大な不利点は、水素、プロピレン、ブタジエンなどのガス流れのさらなる成分が非常に特別なプロセスでエチレンを使用するのを可能にするにすぎないという事実だけでなく、エチレンの非常に低い濃度−６０％未満−である。
【０００６】
さらに、国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットは、先ず簡略化分解にかけられる、炭化水素源、特にナフサ、ガスオイル、天然ガス液、エタン、プロパン、ブタン、イソブタンまたはそれらの混合物から出発するＤＣＥの製造方法を記載している。エチレンを含有する２つの異なる画分は、ＤＣＥを生成するために塩素化反応器におよびオキシ塩素化反応器に独立して搬送される前に簡略化分解から発生したガス混合物から後で分離される。それらの方法の目標は、９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し使用することであるが、しかしながらそれらの方法は、生産コストがかかる重大な投資を要する分解の第１工程を必要とし、かつさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。さらに、それらの方法は、エチレンを含有する２つの画分を得るために、複雑でコストのかかる分別のための幾つかの工程を必要とするという不利点を示す。
【０００７】
国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットは、一方で、先ず接触オキシ脱水素にかけられるエタンの流れから出発するＤＣＥの製造方法を記載している。その目標が９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し、使用することである、上述の特許出願に記載されている方法は、しかしながら、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とする接触オキシ脱水素の第１工程を必要とするという、およびさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。
【０００８】
製油所で（製油所の流動接触分解（ＦＣＣ）装置、コーカー装置などで）生成する製油所オフガス（石油化学オフガスとも呼ばれる）などの低価値残留ガスは通常、オレフィン含有率が比較的低く、かつ、かかる回収プロセスと関連したコストが余りにも高いので、それに含有されるオレフィンのいかなる回収もなしに、例えば製油所内で、燃やされ、燃料として使用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目標は、一方で、９９．８％未満の純度のエチレンを使用する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の、特に少なくともＤＣＥの製造方法であって、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する上述の方法の不利点を示さず、かつ、通常燃やされ、燃料として使用されている製油所オフガスなどの低価値残留ガスの付加価値化（ｖａｌｏｒｉｚａｔｉｏｎ）を可能にする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この趣旨で、本発明は、低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；
ｃ）画分Ａが少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
表現「少なくとも１つのエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、１つ以上のエチレン誘導体化合物が本発明による方法によって製造され得ることを意味すると理解される。
【００１２】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから出発して直接製造される任意のエチレン誘導体化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１３】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから直接製造される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１４】
単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「それから誘導される化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから製造される１つの化合物そのものから製造される任意の化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。
【００１５】
エチレンから出発して直接製造されるかかるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコール、プロピオンアルデヒドおよびＤＣＥが挙げられてもよい。
【００１６】
それから誘導されるかかる化合物の例として、とりわけ、
− エチレンオキシドから製造されるグリコールおよびエーテル、
− エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマー、
− ＤＣＥから製造される塩化ビニル（ＶＣ）、
− ＶＣから誘導される塩化ビニリデン、フッ素化炭化水素およびポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）ならびにフッ素化炭化水素から誘導されるフッ素化ポリマー、ならびに
− 塩化ビニリデンから誘導されるポリ塩化ビニリデンおよびフッ素化炭化水素（およびフッ素化ポリマー）
が挙げられてもよい。
【００１７】
本発明による方法は、低価値残留ガスから出発する方法である。
【００１８】
単数形で本明細書で以下用いられる、表現「低価値残留ガス」（ＬＶＲＧ）は、本発明の目的のためには、その目標が少なくとも１つの可燃性液体を製造することである装置で副生物として生成するオフガスである、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物を意味すると理解され；ＬＶＲＧは、１０重量％超の永久ガスから構成される。
【００１９】
表現「ガス」は、本発明の目的のためには、爆発予防システム（Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ）に関するＮＦＰＡ６９標準（ＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ）、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、完全な分子運動性および無制限の拡大で特徴づけられる物質の状態の意味で理解されるべきである。
【００２０】
表現「前駆体」は、本発明の目的のためには、エチレン以外の２個の炭素原子を含有する任意の炭化水素化合物、特にエタン、エタノールおよびアセチレン、より特にエタンおよびアセチレンを意味すると理解される。
【００２１】
表現「可燃性液体」は、本発明の目的のためには、その封入圧力下に２１℃で少なくとも部分的に液体であり、かつ、燃焼を受けることができる、炭素、水素および多分酸素を含有する任意の炭化水素画分を意味すると理解される。
【００２２】
表現「燃焼」は、本発明の目的のためには、Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓに関するＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、白熱か火炎かのどちらかの形態で、熱および通常光を生成するのに十分に速い速度で起こる酸化の化学プロセスの意味で理解されるべきである。
【００２３】
表現「永久ガス」は、本発明の目的のためには、その臨界温度が０℃未満であり、かつ、簡単な圧縮によって液化できない任意のガスを意味すると理解される。永久ガスの例は、水素、酸素、窒素、アルゴン、一酸化炭素およびメタンである。
【００２４】
ＬＶＲＧは、可燃性液体を製造するために炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置で製造することができる。かかる装置は、炭化水素源熱分解、水素化熱分解、接触熱分解、電気アーク熱分解、フィッシャー−トロプシュ（Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ）合成または製油装置であり得る。炭化水素源は、石炭、褐炭および木材のような固体源、油（石油）およびナフサのような液体源、または合成ガスまたは油田および／またはガス田からの残留ガスのようなガス状源であり得る。かかるＬＶＲＧは通常、燃料として燃やされるかまたはフレアにされる。
【００２５】
表現「炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置」は、本発明の目的のためには、ＬＶＲＧが炭化水素源を処理する１種類の装置で、または炭化水素源を処理する数種類の装置で製造できることを意味すると理解される。好ましくは、ＬＶＲＧは、炭化水素源を処理する１種類の装置で製造される。
【００２６】
ＬＶＲＧは有利には、大気圧より上の圧力に、好ましくは大気圧とそれが発生する装置の圧力との間に含まれる圧力にある。
【００２７】
本発明による方法にとって特に好ましいＬＶＲＧは、通常製油所オフガスと呼ばれる（石油化学オフガスとも呼ばれる）、本明細書で以下ＲＯＧと称される、製油所で生成するＬＶＲＧである。
【００２８】
本発明による方法はそれ故好ましくは、ＲＯＧから出発する方法である。
【００２９】
ＲＯＧは、製油所に存在する１つ以上の装置で製造することができる。ＲＯＧは好ましくは、製油所に存在する次の装置：流動接触分解（ＦＣＣ）、コーカー（ディレードコーカー、フルードコーカー、フレキシコーカー）、ガスプラント、改質装置、水素添加分解装置、水素化処理装置および水素化脱硫（ＨＤＳ）の少なくとも１つで製造される。ＲＯＧはより好ましくは、少なくとも１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００３０】
ＲＯＧは、１つの製油所でまたは幾つかの製油所で製造することができる。
【００３１】
最も好ましくは、ＲＯＧは、１つの製油所で、特に好ましくは１つのＦＣＣ装置で製造される。
【００３２】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは通常、とりわけ：
− 水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋および硫化水素；
− 窒素、アルゴン、二酸化炭素および水；
− 酸素、一酸化炭素および窒素酸化物；
− 塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物および窒素を含有する有機化合物；ならびに
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニル
を含む。
【００３３】
エチレンを除いて上述の成分は全て、望ましくない成分と称することができる。表現「望ましくない成分」は、本発明の目的のためには、それらが本方法の以下の工程の少なくとも１つにとって有害である場合に、少なくとも部分的に除去されるべきである成分全てを意味すると理解される。
【００３４】
これらの望ましくない成分は、とりわけ：
− 水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
− 窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
− 酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；
− 二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
− プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物；ならびに
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物
のように分類することができる。
【００３５】
これらの望ましくない成分はまた、とりわけ：
１．少なくとも工程ｂ）にとって有害であり得る、かつ、有利には工程ａ）中に実質的に除去される望ましくない成分、すなわち、
− 二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
− ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物。
２．工程ｂ）内では受け入れることができるが、工程ｂ）に続く本方法の工程の少なくとも１つにとって有害であり得る、かつ、工程ａ）中に少なくとも部分的に多分除去することができる望ましくない成分、すなわち、
− 水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
− 窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
− 酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；ならびに
− プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物
のように分類することができる。
【００３６】
表現「少なくとも部分的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも２５％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５０％が除去されることを意味すると理解される。有利には、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在するかかる各望ましくない成分の量の多くとも９０％が除去される。
【００３７】
表現「実質的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％、より好ましくは少なくとも９９％が除去されることを意味すると理解される。
【００３８】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。上述のように、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物（組み合わせＬＶＲＧ）であることができる。個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するときに本明細書で以下与えられる組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスである場合に相当する。組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するとき、組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物である場合に相当する。
【００３９】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には０．２５〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも０．２５重量％、好ましくは少なくとも２重量％、より好ましくは少なくとも５重量％、最も好ましくは少なくとも８重量％、特に好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００４０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも１８重量％、最も好ましくは少なくとも２０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。
【００４１】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には３〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも３重量％、好ましくは少なくとも５重量％、より好ましくは少なくとも８重量％、最も好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４２】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも２０重量％、最も好ましくは少なくとも２２重量％、さらに最も好ましくは少なくとも２２．５重量％のエチレンと前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。
【００４３】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には１０〜９０ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも１０ＭＪ、好ましくは少なくとも１２ＭＪ、より好ましくは少なくとも１５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも９０ＭＪ、好ましくは多くとも８５ＭＪ、より好ましくは多くとも８０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４４】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも２０ＭＪ、好ましくは少なくとも２５ＭＪ、より好ましくは少なくとも３０ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６０ＭＪ、最も好ましくは多くとも５５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【００４５】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９０体積％、好ましくは多くとも８５体積％、より好ましくは多くとも８０体積％、最も好ましくは多くとも７５体積％の不活性ガスを含む。
【００４６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の不活性ガスを含む。
【００４７】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の窒素を含む。
【００４８】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、ガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより有利には低いまたは高い（だから可燃性領域の外側の）、好ましくは多くとも２１体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００４９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利にはガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより低い、好ましくは多くとも１０体積％、より好ましくは多くとも７体積％、最も好ましくは多くとも５体積％の総量で含酸素合物を含む。
【００５０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９体積％、好ましくは多くとも７体積％、より好ましくは多くとも５体積％の量で酸素を含む。
【００５１】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５０体積％、好ましくは多くとも４０体積％、より好ましくは多くとも３５体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５２】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１５体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の総量で腐食性化合物を含む。
【００５３】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１０体積％、好ましくは多くとも８体積％、より好ましくは多くとも５体積％の個々の量で各腐食性化合物を含む。
【００５４】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも４０体積％、好ましくは多くとも３５体積％、より好ましくは多くとも３３体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５５】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１８体積％、より好ましくは多くとも１５体積％の総量で反応性化合物を含む。
【００５６】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１５体積％、好ましくは多くとも１２体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の個々の量で各反応性化合物を含む。
【００５７】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積％、好ましくは多くとも３体積％、より好ましくは多くとも２体積％の量で一酸化炭素を含む。
【００５８】
個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２００体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも１００体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも５０体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００５９】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも２体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも１体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。
【００６０】
組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５００体積ｐｐｂ、好ましくは多くとも３００体積ｐｐｂ、より好ましくは多くとも２００体積ｐｐｂの個々の体積で触媒毒化合物を含む。
【００６１】
本発明による、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧから出発する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法、特にＤＣＥのおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法において、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびに工程ｂ）にかけられるエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るためにＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置で一連の処理工程（工程ａ））にかけられる。
【００６２】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧが数種のガスの混合物であるとき、異なるガスが全て工程ａ）における同じ一連の処理工程にかけられてもよく、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程にかけられてもよいかまたはそれらのそれぞれが、工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられてもよい。好ましくは、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられる。
【００６３】
工程ａ）におけるＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置での一連の処理工程は有利には、それらが列挙される順番に必ずしも行われない、以下の工程：
ａ１）任意選択的に圧縮工程、
ａ１ｂｉｓ）任意選択的に１つまたは幾つかの除塵工程、
ａ２）腐食性化合物除去、
ａ３）触媒毒化合物除去、
ａ４）任意選択的に冷却、
ａ５）任意選択的に可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ６）任意選択的に不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ７）任意選択的に含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去；および
ａ８）任意選択的に反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去
からなる。
【００６４】
圧縮工程（工程ａ１））は任意選択的に行われる。
【００６５】
存在するとき、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧの圧縮工程は有利には、圧力を少なくとも８ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは少なくとも１０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは少なくとも１２ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは少なくとも１４ｋｇ／ｃｍ２・ｇに、そして有利には高くても６０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは高くても５５ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは高くても５０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは高くても４５ｋｇ／ｃｍ２・ｇに上げる。
【００６６】
工程ａ１）は好ましくは、多段ガス圧縮機でか幾つかの圧縮機でかのどちらかで、数段階で行われる。液滴分離は好ましくは圧縮工程ａ１）の前に行われる。
【００６７】
各圧縮段階での圧縮比は、圧縮段階の出口での温度が有利には高くても１５０℃の、好ましくは高くても１２０℃の、より好ましくは高くても１００℃のものであるようなものである。この段階を出るガスは後で有利には、冷却媒体での間接冷却によって冷却される。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００６８】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。
【００６９】
冷却の終わりに、幾らかの凝縮物が生成し得るであろう。幾らかの凝縮物が生成する場合、それらは分離できるかまたは分離できない。それらは好ましくは分離される。凝縮物は有利には、圧力放出、好ましくは上流段階の圧力での圧力放出によって脱ガスされる。分離した液体のストリッピングは、揮発性画分を回収するために行うことができる。生成したガスはより好ましくは、上流段階のガスと共にリサイクルされる。
【００７０】
ガス中に存在するかまたは前処理工程のいずれかによって発生した固体粒子は任意選択的に、好適な操作、すなわち、１つまたは幾つかの除塵工程（除塵工程ａ１ｂｉｓ））によって除去することができる。好適な操作の中に、例えば、重力沈降、衝突、サイクロンの使用、濾過、エレクトロ濾過および／または電気沈殿が挙げられてもよい。サイクロンの使用、濾過およびエレクトロ濾過が好ましい。
【００７１】
腐食性化合物除去（工程ａ２））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【００７２】
第１グループの工程（工程ａ２ａ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００７３】
吸収は有利には、アミン（好ましくはアルカノールアミン）溶液のような再生可能な溶液での吸収、メタノールもしくはジメチルエーテルポリエチレングリコールのような好適な溶媒での物理吸収、またはアルカリ性溶液でガス洗浄することによって行われる化学反応での吸収である。
【００７４】
アルカリは好ましくは水酸化物、酸化物または炭酸塩である。アルカリの例は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムである。
【００７５】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））は好ましくは、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７６】
再生可能な溶液は、再生されてもされなくてもよい。再生が行われる場合、それは有利には、特に二酸化炭素と硫化水素とを分離するために、１つまたは幾つかの段階で起こる。再生可能な溶液は好ましくは再生され、より好ましくは２段階で再生される。
【００７７】
吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））はより好ましくは、２段階で再生される、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。
【００７８】
かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる腐食性化合物は有利には、硫化水素、塩化水素、硫化カルボニル、シアン化水素、二酸化炭素、アンモニアならびにメルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物である。
【００７９】
あるいはまた、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、アンモニアならびに硫黄酸化物は、工程ａ２ａ）中に少なくとも部分的に加水分解することができる。
【００８０】
水はまた、メタノールのような物理吸着剤が使用される場合、かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる。
【００８１】
第２グループの工程（工程ａ２ｂ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００８２】
例えば、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物などの腐食性化合物の水素化は有利には、水素化触媒を使用することによって水素化反応器で行われる。工程ａ２ｂ）後に、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物は有利には、少なくとも部分的に水素化される。
【００８３】
好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。工程ａ７）について明示されるものなどの触媒がまた使用されてもよい。
【００８４】
硫化カルボニルは、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的にメルカプタンへ転化される。
【００８５】
水素化供給物中に存在するニトリルはまた有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中にアミンへ少なくとも部分的に転化される。
【００８６】
シアン化水素は、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的に除去される。
【００８７】
工程ａ２ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【００８８】
第３グループの工程（工程ａ２ｃ））は、１つまたは幾つかの冷却工程を含む。
【００８９】
冷却は有利には、冷却媒体での直接または間接冷却によって行われる。直接冷却とは、冷却媒体とのプロセス流れの物理的接触を意味する。直接接触冷却のための好適な冷却媒体の例は、水、メタノール、炭化水素またはそれらの混合物である。好適な冷却媒体の他の例は、アルカノールアミン、金属炭酸塩もしくは重炭酸塩、硫酸または硝酸のような無機酸の水溶液である。好適な媒体の他の例は、アルカノールアミンまたは金属炭酸塩もしくは重炭酸塩のメタノール溶液である。好ましくは、冷却媒体は、流れ温度より低い温度にある。冷却は好ましくは、冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。
【００９０】
ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。あるいはまた、凍結乾燥工程を乾燥するために用いることができる。
【００９１】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【００９２】
第４グループの工程（工程ａ２ｄ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【００９３】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライト、シリカゲルまたはアルミナのような好適な固体上への吸着である。
【００９４】
水吸着は有利には、モレキュラーシーブ、シリカゲルまたはアルミナ上への吸着工程によって少なくとも部分的に実現される。
【００９５】
好ましくは、水除去は、冷却（工程ａ２ｃ））と吸着（工程ａ２ｄ））との組み合わせによって少なくとも部分的に行われる。
【００９６】
硫化カルボニル、硫化カルボニルならびにスルフィドから誘導されるメルカプタンは有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【００９７】
残留ニトリルだけでなくニトリルから誘導されたアミンは有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。窒化物はまた、工程ａ２ｄ）中に少なくとも部分的に吸着される可能性がある。
【００９８】
アンモニアはまた、既に除去されていない場合、有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【００９９】
二酸化炭素はまた、工程ａ２ａ）中に除去されなかった場合、有利には、好適な吸着剤上での吸着によって少なくとも部分的に除去することができる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【０１００】
触媒毒化合物除去（工程ａ３））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１０１】
第１グループの工程（工程ａ３ａ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１０２】
吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライトまたは活性化されているもしくは活性化されていないアルミナのような好適な固体上への化学的または物理的吸着である。
【０１０３】
好ましくは、触媒毒化合物は、好ましくは活性化された、アルミナ上への、または活性炭上への化学的または物理的吸着によって少なくとも部分的に除去される。
【０１０４】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が、吸着のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。
【０１０５】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１０６】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１０７】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１０８】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１０９】
第２グループの工程（工程ａ３ｂ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの段階を含む。
【０１１０】
吸収は有利には、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールもしくはメタノールのような好適な溶媒での、物理吸収、または例えば、工程ａ２ａ）について記載されたようなアルカリ性水溶液での、化学吸収である。
【０１１１】
工程ａ３）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１１２】
工程ａ２ｃ）に加えて、冷却工程（工程ａ４））が任意選択的に冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素、ＣＯ２、ハイドロフルオロカーボン冷媒、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスまたは大気空気の中から選択される。冷却媒体はより好ましくは、冷却塔水またはエチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスである。
【０１１３】
ガスは有利には、０℃より下、好ましくは−１０℃より下、より好ましくは−２０℃より下に、しかし有利には、−１５０℃以上、好ましくは−１２０℃以上、より好ましくは−１００℃以上に冷却される。
【０１１４】
凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。
【０１１５】
可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ５））。
【０１１６】
水素および／またはメタンの少なくとも一部が少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ａ））。この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。水素および／またはメタンの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、水素および／またはメタンの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ５ａ））中に行われる。
【０１１７】
水素および／またはメタンのための好適な分離工程は有利には、膜透過および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１１８】
エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素もしくは重質Ｃ６＋の少なくとも一部が、有利には数工程で、少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ｂ））。
【０１１９】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋の少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分別中に行われてもよい。
【０１２０】
工程ａ）中、エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋のための好適な分離工程は、有利には凝縮である。有利には工程ａ５ｂ）は、圧縮工程ａ１）および／または冷却工程ａ２ｃ）および／またはａ４）と組み合わせられる。
【０１２１】
不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ６））。
【０１２２】
この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。不活性ガスの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分別中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、不活性ガスの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ６））中に行われる。
【０１２３】
工程ａ）中の不活性ガスまたは画分Ａのための好適な分離工程は有利には、膜浸透および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。
【０１２４】
含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ７））。
【０１２５】
酸素の少なくとも一部は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる（工程ａ７ａ））。
【０１２６】
好適な化学的工程は有利には、銅または硫化されたニッケル触媒の還元床を使用することによって、好ましくは硫化されたニッケル触媒を使用することによって行われる（工程ａ７ａ１））。
【０１２７】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ａ２））。
【０１２８】
水素化工程は、例えば、アルミナ、シリカ、シリカ／アルミナ、炭素、炭酸カルシウムまたは硫酸バリウムなどの担体上に沈着されたパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、金、銀またはこれらの元素の混合物をベースとする触媒、しかしまたニッケルをベースとする触媒およびコバルト−モリブデン錯体をベースとするものなどの任意の公知の水素化触媒を用いて行われてもよい。好ましくは、水素化工程は、アルミナもしくは炭素上に沈着されたパラジウムもしくは白金をベースとする触媒を用いて、ニッケルをベースとする触媒でまたはコバルト−モリブデン錯体をベースとする触媒で行われる。特に好ましいやり方では、それはニッケルをベースとする触媒を用いて行われる。
【０１２９】
水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１３０】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ａ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ａ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ａ５））によって行われる。
【０１３１】
工程ａ７ａ２）がより特に好ましい。
【０１３２】
工程ａ７ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１３３】
窒素酸化物の少なくとも一部（工程ａ７ｂ））は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる。
【０１３４】
好適な化学的工程は有利には、アンモニアまたは尿素での、好ましくは尿素での窒素酸化物除去によって行われる（工程ａ７ｂ１））。
【０１３５】
別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ｂ２））。好適な触媒は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒、より好ましくは硫化されたニッケル触媒である。
【０１３６】
水素化工程は、同じ好ましさで、酸素の水素化について明示されるものと同じ触媒を用いて行われてもよい。水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。
【０１３７】
水素化は窒素酸化物除去よりも好ましい。
【０１３８】
好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ｂ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ｂ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ｂ５））によって行われる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。
【０１３９】
工程ａ７ｂ２）およびａ７ｂ３）がより特に好ましい。
【０１４０】
工程ａ７ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４１】
反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ８））。
【０１４２】
反応性化合物除去（工程ａ８））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。
【０１４３】
第１グループの工程（工程ａ８ａ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１４４】
アセチレンの部分水素化は有利には、水素化触媒を使用することによってアセチレン変換器で行われる。工程ａ８ａ）後に、アセチレンは有利には、少なくとも部分的に水素化される。好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。言い換えれば、工程ａ２ｂ）について明示されるものなどの触媒が使用されてもよい。
【０１４５】
水素化供給物中に存在する窒素を含有する有機化合物は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に除去される。
【０１４６】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は、工程ａ８ａ）中に部分的に水素化することができる。
【０１４７】
メチルアセチレン、プロパジエンおよびブタジエンをはじめとする水素化供給物中に存在するより高級のアセチレン化合物は有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に水素化される。
【０１４８】
工程ａ８ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１４９】
第２グループの工程（工程ａ８ｂ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１５０】
吸着は有利には、他の望ましくない成分を少なくとも部分的に除去するために化学的に特異な吸着剤で行われる。
【０１５１】
ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。
【０１５２】
ホスフィン、メタノールおよび塩素を含有する無機化合物はまた、工程ａ８ｂ）中に少なくとも部分的に吸着されてもよい。
【０１５３】
有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。実現される場合、工程ａ８ｂ）は工程ａ３）と組み合わせるまたは組み合わせないことができよう。
【０１５４】
ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。
【０１５５】
吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。
【０１５６】
各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。
【０１５７】
再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。
【０１５８】
工程ａ８ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。
【０１５９】
第３グループの工程（工程ａ８ｃ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。
【０１６０】
吸収は有利には、とりわけ、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物を少なくとも部分的に除去するために、好適な溶媒で、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールで行われる。
【０１６１】
ジエタノールアミンおよびメタノールは有利には、工程ａ８ｃ）中に少なくとも部分的に除去することができる。
【０１６２】
前述の異なる工程は、それらが列挙される順番に必ずしも行われない。それらは、任意の他の順番に実現することができる。
【０１６３】
しかしながら、工程ａ４）は有利には、処理工程の最後の工程である。
【０１６４】
水素化工程ａ２ｂ）、ａ７ａ２）、ａ７ｂ２）およびａ８ａ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸着工程ａ３ａ）、ａ７ａ３）、ａ７ｂ３）およびａ８ｂ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸収工程ａ２ａ）、ａ３ｂ）、ａ７ａ４）、ａ７ｂ４）およびａ８ｃ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。
【０１６５】
処理工程ａ２）およびａ３）が行われる好ましい順番は：
１．工程ａ３ａ）、
２．工程ａ３ｂ）、
３．工程ａ２ｂ）、
４．工程ａ２ａ）、
５．工程ａ２ｃ）、そして
６．工程ａ２ｄ）
である。
【０１６６】
任意選択的な圧縮工程ａ１）が行われるとき、工程ａ３ａ）、ａ３ｂ）、ａ２ｂ）およびａ２ｃ）は好ましくは、最後の圧縮段階の前に挿入される。任意選択的な除塵工程ａ１ｂｉｓ）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｄ）の後である。
【０１６７】
任意選択的な冷却工程ａ４）が行われるとき、それは好ましくは最後の工程である。
【０１６８】
工程ａ５ａ）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１６９】
工程ａ５ｂ）が行われるとき、それは有利には、冷却工程ａ２ｃ）および／または工程ａ４）に置かれた幾つかの工程で行われる。
【０１７０】
工程ａ６）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。
【０１７１】
工程ａ５ａ）および工程ａ６）が行われるとき、それらは有利には組み合わせられる。
【０１７２】
工程ａ７ａ２）が行われるとき、それは有利には工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７３】
工程ａ７ｂ２）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。
【０１７４】
工程ａ７ｂ３）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ３ａ）と組み合わせられる。
【０１７５】
工程ａ８ａ）、ａ８ｂ）およびａ８ｃ）が行われるとき、それらは有利には、それぞれ工程ａ２ｂ）、ａ３ａ）およびａ３ｂ）と組み合わせられる。
【０１７６】
処理工程が行われるより好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）、
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７７】
処理工程が行われる最も好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ａ）、工程ａ６）および工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。
【０１７８】
有利には、本発明による方法において、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素および重質Ｃ６＋、不活性ガス、含酸素化合物、反応性化合物および実質的に低下した量の腐食性化合物および触媒毒化合物を含む。
【０１７９】
任意選択的に、不活性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８０】
任意選択的に、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８１】
任意選択的に、（エチレン以外の）可燃性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、エチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。有利には、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。より好ましくは、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率、およびエチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。
【０１８２】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物について本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。
【０１８３】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は有利には、少なくとも１０体積％、好ましくは少なくとも１５体積％、より好ましくは少なくとも２０体積％のエチレンを含む。それは有利には、多くとも６０体積％、好ましくは多くとも５５体積％、より好ましくは多くとも５０体積％のエチレンを含む。
【０１８４】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも３０ＭＪ、好ましくは少なくとも３３ＭＪ、より好ましくは少なくとも３５ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３７ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６５ＭＪ、最も好ましくは多くとも６０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。
【０１８５】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物中に含まれる水の分圧は、有利には水銀の５５ｍｍより低い、好ましくは２５ｍｍより低い、より好ましくは１５ｍｍより低い、最も好ましくは１０ｍｍより低い。
【０１８６】
工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の同じ成分の量の多くとも５％、好ましくは多くとも２％、より好ましくは多くとも１％のものである量で、以下の成分、すなわち、二酸化炭素、硫化水素、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アンモニア、窒化物、ニトリル、塩化水素、シアン化水素、水銀、ヒ素（アルシンのような）、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのそれぞれを含む。
【０１８７】
上に定義された工程ａ）の後に、工程ｂ）によって、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）へ、任意選択的にエタンの個々の一画分へおよび一重質画分（画分Ｃ）へ分別される。
【０１８８】
好ましくは、工程ｂ）によって、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、画分Ａへおよび画分Ｃへ分離される。
【０１８９】
表現「一分別工程」は、本発明の目的のためには、１つおよび１つのみの分別工程が考えられることを意味すると理解される。
【０１９０】
表現「エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物が一分別工程で分別される」中の用語「分別される」または「分別」は、本発明の目的のためには、サブ混合物の少なくとも１つが、指定圧力範囲で、泡立ち点でのエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物の組成によって画定される範囲の外側にある組成で、および露点での同じ混合物の組成で特徴づけられるような方法での単一の分離（分別）工程による２つ以上のサブ混合物へのエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物の分割を意味すると理解される。
【０１９１】
表現「分別工程」は、単一機能を有すると考えることができる潜在的に多段階プロセスの任意の部分を意味することを意図される。分別工程は、１つまたは幾つかの相互接続装置で行うことができる。
【０１９２】
表現「泡立ち点」は、本発明の目的のためには、出発温度から一定圧力でエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を加熱中に、この混合物が、蒸気の第１泡が形成される液体状態にあるような点を意味すると理解され；泡立ち点組成は、この第１蒸気泡の組成である。
【０１９３】
表現「露点」は、本発明の目的のためには、出発温度から一定圧力でエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を冷却中に、この混合物が、液体の第１泡が形成される蒸気状態にあるような点を意味すると理解され、露点組成は、この第１液体泡の組成である。
【０１９４】
分別工程は有利には分別操作を含む。
【０１９５】
分別操作の例は、蒸留、抽出蒸留、液−液抽出、パーベーパレーション、気体透過、吸着、圧力スイング吸着（ＰＳＡ）、吸収、クロマトグラフィー、逆浸透および分子濾過である。蒸留、気体透過、パーベーパレーションおよびＰＳＡが好ましい。蒸留がより好ましい。
【０１９６】
この分別工程はそれ故より好ましくは、２つの異なる画分、すなわち塔Ｃのトップを出る画分Ａと、塔Ｃのボトムを出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の主塔（塔Ｃと呼ばれる）内部での分別にある。
【０１９７】
塔Ｃへのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。
【０１９８】
生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程ｂ）中に塔Ｃへ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。
【０１９９】
主塔Ｃは有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。
【０２００】
塔Ｃは有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは塔Ｃは蒸留塔である。
【０２０１】
工程ｂ）はそれ故好ましくは蒸留工程である。
【０２０２】
塔Ｃは有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。
【０２０３】
エチレンをほとんど全て含有する画分Ａは有利には塔Ｃのトップを出るが、最小揮発性の化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃのボトムを出る。
【０２０４】
上述の工程ｂ）は有利には、少なくとも８バールの、好ましくは少なくとも１０バールの、より好ましくは少なくとも１２バールの、最も好ましくは少なくとも２０バールの、非常に最も好ましくは少なくとも２７バールの圧力で行われる。工程ｂ）は有利には、高くても５０バールの、好ましくは高くても４５バールの、特に好ましいやり方では高くても４０バールの圧力で行われる。
【０２０５】
工程ｂ）が行われる温度は、塔Ｃ１のトップで有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、より好ましくは少なくとも−１１０℃、最も好ましくは少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ１のトップで有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、より好ましくは高くても−５０℃、最も好ましくは高くても−６５℃、非常に最も好ましくは高くても−８０℃である。
【０２０６】
工程ｂ）が行われる温度は、塔Ｃ１のボトムで有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、より好ましくは少なくとも２０℃である。それは、塔Ｃ１のボトムで有利には高くても１００℃、好ましくは高くても８０℃、より好ましくは高くても７０℃、最も好ましくは高くても６０℃である。
【０２０７】
工程ｂ）が行われる圧力および温度は有利には、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）が工程ｂ）の後に得られるように選択される。
【０２０８】
特に好ましい圧力範囲は２０バール〜５０バールであり、２７バール〜３８バールが好ましい。
【０２０９】
塔Ｃ１のトップでの特に好ましい温度範囲は−１１０℃〜−５０℃であり、−１００℃〜−８０℃が好ましい。
【０２１０】
塔Ｃ１のボトムでの特に好ましい温度範囲は０℃〜１００℃であり、２０℃〜−６０℃が好ましい。
【０２１１】
塔のトップでの画分Ａは有利には部分凝縮して還流を供給し；冷却力は有利には、外部低温サイクル、凝縮物の一部またはそれの混合物の圧力放出による内部低温サイクルによって、好ましくはそれらの混合によって供給される。ガス生成物のターボ膨張によるエネルギー回収が任意選択的に用いられる。
【０２１２】
語句「エチレンをほとんど全て含有する一画分」は、本発明の目的のためには、エチレンをほとんど全て含有する１つおよび１つのみの画分が工程ｂ）の後に得られることを意味すると理解される。
【０２１３】
語句「エチレンをほとんど全て含有する画分」は、本発明の目的のためには、この画分が、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９０％を含有することを意味すると理解される。
【０２１４】
好ましくは、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％を含有する。
【０２１５】
語句「一重質画分」は、本発明の目的のためには、１つおよび１つのみの重質画分が工程ｂ）の後に得られることを意味すると理解される。
【０２１６】
画分Ａおよび画分Ｃを特徴づけるために下に定義される量は、工程ｂ）を出るこれらの画分についてのものである。
【０２１７】
画分Ａは有利には、エチレンより軽質である化合物に富む。これらの化合物は一般に、メタン、窒素、酸素、水素および一酸化炭素である。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％、特に好ましいやり方では少なくとも９５％を含有する。
【０２１８】
画分Ａは有利には、３０％より低い、好ましくは２５％より低い、より好ましくは２０％より低い不活性ガスの体積含有率で特徴づけられる。
【０２１９】
画分Ａは有利には、ガス混合物を可燃性にするために必要なレベルより低い含酸素化合物の総量で、１５％より低い、好ましくは１２％より低い、より好ましくは１０％より低い体積含有率で好ましくは特徴づけられる。
【０２２０】
画分Ａは有利には、９％より低い、好ましくは８％より低い、より好ましくは７％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２１】
画分Ａは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２２】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２３】
画分Ａは有利には、０．００５％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．０００５％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２４】
画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２５】
画分Ａは有利には、０．０２％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．００５％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２６】
画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。
【０２２７】
画分Ａは、画分Ａの総体積に対して有利には０．１体積％以下、好ましくは０．０５体積％以下、特に好ましいやり方では０．０１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。
【０２２８】
画分Ａは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。
【０２２９】
画分Ｃは有利には、少なくとも３個の炭素原子を含む化合物を含有する。有利には、少なくとも３個の炭素原子を含むこれらの化合物は、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物に由来するか、または工程ｂ）中の副反応によって発生する。少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の中には、プロパン、プロピレン、ブタンおよびそれらの不飽和誘導体ならびに飽和または不飽和のより重質の化合物全てが挙げられてもよい。
【０２３０】
画分Ｃは有利には、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有される少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％および特に好ましくは少なくとも９９％を含有する。
【０２３１】
画分Ｃは有利には、画分Ｃの総重量に対して多くとも１重量％、好ましくは多くとも０．８重量％、特に好ましくは多くとも０．５重量％のエチレンを含有する。
【０２３２】
画分Ｃは有利にはエチレンより重質の成分に富む。好ましくは、画分Ｃは燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化される。より好ましくは、画分Ｃは化学的に付加価値化される。
【０２３３】
ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエタンに非常に富む場合には、それを付加価値化するためにエタンを単離することは興味深いことであり得る。これらの状況では、本発明による方法は、エタンが画分Ａに、画分Ｃに導かれるかまたは個々の画分として単離されるように適合させることができる。
【０２３４】
エタンが画分Ｃに導かれる場合には、エタンは、さらなる蒸留塔を用いて画分Ｃ中に存在する重質炭化水素から分別により分離することができる。エタンはまた、画分Ａから（ボトムで抜き取られる）画分Ｃを単離するために使用される蒸留塔の側面からそれを抜き取ることによってか、または画分Ｃを単離するときに従来の蒸留塔の代わりに分割壁塔を使用することによって回収することができる。
【０２３５】
エタンが塩素化に向けられる画分に導かれる場合には、エタンは、好ましくはガス透過、パーベーパレーションまたは圧力スイング吸着の中間工程によって、塩素化のガス流出物から回収することができる。
【０２３６】
エタンが個々の画分として単離される場合には、それは工程ｂ）中に他の画分から分離分別することができる。
【０２３７】
回収された後に、エタンは、燃料として燃やすかまたは化学的に付加価値化することができる。エタンは好ましくは化学的に付加価値化される。エタンはそれ故より好ましくは、後でオキシ塩素化にかけられるエチレンを生成するために国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットに記載されているようにオキシ脱水素化（ＯＤＨ）にかけられる。
【０２３８】
上に定義された工程ｂ）の後に、工程ｃ）によって、画分Ａは少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０２３９】
工程ｃ）の前に、画分Ａは任意選択的に、特にＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられるときに、アセチレン水素化工程、引き続く任意選択的に乾燥工程にかけられる。好ましくは、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられる画分Ａは、アセチレン水素化にかけられる。より好ましくは、直接塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａは、アセチレン水素化工程、引き続く乾燥工程にかけられる。より好ましくは、オキシ塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａは、乾燥工程なしのアセチレン水素化にかけられる。
【０２４０】
アセチレンの水素化は有利には、工程ａ８ａ）について先に記載されたように行われる。
【０２４１】
有利には、画分Ａのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。
【０２４２】
本発明による方法の第１実施形態によれば、画分Ａは有利には、１つのエチレン誘導体化合物の製造に一画分で搬送される。
【０２４３】
この第１実施形態によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１つのエチレン誘導体化合物の製造に、好ましくはＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に一画分で搬送されるようなものである。
【０２４４】
第１実施形態の第１変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣおよび塩化水素を生成し；そして
ｆ）得られたＶＣおよび塩化水素がＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０２４５】
塩素化反応（普通は直接塩素化と呼ばれる）は有利には、ＦｅＣｌ３または別のルイス（Ｌｅｗｉｓ）酸などの溶解触媒を含有する液相（好ましくは主にＤＣＥ）で実施される。この触媒をアルカリ金属塩化物などの共触媒と有利に組み合わせることが可能である。良好な結果を与えたペアは、ＦｅＣｌ３とＬｉＣｌとの錯体（リチウムテトラクロロフェラート−オランダ国特許出願第６９０１３９８号明細書に記載されている）である。
【０２４６】
有利に使用されるＦｅＣｌ３の量は、液体ストックの１ｋｇ当たり約１〜３０ｇのＦｅＣｌ３である。ＦｅＣｌ３対ＬｉＣｌのモル比は有利にはおよそ０．５〜２である。
【０２４７】
加えて、塩素化反応は好ましくは塩素化有機液体媒体中で行われる。より好ましくは、液体ストックとも呼ばれる、この塩素化有機液体媒体は主にＤＣＥからなる。
【０２４８】
本発明による塩素化反応は有利には、３０〜１５０℃の温度で行われる。良好な結果は、沸点より下の温度（サブクールされた条件下での塩素化法）でおよび沸点そのもの（沸点での塩素法）での両方で圧力にかかわらず得られた。
【０２４９】
本発明による塩素化プロセスがサブクール条件下の塩素化プロセスであるとき、それは、有利には５０℃以上、好ましくは６０℃以上、しかし有利には８０℃以下、好ましくは７０℃以下の温度で、そして有利には１バール絶対以上、好ましくは１．１バール絶対以上、しかし有利には２０バール絶対以下、好ましくは１０バール絶対以下、特に好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で操作することによって良好な結果を与えた。
【０２５０】
沸点での塩素化方法が反応熱を役立つように回収するために好ましいかもしれない。この場合、反応は有利には、６０℃以上、好ましくは７０℃以上、特に好ましくは８５℃以上、しかし有利には１５０℃以下、好ましくは１３５℃以下の温度で、そして有利には０．２バール絶対以上、好ましくは０．５バール絶対以上、特に好ましくは１．１バール絶対以上、より特に好ましくは１．３バール絶対以上、しかし有利には１．３バール絶対以下、好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で行われる。
【０２５１】
塩素化プロセスはまた、沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセスであってもよい。表現「沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセス」は、形成されたＤＣＥの少なくともその量を気相に生成しながら、反応媒体の冷却が、例えば反応媒体中に浸漬された交換器を用いてか、または交換器中を循環するループによって実施されるプロセスを意味すると理解される。有利には、反応温度および圧力は、生成したＤＣＥが気相にあるままにし、かつ、反応媒体からの熱の残りが交換表面積によって除去されるように調整される。
【０２５２】
塩素化を受ける画分およびまた分子塩素（それ自体純粋なまたは希釈された）は、一緒にかまたは別々に、任意の公知の装置によって反応媒体へ導入されてもよい。塩素化を受ける画分の別個の導入が、その分圧を高め、そしてプロセスの律速段階を多くの場合に構成するその溶解を容易にするために有利である可能性がある。
【０２５３】
分子塩素がエチレンのほとんどを転化するのに十分な量で、かつ、過剰の未転化塩素の添加を必要とせずに加えられる。用いられる塩素／エチレン比は、好ましくは１．２〜０．８モル／モル、特に好ましくは１．０５〜０．９５モル／モルである。
【０２５４】
得られた塩素化生成物は主にＤＣＥ、そしてまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物または少量のエタンもしくはメタン塩素化生成物を含有する。
【０２５５】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離は、公知のモードに従って実施され、一般に塩素化反応の熱を利用することを可能にする。それは次に好ましくは、凝縮および気／液分離によって実施される。
【０２５６】
未転化生成物（メタン、エタン、一酸化炭素、窒素、酸素および水素）は次に有利には、最初の混合物から出発して純エチレンを分離するために必要であったであろうものより容易な分離にかけられる。
【０２５７】
特に水素は未転化生成物から抜き出し、例えば過酸化水素製造における作業溶液の水素化のためかまたは過酸化水素の直接合成のためのように付加価値化することができる。
【０２５８】
ＤＣＥ分解工程が実施されてもよい条件は、当業者に公知である。ＤＣＥ分解は、その中に触媒を挙げることができる第３化合物の存在下にまたは不存在下に行うことができ；ＤＣＥ分解はこの場合には接触ＤＣＥ分解である。しかしながら、ＤＣＥ分解は好ましくは、第３化合物の不存在下に、熱のみの作用下に行われ；ＤＣＥ分解はこの場合にはしばしば熱分解と呼ばれる。
【０２５９】
この熱分解は有利には、管型炉での気相反応によって得られる。通常の熱分解温度は４００〜６００℃であり、４８０℃〜５４０℃の範囲が好ましい。滞留時間は有利には１〜６０秒であり、５〜２５秒の範囲が好ましい。ＤＣＥの転化率は有利には、副生物の形成および管型炉の管の汚れを制限するために４５〜７５％に制限される。
【０２６０】
熱分解に由来する生成物の流れから得られるＶＣと塩化水素との分離は、精製されたＶＣおよび塩化水素を集めるために、任意の公知の装置を使用して、公知のモードに従って実施される。精製後に、未転化ＤＣＥは有利には熱分解炉に搬送される。
【０２６１】
第１実施形態の第１変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０２６２】
ＰＶＣの製造は、塊状、溶液または水性分散重合法であってもよく、好ましくはそれは水性分散重合法である。
【０２６３】
表現水性分散重合は、水性エマルジョンでのフリーラジカル重合および水性マイクロサスペンジョンでの重合だけでなく水性懸濁液でのフリーラジカル重合を意味すると理解される。
【０２６４】
表現水性懸濁液でのフリーラジカル重合は、分散剤および油溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６５】
表現水性エマルジョンでのフリーラジカル重合は、乳化剤および水溶性フリーラジカル開始剤の存在下に水性媒体中で行われる任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６６】
均質化水性分散系での重合とも呼ばれる、表現水性マイクロサスペンジョン重合は、油溶性開始剤が使用され、そしてモノマー小滴のエマルジョンが強力な機械撹拌および乳化剤の存在によって調製される任意のフリーラジカル重合法を意味すると理解される。
【０２６７】
分離後に、塩化水素は任意の目的のために使用されてもよい。それは、例えば、塩化カルシウム、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオールまたは１，２，３−プロパントリオール（エピクロロヒドリンの合成につながるグリセリンまたはグリセロール）との反応によるクロロプロパノールなどのクロロアルコール、メタノールとの反応によるクロロメタンなどのクロロアルカン、水性塩酸、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、クロロシラン、塩化チタン、塩化亜鉛、塩化アンモニウムのような他の無機塩化物のような化合物の合成に、しかしまた例えば芳香族化合物のオキシ塩素化法、アルキンの塩化水素化（例えばＶＣへのアセチレンの塩化水素化）もしくはアルケンの塩化水素化に搬送するかまたは分子塩素へ酸化することができる。
【０２６８】
本発明による方法の第１実施形態の第１変形の工程ｆ）による分離の後に、ｇ）塩化水素は好ましくは、後でより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる。
【０２６９】
特に好ましい方法はそれ故、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られたＤＣＥが、塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣと塩化水素とを生成し；
ｆ）得られたＶＣと塩化水素とがＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離され；そして
ｇ）塩化水素が、後で塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる
ようなものである。
【０２７０】
分離された塩化水素の分子塩素への酸化は、任意の公知の方法に従って行うことができる。
【０２７１】
それらの公知の方法の中に、塩酸の電解、Ｋｅｌｌｏｇｇと呼ばれるＫＥＬ塩素法（触媒として濃硫酸およびニトロシル硫酸を使用する）、Ｓｈｅｌｌ−Ｄｅａｃｏｎ法（触媒としてシリケート担体上の塩化銅（ＩＩ）と他の金属塩化物との混合物を使用する）および三井東圧（ＭＴ−塩素）法（触媒としてシリケート担体上の酸化クロム（ＩＩＩ）を使用する）のような修正Ｄｅａｃｏｎ法のような酸素による塩化水素の接触酸化法ならびに硝酸による塩化水素の酸化が挙げられてもよい。
【０２７２】
酸素による塩化水素の接触酸化が本発明による方法にとって好ましい。この酸化は有利には、酸素を含有するガスで行われる。
【０２７３】
酸素を含有するガスとして、分子酸素または空気を使用することができる。酸素は、空気の圧力スイング法または空気の深冷分離などの、通常の工業的方法によって製造されてもよい。
【０２７４】
１モルの塩化水素を酸化するために必要な酸素の理論的モル量は０．２５モルであるが、理論量を超える量の酸素を使用することが好ましく、より好ましくは、塩化水素の１モル当たり０．２５〜２モルの酸素が使用される。
【０２７５】
本発明による酸化反応に使用される触媒は、塩化水素の酸化による塩素の製造に使用される任意の公知の触媒であってもよい。
【０２７６】
触媒の例は、Ｄｅａｃｏｎ法におけるような銅ベースの触媒、酸化クロム、酸化ルテニウムまたは酸化ルテニウムと酸化チタンとの混合物である。Ｄｅａｃｏｎ触媒は、有利には塩化銅、塩化カリウムおよび様々な種類の化合物を第３成分として含む。
【０２７７】
触媒の形状は、球形粒子、円筒形ペレット、押出形態、リング形態、ハニカム形態、または成形材料のミリング引き続く篩い分けによって製造される好適なサイズを有する顆粒などの通常使用される形状のいずれであってもよい。触媒のサイズは好ましくは１０ｍｍ以下である。触媒のサイズの下限は限定されなくてもよいが、触媒のサイズは有利には少なくとも０．１ｍｍである。本明細書では、触媒のサイズは、球形粒子の場合には球の直径、円筒形ペレットの場合には横断面の直径または他の形態の場合には横断面の最大サイズを意味する。
【０２７８】
酸素を含有するガスを部分に分割し、そしてそれを少なくとも２つの反応ゾーンに導入することは興味深いことであり得る。
【０２７９】
酸化反応は有利には、それぞれが、好ましくは直列に配置された、触媒充填層を含む、少なくとも２つの反応ゾーンで実施される。
【０２８０】
反応圧力は有利には０．１〜５ＭＰａである。反応温度は有利には２００〜６５０℃、より好ましくは２００〜５００℃である。
【０２８１】
反応器は有利には管型反応器であり、それらの内径は好ましくは１０〜５０ｍｍ、より好ましくは１０〜４０ｍｍである。
【０２８２】
分子塩素はより好ましくは塩素化反応器にリサイクルされる。このリサイクリングは、任意の公知の方法に従って行うことができる。分子塩素は有利には先ず乾燥され、次に塩素化に入るための必要な圧力にされる。乾燥は有利には、圧縮による出口での凝縮でまたは硫酸のもしくは塩素と相性がよい吸着剤の塔を使ってのどれか、好ましくは硫酸の塔を使って行われる。
【０２８３】
第１実施形態の第２変形によれば、本方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に一画分で搬送され；
ｄ）塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから任意選択的に単離され；
ｅ）ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送され；そして
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる
ようなものである。
【０２８４】
第１実施形態の第２変形によれば、ＤＣＥは有利にはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。
【０２８５】
本明細書で以下に詳述される塩素のフローを除いて第１実施形態の第２変形の特定の場合には、塩素化反応に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０２８６】
塩素の流量は、エチレンの有利には少なくとも１０％、好ましくは少なくとも２０％、特に好ましくは少なくとも３０％がＤＣＥに転化されるようなものである。塩素の流量は、エチレンの有利には多くとも９０％、好ましくは多くとも８０％、特に好ましくは多くとも７０％がＤＣＥに転化されるようなものである。
【０２８７】
第１実施形態の第２変形の工程ｄ）によれば、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは任意選択的に、塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。場合によっては、塩素化反応器に由来する生成物の流れから塩素化反応器で形成されたＤＣＥを単離しないことが有利であるかもしれない。しかしながら好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される。
【０２８８】
それが行われる場合、塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は公知方法に従って実施され、塩素化反応の熱を利用することを一般に可能にする。それはそのとき好ましくは凝縮および気／液分離によって実施される。
【０２８９】
第１実施形態の第２変形の工程ｅ）によれば、ＤＣＥが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分がＤＣＥに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送される。
【０２９０】
オキシ塩素化反応は有利には、不活性担体上に沈着された銅をはじめとする、活性元素を含む触媒の存在下に実施される。不活性担体は有利には、アルミナ、シリカゲル、混合酸化物、粘土および天然起源の他の担体から選択される。アルミナが好ましい不活性担体である。
【０２９１】
数が有利には少なくとも２つであり、その１つが銅である活性元素を含む触媒が好ましい。銅以外の活性元素のうち、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属ならびにルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金および金からなる群からの金属が挙げられてもよい。以下の活性元素を含有する触媒が特に有利である：銅／マグネシウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム；銅／マグネシウム／リチウム、銅／マグネシウム／セシウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／リチウム、銅／マグネシウム／カリウム／リチウムおよび銅／マグネシウム／セシウム／リチウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／カリウム、銅／マグネシウム／ナトリウム／セシウムおよび銅／マグネシウム／カリウム／セシウム。参照により援用される、欧州特許出願公開第２５５ １５６Ａ号明細書、欧州特許出願公開第４９４ ４７４Ａ号明細書、欧州特許出願公開第６５７ ２１２Ａ号明細書および欧州特許出願公開第６５７ ２１３Ａ号明細書に記載されている触媒が最も特に好ましい。
【０２９２】
金属形態で計算される、銅含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり３０〜９０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり４０〜８０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり５０〜７０ｇの触媒である。
【０２９３】
金属形態で計算される、マグネシウム含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり１０〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり１２〜２５ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１５〜２０ｇである。
【０２９４】
金属形態で計算される、アルカリ金属含有率は有利には、触媒１ｋｇ当たり０．１〜３０ｇ、好ましくは触媒１ｋｇ当たり０．５〜２０ｇ、特に好ましくは触媒１ｋｇ当たり１〜１５ｇの触媒である。
【０２９５】
Ｃｕ：Ｍｇ：アルカリ金属原子比は、有利には１：０．１〜２：０．０５〜２、好ましくは１：０．２〜１．５：０．１〜１．５、特に好ましくは１：０．５〜１：０．１５〜１である。
【０２９６】
窒素でＢＥＴ法に従って測定される、有利には２５ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇ、好ましくは５０〜２００ｍ２／ｇ、特に好ましくは７５〜１７５ｍ２／ｇの比表面積を有する触媒が特に有利である。
【０２９７】
触媒は固定床でまたは流動床で使用されてもよい。この第２選択肢が好ましい。オキシ塩素化プロセスは、この反応向けに通常推奨される範囲の条件下に操作される。温度は有利には１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２７５℃、最も好ましくは２１５〜２５５℃である。圧力は有利には大気圧より上である。２〜１０バール絶対の値が良好な結果を与えた。４〜７バール絶対の範囲が好ましい。この圧力は、反応器での最適滞留時間を達成するためにおよび様々な運転速度に対して一定の通過速度を維持するために役立つように調整されてもよい。通常の滞留時間は、１〜６０秒、好ましくは１０〜４０秒の範囲である。
【０２９８】
このオキシ塩素化のための酸素源は、空気、純酸素またはそれらの混合物、好ましくは純酸素であってもよい。未転化反応体の容易なリサイクリングを可能にする後者の解決策が好ましい。
【０２９９】
反応体は、任意の公知デバイスによって床へ導入されてもよい。安全上の理由から酸素を他の反応体とは別々に導入することが一般に有利である。これらの安全性理由はまた、反応器を出るまたはそれにリサイクルされるガス混合物が当該圧力および温度で可燃限界外に保たれることを要求する。いわゆる濃混合気を維持すること、すなわち、燃料に対して余りにも少ない酸素を含有するので点火しないことが好ましい。この関連で、水素の豊富な存在（＞２ｖｏｌ％、好ましくは＞５ｖｏｌ％）は、この化合物の広範囲の可燃性を考えると不利点を構成するであろう。
【０３００】
用いられる塩化水素／酸素比は有利には３〜６モル／モルである。エチレン／塩化水素比は有利には０．４〜０．６モル／モルである。
【０３０１】
得られた塩素化生成物は、主としてＤＣＥおよびまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物を含有する。
【０３０２】
場合によっては、オキシ塩素化反応器に入る前に、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れを、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される吸収／脱着工程ｅ’）にかけることが有利であるかもしれない。
【０３０３】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥが予め抽出されなかった場合には場合により抽出される工程ｅ’）」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥが、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出されてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、工程ｅ’）が行われる場合およびそれが予め抽出されなかった場合にはこの工程中に抽出される。
【０３０４】
こうして、ＤＣＥが場合により抽出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れ（本明細書では以下塩素化流れとして知られる）は有利には、吸収工程におよび脱着工程にかけられ、そこで前記流れは溶媒を含有する洗浄剤と好ましくは接触させられる。
【０３０５】
表現「溶媒を含有する洗浄剤」またはより簡単に「洗浄剤」は、溶媒が液体状態で存在する組成物を意味すると理解される。
【０３０６】
本発明に従って使用することができる洗浄剤はそれ故有利には、液体状態での溶媒を含有する。前記洗浄剤中の、他の化合物の存在は、本発明の範囲から決して排除されない。しかしながら、洗浄剤は少なくとも５０体積％、より特に少なくとも６５体積％、最も特に好ましくは少なくとも７０体積％の溶媒を含有することが好ましい。
【０３０７】
溶媒は有利には、アルコール、グリコール、ポリオール、エーテル、グリコールとエーテルとの混合物、鉱油ならびにＤＣＥの中から選択される。溶媒は好ましくは、アルコール、鉱油およびＤＣＥの中から、より好ましくは共沸エタノール（有利には少なくとも７０体積％、好ましくは少なくとも８０体積％、より好ましくは少なくとも８５体積％のエタノールの水性エタノール）およびＤＣＥの中から選択される。溶媒は最も好ましくはＤＣＥである。
【０３０８】
吸収工程のために使用される洗浄剤は、任意の起源の新しい洗浄剤、例えば粗共沸エタノールまたは塩素化装置を出る粗ＤＣＥ、オキシ塩素化装置を出る粗ＤＣＥまたは精製されなかったこれら２つの混合物からなってもよい。それはまた、予め精製された前記ＤＣＥから、場合により新しい洗浄剤を添加した、下に説明されるような、エタンより重質な化合物の、ＤＣＥ中の濃度を下げることを可能にする任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する下に説明される脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなってもよい。
【０３０９】
好ましくは、吸収工程のために使用される洗浄剤は、場合により新しい洗浄剤を添加した、上述の任意の処理後の、塩素化反応器で形成された、そして脱着工程で抽出されるＤＣＥを場合により含有する脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。塩素化反応で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、吸収工程のために使用される洗浄剤は、新しい洗浄剤（吸収および脱着工程中の洗浄剤の損失を補填するための）を添加した、前述の任意の処理後の、脱着工程中に回収された洗浄剤の全てかもしくは一部からなる。
【０３１０】
エタンより重質な化合物の、好ましくは少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の洗浄剤中の濃度を下げることを可能にする上述の任意の処理は、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程かまたは洗浄剤を蒸留する工程であってもよい。好ましくは、それは、エタンより重質で、そして洗浄剤より軽質な化合物を脱着する工程からなる。好ましくは、洗浄剤のこの処理が行われる。
【０３１１】
ＤＣＥが洗浄剤であるときの最も好ましい場合の本質的な利点は、それがオキシ塩素化または塩素化中に主として形成される化合物であるので、このＤＣＥの存在が全く面倒ではないという事実にある。
【０３１２】
洗浄剤および塩素化流れのそれぞれのスループット間の比は決定的に重要であるわけではなく、大幅に変わることができる。それは実際には、洗浄剤の再生コストによって制限されるにすぎない。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れの１トン当たり少なくとも１、好ましくは少なくとも５、特に好ましくは少なくとも１０トンである。一般に、洗浄剤のスループットは、塩素化流れから抽出されるべきエチレンおよびエタン混合物の１トン当たり１００トン以下、好ましくは５０トン以下、特に好ましくは２５トン以下である。
【０３１３】
吸収工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜吸収器などの吸収器またはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された吸収塔を用いて実施される。吸収工程は好ましくは吸収塔を用いて、特に好ましくはプレート吸収塔を用いて実施される。
【０３１４】
吸収塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置などの関連付属品を備えている。
【０３１５】
上述の吸収工程は有利には、少なくとも１５、好ましくは少なくとも２０、特に好ましくは少なくとも２５バール絶対の圧力で実施される。吸収工程は有利には、４０バール絶対以下、好ましくは３５バール絶対以下、特に好ましくは３０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０３１６】
吸収工程が実施される温度は有利には、吸収器または吸収塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、吸収器または吸収塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０以下℃、特に好ましくは４０℃以下である。
【０３１７】
吸収器または吸収塔の底部での温度は、少なくとも０、好ましくは少なくとも１０、特に好ましくは少なくとも２０℃である。それは有利には、７０℃以下、好ましくは６０℃以下、特に好ましくは５０℃以下である。
【０３１８】
エチレンより軽質で洗浄剤に富む化合物から精製された塩素化流れである、吸収工程から生じた流れは、有利には脱着工程にかけられる。
【０３１９】
塩素化反応器で形成された、その後抽出されるＤＣＥを場合により含有する、脱着工程後に回収された洗浄剤は取り出され、このＤＣＥがオキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥと一緒になるオキシ塩素化部に完全にもしくは部分的に搬送されても、または場合により上述の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にもしくは部分的に搬送されてもよい。好ましくは、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、場合により新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に、またはオキシ塩素化部に再搬送される。塩素化反応器で形成されたＤＣＥが塩素化出口で塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、特に好ましい方法では、脱着工程後に回収された洗浄剤は、上述の任意の処理後に、新しい洗浄剤を添加して、吸収工程に完全にまたは部分的に再搬送される。
【０３２０】
脱着工程は有利には、例えば、クライミングフィルムもしくは流下薄膜脱着器などの脱着器、リボイラーまたはプレート塔、ランダム充填材の塔、構造化充填材の塔、前述のインターナルおよびスプレー塔の１つ以上を組み合わせた塔から選択された脱着塔を用いて実施される。脱着はまた、ＤＣＥを集めるために蒸気の直接注入によって行うことができる。脱着工程は好ましくは、脱着塔を用いて、特に好ましくはプレート脱着塔を用いて実施される。
【０３２１】
脱着塔は有利には、塔の内部または外部にある、例えば、少なくとも１つの凝縮器または冷却装置および少なくとも１つのリボイラーなどの関連付属品を備えている。
【０３２２】
脱着圧力は有利には、脱着ガス中の少なくとも３個の炭素原子を有する化合物の含有率が１００体積ｐｐｍ未満、好ましくは５０体積ｐｐｍ以下、特に好ましくは２０体積ｐｐｍｍ以下であるように選択される。
【０３２３】
上述の脱着工程は有利には、少なくとも１、好ましくは少なくとも２、特に好ましくは少なくとも３バール絶対の圧力で実施される。脱着工程は有利には、２０バール絶対以下、好ましくは１５バール絶対以下、特に好ましくは１０バール絶対以下の圧力で実施される。
【０３２４】
脱着工程が実施される温度は有利には、脱着器または脱着塔の頂部で少なくとも−１０、好ましくは少なくとも０、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは有利には、脱着器または脱着塔の頂部で６０℃以下、好ましくは５０℃以下、特に好ましくは４５℃以下である。
【０３２５】
脱着器または脱着塔の底部での温度は、少なくとも６０、好ましくは少なくとも８０、特に好ましくは少なくとも１００℃である。それは有利には、２００℃以下、好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。
【０３２６】
吸収工程が吸収塔で、そして脱着工程が脱着塔で実施される場合が最も特に好ましい。
【０３２７】
吸収工程の後に回収される水素は有利には、燃料としてまたは、場合により精製工程後に反応体として展開される。このように、水素は、ＤＣＥ分解工程における燃料として開発されてもよい。それはまた、例えば水素化反応器用の反応剤として開発されてもよい。
【０３２８】
第１実施形態の第２変形の工程ｆ）によれば、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥは、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成されたＤＣＥに任意選択的に加えられる。
【０３２９】
オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れからの得られたＤＣＥの分離は、公知方法に従って実施される。それは好ましくは先ず凝縮によって実施される。オキシ塩素化反応器の熱は蒸気状態で一般に回収され、それは分離のために、または任意の他の使用のために使用されてもよい。
【０３３０】
オキシ塩素化反応器から出た後、この反応器に由来する生成物の流れはまた有利には、未転化ＨＣｌを回収するために洗浄される。この洗浄操作は有利にはアルカリ性洗浄工程である。それに好ましくは気／液分離工程が続き、それは液体形態で形成されたＤＣＥを回収し、そして最終的にＤＣＥを乾燥させることを可能にする。
【０３３１】
表現「塩素化反応器で形成されたＤＣＥに場合により加えられる」は、塩素化反応器で形成されたＤＣＥがこの反応器に由来する生成物の流れから単離される場合、塩素化反応器を出るとすぐに、または工程ｅ’）の後に、オキシ塩素化反応器で形成されたＤＣＥがそれに加えられても加えられなくてもよいことを意味すると理解される。好ましくは、ＤＣＥはそれに加えられる。一方、この第１ＤＣＥが単離されない場合、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥは有利には、回収されたＤＣＥの唯一の流れである。別の代替策は有利には、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥを塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合することおよびこの後者の他の部分をＤＣＥ分解工程に直接送ることである。
【０３３２】
ＤＣＥ分解工程に関するおよびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関するより詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３３３】
第１実施形態の第２変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３３４】
本発明による方法の第２実施形態によれば、画分Ａは有利には、同じ組成のまたは異なる組成の少なくとも２つの画分へ、好ましくは同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される。
【０３３５】
この第２実施形態によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される前に同じ組成のまたは異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割されるようなものである。
【０３３６】
表現「画分Ａは少なくとも２つの画分へ分割される」における用語「分割される」（または「分割」）は、本発明の目的にためには、サブ混合物が全て、指定圧力範囲で、泡立ち点での画分Ａの組成によっておよび露点での画分Ａの組成によって画定される範囲に含まれる組成で特徴づけられるような方法での２つ以上のサブ混合物への画分Ａの分割を意味すると理解される。
【０３３７】
少なくとも２つの画分への、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分割は有利には、任意の公知の手段を用いて同じ組成のまたは異なる組成の幾つかの、好ましくは２つの画分へ画分Ａを分割することによって操作される。
【０３３８】
分割工程は、１つまたは幾つかの装置で行うことができる。分割工程は有利には分割操作を含む。分割操作の例は、同一組成を有するサブ混合物への混合物の分割、ガス状混合物の部分凝縮、液体混合物の部分気化、液体混合物の部分凝固である。
【０３３９】
画分Ａが、同じ組成の、少なくとも２つへ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、工程ａ）を出るエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物が、好ましくは２つで、簡単に分割できるときに、好ましくは工程ａ）を出る生成物の混合物が水素に乏しいおよび／または水素化工程中に水素と反応する化合物に富むときに、または工程ａ８）が行われるときに特に興味深い。
【０３４０】
画分Ａが、異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される場合は、異なる組成の画分が工程ｃ）のために必要とされるときに特に興味深い。画分Ａはそれ故有利には、各画分をエチレン誘導体化合物のそれぞれの製造に搬送できるように、異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される。
【０３４１】
少なくとも２つの画分への、好ましくは異なる組成物画分Ａ１と画分Ａ２とへの画分Ａの分割は、任意の公知の手段によって行うことができる。好ましくは、画分Ａは熱交換器での間接冷却によって冷やされ、熱交換器で画分Ａ２は好適な圧力への膨張後に気化し、冷却された熱交換器での好適な冷却媒体との間接接触によってその温度の規定の低下まで過冷却される。液体蒸気は好ましくは、蒸気画分Ａ１と液体画分Ａ２とを生成するために分割される。温度低下は有利には５℃より大きく、好ましくは７℃より大きく、より好ましくは８℃より大きい。温度低下は有利には３０℃より少なく、好ましくは２５℃より少なく、より好ましくは２２℃より少ない。
【０３４２】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の１０％超、好ましくは２０％超、より好ましくは２５％超を含有する。画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエチレン量の９０％未満、好ましくは８０％未満、より好ましくは７５％未満を含有する。
【０３４３】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有される水素量の８０％超、好ましくは８５％超、より好ましくは９０％超を含有する。
【０３４４】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるメタン量の７０％超、好ましくは７５％超、より好ましくは８０％超を含有する。
【０３４５】
画分Ａ１は有利には、画分Ａ中に含有されるエタン量の４０％未満、好ましくは３０％未満、より好ましくは２５％未満を含有する。
【０３４６】
第２実施形態の第１変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１および画分Ａ２が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３４７】
第２実施形態のこの第１変形による方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｄ）任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ１が塩素化反応器に搬送され、そして画分Ａ２がオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分Ａ１およびＡ２中に存在するエチレンのほとんどがＤＣＥに転化され；そして
ｅ）得られたＤＣＥが、塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される
ようなものである。
【０３４８】
第２実施形態の第２変形によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、その１つが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方が、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３４９】
第２実施形態のこの第２変形による方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、画分Ａ２が、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
ようなものである。
【０３５０】
画分ＡからＤＣＥならびに後でＶＣおよびＰＶＣを得るための本発明による方法の第１実施形態について詳述された３つの変形は、画分Ａ１からＤＣＥならびに後でＶＣおよびＰＶＣを得るための本発明による方法の第２実施形態の第２変形にもまた適用される。
【０３５１】
第２実施形態の第２変形によれば、画分Ａ２は有利には、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび場合によりそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される。
【０３５２】
画分Ａから製造することができる、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコールおよびプロピオンアルデヒドが挙げられてもよい。
【０３５３】
それから誘導される任意の化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシドから製造されるグリコール、エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマーが挙げられもよい。
【０３５４】
画分Ａ２は、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つまたは幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に搬送することができる。
【０３５５】
ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される幾つかのエチレン誘導体化合物の製造に送られるために、画分Ａ２は有利には、同じ組成の必要なだけ多くの画分に分割される。
【０３５６】
好ましくは、画分Ａ２は、ＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。
【０３５７】
画分Ａ２はより好ましくは、エチルベンゼンの製造に、最も好ましくは、スチレンのポリマーを得るために後で重合されるスチレンの製造に搬送されるエチルベンゼンそれ自体の製造に搬送される。
【０３５８】
第２実施形態によれば、ＤＣＥは、ＶＣを生成するためにより好ましくはさらにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは、ＰＶＣを生成するために後で最も好ましくは重合される。
【０３５９】
塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥは、ＤＣＥ分解工程の前にオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離されたＤＣＥと混合することもしないこともできる。両ＤＣＥが混合されるとき、それらは全体的にまたは部分的に混合することができる。好ましい場合は、オキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離されたＤＣＥの一部と混合され、そしてこの後者の他の部分がＤＣＥ分解工程に直接送られるときである。
【０３６０】
塩素化反応および塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。ＤＣＥ分解工程およびＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから得られるＶＣの分離に関する詳細については同じ第１変形についてまた言及される。オキシ塩素化反応およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離に関する詳細については第１実施形態の第２変形について言及される。
【０３６１】
この第２実施形態によれば、ＶＣは、ＰＶＣを生成するために後で好ましくは重合される。ＰＶＣの製造に関するより詳細については第１実施形態の第１変形に言及されている。
【０３６２】
本発明による方法の利点は、それが本発明までは低い付加価値化で特徴づけられた、かなりの量のエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有するガス流れ（低価値残留ガス）を回収し、転化することである。
【０３６３】
本発明による方法の別の利点は、それが分解工程、引き続く有機および水性急冷工程も、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とし、かつ、高価な炭化水素源の使用を伴う接触オキシ脱水素化工程も含まないことである。
【０３６４】
本発明による方法の利点は、一工程でエチレンおよび他の成分を含有する混合物または生成物を分別することであり、有利には分別の幾つかの工程を含む以前の国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットに記載されている相当する分別工程と比較して、簡略化されている１つの分別工程ｂ）によりそれが可能となっている。本発明による方法はそれ故、より低いエネルギー需要を可能にする。
【０３６５】
本発明による方法の利点はまた、エチレンがほとんど全て一画分中に存在することであり、一方以前の国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットでは、エチレンは有利には、２つの異なる画分、エチレンより軽質の化合物に富むエチレンの一含有部分とエチレンに富み、かつ、低い水素含有率で特徴づけられる他の部分とに分割される。
【０３６６】
本発明による方法の第２実施形態の第２変形の利点は、それがＤＣＥ製造とＤＣＥとは異なる少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造との統合を可能にすることである。
【０３６７】
この統合は、共通工程に関連したコストの共有のおかげで総コストの低減を可能にする。
【０３６８】
本発明による方法の利点は、それが、同じ工業用地で、完全に統合されたプロセスを有することを可能にすることである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）前記低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）へ、任意選択的にエタンの個々の一画分へおよび一重質画分（画分Ｃ）へ分別され；そして
ｃ）画分Ａが少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法。
【請求項２】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に一画分で搬送される
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によって１，２−ジクロロエタンに転化される塩素化反応器での１，２−ジクロロエタンの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られた１，２−ジクロロエタンが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離された１，２−ジクロロエタンが１，２−ジクロロエタン分解工程にかけられ、こうして塩化ビニルと塩化水素とを生成し；
ｆ）得られた塩化ビニルと塩化水素とが１，２−ジクロロエタン分解工程に由来する生成物の流れから分離され；そして
ｇ）塩化水素が、後で塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
塩化ビニルがポリ塩化ビニルを生成するために重合される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によって１，２−ジクロロエタンに転化される塩素化反応器での１，２−ジクロロエタンの製造に一画分で搬送され；
ｄ）塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンが塩素化反応器に由来する生成物の流れから任意選択的に単離され；
ｅ）１，２−ジクロロエタンが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分が１，２−ジクロロエタンに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送され；そして
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンに任意選択的に加えられる
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
１，２−ジクロロエタンが塩化ビニルを生成するために１，２−ジクロロエタン分解工程にかけられ、塩化ビニルがポリ塩化ビニルを生成するために後で重合される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される前に同じ組成のまたは異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１および画分Ａ２が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、その１つが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方が、１，２−ジクロロエタンとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記低価値残留ガスが、少なくとも１つの流動接触分解装置で生成される製油所オフガスであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記低価値残留ガスが、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物であり、１０〜６０重量％のエチレンを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
画分Ａが、工程ｂ）にかけられる生成物の前記混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９５％を含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１】
低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）前記低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンをほとんど全て含有する一画分（画分Ａ）へ、任意選択的にエタンの個々の一画分へおよび一重質画分（画分Ｃ）へ分別され；そして
ｃ）画分Ａが少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法。
【請求項２】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に一画分で搬送される
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によって１，２−ジクロロエタンに転化される塩素化反応器での１，２−ジクロロエタンの製造に一画分で搬送され；
ｄ）得られた１，２−ジクロロエタンが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離され；
ｅ）分離された１，２−ジクロロエタンが１，２−ジクロロエタン分解工程にかけられ、こうして塩化ビニルと塩化水素とを生成し；
ｆ）得られた塩化ビニルと塩化水素とが１，２−ジクロロエタン分解工程に由来する生成物の流れから分離され；そして
ｇ）塩化水素が、後で塩素化反応器にリサイクルされる分子塩素への酸化にかけられる
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
塩化ビニルがポリ塩化ビニルを生成するために重合される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンの多くとも９０％が分子塩素との反応によって１，２−ジクロロエタンに転化される塩素化反応器での１，２−ジクロロエタンの製造に一画分で搬送され；
ｄ）塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンが塩素化反応器に由来する生成物の流れから任意選択的に単離され；
ｅ）１，２−ジクロロエタンが任意選択的にそれから抜き出された、塩素化反応器に由来する生成物の流れが、塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンが前に抜き出されなかった場合に任意選択的に抜き出される、吸収／脱着工程ｅ’）に後者を任意選択的にかけた後に、エチレンの残りの大部分が１，２−ジクロロエタンに転化されるオキシ塩素化反応器に搬送され；そして
ｆ）オキシ塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンがオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから単離され、塩素化反応器で形成された１，２−ジクロロエタンに任意選択的に加えられる
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
１，２−ジクロロエタンが塩化ビニルを生成するために１，２−ジクロロエタン分解工程にかけられ、塩化ビニルがポリ塩化ビニルを生成するために後で重合される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される前に同じ組成のまたは異なる組成の、少なくとも２つの画分へ、好ましくは画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割される
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、画分Ａ１および画分Ａ２が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、同じ組成のまたは異なる組成の画分Ａ１と画分Ａ２とへ分割され、その１つが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方が、１，２−ジクロロエタンとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記低価値残留ガスが、少なくとも１つの流動接触分解装置で生成される製油所オフガスであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記低価値残留ガスが、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物であり、１０〜６０重量％のエチレンを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
画分Ａが、工程ｂ）にかけられる生成物の前記混合物中に含有されるエチレン量の少なくとも９５％を含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【公表番号】特表２０１１−５２１９９８（Ｐ２０１１−５２１９９８Ａ）
【公表日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５１２０８９（Ｐ２０１１−５１２０８９）
【出願日】平成２１年５月２９日（２００９．５．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０５６６４０
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１４７１０１
【国際公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【出願人】（５９１００１２４８）ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） (252)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２９日（２００９．５．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０５６６４０
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１４７１０１
【国際公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【出願人】（５９１００１２４８）ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） (252)
【Ｆターム（参考）】
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