平面型表示装置並びにスペーサ
【課題】スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減し得る構成、構造を有する平面型表示装置を提供する。
【解決手段】平面型表示装置においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとが外周部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されており、スペーサ４０がアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されており、スペーサ４０は、セラミックス材料から成るスペーサ基材４１、及び、その側面上に形成された帯電防止膜４３から構成されており、アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、ＲA／ＲB≧０．９を満足する。
【解決手段】平面型表示装置においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとが外周部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されており、スペーサ４０がアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されており、スペーサ４０は、セラミックス材料から成るスペーサ基材４１、及び、その側面上に形成された帯電防止膜４３から構成されており、アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、ＲA／ＲB≧０．９を満足する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型表示装置において使用されるスペーサ、並びに、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高速応答性、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、『表示装置』と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、『電界放出素子』と略称する場合がある）を備えたカソードパネルと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルとアノードパネルとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する代表的な表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は列方向（Ｙ方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｙ方向とは異なる行方向（Ｘ方向）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡである。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ（平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域ＮＦが、この有効領域ＥＦの外側に位置し、有効領域ＥＦを額縁状に包囲している）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。また、蛍光体領域２２のそれぞれは隔壁２１によって囲まれており、隔壁２１の平面形状は格子形状（井桁形状）である。尚、図中、参照番号１４０は行方向（Ｘ方向）に延びるスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。但し、図１においては、スペーサを、参照番号１４０の代わりに、参照番号４０で示している。また、図３においては、隔壁やスペーサの図示を省略した。
【０００７】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦには、画素（ピクセル）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間ＳＰは高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ１４０を配置しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。尚、スペーサ１４０は、スペーサ基材１４１、及び、スペーサ基材１４１の側面に形成された帯電防止膜１４３から構成されている。但し、図１においては、スペーサ基材１４１、帯電防止膜１４３を、代替的に、参照番号４１，４３で示している。
【０００８】
従来のスペーサ１４０を構成するスペーサ基材１４１は、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム等のセラミックス、あるいは、ガラス等の高抵抗剛性材料から成る。スペーサ１４０は、その両端が、それぞれ、アノード電極２４と、収束電極１７とに接している。従って、スペーサ１４０の両端間には、アノード電極２４に印加される電圧と、収束電極１７に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。尚、表示装置の形式によっては、スペーサ１４０のカソードパネル側はゲート電極１３と接する。この場合には、スペーサ１４０の両端間には、アノード電極に印加される電圧と、ゲート電極に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。従って、スペーサ１４０に過大な電流が流れないように、スペーサ１４０は基本的に高抵抗であることが必要とされる。また、スペーサ１４０の両端における電位差（電圧）が、スペーサ１４０の両端間で均等に分圧される必要がある。従って、スペーサ基材１４１を構成する高抵抗剛性材料の比抵抗は、所定の範囲内の値であり、且つ、できるだけ均一であることが好ましい。例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等には、高抵抗剛性材料として、種々のセラミックス材料が開示されている。
【０００９】
図５の（Ａ）及び（Ｂ）に、スペーサ１４０の近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す。図５の（Ａ）に示すように、電子放出部１５から放出された電子は、蛍光体領域２２に向かう。そして、アノードパネルＡＰにおけるアノード電極２４を通過し、蛍光体領域２２に衝突した電子の一部は、蛍光体領域２２によって後方に散乱される。以下、この電子を『後方散乱電子』と呼ぶ。後方散乱電子の一部はスペーサ１４０の側面に衝突する（図５の（Ｂ）参照）。スペーサ１４０の側面に電子が衝突すると、その表面から２次電子が放出される。スペーサ１４０に衝突する電子とスペーサ１４０から放出される２次電子の量に差がある場合には、スペーサ１４０が帯電して電子の軌道に影響を与える。そのため、２次電子放出係数が１に近い材料から成る帯電防止膜１４３、例えばＣｒＯxから成る帯電防止膜１４３が、スペーサ基材１４１の側面上に設けられている。帯電防止膜１４３を構成する材料（２次電子放出係数が１に近い材料）として、その他、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等が知られており、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に種々の材料が開示されている。
【００１０】
【特許文献１】特表２００３−５２４２８０号公報
【特許文献２】特表２００４−５００６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、このような帯電防止膜１４３にあっては、長期間の後方散乱電子の衝突によって、ＣｒＯxから成る帯電防止膜１４３が還元作用を受ける結果、屡々、電気抵抗値に不所望の変化が生じる。そして、このような帯電防止膜１４３の電気抵抗値に不所望の変化が生じると、スペーサ１４０の近傍の電子放出領域から出射された電子ビームの軌道に変化が生じ、その結果、スペーサ１４０に沿った画素と、その他の部分に位置する画素との間で、相対的な輝度変化が生じるといった問題がある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減し得る構成、構造を有する平面型表示装置、並びに、平面型表示装置において使用されるスペーサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置は、基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置である。また、上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサは、基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサである。
【００１４】
そして、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様に係るスペーサ（以下、これらを総称して、『本発明の第１の態様に係るスペーサ等』と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する。
【００１５】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値ＲBは、スペーサ基材それ自体の電気抵抗値の測定、即ち、帯電防止膜を形成する前のスペーサ基材の電気抵抗値の測定によって求めることができる。一般に、スペーサの電気抵抗値ＲAは、製造上のバラツキを無視すると、スペーサ基材の電気抵抗値ＲBと同じか、それよりも低くなるので、ＲA／ＲBの上限は、スペーサの製造上のバラツキを無視すると「１」である。
【００１６】
また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ、あるいは、本発明の第２の態様に係るスペーサ（以下、これらを総称して、『本発明の第２の態様に係るスペーサ等』と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足する。尚、表面粗さＲaは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１の規定に基づく。
【００１７】
本発明の第２の態様に係るスペーサ等にあっては、アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足することが好ましい。
【００１８】
本発明の第１の態様に係るスペーサ等、あるいは、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係るスペーサ等において、帯電防止膜は、電子の衝突によっても電気抵抗値が変化しない、あるいは、変化が少ない材料から構成することが好ましく、例えば、多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンといったシリコンを挙げることができる。尚、シリコンから成る帯電防止膜の最表面には自然酸化膜が形成されている場合があるが、この場合であっても、帯電防止膜はシリコン（Ｓｉ）から成るとする。
【００１９】
帯電防止膜とスペーサ基材との間に、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮY）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯXＮY）、あるいは、部分安定化された酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）から成る下地層が形成されていてもよい。部分安定化された酸化ジルコニウム（部分安定化ジルコニア）として、具体的には、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＣａＯ、ＺｒＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＭｇＯ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2を挙げることができる。限定するものではないが、下地層の厚さは、４×１０-9ｍ以上、２×１０-7ｍ以下とすることが望ましい。下地層は、スペーサ基材の側面の９５％以上を被覆していることが望ましい。但し、下地層を形成することは必須ではない。
【００２０】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様に係るスペーサ等あるいは本発明の第２の態様に係るスペーサ等（以下、これらを総称して、単に『本発明のスペーサ等』と呼ぶ場合がある）において、帯電防止膜や下地層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法を含む真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種化学的気相成長（ＣＶＤ）法等、周知の方法により形成（成膜）することができる。
【００２１】
本発明のスペーサ等において、スペーサ基材を構成するセラミックス材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料を挙げることができる。また、スペーサ基材には、チタン酸化物やクロム酸化物、マグネシウム酸化物、鉄酸化物、バナジウム酸化物、ニッケル酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物といった金属酸化物；金や白金等の貴金属；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩、あるいは、これらの混合物が含まれていてもよい。尚、これらの材料を、便宜上、『還元物質』あるいは『導電性付与材料』と呼ぶ場合がある。
【００２２】
本発明のスペーサ等において、スペーサ基材上端面及び下端面には端部電極層が形成されている形態とすることができる。ここで、スペーサ基材の上端面（頂面）に形成された端部電極層はアノード電極に接し、スペーサ基材の下端面（底面）に形成された端部電極層は、電極、例えば、後述する収束電極に接する。スペーサは、例えば、アノードパネルに設けられた隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００２３】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の平面型表示装置、あるいは、本発明のスペーサ（以下、これらを総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）において、１列のスペーサは、１本のスペーサから構成されていてもよいし、複数のスペーサから構成されていてもよい。
【００２４】
スペーサ基材は、例えば、
（ａ）セラミックス粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーを成形（賦形）して、グリーンシートを得た後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより製造することができる。
【００２５】
スペーサ基材を構成するセラミックス材料は、グリーンシート用スラリー内のセラミックス粉末が焼結されることにより形成される。グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミックス粉末を構成する材料として、上述したセラミックスを挙げることができる。尚、必要に応じて、グリーンシート用スラリーに上述した還元物質（導電性付与材料）を分散質として加えてもよい。還元物質は、グリーンシート用スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。還元物質は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の還元物質も焼成されるが、焼成された還元物質が導電性を示すものであればよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００２６】
平面型表示装置において、カソードパネルを構成する支持体、あるいは又、アノードパネルを構成する基板は、これらの基板が相互に対向する面が絶縁性部材から構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁被膜が形成された石英基板、表面に絶縁被膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００２７】
平面型表示装置において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【００２８】
ここで、平面型表示装置を、電界放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、
（ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成されたゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
【００２９】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。カソードパネルにおいて、ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。ここで、ゲート電極は行方向（Ｘ方向）に延び、カソード電極は列方向（Ｙ方向）に延びる構成とすることができる。カソードパネルにおいて、ゲート電極とカソード電極とが重複する重複領域が電子放出領域を構成し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００３０】
そして、冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、実表示作動時、ゲート電極及びカソード電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００３１】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実表示作動時、アノード電極制御回路からアノード電極に印加される電圧（アノード電圧）ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実表示作動時、例えば、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式やパルス幅変調方式を採用することができる。
【００３２】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３３】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３４】
収束電極（フォーカス電極）が備えられている場合、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている構造、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている構造とすることができる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極及び層間絶縁層には、開口部（第３開口部）が設けられている。
【００３５】
ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域は、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している。
【００３６】
ゲート電極、カソード電極、収束電極、端部電極層の構成材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。ゲート電極やカソード電極、収束電極、端部電極層を、これらの材料の単層構造あるいは積層構造とすることができる。また、これらの電極や端部電極層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法を含む各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、メタルマスク印刷法を含む各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができるし、これらの方法とエッチング法との組合せを挙げることもできる。ここで、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた帯状のカソード電極やゲート電極、収束電極を形成することが可能である。
【００３７】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種ＰＶＤ法、各種ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３８】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から、適宜、選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００３９】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を、直接、形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。収束電極及び層間絶縁層に設けられた第３開口部の形成も同様の方法で行うことができる。
【００４０】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４１】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体薄膜を形成してもよい。抵抗体薄膜を形成することによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化、カソード電極とゲート電極との間のリーク電流の抑制を図ることができる。抵抗体薄膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系抵抗体材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体抵抗体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体薄膜の形成方法として、スパッタリング法、各種ＣＶＤ法や、スクリーン印刷法といった各種印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０5〜１×１０11Ω、好ましくは数ＭΩ〜数十ギガΩとすればよい。
【００４２】
絶縁層、層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。絶縁層、層間絶縁層の形成には、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４３】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、
（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成
（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成
を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。尚、メタルバック膜をアノード電極と兼ねることもできる。
【００４４】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数［ＵＮ］は２以上であればよく、例えば、直線上に配列された蛍光体領域の列の総数を［ｕｎ］列としたとき、［ＵＮ］＝［ｕｎ］とし、あるいは、［ｕｎ］＝ｕ・［ＵＮ］（ｕは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｕ≦１００、一層好ましくは２０≦ｕ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。このように、アノード電極を有効領域のほぼ全面に亙って形成する代わりに、より小さい面積を有するアノード電極ユニットに分割した形で形成すれば、アノード電極ユニットと電子放出領域との間の静電容量を減少させることができる。その結果、放電の発生を低減することができ、放電に起因したアノード電極や電子放出領域の損傷の発生を効果的に減少させることができる。
【００４５】
アノード電極をアノード電極ユニットから構成する場合であって隔壁（後述する）が形成されている場合、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面上に亙り形成されている形態とすることができる。尚、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面の途中まで形成されている形態であってもよい。
【００４６】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法を含む各種印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料を各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も、アノード電極と同様の、あるいは、類似した方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料の各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１×１０-6ｍ（１μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）を例示することができる。
【００４７】
アノード電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンドやグラファイト等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の電気抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）から構成することが好ましい。
【００４８】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線上に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００４９】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料は、従来公知の蛍光体材料の中から、適宜、選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００５０】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、後述する隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して、適宜、選択された方法にて形成することができる。
【００５１】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５２】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができるし、蛍光体領域の二辺と平行に延びる直線状の形状（棒状の形状）を挙げることができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５３】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５４】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を接合部材として用いて行ってもよいし、あるいは、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いて行ってもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを、適宜、選択することにより、接着層のみから成る接合部材を使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料として、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料として、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００５５】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスとすることが好ましいが、大気中で行うこともできる。
【００５６】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００５７】
本発明において、ピクセル数をＭ×Ｎとしたとき、（Ｍ，Ｎ）として、具体的には、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【発明の効果】
【００５８】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいはスペーサにあっては、スペーサ基材の電気抵抗値をＲB、スペーサの電気抵抗値をＲAとしたとき、ＲA／ＲB≧０．９を満足する。即ち、ＲA／ＲBの値は概ね１であり、帯電防止膜の形成前後での電気抵抗値の変化は、無いか、あっても、僅かな減少に過ぎない。そして、このような特性を有するスペーサを組み込んだ平面型表示装置にあっては、長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができた。また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいはスペーサにあっては、スペーサ側面の表面粗さ及び帯電防止膜の平均厚さｔが規定されている。そして、これによっても、スペーサを組み込んだ平面型表示装置にあっては、長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、実施例１〜実施例２における平面型表示装置の共通した概要を、以下、説明する。ここで、実施例における平面型表示装置は、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）である。実施例における表示装置にあっては、帯状のゲート電極（例えば走査電極）１３は行方向（Ｘ方向）に延び、帯状のカソード電極（例えばデータ電極）１１は列方向（Ｙ方向）に延びている。尚、実施例の表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、スペーサの模式的な断面図を図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。また、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３に示す。
【００６０】
実施例における表示装置は、基板２０上に蛍光体領域２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰと、支持体１０上に行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパネルＣＰとが、外周部で接合されて成る。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されており、スペーサがアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されている。
【００６１】
また、実施例におけるスペーサは、基板２０上に蛍光体領域２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰと、支持体１０上に行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパネルＣＰとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されている表示装置において使用され、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されるスペーサである。
【００６２】
ここで、実施例における表示装置は、有効領域ＥＦ、及び、有効領域ＥＦを取り囲む無効領域ＮＦを有する。尚、有効領域ＥＦとは、表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、この有効領域ＥＦは、額縁状に包囲する無効領域ＮＦによって囲まれている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって挟まれた空間ＳＰは真空（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）に保持されている。カソードパネルＣＰの無効領域ＮＦには、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管（図示せず）が取り付けられている。
【００６３】
実施例において、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子）は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、
（ａ）支持体１０上に形成された帯状のカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成された帯状のゲート電極１３、
（ｄ）カソード電極１１とゲート電極１３の重複する重複領域に位置するゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられ、底部にカソード電極１１が露出した開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に露出したカソード電極１１上に設けられ、カソード電極１１及びゲート電極１３への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部１５、
から構成されている。ここで、電子放出部１５の形状は円錐形である。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【００６４】
実施例の表示装置において、カソード電極１１（例えばデータ電極）とゲート電極１３（例えば走査電極）とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向（列方向，Ｙ方向及び行方向，Ｘ方向）に各々帯状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領域（１副画素（サブピクセル）分の領域に相当し、電子放出領域ＥＡである）に、複数の電界放出素子が設けられている。尚、図面の簡素化のため、図１では、各電子放出領域ＥＡにおいて２つの電子放出部１５を図示した。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、上述したとおり、２次元マトリクス状に配列されている。
【００６５】
アノードパネルＡＰは、基板２０と、基板２０上に形成され、所定のパターンを有する蛍光体領域２２と、その上に形成されたアノード電極２４から構成されている。１副画素（１サブピクセル）は、電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦには、係る副画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間の基板２０上には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。アノード電極２４は、厚さ約０．３μｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域ＥＦを覆う薄い１枚のシート状であり、蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。図３においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、１つの緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、１つの青色発光蛍光体領域２２Ｂの集合から構成されている。各蛍光体領域２２を取り囲む格子状の隔壁２１が基板２０上に形成されている。各蛍光体領域２２は、隔壁２１によって囲まれている。格子状の隔壁２１における蛍光体領域２２を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）は、矩形形状（長方形）であり、これらの平面形状（開口領域の平面形状）は２次元マトリクス状（より具体的には、井桁）に配列され、格子状の隔壁２１が形成されている。隔壁の一部は、スペーサ保持部２５として機能する。
【００６６】
平板状のスペーサは、行方向（Ｘ方向）に沿って複数列、配置されている。また、スペーサとスペーサとによって、数十本乃至数百本のゲート電極１３が挟まれている。スペーサの上端面（頂面）及び下端面（底面）はＸＹ平面と平行であり、側面はＸＺ平面と平行であり、端面はＹＺ平面と平行である。そして、スペーサはスペーサ保持部２５によって保持されている。
【００６７】
実施例における表示装置において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極が設けられている場合には、収束電極は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３３に接続されている。表示装置の実表示作動時、アノード電極制御回路３３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルト、具体的には、例えば、９キロボルト（例えば、ｄ0＝２．０ｍｍ）とすることができる。一方、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよいが、実施例における表示装置においては、上述の（２）の方式を採用する。
【００６８】
即ち、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極が設けられている場合には、収束電極には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において、線順次駆動方式により画像の表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。尚、カソード電極１１を走査電極とし、ゲート電極１３をデータ電極とする場合には、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力すればよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及び、カソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。カソード電極１１はカソード電極駆動ドライバによって駆動され、ゲート電極１３はゲート電極駆動ドライバによって駆動される。カソード電極制御回路３１、ゲート電極制御回路３２、アノード電極制御回路３３や駆動ドライバは周知の回路から構成することができる。
【実施例１】
【００６９】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置及びスペーサに関する。
【００７０】
実施例１のスペーサ４０は、模式的な断面図を図２の（Ａ）に示すように、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材４１、及び、
（Ｂ）スペーサ基材４１の側面上に形成された帯電防止膜４３、
から構成されている。ここで、帯電防止膜４３はシリコン（具体的には、アモルファスシリコン）から成る。
【００７１】
スペーサ基材４１は、アノードパネル側に上端面４２Ａ及びカソードパネル側に下端面４２Ｂを有する。更には、上端面４２Ａ及び下端面４２Ｂには、白金（Ｐｔ）から成る端部電極層４５Ａ，４５Ｂが形成されている。尚、代替的に、端部電極層４５Ａ，４５Ｂを構成する材料としてニッケル−バナジウム合金を挙げることができる。スペーサ基材４１の上端面４２Ａに形成された端部電極層４５Ａはアノード電極２４に接し、スペーサ基材４１の下端面４２Ｂに形成された端部電極層４５Ｂは収束電極１７に接する。実施例１において、スペーサ基材４１の寸法を、長手方向（図１においてＸ方向）に３０ｍｍ、厚さ方向（図１においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１においてＺ方向）に２．０ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。尚、後述する実施例２におけるスペーサも、同様とした。
【００７２】
実施例１にあっては、スペーサ基材４１を、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から作製し、その上に、スパッタリング法にてアモルファスシリコンから成る帯電防止膜４３を形成した。尚、スペーサ基材４１の側面に遊離砥粒を用いた研削加工を施し、表１に示すように、表面粗さＲaを０．００８９μｍ及び０．０９８μｍとした。また、得られたスペーサ基材４１の側面に、表１に示す平均膜厚ｔの帯電防止膜４３を形成した。尚、表１では、表面粗さを「Ｒa」で示し、平均膜厚ｔを「膜厚」で示す。
【００７３】
そして、アノードパネルＡＰに面するスペーサ基材４１の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ基材４１の下端面との間の電気抵抗値ＲBを測定した。更には、アノードパネルＡＰに面するスペーサ４０の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ４０の下端面との間の電気抵抗値ＲAを測定した。測定結果、及び、ＲA／ＲBの計算結果を、表１に示す。
【００７４】
更には、これらのスペーサ４０を表示装置に組み込み、アノード電極２４に高電圧を印加して、表示装置を動作させたときにスペーサ４０に過剰な電流が流れるといった異常が発生したか否かを調べた。その結果を表１の「高電圧印加」の項に示すが、「異常なし」とは、アノード電極２４に１５キロボルトの電圧を印加したときでも異常が生じなかったことを意味する。また、電圧が記載されているスペーサにあっては、その電圧をアノード電極２４に印加したとき、異常が発生したことを意味する。更には、スペーサに隣接する電子放出領域からの電子ビームの移動ずれを調べた。その結果を表１の「電子軌道ずれ」の項に示すが、「異常なし」とは、表示装置を１万時間、動作させても電子ビームの移動ずれが認められなかったことを意味する。また、数字が記載されているスペーサにあっては、その動作時間経過後には、電子ビームの移動ずれが発生していたことを意味する。
【００７５】
表１から、ＲA／ＲB≧０．９を満足する実施例１−Ａ、実施例１−Ｂ、実施例１−Ｃ、実施例１−Ｄのスペーサにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、比較例１−Ａ、比較例１−Ｂ、比較例１−Ｃ、比較例１−Ｄ、比較例１−Ｅ、比較例１−Ｆにあっては、ＲA／ＲBの値が０．９を下回っており、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。
【００７６】
また、実施例１にあっては、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．００８９μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが１．５ｎｍあるいはそれ以下の実施例１−Ａ、実施例１−Ｂ、並びに、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．０９８μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが２ｎｍあるいはそれ以下の実施例１−Ｃ、実施例１−Ｄにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．００８９μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが２ｎｍあるいはそれ以上の比較例１−Ａ、比較例１−Ｂ、比較例１−Ｃ、並びに、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．０９８μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが３ｎｍあるいはそれ以上の比較例１−Ｄ、比較例１−Ｅ、比較例１−Ｆにあっては、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。即ち、スペーサの仕様が
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するとき、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生しないことが判った。
【実施例２】
【００７７】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２のスペーサ５０は、模式的な断面図を図２の（Ｂ）に示すように、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材５１、及び、
（Ｂ）スペーサ基材５１の側面上に形成された帯電防止膜５３、
から構成されている。ここで、帯電防止膜５３も、実施例１と同様にシリコン（具体的には、アモルファスシリコン）から成る。
【００７８】
スペーサ基材５１にあっては、実施例１と同様に、上端面５２Ａ及び下端面５２Ｂに、白金（Ｐｔ）から成る端部電極層５５Ａ，５５Ｂが形成されている。そして、スペーサ基材５１の上端面５２Ａに形成された端部電極層５５Ａはアノード電極２４に接し、スペーサ基材５１の下端面５２Ｂに形成された端部電極層５５Ｂは収束電極１７に接する。
【００７９】
実施例２にあっては、スペーサ基材５１を、ＴｉＯXが１重量％添加された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から作製し、スペーサ基材５１の側面全面に、スパッタリング法にて厚さ４ｎｍのＳｉＯ2から成る下地層５４を形成し、その上に、スパッタリング法にてアモルファスシリコンから成る帯電防止膜５３を形成した。尚、実施例１と同様に、スペーサ基材５１の側面に遊離砥粒を用いた研削加工を施し、表１に示すように、表面粗さＲaを０．２４μｍ及び０．５１μｍとした。また、得られた下地層５４上に、表１に示す平均膜厚ｔの帯電防止膜５３を形成した。
【００８０】
そして、アノードパネルＡＰに面するスペーサ基材５１の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ基材５１の下端面との間の電気抵抗値ＲBを測定した。更には、アノードパネルＡＰに面するスペーサ５０の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ５０の下端面との間の電気抵抗値ＲAを測定した。測定結果、及び、ＲA／ＲBの計算結果を、表１に示す。尚、実施例１と異なり、スペーサ基材５１にはＴｉＯXが添加されているが故に、実施例２における電気抵抗値ＲBは、実施例１における電気抵抗値ＲBよりも、２桁程度低い値となっている。
【００８１】
更には、これらのスペーサ５０を表示装置に組み込み、実施例１と同様に、アノード電極２４に高電圧を印加して、表示装置を動作させたときに異常が発生したか否かを調べた。その結果を表１の「高電圧印加」の項に示す。更には、スペーサに隣接する電子放出領域からの電子ビームの移動ずれを調べた。その結果を表１の「電子軌道ずれ」の項に示す。
【００８２】
表１から、ＲA／ＲB≧０．９を満足する実施例２−Ａ、実施例２−Ｂ、実施例２−Ｃ、実施例２−Ｄ、実施例２−Ｅのスペーサにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、比較例２−Ａ、比較例２−Ｂ、比較例２−Ｃ、比較例２−Ｄ、比較例２−Ｅにあっては、ＲA／ＲBの値が０．９を下回っており、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。
【００８３】
また、実施例２にあっては、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．２４μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが３ｎｍあるいはそれ以下の実施例２−Ａ、実施例２−Ｂ、実施例２−Ｃ、並びに、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．５１μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが５ｎｍあるいはそれ以下の実施例２−Ｄ、実施例２−Ｅにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．２４μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが４ｎｍあるいはそれ以上の比較例２−Ａ、２−Ｂ、２−Ｃ、並びに、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．５１μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが８ｎｍあるいはそれ以上の比較例２−Ｄ、比較例２−Ｅにあっては、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。即ち、スペーサの仕様が
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するとき、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生しないことが判った。
【００８４】
尚、図４に、実施例及び比較例から得られたスペーサ基材の表面粗さＲaと帯電防止膜の平均厚さｔの関係のグラフを示す。
【００８５】
［表１］
【００８６】
実施例１あるいは実施例２にあっては、極薄の帯電防止膜４３，５３を形成することで、量子サイズ効果に基づき、帯電防止膜４３，５３の電気抵抗値が、帯電防止膜を構成する材料がバルク状態であるときの電気抵抗値よりも高くなる結果、ＲA／ＲBの値を０．９以上に保持することができると推定している。そして、その結果、スペーサ基材４０，５０の上端面から下端面へと流れる電流は、スペーサ基材４１，５１を流れる経路、及び、帯電防止膜４３，５３を流れる経路の２つの経路を取ることができるので、表示装置の長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができると考えられている。また、帯電防止膜４３，５３の平均膜厚が厚くなっても、スペーサ基材４１，５１の側面の表面粗さＲaが粗ければ、帯電防止膜４３，５３には薄い部分が形成され、その結果、量子サイズ効果と併せて、帯電防止膜４３，５３全体として高い電気抵抗値を保持することができると推定している。そして、その結果、スペーサ基材４０，５０の上端面から下端面へと流れる電流は、スペーサ基材４１，５１を流れる経路、及び、帯電防止膜４３，５３を流れる経路の２つの経路を取ることができるので、表示装置の長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができると考えられている。
【００８７】
以下、実施例２の表示装置の製造方法を説明する。
【００８８】
［工程−２００］
先ず、グリーンシート用スラリーを調製する。平均粒径が１〜２μｍとなるように粉砕・分級したアルミナ粉末（アルコア インコーポレイテッド製）、チタニア粉末（関東化学株式会社製）を、９９：１となるように混合し、ポリビニルブチラール系樹脂のバインダーと界面活性剤とを加えて、トルエンとエタノールの混合溶媒に分散し、ボールミルによって攪拌し、グリーンシート用スラリーを得ることができる。
【００８９】
［工程−２１０］
次いで、グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得る。実施例２では、調製したグリーンシート用スラリーをブレードコート法によって厚さ約１００μｍのシートとし、１００゜Ｃで充分に乾燥させることで、グリーンシートを得たが、これに限定するものではない。
【００９０】
［工程−２２０］
その後、グリーンシートを焼成し、セラミックス材料を得る。上記のシートをモリブデン製のセッターの上に載せ、１６５０゜Ｃ、窒素：水素＝１：３の雰囲気下で、約１時間焼成することにより、セラミックス材料を得たが、これに限定するものではない。
【００９１】
［工程−２３０］
次いで、セラミックス材料を切断することにより、スペーサ基材５１を得る。実施例２において、上述したとおり、スペーサ基材５１の寸法を、長手方向（図１においてＸ方向）に３０ｍｍ、厚さ方向（図１においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１においてＺ方向）に２．０ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。
【００９２】
［工程−２４０］
次いで、スペーサ基材５１の両側面の上に、下地層５４及び帯電防止膜５３を、順次、形成（成膜）する。具体的には、リフトオフ法及びスパッタリング法に基づき端部電極層５５Ａ，５５Ｂが上端面５２Ａ及び下端面５２Ｂに形成されたスペーサ基材５１を、台座に載置する。ＳｉＯ2から成る下地層５４を以下に条件を例示するスパッタリング法に基づき成膜し、その後、Ｓｉから成る帯電防止膜５３を以下に条件を例示するスパッタリング法に基づき成膜する。その後、一方の側面の上に下地層５４及び帯電防止膜５３が形成されたスペーサ基材５１を台座から取り除く。そして、同様の方法で、スペーサ基材５１の他方の側面の上にも、下地層５４及び帯電防止膜５３を形成する。
【００９３】
［下地層５４のスパッタリング条件］
スペーサ基材温度 ：加熱無し
成膜速度 ：０．０５ｎｍ／秒
圧力 ：０．２Ｐａ
プロセスガス ：Ａｒ
スパッタリング方法 ：ＲＦスパッタリング
［帯電防止膜５３のスパッタリング条件］
スペーサ基材温度 ：加熱無し
成膜速度 ：０．０５ｎｍ／秒
圧力 ：０．１Ｐａ
プロセスガス ：Ａｒ
スパッタリング方法 ：ＲＦスパッタリング
【００９４】
［工程−２５０］
次いで、図１に示す表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ５０を介して、蛍光体領域２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置する。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、支持体１０と基板２０）とを、例えば接合部材（枠体を含む）２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、接合部材２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、接合部材２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とを貼り合わせ、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とフリットガラスとによって囲まれた空間ＳＰを、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間ＳＰの圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とに囲まれた空間ＳＰを真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、実施例２の表示装置を完成させることができる。尚、実施例１の表示装置も、同様の方法で製造することができる。
【００９５】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子、スペーサの構成、構造は例示であり、適宜、変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子、スペーサの製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネル、スペーサの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。また、下地層の異なる材料を２層以上積層した積層構造を有する下地層とすることもできる。
【００９６】
スペーサ基材の側面上にシリコンから成る帯電防止膜が形成される限り、下地層を設けることは必須ではない。即ち、帯電防止膜の成膜条件を適切な条件とすることで（具体的には、例えば、帯電防止膜の成膜時、スペーサ基材の温度を高くする）、下地層も設けなくとも、シリコンから成る帯電防止膜を、直接、スペーサ基材の側面上に形成することができる。
【００９７】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００９８】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】図１は、実施例１の平面型表示装置、具体的には、冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び実施例２のスペーサの模式的な断面図である。
【図３】図３は、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図４】図４は、実施例及び比較例から得られたスペーサ基材の表面粗さＲaと帯電防止膜の平均厚さｔの関係を示すグラフである。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、冷陰極電界電子放出表示装置において、スペーサの近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０，５０・・・スペーサ、４１，５１・・・スペーサ基材、４２Ａ，５２Ａ・・・スペーサ基材の上端面、４２Ｂ，５２Ｂ・・・スペーサ基材の下端面、４３，５３・・・帯電防止膜、５４・・・下地層、４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂ・・・端部電極層、ＥＡ・・・電子放出領域、ＥＦ・・・有効領域、ＮＦ・・・無効領域、ＳＰ・・・空間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型表示装置において使用されるスペーサ、並びに、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高速応答性、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、『表示装置』と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、『電界放出素子』と略称する場合がある）を備えたカソードパネルと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルとアノードパネルとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する代表的な表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は列方向（Ｙ方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｙ方向とは異なる行方向（Ｘ方向）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡである。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ（平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域ＮＦが、この有効領域ＥＦの外側に位置し、有効領域ＥＦを額縁状に包囲している）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。また、蛍光体領域２２のそれぞれは隔壁２１によって囲まれており、隔壁２１の平面形状は格子形状（井桁形状）である。尚、図中、参照番号１４０は行方向（Ｘ方向）に延びるスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。但し、図１においては、スペーサを、参照番号１４０の代わりに、参照番号４０で示している。また、図３においては、隔壁やスペーサの図示を省略した。
【０００７】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦには、画素（ピクセル）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間ＳＰは高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ１４０を配置しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。尚、スペーサ１４０は、スペーサ基材１４１、及び、スペーサ基材１４１の側面に形成された帯電防止膜１４３から構成されている。但し、図１においては、スペーサ基材１４１、帯電防止膜１４３を、代替的に、参照番号４１，４３で示している。
【０００８】
従来のスペーサ１４０を構成するスペーサ基材１４１は、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム等のセラミックス、あるいは、ガラス等の高抵抗剛性材料から成る。スペーサ１４０は、その両端が、それぞれ、アノード電極２４と、収束電極１７とに接している。従って、スペーサ１４０の両端間には、アノード電極２４に印加される電圧と、収束電極１７に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。尚、表示装置の形式によっては、スペーサ１４０のカソードパネル側はゲート電極１３と接する。この場合には、スペーサ１４０の両端間には、アノード電極に印加される電圧と、ゲート電極に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。従って、スペーサ１４０に過大な電流が流れないように、スペーサ１４０は基本的に高抵抗であることが必要とされる。また、スペーサ１４０の両端における電位差（電圧）が、スペーサ１４０の両端間で均等に分圧される必要がある。従って、スペーサ基材１４１を構成する高抵抗剛性材料の比抵抗は、所定の範囲内の値であり、且つ、できるだけ均一であることが好ましい。例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等には、高抵抗剛性材料として、種々のセラミックス材料が開示されている。
【０００９】
図５の（Ａ）及び（Ｂ）に、スペーサ１４０の近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す。図５の（Ａ）に示すように、電子放出部１５から放出された電子は、蛍光体領域２２に向かう。そして、アノードパネルＡＰにおけるアノード電極２４を通過し、蛍光体領域２２に衝突した電子の一部は、蛍光体領域２２によって後方に散乱される。以下、この電子を『後方散乱電子』と呼ぶ。後方散乱電子の一部はスペーサ１４０の側面に衝突する（図５の（Ｂ）参照）。スペーサ１４０の側面に電子が衝突すると、その表面から２次電子が放出される。スペーサ１４０に衝突する電子とスペーサ１４０から放出される２次電子の量に差がある場合には、スペーサ１４０が帯電して電子の軌道に影響を与える。そのため、２次電子放出係数が１に近い材料から成る帯電防止膜１４３、例えばＣｒＯxから成る帯電防止膜１４３が、スペーサ基材１４１の側面上に設けられている。帯電防止膜１４３を構成する材料（２次電子放出係数が１に近い材料）として、その他、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等が知られており、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に種々の材料が開示されている。
【００１０】
【特許文献１】特表２００３−５２４２８０号公報
【特許文献２】特表２００４−５００６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、このような帯電防止膜１４３にあっては、長期間の後方散乱電子の衝突によって、ＣｒＯxから成る帯電防止膜１４３が還元作用を受ける結果、屡々、電気抵抗値に不所望の変化が生じる。そして、このような帯電防止膜１４３の電気抵抗値に不所望の変化が生じると、スペーサ１４０の近傍の電子放出領域から出射された電子ビームの軌道に変化が生じ、その結果、スペーサ１４０に沿った画素と、その他の部分に位置する画素との間で、相対的な輝度変化が生じるといった問題がある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減し得る構成、構造を有する平面型表示装置、並びに、平面型表示装置において使用されるスペーサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置は、基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置である。また、上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサは、基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサである。
【００１４】
そして、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様に係るスペーサ（以下、これらを総称して、『本発明の第１の態様に係るスペーサ等』と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する。
【００１５】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値ＲBは、スペーサ基材それ自体の電気抵抗値の測定、即ち、帯電防止膜を形成する前のスペーサ基材の電気抵抗値の測定によって求めることができる。一般に、スペーサの電気抵抗値ＲAは、製造上のバラツキを無視すると、スペーサ基材の電気抵抗値ＲBと同じか、それよりも低くなるので、ＲA／ＲBの上限は、スペーサの製造上のバラツキを無視すると「１」である。
【００１６】
また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ、あるいは、本発明の第２の態様に係るスペーサ（以下、これらを総称して、『本発明の第２の態様に係るスペーサ等』と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足する。尚、表面粗さＲaは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１の規定に基づく。
【００１７】
本発明の第２の態様に係るスペーサ等にあっては、アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足することが好ましい。
【００１８】
本発明の第１の態様に係るスペーサ等、あるいは、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係るスペーサ等において、帯電防止膜は、電子の衝突によっても電気抵抗値が変化しない、あるいは、変化が少ない材料から構成することが好ましく、例えば、多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンといったシリコンを挙げることができる。尚、シリコンから成る帯電防止膜の最表面には自然酸化膜が形成されている場合があるが、この場合であっても、帯電防止膜はシリコン（Ｓｉ）から成るとする。
【００１９】
帯電防止膜とスペーサ基材との間に、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮY）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯXＮY）、あるいは、部分安定化された酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）から成る下地層が形成されていてもよい。部分安定化された酸化ジルコニウム（部分安定化ジルコニア）として、具体的には、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＣａＯ、ＺｒＯ2−ＣｅＯ2、ＺｒＯ2−ＭｇＯ、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2を挙げることができる。限定するものではないが、下地層の厚さは、４×１０-9ｍ以上、２×１０-7ｍ以下とすることが望ましい。下地層は、スペーサ基材の側面の９５％以上を被覆していることが望ましい。但し、下地層を形成することは必須ではない。
【００２０】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様に係るスペーサ等あるいは本発明の第２の態様に係るスペーサ等（以下、これらを総称して、単に『本発明のスペーサ等』と呼ぶ場合がある）において、帯電防止膜や下地層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法を含む真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種化学的気相成長（ＣＶＤ）法等、周知の方法により形成（成膜）することができる。
【００２１】
本発明のスペーサ等において、スペーサ基材を構成するセラミックス材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料を挙げることができる。また、スペーサ基材には、チタン酸化物やクロム酸化物、マグネシウム酸化物、鉄酸化物、バナジウム酸化物、ニッケル酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物といった金属酸化物；金や白金等の貴金属；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩、あるいは、これらの混合物が含まれていてもよい。尚、これらの材料を、便宜上、『還元物質』あるいは『導電性付与材料』と呼ぶ場合がある。
【００２２】
本発明のスペーサ等において、スペーサ基材上端面及び下端面には端部電極層が形成されている形態とすることができる。ここで、スペーサ基材の上端面（頂面）に形成された端部電極層はアノード電極に接し、スペーサ基材の下端面（底面）に形成された端部電極層は、電極、例えば、後述する収束電極に接する。スペーサは、例えば、アノードパネルに設けられた隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００２３】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の平面型表示装置、あるいは、本発明のスペーサ（以下、これらを総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）において、１列のスペーサは、１本のスペーサから構成されていてもよいし、複数のスペーサから構成されていてもよい。
【００２４】
スペーサ基材は、例えば、
（ａ）セラミックス粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーを成形（賦形）して、グリーンシートを得た後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより製造することができる。
【００２５】
スペーサ基材を構成するセラミックス材料は、グリーンシート用スラリー内のセラミックス粉末が焼結されることにより形成される。グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミックス粉末を構成する材料として、上述したセラミックスを挙げることができる。尚、必要に応じて、グリーンシート用スラリーに上述した還元物質（導電性付与材料）を分散質として加えてもよい。還元物質は、グリーンシート用スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。還元物質は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の還元物質も焼成されるが、焼成された還元物質が導電性を示すものであればよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００２６】
平面型表示装置において、カソードパネルを構成する支持体、あるいは又、アノードパネルを構成する基板は、これらの基板が相互に対向する面が絶縁性部材から構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁被膜が形成された石英基板、表面に絶縁被膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００２７】
平面型表示装置において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【００２８】
ここで、平面型表示装置を、電界放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、
（ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成されたゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
【００２９】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。カソードパネルにおいて、ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。ここで、ゲート電極は行方向（Ｘ方向）に延び、カソード電極は列方向（Ｙ方向）に延びる構成とすることができる。カソードパネルにおいて、ゲート電極とカソード電極とが重複する重複領域が電子放出領域を構成し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００３０】
そして、冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、実表示作動時、ゲート電極及びカソード電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００３１】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実表示作動時、アノード電極制御回路からアノード電極に印加される電圧（アノード電圧）ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実表示作動時、例えば、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式やパルス幅変調方式を採用することができる。
【００３２】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３３】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３４】
収束電極（フォーカス電極）が備えられている場合、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている構造、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている構造とすることができる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極及び層間絶縁層には、開口部（第３開口部）が設けられている。
【００３５】
ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域は、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している。
【００３６】
ゲート電極、カソード電極、収束電極、端部電極層の構成材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。ゲート電極やカソード電極、収束電極、端部電極層を、これらの材料の単層構造あるいは積層構造とすることができる。また、これらの電極や端部電極層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法を含む各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、メタルマスク印刷法を含む各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができるし、これらの方法とエッチング法との組合せを挙げることもできる。ここで、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた帯状のカソード電極やゲート電極、収束電極を形成することが可能である。
【００３７】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種ＰＶＤ法、各種ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３８】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から、適宜、選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００３９】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を、直接、形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。収束電極及び層間絶縁層に設けられた第３開口部の形成も同様の方法で行うことができる。
【００４０】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４１】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体薄膜を形成してもよい。抵抗体薄膜を形成することによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化、カソード電極とゲート電極との間のリーク電流の抑制を図ることができる。抵抗体薄膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系抵抗体材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体抵抗体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体薄膜の形成方法として、スパッタリング法、各種ＣＶＤ法や、スクリーン印刷法といった各種印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０5〜１×１０11Ω、好ましくは数ＭΩ〜数十ギガΩとすればよい。
【００４２】
絶縁層、層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。絶縁層、層間絶縁層の形成には、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４３】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、
（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成
（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成
を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。尚、メタルバック膜をアノード電極と兼ねることもできる。
【００４４】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数［ＵＮ］は２以上であればよく、例えば、直線上に配列された蛍光体領域の列の総数を［ｕｎ］列としたとき、［ＵＮ］＝［ｕｎ］とし、あるいは、［ｕｎ］＝ｕ・［ＵＮ］（ｕは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｕ≦１００、一層好ましくは２０≦ｕ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。このように、アノード電極を有効領域のほぼ全面に亙って形成する代わりに、より小さい面積を有するアノード電極ユニットに分割した形で形成すれば、アノード電極ユニットと電子放出領域との間の静電容量を減少させることができる。その結果、放電の発生を低減することができ、放電に起因したアノード電極や電子放出領域の損傷の発生を効果的に減少させることができる。
【００４５】
アノード電極をアノード電極ユニットから構成する場合であって隔壁（後述する）が形成されている場合、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面上に亙り形成されている形態とすることができる。尚、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面の途中まで形成されている形態であってもよい。
【００４６】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法を含む各種印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料を各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も、アノード電極と同様の、あるいは、類似した方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料の各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１×１０-6ｍ（１μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）を例示することができる。
【００４７】
アノード電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンドやグラファイト等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の電気抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）から構成することが好ましい。
【００４８】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線上に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００４９】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料は、従来公知の蛍光体材料の中から、適宜、選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００５０】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、後述する隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して、適宜、選択された方法にて形成することができる。
【００５１】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５２】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができるし、蛍光体領域の二辺と平行に延びる直線状の形状（棒状の形状）を挙げることができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５３】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５４】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を接合部材として用いて行ってもよいし、あるいは、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いて行ってもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを、適宜、選択することにより、接着層のみから成る接合部材を使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料として、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料として、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００５５】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスとすることが好ましいが、大気中で行うこともできる。
【００５６】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００５７】
本発明において、ピクセル数をＭ×Ｎとしたとき、（Ｍ，Ｎ）として、具体的には、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【発明の効果】
【００５８】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいはスペーサにあっては、スペーサ基材の電気抵抗値をＲB、スペーサの電気抵抗値をＲAとしたとき、ＲA／ＲB≧０．９を満足する。即ち、ＲA／ＲBの値は概ね１であり、帯電防止膜の形成前後での電気抵抗値の変化は、無いか、あっても、僅かな減少に過ぎない。そして、このような特性を有するスペーサを組み込んだ平面型表示装置にあっては、長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができた。また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいはスペーサにあっては、スペーサ側面の表面粗さ及び帯電防止膜の平均厚さｔが規定されている。そして、これによっても、スペーサを組み込んだ平面型表示装置にあっては、長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、実施例１〜実施例２における平面型表示装置の共通した概要を、以下、説明する。ここで、実施例における平面型表示装置は、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）である。実施例における表示装置にあっては、帯状のゲート電極（例えば走査電極）１３は行方向（Ｘ方向）に延び、帯状のカソード電極（例えばデータ電極）１１は列方向（Ｙ方向）に延びている。尚、実施例の表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、スペーサの模式的な断面図を図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。また、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３に示す。
【００６０】
実施例における表示装置は、基板２０上に蛍光体領域２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰと、支持体１０上に行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパネルＣＰとが、外周部で接合されて成る。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されており、スペーサがアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されている。
【００６１】
また、実施例におけるスペーサは、基板２０上に蛍光体領域２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰと、支持体１０上に行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパネルＣＰとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間ＳＰが真空に保持されている表示装置において使用され、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に配置されるスペーサである。
【００６２】
ここで、実施例における表示装置は、有効領域ＥＦ、及び、有効領域ＥＦを取り囲む無効領域ＮＦを有する。尚、有効領域ＥＦとは、表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、この有効領域ＥＦは、額縁状に包囲する無効領域ＮＦによって囲まれている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって挟まれた空間ＳＰは真空（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）に保持されている。カソードパネルＣＰの無効領域ＮＦには、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管（図示せず）が取り付けられている。
【００６３】
実施例において、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子）は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、
（ａ）支持体１０上に形成された帯状のカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成された帯状のゲート電極１３、
（ｄ）カソード電極１１とゲート電極１３の重複する重複領域に位置するゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられ、底部にカソード電極１１が露出した開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に露出したカソード電極１１上に設けられ、カソード電極１１及びゲート電極１３への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部１５、
から構成されている。ここで、電子放出部１５の形状は円錐形である。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【００６４】
実施例の表示装置において、カソード電極１１（例えばデータ電極）とゲート電極１３（例えば走査電極）とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向（列方向，Ｙ方向及び行方向，Ｘ方向）に各々帯状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領域（１副画素（サブピクセル）分の領域に相当し、電子放出領域ＥＡである）に、複数の電界放出素子が設けられている。尚、図面の簡素化のため、図１では、各電子放出領域ＥＡにおいて２つの電子放出部１５を図示した。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、上述したとおり、２次元マトリクス状に配列されている。
【００６５】
アノードパネルＡＰは、基板２０と、基板２０上に形成され、所定のパターンを有する蛍光体領域２２と、その上に形成されたアノード電極２４から構成されている。１副画素（１サブピクセル）は、電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦには、係る副画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間の基板２０上には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。アノード電極２４は、厚さ約０．３μｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域ＥＦを覆う薄い１枚のシート状であり、蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。図３においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、１つの緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、１つの青色発光蛍光体領域２２Ｂの集合から構成されている。各蛍光体領域２２を取り囲む格子状の隔壁２１が基板２０上に形成されている。各蛍光体領域２２は、隔壁２１によって囲まれている。格子状の隔壁２１における蛍光体領域２２を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）は、矩形形状（長方形）であり、これらの平面形状（開口領域の平面形状）は２次元マトリクス状（より具体的には、井桁）に配列され、格子状の隔壁２１が形成されている。隔壁の一部は、スペーサ保持部２５として機能する。
【００６６】
平板状のスペーサは、行方向（Ｘ方向）に沿って複数列、配置されている。また、スペーサとスペーサとによって、数十本乃至数百本のゲート電極１３が挟まれている。スペーサの上端面（頂面）及び下端面（底面）はＸＹ平面と平行であり、側面はＸＺ平面と平行であり、端面はＹＺ平面と平行である。そして、スペーサはスペーサ保持部２５によって保持されている。
【００６７】
実施例における表示装置において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極が設けられている場合には、収束電極は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３３に接続されている。表示装置の実表示作動時、アノード電極制御回路３３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルト、具体的には、例えば、９キロボルト（例えば、ｄ0＝２．０ｍｍ）とすることができる。一方、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよいが、実施例における表示装置においては、上述の（２）の方式を採用する。
【００６８】
即ち、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極が設けられている場合には、収束電極には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において、線順次駆動方式により画像の表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。尚、カソード電極１１を走査電極とし、ゲート電極１３をデータ電極とする場合には、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力すればよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及び、カソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。カソード電極１１はカソード電極駆動ドライバによって駆動され、ゲート電極１３はゲート電極駆動ドライバによって駆動される。カソード電極制御回路３１、ゲート電極制御回路３２、アノード電極制御回路３３や駆動ドライバは周知の回路から構成することができる。
【実施例１】
【００６９】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置及びスペーサに関する。
【００７０】
実施例１のスペーサ４０は、模式的な断面図を図２の（Ａ）に示すように、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材４１、及び、
（Ｂ）スペーサ基材４１の側面上に形成された帯電防止膜４３、
から構成されている。ここで、帯電防止膜４３はシリコン（具体的には、アモルファスシリコン）から成る。
【００７１】
スペーサ基材４１は、アノードパネル側に上端面４２Ａ及びカソードパネル側に下端面４２Ｂを有する。更には、上端面４２Ａ及び下端面４２Ｂには、白金（Ｐｔ）から成る端部電極層４５Ａ，４５Ｂが形成されている。尚、代替的に、端部電極層４５Ａ，４５Ｂを構成する材料としてニッケル−バナジウム合金を挙げることができる。スペーサ基材４１の上端面４２Ａに形成された端部電極層４５Ａはアノード電極２４に接し、スペーサ基材４１の下端面４２Ｂに形成された端部電極層４５Ｂは収束電極１７に接する。実施例１において、スペーサ基材４１の寸法を、長手方向（図１においてＸ方向）に３０ｍｍ、厚さ方向（図１においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１においてＺ方向）に２．０ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。尚、後述する実施例２におけるスペーサも、同様とした。
【００７２】
実施例１にあっては、スペーサ基材４１を、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から作製し、その上に、スパッタリング法にてアモルファスシリコンから成る帯電防止膜４３を形成した。尚、スペーサ基材４１の側面に遊離砥粒を用いた研削加工を施し、表１に示すように、表面粗さＲaを０．００８９μｍ及び０．０９８μｍとした。また、得られたスペーサ基材４１の側面に、表１に示す平均膜厚ｔの帯電防止膜４３を形成した。尚、表１では、表面粗さを「Ｒa」で示し、平均膜厚ｔを「膜厚」で示す。
【００７３】
そして、アノードパネルＡＰに面するスペーサ基材４１の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ基材４１の下端面との間の電気抵抗値ＲBを測定した。更には、アノードパネルＡＰに面するスペーサ４０の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ４０の下端面との間の電気抵抗値ＲAを測定した。測定結果、及び、ＲA／ＲBの計算結果を、表１に示す。
【００７４】
更には、これらのスペーサ４０を表示装置に組み込み、アノード電極２４に高電圧を印加して、表示装置を動作させたときにスペーサ４０に過剰な電流が流れるといった異常が発生したか否かを調べた。その結果を表１の「高電圧印加」の項に示すが、「異常なし」とは、アノード電極２４に１５キロボルトの電圧を印加したときでも異常が生じなかったことを意味する。また、電圧が記載されているスペーサにあっては、その電圧をアノード電極２４に印加したとき、異常が発生したことを意味する。更には、スペーサに隣接する電子放出領域からの電子ビームの移動ずれを調べた。その結果を表１の「電子軌道ずれ」の項に示すが、「異常なし」とは、表示装置を１万時間、動作させても電子ビームの移動ずれが認められなかったことを意味する。また、数字が記載されているスペーサにあっては、その動作時間経過後には、電子ビームの移動ずれが発生していたことを意味する。
【００７５】
表１から、ＲA／ＲB≧０．９を満足する実施例１−Ａ、実施例１−Ｂ、実施例１−Ｃ、実施例１−Ｄのスペーサにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、比較例１−Ａ、比較例１−Ｂ、比較例１−Ｃ、比較例１−Ｄ、比較例１−Ｅ、比較例１−Ｆにあっては、ＲA／ＲBの値が０．９を下回っており、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。
【００７６】
また、実施例１にあっては、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．００８９μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが１．５ｎｍあるいはそれ以下の実施例１−Ａ、実施例１−Ｂ、並びに、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．０９８μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが２ｎｍあるいはそれ以下の実施例１−Ｃ、実施例１−Ｄにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．００８９μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが２ｎｍあるいはそれ以上の比較例１−Ａ、比較例１−Ｂ、比較例１−Ｃ、並びに、スペーサ基材４１の表面粗さＲaが０．０９８μｍ、帯電防止膜４３の平均膜厚ｔが３ｎｍあるいはそれ以上の比較例１−Ｄ、比較例１−Ｅ、比較例１−Ｆにあっては、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。即ち、スペーサの仕様が
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するとき、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生しないことが判った。
【実施例２】
【００７７】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２のスペーサ５０は、模式的な断面図を図２の（Ｂ）に示すように、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材５１、及び、
（Ｂ）スペーサ基材５１の側面上に形成された帯電防止膜５３、
から構成されている。ここで、帯電防止膜５３も、実施例１と同様にシリコン（具体的には、アモルファスシリコン）から成る。
【００７８】
スペーサ基材５１にあっては、実施例１と同様に、上端面５２Ａ及び下端面５２Ｂに、白金（Ｐｔ）から成る端部電極層５５Ａ，５５Ｂが形成されている。そして、スペーサ基材５１の上端面５２Ａに形成された端部電極層５５Ａはアノード電極２４に接し、スペーサ基材５１の下端面５２Ｂに形成された端部電極層５５Ｂは収束電極１７に接する。
【００７９】
実施例２にあっては、スペーサ基材５１を、ＴｉＯXが１重量％添加された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から作製し、スペーサ基材５１の側面全面に、スパッタリング法にて厚さ４ｎｍのＳｉＯ2から成る下地層５４を形成し、その上に、スパッタリング法にてアモルファスシリコンから成る帯電防止膜５３を形成した。尚、実施例１と同様に、スペーサ基材５１の側面に遊離砥粒を用いた研削加工を施し、表１に示すように、表面粗さＲaを０．２４μｍ及び０．５１μｍとした。また、得られた下地層５４上に、表１に示す平均膜厚ｔの帯電防止膜５３を形成した。
【００８０】
そして、アノードパネルＡＰに面するスペーサ基材５１の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ基材５１の下端面との間の電気抵抗値ＲBを測定した。更には、アノードパネルＡＰに面するスペーサ５０の上端面とカソードパネルＣＰに面するスペーサ５０の下端面との間の電気抵抗値ＲAを測定した。測定結果、及び、ＲA／ＲBの計算結果を、表１に示す。尚、実施例１と異なり、スペーサ基材５１にはＴｉＯXが添加されているが故に、実施例２における電気抵抗値ＲBは、実施例１における電気抵抗値ＲBよりも、２桁程度低い値となっている。
【００８１】
更には、これらのスペーサ５０を表示装置に組み込み、実施例１と同様に、アノード電極２４に高電圧を印加して、表示装置を動作させたときに異常が発生したか否かを調べた。その結果を表１の「高電圧印加」の項に示す。更には、スペーサに隣接する電子放出領域からの電子ビームの移動ずれを調べた。その結果を表１の「電子軌道ずれ」の項に示す。
【００８２】
表１から、ＲA／ＲB≧０．９を満足する実施例２−Ａ、実施例２−Ｂ、実施例２−Ｃ、実施例２−Ｄ、実施例２−Ｅのスペーサにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、比較例２−Ａ、比較例２−Ｂ、比較例２−Ｃ、比較例２−Ｄ、比較例２−Ｅにあっては、ＲA／ＲBの値が０．９を下回っており、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。
【００８３】
また、実施例２にあっては、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．２４μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが３ｎｍあるいはそれ以下の実施例２−Ａ、実施例２−Ｂ、実施例２−Ｃ、並びに、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．５１μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが５ｎｍあるいはそれ以下の実施例２−Ｄ、実施例２−Ｅにあっては、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生していなかった。一方、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．２４μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが４ｎｍあるいはそれ以上の比較例２−Ａ、２−Ｂ、２−Ｃ、並びに、スペーサ基材５１の表面粗さＲaが０．５１μｍ、帯電防止膜５３の平均膜厚ｔが８ｎｍあるいはそれ以上の比較例２−Ｄ、比較例２−Ｅにあっては、「高電圧印加」、「電子軌道ずれ」の少なくとも一方に異常が発生していた。即ち、スペーサの仕様が
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するとき、「高電圧印加」及び「電子軌道ずれ」に異常が発生しないことが判った。
【００８４】
尚、図４に、実施例及び比較例から得られたスペーサ基材の表面粗さＲaと帯電防止膜の平均厚さｔの関係のグラフを示す。
【００８５】
［表１］
【００８６】
実施例１あるいは実施例２にあっては、極薄の帯電防止膜４３，５３を形成することで、量子サイズ効果に基づき、帯電防止膜４３，５３の電気抵抗値が、帯電防止膜を構成する材料がバルク状態であるときの電気抵抗値よりも高くなる結果、ＲA／ＲBの値を０．９以上に保持することができると推定している。そして、その結果、スペーサ基材４０，５０の上端面から下端面へと流れる電流は、スペーサ基材４１，５１を流れる経路、及び、帯電防止膜４３，５３を流れる経路の２つの経路を取ることができるので、表示装置の長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができると考えられている。また、帯電防止膜４３，５３の平均膜厚が厚くなっても、スペーサ基材４１，５１の側面の表面粗さＲaが粗ければ、帯電防止膜４３，５３には薄い部分が形成され、その結果、量子サイズ効果と併せて、帯電防止膜４３，５３全体として高い電気抵抗値を保持することができると推定している。そして、その結果、スペーサ基材４０，５０の上端面から下端面へと流れる電流は、スペーサ基材４１，５１を流れる経路、及び、帯電防止膜４３，５３を流れる経路の２つの経路を取ることができるので、表示装置の長時間の使用においても、安定した動作が達成でき、しかも、スペーサの帯電に起因した電子ビーム軌道の変化が少なく、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を低減することができると考えられている。
【００８７】
以下、実施例２の表示装置の製造方法を説明する。
【００８８】
［工程−２００］
先ず、グリーンシート用スラリーを調製する。平均粒径が１〜２μｍとなるように粉砕・分級したアルミナ粉末（アルコア インコーポレイテッド製）、チタニア粉末（関東化学株式会社製）を、９９：１となるように混合し、ポリビニルブチラール系樹脂のバインダーと界面活性剤とを加えて、トルエンとエタノールの混合溶媒に分散し、ボールミルによって攪拌し、グリーンシート用スラリーを得ることができる。
【００８９】
［工程−２１０］
次いで、グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得る。実施例２では、調製したグリーンシート用スラリーをブレードコート法によって厚さ約１００μｍのシートとし、１００゜Ｃで充分に乾燥させることで、グリーンシートを得たが、これに限定するものではない。
【００９０】
［工程−２２０］
その後、グリーンシートを焼成し、セラミックス材料を得る。上記のシートをモリブデン製のセッターの上に載せ、１６５０゜Ｃ、窒素：水素＝１：３の雰囲気下で、約１時間焼成することにより、セラミックス材料を得たが、これに限定するものではない。
【００９１】
［工程−２３０］
次いで、セラミックス材料を切断することにより、スペーサ基材５１を得る。実施例２において、上述したとおり、スペーサ基材５１の寸法を、長手方向（図１においてＸ方向）に３０ｍｍ、厚さ方向（図１においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１においてＺ方向）に２．０ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。
【００９２】
［工程−２４０］
次いで、スペーサ基材５１の両側面の上に、下地層５４及び帯電防止膜５３を、順次、形成（成膜）する。具体的には、リフトオフ法及びスパッタリング法に基づき端部電極層５５Ａ，５５Ｂが上端面５２Ａ及び下端面５２Ｂに形成されたスペーサ基材５１を、台座に載置する。ＳｉＯ2から成る下地層５４を以下に条件を例示するスパッタリング法に基づき成膜し、その後、Ｓｉから成る帯電防止膜５３を以下に条件を例示するスパッタリング法に基づき成膜する。その後、一方の側面の上に下地層５４及び帯電防止膜５３が形成されたスペーサ基材５１を台座から取り除く。そして、同様の方法で、スペーサ基材５１の他方の側面の上にも、下地層５４及び帯電防止膜５３を形成する。
【００９３】
［下地層５４のスパッタリング条件］
スペーサ基材温度 ：加熱無し
成膜速度 ：０．０５ｎｍ／秒
圧力 ：０．２Ｐａ
プロセスガス ：Ａｒ
スパッタリング方法 ：ＲＦスパッタリング
［帯電防止膜５３のスパッタリング条件］
スペーサ基材温度 ：加熱無し
成膜速度 ：０．０５ｎｍ／秒
圧力 ：０．１Ｐａ
プロセスガス ：Ａｒ
スパッタリング方法 ：ＲＦスパッタリング
【００９４】
［工程−２５０］
次いで、図１に示す表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ５０を介して、蛍光体領域２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置する。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、支持体１０と基板２０）とを、例えば接合部材（枠体を含む）２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、接合部材２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、接合部材２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とを貼り合わせ、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とフリットガラスとによって囲まれた空間ＳＰを、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間ＳＰの圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とに囲まれた空間ＳＰを真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、実施例２の表示装置を完成させることができる。尚、実施例１の表示装置も、同様の方法で製造することができる。
【００９５】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子、スペーサの構成、構造は例示であり、適宜、変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子、スペーサの製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネル、スペーサの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。また、下地層の異なる材料を２層以上積層した積層構造を有する下地層とすることもできる。
【００９６】
スペーサ基材の側面上にシリコンから成る帯電防止膜が形成される限り、下地層を設けることは必須ではない。即ち、帯電防止膜の成膜条件を適切な条件とすることで（具体的には、例えば、帯電防止膜の成膜時、スペーサ基材の温度を高くする）、下地層も設けなくとも、シリコンから成る帯電防止膜を、直接、スペーサ基材の側面上に形成することができる。
【００９７】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００９８】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】図１は、実施例１の平面型表示装置、具体的には、冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び実施例２のスペーサの模式的な断面図である。
【図３】図３は、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図４】図４は、実施例及び比較例から得られたスペーサ基材の表面粗さＲaと帯電防止膜の平均厚さｔの関係を示すグラフである。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、冷陰極電界電子放出表示装置において、スペーサの近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０，５０・・・スペーサ、４１，５１・・・スペーサ基材、４２Ａ，５２Ａ・・・スペーサ基材の上端面、４２Ｂ，５２Ｂ・・・スペーサ基材の下端面、４３，５３・・・帯電防止膜、５４・・・下地層、４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂ・・・端部電極層、ＥＡ・・・電子放出領域、ＥＦ・・・有効領域、ＮＦ・・・無効領域、ＳＰ・・・空間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置であって、
スペーサは、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する平面型表示装置。
【請求項２】
帯電防止膜はシリコンから成る請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置であって、
スペーサは、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足する平面型表示装置。
【請求項４】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
帯電防止膜はシリコンから成る請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサであって、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足するスペーサ。
【請求項７】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサであって、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するスペーサ。
【請求項８】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する請求項７に記載のスペーサ。
【請求項１】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置であって、
スペーサは、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する平面型表示装置。
【請求項２】
帯電防止膜はシリコンから成る請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、スペーサがアノードパネルとカソードパネルとの間に配置された平面型表示装置であって、
スペーサは、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足する平面型表示装置。
【請求項４】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
帯電防止膜はシリコンから成る請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサであって、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足するスペーサ。
【請求項７】
基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置において使用され、アノードパネルとカソードパネルとの間に配置されるスペーサであって、
（Ａ）セラミックス材料から成るスペーサ基材、及び、
（Ｂ）スペーサ基材の側面上に形成された帯電防止膜、
から構成されており、
スペーサ側面の表面粗さをＲa（単位：μｍ）、帯電防止膜の平均厚さをｔ（単位：ｎｍ）としたとき、
ｔ≦７．１・Ｒa＋１．４
を満足するスペーサ。
【請求項８】
アノードパネルに面するスペーサ基材上端面とカソードパネルに面するスペーサ基材下端面との間の電気抵抗値をＲB、アノードパネルに面するスペーサ上端面とカソードパネルに面するスペーサ下端面との間の電気抵抗値をＲAとしたとき、
ＲA／ＲB≧０．９
を満足する請求項７に記載のスペーサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−８０１１５（Ｐ２０１０−８０１１５Ａ）
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４４３５０（Ｐ２００８−２４４３５０）
【出願日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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